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Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials
(AREA)
Abstract
내용 없음.No content.
Description
박막 패턴의 형성방법Formation method of thin film pattern
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.
제2도(a) 내지 제2(d)도는 본 발명에 따른 박막패턴의 형성방법을 보이는 공정도.2 (a) to 2 (d) is a process chart showing a method of forming a thin film pattern according to the present invention.
Claims (3)
얼라인먼트 마크(2)가 형성된 기판상에 포토레지스트를 도포하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 얻어진 샘플을 마스크 노광 및 현상하여 포토레지시트 패턴을 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서 얻어진 샘플상에 박막을 피복하는 제3공정과, 상기 제3공정에서 얻어진 샘플에서 포토레지스트 패턴과 그 상면에 피복된 박막을 제거함으로써 박막 패턴을 형성하는 제4공정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 형성방법.In a first step of applying a photoresist on a substrate on which the alignment mark 2 is formed, a second step of forming a photoresist pattern by mask exposing and developing the sample obtained in the first step, and in the second step And a fourth step of coating a thin film on the obtained sample, and a fourth step of forming a thin film pattern by removing the photoresist pattern and the thin film coated on the upper surface from the sample obtained in the third step. Method of forming a thin film pattern.제1항에 있어서, 상기 제3공정의 박막 피복 방법이 진공 챔버내에서 기판을 가열하며 행하는 증착 방법인 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 형성방법.The method of forming a thin film pattern according to claim 1, wherein the thin film coating method of the third step is a vapor deposition method performed by heating a substrate in a vacuum chamber.제1항 또는 제2항중의 어느 한항에 있어서, 상기 제2공정에서 포토레지스트 패턴을 형성하는 샘플을 상기 진공 챔버내에 투입하여 가열함으로써 하드베이킹을 수행한 뒤 증착을 행하는 것을 특징으로 하는 박막 패턴의 형성방법.The thin film pattern according to any one of claims 1 to 4, wherein the sample forming the photoresist pattern is introduced into the vacuum chamber and heated in the vacuum chamber to perform hard baking, followed by vapor deposition. Formation method.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019890020760A1989-12-311989-12-31
Formation method of thin film pattern
KR910013539A
(en)