KR910000589B1 - Memory system providing a continuous address space - Google Patents

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엘레 마틴 더글라스
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인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
하워드 지. 피거로아
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

인접 어드레스 공간을 제공하는 메모리 시스템Memory system providing contiguous address space

제1도는 개별 메모리 카드의 블록 다이어그램.1 is a block diagram of an individual memory card.

제2도는 직렬로 배치된 메모리 모듈 슬롯의 블록 다이어그램.2 is a block diagram of memory module slots arranged in series.

제3도는 직렬로 배치된 메모리 카드 슬롯에 접속된 메모리 제어 회로의 블록 다이어그램.3 is a block diagram of a memory control circuit connected to memory card slots arranged in series.

제4도는 직렬로 배치된 메모리 카드 슬롯에 접속된 메모리 제어기를 포함하는 또 다른 실시예의 블록 다이어그램.4 is a block diagram of another embodiment including a memory controller connected to a memory card slot arranged in series.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 메모리 카드 16 : 가산기10: memory card 16: adder

30,40,50,60,70 : 넥스트 어드레스 100,20 : 메모리 제어기30, 40, 50, 60, 70: Next address 100, 20: Memory controller

본 발명은 컴퓨터 메모리 시스템에 관한 것으로 특히 메모리에 인접 어드레스 공간(contiguous address space)을 형성하기 위해 여러 개별 메모리 모듈 사이에 어드레스 공간을 할당하는 컴퓨터 메모리 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a computer memory system, and more particularly, to a computer memory system that allocates an address space between several individual memory modules to form a contiguous address space in the memory.

관례상, 컴퓨터 시스템은 늘 여러 개별 메모리 모듈로 구성된 메모리 시스템을 포함한다. 이 메모리 모듈은 어드레스 라인, 데이타 라인 및 제어 신호 라인을 포함하는 정보 버스에 의해 중앙 처리기로 접속된다. 각 개별 메모리 모듈은, 메모리 모듈내의 메모리 장소를 지정하는 어드레스 라인상의 특정한 어드레스 신호에 의해 엑세스 된다.By convention, computer systems always include a memory system composed of several individual memory modules. This memory module is connected to the central processor by an information bus including address lines, data lines and control signal lines. Each individual memory module is accessed by a specific address signal on an address line that designates a memory location within the memory module.

메모리 모듈내 메모리 어드레스를 배치하는데 여러 기술이 사용되어 왔다. 보통 사용하는 기술 중 하나는 한 메모리 모듈을 위한 어드레스 공간을 지정하기 위해 점퍼 와이어(Jumper wires) 또는 이중 라인 패키지 스위치를 사용하는 것이다. 그때, 메모리 모듈이 정보 버스로 접속되면, 메모리 모듈은 지정된 어드레스 공간내의 어드레스에 응답한다. 이 기술의 한가지 단점은 새로 가산된 모듈을 위해 적당한 어드레스 공간을 결정하도록 먼저 접속된 메모리 모듈을 위해 먼저 배치된 메모리 어드레스를 결정해야 한다는 것이다. 다른 단점은 점퍼 와이어 또는 어드레스 공간을 지정하는데 이용되는 스위치의 수가 제한되어 있기 때문에 메모리 칩의 용량을 변경시켜 메모리 모듈의 크기를 증가시키는 것이 불가능하다는 것이다. 또 다른 단점은, 메모리 모듈 자체의 메모리 용량을 증가시킴으로 인해 다른 메모리 모듈을 위해서 메모리 어드레스의 전체적인 재배치를 해야 한다는 것이다. 여러 메모리 모듈이 관련되어 있으면, 이것은 매우 싫증나는 작업이 될 수 있다.Several techniques have been used to place memory addresses in memory modules. One commonly used technique is to use jumper wires or dual line package switches to specify the address space for a memory module. At that time, when the memory module is connected to the information bus, the memory module responds to an address in the designated address space. One disadvantage of this technique is that it must first determine the memory address placed first for the connected memory module to determine the appropriate address space for the newly added module. Another disadvantage is that it is not possible to increase the size of the memory module by changing the capacity of the memory chip because of the limited number of switches used to specify jumper wires or address space. Another disadvantage is that increasing the memory capacity of the memory module itself requires a complete relocation of memory addresses for other memory modules. If multiple memory modules are involved, this can be a very tiresome task.

또 다른 기술은 명칭이 "메인 메모리 제어 시스템"인 미합중국 특허 제4,414,627호에 발표되었다. 이 시스템은 어드레스 변환 테이블을 구비하는데, 이 테이블은 유니트가 작동하는지를 나타내는 모듈 및 대응하는 플래그 신호용 각 선정된 물리적 유니트 메모리 어드레스를 저장하기 위해 논리 어드레스에 의해 어드레스가 가능한 워드 레지스트를 포함한다. 점퍼 기술에 있어서처럼, 이 기술은 어드레스 공간에 대해 모듈을 선정할 필요가 있다.Another technique is disclosed in US Pat. No. 4,414,627, entitled "Main Memory Control System." The system includes an address translation table, which includes a module indicating whether the unit is operating and a word register addressable by a logical address to store each predetermined physical unit memory address for a corresponding flag signal. As with the jumper technology, this technology needs to select a module for the address space.

명칭이 "비접촉 저장기용 접촉 어드레싱 공급 데이타 처리 장치"인 미합중국 특허 제3,469,241호는, 데이타 처리 유니트가 메모리와 통신할 때, 그것이 상징적으로 메모리 셀(cell)의 어드레스를 나타내는 신호그룹을 공급하는 기술을 발표한다. 상징적 어드레스는 엑세스되는 셀의 실제 어드레스를 발생하는 번역 장치에 인가된다. 다시 이 기술은 어드레스 공간의 선정을 필요로 한다.U.S. Patent No. 3,469,241, entitled "Contact Addressing Supply Data Processing Device for Non-Contact Storage," describes a technique in which when a data processing unit communicates with a memory, it symbolically supplies a signal group representing the address of a memory cell. To announce. The symbolic address is applied to a translation device that generates the actual address of the cell being accessed. Again, this technique requires the selection of an address space.

본 발명에 따라서, 각 메모리 모듈은 메모리 모듈 용량을 공급하기 위한 회로를 구비하며, 여러 메모리 모듈을 포함하고 있는, 인접 어드레스 공간을 제공하기 위한 메모리 시스템이 발표되었다. 메모리 모듈 용량이란 메모리 모듈 또는 메모리 카드의 용량을 나타내는 수치 정보로 표시되고 또한 이는 메모리 카드 용량 또는 메모리 용량이라고도 칭한다. 먼저 할당된 스타트 어드레스 및 먼저 할당된 메모리 모듈 용량에 따라서 하나의 스타트 어드레스를 제1모듈에 할당하고 기타의 스타트 어드레스들을 각각의 나머지 모듈에 할당하기 위한 제어 회로가 구비된다.According to the present invention, a memory system for providing a contiguous address space, each circuit having a circuit for supplying a memory module capacity, comprising several memory modules, has been disclosed. The memory module capacity is indicated by numerical information representing the capacity of the memory module or the memory card, and this is also called the memory card capacity or the memory capacity. A control circuit is provided for allocating one start address to the first module and all other start addresses to each remaining module according to the first allocated start address and the first allocated memory module capacity.

본 발명의 하나의 실시예에서, 여러 메모리 카드가 정보 버스에 접속된다. 처리기는 직렬로 배치된 제1메모리 카드에 스타트 어드레스를 공급한다. 각 메모리 카드는 이 각 메모리 카드의 메모리 용량을 공급하기 위한 회로와 스타트 어드레스를 수신하기 위한 제어 회로를 포함하고, 직렬로 배치된 넥스트 메모리 카드에 공급되는 넥스트 카드 어드레스를 공급하기 위해 자신의 카드의 메모리 용량을 더한다. 스타트 어드레스를 수신한 다음 각 메모리 카드는 데이지 화환(daisy chain) 모양의 직렬로 배치된 넥스트 카드로 스타트 어드레스를 공급한다. 이런 방식으로, 인접 어드레스 공간이 마련된다.In one embodiment of the invention, several memory cards are connected to an information bus. The processor supplies the start address to the first memory cards arranged in series. Each memory card includes a circuit for supplying a memory capacity of each memory card and a control circuit for receiving a start address, and each of its cards for supplying a next card address supplied to a serially arranged next memory card. Add memory capacity. After receiving the start address, each memory card supplies the start address to a daisy chained serially arranged next card. In this way, adjacent address spaces are provided.

제2의 실시예에서, 각각 개별 메모리 모듈에 접속된 여러 가산기를 포함하는 주 메모리 제어 회로가 구비된다. 메모리 모듈은 각 모듈의 메모리 용량을 갖는 가산기를 제공한다. 각 가산기는 메모리 용량을 직렬로 배치된 넥스트 가산기에 넥스트 어드레스를 제공하기 위해 스타트 어드레스에 결합시킨다. 부가적으로, 메모리 제어기는 특정한 메모리 모듈이 언제 어드레스되고 있는지를 판정하기 위해 각 메모리 모듈에 대한 어드레스 비교 회로를 구비한다.In the second embodiment, a main memory control circuit is provided which includes several adders, each connected to a separate memory module. The memory module provides an adder having a memory capacity of each module. Each adder combines memory capacity with a start address to provide a next address to the next adder placed in series. In addition, the memory controller includes an address comparison circuit for each memory module to determine when a particular memory module is being addressed.

제3의 실시예에서, 제2의 실시예에 기술된 메모리 제어기가 구비된다. 그러나, 메모리 모듈로부터 가산기로 연장된 라인은 양 방향성이다. 제1방향에서, 메모리 용량은 메모리 모듈의 각 가산기로 공급된다. 제2방향에서, 각 메모리 모듈내 개별 메모리 장소를 엑세스하기 위해 저위 어드레스가 공급된다. 이 양 방향성 라인의 방향 제어는 각 메모리 모듈로 가는 제어 신호에 의해 제공된다. 고위 어드레스 데코딩은 제2실시예에서와 같이 메모리 제어기상에서 수행된다. 즉, 메모리 제어기상의 메모리 비교 회로는 어드레스될 때 각 메모리 모듈을 선택한다.In the third embodiment, the memory controller described in the second embodiment is provided. However, the line extending from the memory module to the adder is bidirectional. In the first direction, the memory capacity is supplied to each adder of the memory modules. In the second direction, a lower address is supplied to access individual memory locations in each memory module. The direction control of these bidirectional lines is provided by control signals to each memory module. High order address decoding is performed on the memory controller as in the second embodiment. That is, the memory comparison circuit on the memory controller selects each memory module when addressed.

본 발명의 목적은, 초기 전력 부하에 따라서 전체의 인접 어드레스 공간을 마련하기 위해서 어드레스를 개별 메모리 모듈에 할당하는 것이다. 제1도 및 제2도는 본 발명의 한 실시예를 도시한다. 제1도는 데이타 버스(8) 및 메모리 어레이 어드레스 버스(25)에 접속된 메모리 어레이(11)를 포함하는 개별 메모리 카드(10)의 블록 다이어그램이다. 메모리 모듈에 대한 스타트 어드레스는 라인(18)에서 가산기(16)에 공급된다. 가산기(16)는 라인(14)상의 블록(12)으로부터의 메모리 카드 용량을 직렬로 배치된 넥스트 메모리 카드에 대한 넥스트 스타트 어드레스를 산정하기 위해 스타트 어드레스에 결합시킨다. 넥스트 스타트 어드레스는 직렬로 배치되어 넥스트 카드(도시되지 않음)로 가는 라인(20)상의 출력이다. 메모리 카드 용량은 또한 라인(21)에 의해 어드레스 비교 논리(24)에 공급된다. 어드레스 비교 논리는 또한 라인(18) 상으로 스타트 어드레스를 수신하고 가산기(16)와 같은 메모리 카드 용량에 수신된 스타트 어드레스를 가산시켜 넥스트 스타트 어드레스를 계산한다. 그래서, 어드레스 비교 논리는 연합 메모리 어레이(11)에 대한 어드레스 공간(즉 어드레스 레인지)을 결정할 수 있다. 이 어드레스 공간은 스타트 어드레스 및 넥스트 스타트 어드레스까지의 모든 어드레스를 포함하도록 한정되어 있다. 이 어드레스 공간은 카드 선택 신호(26)가 공급되는 때를 판정하기 위해 어드레스 버스(27) 상에서 유용한 어드레스와 비교되며, 라인(25) 상에는 메모리 어레이 어드레스가 메모리 어레이(11) 내의 메모리 장소를 엑세스하도록 제공된다. 리드/라이트 등과 같은 제어 라인이 또한 설치되는데 이는 도시되어 있지 않다. 메모리 카드 용량 블록(12)은 리드 온리 메모리, 점퍼 셋트(a set of jumpers), 이중-인-라인 스위치 또는 메모리 카드 용량을 나타내는 숫자를 제공하는 임의 회로 소자일 수 있다. 종래의 기술에 공지되어 있듯이, 이중-인-라인 스위치는 복수의 스위치 소자를 포함하는데, 이들 스위치 각각은 온 및 오프 위치에 수동으로 설정할 수 있다. 이 스위치는 스위치 소자의 설정에 따른 신호를 발생시키는 기능을 갖고 있는 전기 회로와 연합되어 있다. 그러므로 이 경우에, 스위치 소자들은 신호가 메모리 용량을 나타내도록 설정된다. 점퍼(즉 쇼트 와이어)를 이용하는 전기 디바이스 또한 종래의 기술에 널리 알려져 있다. 이 디바이스는 한쌍의 단자를 각각이 갖고 있는 복수의 점퍼 위치를 갖고 있다. 이들 점퍼는 상기 디바이스가 전기 접속에 따른 신호를 발생시키도록, 선택된 단자쌍들 사이에 전기 접속을 만드는데 이용된다. 단자쌍들을 적절히 선택하므로써, 이 신호는 메모리 용량을 나타낸다. 이중-인-라인 스위치 또는 점퍼가 구비되면, 메모리 어레이(11)의 크기가 증가될 때 메모리 카드 용량이 간단히 새롭게 되도록 스위치 소자 또는 점퍼 위치의 수가 충분해야 한다.It is an object of the present invention to assign addresses to individual memory modules in order to provide the entire contiguous address space in accordance with the initial power load. 1 and 2 illustrate one embodiment of the present invention. 1 is a block diagram of an individual memory card 10 including a memory array 11 connected to a data bus 8 and a memory array address bus 25. The start address for the memory module is supplied to adder 16 at line 18. The adder 16 combines the memory card capacity from the block 12 on the line 14 to the start address to calculate the next start address for the next memory card arranged in series. The next start address is the output on the line 20 arranged in series and going to the next card (not shown). The memory card capacity is also supplied to the address comparison logic 24 by the line 21. The address comparison logic also receives the start address on line 18 and adds the received start address to a memory card capacity such as adder 16 to calculate the next start address. Thus, the address comparison logic can determine the address space (ie address range) for the federated memory array 11. This address space is limited to include all addresses up to the start address and the next start address. This address space is compared with a useful address on the address bus 27 to determine when the card select signal 26 is supplied, and on line 25 the memory array address is accessed to access a memory location within the memory array 11. Is provided. Control lines, such as leads / lights, are also installed which are not shown. Memory card capacity block 12 may be a read-only memory, a set of jumpers, a double-in-line switch, or any circuit element providing a number representing memory card capacity. As is known in the art, dual-in-line switches comprise a plurality of switch elements, each of which can be manually set in the on and off positions. This switch is associated with an electrical circuit having a function of generating a signal according to the setting of the switch element. In this case, therefore, the switch elements are set so that the signal represents the memory capacity. Electrical devices using jumpers (ie short wires) are also well known in the art. The device has a plurality of jumper positions each having a pair of terminals. These jumpers are used to make electrical connections between selected terminal pairs so that the device generates a signal according to the electrical connections. By properly selecting the terminal pairs, this signal represents the memory capacity. If a double-in-line switch or jumper is provided, the number of switch elements or jumper positions must be sufficient so that the memory card capacity is simply refreshed when the size of the memory array 11 is increased.

제2도는 메모리 카드 슬롯(30),(40),(50),(60) 및 (70)의 위치 및 상호 접속을 도시한다. 각각의 이 슬롯(30),(40),(50),(60) 및 (70)은 어드레스 버스(34), 데이타 버스(36) 및 명령 버스(38)로 접속된다. 부가적으로, 슬롯 1(30)은 라인(32)상의 스타트 어드레스를 수신하도록 접속된다. 이 실시예에서, 스타트 어드레스는 처리기 카드(도시되지 않음)에 의해 공급된다. 메모리가 처리기 카드상에 위치하면, 스타트 어드레스는 어드레스가 처리기 메모리에 할당된 후 유용한 넥스트 어드레스가 될 수 있다. 이 스타트 어드레스 정보는 라인(42)상의 넥스트 어드레스를 논의된 슬롯 2(접속기 40)내의 순차적으로 배치된 넥스트 카드에 공급하기 위해 슬롯(30)내의 메모리 카드에 의해 처리된다. 슬롯 2내의 메모리 카드(40)는 라인(52)상의 넥스트 어드레스를 슬롯 3내의 메모리 카드(50) 및 개체 슬롯에 대한 기타의 것에 공급한다. 이런 방법으로, 메모리 카드에 대한 스타트 어드레스는 이 카드에 인접 어드레스 공간을 공급하는 데이지 화환 모양으로 할당된다. 이 어드레스 공간은 이 슬롯내 카드 자체가 다양한 메모리 용량임에도 불구하고 인접해 있다.2 shows the location and interconnection of memory card slots 30, 40, 50, 60, and 70. FIG. Each of these slots 30, 40, 50, 60, and 70 is connected to an address bus 34, a data bus 36 and a command bus 38. In addition, slot 1 30 is connected to receive a start address on line 32. In this embodiment, the start address is supplied by a processor card (not shown). Once the memory is located on the processor card, the start address can be a useful next address after the address is assigned to the processor memory. This start address information is processed by the memory card in slot 30 to supply the next address on line 42 to the sequentially placed next card in slot 2 (connector 40) discussed. Memory card 40 in slot 2 supplies the next address on line 52 to memory card 50 in slot 3 and the other for the object slot. In this way, the start address for a memory card is assigned in the form of a daisy wreath that supplies the address space adjacent to this card. This address space is contiguous even though the card itself in this slot is of varying memory capacity.

제2도로부터 많은 슬롯이 이행되고 있음이 명백하다. 제2도에 도시된 바와 같이 넥스트 어드레스 라인이 데이지 화환 모양으로 접속될 때, 각 슬롯은 공통 어드레스 버스(34), 데이타 버스(36) 및 명령 버스(38)에 접속된다. 이 기술에 숙련된 사람이라면 어드레스 버스(34), 데이타 버스(36) 및 명령 버스(38)와 함께 라인(32),(42),(52),(62) 및 (72) 상의 스타트 어드레스가 직렬 또는 병렬 라인을 포함한다는 것을 명백히 할 수 있다.It is clear from Figure 2 that many slots are being implemented. As shown in FIG. 2, when the next address lines are daisy-chained, each slot is connected to a common address bus 34, a data bus 36 and a command bus 38. As shown in FIG. Those skilled in the art, along with address bus 34, data bus 36, and command bus 38, start addresses on lines 32, 42, 52, 62, and 72 It can be clarified that it includes serial or parallel lines.

제3도는 처리기 카드 또는 어떤 다른 중앙 위치상에 자리잡은 메모리 제어기(100)를 포함하는 본 발명의 제2의 실시예를 도시한다. 메모리 제어기(100)는 가산기(103 내지 106) 및 어드레스 비교 회로(107 내지 111)을 구비한다. 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)를 포함하는 메모리 카드 슬롯(1) 내지 (N)은 데이타 버스(116), 어드레스 버스(118), 명령 버스(119)에 접속되는데 각각의 버스는 모든 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)에 공통이다. 부가적으로, 각각의 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)는 메모리 제어기(100)의 가산기 및 어드레스 비교 회로에 개별적으로 접속된다. 슬롯 1내의 메모리 카드(도시되어 있지 않음) 각각은 접속기(150,152,154,156 및 158) 중 관련 접속기를 통해 라인(122,126,130,134 및 138)중 하나에 메모리 용량을 제공하는 수단을 포함한다.3 illustrates a second embodiment of the present invention that includes a memory controller 100 situated on a processor card or some other central location. The memory controller 100 includes adders 103 to 106 and address comparison circuits 107 to 111. Memory card slots (1) through (N), including connectors 150, 152, 154, 156, and 158, include data bus 116, address bus 118, and command bus 119. Each bus is common to all connectors 150, 152, 154, 156 and 158. In addition, each of the connectors 150, 152, 154, 156, and 158 is individually connected to an adder and an address comparison circuit of the memory controller 100. Each memory card (not shown) in slot 1 includes means for providing memory capacity to one of lines 122, 126, 130, 134, and 138 via an associated connector of connectors 150, 152, 154, 156, and 158.

이제 메모리 제어기(100)에 관하여 말하자면, 초기 스타트 어드레스는 라인(112)상에서 가산기(106)로 공급된다. 전과 마찬가지로, 초기 스타트 어드레스는 처리기판으로부터 발생한다. 라인(112)상의 이 스타트 어드레스는 슬롯(1) 내의 메모리 카드에 접속된 접속기(150)로부터 발생한 라인(122)상의 메모리 용량과 결합된다. 라인(122) 상의 메모리 용량 및 라인(112) 상의 스타트 어드레스는 라인(140) 상의 넥스트 어드레스를 가산기(105)에 공급하기 위해 가산기(106)내에 함께 가산된다. 라인(122)상의 메모리 용량 및 라인(122)상의 스타트 어드레스는, 슬롯(1)내에 위치한 각 메모리 모듈에 대한 어드레스 공간을 판정하는 어드레스 비교 회로(111)를 인에이블하기 위해 어드레스 비교 회로(111)에 공급된다. 라인(114)상의 고위 어드레스 라인은 메모리 모듈이 엑세스되고 있는가를 판정하는 어드레스 비교 논리를 인에이블시키기 위해 어드레스 비교 논리(111)로 공급된다. 메모리 모듈이 엑세스되고 있으면, 라인(120)상의 모듈 선택 신호는 슬롯(1)내의 메모리 모듈에 신호하기 위해 접속기(150)에 공급되는데, 슬롯(1)내의 메모리 모듈은 메모리 모듈상의 메모리 장소를 엑세스하기 위해 라인(118)상의 저위 어드레스를 수신한다.Referring now to the memory controller 100, the initial start address is supplied to the adder 106 on line 112. As before, the initial start address is generated from the processing substrate. This start address on line 112 is combined with the memory capacity on line 122 resulting from connector 150 connected to the memory card in slot 1. The memory capacity on line 122 and the start address on line 112 are added together in adder 106 to supply the next address on line 140 to adder 105. The memory capacity on the line 122 and the start address on the line 122 are the address comparison circuit 111 to enable the address comparison circuit 111 to determine the address space for each memory module located in the slot 1. Supplied to. The high address line on line 114 is supplied to address comparison logic 111 to enable address comparison logic that determines whether a memory module is being accessed. If a memory module is being accessed, a module select signal on line 120 is supplied to connector 150 to signal the memory module in slot 1, where the memory module in slot 1 accesses the memory location on the memory module. To receive the lower address on line 118.

가산기(105)에 공급되는, 라인(140)상의 넥스트 어드레스는 비슷한 방법으로 라인(142)상의 넥스트 어드레스를 공급하기 위하여 라인(126)상의 메모리 용량 데이타를 사용하여 변환된다. 이런 방식으로, 각 가산기(103) 내지 (106)는 각 스타트 어드레스 및 메모리 용량을 각각 수신한다. 가산기(103)는 접속기(158)를 포함하는 마지막에 위치한 슬롯(N)을 위해 넥스트 스타트 어드레스를 어드레스 비교 회로(107)에 출력시킨다.The next address on line 140, which is supplied to adder 105, is converted using memory capacity data on line 126 to supply the next address on line 142 in a similar manner. In this way, each adder 103-106 receives each start address and memory capacity, respectively. The adder 103 outputs the next start address to the address comparison circuit 107 for the slot N located last including the connector 158.

어드레스 비교 회로(107) 내지 (111)은 스타트 어드레스 및 각 메모리 모듈에 대한 메모리 용량을 수신하기 위해 어드레스 버스(114)로 개별적으로 접속된다. 예를 들어, 어드레스 비교 회로(111)는 슬롯(1)내의 메모리 모듈에 대한 어드레스 공간을 제한하기 위해 라인(112)상의 스타트 어드레스 및 라인(122)상의 메모리 용량을 수신한다. 적당한 어드레스가 라인(114)상에 수신될 때, 어드레스 비교 회로(111)는 어드레스를 디코우드하고 데이타 버스(116)상의 데이타 및 명령 신호 버스(119)상의 명령 신호와 함께 라인(118)상의 어드레스를 수신하는 슬롯(1)내 카드를 활동시키기 위해 라인(120)상의 카드 선택 신호를 공급한다. 각 어드레스 비교 회로(107) 내지 (111)는 각 메모리 모듈에 메모리 어드레스 공간을 제공하기 위해 각 슬롯 접속기로부터 메모리 용량을 수신한다. 이 기술에 숙련된 사람이 인정하는 바와 같이, (114)상의 고위 어드레스 라인을 메모리 제어기(100)에 놓음으로, 각 슬롯 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)로 가는 어드레스 라인수는 감소된다. 각각의 이 슬롯 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)은 개별 메모리 용량 라인(122),(126),(130),(134) 및 (138)을 메모리 제어기(100)에 공급하기 위해 요구된다. 부가적으로, 접속기(150),(152),(154),(156) 및 (158)은 개별적으로 각각의 라인(120),(124),(128),(132) 및 (136)상의 모듈 선택 신호를 수신한다.The address comparison circuits 107 to 111 are individually connected to the address bus 114 to receive the start address and the memory capacity for each memory module. For example, the address comparison circuit 111 receives the start address on line 112 and the memory capacity on line 122 to limit the address space for the memory module in slot 1. When a suitable address is received on line 114, the address comparison circuit 111 decodes the address and the address on line 118 along with the data on the data bus 116 and the command signal on the command signal bus 119. The card select signal on line 120 is supplied to activate the card in slot 1 receiving. Each address comparison circuit 107-111 receives a memory capacity from each slot connector to provide a memory address space for each memory module. As one of ordinary skill in the art will appreciate, placing the high address line on 114 into the memory controller 100 allows each slot connector 150, 152, 154, 156 and 158 to be placed. The number of address lines going to) is reduced. Each of these slot connectors 150, 152, 154, 156 and 158 memory individual memory capacity lines 122, 126, 130, 134 and 138. Required to supply controller 100. Additionally, connectors 150, 152, 154, 156 and 158 are individually on respective lines 120, 124, 128, 132 and 136. Receive the module selection signal.

제3도는 메모리 제어 회로는, 스타트 어드레스를 슬롯내 각 메모리 모듈에 대한 어드레스 비교 회로에 공급하는 데이지 화환 순차가 공통 회로 기판 또는 단일 집적 회로에서 수행되고, 개별 메모리 모듈내에서 정보를 엑세스하는데 필요한 전체 어드레스 라인을 감소시키는 이점이 있다.Figure 3 shows that the memory control circuitry includes the entirety of the daisy wreath sequence, which supplies the start address to the address comparison circuit for each memory module in the slot, is performed on a common circuit board or a single integrated circuit, and is required to access information within a separate memory module. There is an advantage of reducing the address line.

제4도는 도시된 바와 같이 슬롯(1) 내지 (N)내의 메모리 모듈로 가는 어드레스 버스 라인을 줄이기 위한 본 발명의 제3의 실시예를 예시한다. 각각의 메모리 모듈(도시안됨)은 접속기(250,252,254,256 및 258)중 관련 접속기를 통해 메모리 용량을 제공하는 수단을 구비한다. 이미 설명되었듯이, 메모리 제어기(200)는 각각 제3도의 대응물과 비슷한 방식으로 작용하는 가산기(203) 내지 (206)과 어드레스 비교 회로(207) 내지 (211)을 구비한다. 초기 스타트 어드레스는 라인(212)상에 공급되고 넥스트 어드레스는 라인(240),(242),(244) 및 (248) 상에 데이지 화환 모양으로 공급된다. 더 나아가, 고위 어드레스 라인은 라인(214)상의 어드레스 비교 회로(207) 내지 (211)로 공급된다. 개별 어드레스 비교 회로(207) 내지 (211)는 스타트 어드레스를 메모리 용량과 결합시키므로 각 메모리 모듈에 대한 어드레스 공간을 각각 결정한다. 개별 어드레스 비교 회로(207) 내지 (211)의 출력은 슬롯(1) 내지 (N)내의 각 메모리 모듈로 가는 라인(220),(224),(228),(232) 및 (236)상의 모듈 선택 신호이다.4 illustrates a third embodiment of the present invention for reducing address bus lines going to memory modules in slots 1 through N as shown. Each memory module (not shown) has means for providing memory capacity through an associated connector of connectors 250,252,254,256 and 258. As already explained, the memory controller 200 has adders 203 to 206 and address comparison circuits 207 to 211, each acting in a manner similar to the counterpart of FIG. The initial start address is supplied on line 212 and the next address is supplied in a daisy wreath on lines 240, 242, 244 and 248. Furthermore, the higher address line is supplied to address comparison circuits 207 through 211 on line 214. The individual address comparison circuits 207 to 211 combine the start address with the memory capacity to determine the address space for each memory module, respectively. The outputs of the individual address comparison circuits 207 through 211 are modules on lines 220, 224, 228, 232 and 236 that go to each memory module in slots 1 through N. It is a selection signal.

이 실시예의 차이점은 라인(260),(262),(264),(266) 및 (268)상의 데이타 흐름이 양 방향성이라는 것이다. 이 실시예에서, 이 라인들은 메모리 모듈내의 메모리 장소에 대한 저위 비트를 포함하는 어드레스 버스(218)에 접속된다. 명령 버스(219)상에 제어 라인을 추가하여 라인(260),(262),(264),(266) 및 (268)의 방향이 명확해진다. 이 실시예에서, 초기 방향은 메모리 모듈 접속기(250),(252),(254),(256) 및 (258)로부터 가산기(203) 내지 (206)쪽 방향이고 각 라인(222),(226),(230),(234) 및 (238)상의 메모리 정보를 공급하기 위한 어드레스 비교 회로(207 내지 211)로 되어 있다. 제2의 상태에서, 명령 버스(219)상의 명령 신호는 슬롯(1) 내지 (N)내의 메모리가 어드레스 버스(218)의 저위 어드레스를 수신할 수 있게 라인(260),(262),(264),(266) 및 (268)상의 데이타 흐름의 방향을 반전시킨다. 메모리 용량 데이타가 어드레스 공간을 초기화할 때에만 요구되므로, 라인(222),(226),(230),(234) 및 (238)상의 메모리 용량 정보를 갖는 어드레스 버스(218)를 멀티플렉싱하는 것은 슬롯(1) 내지 (N)내의 메모리 모듈 엑세스 타이밍에 영향을 주지 않는다.The difference in this embodiment is that the data flows on lines 260, 262, 264, 266 and 268 are bidirectional. In this embodiment, these lines are connected to an address bus 218 that contains the low order bits for the memory location within the memory module. By adding a control line on the command bus 219, the directions of lines 260, 262, 264, 266, and 268 become clear. In this embodiment, the initial direction is from memory module connectors 250, 252, 254, 256 and 258 toward adders 203 through 206 and each line 222, 226. ) And address comparison circuits 207 to 211 for supplying memory information on (230), (234), and (238). In the second state, the command signals on the command bus 219 are lines 260, 262, 264 such that the memory in the slots 1-N can receive the lower address of the address bus 218. Reverses the direction of the data flow on (2), (266) and (268). Since memory capacity data is required only when initializing the address space, multiplexing the address bus 218 with memory capacity information on lines 222, 226, 230, 234, and 238 is a slot. It does not affect the memory module access timing in (1) to (N).

본 발명이 상세하게 도시되고 양호한 실시예에 관하여 기술되었지만, 이 기술에 숙련된 사람이라면 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어나지 않는다면 형식에 있어서나 상세한 세부점에 있어서 여러 다른 변경이 가능하다.Although the invention has been shown in detail and described with reference to preferred embodiments, many other changes in form and detail can be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.

Claims (4)

어드레스 및 데이타 정보의 전송을 위한 정보 버스(예로, 114,116,118, 또는 214,216,218)에 의해 메모리 시스템에 접속된 처리기에 인접 메모리 어드레스를 제공하는 메모리 시스템이, 상기 정보 버스에 직렬로 접속된 다수의 제거가능한 메모리 모듈(슬롯 1 내지 N내의 모듈)과, 각각의 모듈은 메모리 용량을 제공하는 수단(12)을 구비함; 상기 처리기로부터 스타트 어드레스를 수신하며 상기 정보 버스에 접속되어 상기 처리기로부터 어드레스 정보를 수신하고 메모리 모듈로부터 메모리 모듈 용량을 수신하는 제어수단(예로 100 또는 200)을 구비하며, 상기 제어수단은 스타트 어드레스와 메모리 모듈 용량을 기준하여 각각의 메모리 모듈에 대해 어드레스 레인지를 할당하며 상기 수신된 어드레스 정보가 상기 메모리 모듈 각각에 대해 할당된 상기 어드레스 레인지내에 있을 때 모듈 선택 신호를 상기 메모리 모듈 각각에 보내는 동작을 하는 메모리 시스템.A memory system that provides a contiguous memory address to a processor connected to a memory system by an information bus (e.g., 114,116,118, or 214,216,218) for the transfer of address and data information, includes a plurality of removable memories serially connected to the information bus. A module (modules in slots 1 to N), each module having means 12 for providing memory capacity; Control means (e.g., 100 or 200) for receiving a start address from the processor and being connected to the information bus to receive address information from the processor and a memory module capacity from a memory module; Assigning an address range to each memory module based on memory module capacity and sending a module selection signal to each of the memory modules when the received address information is within the address range allocated for each of the memory modules; Memory system. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단은 각각의 메모리 모듈의 메모리 용량을 상기 처리기로부터 스타트 어드레스에 또는 넥스트 직렬 접속된 메모리 모듈에 대한 넥스트 스타트 어드레스를 발생하기 위한 선행 가산기 수단으로부터의 넥스트 스타트 어드레스에 가산하는 다수의 직렬 접속된 가산기 수단(예로, 103 내지 106, 또는 203 내지 206), 및 상기 처리기로부터의 스타트 어드레스 또는 선행 가산기 수단으로부터의 넥스트 스타트 어드레스를 기준하여 각각의 메모리 모듈에 대한 어드레스 레인지를 결정하고, 어드레스 정보가 결정된 어드레스 레인지내에 있을 때 메모리 모듈에 대한 모듈 선택 신호를 제공하는 다수의 어드레스 비교 수단(예로, 107 내지 111, 또는 207 내지 211)을 구비하는 메모리 시스템.2. The apparatus according to claim 1, wherein said control means adds the memory capacity of each memory module to a start address from said processor or to a next start address from a preceding adder means for generating a next start address for a next serially connected memory module. Determine an address range for each memory module based on a plurality of serially connected adder means (e.g., 103 to 106, or 203 to 206) and a start address from the processor or a next start address from a preceding adder means. And a plurality of address comparison means (e.g., 107 to 111, or 207 to 211) for providing a module selection signal for the memory module when the address information is within the determined address range. 제2항에 있어서, 상기 정보 버스는 하이에서 로우 등급으로 되어 있는 다수의 병렬 어드레스 라인을 구비하며, 로우 등급의 다수의 상기 어드레스 라인(예로, 118 또는 218)은 상기 메모리 모듈에 접속되는 한편 하이 등급의 다수의 나머지 어드레스 라인(예로 114 또는 214)은 상기 어드레스 비교 수단에 접속되어 있는 메모리 시스템.3. The information bus of claim 2 wherein the information bus has a plurality of parallel address lines that are high to low in grade, and wherein the plurality of low grade address lines (e.g., 118 or 218) are connected to the memory module while being high. And a number of remaining address lines of class (e. G. 114 or 214) are connected to said address comparing means. 제3항에 있어서, 상기 로우 등급의 다수의 상기 어드레스 라인(예로 218)은 연합 메모리 모듈의 메모리 용량을 상기 제어 수단에 전달하는데 이용되는 전달 라인(예로, 260,262,264,266,268)에 접속되고, 상기 정보 버스는 상기 전달 라인에 걸친 신호 흐름의 방향을 제어하기 위해 상기 처리기로부터의 제어 신호를 제공하는 제어 라인(예로 219)를 구비하는 메모리 시스템.4. The method of claim 3, wherein the row grade plurality of address lines (e.g., 218) are connected to delivery lines (e.g., 260, 262, 264, 266, 268) used to convey the memory capacity of an associated memory module to the control means. And a control line (e.g., 219) for providing a control signal from said processor to control the direction of signal flow across said delivery line.
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