KR900019119A - 광단극장하입자의 결속을 제어하는 방법 및 장치 - Google Patents

광단극장하입자의 결속을 제어하는 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900019119A
KR900019119A KR1019900007474A KR900007474A KR900019119A KR 900019119 A KR900019119 A KR 900019119A KR 1019900007474 A KR1019900007474 A KR 1019900007474A KR 900007474 A KR900007474 A KR 900007474A KR 900019119 A KR900019119 A KR 900019119A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plane
magnetic field
magnetic
light
flux density
Prior art date
Application number
KR1019900007474A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100213462B1 (ko
Inventor
베그만 우
콜러 알베르트
Original Assignee
베.카우프만,우.베그만
발찌스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베.카우프만,우.베그만, 발찌스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 베.카우프만,우.베그만
Publication of KR900019119A publication Critical patent/KR900019119A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100213462B1 publication Critical patent/KR100213462B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/21Means for adjusting the focus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

광단극장하입자의 결속을 제어하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의하여 제어되는 선속밀도자장관계를 제2도에 도시한 x방향의 자장을 고려하여 도시한 도면, 제4도는 서로 직각으로 되어 있는 2개의 선속밀도자장이 본발명에 의한 제1극성관계에 놓여있을 때, 제2도에 도시한 관계를 개략적으로 도시한 도면, 제5도는 제4도와 유사한 도면으로서, 본 발명에 의한 제2극성관계에 놓여있는 자장을 도시한 도면.

Claims (32)

  1. 광선(S) 단극장하입자, 특히 전자의 결속을 제어하는 방법으로서 전자들이 광선축(Z)에 대하여 수직으로 되어 있고, 광통과면(Q)을 가진 제1평면을 통과하고, 광선축(Z)을 포함하는 제2평면(E2)의 양측으로 2개의 선속 밀도자장(B1, B2)이 그 주벡터분력을 가진 자장선이 제2평면(E2)의 영역내에서 제2평면에 대하여 평행으로 뻗어 있도록 놓여 있고, 2개의 자장이 서로 반대방향을 향하는 극성을 가지며, 2개 자장의 제어에 의하여 광통과면(Q)의 확장이 제2평면(E2)에 수직되는 방향으로 변동되는 방법에 있어서, 2개의 선속밀도자장(B1, B2)이 제2평면(E2)에 대하여 평행인 광통과면(A)의 확대보다 더 큰 구간에 걸쳐 서로 평행되는 자장선에 의하여 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 2개의 선속밀도자장(B1, B2)을 대칭적의 총계-경과를 가진 제2평면(E2)에 관하여 설정하고, 이러한 대칭을 자장(B1, B2)이 제어하에 변동되는 때에도 본질적으로 그대로 유지하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항중 한항에 있어서, 자장(B1, B2)이 제2평면(E2)의 양측으로 통과면(Q)의 확장보다 더 긴 영역에 걸쳐 본질적으로 일정하게 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 한항에 있어서, 제3평면(E3)에 관하여, 제1평면(E1) 및 제2평면 (E2)에 수직되게 양측으로 2개의 또 다른 선속밀도자장(B3, B4)을 설정하고, 제3평면(E3) 영역내에 양측으로 반대되는 극성을 가진, 특히 제3평면(E3)에 관하여 본질적으로 대칭적 값을 가진 평행벡터분력을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 또 다른 선속밀도자장의 자장경과를 광통과면(Q)의 영역내에서 제3평면의 양측으로 적어도 통과면확장에 상응하는 길이에 걸쳐 평행으로 배열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 자장이 제3평면의 양측으로 통과면의 확장보다 더 긴 영역에 걸쳐 일정하게 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제4항 내지 제6항중 한 항에 있어서, 또 다른 자장(B3, B4)을 자장벡터(B1, B2, B3, B4)의 극성이 제1평면(E1)을 통하여 통과면(Q) 둘레를 돌면서 교대되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제4항 내지 제7항중 한항에 있어서, 또 다른 선속밀도자장(B3, B4)을 제1평면(E1)내에 설정하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제4항 내지 제8항중 한 항에 있어서, 2개의 신속밀도자장(B1, B2)과 2개의 또다른 선속밀도자장(B3, B4)을 광선 확대 방향(Z)으로 옮겨지게 설정하고, 이러한 자장들을 서로 분리시키고, 특히 서로로부터 차폐되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항중 한항에 있어서, 광선(S)을 그 통과면(Q)에 제1평면(E1)을 통하여 이동될 수 있도록 추가로 전향시키는 방법으로서, 제2평면(E2)내에서의 제어된 전향(Bu)을 광통과면 (Q)이 2개의 선속밀도자장(B1, B2)의 벡터에 대하여 평행으로 이동되도록 실시하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 광선을 90°이상, 특히 180°이상 전향시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항중 한 항에 있어서, 통과면(Q)에 대한 작용에 관하여 광선목표면(M)에 대한 선속밀도자장(B1, B2, B3, B4)의 작용을 광선의 적어도 하나 이상의 수축영역(K)을 공간적으로 고정시킴으로써 예를 들면, 전도된 것처럼 고정시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제1항 내지 제12항중 한항에 있어서, 자장을 조정하는 경우와 같이 동적으로 변동시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 자장을 깨끗이 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 광선단극장하입자, 특히 전자의 결속을 제어하는 장시로서, 광통과용의 영역(13)이 있고, 제어되는 자석장치가 제공되어 있고, 이 자석장치에 의하여 광통과면(Q)의 확장이 광영역에 대하여 가로방향으로 놓여 있는 평면(E1)을 거쳐 적어도 하나의 방향(Y)으로 제어하에 변동되고, 이때 자석장치에 의하여 2개의 선속밀도자장이 백터분력을 가진 제1평면(E1) 내에 놓이고, 이러한 자장들이 제2평면(E2)의 양측에서, 제2평면의 영역내에서 방향(Y)과 제1평면(E1)에 대하여 수직으로 광통과면(Q)을 거쳐 서로평행으로 되어 있고, 서로 반대되는 극성을 가지는 장치에 있어서, 자석장치(3, 5, 23, 25, 33, 35)가 제2평면(E2) 영역내에서 서로 평행으로된 자장선을 가진 선속밀도자장(B1, B2)이 제2평면에 대하여 평행인 광통과면(Q)의 확대보다 더 큰 구간에 걸쳐 발생되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 자석장치가 2개의 평행막대자석으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제15항 또는 제16항중 한항에 있어서, 자석장치용 제어장치(1)가 제공되어 있고, 이 제어장치에 의하여 자석장치가 선속밀도자장에 제2평면(E2)의 양측으로 이에 대하여 대칭적인 그 값의 경과가 제공되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제15항 내지 제17항중 한항에 있어서, 자석장치(3, 5, 23, 25, 33, 35)가 선속밀도자장(B1, B2)의 경과가 제2평면(E2)의 양측에서 통과면(Q)의 확장보다 더 긴 영역에 걸쳐 본질적으로 일정하도록 형성되어 있는것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제15항 내지 제18항중 한항에 있어서, 자석장치에 제2평면(E2)에 대하여 평행으로 배치된 2개의 자성쌍극자(3, 5, 23, 25, 33, 35)가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 2개의 자성쌍극자(3, 5, 23, 25, 33, 35)가 제1평면(E1)내에 놓여 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제20항에 있어서, 제1평면(E1)내에 놓여 있는 자성쌍극자(3, 5, 33, 35)가 제2평면(E2)에 대하여 대칭적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제15항 내지 제21항중 한항에 있어서, 광선(S)용으로 제어되는 전향장치(Bu)가 달려있는 장치로서, 전향장치가 제2평면(E2)내에서 광선을 전향시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제15항 내지 제22항중 한항에 있어서, 자석장치가 제2평면(E2)에 대하여 수직으로 또 다른 선속밀도자장(B3, B4)을 발생시키고, 광선 (S)용 영역(13)의 양측으로 반대극성을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제22항 또는 제23항중 한항에 있어서, 광선을 발생시키는 전자광학적 장치로서, 광선확대에 따라 적어도 하나의 광선(S)의 수축영역(K)을 발생시키는 장치가 달린 장치에 있어서, 자석장치(3, 5, 23, 25, 33, 35)와 장치(Bu)가 자석장치에 의하여 실현되는 자성선속밀도(B1, B2, B3, B4)의 영향 범위안에서의 통과면 단면변동이 광선목표면의 직경변동과는 반대로 제1방향(x)에서 행하여지도록 서로 동조되는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제15항 내지 제24항중 한항에 있어서, 자석장치에 2개의 자석쌍극자(3, 5, 33, 35)가 제공되어 있고, 이 쌍극자들이 일정한 간격을 두고 유지되는 2개의 지지물(37, 39) 내에 배치되어 있으며, 광선용 영역이 지지물(37, 39) 사이로 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제15항 내지 제25항중 한항에 있어서, 광선발생기(15, 41)용 정위(定位)장치 및 고정장치가 발생된 광선(S)이 미리 제공된 영역(13)을 통과하도록 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제25항에 있어서, 지지물(37, 39)이 쌍극자(33, 35) 영역내에서는 비강자성재로 구성되어 있고, 쌍극자들이 지지물(37, 39)내에 진공밀폐적으로 들어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제25항에 있어서, 지지물이 구리 또는 스테인레스강과 같은 여러가지 금속부분으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제15항 내지 제28항중 한항에 있어서, 자석장치에 영구자석 또는 전자석이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제1항 내지 제14항중 한항에 의한 방법 또는 광선을 90°이상, 특히 180°이상 전향시키는 광전향시스템이 달려 있는 제15항 내지 제29항중 한항에 의한 장치의 응용.
  31. 제15항 내지 제29항중 한항에 의한 장치가 달려있는 전자선발생기.
  32. 제31항에 의한 전자석발생기가 달려있는 진공처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007474A 1989-05-23 1990-05-23 단극전하입자의 빔집속 제어 방법 및 장치 KR100213462B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP3916787.9 1989-05-23
DE3916787A DE3916787C2 (de) 1989-05-23 1989-05-23 Verfahren und Anordnung zur Steuerung der Bündelung eines Strahls monopolar geladener Partikel und Anwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900019119A true KR900019119A (ko) 1990-12-24
KR100213462B1 KR100213462B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=6381241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900007474A KR100213462B1 (ko) 1989-05-23 1990-05-23 단극전하입자의 빔집속 제어 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5021669A (ko)
EP (1) EP0399390B1 (ko)
JP (1) JP3085463B2 (ko)
KR (1) KR100213462B1 (ko)
AT (1) ATE144649T1 (ko)
DE (2) DE3916787C2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3921040C2 (de) * 1989-06-27 1994-03-10 Balzers Hochvakuum Verfahren und Anordnung zum Steuern der Verdampfung von Material von einem Zielobjekt durch einen Strahl geladener Teilchen und Verwendung, sowie Verfahren und Meßanordnung zum selektiven Messen einer verdampften Partikelmenge zur Durchführung des Verfahrens
US7888652B2 (en) * 2006-11-27 2011-02-15 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Ion implantation apparatus
TWI771003B (zh) * 2020-06-17 2022-07-11 漢辰科技股份有限公司 混合磁鐵結構

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420977A (en) * 1965-06-18 1969-01-07 Air Reduction Electron beam apparatus
GB1325540A (en) * 1969-10-10 1973-08-01 Texas Instruments Ltd Electron beam apparatus
US4064352A (en) * 1976-02-17 1977-12-20 Varian Associates, Inc. Electron beam evaporator having beam spot control
SU705699A2 (ru) * 1976-05-03 1979-12-25 Орденов Ленина И Трудового Красного Знамени Институт Электросварки Им. Е.О.Патона Установка дл электроннолучевого нагрева материалов
AU8124082A (en) * 1981-03-09 1982-09-16 Unisearch Limited Charged particle beam focussing device
US4673794A (en) * 1985-05-10 1987-06-16 National Research Institute For Metals Electron beam welding method
JPH01319242A (ja) * 1988-06-20 1989-12-25 Hitachi Ltd ビーム強度分布制御方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03115899A (ja) 1991-05-16
ATE144649T1 (de) 1996-11-15
JP3085463B2 (ja) 2000-09-11
EP0399390A2 (de) 1990-11-28
EP0399390A3 (de) 1991-07-24
KR100213462B1 (ko) 1999-08-02
US5021669A (en) 1991-06-04
EP0399390B1 (de) 1996-10-23
DE3916787A1 (de) 1990-12-06
DE3916787C2 (de) 1994-01-20
DE59010546D1 (de) 1996-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5383049A (en) Elliptically polarizing adjustable phase insertion device
US5132544A (en) System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning
US4367411A (en) Unitary electromagnet for double deflection scanning of charged particle beam
WO1999066535A3 (en) Apparatus and method relating to charged particles
KR950019946A (ko) 웨이퍼상에 패턴을 기록하기 위한 전자빔 시스템
CA2109422A1 (en) A Dynamic Thermal-Mechanical Material Testing System Utilizing a Balanced Magnetic Field
US3351731A (en) Method and apparatus for treating material with a charged beam
KR900019119A (ko) 광단극장하입자의 결속을 제어하는 방법 및 장치
KR970060383A (ko) 이온빔 주입기 및 이온빔 지향방법
US2866902A (en) Method of and apparatus for irradiating matter with high energy electrons
EP0088457A2 (en) Charged particle beam apparatus
US4962309A (en) Magnetic optics adaptive technique
CA1073561A (en) Device for scanning a target with a beam of charged particles
US4564763A (en) Process and apparatus for varying the deflection of the path of a charged particle beam
JPH06338481A (ja) プラズマ装置
US3671895A (en) Graded field magnets
KR940008817A (ko) Ecr 플라즈마 가공방법
KR910001865A (ko) 증발과정의 제어방법
JPH0455083A (ja) レーザ光のスキャナ装置
US3312858A (en) Deflecting system for charge carrier beams
US3643191A (en) Electron lens for electron microscope and the like
JPS5944743B2 (ja) 走査電子顕微鏡等用照射電子レンズ系
KR910007063A (ko) 비임의 편향방법 및 편향장치
Kim A survey of synchrotron radiation devices producing circular or variable polarization
US5034590A (en) Electron gun arrangement for use in the electron beam evaporation process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030507

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee