KR910001649B1 - 국부발진회로 - Google Patents

국부발진회로 Download PDF

Info

Publication number
KR910001649B1
KR910001649B1 KR1019880013292A KR880013292A KR910001649B1 KR 910001649 B1 KR910001649 B1 KR 910001649B1 KR 1019880013292 A KR1019880013292 A KR 1019880013292A KR 880013292 A KR880013292 A KR 880013292A KR 910001649 B1 KR910001649 B1 KR 910001649B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
local oscillation
capacitor
diode
variable capacitance
Prior art date
Application number
KR1019880013292A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890013885A (ko
Inventor
도오루 스다
Original Assignee
알프스 덴기 가부시기가이샤
가다오까 마사다까
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알프스 덴기 가부시기가이샤, 가다오까 마사다까 filed Critical 알프스 덴기 가부시기가이샤
Publication of KR890013885A publication Critical patent/KR890013885A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910001649B1 publication Critical patent/KR910001649B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
    • H03J7/02—Automatic frequency control
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
    • H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
    • H03B2200/0042—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor the capacitance diode being in the feedback path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
    • H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Television Receiver Circuits (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

국부발진회로
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 국부발진회로의 구성도.
제2도는 동 실시예의 국부발진회로의 발진시 등가 회로도.
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 국부발진회로 및 종래의 국부발진회로에 있어서의 자동 미동조 전압에 대한 국부 발진 주파수의 변화를 나타낸도.
제4도는 종래의 국부발진회로의 구성도.
제5도는 종래의 국부발진회로의 발진시의 등가 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
D1: 미동조 가변용량 다이오드 D2: 귀환용 가변용량 다이오드
D3: 공진용 가변용량 다이오드
본 발명은 전자 동조 튜너에 관한 것으로, 특히 AFT(자동 주파수 조정)회로를 구비한 국부발진회로에 관한 것이다.
제4도는 종래의 국부발진회로의 회로도이다. 이 국부발진회로는, 증폭회로(1)와 귀환회로(2)와 공진회로(3)와 AFT회로(4)로 이루어진다.
먼저, 증폭회로(1)의 구성을 설명한다. Tr1은 발진용 트랜지스터이고, 전원전압(Vcc)으로부터 저항(R4, R5, R6, R7)을 거쳐 직류바이어스가 가해지고 있다. 콘덴서(C6)는 접지 콘덴서이고, 교류동작시에 트랜지스터(Tr1)의 베이스 단자를 등가적으로 접지시키는 것이다. 트랜지스터(Tr1)의 이미터 단자는 콘덴서(C4)를 거쳐 출력단자(21)에 접속된다. 또, 출력단자(21)에는 일단이 접지된 콘덴서(C7)가 부하로서 접속된다. 그리고, 이 증폭회로(1)의 입력측(트랜지스터 Tr1의 콜렉터 단자)은, 공진용 인덕턴스(L1)를 거쳐 후술하는 공진회로(3)와 결합되어 있고, 이 인덕턴스(L1)의 양단에 발생하는 신호를 증폭하여 출력단자(21)에 출력한다.
