KR890004648Y1 - 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로 - Google Patents

이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로 Download PDF

Info

Publication number
KR890004648Y1
KR890004648Y1 KR2019860005827U KR860005827U KR890004648Y1 KR 890004648 Y1 KR890004648 Y1 KR 890004648Y1 KR 2019860005827 U KR2019860005827 U KR 2019860005827U KR 860005827 U KR860005827 U KR 860005827U KR 890004648 Y1 KR890004648 Y1 KR 890004648Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
riaa
capacitor
fet
resistor
Prior art date
Application number
KR2019860005827U
Other languages
English (en)
Other versions
KR870017435U (ko
Inventor
김학도
Original Assignee
삼성전자주식회사
한형수
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 한형수 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR2019860005827U priority Critical patent/KR890004648Y1/ko
Publication of KR870017435U publication Critical patent/KR870017435U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR890004648Y1 publication Critical patent/KR890004648Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G5/00—Tone control or bandwidth control in amplifiers
    • H03G5/16—Automatic control
    • H03G5/165—Equalizers; Volume or gain control in limited frequency bands
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191—Tuned amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

이퀄라이져 회로의 RIAA 특성 보상회로
제1도는 RIAA 재생 특성을 도시한 그래프.
제2도는 종래 RIAA 회로도.
제3도는 본 고안에 따른 회로도.
제4도는 제3도 공진회로(2)의 주파수에 대한 이득 특성도.
제5도는 제3도 주파수에 의한 DC전압 제어회로(4)의 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : RIAA 회로 2 : 공진회로
3 : 진폭제한회로 4 : DC전압 제어회로
VC1, VD2: 바랙터 다이오드 FET1, FET2: 전계효과 트랜지스터
본 고안은 이퀄라이져 회로의 RIAA 특성 보상회로에 관한 것으로서, 특히 주파수에 따라 RIAA소자의 회로 정수가 변화되는 것을 이용하여 RIAA 소자의 저항값을 낮게 설정하여 주면서 제로(ZERO)점의 위치를 극(POLE)점의 위치에 관계없이 500Hz 주파수에 유지하도록 하여 표준 이퀄라이져의 전달특성에 거의 근접하도록 하며, 열잡음을 방지할 수 있는 보상회로에 관한 것이다.
일반적으로 이퀄라이져 앰프의 재생 특성이 저음일수록 레벨을 높여주고 반대로 고음일수록 레벨을 낮추어야 하는 전달특성이 있어야 한다.
상기한 전달특성을 식으로 나타내면 다음과 같다.
…………………… (1)
단 S+jw, A =저감이득 T1-T3=시정수
상기 1식에서 시정수(T1-T3)값은 미국 레코드 공업회(RIAA)에 준해 표준으로 설정되어 있는바,
따라서 이를 그래프로 그리면 제1도와 같이 50Hz, 2.1KHz 에서 극점을 갖으며, 500Hz 에서 영점을 갖게된다.
이와 같은 특성을 갖는 이퀄라이져를 구성하려면 궤환 회로망을 전달할수()에 따라 설정하면 되는데, 일예로 제2도와 같이 구성된 RIAA 회로의 전달함수 ()를 구해보면 다음과 같다.
그리고 상기 2식에 N<1 이므로 무시된다.
한편, 제1도의 극점(f1)(f3)과 영점(f2)은 상기한 1식에 의한 각각의 시정수에 근접하도록 하면서 R, C 소자의 값을 설정해야 하나, 1식과 2식을 비교해보면 미지수에 비해서 방정식이 부족하므로 소자값을 설정하기가 어렵고 이를 쉽게 해결하기위한 수단으로으로 r3를 무시하여 영점이 500Hz(f2)에 근접하도록 하고 극점의 값을 50Hz(f1), 2.1Hz(f3)에 위치하도록 해도 영점이 50Hz(f1)의 위치에서 벗어나게 되고, r1, r2의 저항값이 상당히 고저항이되므로 열잡음으로 인한 S/N 비를 저하 시킬수 없는 단점이 있었다.
따라서 본 고안은 상기와 같은 제반 결점을 해소코저 안출한 것으로써, 이퀄라이져 앰프의 증폭특성이 RIAA의 역특성에 근접하게 보상하여 전체적인 오디오 주파수 특성을 개선할 수 있으며 또 낮은 값의 저항과 높은 값의 콘덴서로 RIAA 소자의 시정수들을 설정하여 열잡음으로 인한 S/N비 저하를 막을 수 있는 보상회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
이하 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 목적을 달성할 수 있는 실시예를 상세히 기술하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안에 다른 회로도로써, 카트리지에서 출력된 신호가 콘덴서(C3) 및 저항(R4)을 통하여 연산 증폭기(OP)의 비반전단자(+)에 인가되도록 하고, 상기 연산증폭기(OP)의 비전단자(-)에는 접지단에 직렬로 연결된 콘덴서(C4) 및 저항(R3)을 연결하는 한편 연산증폭기(OP)의 출력단과 반전단자(-)사이에 저항(R1)(R2), 바랙터 다이오드(VC1)(VC2), 콘덴서(C1)(C2)로 구성된 RIAA 회로(1)를 연결한다.
한편, 연산증폭기(OP)의 출력이 코일(L1), 콘덴서(C5), 저항(R5)로 구성된 공진회로(2)를 통하여 전계효과 트랜지스터(FET1)(이하 FET1이라칭함)의 게이트 단자에 인가되도록 하며, 저항(R6)(R7)을 각각 통한 전원전압(V2)이 상기FET1의 게이트단자와 드레인단자에 각각 인가되도록 한다.
그리고 FET1의 드레인단자에 콘덴서(C6)를 접속하여 진폭제한회로(3)에 연결하며, 저항(R9)을 통한 전원전압(V2)이 트랜스 포머(T)의 2차측 코일(L2)과 콘덴서(C7)를 통하여 진폭제한회로(3)에 입력되도록 한다.
한편 상기 트랜스 포머(T) 및 다이오드(D), 저항(R10-R12) 콘덴서(C8)(C9), 전계효과 트랜지스터(FET2)(이하 FET2라칭함)로 구성된 DC 전압제어회로(4)의 FET2드레인 단자에 전술한 RIAA회로(1)의 바랙터다이오드(VC1)(VC2)의 캐소우드단자를 접속하여 본 고안의 회로를 구성한다.
제4도 및 제5도는 제3도의 공진회로(2)와 DC 전압제어회로(4)의특성도를 도시한 도면이다.
상기와 같은 구성을 가진 본 고안의 회로 동작을 도면 제4도, 제5도를 인용하여 설명한다.
먼저, 500Hz(영점) 주파수 근처 영역외의 주파수 영역에 대한 회로 동작을 설명하면, 연산증폭기(OP)에서 증폭된 신호는 공진회로(2) 특성에 의해 통과하지 못하기 때문에 FET1에서 증폭된 신호가 콘덴서(C6)를 통해 진폭제한회로(3)에 인가되는 신호가 없기때문에 DC 전압제어회로(4)의 다이오드(D1) 캐소우드단자 e점에서는 DC전압이 "로우"가 되어 FET2의 드레인단자 b점에는 저항(R13)을 통한 전원전압(V1)이 인가되므로 RIAA회로(1)의 바랙터 다이오드(VC1)(VC2)는 일정의 용량갑 Ca, Cb를 형성하게 된다.
그러므로 두개의 극점위치가 50Hz(f1), 2.1KHz(f3)에 오도록 다음식에 준해서 RIAA회로(1)의 저항(R1)(R2), 콘덴서(C1)(C2)값을 설정할 수 있다.
따라서 RIAA회로(1) 소자의 값을 설정하는데는 영점의 위치에 상관없이 결정할 수 있어서 저항값을 낮게 콘덴서 값을 높게할 수 있고 고저항에 의한 열잡음을 방지할 수 잇다.
다음은 500Hz(영점) 주파수근처 영역의 주파수 영역에 대한 회로 동작을 설명한다.
연산증폭기(OP)에서 증폭되어 출력된 d점의 신호전압이 제4도에 도시된 바와 같은 특성을 가진 공진회로(2)를 통하여 FET1에 의해서 증폭되어 콘덴서(C6)를 거쳐 진폭제한회로(3)에서 진폭이 제한된 후 주파수에 의한 DC전압을 제어하는 DC전압제어회로(4)에 입력된다.
따라서 DC전압회로(4)에서는 제5도와 같이 500Hz주파수 일때 초대 DC전압을 다이오드(D) e점에 발생하며 상기 500Hz주파수를 벗어나는 정도에 따라서 점의 DC전압이 감소한다.
다시말하면 e점의 전압이 최대일때는 FET2가 도통되어 드레인 단자 전압이 최소가 되어 RIAA회로(1)의 바랙터다이오드(VC1)(VC2)용량도 최소가 된다.
그러므로 영점은 다음과 같은 식에 의해서 결정되고,
저항(R1)(R2) 및 콘덴서(C1)(C2)는 극점위치를 결정할때 결정되어 있으므로 저항(R3)를 열잡음 차단하도록 저저항값(100Ω) 정도로 결정할때 바랙터 다이오드(VC1)(VC2)의 용량만으로 상기 식을 만족시킬 수 있다.
따라서 식에 맞는 용량값을 발생시키는 전압(FET2의 드레인에 인가된 전원전압)을 조정하여 가해주면 정확히 영점을 유지할 수 있다.
상술한 바와 같이 동작하는 본 고안에 의하면 회로의 정수를 주파수에 따라서 두가지 조건을 설정하면 거의 완벽한 전달특성을 얻음과 동시에 S/N비를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (1)

  1. 연산증폭기(OP)에서 증폭된 신호중에서 특정한 주파수 즉 500Hz(영점)을 통과시키도록 코일(L1), 저항(R5), 콘덴서(C5)로 구성된 공진회로(2)와, 상기 공진회로(2)에서 출력된 신호를 전계효과 트랜지스터(FET1)에서 증폭시켜 이를 입력으로 하여 진폭을 제한하는 진폭제한회로(3)와, 진폭이 제한된 주파수를 받아 이에 대응하는 DC전압을 출력하여 이에 따라 RIAA회로(1)의 바랙터 다이오드(VC1)(VC2)의 용량을 조절하도록 트랜스 포머(T), 콘덴서(C8)(C9), 저항(R10-R12), 다이오드(D), 전계효과 트랜지스터(FET2)로 구성된 DC전압 제어회로(4)와, 상기한 DC전압제어회로(4)에서 출력된 전압에 의해서 RIAA특성을 나타내도록 저항(R1)(R2), 콘덴서(C1)(C2), 바랙터다이오드(VC1)(VC2)로 구성된 RIAA회로(1)등을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이퀄라이져의 RIAA특성 보상회로.
KR2019860005827U 1986-04-28 1986-04-28 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로 KR890004648Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019860005827U KR890004648Y1 (ko) 1986-04-28 1986-04-28 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019860005827U KR890004648Y1 (ko) 1986-04-28 1986-04-28 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870017435U KR870017435U (ko) 1987-11-30
KR890004648Y1 true KR890004648Y1 (ko) 1989-07-15

Family

ID=19251179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019860005827U KR890004648Y1 (ko) 1986-04-28 1986-04-28 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR890004648Y1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100435703B1 (ko) * 2002-04-26 2004-06-12 현대자동차주식회사 프레스용 피어싱 장치
KR100435708B1 (ko) * 2002-06-26 2004-06-12 현대자동차주식회사 엠보싱 프레스 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100435703B1 (ko) * 2002-04-26 2004-06-12 현대자동차주식회사 프레스용 피어싱 장치
KR100435708B1 (ko) * 2002-06-26 2004-06-12 현대자동차주식회사 엠보싱 프레스 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR870017435U (ko) 1987-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100663450B1 (ko) 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기
US6268770B1 (en) Wide bandwidth, current sharing, MOSFET audio power amplifier with multiple feedback loops
US4038607A (en) Complementary field effect transistor amplifier
US4327319A (en) Active power supply ripple filter
US6646508B1 (en) Wide bandwidth, current sharing, MOSFET audio power amplifier with multiple feedback loops
US4096443A (en) Balanced source follower amplifier
KR20040032589A (ko) 자기 발진 주파수를 높이기 위한 위상 진상-지상 보상기를구비하는 디지털 오디오 증폭기
KR890004648Y1 (ko) 이퀄라이져 회로의 riaa 특성 보상회로
CA1261411A (en) Low noise oscillator
JP3075635B2 (ja) 温度補償型増幅器
JPH08340219A (ja) 無線周波数で作動するａクラス増幅器
JP2606165B2 (ja) インピーダンス整合回路
JPS6158050B2 (ko)
US5528191A (en) Logarithmic amplifier having improved speed response
JPH0321065Y2 (ko)
JP2537791B2 (ja) マイクロ波発振器
JP2827947B2 (ja) 減衰回路
KR19990063796A (ko) 교류 결합 증폭기의 인덕터없는 전압 바이어싱 회로
JP2625730B2 (ja) 高周波増幅装置およびその調整方法
JPH0630413B2 (ja) 広帯域負帰還増幅回路
JPS5819855Y2 (ja) Ｆｅｔ増幅器
SU1202030A1 (ru) Устройство с регулируемым коэффициентом передачи
JP2510481B2 (ja) 定電圧回路
SU1427416A1 (ru) Устройство дл воспроизведени звукового сигнала с магнитной ленты
JPS635289Y2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19970829

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee