KR890013742A - 십자선 검사 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

십자선 검사 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 십자선 검사 시스템의 개략적인 사시도.
제2도는 제1도의 2-2선을 따라 절개한 검사 헤드의 개략적인 단면도.
제3도는 제2도의 3-3선을 따라 절개한 검사 헤드의 개략적인 측면도.

Claims (15)

  1. 작업편의 양면을 검사하기 위한 레이저주사 시스템에 있어서, 상기 시스템은 재료경로(12)에 따라 작업편을 운반하기 위한 운반수단(13), 레이저광빔을 발생하기 위한 레이저광 발생수단(21), 상기 레이저광빔을 수신하고 예정된 주사경로(35)에 따라서 레이저광빔을 반복적으로 주사하기 위하여 설치된 주사발생수단(26), 상기 레이저광빔을 수신할 수 있는 상기 주사경로에 위치하되 상기 재료경로(12)의 한면을 향하는 제1스위핑검사주사와 상기 재료경로(12)의 반대면을 향하는 제2스위핑검사주사로서 상기 레이저광빔을 분할하기 위한 분할수단(16,17), 각각의 상기 제1 및 제 2스위핑 검사주사룰 수신하되 빔이 같은 저입사각으로써 상기 재료경로(12)로 향하도록 설치된 수단(18,19), 및 상기 재료경로에 있는 작업편으로 부터 반사된 빛을 수집하도톡 상기 재료경로의 양면에 인접하게 설치된 수단(40,41)으로 구성시킨 십자선 검사장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분할수단(16,17)은 재료경로의 양면에 위치한 한쌍의 거울로서 구성하되, 일반적으로 재료경로와는 수직으로 각각 약 45°를 이루므로서 주사경로가 상기 한쌍의 거울중 하나(16)를 첫번째로 가로질러 이동하고 그 다음 상기 한쌍의 거울중 하나(17)를 두번째로 가로질러 이동하도록 한 십자선 검사장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분할수단은 상기 재료경로의 양면에 위치한 한쌍의 거울로서 구성하고, 상기 저각도 방향수단(18,19)은 일반적으로 단장한 반사표면을 가지며 재료경료와는 떨어진 상기 재료경로의 양면에 위치한 한쌍의 거울로서 구성하되 각각의 거울은 분할거울로 부터의 주사를 수신하도록 상기 분할거울중 하나와 향하도록 위치되고 주사가 상기 재료경로상에 낮은 각도로써 직전하도록 한 십자선 검사장치.
  4. 제1,2 또는 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 시스템은 또한 타이밍센서의 위치에서 교차하는 레이저 광빔을 감지하도록 주사경로에 위치한 타이밍센서를 포함하는 십자선 검사장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 타이밍센서(20)는 일반적으로 상기 주사경로의 중앙에 상기 재료경로와 인접하게 위치시키고, 타이밍센서를 적어도 하나의 광전지로서 구성한 십자선 검사장치.
  6. 제1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 저각도 방향수단(18,19)은 특정한 방향을 향하도록 되어있어, 상기 제 1스위핑검사주사는 상기 재료경로의 한면을 횡단하여 제 1충돌경로(48)를 형성하고 상기 제 2스위핑검사주사는 상기 재료경로의 반대면을 횡단하여 제 2층돌경로(49)를 형성하며, 또한 상기 수집수단(40.41)은 일반적으로 상기 방향수단과 상기 충돌경로사이에 상기 작업편의 양면에 위치시킨 십자선 검사장치.
  7. 제6항에 상기 수집수단은 상기 재료경로에 있는 작업편으로 부터 반사된 빛을 수집하기 위하여 위치한 렌즈(40,41), 상기 렌즈로 부터 빛을 수신하기 위한 상기 렌즈와 협력하는 섬유 광학소선(42,43) 및 상기 섬유광학소선로 부터 빛을 수신하기 위하여 상기 섬유광학소선과 연결된 광검파기(44,45)로 구성되는 십자선 검사장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 광검파기(44,45)는 수집된 빛을 수집된 빛의 강도를 나타내는 전기적인 신호로 변환하고, 또한 상기 시스템은 상기 타이밍센서의 위치에 교차하는 레이저광빔을 감지하기 위하여 상기 주사경로에 위치한 타이밍센서(20), 및 작업편 표면에 있는 파편의 수, 크기, 및 위치를 기록하는 타이밍센서와 광검파기로 부터 발생된 데이타를 수신하고 분석하기 위한 전자제어 및 분석수단(50)을 포함하는 십자선 검사장치.
