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스페이서를 이용한 패턴 형성 방법Pattern Formation Method Using Spacer
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
첨부 도면은 본 발명의 스페이서를 이용한 패턴 형성 과정을 나타낸 도면.The accompanying drawings show a pattern forming process using the spacer of the present invention.
Claims (5)
기판(2)상의 식각층(2)에 감광성수지(3)을 사용하여 패턴을 형성한는 공정과, 형성된 패턴위에 고체막(4)을 도포시키는 공정과, 고체막(4)을 식각하여 스페이서(5)를 형성하는 공정과, 식각층(2)을 식각한 다음 스페이서(5)와 감광성수지(3)을 제거하여 최종적으로 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스페이서를 이용한 패턴 형성방법.Forming a pattern using the photosensitive resin 3 on the etching layer 2 on the substrate 2, applying a solid film 4 on the formed pattern, and etching the solid film 4 to form a spacer ( 5) forming a pattern, and then etching the etching layer (2) and then removing the spacer (5) and the photosensitive resin (3) to finally form a pattern using a spacer, characterized in that it comprises a pattern .제1항에 있어서, 고체막(4)을 화학적 증착법 또는 증착법을 이용하여 도포시키는 것을 특징으로하는 스페이서를 이용한 패턴 형성방법.The pattern forming method using a spacer according to claim 1, wherein the solid film (4) is applied by chemical vapor deposition or vapor deposition.제1항에 있어서, 고체막(4)을 감광성수지(3)의 내열성 온도보다 낮은 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 스페이서를 이용한 패턴 형성방법.The pattern forming method using a spacer according to claim 1, wherein the solid film (4) is formed at a temperature lower than the heat resistance temperature of the photosensitive resin (3).제1항에 있어서, 고체막(4)으로 식각층(2)보다 같거나 높은 선택비를 얻을 수 있는 물질을 도포시키는 것을 특징으로 하는 스페이서를 이용한 패턴 형식 방법.2. The pattern format method using a spacer as claimed in claim 1, wherein a solid film (4) is coated with a material having a selectivity higher than or equal to that of the etching layer (2).제1항에 있어서, 식각층(2)을 감광성 수지(3)의 측면에 형성된 스페이서(5)를 이용하여 식각하므로써 스페이서(5)의 두께 만큼 패턴의 스페이스 폭을 감소시켜 스페이서(5)의 두께에 따라 패턴의 크기를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 스페이서를 이용한 패턴 형성방법.The thickness of the spacer 5 according to claim 1, wherein the etching layer 2 is etched using the spacer 5 formed on the side surface of the photosensitive resin 3 to reduce the space width of the pattern by the thickness of the spacer 5. Pattern formation method using a spacer, characterized in that the size of the pattern can be adjusted according to.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019880010072A1988-08-061988-08-06
Pattern Formation Method Using Spacer
KR900003972A
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