KR890005908Y1 - 과부하 보호 회로 - Google Patents

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KR890005908Y1
KR890005908Y1 KR2019860021897U KR860021897U KR890005908Y1 KR 890005908 Y1 KR890005908 Y1 KR 890005908Y1 KR 2019860021897 U KR2019860021897 U KR 2019860021897U KR 860021897 U KR860021897 U KR 860021897U KR 890005908 Y1 KR890005908 Y1 KR 890005908Y1
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심상윤
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주식회사금성사
구자학
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G7/00—Overhead installations of electric lines or cables

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  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

과부하 보호 회로
제1도는 본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 스위칭회로 2 : 감지회로
3 : 부하 Q1-Q3: 트랜지스터
ZD1: 제너다이오드 D1: 다이오드
R1-R6: 저항
본 고안은 과부하 보호회로에 관한 것으로, 특히 부하의 쇼트시 이를 감지하고, 회복시키는 모든 기능이 자동적으로 처리되기에 적당하도록한 과부하 보호 회로에 관한 것이다.
종래에 있어, 과부하에 대한 보호회로가 없는 경우에는 세트의 파손은 물론 화재의 위험성마저 있으며, 과부하에 대한 보호회로로써 퓨우즈를 사용하는 경우에는 과부하로 인해 퓨우즈가 단선될때마다 교체해야하는 번거로움등 여러 문제점이 있었다.
따라서 본 고안은 상기한 문제점을 개선시킨 것으로, 다이오드를 사용하여 과부하 상태 즉, 부하 양단의 임피던스 성분이 거의 "0"상태로 되면 모든 스위칭 트랜지스터가 역전되도록 했기 때문에 과부하 상태를 감지하여, 전원을 자동적으로 차단시킬 수 있는 과부하 보호회로를 제공함에 목적이 있다.
상기한 목적으로 안출한 본 고안의 회로 구성을 제1도에 따라 설명하면 다음과 같다.
전원(Vcc)단은 저항(R1)과 스위칭회로(1)의 저항(R2)(R5) 및 트랜지스터(Q3)의 에미터에 공접되어, 저항(R1)에 접지 접속한 제너다이오드(ZD1)와 스위칭회로(1)내 트랜지스터(Q1)의 베이스 및 다이오드(D1)와 저항(R4)으로 구성된 감지회로(2)를 각각 연결하고, 저항(R2)에는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 에미터가 접지 접속된 트랜지스터(Q2)의 베이스를 연결하여, 트랜지스터(Q1)의 에미터에 접지 접속한 저항(R3)을 연결한다.
한편, 저항(R5)에는 트랜지스터(Q2)의 에미터 및 트랜지스터(Q3)의 베이스를 연결하고, 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에는 감지회로(2)와, 접지 접속한 저항(R6) 및 부하(3)를 각각 연결한다.
이와같이 구성된 회로의 동작을 제1도에 의거 설명하면 다음과 같다.
정상 상태의 경우, 전원(Vcc)은 저항(R1)과 제너다이오드(ZD1)에 의해 분압되어 스위칭회로(1)내 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(Q1)는 온된다.
따라서 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위는 로우가 되어 트랜지스터(Q2)를 온 시키고, 또한 트랜지스터(Q3)의 베이스 전위를 로우상태로 만들기 때문에 트랜지스터(Q3)도 온 된다.
그러므로 전원(Vcc)은 도통 트랜지스터(Q3)를 통해 부하(3)에 인가되어, 부하(3)의 양단으로는 출력이 나타나 정상 동작을 수행한다.
이때 트랜지스터(Q3)의 콜렉터 전위는 저항(R1)을 통한 전위보다 높아 감지회로(2)내 다이오드(D1)는 오프된다. 한편 과부하 상태가 되어 부하(3)양단의 임피던스 성분이 거의 "0"이 되면 즉 부하(3)가 쇼트 상태가 되면 감지회로(2)내 다이오드(D1)는 도통되어 트랜지스터(Q1)의 베이스 전위를 로우 상태로 만들어 트랜지스터(Q1)를 오프시킨다.
따라서 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전위가 하이가 되어 트랜지스터(Q2)를 오프시키며, 트랜지스터(Q3)의 베이스 전위도 하이가 되어 트랜지스터(Q3)도 오프시킨다. 그러므로 전원(Vcc)은 트랜지스터(Q3)에 의해 차단되어, 부하(3)에 전원을 공급하지 않고 있다가, 과부하에 대한 요인이 제거되고 나면 부하(3)의 양단에는 전위차가 발생하여 감지회로(2)의 다이오드(D1)는 다시 오프되며, 트랜지스터(Q1)는 다시 온되어 정상 동작을 수행한다. 상기한 바와 같이 본 고안은 과부하 상태를 감지하여 자동적으로 전원을 차단시켰다가 과부하 요인이 제거되고나면 바로 정상 동작을 수행하기 때문에 전기, 전자기기의 안전성 및 편리성이 향상되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 트랜지스터(Q1)를 통하여 부하(3)에 전원을 공급하는 전원 회로에 있어서, 전원(Vcc)을 분압시키는 저항(R1)과 제너다이오드(ZD1)의 접속점에 트랜지스터(Q3)를 제어하는 트랜지스터(Q1)(Q2)와 저항(R2)(R3)(R5)으로 구성된 스위칭회로(1)를 연결하고, 이와 동시에 부하(3)의 상태를 감지하는 다이오드(D1)와 저항(R4)으로 구성된 감지회로(2)를 연결하여, 부하(3)의 상태에 따라 트랜지스터(Q3)가 제어되도록 구성한 것을 특징으로 하는 과부하 보호회로.
KR2019860021897U 1986-12-30 1986-12-30 과부하 보호 회로 KR890005908Y1 (ko)

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