KR890002535B1 - 탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물 및 그 제법 - Google Patents

탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물 및 그 제법 Download PDF

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Description

탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물 및 그 제법
본원 발명은 고전기정항율을 가진 탄화규소소결체(燒結體)로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물 및 그 제접에 관한 것이다.
전자회로의 고밀도화에 따라 반도체소자를 탑재하는 절연기판도 반도체소자의 발열을 방산하기 위해 열전도성이 좋고, 또한 반도체소자와 열팽창계수가 같은 기판이 요구되게 되었다. 종래, 절연기판 재료로서 알루미나의 소결체가 사용되고 있으나, 알루미나기판은 열방산성이 그다지 좋지 않은것, 열팽창계수가 80×10-7/℃ 전후이며, 실리콘의 열팽창계수 35-40×10-/℃ 보다 큰것 등의 결점이 있다. 이때문에 보다 (1) 열방산성이 좋고, (2) 절연성이며, 또한 (3) 열팽창계수가 실리콘에 가까운 것이 필요하다.
탄화규소의 소결체는 열팽창계수가 40×10-7/℃ 정도이며, 알루미나에 비해서 적고, 실리콘의 열팽창계수에 매우 가깝다. 또한, 탄화규소의 소결체는 열전도율도 0.1-0.2cal/cm.sec.℃이며, 알루미나의 3배 이상의 값을 가지고 있는 것이 알려져 있다. 그러나, 탄화규소는 반도체로서 잘 알려져 있는 물질이며 절연재료로소는 알려져 있지 않다.
본원 발명자들은 탄화규소를 절연재로 하는 것을 특허출원하였다. 그러나, 더욱 절연성을 좋게 할 목적으로 탄화규소의 소결체를 제조할때에 전기절연성의 소결조제(燒結助劑)를 넣지만, 소결조제로서 열전도성이 좋은것이 없기 때문에, 열전도성이 0.1 cal/cm.sec.℃ 이하로 되는 결점이 있으며, 고열전도성이며, 전기절연성이라는 기판에 대한 요구를 충족시킬 수 없다.
본원 발명의 목적은 전기절연성의 탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물 및 그 제법을 제공하는데 있다.
본원 발명에 의하면 탄화규소분말을 주성분으로 0.4중량% 이하의 유리탄소 및 0.1중량% 이하의 알루미늄을 함유하고, 소결 온도가 낮은 온도에서 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 분해되는 최소한 하나의 베릴륨화합물을 1종 또는 2종 이상의 합계로 베릴륨 양으로 환산해서 0.03-15중량% 함유하는 탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물을 제공한다.
또한, 본원 발명에 의하면 탄화규소분말을 주성분으로 0.4중량% 이하의 유리탄소 및 0.1중량% 이하의 알루미늄을 함유하고, 소결온도보다 낮은온도에서 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 분해되는 최소한 하나의 베릴륨화합물을 1종 또는 2종 이상의 합계로 베릴륨양으로 환산해서 0.03-15중량% 함유하는 혼합물을 가압하여 성형체로 하고, 이어서 소결하여 탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물의 제법을 제공한다.
본원 발명에 의하면 실온에서 열전도율이 0.4 cal/cm.sec.℃ 이상, 전기저항율이 107Ω-cm이상, 이론밀도가 90% 이상인 소결체를 용이하게 얻을 수 있다.
주성분인 탄화규소분말은 일반적으로 연마제로서 사용되고 있는 α-탄화규소로 좋다. 입자는 작은 편이 소결되기 쉽기 때문에 일반적으로 연마제로서 사용되고 있는 #3,000 이상의 번수가 큰 입자가 작은 것이 사용되지만, 입자가 큰 것을 사용해도 소결이 가능하면 본원 발명에서 벗어나는 것은 아니다. 평균 10㎛ 이하, 바람직한 것은 2㎛ 이하의 입자직경을 가진 분말이 좋다. 또한, 일부 또는 전부를 α-탄화규소 대신 β-탄화규소를 사용해도 좋다.
1,900℃ 이하 바람직하기에는 1,000℃ 이하의 가열에 의해 분해하여 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨이 되는 베릴륨화합물이 바람직하다.
첨가하는 베릴륨화합물의 양은 베릴륨으로 환산해서 탄화규소에 대해 0.05-7.5중량%가 좋다. 베릴륨의 양이 0.05중량 이하에서는 소결되기 어렵고, 밀도를 90% 이상으로 하는 것이 곤란해진다. 이때문에 열전도성이 좋은 강도가 큰 소결체를 제조하는 것이 곤란해진다. 한편, 베릴륨 첨가량이 7.5중량% 이상이 되면 열팽창계수가 40×10-7/℃ 보다 커지고, 실리콘반도체의 절연기판으로서 사용하는 경우에 문제가 된다. 또한, 열전도율도 0.4 cal/cm.sec.℃은 이하가 된다.
베릴륨 화합물로서는 Be(OH)2, Be(NO3)2, BeSO4, SeSO4·2NH3, BeCO3, Be(HCO2)2, Be4O(HCO2)6, BeC2H4, Be4OICH3CO2)6, (NH4)2O·BeO·2C2O3, (NH4)2Be(SO4)2, Be(CH3COCHCOCH3)2등 가열에 의해 분해 또는 탄화규소와 반응해서 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 되는 것이라면 된다. 상기 화합물은 결정수를 함유하는 것이라도 된다. 베릴륨화합물은 1종류 뿐만이 아니고 2종류 이상의 복수가 혼합되어도 좋다.
예를들면, BeSO4는 1,100℃로 가열하여 BeO로 열분해되므로 본원 발명에서 사용될 수 있다. 한편, BeCl2와 같은 열분해되지 않고 증발되는 베릴륨화합물들은 본원 발명에서 사용될 수 없다. 본원 발명에 있어서는, 본원 발명에서 사용가능한 베릴륨화합물들이 모두 용매내에서 용해 또는 분산될 수 있는 점이 중요하다. 그러므로, 베릴륨화합물은 용액의 형태로 베릴륨화합물을 사용함에 의하여 탄화규소(SiC)분말과 균일하게 혼합된다. 예를들면, 베릴륨화합물의 용액은 탄화규소분말과 혼합되어 슬러리가 된 다음에 용매를 제거하기 위하여 분무 건조되어 원료분말이 생성되며, 여기에서 베릴륨화합물 및 탄화규소가 균질로 혼합된다. 베릴륨화합물을 용해하기 위한 용매로서는, 사용되는 베릴륨화합물의 종류에 따라 물 ; 에탄올, 아세톤, 에테르, 벤젠, 에틸렌디아민, 희석 아세트산 등과 같은 유기용매 ; 질산, 염산과 같은 무기물질의 수용액이 사용될 수 있다. 용매와 베릴륨화합물과의 바람직한 배합은 다음과 같다. 즉, Be(OH)2에 대하여는 에틸렌디아민 또는 질산 또는 염산의 수용액 ; Be(NO3)2에 대하여는 물 또는 에탄올 ; BeCO3·4H2O에 대하여는 질산 또는 염산 또는 희석 아세트산의 수용액 ; Be4O(CH3CO2)6에 대하여는 아세톤 또는 벤젠 ; Be(CO3COCHCOCH3)2에 대하여는 에탄올, 에테르 또는 벤젠 ; Be(HCO2)2에 대하여는 물 ; Be4O(HCO2)6에 대하여는 아세톤 또는 벤젠; BeSO4에 대하여는 염산의 수용액과 함께 배합되는 것이 바람직하다.
본원 발명에 의하면, 베릴륨화합물의 입자크기가 현저하게 감소될 수 있다. 그러므로, 소결온도를 낮출 수 있고, 밀도가 높은 소결체를 용이하게 얻을 수 있다. 또한, 베릴륨화합물과 탄화규소와의 혼합물은 균일하게 분산될 수 있기 때문에 얻어지는 소결체가 균질의 특성을 가지며, 특히 비저항율(比抵抗率)에 있어서는 근소한 편차(便差)를 갖는다. 본원 발명에서 사용되는 베릴륨화합물 대신에 산화베릴륨 분말을 사용할 때에는, 이와같은 두드러진 특성은 기대될 수 없다.
0.4중량% 이상의 유리탄소는 소결체의 전기절연성을 현저하게 낮추기 때문에, 소결체중에 유리탄소가 잔류되지 않도록, 탄소와 반응하는 금속을 함유하는 유기수지로 이루어진 바인더를 사용하여야 한다. 이 유기수지로서는 실리콘수지가 적합하며, 실리콘수지는 유기용매로 희석하여 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 첨가하는 베릴륨화합물은 1,950℃ 이하의 온도로 분해 또는 반응하는 것이 바람직하다. 그 이유는 탄화규소분말은 1,950℃ 이상이 되면 소결이 일어난다. 베릴륨화합물의 열분해가 소결개시온도 이상에서 일어나면 얻어지는 소결체는 열분해에 의한 가스의 발생 때문에 다공성(多孔性)으로 되며, 밀도가 큰 치밀한 소결체를 얻지 못하기 때문이다. 밀도가 작은 경우에는 소결체의 강도가 약할뿐만 아니고, 열전도성이 나빠지기 때문이다.
탄화규소와 1종류 이상의 특정 베릴륨화합물의 혼합물은 종래의 기술을 사용하여 건조상태로 이들 화합물을 단순히 혼합함에 의하여, 또는 특정 베릴륨화합물의 용액을 탄화규소분말과 혼합하여 슬러리로 한 후에 얻어진 슬러리를 상기한 바와 같은 방법 또는 기타 종래의 방법에 의하여 분무 건조함에 의하여 제조될 수 있다.
그 다음에, 상기 혼합물은 가압하에 종래의 방법에 의하여 성형체로 된다.
베릴륨화합물을 함유하는 탄화규소분말의 소결조건도 중요하다. 소결은 비산화성 분위기에서 행하는 것이 바람직하다. 산화성 분위기에서는 탄화규소분말을 그 표면이 산화되며, 고밀도의 소결체가 얻어지기 어렵다. 또한, 소결온도 1,800℃ 이상의 높은 온도의 산화성 분위기에서 사용할 수 있는 노재료(盧材料)가 없다. 이러한 이유에서, 1,000℃ 이하에서 탄화규소분말의 산화가 진행하지 않는 온도로 혼합분말 또는 혼합분말의 성형체를 산화성 분위기로 가열하고, 베릴륨화합물을 산화 분해하는 것을 가능하다.
소결온도는 1,850-2,500℃, 바람직한 것은 1,900-2,300℃가 유효하다. 온도가 1,850℃ 보다 낮은 경우에는 고밀도의 소결체를 얻는 것이 곤란하며, 열전도성이 저하된다. 2,500℃ 보다 고온의 경우에는 탄화규소의 승화(昇華)가 심해지고, 치밀한 소결체가 얻어지기 어렵다.
소결시에 시료를 가압하는 호트프레스토는 가압하는 하중은 사용하는 다이스의 재질에 따라 상한이 결정된다. 통상의 경우, 사용하는 다이스는 흑연제이다. 흑연제 다이스로는 약 700kg/㎠ 까지 압력을 가할 수 있다. 그러나, 일반적으로는 압력을 가하지 않고 고밀도의 소결체를 얻을 수 있다. 서브미크론의 입자직경을 가진 탄화규소분말을 사용하므로써, 가압없이도 치밀한 소결체를 제조할 수 있다.
소결시간에 관해서는 원료분말의 입자직경, 온도, 소결시에 가해지는 하중 등의 조건에 따라 최적치가 정해진다. 일반적으로는 원료분말의 입자직경이 작고, 소결온도가 높으며, 하중이 클수록 단시간으로 고밀도화가 가능하다.
베릴륨화합물을 함유한 탄화규소분말을 소결하므로써, 고열전도성에서 절연성의 소결체가 얻어지는 기구에 대해서 현재 해명되어 있다고는 말할 수 없다. 그러나, 다음과 같이 정성적(定性的)인 이유가 고려된다. 탄화규소는 다이어몬드, 베릴리아와 같은 공유결합성의 물질이다. 이들 물질은 금속과 다르며, 열전도는 전자전도에 의존하지 않고, 격자진동에 의한 포논(phonon)에 의해 열이 전달된다. 따라서, 이들 물질은 절연성이면서 열전도성이 좋은 물질이 되어 있다. 탄화규소의 순도가 좋은 단결정(單結晶)은 절연성이며, 열전도도 1 cal/cm.sec.℃로 크다. 그러나, 일반적인 소결체에서는 입계(粒界)에 있어서의 포논의 산란 또는 탄화규소 입자 속에 들어 온 불순물 원소와 포논의 충돌에 의해서 열전도가 나빠지고 0.4 cal/cm.sec.℃를 가진 것이 얻어지지 못하는것, 또한 탄화규소 속에 알루미늄 등이 포함되면 P형 반도체가 되어 전기전도성이 좋아지며, 절연저항이 107Ω-cm 이상의 전기절연성의 것을 얻지 못한다. 베릴륨은 탄화규소와 함께 소결되어도 전기전도성의 원인이 되는 캐리어의 증가를 일으키지 않는것, 입계에 존재한다고 생각되는 베릴륨에 의한 포논의 산란이 적고 입계의 배리어의 형성에 의해 저항이 커지므로써, 열전도성이 일반 탄화규소소결체 보다 좋고, 전기절연성에도 뛰어난 것으로 생각된다. 또한, 베릴륨은 탄화규소의 소결조제의 역할을 다하고, 치밀한 소결체로 한다. 밀도가 작은 소결체에서는 기공에 의해 열전도가 나빠지고 고열전도의 소결체로는 되지 않는다. 이와같은 베릴륨은 탄화규소의 소결을 돕는 동시에, 제조된 소결체의 전기 절연성을 좋게 하고, 열전도성의 저하를 초래하지 않는 기능을 가지고 있다. 따라서, 첨가되는 베릴륨은 주성분인 탄화규소분말 속에 균일하게 분산되는 것이 필요하다. 금속베릴륨이나 산화베릴륨의 형태로 탄화규소분말에 혼합해도 되지만, 열분산해서 벨릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨이 되는 베릴륨화합물로 첨가 하므로써, 분해에 의해 생성하는 미세한 분말 또는 분해 직후의 활성베릴륨 또는 산화베릴륨에 의해 탄화규소의 소결을 보다 유효하게 돕는 것이 가능해진다. 본원 발명에 있어서는 열분해하는 베릴륨화합물 뿐만이 아니고, 처음부터 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 및/또는 질화베릴륨을 다소 함유하고 있어도 기본적으로는 본원 발명으로부터 벗어나는 것은 아니다. 탄화규소분말은 불순물로서 유리탄소가 0.4중량% 이하, 알루미늄량이 0.1중량% 이하 또는 바인더로부터 소결체중에 함유되는 유리탄소를 0.4중량% 이하로 되게 하지 않으면 높은 전기절연성을 가진 소결체를 얻을 수 없다.
[실시예 1]
평균입자직경 2㎛의 탄화규소분말에 수산화베릴륨(Be(OH)2)를 0.14-72중량%(Be으로 환산해서 0.03-15중량%) 첨가해서 혼합하여 제1표의 각종 혼합분말을 얻었다. 이어서 이 혼합분말을 1,000kg/㎠의 압력으로 성형체로 했다. 이 성형체는 1.60-1.67g/㎤의 분체밀도(탄화규소의 이론밀도에 대하여 50-52%의 상대밀도)를 가졌다. 성형체는 흑연제의 다이스에 넣고, 진공하(1×10-5-1×10-3Torr)에서 호트프레스해서 소결체를 얻었다. 압력은 실온에서 300kg/㎠를 가하였다. 가열성은 실온에서 2,000℃까지 약 2시간 승온되고, 2,000℃로/1시간 유지한 다음, 가열전원을 끊고 방치하여 냉각시켰다. 압력은 온도가 1,500℃ 이하가 된 후에 해제했다. 상기에 의해 제조한 탄화규소소결체의 성능과 베릴륨의 함유량의 관계를 제1표에 나타낸다.
[제1표]
Figure kpo00001
베릴륨량 0.05-7.5중량%로 열전도율 0.4 cal/cm·sec·℃ 이상, 전기저항율 1012Ω-cm이상, 열팽창계수 3.3-3.9×10-6/℃이다.
[실시예 2]
탄화규소분말에 대해서 질산베릴륨(Be(NO3)2)을 0.44-150중량(Be으로 환산해서 0.03-10중량%) 첨가한다. 여기에 성형하기 위한 바인더로서 실리콘수지 25%를 함유한 크실렌 용액을 10%가혹, 교반기로 혼합한다. 실시예 1과 같이 성형하고, 호토프레스에 의해 소결체를 제조하였다. 제2표에 호트프레스 조건과 소결체의 특성을 나타낸다. 탄화규소분말의 불순물의 함량은 보론 17ppm, 마그네슘 17ppm, 알루미늄 87ppm, 칼슘 51ppm, 티타늄 1,290ppm, 바나듐 540ppm, 코발트 11ppm, 니켈 240ppm, 나트륨 90ppm, 유리규소 0.57중량%, 유리탄소 0.08중량%, 및 실리카 1.4중량%이다.
[제2표]
Figure kpo00002
베릴륨 량 0.05-5중량% 범위에서 열전도율 0.4cal/cm·sec·℃ 전기저항율 1013Ω-cm, 열팽창계수 3.3-4.0×10-6/℃의 탄화규소소결체를 얻었다. 그러나, 소결온도가 1,800℃에서는 상대밀도가 90%이하이며, 이 때문에 열전도율이 좋은 것을 얻지 못하였다.
[실시예 3]
입자직경 0.5-10㎛의 탄화규소분말에 대해서 황산베리리륨(BeSO4), 수산베릴륨(Be(HCO2)2)등 기타 베릴륨화합물을 첨가하고, 실시예 1와 같이 성형, 소결해서 소결체를 제조하였다. 베릴륨으로 환산한 베릴륨화합물의 첨가량과 제조된 탄화규소소결체의 특성을 제3표에 나타낸다. 베릴륨화합물을 2종류 이상 첨가한 것이라도 열전도율 0.4cal/cm.sec.℃ 이상, 전기저항율 1013Ω-cm, 열팽창계수 3.3-4.0×10-6/℃의 탄화규소 소결체를 얻었다.
[제3표]
Figure kpo00003
[실시예 4]
평균입자직경 2㎛의 실시예 1의 각 탄화규소분말에 대하여 베릴륨 아세틸아세트네이트(Be(CH3COCHCOCH3)2)를 에탄올내에 용해하여 얻어진 각 용액을 첨가해서 혼합하였다. 첨가된 베릴륨 화합물의 양은 각종 용액이 얻어질 수 있도록 탄화규소의 중량을 기준으로 하여 0.1-5중량%(Be으로 환산하여)내의 양이었다. 또한, 바인더로서 실리콘수지를 1중량% 함유하는 크실렌 용액을 각 얻어진 용액에 대하여 10중량% 첨가하여 슬러리를 얻었다. 이 슬러리는 에탄올 및 크실렌을 제거하면서, 분무 건조되어 균일한 입자크기를 가진 분말이 되었다. 얻어진 분말을 1,000kg/㎠의 압력으로 성형체로 했다. 이 성형체를 흑연제의 다이스에 넣고, 진공하(1×10-5-1×10-3Torr)에서 1,500℃의 온도로 가열하여 베릴륨화합물 및 규소수지를 열분해하였다. 이어서 압력을 300kg/㎠까지 높이고, 온도를 2,050℃까지 승온하여, 이와 같은 조건하에서 약 1시간동안 호트프레스에 의해 소결체를 제조하였다. 압력온도은 1,500℃이하가 된 후에 대기압으로 해제했다.
이와같이 상대밀도 98%이상, 열팽창계수 0.5-0.65cal/cm.sec.℃, 전기저항율 1012Ω-cm이상의 탄화규소 소결체를 얻었다.
[실시예 5]
입자직경 0.02-0.2㎛의 실시예 1의 각 탄화규소분말에 대하여 10중량%의 질산베릴륨을 함유하는 각 수용액을 탄화규소의 중량을 기준하여 5-270중량%(Be으로 환산해서 0.036-1.8중량%) 첨가해서 혼합하였다. 150℃의 온도하에서 물을 제거하여 분말이 되게 하였다. 얻어진 분말 100g에 대하여 실리콘 수지를 25중량% 함유하는 크실렌용액을 10ml 첨가하고, 몰탈내에서 혼합되었으며, 얻어진 혼합물은 통상적 방법에 의하여 입자로 하였다. 입자로 된 분말은 1ton/㎠의 압력으로 성형체로 했다. 이 성형체를 노에 넣고, 1시간동안 아르곤분위기하에서 1,500℃의 온도하에 가열하여 한편 질산베릴륨 및 규소와니스를 열분해하였다. 이어서 1시간동안 아르곤분위기하에서 2,200℃의 온도하에 소결을 행하였다.
이와 같이 얻어진 탄화규소소결체는 다음의 특성을 가졌다.
상대밀도 93-98%
열전도율 0.45-0.60 cal/cm.sec.℃
전기저항율 1012Ω-cm 이상
(18V/cm의 전계에서)
[실시예 6]
평균입자직경 2㎛의 실시예 1의 탄화규소분말에 대하여 제4표에 나타낸 각종의 베릴륨화합물을 첨가해서 실시예 1의 방법과 동일한 방법에 의하여 소결체를 얻었다. 얻어진 소결체는 제4표에 나타낸 특성을 가졌다.
제4표로부터 알 수 있는 바와 같이, BeO를 첨가할때에는 전기저항율의 편차가 크다. 이와 같은 경향은 BeO의 첨가량이 적을때에 현저하게 나타난다. 이것은 BeO와 탄화규소와의 혼합이 불균일하기 때문에, Be의 농축이 부분에 따라 현저하게 다르고, Be의 양이 작을때에는 입자의 성장이 커지며, 이에 의하여 높은 전기저항율을 나타내는 입계 구성분의 수가 감소되는 것으로 생각된다.
[제4표]
Figure kpo00004
비고 : 번호 1, 5 및 8은 비교실시예이다.

Claims (21)

  1. 탄화규소분말을 주성분으로 0.4중량% 이하의 유리탄소 및 0.1중량% 이하의 알루미늄을 함유하고, 소결온도보다 낮은 온도에서 벨릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 분해되는 최소한 하나의 베릴륨화합물을 1종 또는 2종 이상의 합계로 베릴륨양으로 환산해서 0.03-15중량% 함유하는 탄화규소 소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물.
  2. 제1항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(OH2), (BeNO3)2, BeSO4, BeSO4·2NH3, BeCO3, Be(HCO2)2, Be4O(HCO2)6, BeC2H4, Be4O(CH3CO2)6, (NH4)2O·BeO·2C2O3(NH4)2·Be(SO4)2및 Be(CH3COCHCOCH3)2의 군에서 선정되는 최소한 1종류인 상기 분말조성물.
  3. 제1항에 있어서, 또 바인더로서 실리콘수지를 함유하는 상기 분말조성물.
  4. 탄화규소분말을 주성분으로 0.4중량% 이하의 유리탄소 및 0.1중량% 이하의 알루미늄을 함유하고, 소결온도보다 낮은 온도에서 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 분해되는 최소한 하나의 베릴륨화합물을 1종 또는 2종 이상의 합계로 베릴륨양으로 환산해서 0.03-15중량% 함유하는 혼합물을 가압하여 성형체로 하고, 이어서 소결하여 탄화규소소결체로 이루어지는 전기절연재용 분말조성물의 제법.
  5. 제4항에 있어서, 혼합물은 탄화규소분말과 베릴륨화합물 분말을 건조 혼합함으로써 얻어지는 상기 제법.
  6. 제4항에 있어서, 혼합물은 고온으로 가열하여 용매내에 용해된 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 분해되는 베릴륨화합물의 용액을 탄화규소분말과 혼합하고, 이어서 상기 혼합물을 건조 및 입자화하여 얻어지는 상기 제법.
  7. 제6항에 있어서, 용매는 물, 유기용매 또는 무기물질의 수용액인 상기 제법.
  8. 제4항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(OH)2, Be(NO3)2, BeSO4, BeSO4·2NH3, BeCO3, Be(HCO2)2, Be4O(HCO2)6, BeC2H4, Be4O(CH3CO2)6, (NH4)2O·BeO2C2O3, (NH4)2·Be(SO4)2및 Be(CH3COCHCOCH3)2의 군에서 선정되는 최소한 1종류인 상기 제법.
  9. 제4항에 있어서, 바인더로서 실리콘수지를 함유하는 상기 제법.
  10. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(OH)2이며, 용매는 에틸렌디아민 또는 질산 또는 염산의 수용액인 상기 제법.
  11. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(NO3)2이며, 용매는 물 또는 에탄올인 상기 제법.
  12. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 BeCO3·4H2O이며, 용매는 질산 또는 염산 또는 희석 아세트산의 수용액인 상기 제법.
  13. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be4O(CH3CO2)6이며, 용매는 아세톤 또는 벤젠인 상기 제법.
  14. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(CH3COCHCOCH3)2이며, 용매는 에탄올, 에틸, 에테르 또는 벤젠인 상기 제법.
  15. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be(HCO2)2이며, 용매는 물인 상기 제법.
  16. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 Be4O(HCO2)6이며, 용매는 아세톤 또는 벤젠인 상기 제법.
  17. 제6항에 있어서, 베릴륨화합물은 BeSO4이며, 용매는 염산의 수용액인 상기 제법.
  18. 제4항에 있어서, 성형체는 소결 이전에 1950℃ 이하의 온도로 가열하여 베릴륨화합물이 베릴륨, 산화베릴륨, 탄화베릴륨 또는 질화베릴륨으로 열분해되는 상기 제법.
  19. 제18항에 있어서, 성형체는 대기에서 1,000℃ 이하의 온도로 가열되는 상기 제법.
  20. 제4항에 있어서, 압력을 가하지 않고 소결되는 상기 제법.
  21. 제4항에 있어서, 호트프레스에 의하여 소결되는 상기 제법.
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