KR900700652A - 증착 방법 - Google Patents

증착 방법

Info

Publication number
KR900700652A
KR900700652A KR1019890701732A KR890701732A KR900700652A KR 900700652 A KR900700652 A KR 900700652A KR 1019890701732 A KR1019890701732 A KR 1019890701732A KR 890701732 A KR890701732 A KR 890701732A KR 900700652 A KR900700652 A KR 900700652A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
spherical
substrate
plasma
deposition
Prior art date
Application number
KR1019890701732A
Other languages
English (en)
Inventor
케이. 웨너 가트프라이드
Original Assignee
케이. 웨너 가트프라이드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이. 웨너 가트프라이드 filed Critical 케이. 웨너 가트프라이드
Publication of KR900700652A publication Critical patent/KR900700652A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0408—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

증착 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 발명의 다른 목적과 본 발명의 잇점들을 이하 첨부 도면과 함께 설명하겠다.
제1도는 평판 타게트에서 증착하는 종래의 기술을 도시하는 도면.
제2도는 본 발명의 큰 구형 타게트에서 기판으로 증착하는 것을 도시하는 도면.
제3도는 본 발명의 작은 구형 타게트에서 기판으로 증착하는 것을 도시하는 도면.

Claims (24)

  1. 타게트의 고상물 구성과 동일한 구성을 갖는 기판 필름 또는 코우팅 증착에 사용되는 다성분 타게트는 : a. 방출 입자의 분산 각도가 다른 복수의 성분으로 이루어진 적어도 하나의 거의 구형타게트, b. 상기 타게트 표면에 수직으로 방출하는 입자를 통해 상기 타게트의 표면에 접선으로 방출하는 기판에의 입자를 제어하는 구형 타게트를 주어, 타게트 성분들이 타게트에 존재하는 상기 타게트 성분과 동일한 비율로 기판상에 증착하는 것을 포함하는 다성분 타게트.
  2. 거의 구형 타게트에서 필름 또는 코우팅 증착하는 방법은 : a. 저압의 균일 가스 또는 증기압 플라즈마내에 거의 구형의 타게트가 잠기게 하고, b. 거의 구형인 타게트에 네가티브 증착 전압을 적용시키고, 전류를 운반하고 그리고 저압의 균일한 플라즈마 내에서 구형 타게트를 유지시키기 위해 금속 와이어나 봉을 설치하고, 그리고 c. 기판을 위치시켜 증착된 재료가 구형 타게트 표면에서 가능한 모든 방출 각도로 방출되는 전자들로 이루어지도록 하는 단계를 갖는 증착방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 타게트는 증착시에 타게트 성분을 복제하기 위한 구형의 다성분 타게트인 증착방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 구형 타게트는 3곡 진공관 방전의 균일한 저압 플라즈마 내에 잠기는 단계를 갖는 증착방법.
  5. 제2항에 있어서, 구형의 타게트를 저압의 다이오우드 방전에서 음극으로 만드는 단계를 갖는 증착방법.
  6. 제2항에 있어서, 구형 타게트는 저압의 RF 여기 플라즈마 내에 잠기는 단계를 갖는 증착방법.
  7. 제2항에 있어서, 구형의 타게트는 마이크로파 여기 플라즈마 내에 잠기는 단계를 갖는 증착방법.
  8. 제2항에 있어서, 증착할 재료로 코우팅한 구형의 금속구인 타게트를 사용하는 단계를 갖는 증착방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 타게트는 절연체로 코우팅하거나 RF를 금속구에 증착시키는 증착방법.
  10. 제2항에 있어서, 타게트를 냉각하는 단계를 갖는 증착방법.
  11. 제2항에 있어서, 상기 기판은 언제나 전표면에 걸쳐 균일하게 이온 포격하는 구형 타게트의 일부를 바라보도록 설치하는 단계를 갖는 증착방법.
  12. 제2항에 있어서, 하나 이상의 구형 타게트를 사용한 각각의 상기 타게트는, 증착율을 높이고 상기 기판의 편평한 면상에 더욱 두껍고 균일한 증착을 얻기 위해 저압의 플라즈마 내에 잠기도록 한 증착방법.
  13. 제2항에 있어서, a. 타게트구를 일렬로 정열하여, 상기 모든 구가 저압 플라즈마에 잠기게 하고, b. 기판으로 각각 그리고 동시에 증착하며, 그리고 c. 상기 기판을 이 "라인 소스"를 가로질러 이동시켜 큰 기판 면적을 코우팅하는 단계를 갖는 증착방법.
  14. 제2항에 있어서, a. 와이어나 봉기판을 증착하기 위해 타게트구를 원형으로 설치하고, b. 상기 와이어 또는 봉기판을 균일하게 코우팅하기 위해 원형 중간을 통과 이동하는 단계를 갖는 증착방법.
  15. 제2항에 있어서, 플라즈마 형성을 위한 전자는 음극 스폿 점화로 공급되고 액체 수은욕 상에 유지되는 저압의 수은 3극 진공관 플라즈마 내에서 증착하는 단계를 갖는 증착방법.
  16. 제2항에 있어서, 상기 구형 타게트는 필름 또는 코우팅 증착을 위해 적어도 하나의 고 TC 초전도재로 이루어진 증착 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 초전도재는 123 세라믹 초전도인 증착방법.
  18. 상기 기판상에 초전도필름 또는 코우팅을 갖는 청구범위 16항의 공정에 의한 생산물.
  19. 타게트의 고상성분과 동일한 성분을 갖는 코우팅 기판상에 증착을 위해 사용되는 다성분 구형 타게트는, a. 방출 입자의 분산 각도가 상이한 복수의 성분을 갖는 적어도 하나의 거의 구형 타게트, b. 상기 타게트를 저압의 균일 가스 또는 증기압 플라즈마 내에 위치시키기 위한 수단, 그리고 c. 증착재는 가능한 모든 각도에서 방출하는 구형 타게트 표면에서 방출하는 원자들로 구성되어 있어, 타게트 내에 존재하는 상기 타게트 성분과 동일한 비율로 기판상에 타게트 성분이 증착되도록 기판을 위치시키는 수단을 갖는 다성분 구형 타게트.
  20. 제17항에 있어서, 상기 플라즈마는, 플라즈마 형성을 위한 전자는 음극 스폿 점화로써 공급되고, 액체 수은욕 상에 유지되는, 저압의 수은 3극 진공관 플라즈마인 타게트.
  21. 제17항에 있어서, 상기 성분의 대다수는 초전도재인 타게트.
  22. 제19항에 있어서, 상기 초전도재는 123 세라믹 초전도재인 타게트.
  23. 기판상에 증착하는 다성분 초전도의 구형의 타게트는 : a. 방출되는 입자들의 각 분산이 상이한 적어도 하나의 거의 구형의 초전도 타게트. b. 상기 타게트를 저압의 균일 가스 또는 증기압 플라즈마 내에 위치시키기 위한 수단, 그리고 c. 증착할 재료는 모든 가능한 방출 각도에서 구형의 타게트 표면에서 방출하는 원자들로 구성되도록 하며, 타게트 초전도재가 기판상에 증착되도록 기판을 위치시키는 수단을 갖는 다성분 초전도의 구형 타게트.
  24. 기판으로 초전도재를 증착하는 시스템은 : a. 초전도재의 거의 구형 타게트, b. 상기 타게트에 인접 위치한 기판, 그리고 c. 상기 타게트 주위에 균일한 플라즈마가 발생토록 하는 수단을 가지고 상기 타게트 초전도재가 상기 기판상에 증착하는 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890701732A 1988-01-21 1988-03-24 증착 방법 KR900700652A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14630088A 1988-01-21 1988-01-21
US146,300 1988-01-21
PCT/US1988/000948 WO1989006709A1 (en) 1988-01-21 1988-03-24 Method of sputtering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900700652A true KR900700652A (ko) 1990-08-16

Family

ID=22516749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890701732A KR900700652A (ko) 1988-01-21 1988-03-24 증착 방법

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0352308B1 (ko)
JP (1) JPH0776422B2 (ko)
KR (1) KR900700652A (ko)
AT (1) ATE92113T1 (ko)
AU (1) AU2826089A (ko)
DE (1) DE3882704T2 (ko)
WO (1) WO1989006709A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3852967B2 (ja) * 1995-07-14 2006-12-06 株式会社アルバック 低圧スパッタリング装置
CN105671509B (zh) * 2016-03-31 2018-06-29 成都西沃克真空科技有限公司 一种球面靶阴极机构及溅射镀膜装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3021271A (en) * 1959-04-27 1962-02-13 Gen Mills Inc Growth of solid layers on substrates which are kept under ion bombardment before and during deposition
US3988232A (en) * 1974-06-25 1976-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of making crystal films

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02501754A (ja) 1990-06-14
ATE92113T1 (de) 1993-08-15
EP0352308B1 (en) 1993-07-28
AU2826089A (en) 1989-08-11
EP0352308A4 (en) 1990-06-27
EP0352308A1 (en) 1990-01-31
DE3882704D1 (de) 1993-09-02
DE3882704T2 (de) 1994-01-13
JPH0776422B2 (ja) 1995-08-16
WO1989006709A1 (en) 1989-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4420386A (en) Method for pure ion plating using magnetic fields
US3756193A (en) Coating apparatus
US4006073A (en) Thin film deposition by electric and magnetic crossed-field diode sputtering
US4038171A (en) Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area
JPS6483656A (en) Method and vacuum painting machine for applying film to base layer
US4430184A (en) Evaporation arc stabilization
US3324019A (en) Method of sputtering sequentially from a plurality of cathodes
GB1485331A (en) Multitarget sequential sputtering apparatus
US4747922A (en) Confined ion beam sputtering device and method
US4834856A (en) Method and apparatus for sputtering a superconductor onto a substrate
Selinder et al. Resputtering effects on the stoichiometry of YBa2Cu3O x thin films
Ehrich et al. Adhesive metal films obtained by thermionic vacuum arc (TVA) deposition
US5227129A (en) Method for applying corrosion resistant metallic coating of zirconium nitride
US4209552A (en) Thin film deposition by electric and magnetic crossed-field diode sputtering
KR900700652A (ko) 증착 방법
ATE154162T1 (de) Vorrichtung zur reaktiven plasmagasphasenabscheidung eines elektrisch nichtleitenden materials unter verwendung einer abgeschirmten sekundäranode
Fancey et al. Coating thickness fall-off with source to substrate distance in PVD processes
US3779891A (en) Triode sputtering apparatus
US5024721A (en) Method of forming metal surface thin film having high corrosion resistance and high adhesion
Fancey et al. A coating thickness uniformity model for physical vapour deposition systems—further validity tests
Franks et al. Ion enhanced film bonding
JPH01240648A (ja) 多元系薄膜製造装置
PL167391B1 (pl) Sposób osadzania warstw
ES8703533A3 (es) Metodo de aplicar un revestimiento de metal sobre una superficie de un substrato en una camara de deposicion fisica de vapor por arco electrico.
Buckley et al. Deposition of thin films by ion plating on surfaces having various configurations

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application