KR890002162B1 - Sliding members coated ceramic and a method for manufacture thereof - Google Patents

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    • F16J15/3496Sealings between relatively-moving surfaces with slip-ring pressed against a more or less radial face on one member use of special materials

Abstract

The workpiece coated with a ceramic material for wear resistance has a metal base with a surface layer in which C and/or O and/or N are present at a higher concentration than in other parts of the base. A metal base also consists of Fe with at least one element from Ni, Cr, Al, Mn, Mg and V. The ceramic coating is applied by a plasma in a gas atmosphere containing an element forming one of the constitutions of the ceramic coating. The surface layer on the base can be produced by DC plasma in an Arcontaining atmosphere.

Description

세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조 방법Sliding member coated with ceramics and manufacturing method thereof

제1도는 본 발명에 따른 세라믹스가 코팅된 부재를 개략적으로 나타낸 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically showing a member coated with a ceramic according to the present invention,

제2도, 제3도 및 제4도는 각각 플라스마 CVD 방법에 따라 세라믹스가 코팅된 부재를 제조하는 장치를 나타낸 개략도이다.2, 3 and 4 are schematic diagrams showing an apparatus for producing a ceramic-coated member according to the plasma CVD method, respectively.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 지지체 2 : 금속층1 support 2 metal layer

3 : 처리층 4 : 세라믹스층3: treated layer 4: ceramic layer

11,31 : 반응실 12,32 : 절연체11,31: reaction chamber 12,32: insulator

13,33 : 기체유임구 14,34 : 전극13,33: gas reservoir 14,34: electrode

15 : 시일드(Shield) 20,40 : 지지체15: Shield 20, 40: support

21,41 : 지지부재 22 : 발열기21,41: support member 22: heat generator

23 : 전원 24,38 : 고주파전원23 power 24,38 high frequency power

25 : 정합함 35 : 확산부재25: matched 35: diffusion member

36,37 : 통기공36,37: Aerator

본 발명은 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 고속으로 슬라이딩하는 부재(部材)등으로 적합한 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재와 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a sliding member coated with ceramics and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a sliding member coated with ceramics and a method for manufacturing the same, which are suitable as a member that slides at high speed.

예를들어 콤프렛샤의 축이나 엔진의 캠축, 또는 레이져프린터의 레이져 스캐너(Laser Scanner) 및 프린터의 유도봉(Guide Rod)등과 같이 고속으로 슬라이딩하는 부재는 쉽게 마모되며, 이러한 고속슬라이딩 부재의 마모는 그 장치의 수명 및 성능에 큰 영향을 미치게 된다. 따라서 일반적인 고속 슬라이딩 부재는 고속도강이나 초경합금등과 같이 내마모성이 강한 재료를 사용해야 한다.For example, a member that slides at high speed, such as a shaft of a compressor, a cam shaft of an engine, a laser scanner of a laser printer, or a guide rod of a printer, is easily worn. It will have a big impact on the lifetime and performance of the device. Therefore, a general high speed sliding member should use a material with high wear resistance such as high speed steel or cemented carbide.

그러나, 이와 같은 재료들은 재료비 및 가공비가 높기 때문에 생산단가를 줄이기 위해서 주철이나 쾌삭강(快削鋼)등과 같이 비교적 저렴한 재료를 사용하고 그 표면을 경화시켜서 윤활성을 부여하였으며, 또한 TiN 및 TiC 등과 같은 고강도의 세라믹스를 처리하여 절삭공구의 내마모성을 향상시키는 기술도 제안되었었다.However, since these materials have high material and processing costs, in order to reduce production costs, relatively inexpensive materials such as cast iron and free-cutting steel are used and the surface is hardened to give lubricity and high strength such as TiN and TiC. A technique for improving the wear resistance of cutting tools by treating ceramics has also been proposed.

이와 같은 표면의 경화처리에는 열처리가 있고, 윤활성부여 처리에는 터프트라이드 처리, 침투 처리 및 검은 염색 이산화 몰리브덴의 도포처리 등이 있으나, 이러한 방법들은 중량이 크게 늘어나게 되고 고속으로 회전하는 가혹한 조건하에서는 충분한 내구성이 없었다. 또한 열처리 및 터프트라이드 처리에 있어서는 처리온도가 500℃ 이상으로 매우 높아서 처리과정 중에 피처리재인 지지체가 변형될 우려가 있기 때문에 높은 정밀도를 요구하는 부재를 처리할 경우에는 상기와 같은 종래의 방법을 적용할 수가 없었다.Such surface hardening treatments include heat treatment, and lubricating treatments include tuftride treatments, infiltration treatments, and black dyeing molybdenum dioxide coating treatments. However, these methods increase the weight significantly and are sufficient under severe conditions of high speed rotation. There was no durability. In the heat treatment and tuftride treatments, the treatment temperature is very high (above 500 ° C.), so that the support body, which is the material to be treated, may be deformed during the treatment process. Could not apply.

