Claims (6)
마이크로프로세서(11)와 상기 마이크로프로세서(11)에 데이터 버스 및 어드레스 버스를 통해 연결된 램(RAM : 10)으로 구성하는 시스템에서 램(RAM) 에러를 검출하는 회로에 있어서 ; 상기 마이크로프로세서(11)의 읽기() 및 쓰기() 단자에 연결되어 두 입력신호를 논리곱(AND)하는 제 1 AND 게이트(23)와, 상기의 어드레스 버스 및 제 1 AND 게이트(23)의 출력단에 연결되어 일시적으로 어드레스 기억을 수행하는 제 1 래치회로(21)와, 상기의 데이터 버스 및 제 1 AND 게이트(23)의 출력단에 연결되어 일시적으로 데이터 기억을 수행하는 제 2 래치 회로(22)와, 상기 제 1 AND 게이트(23) 및 마이크로프로세서(11)의 읽기()단자에 연결되어 상기 AND 게이트(23)의 출력으로 반전신호와 읽기 제어신호를 논리곱(AND)하여 상기 램(10)의 출력 인에이블단자()로 인가하는 제 2 AND 게이트(25)와, 상기 마이크로프로세서(11) 측의 어드레스 버스에 어드레스 입력단자를 연결하고, 상기 제 1 AND 게이트(23)의 출력단에 제어용 입력단자를 연결하며 상기 램(10) 측의 어드레스 버스에 출력단자를 연결한 제 1 3-상태 버퍼(12)와, 상기 제 1 래치회로(21)의 출력단에 입력단자를 연결하고 상기 제 1 AND 게이트(23)의 출력단에 제어용 입력단자를 연결하며 상기 램(10) 측의 어드레스 버스에 출력단자를 연결한 제 2 3-상태 버퍼(13)와, 상기 램(10) 측의 데이터 버스에 데이터 입력단자를 연결하고 상기 마이크로프로세서(11)의 읽기()단자에 제어용 입력단자는 연력하며 상기 마이크로프로세서(11) 측의 데이터 버스에 데이터 입력단자를 연결하고, 상기 마이크로프로세서(11)의 쓰기()단자에 제어용 입력단자를 연결하며 상기 램(10) 측의 데이터 버스에 출력 단자를 연결한 제 4 3-상태 버퍼(15)와, 상기 제 2 래치회로(22)에 신호 입력단자를 연결하고 상기 제 1 AND 게이트의 출력단에 제어용 입력단자를 연결한 제 5 3-상태버퍼(16)와, 상기 램(10)측 데이터 버스 데이터 버스에 데이터 입력단자를 연결하고 상기 제 1 AND 게이트(23)의 출력단에 제어용 입력단자를 연결한 제 6 3-상태 버퍼(17)와, 상기 제 5 3-상태 버퍼(16) 및 제 6 3-상태 버퍼(17)에 연결되어 두 입력을 배타적으로 논리합하는 배타적 OR 게이트(20)와, 클럭 주파수(fs)를 일정수(N)로 분주시켜 출력하는 분주기(19)와, 상기 마이크로프로세서(11)의 램 선택단자() 및 상기 분주기(19)에 연결되어 두 입력신호에 대해 논리곱은 수행하여 램(10)의 칩 선택단자()로 출력하는 제 2 AND 게이트(24)와, 상기 배타적 OR 게이트(20)의 출력단에 신호 입력단자를 연결하고, 상기 분주기(19)에 제어용 입력단자는 연결한 제 7 3-상태 버퍼(18)와, 상기 분주시(19) 및 제 7 3-상태 버퍼(18)의 출력단에 연결된 OR 게이트(26)로 구성됨을 특징으로 하는 램(RAM) 에러 검출회로.In a circuit for detecting a RAM (RAM) error in a system consisting of a microprocessor (11) and a RAM (RAM: 10) connected to the microprocessor (11) via a data bus and an address bus; Reading of the microprocessor 11 ( ) And write ( A first AND gate 23 connected to a terminal) and logically ANDing the two input signals, and a first temporarily connected to an output terminal of the address bus and the first AND gate 23 to temporarily perform address storage. A second latch circuit 22 connected to the latch circuit 21, an output terminal of the data bus and the first AND gate 23 to temporarily store data, and the first AND gate 23 and the microcomputer. Read of processor ( Terminal is connected to the output terminal of the AND gate 23 and the inversion signal and the read control signal (AND) of the output enable terminal (RAM) of the RAM (10) And an address input terminal to a second AND gate 25 to be applied to the microprocessor 11 and an address bus on the side of the microprocessor 11, and a control input terminal to an output terminal of the first AND gate 23. A first three-state buffer 12 having an output terminal connected to an address bus on the side of (10), an input terminal connected to an output terminal of the first latch circuit 21, and an output terminal of the first AND gate 23; A second three-state buffer 13 having an output terminal connected to an address bus on the RAM 10 side, and a data input terminal on a data bus on the RAM 10 side; Read of microprocessor (11) The control input terminal is connected to the terminal, and the data input terminal is connected to the data bus of the microprocessor 11 side, and the write of the microprocessor 11 is performed. A fourth tri-state buffer 15 having a control input terminal connected to the terminal and an output terminal connected to a data bus on the RAM 10 side, and a signal input terminal connected to the second latch