KR910001932Y1 - The processing vessel of semiconductor material - Google Patents
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Abstract
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Description
제1도는, 본 고안의 일실시예를 나타낸 처리조의 사시도.1 is a perspective view of a treatment tank showing an embodiment of the present invention.
제2도는 본 고안의 평면도.2 is a plan view of the present invention.
제3도는 제2도의 A-A선 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
제4도는 제2도의 B-B선 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG.
제5도는 다른 실시예를 표시한 제3도와 유사한 단면도이다.5 is a cross-sectional view similar to FIG. 3 showing another embodiment.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 처리조 2 : 통1: treatment tank 2: barrel
3 : 배출로 4 : 처리액도입용의 통로3: discharge passage 4: passage for treatment liquid introduction
5 : 펌프 6 : 온도조절기5: pump 6: thermostat
7 : 휠터 8 : 캐리어지지용의 부재7: filter 8: member for carrier support
9 : 반도체재료 10 : 구멍9 semiconductor material 10 hole
12 : 두줄의 통로 13 : 통체12: two-line passage 13: cylinder
15: 캐리어 (CARRIER)15: carrier
본 고안은 실리콘 웨이퍼(SILICON WAFER) 또는 글라스 포토 마스크(GLASS PHOTO MASK)등의 반도체 재료의 처리장치에 관하며, 특히, 캐리어(CARRIER) 내에 수납된 반도체 재료에 에칭(ETCHING), 현상 또는 도금, 세정등의 처리를 실시하기 위한 4각형의 처리조에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a semiconductor material such as a silicon wafer or glass photo mask, and more particularly, to etching, developing or plating a semiconductor material contained in a carrier. The present invention relates to a quadrangular treatment tank for treating such as washing.
종래의 이러한 종류의 처리조는 대개가 직육면체 모양의 캐리어를 받아들이기 위해 4각형으로 구성되고, 또한 그 밑부분에 처리액 도입용의 통로가 설치되고, 그리고 처리조의 주위에는 오우버 플로우(OVER FLOW)한 처리액을 받는 동이 구비되어 있다.Conventional treatment tanks of this type are usually composed of a quadrilateral shape to receive a rectangular parallelepiped carrier, and a passage for introducing a treatment liquid is provided at the bottom thereof, and an OVER FLOW around the treatment tank. Copper receiving a treatment liquid is provided.
그리고, 밑부분의 통로에서 처리조내로 도입된 처리액은 처리조의 상단부를 오우버 플로우하여 통으로 흘러내려서, 펌프를 포함한 순환로를 통해 다시 도입통로로 보내져 순환한다.Then, the processing liquid introduced into the processing tank from the bottom passage flows over the upper end of the processing tank through the tub, and is sent back to the introduction passage through the circulation passage including the pump to circulate.
처리조내에 있어서 캐리어에 수납된 반도체 재료는 이와 같이 순환하는 처리액과의 접촉에 의해서 처리된다.The semiconductor material stored in the carrier in the processing tank is processed by the contact with the processing liquid circulated in this manner.
상기와 같이 종래 기술에서는 밑부분으로 부터 도입한 처리액을 상승시켜, 처리조의 범위에서 오우버 플로우하기 위해 처리조내의 중앙부 및 상방에서는 처리액은 활발히 흐르지만, 주위 및 하부에서는 흐름이 약하고, 또한 부분적으로 괴이는 곳도 있고, 따라서, 반도체의 재료와 처리액과의 접촉이 나쁘기 때문에 반도체 재료의 처리가 불균일하게 되는 문제점이 있었다.As described above, in the prior art, the treatment liquid flows actively in the center and upper portion of the treatment tank in order to raise the treatment liquid introduced from the bottom and to overflow in the range of the treatment tank. In some cases, there is a problem in that the semiconductor material is unevenly processed because of poor contact between the semiconductor material and the processing liquid.
본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 처리조내의 전체에 고른 처리액의 흐름을 생기게 하여, 반도체 재료의 처리를 균일하게 할 수 있도록 한 반도체 재료의 처리조를 제공하기 위한 것으로서 이를 첨부도면에 의거 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and provides a treatment tank for semiconductor materials in which a uniform flow of treatment liquid is generated in the entire treatment tank so that the treatment of semiconductor materials can be made uniform. As it is described in more detail based on the accompanying drawings as follows.
