KR890008556Y1 - 리세트 회로 - Google Patents

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안시환
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Abstract

내용 없음.

Description

리세트 회로
제1도는 종래의 회로도.
제2도는 본 고안에 따른 회로도.
제3도는 본 고안에 따른 제2도의 동작파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
D11-D13: 다이오드 C1: 캐패시터
Q11-Q12: 트랜지스터 R11-R13: 저항
ZD11: 제너다이오드TR : 트랜스
본 고안은 마이크로프로세서(Microprocessor)의 리세트회로에 관한 것으로서, 특히 전원회로와 리세트 특성을 혼합하여 주변 영향에도 안정한 기능을 수행할 수 있는 리세트회로에 관한 것이다.
일반적으로 마이크로 프로세서를 사용하는 가전제품 및 산업 기기등에서는 초기화시키는 리세트회로가 필수적으로 요구된다.
특히 정원 노이즈가 많은 곳에서는 제품을 안정하게 동작시키기 위해 꼭 사용된다.
종래의 사용되는 기세트 회로는 제1도의 (1A) 같이 전원회로구성이 마이크로 프로세서(Micom)이 리세트회로와 별도로 구성되어 왔다.
즉, 제1도(1B)가 (1A)도의 전원회로의 구체회로도이고, (1C, 2D)도가 (1A)도의 리세트 회로의 구체 회로도로 전원회로에 인가전원을 공급하면 다이오드(D1)와 케페시터(C1)에 의해 평활되고 전압강하보상용 트랜지스터(Q1)의 베이스측에 정전압을 유지시키기 위한 제너다이오드(ZD1)와 온도보상용 다이오드(D2)에 의해 온도보상 및 스위칭하여 마이크로 프로세서에 전원(VCC)을 공급하고, 이 전원(Vcc)이 리세드 회로인(1C)와 (1D)의 전원단(Vcc)에 공급되어 마이크로 프로세서를 리세트하도록 되어 있었다.
이에 따라 종래는 정원을(+) 전원으로 사용하는 곳에만 적용되었고(-) 전원을 이용하는 회로에서는 하용할 수 없는 문제점이 있었으며, 또한 전원회로와 리세트회로가 별도로 구성되어 있으므로 부품수가 많아 원가절감의 결점이 있었다.
따라서 본 고안의 목적은 리세트 특성과 전원의 밀접한 관계를 이용하여 두개의 회로를 혼합하며 부품을 삭제하고(+) 전원과 (-) 전원 모두 사용할 수 있는 리세트 회로를 제공함에 있다.
본 고안은 또 다른 목적은 주변온도외 변화에 의한 전압 변동의 보상 및 전원회로부의 파워 트랜지스터의 베이스에미터간 전압도 함께 보상할 수 있는 회로를 제공함에 있다. 이하 본 고안을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
게2도는 본 고안에 따른 회로도로서 제2도중 D11-D13는 다이오드, C11는 캐패시터, Q11-Q12는 트랜지스터, R11-R13은 저항, ZD11은 제너다이오드, TR는 트랜스 포머이며 인가전원으로부터 트랜스포머(TR) 의 2차측에 정류용 다이오드(D11)을 접속하고, 이어서 상기 다이오드(D11)의 캐소드에 평활 캐패기터(C11)을 접속하여 접지시키며 상기 다이오드(D11)과 캐패시터(C11)의 접속노드(10)로부터 레벨 쉬프트 다이오드(D12)과 (D13) 을 직렬로 연결하여 파워 트랜지스터(Q11)의 콜렉터에 접속하고, 또한 노드(10)로부터 저항(R11)을 상기 트랜지스터(Q11)의 에미터-베이스간 노드(20)에 연결하며, 상기 노드(20)에 연결하며, 상기 노드(20)으로부터 정전압용 제너다이오드(ZD11)를 연결하되 리세트용 트랜지스터(Q12) 베이스에 연결하고 바이어스 저항(R12)을 통해 접지시킨다.
한편 상기 트랜지스터(Q11)의 에미터와 트랜지스터(Q12)의 콜렉터간 부하 저항(R13)을 노드 (30)에 접속하여 마이크로 프로세서 전원(Vcc)을 얻고 트랜지스터(Q12)의 콜렉터에서 마이크로 프로세서 리세트 신호를 얻도록 구성한다.
제2도 (2B) 상술한(2A)도와 같은 기능의 구성으로써, 파워트랜지스터(Q21)와 리세트 트랜지스터(Q22)를 제2도 (2A)에서 NPN형을 PNP형으로 바꿔 사용한데 불과하지만(-)전원으로 사용할 수 있다.
제8도는 본 고안에 따른 동작파형도로서 (3a)는 평활용 캐패시터(C11또는 C21)의 양단 출력 파형이고 (3b)는 마이크로 프로세서의 전원전압(Vcc)파형이며, (3c)는 리세트 트랜지스터(Q12) 또는 Q22의 출력 파형이다.
따라서 본 고안의 구체적 일실시예를 제2,3도를 참조하여 상세히 설명하면 회로의 트랜지스터(TR)로 전원(AC)이 공급되면 다이오드(D11)에서 정류되고 캐패시터(C11)에 서서히 충전되어 평활 되므로 제3도 (3a)와 같이 출력된다. 상기 캐패시터(C11)에 충전된 전압이 저항(R11)을 통하여 제너 다이오드(ZD11) 값보다 크게되면 저항(R12)에 의한 바이어스가 트랜지스터(Q12)의 베이스에 인가되기 시작하며 트랜지스터(Q12)는 그 이전에는 계속 오프 상태에 있게 된다.
그러므로 마이크로 프로세서의 리세트에는 저항(R11)을 지나 트랜지스터(Q11)의 베이스-에미터로부터 저항(R13)을 통하여 전원의 상승과 동일한 변화를 가져오게 된다.
즉 제너다이오드(ZD11)가 턴온되어 트랜지스터(Q12)의 베이스-에미터간 전압(VBE)이 최소 0.6V이상이 되면 트랜지스터(Q12)가 오프상태에서 온상태가 되고 리세트에서도 상기 트랜지스터(Q12)의 온과 동시에 (3b)의 전원(Vcc)에 접지로 (3c)와 같이 급전된다. 그리고 제너다이오드(ZD11)에 의해 트랜지스터(Q11)의 베이스-에미터 간 전압(VBE)이 0.6V 이상이 되면(3b)와 같이 마이크로 프로세서의 드레쉬 홀드(VTH) 이상VZD(제너다이오드 ZD11의 양단전압)의 일정레벨로 유지되어 전원(Vcc)으로 공급된다.
제2도(2A)에서 NPN형 트랜지스터(Q11,Q12)을 (2B)도와 같이 PNP형 트랜지스터(Q21, Q22)로 대치하면(-)전원을 마이크로 프로세서로 공급할 수 있다.
상술한 바와같이 종래의 전압강하에 의한 보상과 온도 변화에 의한 온도보상을 별도의 아이오드를 사용하여 왔으나 리세드회로에 사용하는 트랜지스터를 이용하여 다이오드를 삭제할수 있고, 전원회로의 정전압 유지용과 기세트용 제너다이오드를 별도로 사용했으나 하나의 제너다이오드로 상기 두가지 기능을 겸용할 수 있으며 (+)(-)전원에 모두 사용할 수 있으므로 원가절감 및 주위 전압 변동에도 안정화를 기한 이점이 있다.

Claims (1)

  1. 마이크로 프로세서와 리세트 회로에 있어서, 정류용 다이오드(D11)와 평활용 패시터(C11)의 연결 평활 정원으로부터 레벨 쉬프트 다이오드(D12, D15)을 직결하여 파워 트랜지스터(Q11)의 콜렉터에 접속하고 상기 평활전원을 저항(R11)을 통해 상기 트랜지스터(Q11)의 베이스에 인가하여 제너다이오드(ZD11)로부터 레벨을 유지하여 상기 트랜지스터(Q11)의 에미터에서 상기 마이크로 프로세서 전원(Vcc)을 얻고, 상기 제너다이오드(ZD11)와 바이어스 저항(R12)에 의해 리세트용 트랜지스터(Q12)을 온하여 쿨렉터에서 상기 마이크로 프로세서 리세트 신호를 얻도록 구성함을 특징으로 하는 회로.
KR2019870011546U 1987-07-14 1987-07-14 리세트 회로 KR890008556Y1 (ko)

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