다음에, 귀환회로(2)의 구성을 설명한다. 증폭회로(1)의 출력단자(21)에는 귀환용 가변용량 다이오드(D2)의 애노드가 접속되어 있다. 그리고, 이 가변용량 다이오드(D2)의 애노드 저항(R8)을 거쳐 접지되고, 또 캐소드는 공진회로(3)의 접점(a)에 접속된다. 이 결과, 출력단자(21)에 출력되는 증폭회로(1)의 출력신호는 가변용량 다이오드(D2)를 거쳐 공진회로(3)의 접점(a)에 귀환된다.
다음에 공진회로(3)의 구성을 설명한다. 공진회로(3)는 상기한 바와같이 증폭회로(1)의 입력측에 접속되어 구성된다. 즉, 접점(a)에는 공진용 가변용량 다이오드(D3)의 캐소드와 콘덴서(C3)의 일단이 접속되고, 가변용량 다이오드(D3)의 애노드에는 일단이 접지된 콘덴서(C2) 및 저항(R3)의 타단이 접속되고, 콘덴서(C3)의 타단은 인덕턴스(L5)와 콘덴서(C5)를 직렬로 거쳐 접지된다.
그리고 공진회로(3)는 상기한바와 같이 인덕턴스(L1)에 의하여 증폭회로(1)와 결합된다. 또, 이 공진회로(3)의 접점(a)은 저항(R2)을 거쳐 국부발진주파수 제어단자(11)에 접속되어 있다. 따라서, 가변용량 다이오드(D3)는, 저항(R2, R3)를 거쳐 이 국부발진 주파수 제어단자(11)의 국부 발진주파수제어전압(VTV)에 의한 직류 바이어스를 받아 용량치가 제어된다. 이 결과. 이 국부발진주파수가 제어되고, 이 국부발진회로가 사용되고 있는 튜너에 있어서의 선국이 행해진다.
그러나, 상기한 귀환회로(2)의 가변용량 다이오드(D2)도 캐소드가 공진회로(3)의 접점(a)에 접속되어 있기 때문에 저항(R2, R3)을 거쳐 국부발진 주파수 제어전압(VTU)에 의한 직류 바이어스를 받아, 용량치가 제어된다. 즉, 가변용량 다이오드 D2와 D3는 동일한 국부 발진주파수 제어전압(VSU)에 의하여 용량치가 제어된다. 이와 같이 하므로서 밴드 전역에 걸쳐 귀환량이 더욱 균일하게 되어 발진을 안정화시킬 수가 있게 된다.
다음에 AFT회로(4)의 구성을 설명한다. AFT회로(4)는 공진회로(3)와 병렬로 접속되어 구성된다. 즉, 접점(a)에는 콘덴서(C1)의 일단이 접속되고, 콘덴서(C1)의 타단에는, 애노드가 접지된 미동조용 가변용량 다이오드(D1)의 캐소드가 접속되고, 다시 저항(R)을 거쳐 미동조 제어단자(12)에 접속된다. 여기서, 가변용량 다이오드(D1)는, 캐소드에 저항(R1)을 거쳐 미동조 제어단자(12)의 자동미동조전압(VAFT)을 받아 용량치가 제어된다.
이상을 요약하면, 이 국부발진회로는 콜피스형 발진회로의 공진회로(3)에 병렬로 AFT회로(4)가 접속된 구성으로 되어 있다.
다음에 이 국부발진회로의 동작을 설명한다. 제5도는 제4도의 국부발진회로에 있어서의 직류바이어스용 저항 및 직류 저지용 콘덴서를 생략하여 발진동작시의 등가 회로를 나타낸 것이다. 이 회로에 있어서, 콘덴서(Cf1)는 제4도의 귀환용 가변용량 콘덴서(D2)에 대응하고, 콘덴서(Cf2)는 제4도의 콘덴서(C7)에 대응하고 콘덴서(CTU)는 제4도의 공진용 가변용량 다이오드(D3)에 대응하고, 콘덴서(CAFT)는 제4도의 미동조용가변용량 다이오드(D1)에 대응하고. 인덕턴스(L1)는 제4도의 공진용 인덕턴스(L1)에 대응한다. 이 등가회로도에 의하면 이 국부발진회로의 국부 발진 주파수(f)는 다음식으로 표시된다.
Figure kpo00001
이 국부발진회로는 상기식(1)의 국부발진주파수(f)로 발진하고, 그 발진 출력은 출력단자(21)를 거쳐 후속의 혼합기에 공급된다. 혼합기에서는 튜너의 입력 신호주파수와 국부발진주파수와의 차가 검출되고 이것이 규정치가 되도록 제4도의 국부발진회로의 미동조제어단자(12)에 자동 미동조 제어전압(VAFT)이 공급되어 국부 발진주파수의 자동 미조정이 행해진다.
그런데, 종래의 국부발진회로에서는 공진용 가변용량 다이오드와 병렬로 미동조용 가변용량 다이오드가 접속되어 있기 때문에, 공진용 가변용량 다이오드의 용량치가 작을 경우, 즉 발진주파수가 높을 경우에는 미동조용 가변용량 다이오드의 용량치 변화가 발진주파수에 미치는 영향이 너무 크고, 반대로 동조용 가변용량 다이오드의 용량치가 큰 경우, 즉 발진주파수가 낮은 경우에는, 미동조용 가변용량 다이오드의 용량치 변화가 발진주파수에 미치는 영향이 너무 작다. 