캐리어(15)내에 수납된 반도체 재료(9)에 에칭, 현상, 도금 세정등의 처리를 실시하기 위한 4각 형상의 처리조(1)이며, 상기 처리조내에 상기 캐리어(15)를 받아들인 상태로 상기 처리조의 밑부분으로부터 처리액을 도입 하고, 오우버 플로우시키도록 되어 있는 처리조에 있어서, 상기조의 밑부분에는 처리액 도입용의 통로(4)의 다른곳에 처리액을 방사하는 두줄의 구멍(10)이 형성되고, 상기 처리액 도입용의 통로(4)는 상기 처리조(1)의 밑부분의 중앙에 설치되고, 상기 구멍(10)와 두줄의 통로(12)은 상기 처리액 도입용의 통로(4)의 양속에 대칭으로 설치되고, 각줄의 상기 구멍(10)은 이구멍에서 방사된 처리액이 상기 캐리어(15)의 밑부분을 통하여 상승하도록 내측에 향하여 상방으로 경사지고, 상기 각 구멍(10)은 직경 0.5-2.0㎜의 원형 구멍이며, 상기 두줄의 통로(12)의 각 구멍(10)은 등간격으로 설치되어서, 한쪽줄의 통로(12)의 상기 구멍(10)은 다른쪽 줄의 통로(12)의 상기 구멍(10)에 대하여 엇갈림 관계로 설치된 것이다.It is a quadrangular processing tank 1 for processing etching, developing, plating cleaning, etc. to the semiconductor material 9 accommodated in the carrier 15, The state which received the said carrier 15 in the said processing tank In the processing tank which introduces a processing liquid from the bottom of the processing tank and overflows, the bottom of the tank has two rows of holes for spinning the processing liquid to the other part of the passage 4 for introducing the processing liquid ( 10) is formed, the passage 4 for introducing the treatment liquid is provided at the center of the bottom of the treatment tank 1, and the hole 10 and the two rows of passages 12 are for the treatment liquid introduction. Symmetrically installed at both speeds of the passage 4 of the passages, and the holes 10 in each row are inclined upwardly inward so that the treatment liquid radiated from these holes rises through the bottom of the carrier 15, and the Each hole 10 is a circular hole 0.5-2.0 mm in diameter, Each hole 10 of the furnace 12 is provided at equal intervals so that the hole 10 of the passage 12 of one row is staggered with respect to the hole 10 of the passage 12 of the other row. It is installed.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention configured as described above are as follows.
본 고안은 조의 바닥부에 설치된 각 줄의 각 구멍들로부터 방사된 처리액은 처리조내의 내측을 상승하여, 액면상에서 반복되어서 처리조의 내벽에 따라 하강하고, 밑부분을 따라 내측으로 흘러서, 다시 상승하는 순환류를 일으킨다.In the present invention, the treatment liquid radiated from each hole of each line installed in the bottom of the tank rises inside the treatment tank, is repeated on the liquid level, descends along the inner wall of the treatment tank, flows inward along the bottom, and rises again. Cause circulation.
이들 구멍의 줄이 2개 있기 때문에 이러한 순환류는 양측에 생겨서 처리조내 전체 흐름을 일으키고 따라서, 교반하여 반도체 재료의 전면에 대한 처리액의 접촉을 균일하게 한다.Since there are two rows of these holes, these circulation flows occur on both sides to cause the entire flow in the processing tank, thus stirring to make the contact of the processing liquid with the entire surface of the semiconductor material uniform.
본 고안의 처리조는 거의 직육면체의 캐리어(15)를 받아드리기 위해 도시하는 바와 같이 4각형의 처리조(1)로 되어 있고, 처리조(1)의 바깥둘레에 통(2)이 구비되어 있다.The treatment tank of the present invention has a quadrangular treatment tank 1 as shown in order to receive the carrier 15 of the rectangular parallelepiped, and the cylinder 2 is provided in the outer periphery of the treatment tank 1.
도면에 나타낸 실시예에서는 처리조(1)의 상부가 2중으로 구성되고, 그 사이가 통(2)으로 되어 있다.In the example shown in the figure, the upper part of the processing tank 1 is comprised by two, and the space | interval 2 becomes between them.
상기 통(2)의 적당한 위치에는 배출로(3)이 있고, 통(2)는 배출로(3)의 위치를 향해서 하강하게 된다.The discharge path 3 is located at a suitable position of the bin 2, and the bin 2 is lowered toward the discharge path 3.
처리조(1)의 밑면의 적당한 위치에 처리액 도입용의 통로(4)가 있고, 상기 처리조(1)의 밑면은 중앙부로 향해 하강하며, 그 중앙부에 그 통로(4)가 설치된다.There is a passage 4 for introducing the treatment liquid at a suitable position of the bottom of the treatment tank 1, and the bottom of the treatment tank 1 descends toward the center, and the passage 4 is provided at the center.
이러한 처리조(1)는 수지 등으로 만들어지며 바람직한 것은 테프론(TEPLON)으로 만들어진다.This treatment tank 1 is made of resin or the like, and preferably made of TEPLON.
