KR910001079Y1

KR910001079Y1 - 전자사태 광 다이오드의 단펄스감지를 위한 자동이득 제어회로

Info

Publication number: KR910001079Y1
Application number: KR2019870008587U
Authority: KR
Inventors: 이성남
Original assignee: 삼성항공산업 주식회사; 신훈철
Priority date: 1987-05-30
Filing date: 1987-05-30
Publication date: 1991-02-21
Also published as: KR880022811U

Abstract

내용 없음.

Description

전자사태 광 다이오드의 단펄스감지를 위한 자동이득 제어회로

제1도는 종래의 회로도.

제2도는 종래의 동작 파형도.

제3도는 본 고안에 따른 회로도.

제4도는 본 고안에 따른 동작 파형도.

제5도는 목표의 물체에서 반사되어 되돌아오기까지의 시간측정 환산관계도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

U1 : APD U2 : 증폭회로

U3 : 비교기 U4 : 펄스스트래치회로

U5 : 노이즈 펄스폭제어회로 U6 : 스위칭회로

U7 : 온타임설정회로

본 고안은 레이저(LASER)등 장파장의 광에너지를 검출하는 전자사태 광 다이오드(AVALANCHE PHOTO DIODE를 이하“APD”라 칭함)의 이득(GAIN)조절회로에 관한 것으로, 특히 1개의 광펄스를 발생시켜 이 신호가 목표의 물체에 반사되어 되돌아오기까지의 시간을 측정거리로 환산할 수 있는 장치에서 오동작율(FALSE ALARM RATE)를 감소시키고 저.고온에서도 안정한 상태를 유지할 수 있는 APD의 단펄스 감지를 위한 자동이득 제어회로에 관한 것이다.

일반적으로 소정이 물체에 빛을 반사하여 물체로부터 반사되어 오는 시간을 체크하여 물체와의 거리를 환산할 수 있다. 이는 제5도에서 도시하였듯이 빛의 반사시점이 t1이고 물체가 있어 반사 후 되돌아오는 시점에 t2일 때 빛이 반사되어 되돌아오기까지의 시간(t3)은 t2-t1이 된다(t3=t2-t1). 이는 거리(S)로 환산하면 하기식과 같다.

상기 되돌아오는 빛을 검출시 검출 시점에서 없어야만 정확한 시간값을 얻어낼 수 있고, 또한 이로부터 상기(1)식에 의해 정확한 거리를 환산해 낼 수 있다. 따라서 물체로부터 반사되어 오는 빛으로부터 상기 정확한 시간값을 얻어내기 위한 미세한 빛에너지의 정확한 검출은 대단히 중요하다. 그리고 상기 미세한 빛에너지 검출용으로 APD가 적절한 것으로 널리 알려져 있다.

그러나 상기 APD를 사용하기 위해서는 APD의 이득을 최적화 해야한다. 상기 APD의 이득은 APD에 가해지는 바이어스 전압에 의해 이득이 결정되나 상기 바이어스 전압이 이득의 최적점에서 약간만 초과되더라도 자체 노이즈가 발생된다. 그런데 상기 발생된 노이즈가 마치 되돌아오는 반사 신호로 검출되어 거리의 환산에 오차를 발생시키는 문제점이 있었다.

상기 APD는 빛을 수광하는 다이오드로서, 특성상 바이어스전압을 많이 가하면 가할수록 보다 작은 신호를 받아들일 수 있지만, 바이어스 전압이 낮으면 자체에 노이즈가 발생되어 신호인지 노이즈인지 구별하기 어렵게된다. 따라서 노이즈가 나오지 않고 신호를 가장 잘 받아들일 수 있는 상태로 유지할 수 있는 회로가 필수적으로 요구하게 되었다.

상기 문제점을 해결할 수 있는 방법으로 자체 노이즈 발생과 소정 간격으로 바이어스 전압을 낮추어 노이즈 발생을 억제하며, 일정시간 후에 다시 노이즈가 나오는 점에서 전압을 올리는 방법으로 최적점을 유지하는 방법이 요구되었다.

상기의 문제점을 해결하기 위한 종래 회로는 제1도와 같다.

상기 제1도의 동작을 간략히 살펴보면, 증폭기(10)로 출력된 검출광을 드레쉬 홀드회로(P1)의 트랜지스터(Q3)을 통해 출력된다.

그리고 저항(R6)에 의해 결정되어지는 바어어싱에 의해 트랜지스터(Q4)를 통과한다. 즉, 상기 트랜지스터(Q4)의 에미터 출력은 신호대 잡음비 이상인 신호만이 다이오드(D4)을 통해 출력된다.

상기 드레쉬 홀드회로(P1)의 출력은 원쇼트회로(P2)의 저항(R8)을 통해 트랜지스터(Q5)의 베이스와 저항(R1), 캐패시터(C1)에 걸린다. 상기 트랜지스터(QR)의 동작에 따라 트랜지스터(Q6)가 동작되고 저항(R1)과 캐패시터(C1)에 의해 결정되는 시정수에 의해 노이즈가 제2a도와 같이 2-3개 입력되어야만 원쇼트펄스가 발생하도록 되어 있다. 왜냐하면 상기 드레스 홀드회로(P1)에서 나오는 증폭된 광신호펄스폭이 워낙 작기 때문이다.

상기 원쇼트회로(P2)의 출력은 피크 검출회로(P3)의 다이오드(D7)을 통해 피크치가 검출되어 저항(R2, R3), 캐패시터(C2)에 의해 충,방전 시간에 따라 전압을 증가 및 하강시키는데, 제2a도와 같이 펄스가 계속 입력하면 제2b도와 같이 전압을 증가시키고 안들어오면 (2b)와 같이 전압을 떨어뜨린다. 상기 피크검출회로(P3)의 출력을 증폭회로(U4)의 저항(R1)을 통해 연산증폭기(Z8)로 입력되어 일정 레벨로 증폭된다.

상기한 바와 같이 피크 검출회로(P3)의 저항(R2, R3)과 캐패시터(C2)에 의한 충전 소요시간과 증폭회로(P4)의 반응시간에 따라서 노이즈 펄스가 몇 개 발생하여야만 노이즈머발생점(최적점)까지의 전압으로 떨어져 최적점 전압이 낮게 설정될 뿐만 아니라 이중 한 개 또는 여러개 신호로 작용되는 경우가 발생되어 측정에 있어서 불량확률이 높고, 측정 효율이 떨어뜨리는 문제점이 있었다.

따라서 본 고안의 목적은 바이어스 전압이 최적점까지 신속히 떨어지지 않아 노이즈가 신호로 작동되는 것을 방지하기 위해 노이즈 펄스가 한가지만 발생되더라도 신속히 전압이 떨어지도록 하는 회로를 제공함에 있다.

본 고안의 다른 목적은 스트레지회로를 사용하여 발생된 노이즈가 아주 작거나 온도에 의해 펄스폭이 변화할 때 이를 충분히 보상하여 오동작을 방지하고 신뢰성을 높일 수 있는 회로를 제공함에 있다.

이하 본 고안을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제3도는 본 고안에 따른 회로도로써, 가해지는 바이어스 전압에 따라 광 에너지를 받아 들이어 이득이 다른 광에너지를 검출하는 APD(U1)와, 상기 APD(U1)에서 나오는 모든 신호 및 노이즈를 증폭하는 광대역용 증폭회로(U2)와, 상기 증폭회로(U2)로부터 노이즈 레벨과 신호레벨을 다르게하여 잡음대 신호비(S/N)을 만들어주는 비교기(U3)와, 상기 비교기(U3)의 드레쉬 홀드값이상의 쇼트노이즈의 펄스폭을 늘이는 펄스스트래치회로(U4)와, 상기 펄스스트래치회로(U4)의 출력으로부터 펄스폭을 제어하는 노이즈 펄스폭 제어회로(U5)와, 상기 노이즈 펄스폴 제어회로(5)의 출력에 따라 고속으로 스위칭하여 노이즈 발생을 제거하고 최적상태로 유지되도록하는 스위칭회로(U6)와, 상기 스위칭회로(U6)의 동작에 따라 충방전에 의해 상기 APD(U1)의 바이어스 조정으로 신호를 받아들일 수 있는 시간에 맞는 이득으로 조정하는 온 타임설정회로(U7)로 구성된다.

제4도는 본 고안에 따른 동작 파형도로서, (4a)파형은 APD(U1)의 노이즈 출력파형이고 (4b)파형은 스위칭 회로(U6)의 출력 바이어스 전압 파형이다.

따라서 본 고안의 구체적 일실시예를 제3,4도를 참조하여 상세히 설명하면, 초기 APD(U1)에 바이어스 전압을 점차 높여서 가하면 어느 시점에서 노이즈를 (4a)와 같이 발생한다. 상기 증폭회로(U2)에서 상기 APD(U1)의 쇼트노이즈로 증폭할 수 있는 광대역으로 일정레벨로 노이즈레벨(VP)을 보다 크게 증폭한다.

상기 증폭신호는 비교기(U3)에서 신호레벨 이상인지를 비교한다. 만약 신호레벨 이하일 경우는 바이어스 전압을 최적지로 유지하기 위해 신호레벨 이상의 노이즈가 나올때까지 바이어스 전압을 올린다. 노이즈 펄스 스트래치회로(U4)에서는 상기 비교기(U3)의 출력신호가 너무 작을 경우(저온시) TTL레벨에서 알아들일 수 없으므로 충분히 키운다. 이를 노이즈펄스폭제어회로(U5)에 입력하면 시스템에서 요구하는 시간으로 펄스폭이 조정되어 스위칭회로(U6)의 스위칭 제어회로(SC)에 입력되어 제어되고 모스(MOS)전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트로 입력되어 고속으로 스위칭하도록 온(ON)타임을 결정하여 온타임설정회로(U7)의 저항(R2)과 캐패시터(C1)에 의한 시정수로 방전을 한다.

따라서 캐패시터(C1)의 전압이 (4b)와 같이 급격히 드롭(DROP)되면 쇼트노이즈는 발생되지 않는다. 그리고 스위칭회로(U6)의 온 타임이후에는 캐패시터(C1)의 전압이 저항(R1), 캐패시터(C1)에 의해 다시 충전되면서 바이어스 전압을 올려서 또다시 쇼트 노이즈가 발생되도록 하여 단1개의 노이즈 펄스에 의해 상기 노이즈가 발생되는 포인트를 기준으로 바이어스의 최적상태를 유지시킨다.

그러므로써 실제 신호를 받아들일 수 있는 시간 즉, 신호와 검출이 필요한 시기에는 상기 최적점보다 약간 낮은 점을 사용하여 이득을 효과적으로 올릴 수 있으며 오동작율을 현저하게 줄일 수 있다.

상술한 바와같이 스위칭 회로에 타임과 저항(R1-R2)과 캐패시터(C1)는 용도에 따라 그 시간을 조정하여 사용할 수 있고 스위칭 속도가 빠른 모스FET를 사용하여 주변 환경 조건에 영향이 적게 안정하게 하는 이점이 있다.

Claims

가해지는 바이어스 전압에 따라 광 에너지를 받아 들이어 이득이 다른 광 에너지를 검출하는 APD(U1)의 이득 조절회로에 있어서, 상기 APD(U1)에서 나오는 모든 신호 및 노이즈를 증폭하는 광대역용 증폭회로(U2)와, 상기 증폭회로(U2)로부터 노이즈 레벨과 신호 레벨을 다르게 하여 잡음대 신호비(S/N)을 만들어 주는 비교기(U3)와, 상기 비교기(U3)의 드레쉬 홀드값을 넘는 쇼트노이즈의 펄스폭을 늘리는 펄스 스트래치회로(U4)와, 상기 펄스 스트래치회로(U4)의 출력으로부터 펄스폭을 제어하는 노이즈 펄스폭 제어회로(U5)와, 상기 노이즈 펄스폭 제어회로(5)의 출력에 따라 고속으로 스위칭하여 노이즈가 발생치 않고 최적상태로 유지되도록 하는 스위칭회로(U6)와, 상기 스위칭회로(U6)의 동작에 따라 충방전에 의해 상기 APD(U1)의 바이어스 조정으로 신호를 받아들일 수 있는 시간에 맞는 이득으로 조정하는 온 타임설정회로(U7)로 구성함을 특징으로 하는 회로.