  9. 수평한 작업편(11)의 상부 및 하부평면을 검사하기 위한 레이저주사시스템에 있어서, 상기 시스템은 수평한 재료경로(12)에 따라 작업편을 운반하기 위한 운반수단(13), 레이저광빔을 발생하기 위한 레이저광 발생수단(21), 상기 레이저광빔을 수신하고 레이저광빔을 주사하기 위하여 설치된 회전다면경(26), 상기 주사된 레이저광빔을 수신하고 주사를 평행하게 즉, 병렬주사형태로 형성시켜 예정된 주사경로에 따라 직진하도록 설치한 접힌 광학셀(30), 상기 레이저광빔을 수신하는 재료경로와 수직으로 각각 약 45°를 이루도록 재료 경로 양면의 상기 주사경로에 위치되고, 상기 재료경로의 한면을 향하는 제 1스위핑검사주사와 상기 재료경로의 반대면을 향하는 제 2스위핑검사주사로서 상기 레이저광빔을 분할하기 위한 한쌍의 분할거울(16,17), 상기 주사경로상의 상기 한쌍의 분할거울 사이에 재료경로의 양면에 설치하되 제1 및 제 2스위핑검사주사를 수신하고 상기 재료경로에 저입사각으로 상기 제1 및 제 2스위핑검사주사를 직진시키는 한쌍의 저각도거울(18, 19), 상기 재료경로로 부터 반사된 빛을 수집하기 위하여 상기 한쌍의 저각도거울과 인접한 상기 재료경로의 양면에 인접하게 설치된 렌즈(40,41)를 포함하는 수집수단, 타이밍센서의 위치에 교차하는 레이저광빔을 감지하기 위하여 상기 한쌍의 저각도거울 사이의 상기 주사경로에 위치한 타이밍센서(2O), 및 상기 수집수단 및 타이밍센서로 부터 수신된 데이타를 처리하기 위하여 수집수단 및 타이밍센서와 연결된 전자제어 및 분석수단(50)으로 구성하되, 상기 레이저빔은 첫번째 상기 한쌍의 분할거울을 가로질러 이동하고 그 다음 두번째 상기 한쌍의 수집수단울 되풀이하는 방법으로 가로질러 이동하는 십자선 검사장치.
  10. 작업편이 재료경로에 따라 이동하는 작업편의 양면을 주사하는 방법에 있어서, 레이저광빔을 발생하는단계, 예정된 주사경로에 따라 반복주사형태로서 상기 레이저광빔이 움직이는 단계, 레이저광 주사형태를 제1 및 제 2스위핑검사주사로 분할하고 각각의 상기 제1 및 제 2스위핑검사주사를 작업편의 양벽에 저입사각으로 직진시키는 단계, 및 상기 작업편의 표면으로 부터 반사한 빛을 수집하는 단계를 포함하는 십자선 검사방법.
  11. 제10항에 있어서, 또한 빛을 수집하는 상기 단계는 광빔이 발생한 방향과 일반적으로 역으로 반사되는 빛을 수집하는 단계를 포함하는 십자선 검사방법.
  12. 제10 또는 11항에 있어서, 레이저광 주사형태를 분할하는 상기 단계는 작업편의 양면에 작업편과 약 45°로 위치한 한쌍의 수직분할거울에 의하여 수행되어지는 십자선 검사방법.
  13. 제10,11 또는 12항에 있어서, 상기 각각의 제1 및 제2 스위핑검사주사를 저각도로 직진시키는 단계는 작업편의 양면에 위치하되 작업편과 떨어진 일반적으로 단장한 표면을 가지며 각각 상기 분할기울중 하나와 향하도록 위치시킨 한쌍의 저각도거울로 주사를 직진시킨 십자선 검사방법.
  14. 제10,11,12 또는 13항중 어느 한항에 있어서, 주사경로에 위치하고 타이밍신호를 발생하여 제어 및 분석수단에 전달하는 타이밍센서와 접촉하여 타이밍센서의 위치에 통과하는 레이저빔으로써 표면의 파편위치를 정확히 결정할 수 있도록 레이저광빔을 각각의 주사동안에 직진시키는 단계를 포함하는 십자선 검사방법.
  15. 제10 내지 14항중 어느 한항에 있어서, 수집된 빛이 수집된 빛의 강도를 나타내는 전기적인 신호로 변환된 수집된 빛을 분석하는 단계, 예정된 위치를 통과하는 레이저빔을 나타내는 타이밍신호를 발생하는 단계, 및 상기 작업편 표면상의 파편의 수, 크기 및 위치를 누산하는 단게를 포함하는 십자선 검사방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448364A (en) * 1993-03-22 1995-09-05 Estek Corporation Particle detection system with reflective line-to-spot collector
US5712701A (en) * 1995-03-06 1998-01-27 Ade Optical Systems Corporation Surface inspection system and method of inspecting surface of workpiece
US6118525A (en) * 1995-03-06 2000-09-12 Ade Optical Systems Corporation Wafer inspection system for distinguishing pits and particles
EP0894262B1 (en) * 1996-12-24 2008-06-11 ASML Netherlands B.V. Optical inspection device and lithographic apparatus provided with such a device
US6204917B1 (en) * 1998-09-22 2001-03-20 Kla-Tencor Corporation Backside contamination inspection device
US6544278B1 (en) 1998-11-06 2003-04-08 Scimed Life Systems, Inc. Rolling membrane stent delivery system
US6784982B1 (en) * 1999-11-04 2004-08-31 Regents Of The University Of Minnesota Direct mapping of DNA chips to detector arrays
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7106425B1 (en) * 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US7139083B2 (en) 2000-09-20 2006-11-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a composition and a thickness of a specimen
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
JP4157037B2 (ja) * 2001-09-21 2008-09-24 オリンパス株式会社 欠陥検査装置
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US7113624B2 (en) * 2002-10-15 2006-09-26 Palo Alto Research Center Incorporated Imaging apparatus and method employing a large linear aperture
US7305112B2 (en) * 2002-10-15 2007-12-04 The Scripps Research Institute Method of converting rare cell scanner image coordinates to microscope coordinates using reticle marks on a sample media
US7280261B2 (en) * 2004-12-20 2007-10-09 Palo Alto Research Center Incorporated Method of scanning and light collection for a rare cell detector
US7286224B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 Palo Alto Research Center Incorporated Time-multiplexed scanning light source for multi-probe, multi-laser fluorescence detection systems
US7184139B2 (en) * 2005-01-13 2007-02-27 Komag, Inc. Test head for optically inspecting workpieces
DE102009041268A1 (de) * 2009-09-11 2011-05-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Partikeldetektor und Verfahren zur Detektion von Partikeln
CN102393178A (zh) * 2011-06-21 2012-03-28 上海工程技术大学 一种薄片型材料双侧表面纹理与颜色的数字化成像和分析装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3125265A (en) * 1964-03-17 Method and apparatus for scanning the surface of a moving web
GB1436124A (en) * 1972-07-29 1976-05-19 Ferranti Ltd Detection of blemishes in surfaces
DE2404972A1 (de) * 1974-02-01 1975-08-07 Ciba Geigy Ag Vorrichtung zur ermittlung von fehlstellen auf der oberflaeche eines bewegten reflektierenden materials
US4184082A (en) * 1975-12-08 1980-01-15 Howell Laboratories, Incorporated Linear flaw detector
JPS5953483B2 (ja) * 1978-01-27 1984-12-25 超エル・エス・アイ技術研究組合 鏡面の変形分布測定装置
US4376583A (en) * 1981-05-12 1983-03-15 Aeronca Electronics, Inc. Surface inspection scanning system
JPS58196021A (ja) * 1982-05-12 1983-11-15 Nec Corp レチクルの欠陥検査方法
US4669875A (en) * 1982-11-04 1987-06-02 Hitachi, Ltd. Foreign particle detecting method and apparatus
JPS60220940A (ja) * 1983-05-20 1985-11-05 Hitachi Ltd 異物自動検査装置
DE3484982D1 (de) * 1983-11-26 1991-10-02 Toshiba Kawasaki Kk Apparat zum nachweis von oberflaechenfehlern.
DE3475566D1 (en) * 1984-05-14 1989-01-12 Ibm Deutschland Method and device for the inspection of surfaces
US4630276A (en) * 1984-10-09 1986-12-16 Aeronca Electronics, Inc. Compact laser scanning system
KR910000794B1 (ko) * 1985-03-28 1991-02-08 가부시끼가이샤 도오시바 기판의 표면검사방법 및 장치
JPS62274248A (ja) * 1986-05-23 1987-11-28 Canon Inc 表面状態測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0760262B2 (ja) 1995-06-28
DE68907233D1 (de) 1993-07-29
EP0330536A3 (en) 1990-11-28
KR930011703B1 (ko) 1993-12-18
JPH02140742A (ja) 1990-05-30
EP0330536B1 (en) 1993-06-23
ATE91021T1 (de) 1993-07-15
US4875780A (en) 1989-10-24
EP0330536A2 (en) 1989-08-30

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