또, 처리조(1)의 내부를 통하여 처리액을 순환시키기위해, 제3도에서 표시하는 바와 같이 펌프(5), 온도조절기(6) 및 휠터(FLTER)(7)가 장착된다.In addition, in order to circulate the processing liquid through the interior of the processing tank 1, as shown in FIG. 3, a pump 5, a temperature controller 6 and a filter 7 are mounted.
또, 이 처리액에는 세정용의 물도 포함한다. (8)은 캐리어 지지용의 부재이다. 이 처리종의 특징은 제2도에서 명확히 표시하는 바와 같이 처리조의 밑부분에 두줄의 구멍(10)을 설치한 것이다. 이들 구멍(10)은 각각 단순한 구멍들로서, 원형구멍인 경우에는 그 직경이 약 0.5-2.0㎜이다. 또, 각 구멍(10)은 제3도에 표시하는 바와 같이 내측을 향해서 윗쪽으로 경사지고, 따라서 그들 구멍(10)을 통하여 처리액을 비스듬히 윗쪽 내측으로 방사하도록 되어 있고, 각 구멍(10)으로 부터의 방사흐름을 엇갈림 상태의 마주보는 흐름이기 때문에 캐리어(15) 밑부분의 근처에 톱스피드(급속류)의 구역이 생기고, 그 부분이 저압으로 되므로, 주위에서 그 구역에 액을 말려들게 하여 캐리어(15)내에 유입되고, 캐리어 내를 통하는 강한 액 흐름이 생긴다.This treatment liquid also contains water for washing. (8) is a member for carrier support. The characteristic of this treatment type is the provision of two rows of holes 10 at the bottom of the treatment tank as clearly shown in FIG. Each of these holes 10 is a simple hole, and in the case of a circular hole, its diameter is about 0.5-2.0 mm. In addition, each hole 10 is inclined upward toward the inside as shown in FIG. 3, so that the processing liquid is radiated obliquely upward and upward through those holes 10, and to each hole 10, respectively. Since the radial flow from the opposite side is a staggered flow, a zone of top speed (rapid velocity) is formed near the bottom of the carrier 15, and the portion becomes low pressure, so that the liquid is drawn around the zone. Strong liquid flows into the carrier 15 and passes through the carrier.
또 구멍(10)의 두줄의 통로(12)는 처리액 도입용의 통로(4)를 사이에 두고, 양측에 설치되며, 또한 바람직한 것을 중앙부에 대해서 대칭으로 설치되는 것이다.In addition, the two rows of passages 12 of the hole 10 are provided on both sides with the passage 4 for introducing the processing liquid therebetween, and a preferable one is provided symmetrically with respect to the center portion.
또, 구멍(10)의 두줄의 통로(12)는 직선이고, 또한 서로 평행상태에 있는 것이 바람직하고, 또한 제2도에서 볼수 있는 것처럼 구멍(10)은 등간격으로 설치되며, 더욱 바람직한 것은 한쪽 줄의 통로(12) 각 구멍(10)은 다른 줄의 통로(12)의 각 구멍에 대하여 엇갈리게 설치되는 것이다.In addition, the two rows of passages 12 of the hole 10 are preferably straight and parallel to each other, and as shown in FIG. 2, the holes 10 are provided at equal intervals. Each hole 10 of the passages 12 of the string is staggered with respect to each hole of the passage 12 of the other string.
즉 각출의 통로(12)의 구멍(10)으로부터의 방사류는 엇갈림 상태로 마주보고 흐로게 되고, 좌우 균등하게 흘러서 각 반도체 재료(9)의 전면을 균일하게 처리하도록 되어 있다.That is, the radial flow from the hole 10 of the opening 12 passes in a staggered state, and flows evenly from side to side, so that the entire surface of each semiconductor material 9 is uniformly processed.
각줄의 구멍(10)에 따라 처리조(1)의 밑부분에 두줄의 통로(12)가 설치되어, 제3도에서 표시하는 각 통로(12)는 그줄의 각 구멍(10)에 연동하고 있다.Two rows of passages 12 are provided at the bottom of the treatment tank 1 along the holes 10 of each row, and each of the passages 12 shown in FIG. 3 is linked to the holes 10 of the rows. .
또, 각 통로(12)는 구멍(10)의 줄에 따라서 설치되는 것은 물론이고, 따라서 바람직한 것은 처리액 도입용의 통로(4)의 양측에 설치되는 것이다.The passages 12 are not only provided along the rows of the holes 10, but are preferably provided at both sides of the passage 4 for introducing the processing liquid.
그리고, 각 통로(12)는 제1도에서 표시하는 바와 같이 처리조(1)의 밑벽 내부에 형성하여도 좋고, 또한 휠터(7) 및 온도조절기(6)를 거쳐서 펌프(5)의 토출구에 연통된다.Each passage 12 may be formed inside the bottom wall of the treatment tank 1 as shown in FIG. 1, and may be formed at the discharge port of the pump 5 via the filter 7 and the temperature controller 6. Communicating.
제4도에서 표시하는 것과 같이 이 실시예에서는 각 통로(12)의 일단(12a)은 열려져 있고, 거기에 관 또는 파이프가 접속되고, 또한 타단(12b)은 닫혀져 있으나, 처리조(1)가 대형이 되면, 그 타단도 열려서 관을 접속하며, 양쪽으로 부터 처리액을 도입하여 좋다.As shown in FIG. 4, in this embodiment, one end 12a of each passage 12 is open, a pipe or pipe is connected thereto, and the other end 12b is closed, but the treatment tank 1 is closed. When large, the other end is also opened to connect the pipe, and the treatment liquid can be introduced from both sides.
또, 경우에 따라서는 통로(12)는 제5도에서 표시하는 바와 같이 처리조(1) 밑부분의 아랫면에 일체로 또는 접착등에 의해 구비된 거의 반쪽상태의 통제(13)에 의해 형성하여도 좋다.In some cases, the passage 12 may be formed by the control 13 in a nearly half state provided integrally with the bottom of the bottom of the treatment tank 1 or by adhesion, as shown in FIG. good.
따라서, 이 처리조에서는 반도체 재료를 수납한 캐리어(15)를 처리조내에 장착하면 펌프(5)에 의해 통로(4)및 각 구멍(10)으로부터 처리액을 아랫쪽으로 부터 처리조내로 도입하고, 처리조내를 상승시켜 오우버 플로우하고, 통(2)와 배출로(3)를 통해 펌프(5)에 흘러서 순환한다.Therefore, in this processing tank, when the carrier 15 containing the semiconductor material is mounted in the processing tank, the processing liquid is introduced into the processing tank from the passage 4 and the respective holes 10 by the pump 5 from the bottom, The processing tank is raised to overflow, and flows to the pump 5 through the cylinder 2 and the discharge path 3, and circulates.
이 경우 각 구멍(10)에서 방사된 처리액은 제3도에서 표시하는 것과 같이 처리조내의 내측을 캐리어의 밑부분을 통해서 상승하고, 또한, 액면상에서 되풀이 되어서 처리조의 내벽에 따라서 하강하는 순환류를 발생시켜 이러한 순환류가 양측에서 생겨서 처리조내의 전체에 흐름이 발생한다.In this case, the treatment liquid radiated from each hole 10 raises the inside of the treatment tank through the bottom of the carrier as shown in FIG. 3, and also repeats on the liquid surface and descends along the inner wall of the treatment tank. This circulation flow occurs on both sides to generate flow throughout the treatment tank.
즉, 각 구멍(10)으로 부터의 방사류에 의해 액은 캐리어(15)의 밑부분을 통하여 캐리어에 들어가고 캐리어내의 중심부를 경계로 하여 좌, 우 대칭으로 순환류를 발생시켜서 반도체 재료 전면에 액의 흐름을 균일하도록한 것이다.That is, by the radial flow from each hole 10, the liquid enters the carrier through the bottom of the carrier 15 and generates a circulating flow in left and right symmetry around the center of the carrier to generate liquid on the entire surface of the semiconductor material. To make the flow uniform.
바람직한 순환류가 발생시키기 위해서는 펌프(5)의 토출압력이 1kg/㎝, 유량이 10ℓ/분이면, 구멍(10)의 직경은 1.0-1.6㎜이고, 펌프(5)가 0.4kg/㎜, 유량이 5ℓ/분이면 구멍(10)의 직경은0.5-1.0㎝로 하는것이 좋다.In order to generate a preferable circulation flow, when the discharge pressure of the pump 5 is 1 kg / cm and the flow rate is 10 l / min, the diameter of the hole 10 is 1.0-1.6 mm, and the pump 5 has 0.4 kg / mm and the flow rate is If it is 5 L / min, the diameter of the hole 10 should be 0.5-1.0 cm.
상기와 같이 본 고안에 의하면 처리조내 전체에서 순환류를 발생시키므로서 처리액이 가장 흐르기 어려운 캐리어의 중심부 및 캐리어 밑부분에 처리액의 흐름을 발생시켜서 적절히 교반되고 또한, 코우너(CORNER)에서 머무는 일이 없기 때문에, 처리액과 반도체 재료의 접촉이 균일하게 됨에 따라 반도체 재료를 균일하게 처리할 수 있는 효과를 갖는 고안인 것이다.As described above, according to the present invention, the flow of the processing liquid is generated in the center of the carrier and the carrier bottom where the processing liquid is hardest to flow while generating the circulation flow in the entire treatment tank, and the agitation is appropriately performed, and staying in the CORNER. Since there is no such thing, as the contact between the processing liquid and the semiconductor material becomes uniform, the invention has the effect of uniformly treating the semiconductor material.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19940322 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |