Claims (20)
기판상에 개구부를 갖춘 제1절연층을 형성하는 공정과, 상기 개구부내에 선택적으로 도전층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층상에 선택적으로 제2절연층을 형성하는 공정, 상기 제2절연층을 패터닝하는 공정 및, 패터닝에 의해 형성된 제2절연층의 개구부에 상기 도전층과 전기적으로 접속되는 내부배선층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.Forming a first insulating layer having an opening on the substrate, selectively forming a conductive layer in the opening, selectively forming a second insulating layer on the first insulating layer, and forming the second insulating layer And a step of forming an internal wiring layer electrically connected to the conductive layer in the opening of the second insulating layer formed by patterning.
제1항에 있어서, 상기 제2절연층의 형성이 선택CVD법에 의해 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the second insulating layer is formed by a selective CVD method.
제1항에 있어서, 상기 제2절연층의 형성이 방향성 선택CVD법에 의해 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the second insulating layer is formed by a directional selective CVD method.
제3항에 있어서, 상기 방향성 선택CVD법에 공급가스로서 극성화합물 가스를 이용하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein a polar compound gas is used as the supply gas in the directional selective CVD method.
제1항에 있어서, 상기 제1절연층 및 상기 제2절연층이 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first insulating layer and the second insulating layer are made of SiO 2 .
제5항에 있어서, 상기 극성화합물가스가 SiH3과 SiCl2, SiCl3, 및 Si(CH3)3로 이루어진 군으로부터 선택된 실리콘화합물가스인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the polar compound gas is a silicon compound gas selected from the group consisting of SiH 3 and SiCl 2 , SiCl 3 , and Si (CH 3 ) 3 .
제1항에 있어서, 상기 제2절연층을 형성하는 공정전에 상기 제1절연층 및 상기 도전층표면을 H2프라즈마에 의해 처리하는 공정을 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of treating the surface of the first insulating layer and the conductive layer by H 2 plasma before the step of forming the second insulating layer.
제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 공정이 선택CVD법에 의해 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of forming the conductive layer is performed by a selective CVD method.
제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 공정이, 전체명에 방향성CVD법을 실시한 다음 경면연마를 실시해서 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of forming the conductive layer is performed by performing a directional CVD method on all the surfaces followed by mirror polishing.
제9항에 있어서, 상기 방향성CVD법에 상기 기판에 바이어스를 인가한 상태에서 수행되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the CVD method is performed while a bias is applied to the substrate.
제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 공정이 전체면에 방향성 CVD법을 실시한 다음 전체면에 평탄화재료를 퇴적해서 표면을 평탄화하고, 다시 에칭백을 실시하여 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의제조방법.2. The semiconductor according to claim 1, wherein the forming of the conductive layer is performed by performing a directional CVD method on the entire surface and then depositing a planarizing material on the entire surface to planarize the surface, and then etching back. Manufacturing method of the device.
제11항에 있어서, 상기 방향성CVD법은 상기 기판에 바이어스를 인가한 상태에서 수행하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.12. The method of claim 11, wherein the directional CVD method is performed in a state where a bias is applied to the substrate.
제1항에 있어서, 상기 도전층을 형성하는 공정이 상기 제2절연층상에 공간층을 형성하고, 전체면에 방향성CVD법을 실시한 다음 공간층을 제거해서 상기 공간층상의 도전층상의 도전층부분을 리프트오프해서 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The conductive layer portion according to claim 1, wherein the step of forming the conductive layer forms a space layer on the second insulating layer, performs directional CVD on the entire surface, and then removes the space layer. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that it is made by lifting off.
기판상에 복수의 개구부를 갖춘 제1절연층을 형성하는 공정과, 상기 개구부내에 선택적으로 도전층을 형성하는 공정, 상기 도전층중 그 위에 내부배선층이 형성되어야 하는 곳 이외의 도전층 표면을 절연화하는 공정, 상기 제1절연층상 및 표면이 절연화된 도전층상에 선택적으로 제2절연층을 형성하는 공정, 상기 제2절연층을 패터닝하는 공정 및, 패터닝에 의해 형성된 제2절연층의 개구부에 상기 표면이 절연화되어 있지 않은 도전층과 전기적으로 접속되는 내부배선층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.Forming a first insulating layer having a plurality of openings on the substrate, selectively forming a conductive layer in the openings, and insulating a surface of the conductive layer other than where the internal wiring layer should be formed thereon; Forming a second insulating layer selectively on the first insulating layer and the conductive layer on which the surface is insulated, patterning the second insulating layer, and openings of the second insulating layer formed by patterning And a step of forming an internal wiring layer electrically connected to the conductive layer whose surface is not insulated.
제14항에 있어서, 상기 도전층의 표면을 절연화하는 공정이 산소 또는 질소의 이온빔을 상기 도전층의 표면에 조사해서 주사되어 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.15. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 14, wherein the step of insulating the surface of the conductive layer is performed by scanning an ion beam of oxygen or nitrogen onto the surface of the conductive layer.
제14항에 있어서, 상기 도전층의 표면을 산화하는 공정이 마스크층을 매개로 도전층에 산소 또는 질소이온을 주입함으로써 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.15. The method of claim 14, wherein the step of oxidizing the surface of the conductive layer is performed by injecting oxygen or nitrogen ions into the conductive layer via a mask layer.
제14항에 있어서, 상기 도전층의 표면을 절연하는 공정이 내산화성 마스크를 매개로 도전층의 표면을 열산화함으로써 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.15. The method of claim 14, wherein the step of insulating the surface of the conductive layer is performed by thermally oxidizing the surface of the conductive layer via an oxidation resistant mask.
기판상에 개구부를 갖춘 제1연층을 형성하는 공정과, 상기 개구부내에 선택적으로 제1도전층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층상에 선택적으로 제2절연층을 형성하는 공정, 상기 제2절연층을 패터닝하는 공정 및, 방향성CVD법에 의해 상기 제1절연층 및 제2절연층의 상면에 각각 제2도전층 및 제3도전층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.Forming a first lead layer having an opening on the substrate, selectively forming a first conductive layer in the opening, selectively forming a second insulating layer on the first insulating layer, and second insulating And forming a second conductive layer and a third conductive layer on the upper surfaces of the first insulating layer and the second insulating layer, respectively, by a directional CVD method. Manufacturing method.
기판의 소자분리영역에 방향성산화 및 방향성질화에 의해 소자분리용 절연층을 형성하는 공정과, 상기 소자분리용 절연층에 의해 분리된 기판부분에 활성소자를 형성하는 공정을 구비하여 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.And a process of forming an isolation layer for device isolation by directional oxidation and directional nitriding in the device isolation region of the substrate, and a process for forming an active element in the portion of the substrate separated by the device isolation insulation layer. A method for manufacturing a semiconductor device.
기판(10)과, 이 기판(10)상에 설치된 개구부를 갖춘 제1절연층(11), 상기 개구부에 선택적으로 설치된 도전층(15), 상기 제1절연층(11)상에 선택적으로 설치된 제2절연층(14)및, 이 제2절연층(14)의 개구부에 자기정합으로 설치되면서 상기 도전층(15)과 전기적으로 접속되어 상기 도전층(15)과 접속되는 부분의 폭이 상기 도전층(15)의 칫수와 동일한 내부배선층(13)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.A first insulating layer 11 having a substrate 10 and an opening provided on the substrate 10, a conductive layer 15 selectively provided in the opening, and optionally provided on the first insulating layer 11. The width of a portion of the second insulating layer 14 and the portion of the second insulating layer 14 that is electrically connected to the conductive layer 15 and is electrically connected to the conductive layer 15 is provided by self-alignment. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising an inner wiring layer (13) equal to the dimensions of the conductive layer (15).
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.