따라서 이 국부발진회로의 밴드내에 있어서, 고역과 저역에서 자동 미동조 전압에 대한 국부 발진 주파수의 변위량에 큰 주파수편차가 생겨 버린다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 문제를 감안하여 이루어진 것으로서, 자동미조정전압에 대한 국부발진 주파수의 변위량의 편차가 작은 국부발진회로를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 (a) 국부발진 주파수 제어전압이 가해져 전극간 용량이 제어되는 공진용 가변용량 다이오드를 가지는 공진회로와, (b) 상기 공진회로의 출력 신호를 증폭하는 증폭회로와, (c) 상기 국부발진 주파수 제어전압에 의하여 전극간 용량이 제어되고, 상기 증폭회로의 출력신호를 상기 동조회로에 귀환하는 귀환용 가변용량 다이오드와, (D) 상기 증폭회로의 출력단과 접지간에 삽입되어 자동 미동조 전압이 가해져 전극간 용량이 제어되는 미동조 가변용량 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 미동조용 가변용량 다이오드가 귀환용 가변용량 다이오드의 용량치에 대략 비례하여 공진용 가변용량 다이오드에 결합되어 국부발진주파수를 결정시킨다. 또한 이때의 귀환용 가변용량 다이오드의 용량치는, 공진용 가변용량 다이오드의 용량치에 연동하여 제어된다. 따라서, 미동조용 가변용량 다이오드는 공진용 가변용량 다이오드의 용량치에 대략 비례한 비율로 공진용 가변용량 다이오드에 결합된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 대하여 설명한다. 제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 국부 발진기의 회로도이다. 이 국부발진회로는, 제4도에 나타낸 종래의 국부발진회로에 있어서 AFT회로(4)가 공진회로(3)에 병렬로 접속되어 있었던 것에 대하여, AFT회로(4)가 증폭회로(1)의 출력단자(21)에 접속되어 있는 점만이 다르다.
다음에, 이 국부발진회로의 동작을 설명한다. 제2도는 제1도의 국부발진회로에 있어서의 직류 바이어스용 저항 및 직류저지용 콘덴서를 생략하고, 발진동작시의 등가 회로를 나타낸 것이다.
이 회로에 있어서, 콘덴서(Cf1), 콘덴서(Cf2), 콘덴서(CTU), 콘덴서(CAFT), 인덕턴스(L1)는 상기한 제5도와 동일한 것이다. 이 등가회로도에 의하면, 이 국부발진회로의 국부 발진 주파수(f)는 다음식으로 표시된다.
Figure kpo00002
식(2)에 의하면, 미동조용 가변 다이오드(D1)의 용량치(CAFT)가 ΔCAFT만큼 변화했다고 하면, 그 국부 발진주파수(f)에의 영향은 귀환용 가변용량 다이오드(D2)의 용량치(Cf1)의 값에 따라 제어되는 것을 알 수 있다.
제3도는, 제1도에 나타낸 본 발명의 일실시예에 의한 국부발진회로와 제4도에 나타낸 종래의 국부발진회로에서의, 미동조제어 전압(VAFT)에 대한 미동조 주파수 변위량(Δf)을 나타낸 것이다. 이 도면에 의하여, 본 발명의 국부발진회로쪽이 전 밴드내에 있어서 미동조 제어전압(VAFT)에 대한 미동조 주파수 변위량(Δf)이 안정되어 있음을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 미동조용 가변용량 다이오드는, 공진용 가변용량 다이오드에 연동하여 용량치가 제어되는 귀환용 가변용량 다이오드를 거쳐 공진용 가변용량 다이오드에 결합되기 때문에 그 결합 또는 공진용 가변용량 다이오드의 용량치에 대략 비례한 것이 된다. 따라서, 국부발진 주파수 전역에 있어서 자동 미동조 전압에 대한 국부 발진주파수 변위량을 안정화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 국부 주파수 제어 전압이 가해져 전극간 용량이 제어되는 공진용 가변용량 다이오드(D3)를 가지는 공진회로(3)와 상기 공진회로(3)의 출력 신호를 증폭하는 증폭회로(1)와, 상기 국부발진 주파수 제어 전압에 의하여 전극간 용량이 제어되고, 상기 증폭회로(1)의 출력 신호를 상기 공진회로(3)에 귀환하는 귀환용 가변용량 다이오드(D2)와, 상기 증폭회로(1)의 출력단과 접지간에 삽입되어, 자동 미동조 전압이 가해져 전극간 용량이 제어되는 미동조용 가변용량 다이오드(D1)를 구비한 것을 특징으로 하는 국부발진회로.
KR1019880013292A 1988-02-08 1988-10-12 국부발진회로 KR910001649B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-26856 1988-02-08
JP26856 1988-02-08
JP63026856A JP2693959B2 (ja) 1988-02-08 1988-02-08 局部発振回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890013885A KR890013885A (ko) 1989-09-26
KR910001649B1 true KR910001649B1 (ko) 1991-03-16

Family

ID=12204919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880013292A KR910001649B1 (ko) 1988-02-08 1988-10-12 국부발진회로

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2693959B2 (ko)
KR (1) KR910001649B1 (ko)
GB (1) GB2223903B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084685A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
US6801097B2 (en) 2002-07-18 2004-10-05 Qualcomm Incorporated Wideband VCO resonant circuit method and apparatus
JP5027472B2 (ja) * 2005-11-09 2012-09-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発振器およびそれを用いた情報機器
DE102006009467A1 (de) * 2006-03-01 2007-09-06 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Oszillator mit mitgeführtem Verstärker

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4846251A (ko) * 1971-10-14 1973-07-02
JPS5895419A (ja) * 1981-12-01 1983-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子同調チユ−ナ
JPS61151415U (ko) * 1985-03-12 1986-09-19

Also Published As

Publication number Publication date
KR890013885A (ko) 1989-09-26
JPH01202013A (ja) 1989-08-15
GB8902366D0 (en) 1989-03-22
JP2693959B2 (ja) 1997-12-24
GB2223903A (en) 1990-04-18
GB2223903B (en) 1992-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4139826A (en) Crystal overtone oscillator using cascade connected transistors
EP0140343A2 (en) Oscillator circuit
US4581593A (en) Variable frequency oscillating circuit
KR960016733B1 (ko) 발진 회로
US3370254A (en) Transistorized voltage tunable oscillator
US5565821A (en) Voltage controlled oscillator with improved tuning linearity
US3227968A (en) Frequency modulated crystal controlled oscillator
US3832653A (en) Low noise rf signal generator
EP0535883B1 (en) Voltage controlled oscillator employing negative resistance
KR910001649B1 (ko) 국부발진회로
JP3522283B2 (ja) 周波数変化可能な発振器装置
US4590443A (en) Transistor oscillator with compensating circuit for variable collector-base capacitance
CA1085939A (en) Voltage controlled oscillator
US4454485A (en) Low distortion FET oscillator with feedback loop for amplitude stabilization
US4143324A (en) Transistorized superregenerative radio frequency detector
EP0080209B1 (en) Transistor circuit including biasing circuit
US3460056A (en) Voltage tunable l-c oscillator with amplitude limited positive feedback
US6593822B2 (en) Oscillator for achieving stable oscillation
US4224580A (en) Quartz crystal oscillator
US5004989A (en) Oscillator for controlling a mixer stage in a tuner
US5130674A (en) Voltage controlled oscilator having controlled bias voltage, AGC and output amplifier
US6614322B2 (en) Voltage controlled oscillator with a transistor and a frequency variable resonant circuit
US4520326A (en) Single-stage oscillator having low-impedance feedback port
US3614667A (en) Switchable and modulatory crystal oscillator
JP2643180B2 (ja) モノリシック集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20011228

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee