KR890005191B1 - 마그네트론 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론

제1도는 종래의 마그네드론의 일례를 도시한 도면.

제2도는 본 발명의 일실시예를 도시한 도면.

제3도는 본 발명의 다른실시예를 도시한 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 양극원통 2,3 : 원환형상자석

4a,5a : 요우크 10,11 : 봉(棒)형상자석

12 : 자성체실린더

본 발명은 종래의 소위 내자형 혹은 외자형과 동일한 규격의 양극원통을 상용하면서 작용공간의 자계를 강하게 함으로서, 상기 어느 형식의 것보다도 더 높은 출력을 얻을 수 있도록 한 마그네트론에 관한 것이다.

제1도는 종래의 전자레인지용 마그네트론의 일례를 도시한 도면이다. 복수개의 공진공동을 내장하는 양극원통(1)의 양단면에는 도시하지 않은 자극편(片)이 고착되어 있으며, 이 양극(陽極) 원통축방향 바깥쪽에 원환형상자석(2)(3)이 배치되고, 또 이들 바깥쪽에 요우크(4) (5)가, 양극원통(1)과 원형자석(2) (3)을 협지하도록 배치되고, 요우쿠(4)의 양단부는 각각 요우쿠 (5)의 양단부에 고정결합되어 있다. 또한, 제1도에서 (6)은 필터케이스, (7)의 필라멘트단자, (8)은 마아크로파 출력배출용 안테나, (9)는 절연물이다.

마그네트론의 음극설계를 변경하지 않고 마이크로파 출력을 올리는 방법으로서는 양극전류는 일정하게 하고 양극전합을 올린다고 하는 수법이 공지되어 있다. 또, 이를 위해서는 양극원통(1)내의 도시하지 않은 작용공간의 자계강도를 올릴필요가 있는 것도 공지되어 있다.

그러나, 제1도에 도시한 구조의 자기(磁氣)회로를 가진 마그네트론에 있어서는 예를들면, 종래의 양극전압의 2배인 양극전압으로 올리려면, 원환형산자석(2)(3)의 두께를 약 2배로 하지 않으면 안된다. 이 결과, 마그네크론의 안테나 형상 및 음극형상을 변경하지 않으면 안되고, 기본설계를 다시하지 않으면 안되므로, 개발기간 및 개발비용이 방대한 것이된다.

이와같은 사태를 피하기 위하여 영구자석의 재질을 바꾸어서, 최대 BH 적(積) (에너지적)이 큰것, 예를들면, 사마륨·코발트 자석을 사용해서 소정의 자계강도를 얻는 방법도 고려할 수 있으나, 이 자석재료는 매우 고가인 것이어서, 이러한 용도에는 실용적이지 못된다.

본 발명의 목적은 양극원통의 규격을 변경하지 않고, 또 마그네트론의 높이도 변화시킴이 없이, 작용공간내의 자계강도를 높여서, 마이크로파 출력을 높일 수 있도록 한 마그네트론을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 있어서는, 안쪽에 복수의 공진공동을 가진 양극원통의 양단부에 각각 작용공간내에 자계형성용의 자극편을 배설하고, 이들 자극편의 양쪽 또는 한쪽의 양극원통의 축방향 바깥쪽에 원환형상 자석을 배치하고, 양극원통에 평행하게 외부 양쪽 또는 한쪽에 상기 원환형상자석에 의한 작용공간내의 자계를 강하게 하는 방향으로 착자한 봉형상자석을 배치하고, 상기 각부재를 양극원통축과 직교하는 요우크로 양극원통축 방향의 양(兩)바깥쪽에서 협지시켰다.

제2도는 본 발명의 일실시예를 도시한 도면이다. 복수개의 공진공동을 내장하는 양극원통(1)의 양단면에는 각각 도시하지 않은 자극편이 고착되고, 그 바깥쪽에 각각 원환형상자석(2) (3)이 배치되고, 또 양극원통(1)의 양 바깥쪽에는, 각각 봉형상자석(10) (11)이 배치되며, 또한 이들 각 부재를 양극원통축방향의 양 바깥쪽으로부터 양극원통축과 직교하는 요우크(4a), (5a)가 협지되어 있다. 상기 자석(2) (3) (10) (11)은 예를들면 제2도에 도시한 바와같은 극성을 가지도록 착자되어 있다. 즉 원환형상자석(2) (3)과 봉형상자석(10) (11)은 자로(磁路)에 대하여 서로 돕는 작용을 하여 양극원통(1)내부의 작용공간의 자계강도를 증가시키도록 착자되어 있다. 따라서, 양극전압을 높일 수 있으므로, 마그네트론의 마이크로파 출력을높일 수 있다.

원환형상자석(2) (3)은 편평하고 직경은 높이에 비해서 크다. 공지한 바와같이 영구자석은 자기이력곡선의 제2상한에서 동작하고 있으며, 이 원환형상자석의 경우 그 형상때문에 자기(自己)반자계가 매우 강하므로, 보자력이 매우 큰 재질을 선정하여야만 한다. 강대한 자기반자계에 대항하기 위해서 큰 보자력이 필요하게 되나, 이 자석은 자속이 통과하는 단면적이 크므로, 잔류자속밀도는 비교적 낮은 것이어도 지장은 없다.

원환형상자석(2) (3)으로는 예를들면 -HC=3000 Oe, 퍼어미언스 계수(p)가 1.2일때, 최대 BH적이 4.5 MG·De가 되는 페라이트 자석등이 적당하다. 또 봉형상자석(10)(11)은 비교적 얇고 긴형상이므로, 비교적 잔류자속밀도가 높고 (단면적이 작으므로 그면에서도 자속밀도가 높은 것이 바람직하다) 보자력이 비교적(어디까지나 원환형상자석과의 비교에 있어서) 작은 재질을 선정하면 된다. 따라서, 봉형상자석(10) (11)으로는 예를들면 -HC=760 Oe, 퍼어미언스 계수(P)가 17일때 최대 BH적이 7.5MG·Oe가 되는 알니코자석등이 적당하다.

-HC가 큰 재질의 원환형상자석은 미리 착자한 것을, -HC가 작은 재질의 봉형상자석은 착자하지 않은 것을 결합해 놓고, 최종마무리 조립한 후, 예를들면 H=2500 Oe의 외부자장을 가함으로서 미리 착자되어 있는 원환형상자석에는 영향을 주지않고, 착자하지 않은 -HC가 작은 봉형상자석만을 소망하는 바와같이 착자할 수 있다. 또, 착자를 종료한 봉형상자석(10) (11)의 착지방향과는 역방향으로 예를들면 600-700 Oe의 자계를 가함으로서, 작용공간의 자계를 미세조정할 수도 있다.

또, 상기와 같은 재질을 선정하였을 경우, 원환형상자석(2)(3)이나 봉형상자석(10)(11) 도 착자하지 않은 그대로 최종마무리 조립을 행하고, 먼저, 예를들면 H=5000 Oe의 외부자장으로 원환형상자석(2)(3) 및 봉형상 자석(10) (11) 의 착자를 동시에 행한다. 이 경우는, 착자기의 구조상 원환형상자석(2) (3) 과 봉형상자석(10)(11)은 공간적으로 같은 방향으로 착자되고, 자로에 대해서는 역방향으로 착자된다. 다음에 H=2500 Oe 의 외부자장을 역방향으로 걸리게 함으로서, 봉형상자석(10) (11)만을 역방향(자로에 대해서는 원환형상자석과 직렬방향이 되도록)으로 재착자할 수 있다. 이 경우도 상기와 마찬가지로 해서 작용공간의 자계의 미세조정을 행할 수 있다.

상기와 같이, 편평한(굵고 짧은)원환형상자석의 재질로는 비교적 보자력이 크고 잔류 자속밀도가 작은 것을 선정하고, 가늘고 긴 봉형상자석의 재질로는 비교적 보자력이 작고 잔류자속밀도가 큰 것을 선정함으로서, 각 자석을 각각 거의 최대 BH적(에너지적) 상태에서 동작시킬 수 있고, 필요자계의 강도에 대해서는 거의 최소한 자석을 체적으로 할 수 있다.

제3도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 동도면에 있어서(12)는 자성체의 실린더로서, 자계를 충분히 통과시킬 수 있으므로 원환형 상자석(2)과 봉형상자석(10) (11)의 결합에 의해서 작용공간의 자계를 높일 수 있다. 특히 마그네트론 전체 높이를 낮게하고 싶을 경우에는 유효한 구조이다.

이상, 설명한 바와같이 본 발명에 의하면 양극원통의 규격을 변화시킴이 없이, 또한 마그네트론의 높이를 변화시키지 않고, 작용공간의 자계강도를 높임으로서, 마이크로 파출력을 크게한 마그네트론을 얻을 수 있다.

즉, 영구자석의 형상에 각각 적당한 재질, 예를들면 원혼형상자석으로 보자력이 큰 페라이트 자석을 선정하고, 봉형상자석으로 알니코 자석을 선정하면 경제적으로도 비교적(예를들면 사마륨, 코발트자석에 비교해서) 값싸고, 성능이 뛰어난 마그네트론을 얻을 수 있다.

Claims (2)

1. 안쪽에 복수개의 공진공동을 가진 양극원통의 양단부에 각각 양극원통내부에 자계형성용의 자극편을 배설하고, 이들자극편의 양쪽 또는 한쪽의 양극원통의 축방향 바깥쪽에 원환형상 자석을 배치하고, 양극원통에 평행하게 외부 양쪽 또는 한쪽에 상기 원환형자석에 위한 양극원통 내부의 자계를 강하게 하는 방향으로 착자한 봉형상자석을 배치하고, 상기 각 부재를 양극원통축과 직교하는 요우크로 양극원통축방향의 양바깥쪽에서 협지시킨 것을 특징으로 한 마그네트론.
2. 제1항에 있어서, 상기 원환형상자석을 비교적 잔류 자속밀도가 낮고 보자력이 큰 재료로 제작하고, 보형상자석을 비교적 잔류자속밀도가 높고 보자력이 작은 재료로 제작하여 이들 자석을 각각 거의 최대 에너지적 상태에서 동작시키도록 한 마그네트론.

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