KR900004198B1 - Voltage controled oscillator with high speed current switching - Google Patents

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KR900004198B1
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더불유.아우양 케네스
마아멧 멜빈
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웨스턴 디지탈 코포레이션
어윈 엘.크와텍
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop

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Abstract

The VCO includes a reference capacitor which is charged and discharged by current source and sink output transistors. The output transistors are connected to control transistors in a current mirror fashion with current through the control transistors being maintained at a level proportional to the value of a control input voltage. The control transistors are selectively connected to the output transistors in a current mirror configuration to provide either current source or sink operation. Transmission gates are connected between the gates of the output and control transistors and selectively closed to render the proper output transistor conductive to achieve source or sink operation.

Description

고속전류 스위칭 작용의 전압 제어발진기Voltage controlled oscillator with fast current switching

제 1 도는 본 발명에 따라 전압에 의해 조절되는 발진기의 개략도.1 is a schematic diagram of an oscillator regulated by a voltage in accordance with the present invention.

제 2a-2g 도는 본 발명에 관계한 타이밍도.2a-2g are timing diagrams related to the present invention;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 실명* Real names of symbols on the main parts of the drawings

10 : 기준콘덴서 12 : 충전회로10: reference capacitor 12: charging circuit

14 : 디바이더(divider)회로 18 : 전압-전류변환기14 divider circuit 18 voltage-to-current converter

20 : 입력저항기 22 : 연산증폭기(OP AMP)20: input resistor 22: operational amplifier (OP AMP)

24 : 피리드 백(궤환)저항기 26 : 출력저항기24: Pyreback (feedback) resistor 26: Output resistor

28 : 바이어스(bias) 저항기 32 : 전계효과 트랜지스터28: bias resistor 32: field effect transistor

42,44 : 전송게이트(transmision gate) 72 : 인버터(inverter).42,44: transmission gate 72: inverter.

본 발명은 전압에 의해 조절되는 발진기(VCO'S)에 관한 것이며, 특히 보조 금속 산화막 규소 전계효과트랜지스터(CM0S) 회로를 일된으로 하는 전압에 의해 조절되는 발진기에 관한 것이다. 전압에 의해 조절되는 발진기는 위상고정 루우프(PLL)회로에서 널리 사용된다.The present invention relates to an oscillator controlled by a voltage (VCO'S), and more particularly, to an oscillator controlled by a voltage which makes an auxiliary metal oxide silicon field effect transistor (CM0S) circuit unified. Oscillators controlled by voltages are widely used in phase locked loop (PLL) circuits.

전압에 의해 조절되는 발진기는 제어입력전압에 선형관계인 출력 주파수를 제공하도록 동작한다. 이는 제어전압에 비례하는 비율로 충전 및 방전되는 콘덴서를 제공하므로써 달성된다. 비교기는 콘덴서에서의 전압이 제1 및 제2기준 전압이상 또는 이하로 가는 때 각각 충전 및 방전사이에서 스위치 되도록 제공된다.The voltage controlled oscillator operates to provide an output frequency that is linear to the control input voltage. This is achieved by providing a capacitor that is charged and discharged at a rate proportional to the control voltage. The comparator is provided to switch between charge and discharge, respectively, when the voltage at the capacitor goes above or below the first and second reference voltages.

콘덴서를 충전 및 방전시키기 위한 전류소스(current source) 및 전류싱크(current sink)를 포함하는 전압에 의해 조절되는 발진기는 타카아쉬(Takahashi)에게 허여된 제 3,886,408 호, 하시아오(Hsiao)에게 허여된 제 3,904,988 호, 아스틀(Astle)에게 허여된 제 4,263,567 호 그리고 페이네(Payne) 등에게 허여된 제 4,321,561 호에서 공개된다. 페이네와 하시아오의 특허에서 출력 전류통로에 위치한 스위칭 트랜지스터에 의해 전류 스위칭이 제공된다. 이같은 회로는 대체로 받아들일 수 있으나 출력전류 통로 내에 스위칭을 포함시킴이 진동저항(parasitic resistance) 및 진동용량을 유발 시키며 따라서 개폐시간(switching time)을 늦추는데 제한된다. VCO가 정상으로 동작하도록 하기 위해서는 전류 싱크 또는 소스가 가능한 한 빨리 스위치되도록 하여 콘덴서에 대해 균일한 충전속도가 달성되도록 함이 바람직하다. 출력 전류통로에서 스위칭을 포함하는 종전 기술회로로는 이와같은 빠른 스위칭을 달성시키기가 불가능하다.Oscillators regulated by a voltage, including a current source and a current sink for charging and discharging capacitors, are issued to Hsiao, No. 3,886,408, issued to Takaahashi. 3,904,988, 4,263,567 to Astle and 4,321,561 to Payne and others. In the Peine and Hassiao patents, current switching is provided by a switching transistor located in the output current path. Such circuits are generally acceptable, but the inclusion of switching in the output current path introduces parasitic resistance and vibration capacity and is therefore limited to slowing down the switching time. In order for the VCO to operate normally, it is desirable to allow the current sink or source to be switched as soon as possible to achieve a uniform charge rate for the capacitor. Prior art circuits, including switching in the output current path, make it impossible to achieve such fast switching.

