Claims (27)
표면처리된 금속박막을 생산하는 방법에 있어서, 금속이온을 함유하고 있는 전해액과 상기 전해액에 침지된 캐소우드 표면을 갖고 있는 전해조를 설치하는 공정; 상기 캐소우드 표면상에 비교적 평활한 금속박막 부착물을 도금하기 위하여 제1구역에서 제1전류밀도를 인가하는 공정; 제한 전류밀도보다 큰 펄스 제2전류밀도를 제2구역에서 제1전류밀도에 중첩하는 공정; 으로 구성되고, 상기 제2 전류밀도는 다수의 수지상정을 상기 금속부착물상에 형성시키고 상기 제1전류밀도는 상기 제2구역에서 수지상정을 상기 금속 박막에 견고하게 결합시키기 위해서 부가적인 금속부착물을 상기 금속박막상에 도금하는 것을 특징으로 하는 방법.A method of producing a surface-treated metal thin film, comprising the steps of: providing an electrolyte containing a metal ion and an electrolytic cell having a cathode surface immersed in the electrolyte; Applying a first current density in a first zone to plate a relatively smooth metal thin film deposit on the cathode surface; Superimposing a pulse second current density greater than the limiting current density on the first current density in the second zone; Wherein the second current density forms a plurality of dendrites on the metal deposit and the first current densities provide additional metal deposits to firmly bond the dendrites to the metal thin film in the second zone. Plating on the metal thin film.
제1항에 있어서, 상기 전해조에서 최소한 하나이상의 불용성 제1애노우드; 와 최소한 하나이상의 보조펄스애노우드를 설치하는 공정을 더 포함하는것을 특징으로 하는 방법.2. The apparatus of claim 1, further comprising: at least one insoluble first anode in the electrolyzer; And installing at least one auxiliary pulse anode.
제2항에 있어서, 상기 보조 애노우드는 치수안정 애노우드인것을 특징으로 하는 방법.3. The method of claim 2, wherein the secondary anode is a dimensionally stable anode.
제3항에 있어서, 상기 전해액을 상기 제1 및 제2구역에서 교반하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정.4. The process according to claim 3, further comprising stirring the electrolyte in the first and second zones.
제3항에 있어서, 상기 전해조에 최소한 둘이상의 애노우드를 설치하는 공정; 각 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면간의 공간과 최소한 하나이상의 유체통로를 형성하기 위하여 상기 제1애노우드들을 상기 캐소우드 표면과 이격시키고 이들 제1애노우드를 상호간에 이격시키는 공정; 및 상기 전해액을 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면간의 공간과 상기 최소한 하나이상의 유체통로를 통해서 소정의 유속으로 흐르게 하는 공정으로 이루어 진 상기 교반공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.4. The process of claim 3, further comprising: installing at least two anodes in the electrolyzer; Spaced apart the first anodes from the cathode surface and spaced apart from each other to form a space between each of the first anode and the cathode surface and at least one fluid passageway; And the step of flowing the electrolyte at a predetermined flow rate through the space between the first anode and the surface of the cathode and the at least one fluid passageway.
제5항에 있어서, 상기 유속은 약 1m/sec 내지 약 4m/sec인것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5 wherein the flow rate is about 1 m / sec to about 4 m / sec.
제6항에 있어서, 상기 유속은 약 1m/sec 내지 약 2.5m/sec인것을 특징으로 하는 방법.7. The method of claim 6, wherein the flow rate is about 1 m / sec to about 2.5 m / sec.
제2항에 있어서, 상기 평활한 금속박막 부착을 위한 핵생성 장소를 제공하기 위하여 상기 제1애노우드앞에 위치한 구역에 고전류밀도를 인가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.3. The method of claim 2 including applying a high current density to the zone located in front of the first anode to provide a nucleation site for the smooth metal thin film attachment.
제3항에 있어서, 상기 전해액은 황산구리-황산용액으로 이루어지고; 상기 제1전류밀도 인가공정을 약 0.4A/c2내지 약 2A/㎠의 범위로 제1전류밀도를 인가하는 공정으로 이루어지고; 상기 중첩공정은 약1.1A/㎠ 내지 약 6a/㎠의 범위로 제2전류밀도를 인가하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 3, wherein the electrolyte solution comprises a copper sulfate-sulfuric acid solution; Applying the first current density in the range of about 0.4 A / c 2 to about 2 A / cm 2; Said superimposing step comprises applying a second current density in the range of about 1.1 A / cm 2 to about 6 a / cm 2.
제9항에 있어서, 상기 제1전류밀도는 약0.75A/㎠ 내지 약 1.5A/㎠의 범위이고; 및 상기 제2전류밀도는 약2A/㎠ 내지 약 3A/㎠인것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 9, wherein the first current density ranges from about 0.75 A / cm 2 to about 1.5 A / cm 2; And the second current density is about 2 A / cm 2 to about 3 A / cm 2.
표면처리된 금속박막을 생산하는 장치에 있어서, 금속 이온을 함유하고 있는 전해액을 포함하고 있는 전해조; 상기 전해액에 최소한 부분적으로 침지된 캐소우드 표면; 비교적 평활한 금속박막 부착물을 상기 캐소우드 표면상에 도금하기 위하여 제1구역에 제2전류밀도를 인가하는 장치; 및 제한전류밀도보다 큰 펄스 제2 전류밀도를 상기 제1전류밀도에 중첩하는 장치로 구성되며, 여기에서 상기 제2전류밀도를 중첩하는 장치는 상기 금속부착물상에 다수의 수지상정을 형성하고 상기 제1전류밀도를 인가하는 장치는 상기 수지상정을 상기 금속박막에 견고하게 결합시키기 위해서 부가적인 금속부착물을 상기 금속박막상에 도금하는것을 특징으로하는 장치.An apparatus for producing a surface-treated metal thin film, comprising: an electrolytic cell containing an electrolytic solution containing metal ions; A cathode surface at least partially immersed in the electrolyte; A device for applying a second current density in a first zone to plate a relatively smooth metal thin film deposit on the cathode surface; And a device for superimposing a second pulse current density greater than the limiting current density on the first current density, wherein the device overlapping the second current density forms a plurality of dendrites on the metal deposit and Apparatus for applying a first current density is characterized in that an additional metal deposit is plated on the metal thin film in order to firmly bond the dendrite to the metal thin film.
제11항에 있어서, 상기 제1전류밀도를 인가하는 장치는 상기 전해조내에서 최소한 하나이상의 불용성 제1애노우드와 제1전류를 각 상기 제1애노우드에 인가하는 장치로 구성되고; 상기 중첩하는 장치는 최소한 하나이상의 펄스 애노우드와 상기 제1전류가 각 상기 제1애노우드에 인가됨과 동시에 상기 제2전류를 상기 최소한 하나이상의 처리 애노우드에 인가하는 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.12. The apparatus of claim 11, wherein the device for applying the first current density comprises at least one insoluble first anode and a device for applying a first current to each of the first anodes in the electrolytic cell; The overlapping device comprises at least one pulse anode and a device for applying the second current to the at least one processing anode while simultaneously applying the first current to each of the first anodes. Device.
제12항에 있어서, 각 상기 처리애노우드는 치수가 안정에노우드인것을 특징으로 하는 장치.13. The apparatus of claim 12, wherein each treatment anode is stable in dimension.
제12항에 있어서, 상기 전해액을 상기 제1 및 제2 구역에서 교반하는 장치를 더 포함하는 것을 특징으로하는 장치.13. The apparatus of claim 12 further comprising a device for agitating said electrolyte in said first and second zones.
제14항에 있어서, 최소한 하나이상의 유체통로를 형성하기 위하여 상기 전해조에 있는 최소한 둘이상의 제1애노우드를 상기 캐소우드 표면으로부터 이격하고 또한 이들 제1애노우드를 상호간에 이격 하고; 상기 교반장치는 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면간에 상기 통로 및 상기 공간을 통해서 소정의 유속으로 상기 전해액을 흐르게 하는 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.15. The method of claim 14, further comprising: separating at least two first anodes in the electrolytic cell from the cathode surface and spaced apart from each other to form at least one fluid passageway; And said stirring device comprises a device for flowing said electrolyte at a predetermined flow rate through said passage and said space between said first anode and said cathode surface.
제12항에 있어서, 상기 캐소우드 표면은 회전드럼으로 이루어진것을 특징으로 하는 장치.13. The apparatus of claim 12, wherein the cathode surface is comprised of a rotating drum.
제16항에 있어서, 각 상기 제1애노우드는 아치형이고; 상기 드럼과 연속표면사이에서 전해액의 흐름을 방해하지 않는 상기 연속표면을 형성하기 위해서 상기처리 애노우드는 상기 최소한 하나이상의 제1애노우드에 매립되는 것을 특징으로 하는 장치.The method of claim 16, wherein each of the first anodes is arcuate; And said processing anode is embedded in said at least one first anode to form said continuous surface that does not interfere with the flow of electrolyte between said drum and said continuous surface.
제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전류인가장치는 제1 및 제2 전원으로 구성되고, 상기 제1전원은 상기 제2전원으로부터 분리되어 있는것을 특징으로 하는 장치.13. The apparatus of claim 12, wherein the first and second current application devices are comprised of first and second power sources, and wherein the first power source is separate from the second power source.
제13항에 있어서, 각 상기 제1애노우드는 상기 캐소우드 표면으로부터 이격되어 있고, 각 상기 처리 애노우드는 각 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면간의 공간의 1 내지 약 3배인 거리만큼 각 인접한 처리 애노우드로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.The method of claim 13, wherein each of the first anodes is spaced apart from the cathode surface, and each of the treatment anodes is each one to about three times the distance between each of the first anode and the cathode surface. And spaced apart from adjacent processing anodes.
제19항에 있어서, 상기 거리는 상기 공간의 약 1.0 내지 약 2.5배인것을 특징으로 하는 장치.20. The apparatus of claim 19, wherein the distance is about 1.0 to about 2.5 times the space.
표면처리된 금속박막을 생산하는 방법에 있어서, 금속이온을 함유하고 있는 전해액과 상기 전해액에 침지된 캐소우드 표면을 갖고 있는 전해조를 설치하는 공정;핵생성자리를 상기 캐소우드 표면상에 만들기 위해서 제1구역에 제1고전류밀도를 인가하는 공정; 비교적 평활한 금속박막 부착물을 상기 캐소우드 표면에 도금하기 위하여 제2구역 제2고전류밀도를 인가하는 공정; 및 제한 전류밀도보다 크고 다수의 수지 상정을 상기 금속부착물에 형성하는 제2고전류밀도를 제3구역에서 상기 제1전류밀도에 중첩하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 방법.A method of producing a surface-treated metal thin film, comprising the steps of: providing an electrolyte containing a metal ion and an electrolytic cell having a cathode surface immersed in the electrolyte; forming a nucleation site on the cathode surface; Applying a first high current density to zone 1; Applying a second high current density in a second zone to plate a relatively smooth metal thin film deposit on the surface of the cathode; And superimposing a second high current density in the third zone on the first current density that is greater than the limit current density and forms a plurality of resin phases in the metal attachment.
제21항에 있어서, 상기 전해조에 최소한 둘이상의 제1애노우드를 설치하는 공정; 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면간의 공간과 최소한 하나이상의 유체통로를 형성하기 위하여 상기 제1애노우드를 상기 캐소우드 표면으로부터 이격하고 또한 상기 제1애노우드를 상호간에 이격시키는 공정; 및 상기 최소한 하나이상의 유체통로와 각 상기 제1애노우드와 상기 캐소우드 표면상의 상기 공간을 통해서 상기 전해액을 소정의 유속으로 흐르게 하는 교반공정을 더 포함하는 것을 특징으로하는 방법.22. The method of claim 21, further comprising: installing at least two first anodes in the electrolytic cell; Separating the first anode from the cathode surface and the first anode from each other to form a space between the first anode and the cathode surface and at least one fluid passageway; And a stirring step of flowing the electrolyte at a predetermined flow rate through the at least one fluid passageway and the space on each of the first anode and the cathode surface.
제22항에 있어서, 상기 유속은 약 0.1m/sec 내지 약 4m/sec인것을 특징으로 하는 방법.23. The method of claim 22, wherein the flow rate is about 0.1 m / sec to about 4 m / sec.
제21항에 있어서, 상기 전해액은 황산구리-황산용액으로 이루어지고; 상기 제2전류밀도인가공정은 약0.2A/㎠ 내지 2A/㎠의 범위의 전류밀도를 인가하는 것으로 이루어지고, 상기 중첩공정은 약 0.5A/㎠ 내지 약 6A/㎠범위의 고전류밀도를 인가하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로하는 방법.22. The method of claim 21, wherein the electrolyte solution comprises a copper sulfate-sulfuric acid solution; The second current density application step is to apply a current density in the range of about 0.2A / ㎠ to 2A / ㎠, the superposition process is to apply a high current density in the range of about 0.5A / ㎠ to about 6A / ㎠ The method characterized by consisting of.
표면처리된 금속박막을 생산하는 장치에 있어서, 금속이온을 갖고 있는 전해액을 함유하고 있는 전해조; 상기 전해액에 최소한 부분적으로 침지된 캐소우드 표면, 핵생성 자리를 상기 캐소우드 표면상에 생성시키기 위하여 제1구역에 고전류밀도를 인가하는 장치; 제한전류밀도보다 큰 제2펄스 고전류밀도를 제2구역에서 상기 저전류밀도에 중첩하는 장치로 구성되고, 상기 제2고전류밀도 중첩장치는 다수의 수지상정을 상금속 금속부착물상에 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.An apparatus for producing a surface-treated metal thin film, comprising: an electrolytic cell containing an electrolytic solution containing metal ions; A device for applying a high current density to the first zone to create a cathode surface, nucleation site, on the cathode surface at least partially immersed in the electrolyte; And a second pulse high current density greater than the limiting current density overlapping the low current density in the second zone, wherein the second high current density superimposition device forms a plurality of dendrites on the phase metal metal attachment. Device.
제25항에 있어서, 상기 제1전류밀도 인가수단은 상기 전해조의 최소한 하나이상의 불용성 제1애노우드와 제1전류를 각 상기 제1애노우드에 인가하는 장치로 구성되고; 상기 중첩장치는 상기 최소한 하나 이상의 제1애노우드에 매설된 적어도 하나 이상의 처리 애노우드와 상기 제1전류가 각상기 제2애노우드에 인가됨과 동시에 제2전류를 상기 최소한 하나이상의 처리 애노우드에 인가하는 장치로 구성되는것을 특징으로 하는 장치.27. The apparatus of claim 25, wherein the first current density applying means comprises at least one insoluble first anode of the electrolytic cell and a device for applying a first current to each of the first anodes; The overlapping device applies at least one processing anode embedded in the at least one first anode and the first current to the at least one processing anode while simultaneously applying the first current to the second anode. Apparatus, characterized in that consisting of the device.
제25항에 있어서, 다수의 고전류밀도 처리 애노우드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.27. The apparatus of claim 25, further comprising a plurality of high current density processing anodes.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.