circuit 22. A fifth tri-state buffer 16 having a control input terminal connected to an output terminal of the first AND gate, and a data input terminal connected to a data bus data bus of the RAM 10 side, and the first AND gate 23 connected to the data bus data bus. A sixth tri-state buffer 17 having a control input terminal connected to an output terminal of the sixth three-state buffer 17 and a fifth three-state buffer 16 and a sixth three-state buffer 17 for exclusively ORing the two inputs. An exclusive OR gate 20, a divider 19 for dividing and outputting a clock frequency fs by a predetermined number N, and a RAM select terminal of the microprocessor 11 ( ) And the chip select terminal of the RAM 10 by performing a logical product on two input signals connected to the divider 19. A seventh three-state buffer (2) connected to a second AND gate 24 for outputting to the output terminal of the exclusive OR gate 20 and a control input terminal to the divider 19. 18) and an OR gate (26) connected to the output stages of the dispensing unit (19) and the seventh tri-state buffer (18).
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 래치 회로(21)는 마이크로프로세서(11)가 램(10)을 제어하지 않을 때 제 2 3-상태 버퍼(14)를 통하여 어드레스신호를 램(10)의 어드레스단자(Ai)에 인가함을 특징으로 하는 램(RAM) 에러 검출회로.2. The first latch circuit (21) of claim 1, wherein the first latch circuit (21) sends an address signal through the second tri-state buffer (14) when the microprocessor (11) does not control the RAM (10). RAM error detection circuit, characterized in that applied to the terminal (Ai).
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 3-상태 버퍼(14)와 제 4 3-상태 버퍼(15)는 마이크로프로세서(11)의 제어신호(,)에 따라 데이터 방향을 제어할 수 있도록 서로 반대방향으로 설치하여 읽기 제어신호()시 제 3 3-상태 버퍼(14)가 온(ON)되고 쓰기 제어신호()시 제 4 3-상태 버퍼(15)가 온(ON)됨을 특징으로 하는 램(RAM) 에러 검출 회로.The control circuit of claim 1, wherein the third tri-state buffer 14 and the fourth tri-state buffer 15 are connected to a control signal of the microprocessor 11. , To control the data direction according to the ), The third three-state buffer 14 is turned ON and the write control signal RAM error circuit, characterized in that the fourth three-state buffer (15) is ON.
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 래치 회로(22)는 마이크로프로세서(11)의 램(10) 제어신호(,) 중 어느 한 신호가 액티브이면 가장 최근의 읽거나 쓴 데이터를 저장하고 두 신호(,)가 모두 '하이(H)'인 경우는 디스에이블되어 입력신호에 관계없이 래치된 데이터를 저장함을 특징으로 하는 램(RAM) 에러 검출회로.The method of claim 1, wherein the second latch circuit 22 is a RAM (10) control signal of the microprocessor (11) , If either signal is active, the most recent read or written data is stored and the two signals ( , Are all high, the RAM error detection circuit is disabled and stores the latched data regardless of the input signal.
제 1 항에 있어서, 상기 배타적 OR 게이트(20)는 상기 제 2 래치 회로(22)에 가장 최근에 래치된 데이터와 상기 램(10)으로부터 출력된 데이터를 비교함을 특징으로 하는 램(RAM) 에어 검출 회로.The RAM of claim 1, wherein the exclusive OR gate 20 compares data most recently latched to the second latch circuit 22 with data output from the RAM 10. Air detection circuit.
제 1 항에 있어서, 상기 OR 게이트(26)는 상기 제 7 3-상태 버퍼(18) 출력의 인버트(Invert)된 신호와 상기 분주기(19)의 분주신호를 논리합하여 램(RAM) 에러 신호(Pi)를 출력함을 특징으로 하는 램(RAM)에러 검출 회로.The RAM error signal of claim 1, wherein the OR gate 26 logically combines an inverted signal of the output of the seventh tri-state buffer 18 and a divided signal of the divider 19. A RAM error detection circuit which outputs (Pi).
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.