본 발명은 높은 스위칭 속도를 갖는 전압에 의해 조절되는 발진기에 관한 것이다. 본 발명의 전압에 의해 조절되는 발진기는 10MHz 또는 그 이상에서 동작가능하며, 따라서 하도 디스크(hard disk) 자료분리기의 위상고정 루우프에서 사용하기에 적합하다. 회로는 전류소수 및 전류싱크로 동작하는 출력 트랜지스터에 의해 충전 및 방전되는 기준 콘덴서를 포함한다. 출력 트랜지스터는 전류소스 또는 전류싱크로의 동작을 조절하도록 개폐하는 전송게이트에 의해 전류반사구성 내에서 제어 트랜지스터에 연결된다. FET 콘덴서는 전류반사 트랜지스터의 게이트에 연결되어 출력 트랜지스터가 급속하게 개폐될 수 있도록 된다. 이와 같이 하여 콘덴서에 대한 균일한 충전 및 방전속도를 확실히 하며, 정확한 발진 동작을 보장케 한다.The present invention relates to an oscillator controlled by a voltage having a high switching speed. The voltage controlled oscillator of the present invention is operable at 10 MHz or higher and is therefore suitable for use in phase locked loops of hard disk data separators. The circuit includes a reference capacitor charged and discharged by an output transistor that operates with a current fraction and current sink. The output transistor is connected to the control transistor in the current reflecting arrangement by a transfer gate that opens and closes to regulate the operation of the current source or current sink. The FET capacitor is connected to the gate of the current reflecting transistor so that the output transistor can be opened and closed rapidly. This ensures a uniform charge and discharge rate to the capacitor and ensures accurate oscillation behavior.

본 발명을 첨부도면에 따라 하기에 설명한다. 다음의 설명은 본 발명을 수행하기에 가장 적합한 방법이며, 이들 설명은 본 발명의 일반 된칙을 설명하고자 하는 목적일 뿐이며 어떤 제한의 의미로 간주되어서는 안된다. 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위를 참조하여 가장 잘 결정된다.The present invention will be described below in accordance with the accompanying drawings. The following description is the most suitable method for carrying out the present invention, which is for the purpose of describing the general principles of the invention only and should not be taken in any sense of limitation. The scope of the invention is best determined by reference to the appended claims.

제 1 도에서, 본 발명은 주파수가 입력제어전압(Vc)의 크기에 의해 조절되는 주기적 출력신호(VCO)를 제공하는 발진기에 관계한다. 기준 콘덴서(10)는 충전회로(12)의 조절하에 두개의 기준 전압사이에서 충전 및 방전된다. 기준 전압은 전압 디바이더 회로(l4)에 의해 제공되며, 그 출력은 기준전압을 기준 콘덴서(10)에 걸린 전압에 비교시키는 비교기(16)로 제공된다.In FIG. 1, the present invention relates to an oscillator for providing a periodic output signal VCO whose frequency is adjusted by the magnitude of the input control voltage Vc. The reference capacitor 10 is charged and discharged between two reference voltages under the control of the charging circuit 12. The reference voltage is provided by the voltage divider circuit 14 and its output is provided to the comparator 16 which compares the reference voltage to the voltage applied to the reference capacitor 10.

회로의 충전 및 방전속도는 제어입력전압(Vc)에 의해 조절되며, 이같은 입력전압은 전압-전류(voltage-to-current) 변환기(18)에 의해 제어전류로 변환된다.전압-전류 변환기는 입력저항기(20), 연산증폭기(22), 피이드 백(feeback) 저항기(24), 출력저항기(26) 그리고 바이어스 저항기(28)를 포함한다. 발진기의 동작점은 주어진 입력 전압에 상응하는 필요한 제어전류수준(Ic)을 제공하도록 선택된 외부저항기(30)에 의해 결정된다.The charging and discharging rate of the circuit is controlled by the control input voltage Vc, which is converted into a control current by a voltage-to-current converter 18. The voltage-current converter is input Resistor 20, operational amplifier 22, feedback resistor 24, output resistor 26 and bias resistor 28. The operating point of the oscillator is determined by the external resistor 30 selected to provide the required control current level Ic corresponding to the given input voltage.

제어전류(Ic)는 기준 N 타입 FET 트랜지스터(32)로 공급되며 이를 구동시킨다. 따라서 트랜지스터(32)를 통해 흐르는 기준전류의 크기는 제어입력전압의 크기에 달려있다. 트랜지스터(32)는 전류반사 구조 내에서 N 타입 트랜지스터(34)에 연결된다. 트랜지스터의 게이트와 소스의 공통 연결 때문에 트랜지스터(34)를 통하여 흐르는 전류는 트랜지스터(32)를 통하여 흐르는 전류를 반사시킬 것이다. 트랜지스터(34)를 통하여 흐르는 전류는 또한 드레인과 게이트가 트랜지스터(34)의 드레인에 연결되고 소스가 전된장치(Vcc)에 연결된 P타입 트랜지스터(36)를 통하여 흐를 것이다. 따라서 전류는 트랜지스터(34)(36)를 통하여 흐를 것이며 트랜지스터(32)를 통하여 흐르는 기준전류의 크기에 의해 결정되는 크기를 가질 것이다.The control current Ic is supplied to and drives the reference N type FET transistor 32. Therefore, the magnitude of the reference current flowing through the transistor 32 depends on the magnitude of the control input voltage. The transistor 32 is connected to the N type transistor 34 in the current reflecting structure. Because of the common connection of the gate and source of the transistor, the current flowing through transistor 34 will reflect the current flowing through transistor 32. The current flowing through the transistor 34 will also flow through the P-type transistor 36 whose drain and gate are connected to the drain of the transistor 34 and to the sourced device Vcc. The current will thus flow through the transistors 34 and 36 and have a magnitude determined by the magnitude of the reference current flowing through the transistor 32.

트랜지스터(34)(36)의 게이트는 전송게이트(42)(44)를 통하여 출력 트랜지스터(38)(40)의 게이트 각각으로 연결된다. 트랜지스터(38)의 소스는 접지에 연결되며, 트랜지스터(40)의 소스는 전된장치에 연결되고,이들 트랜지스터의 드레인은 상호 연결되어 기준 콘덴서(10)의 한 단자로 연결된다. 따라서 트랜지스터(38)는 전류반사(current mirror) 구조 내에서 트랜지스터(34)에 연결되며, 트랜지스터(40)는 전류반사 구조 내에서 트랜지스터(36)에 연결된다.Gates of transistors 34 and 36 are connected to each of the gates of output transistors 38 and 40 through transfer gates 42 and 44. The source of transistor 38 is connected to ground, the source of transistor 40 is connected to an electrical device, and the drains of these transistors are interconnected to one terminal of reference capacitor 10. Transistor 38 is thus connected to transistor 34 in a current mirror structure, and transistor 40 is coupled to transistor 36 in a current reflection structure.

트랜지스터(38)(40)는 기준 콘덴서(10)의 충전 및 방전을 조절시키기 위해 선택적으로 개폐된다. 콘덴서(10)를 충전시키기 위해서는 전송게이트(44)가 트랜지스터(36)를 트랜지스터(40)에 연결시키도록 폐쇄된다. 이와같이 하여 트랜지스터(40)를 작동시키며, 전류가 트랜지스터를 통해 흐르도록 하고 기준 콘덴서(10)를 충전시키도록 할 것이다.Transistors 38 and 40 are selectively opened and closed to regulate the charge and discharge of the reference capacitor 10. In order to charge the capacitor 10, the transfer gate 44 is closed to connect the transistor 36 to the transistor 40. In this way, the transistor 40 will operate, allowing current to flow through the transistor and charging the reference capacitor 10.

충전이 끝마쳐진 때 전송게이트(44)가 개방되며 그리고 전송게이트(46)가 트랜지스터(40)를 끄도록 폐쇄된다. 트랜지스터(40)의 정확하고 신속한 스위칭을 보장하기 위해서 FET 트랜지스터(48)가 트랜직스터 (36)의 게이트에 연결된다. 이같은 콘덴서는 전하를 저장하며, 트랜지스터(40)를 전도상태로 급히 스위치시키기 위해 충분한 순간전류를 제공한다. 본 발명의 실시예에서, 콘덴서(48)는 대략 30 피코따라드(pF)의 크기를 가지며 3.5볼트(volts)의 게이트-소스간 전압으로 바이어스된다. 트랜지스터(40)는 트랜지스터(36)크기의 대략 10배의 크기를 가지며, 트랜지스터(40)를 통한 전류를 트랜지스터(36)를 통한 전류와 비례하며, 트랜지스터들의 상대적 크기와 직접 관계한다.When charging is complete, the transfer gate 44 is opened and the transfer gate 46 is closed to turn off the transistor 40. FET transistor 48 is connected to the gate of transistor 36 to ensure accurate and rapid switching of transistor 40. Such capacitors store charge and provide sufficient instantaneous current to rapidly switch transistor 40 to a conducting state. In an embodiment of the present invention, the capacitor 48 has a size of approximately 30 picolites (pF) and is biased at a gate-source voltage of 3.5 volts. Transistor 40 is approximately ten times the size of transistor 36, and the current through transistor 40 is proportional to the current through transistor 36 and directly related to the relative size of the transistors.

따라서 제어입력전압에 비례하는 전류가 트랜지스터(36)를 통하여 흐를 것이며 트랜지스터(40)는 전송게이트(44)를 폐쇄 시킴에 따라 전도상태로 신속히 스위치될 것이다. 따라서 트랜지스터(40)를 통한 전류는 제어입력전압에 비례하는 수준으로 계단식으로 변하게 될 것이다. 이같은 전류수준은 콘덴서(10)의 충전속도를 결정할 것이다.Thus, a current proportional to the control input voltage will flow through the transistor 36 and the transistor 40 will quickly switch to the conduction state by closing the transfer gate 44. Therefore, the current through the transistor 40 will be cascaded to a level proportional to the control input voltage. This current level will determine the charge rate of the capacitor 10.

트랜지스터(40)가 전류소스로 동작하는 반면, 트랜지스터(38)는 기준 콘덴서(10)를 방전시키기 위한 전류싱크로 동작한다. 트랜지스터는 트랜지스터(38)의 게이트를 트랜지스터(34)의 게이트와 상호연결 시키기 위해 전송게이트(42)를 폐쇄시키므로써 전도성이도록 만들어진다. 트랜지스터(38)의 크기는 대략 트랜지스터(34) 크기의 10배이며, 트랜지스터(38)을 통하여 흐르는 전류는 트랜지스터(34)를 통하여 흐르는 전류와 비례할 것이다. MOS 콘덴서(50)가 다시 제공되어 트랜지스터(38)를 전도상태로 급히 스위치 시키기 위해 충분한 순간 전류가 이용가능 하도록 된다. 콘덴서의 한 단자는 적절한 M0S 콘덴서 동작을 달성하도록 콘덴서(50)를 바이어스 시키기위해 전된장치에 연결된다. 콘덴서(50)의 크기는 콘덴서(48)의 크기, 즉 본 발명의 실시예에서 대략 30 피코파라드(pF)와 같다. 추가의 전송게이트(52)는 트랜지스터(38)의 게이트를 접지에 연결하여 트랜지스터를 끄도록 제공된다.Transistor 40 operates as a current source, while transistor 38 operates as a current sink to discharge the reference capacitor 10. The transistor is made conductive by closing the transfer gate 42 to interconnect the gate of transistor 38 with the gate of transistor 34. The size of transistor 38 is approximately ten times the size of transistor 34, and the current flowing through transistor 38 will be proportional to the current flowing through transistor 34. The MOS capacitor 50 is again provided so that sufficient instantaneous current is available to rapidly switch the transistor 38 to the conductive state. One terminal of the capacitor is connected to an integrated device to bias the capacitor 50 to achieve proper M0S capacitor operation. The size of the condenser 50 is equal to the size of the condenser 48, i.e., approximately 30 picofarads pF in the embodiment of the present invention. An additional transfer gate 52 is provided to connect the gate of transistor 38 to ground to turn off the transistor.

고 및 저 기준전압(본 발명의 실시예에서는 3볼트와 2볼트)이 5개의 상호 연결된 트랜지스터(54)(56)(58)(60) 및 (62)를 포함하는 전압 디바이더에 의해 제공된다. 두 기준전압 중 하나는 두 전송게이트(64)(66)를 적절히 조절하므로써 비교기(16)의 역 입력으로 제공된다. 전송게이트는 교대로 스위치되며, MOS 콘덴서(68)(70)는 비교기(16)에 가해진 기준전압의 크기를 신속히 변경 시킴을 용이하게 하도록 제공된다.High and low reference voltages (3 volts and 2 volts in the embodiment of the present invention) are provided by a voltage divider comprising five interconnected transistors 54, 56, 58, 60 and 62. One of the two reference voltages is provided to the reverse input of the comparator 16 by appropriately adjusting the two transfer gates 64 and 66. The transfer gates are alternately switched and MOS capacitors 68 and 70 are provided to facilitate changing the magnitude of the reference voltage applied to the comparator 16 quickly.

제 1 도의 전압에 의해 조절되는 발진기의 동작은 제 2 도의 타이밍도를 참고하여 설명될 것이다. 최초로 전송게이트(64)는 폐쇄되며, 전송게이트(66)는 개방되고, 따라서 비교기(16)의 역 입력으로 가해진 기준전압은 제 2a 도에 도시된 것과 같이 3볼트이다. 트랜지스터(40)는 커지며, 트랜지스터를 통한 전류는 양 값으로, 그 크기는 입력제어 전압의 크기에 의해 결정된다. 따라서 콘덴서(10)는 제 2d 도에 도시된 바와같이 트랜지스터(40)를 통과하여 흐르는 전류의 크기에 의해 결정된 일정한 속도로 충전될 것이다.The operation of the oscillator controlled by the voltage of FIG. 1 will be described with reference to the timing diagram of FIG. Initially, the transfer gate 64 is closed and the transfer gate 66 is open, so the reference voltage applied to the reverse input of the comparator 16 is 3 volts as shown in FIG. 2A. The transistor 40 is large, the current through the transistor is positive and its magnitude is determined by the magnitude of the input control voltage. Therefore, the capacitor 10 will be charged at a constant rate determined by the magnitude of the current flowing through the transistor 40 as shown in FIG. 2D.

콘덴서(10)에서의 전압이 3볼트에 도달한 때, 비교기(16)의 출력이 상태를 바꿀것이며 (제 2e 도), 이같은 출력은 VCO 출력을 제공하기 위해 제1인버터(inverter)(72)로 가해진다. 이같은 출력(72)의 보수는 인버터(74)에 의해 제공된다. 이들 출력은 전송게이트(42)(44)(46)(52)(64) 및 (66)로 제공되며, 출력의 스위칭이 전송게이트(44)는 개방 되도록 하고 전송게이트(46)는 폐쇄되도록 하므로써 트랜지스터(40) 동작을 멈추게한다. 동시에 전송 게이트(42)는 폐쇄되고, 전송게이트(52)는 개방되어 트랜지스터(38)를 전도성이도록 만든다. 따라서 콘덴서(10)는 트랜지스터(38)를 통하여 방전하기 시작한다. 추가하여, 제 2a 도에 도시된 것과 같이 3볼트 수준을 2볼트 수준으로 비교기에 가해질 기준전압을 변경시키기 위해 전송게이트(66)는 폐쇄되며, 전송게이트(64)는 개방된다. 제 2c 도에 도시된 바와같이 트랜지스터(38)를 통하여 흐르는 전류의 계단변경(step change)은 제 2d 도에 도시된 바와같이 일정한 속도로 콘덴서가 방전되도록 한다. 이같은 방전은 2볼트 수준이 도달되어 비교기(16)의 출력이 제 2e 도에 도시된 바와같이 변하기 시작하며 따라서 제 2f 도 및 제 2g 도에 도시된 바와같이 출력신호(VCO와

Figure kpo00001
의 상태를 변경시키는 때까지 계속된다.When the voltage at the capacitor 10 reaches 3 volts, the output of the comparator 16 will change state (Figure 2e), which outputs a first inverter 72 to provide a VCO output. Is applied. Repair of this output 72 is provided by inverter 74. These outputs are provided to the transfer gates 42, 44, 46, 52, 64 and 66, by switching the outputs so that the transfer gate 44 is open and the transfer gate 46 is closed. The transistor 40 is stopped. At the same time, the transfer gate 42 is closed and the transfer gate 52 is open to make the transistor 38 conductive. Therefore, the capacitor 10 starts to discharge through the transistor 38. In addition, the transfer gate 66 is closed and the transfer gate 64 is opened to change the reference voltage applied to the comparator from the 3-volt level to the 2-volt level as shown in FIG. 2A. As shown in FIG. 2C, a step change in the current flowing through the transistor 38 causes the capacitor to discharge at a constant rate as shown in FIG. 2D. This discharge reaches the 2 volt level so that the output of the comparator 16 begins to change as shown in Figure 2e and thus the output signal VCO and the output as shown in Figures 2f and 2g.
Figure kpo00001
It continues until you change its state.

콘덴서(48)(50)를 준비하므로써 제 2b 도 및 제 2c 도에 도시된 바와같은 계단변경 및 트랜지스터(40)(38)를 통하여 흐르는 전류가 성취 되어짐을 가능하게 한다. 추가로, 콘덴서(68)(70)는 3볼트와 2볼트 수준 사이 기준 전압에서의 계단변경이 성취되어짐을 가능하게 한다. 결과로 충전 및 방전속도는 매우 정확히 조절될 수가 있으며, 디스크 드라이브(disk drives)의 위상고정 루우프 자료분리기에서 사용되는 바와같은 여러 적용에 필요한 극히 높은 주파수로 정확한 발진동작이 달성될 수 있다. 기준 콘덴서는 두 기준전압 사이에서 충전 및 방전될 것이며, 트랜지스터(38)(40)의 급속한 스위칭 덕분에 충전의 속도가 정확히 조절될 수 있다.The provision of the capacitors 48 and 50 enables the step change as shown in FIGS. 2B and 2C and the current flowing through the transistors 40 and 38 to be achieved. In addition, capacitors 68 and 70 allow for step changes in the reference voltage between the 3-volt and 2-volt levels to be achieved. As a result, the charge and discharge rates can be controlled very precisely, and accurate oscillation behavior can be achieved at the extremely high frequencies required for many applications, such as those used in the phase-locked loop data separator of disk drives. The reference capacitor will be charged and discharged between the two reference voltages, and the rate of charge can be accurately controlled thanks to the rapid switching of the transistors 38 and 40.

Claims (14)

가) 주기적으로 충전 및 방전되는 기준 콘덴서, 나) 기존 콘덴서에서의 전압을 콘덴서가 충전되는 때는 제1기준전압과 콘덴서가 방전되는 때에는 제2기준전압과 비교시키기 위한 비교 수단으로, 비교 수단의 출력이 발진기의 출력이며, 콘덴서에서의 전압이 제1기준전압과 같아지는 때 제1수준으로 부터 제2수준으로 스위치되며, 콘덴서에서의 전압이 제2기준전압과 같아지는 때 제2수준으로 부터 제1수준으로 스위치되는 비교수단, 그리고 다) 입력전압의 크기에 의해 결정된 속도로 기준 콘덴서를 주기적으로, 충전 및 방전하기 위한 펌프(pump) 수단으로 기준 콘덴서를 방전시키기 위한 제1 M0S 트랜지스터와 기준 콘덴서를 충전시키기 위한 제2보조 MOS 트랜지스터, 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류가 입력전압의 크기에 상응 하도록 된 제3 및 제4보조 MOS 트랜지스터, 제1트랜지스터를 작동시키기 위해 제1 및 제3트랜지스터의 게이트를 함께 교대로 연결시키며 제2트랜지스터를 작동시키기 위해 제2 및 제4트랜지스터의 게이트를 함께 교대로 연결시키기 위한 스위칭수단, 제3 및 제4트랜지스터의 게이트에 각각 연결되며 제1및 제2트랜지스터를 급속히 작동 시킴을 용이하게 하기 위해 전하를 저장하는 제1 및 제2콘덴서를 포함하는 펌프(pump) 수단등 상기 가), 나), 그리고 다)를 포함함을 특징으로 하는 전압제어발진기.A) a reference capacitor that is periodically charged and discharged; b) a comparison means for comparing the voltage of the existing capacitor with the first reference voltage when the capacitor is charged and the second reference voltage when the capacitor is discharged. This is the output of the oscillator, and switches from the first level to the second level when the voltage at the capacitor is equal to the first reference voltage, and from the second level when the voltage at the capacitor is equal to the second reference voltage. Comparison means switched to one level, and c) a first M0S transistor and a reference capacitor for discharging the reference capacitor by means of a pump for periodically charging and discharging the reference capacitor at a rate determined by the magnitude of the input voltage. A second auxiliary MOS transistor for charging a third and fourth auxiliary MOS such that a current flowing through the transistor corresponds to a magnitude of an input voltage; A transistor, switching means for alternately connecting the gates of the first and third transistors together to operate the first transistor and alternately connecting the gates of the second and fourth transistors together to operate the second transistor, the third And pump means including first and second capacitors respectively connected to the gates of the fourth transistor and storing charges to facilitate rapid operation of the first and second transistors. And c) a voltage controlled oscillator comprising: a. 제 1 항에 있어서, 펌프수단이 입력 전압을 수신하며 상응하는 제어전류를 제공하기 위한 입력수단을 포함하며, 전술한 제어전류가 제3 및 제4트랜지스터를 통하여 흐르는 전류의 양을 조절함을 특징으로 하는 전압제어발진기.The method of claim 1, wherein the pump means includes an input means for receiving an input voltage and providing a corresponding control current, wherein the control current described above regulates the amount of current flowing through the third and fourth transistors. Voltage controlled oscillator. 제 2 항에 있어서, 입력수단이 입력전압을 수신하며 입력전압을 출력전류로 변환시키는 전압-전류변환기, 전된장치와 변환기사이에 연결된 바이어스 저항, 그리고 제1전극과 변환기의 출력에 연결된 게이트전극을 갖는 M0S 제어 트랜지스터로, 제어 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류가 바이어스 저항기를 통하여 흐르는 전류와 출력전류의 합계와 같아지며, 제어 트랜지스터 게이트 전극이 제3 및 제4트랜지스터의 게이트전극에 연결되어 전류 반사구조를 제공하므로써 제3 및 제 4트랜지스터를 통하여 흐르는 전류가 제어 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류와 상응하도록 된 M0S 제어 트랜지스터를 포함함을 특징으로 하는 전압제어발진기.3. The apparatus of claim 2, wherein the input means receives a input voltage and converts the input voltage into an output current, a bias resistor connected between the electric device and the converter, and a gate electrode connected to the output of the first electrode and the converter. M0S control transistor having a current flowing through the control transistor equal to the sum of the current flowing through the bias resistor and the output current, the control transistor gate electrode is connected to the gate electrodes of the third and fourth transistors to provide a current reflecting structure And a M0S control transistor such that a current flowing through the third and fourth transistors corresponds to a current flowing through the control transistor. 제 1 항에 있어서, 스위칭수단이 제1및 제3트랜지스터의 게이트 사이에서 연결된 제1전송게이트 그리고 제2 및 제4트랜지스터의 게이트 사이에서 연결된 제2전송게이트를 포함하며, 이들 전송게이트가 제1및 제2트랜지스터를 교대로 켜고 끌 수 있도록 교대로 폐쇄 및 개방 됨을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.2. The device of claim 1, wherein the switching means comprises a first transfer gate coupled between the gates of the first and third transistors and a second transfer gate coupled between the gates of the second and fourth transistors, the transfer gates being the first And alternately closed and open to alternately turn on and off the second transistor. 제 4 항에 있어서, 제1트랜지스터의 게이트와 접지사이에 연결된 제3전송게이트를 포함하며, 제1전송게이트가 개방되는 때 제3전송게이트가 폐쇄되고, 제2트랜지스터의 게이트와 전된장치사이에 연결된 제4전송게이트를 포함하며, 제2전송게이트가 개방되는 때 전술한 제4전송게이트가 폐쇄되고, 전술한 제3 및 제4전송게이트가 제1및 제2트랜지스터의 빠른 작동 멈춤을 용이하게 함을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.5. The device of claim 4, further comprising a third transfer gate coupled between the gate of the first transistor and ground, wherein the third transfer gate is closed when the first transfer gate is opened, and between the gate and the transferred device of the second transistor. A fourth transmission gate, wherein the fourth transmission gate is closed when the second transmission gate is opened, and the third and fourth transmission gates described above facilitate the quick stop of operation of the first and second transistors. Voltage controlled oscillator, characterized in that. 제 1 항에 있어서, 제1및 제2콘덴서가 MOS 콘덴서임을 특징으로 하는 전압제어발진기.The voltage controlled oscillator of claim 1, wherein the first and second capacitors are MOS capacitors. 제 6 항에 있어서, 제1콘덴서가 제3트랜지스터의 게이트에 연결된 단자와 전원장치에 연결된 단자를 가지며, 제2트랜지스터가 제4트랜지스터의 게이트에 연결된 단자와 접지에 연결된 단자를 가짐을 특징으로 하는 전압제어 발진기.The method of claim 6, wherein the first capacitor has a terminal connected to the gate of the third transistor and a terminal connected to the power supply, the second transistor has a terminal connected to the gate of the fourth transistor and a terminal connected to ground. Voltage controlled oscillator. 제 1 항에 있어서, 비교 수단이, 제1 및 제 2 기준 전압을 한 기준 전압에 연결시키기 위한 전압 스위칭 수단, 기준 콘텐서가 비교기의 한 입력에 연결되며 기준단자가 비교기의 다른 한 입력에 연결되고, 비교기의 출력이 입력 전압에 의해 결정된 주파수로 상태를 변경 시키고 스위칭수단과 전압 스위칭 수단이 비교기 출력의 변경에 응답하여 스위치되는 바의 비교기를 포함함을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.2. The apparatus of claim 1, wherein the comparing means comprises: voltage switching means for connecting the first and second reference voltages to one reference voltage, a reference capacitor connected to one input of the comparator and the reference terminal connected to the other input of the comparator And a comparator in which the output of the comparator changes state to a frequency determined by the input voltage and the switching means and the voltage switching means are switched in response to a change in the comparator output. 제 8 항에 있어서, 기준 전압 수단이 전원장치와 접지사이에서 일련의 다이오드 구조로 연결된 다수의 MOS 트랜지스터를 포함하며, 제 1 기준전압이 트랜지스터 중 한 출력 단자에서 얻어지고 제 2 기준전압이 또다른 트랜지스터의 출력 단자에 얻어 짐을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.9. The apparatus of claim 8, wherein the reference voltage means comprises a plurality of MOS transistors connected in series with a diode structure between the power supply and ground, wherein the first reference voltage is obtained at one output terminal of the transistor and the second reference voltage is another. A voltage controlled oscillator characterized by being obtained at the output terminal of a transistor. 제 9 항에 있어서, 기준 전압수단이 전술한 한 트랜지스터의 출력단자에 연결된 제 3 콘덴서와 전술한 또 다른 트랜지스터의 출력단자에 연결된 제4콘덴서를 포함하며, 전술한 제3 및 제4콘텐서가 제 1 기준전압과 제 2 기준전압 사이의 기준 단자에서 빠른 스위칭을 용이하게 함을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.The method of claim 9, wherein the reference voltage means comprises a third capacitor connected to the output terminal of the above-described transistor and a fourth capacitor connected to the output terminal of the another transistor described above, wherein the third and fourth capacitors A voltage controlled oscillator for facilitating fast switching at a reference terminal between a first reference voltage and a second reference voltage. 가) 전된장치, 나) 입력전압에 상응하는 제어전류를 제공하기 위한 입력수단, 다) 전류싱크 또는 소스를 제공하기 위한 고속스위칭 전류 펌프 수단으로, 이때 출력단자에서의 전류크기가 제어전류의 함수이며, 전원장치에 연결된 제 1전극, 출력단자에 연결된 제 2 전극, 그리고 제어전극을 갖는 제 1전도도 타입의 제1 MOS 트랜지스터, 접지에 연결된 제 1 전극, 출력단자에 연결된 제 2 단자 그리고 제어단자를 갖는 제 2 전도도 타입의 제2 MOS 트랜지스터, 전원장치에 연결된 제 1 전극, 제 2 전극 그리고 제2전극에 연결된 제어전극을 갖는 제 1 전도도 타입의 제3 MOS 트랜지스터, 접지에 연결된 제 1 전극, 제 3 트랜지스터의 제 2 전극에 연결된 제 2 전극, 입력수단에 의해 구동되는 제어전극을 가지며, 제어전류에 의해 결정된 수준의 동일한 전류가 제 3 및 제 4 트랜지스터를 통과하여 흐르도록된 제4 MOS 트랜지스터, 제 3 트랜지스터의 제어단자에 연결된 단자를 가지며 전하를 저장하는 제 1 콘덴서, 제 4 트랜지스터의 한단자에 연결된 한 단자를 가지며 전하를 저장하는 제 2 콘덴서, 그리고 (a) 제1트랜지스티의 제어단자를 제3 트랜지스터의 제어단자에 연결하여 제어전류에 비례하는 전류가 제1트랜지스터를 통하여 출력단자로 흐르도록 하거나, (b) 제2트랜지스터의 제어단자를 제4트랜지스터의 제어단자에 연결하여 제어전류에 비례하는 전류가 제2트랜지스터를 통하여 출력 단자로 흐르도록 하기 위한 제1스위칭 수단을 포함하는 전술한 펌프수단, 라) 출력단자에 연결된 한 단자와 접지에 연결된 또 다른 단자를 가지며, 교대로 제1트랜지스터에 의해 충전되고 제2트랜지스터에 의해 방전되는 기준콘데서, 마) 제1기준전압과 제1기준전압 보다 작은 제2기준 전압을 제공하기위한 기준전압 수단, 바) 출력단자에 연결된 제1입력과 기준 전압 수단에 연결된 제2입력을 가지는 비교수단, 그리고 사) 제1또는 제2기준 전압을 비교 수단에 연결하기 위한 제2스위칭 수단으로, 전술한 제1및 제2스위칭 수단이 비교수단의 출력에 의해 조절되어 기준 콘텐서가 제1기준전압으로 계속하여 충전되도록 한다음 제2기준전압으로 방전되도록 하고, 충전 및 방전의 속도가 제어전류에 의해 조절되며, 비교 수단의 출력이 발진기의 출력이도록 된 제2스위칭수단을 포함하는 전압 제어 발진기.A) an electric device, b) an input means for providing a control current corresponding to the input voltage, c) a high speed switching current pump means for providing a current sink or source, wherein the current magnitude at the output terminal is a function of the control current. A first MOS transistor of a first conductivity type having a first electrode connected to a power supply, a second electrode connected to an output terminal, and a control electrode, a first electrode connected to ground, a second terminal connected to an output terminal, and a control terminal A second MOS transistor of a second conductivity type having a first MOS transistor having a first conductivity type having a first electrode connected to a power supply, a second electrode and a control electrode connected to a second electrode, a first electrode connected to ground, A second electrode connected to the second electrode of the third transistor, a control electrode driven by the input means, the same current of the level determined by the control current being the third and fourth A fourth MOS transistor configured to flow through the transistor, a first capacitor having a terminal connected to the control terminal of the third transistor and storing charge, and a second capacitor having one terminal connected to one terminal of the fourth transistor and storing charge And (a) connecting the control terminal of the first transistor to the control terminal of the third transistor so that a current proportional to the control current flows through the first transistor to the output terminal, or (b) controlling the second transistor. The aforementioned pump means including first switching means for connecting a terminal to a control terminal of the fourth transistor so that a current proportional to the control current flows through the second transistor to the output terminal; d) one terminal connected to the output terminal; And a reference terminal having another terminal connected to ground and ground, which are alternately charged by the first transistor and discharged by the second transistor, G) reference voltage means for providing a first reference voltage and a second reference voltage less than the first reference voltage, f) a comparison means having a first input connected to the output terminal and a second input connected to the reference voltage means; Second switching means for connecting the first or second reference voltage to the comparing means, wherein the first and second switching means described above are adjusted by the output of the comparing means such that the reference capacitor continues to charge to the first reference voltage And a second switching means such that the rate of charging and discharging is controlled by the control current, and the output of the comparing means is the output of the oscillator. a) 전된장치, b) 제어전압을 수신하고 수신된 제어전압을 제1노드에서 상용하는 제어 전류로 변환시키기 위한 전압-전류변환기, c) 전된장치와 제1노드(node) 사이에 연결된 바이어스 저항기로, 바이어스 전류가 바이어스 저항기를 통하여 흐르고 제1노드에서 기준전류를 제공하기 위한 제어전류와 합하여지는바의 바이어스 저항기, d) 드레인이 제1노드에 연결되고 소스가 접지에 연결되며 게이트와 드레인이 상호 연결되도록 된 기준 N 타입 MOS 트랜지스터로, 기준전류가 이같은 기준 트랜지스터를 통하여 흐르는 바의 기준 N 타입 MOS 트랜지스터, e) 소스가 접지에 연결되고 게이트가 기준 트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트를 갖는 N 타입 MOS 제2트랜지스터로, 기준 전류에 비례하는 전류가 제2트랜지스터를 통하여 흐르는 바의 N 타입 MOS 제2트랜지스터, f) 소스가 전된장치에 연결되고 드레인이 제2트랜지스터의 드레인에 연결되며 게이트와 드레인이 상호 연결 되도록 된 P 타입 MOS 제3트랜지스터로, 제3트랜지스터를 통하여 흐르는 전류가 제2트랜지스터를 통하여 흐르는 전류와 같은 바의 P 타입 MOS 제3트랜지스터, g) 제2트랜지스터의 게이트에 연결된 제1단자와 전된장치와 접지중 하나에 연결된 제2단자를 갖는 제1MOS콘텐서, h) 제3트랜지스터의 게이트에 연결된 제1단자와 전원장치와 접지 중 하나에 연결된 제2단자를 갖는 제2MOS 콘덴서, i) 제2트랜지스터의 게이트에 연결된 제1단자 그리고 제2단자를 갖는 제1MOS 스위치수단, j) 제3트랜지스터의 게이트에 연결된 제1단자 그리고 제2단자를 갖는 3 제 2MOS 스위치수단, k) 소스가 저지에 연결되고 게이트가 제1스위치 수단의 제2단자에 연결된 N 타입 MOS 제·4트랜지스터,1) 제4트랜지스터의 게이트에 연결된 제1단자와 접지에 연결된 제2단자를 갖는 제3MOS 스위치수단, m) 소스가 전원장치에 연결되고 게이트가 제2스위치 수단의 제2단자에 연결된 P 타입 MOS 제5트랜연스터로, 제5트랜지스터의 드레인이 펌프노드에서 제4트랜지스터의 드레인에 연결되는 바의 P 타입MOS 제5트랜지스터, n) 제5트랜지스터의 게이트에 연결된 한 단자와 전된장치에 연결된 제2단자를 갖는 제4MOS 스위치, o) 접지에 연결된 한 단자와 펌프노드에 연결된 다른 한 단자를 갖는 기준 콘덴서, p)펌프노드에 연결된 제1입력 그리고 제2입력을 갖는 콘텐서, q) 제1기준전압과 제1기준전압 보다 낮은 제2기준전압을 제공하기 위한 기준 전압 수단, r) 제1기준 전압을 콘덴서의 제2입력에 선택적으로 적응시키기 위한 제5MOS 스위치 수단, s) 제2기준전압을 콘덴서의 제2입력에 선택적으로 적용시키기 위한 제6M0S 스위치수단을 포함하며, 전술한 스위치 수단이 비교기의 출력상태에 따라 조절되고, 제1기간중에 제1, 제4 그리고 제 6스위치 수단이 개방되며 제2, 제3 그리고 제 5스위치 수단이 폐쇄 되므로써 제 5트랜지스터가 제3트랜지스터를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 전류 수준으로 신속히 작동되고 제5트랜지스터에 걸린전압이 제1기준전압과 같아지는 때까지 기준 콘덴서를 충전시키며, 제2기간 중에 스위치 수단 각각이 제5트랜치스터의 동작을 멈추케 하고 제4트랜지스터를 제2트랜지스터를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 전류 수준으로 동작시키도록 스위치 됨으로써 제4트랜지스터에 걸린 전압이 제2기준전압과 같아지는 때까지 기준 콘덴서를 방전 시키도록 하고, 다시 스위치가 바뀌어져 비교기의 출력이 제어전압의 크기에 상응하는 주파수로 상태를 변경 시킴을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.a) a biased device, b) a voltage-to-current converter for receiving a control voltage and converting the received control voltage into a control current commercially available at the first node, c) a bias resistor coupled between the powered device and the first node. A bias resistor, where the bias current flows through the bias resistor and is combined with the control current to provide a reference current at the first node, d) the drain is connected to the first node, the source is connected to ground, and the gate and drain are A reference N type MOS transistor intended to be interconnected, wherein the reference N type MOS transistor as reference current flows through such a reference transistor, e) an N type MOS with a gate connected to the ground and a gate connected to the gate of the reference transistor. A second transistor, an N-type MOS second transistor in which a current proportional to the reference current flows through the second transistor, f) A P-type MOS third transistor whose source is connected to the conveyed device, whose drain is connected to the drain of the second transistor, and whose gate and drain are interconnected, with the current flowing through the third transistor flowing through the second transistor. A P-type MOS third transistor, such as g) a first MOS capacitor having a first terminal connected to the gate of the second transistor and a second terminal connected to one of the electrically connected device and ground, and h) at the gate of the third transistor. A second MOS capacitor having a first terminal connected thereto and a second terminal connected to one of the power supply and ground, i) a first MOS switch means having a first terminal and a second terminal connected to the gate of the second transistor, j) a third transistor A third second MOS switch means having a first terminal connected to a gate of the second terminal and a second terminal, k) an N-type MOS fourth connected to a source and a gate connected to a second terminal of the first switch means 1) a third MOS switch means having a first terminal connected to the gate of the fourth transistor and a second terminal connected to the ground; m) a source connected to the power supply and a gate connected to the second terminal of the second switch means. P-type MOS fifth transistor, wherein the P-type MOS fifth transistor of the bar where the drain of the fifth transistor is connected to the drain of the fourth transistor at the pump node, n) one terminal connected to the gate of the fifth transistor A fourth MOS switch having a second terminal connected to o) a reference capacitor having one terminal connected to ground and the other terminal connected to the pump node, p) a capacitor having a first input and a second input connected to the pump node, q Reference voltage means for providing a first reference voltage and a second reference voltage lower than the first reference voltage, r) fifth MOS switch means for selectively adapting the first reference voltage to a second input of the capacitor, s) 2 Set the reference voltage 6M0S switch means for selectively applying to the second input of the capacitor, wherein the switch means described above is adjusted in accordance with the output state of the comparator, and the first, fourth and sixth switch means are opened during the first period. By closing the second, third and fifth switch means, the fifth transistor is quickly operated at a current level proportional to the current flowing through the third transistor, and the reference is applied until the voltage across the fifth transistor is equal to the first reference voltage. The capacitor is charged, and during the second period, each switch means switches off the fifth transistor and switches the fourth transistor to operate at a current level proportional to the current flowing through the second transistor. Discharge the reference capacitor until the voltage equals the second reference voltage, and then switch again to compare The output of the voltage-controlled oscillator, characterized by Sikkim change the state to the frequency corresponding to the magnitude of the control voltage. 제 12 항에 있어서, 바이어스 저항기와 기준 콘덴서가 외부 구성요소이며 나머지 구성요소는 완전한 통일체의 한 집적 회로 상에 존재 함을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.13. The voltage controlled oscillator of claim 12 wherein the bias resistor and reference capacitor are external components and the remaining components are on a single integrated circuit of complete integrity. 제 12 항에 있어서, 스위치 수단이 전송 게이트임을 특징으로 하는 전압 제어 발진기.13. The voltage controlled oscillator of claim 12 wherein the switch means is a transfer gate.
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