한편, 고속슬라이딩 부재에다 TiN 및 TiC를 도포하여 사용한 경우에는 세라믹스의 경도가 높기 때문에 슬라이딩하는 상대방의 슬라이딩 부재를 연삭시키게 되고, 이러한 연삭찌꺼기가 세라믹스 피막위에 응착하여 눌러붙게 되는 문제점이 있었다.On the other hand, when TiN and TiC are applied to the high-speed sliding member, since the hardness of the ceramic is high, the sliding member of the sliding counterpart is ground, and there is a problem that such grinding residue adheres to the ceramic coating and is pressed.

이에 본 발명에서는 지지체에 대한 접착성이 높고 내마모성이 우수할 뿐 아니라 슬라이딩하는 상대부재를 연삭시키지 않으면서 눌어붙지 않는 세라믹스가 코팅된 부재 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a member coated with ceramics and a method of manufacturing the same, which have high adhesion to a support, excellent wear resistance, and are not pressed without grinding a sliding counterpart member.

이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명자는 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 오랫동안 연구한 결과, 규소 또는 원소주기율표의 제Ⅲ족에 속하는 원소, 예컨대 붕소를 주성분으로 하는 세라믹스가 상술한 본 발명의 목적을 충분히 만족시킬 수 있다는 것을 발견하게 되었다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of long research in order to achieve the above objective of this invention, the element which belongs to group III of silicon or an periodic table of elements, such as the ceramics which have a boron as a main component, can fully satisfy the objective of this invention mentioned above. I found it.

이와 같은 세라믹스 재료는 스펏터링(Sputtering), 플라스마 CVD 또는 이온도금 등에 의하여 피처리제인 지지체에다 코팅시킬 수가 있으나, 그 처리 온도가 200 내지 300℃로 비교적 낮기 때문에 처리과정 중에 지지체가 변형되는 것을 방지할 수 있으며, 높은 정밀도를 요구하는 부재에도 세라믹스를 코팅시킬 수 있다.Such a ceramic material can be coated on the support to be treated by sputtering, plasma CVD, or ion plating, but since the treatment temperature is relatively low at 200 to 300 ° C., the support can be prevented from being deformed during processing. The ceramics may be coated even on a member requiring high precision.

그러나, 이러한 세라믹스는 지지체와의 접착성이 TiN 및 TiC보다 불량하다는 결점이 있고, 특히 지지체가 콤푸렛샤축 등과 같이 주철인 경우에는 상기 세라믹스를 코팅시키는 것이 사실상 불가능하다.However, such ceramics have a drawback that the adhesion to the support is worse than that of TiN and TiC, and it is virtually impossible to coat the ceramics, especially when the support is cast iron such as a compressor shaft.

따라서 본 발명자는 예컨대 주철을 주성분으로 하는 지지체에 상기 세라믹스를 안정하고 용이하게 코팅하기 위하여 여러가지 연구를 거듭한 결과, 지지체의 표면에 탄소, 산소 또는 질소의 농도가 높은 부분을 형성시키므로서 본 발명에 따른 세라믹스가 높은 접착성으로 코팅될 수 있다는 것을 발견하였다.Accordingly, the present inventors have made various studies to stably and easily coat the ceramics on a support mainly composed of cast iron, and thus, the present invention is formed by forming a high concentration of carbon, oxygen or nitrogen on the surface of the support. It has been found that the ceramics according to can be coated with high adhesion.

한편, 내마모성이 높은 동시에 상대방의 운동부재를 연삭하지 않는 세라믹스로서는 질화규소(SiN), 질화 붕소(BN), 탄화규소(SiC), 탄화붕소(BC), 산화규소(SiO), 탄질화규소(SiCxNy), 탄질화붕소(BCxNy), 또는 탄산화규소(SiCxOy)등이 있다. 여기서 SiN 및 SiO는 빅커스 경도가 1,800 내지 2,000이고, SiC는 빅커스 경도가 2,000 내지 2,500이며, BN의 빅커스 경도는 2,500 내지 3,000이다.On the other hand, ceramics having high wear resistance and not grinding the movement member of the other side are silicon nitride (SiN), boron nitride (BN), silicon carbide (SiC), boron carbide (BC), silicon oxide (SiO), and silicon carbon nitride (SiCxNy). , Boron carbonitride (BCxNy), or silicon carbonate (SiCxOy). Here, SiN and SiO have a Vickers hardness of 1,800 to 2,000, SiC has a Vickers hardness of 2,000 to 2,500, and BN has a Vickers hardness of 2,500 to 3,000.

이와 같이 상기 세라믹스는 경도가 높고 우수한 내마모성을 가지고 있을 뿐 아니라, 특히 상대방의 슬라이딩 부재가 철종류인 경우에는 상대방을 연삭시키지 않으며 이와 같은 세라믹스는 스퍼터링, 이온 도금, 플라스마 CVD, 열 CVD 및 광 CVD 등의 방법에 따라 제조할 수가 있으나, 지지체와의 접착성 및 한층의 저온처리가 가능하다는 점을 고려하면 플라스마 CVD 방법을 이용하는 것이 좋다.As described above, the ceramics have high hardness and excellent abrasion resistance, and in particular, when the sliding member of the counterpart is iron, the counterpart is not ground, and such ceramics are sputtering, ion plating, plasma CVD, thermal CVD, light CVD, etc. It can be prepared according to the method, but considering the adhesiveness to the support and the further low temperature treatment is preferable to use the plasma CVD method.

이하 본 발명을 예시한 도면에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 발명에 따라 세라믹스가 코팅된 슬라이딩 부재를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 금속성지지체(1)의 표면상에 세라믹스층(4)이 코팅되어 있다.1 is a cross-sectional view schematically showing a sliding member coated with ceramics according to the present invention, in which a ceramic layer 4 is coated on the surface of the metallic support 1.

상기 지지체(1)는 예컨대 철을 주성분으로 하고, 그 표면에는 탄소, 산소 또는 질소중에서 선택된 적어도 하나의 원소, 예컨대 탄소를 풍부하게 함유하는 층(3)을 가진다.The support 1 has, for example, a layer 3 containing iron as its main component and abundantly containing at least one element selected from carbon, oxygen or nitrogen, such as carbon.

이와 같이 지지체(1)의 표면에 탄소, 산소 또는 질소를 풍부하게 함유하는 층(3)을 형성시킨 다음, 세라믹스층(3)을 형성시키게 되면 세라믹스층(4)이 지지체(1)에 강하게 코팅된다.As such, when the layer 3 containing abundant carbon, oxygen or nitrogen is formed on the surface of the support 1, and then the ceramic layer 3 is formed, the ceramic layer 4 is strongly coated on the support 1. do.

지지체(1)는 철을 주성분으로 하되 니켈, 크롬, 알루미늄, 망간, 마그네슘 또는 바나듐 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 함유하는 것이 좋다.The support 1 preferably contains iron and contains at least one element selected from nickel, chromium, aluminum, manganese, magnesium or vanadium.

이와 같은 니켈등의 첨가성분은 다음에 기술하는 방법에 따라 지지체(1)의 표면에 형성시키게 되는 탄화층, 산화층 또는 질화층등에 있어서의 탄화, 산화 및 질화 등을 촉진시키는 원소인 것이다.Such an additive component such as nickel is an element that promotes carbonization, oxidation and nitriding in the carbonized layer, oxide layer or nitride layer to be formed on the surface of the support 1 according to the method described below.

세라믹스층(4)은 실리콘 또는 주기율표의 제Ⅲ족에 속하는 원소, 예컨대 붕소를 주성분으로 하는데, 이와 같은 세라믹스층의 형성과정에서 수소 또는 할로겐원소가 세라믹스층에 함유될 수도 있지만 이와 같은 성분이 20원자% 이하의 농도로 함유되는 경우에는 세라믹스의 내마모성에 나쁜 영향을 미치지는 않는다.The ceramic layer 4 is mainly composed of silicon or an element belonging to group III of the periodic table, such as boron. In the process of forming the ceramic layer, hydrogen or a halogen element may be contained in the ceramic layer, but such a component is 20 atoms. When contained at a concentration of less than or equal to%, it does not adversely affect the wear resistance of the ceramics.

본 발명의 실시예에 따라 세라믹스가 코팅된 부재의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the method of manufacturing a ceramic-coated member according to an embodiment of the present invention.

먼저 주철 또는 쾌삭강등의 블록을 로타리 콤푸렛샤의 축 또는 프린터의 캐리지 가이드(Carriage guide)등과 같은 특정한 모양으로 가공하여 지지체를 얻는다. 이어서 아르곤기체를 함유하는 가스로 플라스마를 발생시켜 상기 지지체의 표면을 처리한 다음, SiN 등의 세라믹스를 지지체의 표면에 코팅한다. 이와 같이 하여 제조된 축이나 캐리지 가이드 등은 철을 주성분으로 하는 지지체의 표면에 SiN등의 세라믹스가 덮혀지게 된다. 따라서 이와 같은 부재에 슬라이딩부재가 고속으로 슬라이딩된다 할지라도 마모가 억재될 뿐 아니라 슬라이딩부재를 연삭시키지도 않는 것이다.First, a block such as cast iron or free-cutting steel is processed into a specific shape such as a shaft of a rotary compressor or a carriage guide of a printer to obtain a support. Subsequently, plasma is generated with a gas containing argon gas to treat the surface of the support, and then ceramics such as SiN are coated on the surface of the support. In the shaft, carriage guide, etc. manufactured in this way, ceramics, such as SiN, are covered by the surface of the support which has iron as a main component. Therefore, even if the sliding member is sliding at a high speed to such a member, not only the wear is suppressed but also does not grind the sliding member.

다음으로, 제2도 및 제3도를 참조하여 플라스마 CVD법에 따라 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재를 제조하는 방법에 대해서 설명한다.Next, a method of manufacturing a sliding member coated with ceramics by the plasma CVD method will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

원통형의 반응실(11)은 그 축방향을 수직으로 하여 적당한 지지대위에 지지되어 있으면서 절연체(12)를 삽입시켜 전기적으로 분리되도록 되어 있고, 상기 반응실(11)은 기계적 가압펌프나 유회전펌프(도시되지 않음)등에 의해 배기되어 약 10-3토르의 진공도를 유지하도록 되어 있다. 반응실(11)내에는 기체유입구(13)를 통하여 여러가지 원료기체가 도입되며, 원통형의 전극(14)은 반응실(11)내에서 그의 주위벽에 대하여 같은 축을 갖도록 설치되어 있고 반응실(11)과 동일한 전위로 설정되어 있다.The cylindrical reaction chamber 11 is vertically axially supported and is electrically separated by inserting an insulator 12 while being supported on a suitable support. The reaction chamber 11 is a mechanical pressure pump or a flow pump ( (Not shown) to maintain a vacuum degree of about 10 -3 Torr. Various raw material gases are introduced into the reaction chamber 11 through the gas inlet 13, and the cylindrical electrode 14 is provided in the reaction chamber 11 so as to have the same axis with respect to its peripheral wall, and the reaction chamber 11. It is set to the same potential as).

상기 전극(14)에는 복수의 통기공(도시되지 않음)이 개설되어 있는데, 기체유입구(13)를 통해서 반응실(11)내에 도입된 가스는 전극(14)의 통기공을 통과하여 반응실(11)의 중심부에 거의 균일하게 공급된다.The electrode 14 is provided with a plurality of vent holes (not shown), the gas introduced into the reaction chamber 11 through the gas inlet 13 passes through the vent hole of the electrode 14 to the reaction chamber ( It is supplied almost uniformly to the center part of 11).

원통형의 시일드(Shield)(15)는 접지되어 있으면서 반응실(11)을 둘러싸는 것처럼 부설되어 있고, 반응실(11)의 중심에는 원통형의 지지체(20)가 그의 축방향을 수직으로하여 전극(14)의 축중심에 부설되어 있다. 반응실(11)의 모판상에는 절연체(12)를 사이로하여 지지부재(21)가 설치되어 있고, 상기 지지체(20)는 지지부재(21)에 부착되어 반응실(11)내로 들어와 있다. 지지체(20)는 그의 중심부에 저항발열선으로 된 발열기(22)가 삽입되어 있고, 상기 발열기(22)는 전원(23)에 접속되어 있어서, 전원(23)에서 전기를 공급받아 지지체(20)를 가열하도록 되어 있다.The cylindrical shield 15 is grounded and laid as if it surrounds the reaction chamber 11, and in the center of the reaction chamber 11, the cylindrical support 20 is perpendicular to its axial direction and the electrode It is installed in the center of shaft of (14). A support member 21 is provided on the mother plate of the reaction chamber 11 with the insulator 12 interposed therebetween, and the support 20 is attached to the support member 21 and enters the reaction chamber 11. The support body 20 has a heat generator 22 made of a resistance heating wire inserted into a central portion thereof, and the heat generator 22 is connected to a power source 23 so that electricity is supplied from the power source 23 to support the support body 20. It is supposed to heat.

한편, 제2도에서 지지체(20) 및 지지부재(21)는 정합함(25)을 통해서 고주파전원(24)에 접속되어 있으나, 제3도에서는 정합함(25)이 반응실(11)에 접속되어 있어서, 반응실(11)에 고주파 전력을 공급하도록 되어 있다. 즉 제2도 및 제3도에 나타낸 바와 같이 지지체(20) 또는 반응실(11)에 고주파 전력이 공급되어 지지체(20)와 반응실(11)사이에 플라스마방전이 일어나게 되는 것이다.Meanwhile, in FIG. 2, the support 20 and the support member 21 are connected to the high frequency power supply 24 through the matching box 25. In FIG. 3, the matching box 25 is connected to the reaction chamber 11. It is connected and supplies high frequency electric power to the reaction chamber 11. That is, as shown in FIGS. 2 and 3, high frequency power is supplied to the support 20 or the reaction chamber 11 so that plasma discharge occurs between the support 20 and the reaction chamber 11.

이와 같이 구성된 장치에 따라서 우선 아르곤기체 조건하에서 지지체의 표면을 플라스마처리하고, 이어서 제2도에 표시된 바와같이 정합함(25)과 지지부재(21)를 접속시키는 동시에 반응실(11)을 약 10-3토르가 되도록 배기시킨 다음 펌프로 계속 배기시키면서 기제유입구(13)를 통해서 200SCCM의 아르곤기체를 반응실(11)내로 도입시켜 반응실(11)내의 암력을 1토르가 되도록 조절한다.According to the device thus constructed, first, the surface of the support is subjected to plasma treatment under argon gas conditions, and then the matching chamber 25 and the supporting member 21 are connected as shown in FIG. After exhausting to -3 Torr, an argon gas of 200 SCCM is introduced into the reaction chamber 11 through the base inlet 13 while continuously evacuating with a pump to adjust the force in the reaction chamber 11 to 1 Torr.

이어서 전원(23)에서 부터 발열기(22)에 전력을 공급하여 발열기(22)를 발열시키므로서 지지체(20)를 150 내지 300℃의 온도로 가열한 다음, 지지체(20)의 300W의 고주파 전력을 공급하여 전극 14과 지지체(20) 사이에 플라스마를 발생시키되 상기 플라스마의 처리시간을 약 30분 정도로 한다. 이때 처리기체는 Ar 기체에 국한하지 않고 Ar 기체와 H2, He 또는 N2등을 혼합시킨 혼합기체를 사용해도 좋다.Subsequently, the support 20 is heated to a temperature of 150 to 300 ° C. while supplying power to the heat generator 22 from the power source 23 to generate heat, and then the high frequency power of 300 W of the support 20 is reduced. The plasma is supplied between the electrode 14 and the support 20, and the plasma treatment time is about 30 minutes. At this time, the treatment gas may be not limited to Ar gas, but a mixed gas obtained by mixing Ar gas and H 2 , He, or N 2 may be used.

한편, 본 실시예에 있어서 지지체를 미리 가열시켜도 좋지만, 플라스마가 발생하게 되면 그 플라스마에 의해서 지지체가 가열되기 때문에 반드시 특별한 가열수단을 설치할 필요는 없다.On the other hand, in the present embodiment, the support may be heated in advance, but since the support is heated by the plasma when plasma is generated, it is not necessary to provide a special heating means.

이와 같이 발열기(22)를 사용하여 지지체(20)를 가열하지 않는 경우에는 지지체(20)등에 인가되는 고주파전력을 크게하든지, 또는 처리시간을 연장시키면 된다.When the support 20 is not heated using the heat generator 22 in this manner, the high frequency power applied to the support 20 or the like may be increased or the processing time may be extended.

또한 플라스마처리에 이어서 코팅될 세라믹스의 구성 원소가 함유된 기체를 반응실(11)내에 도입하고 표면이 플라스마처리된 지지체에다 세라믹스를 코팅시킨다. 이때 코팅될 세라믹스가 Si를 주성분로하는 경우에는 SiH4기체 또는 Si2H6기체 등과 같이 Si를 함유하는 기체에다 지지체가 질화물인 경우에는 N2기체 또는 NH3기체 등과 같이 N을 포함하는 기체를 혼합하고, 탄화물인 경우에는 CH3기체 또는 C2H6기체등과 같이 C를 함유하는 기체를 혼합하며, 지지체가 산화물인 경우에는 O2기체 또는 N2O기체등과 같이 O를 함유하는 기체를 혼합한다.In addition, following the plasma treatment, a gas containing the constituent elements of the ceramics to be coated is introduced into the reaction chamber 11 and the ceramics are coated on the surface of the plasma-treated support. In this case, when the ceramics to be coated are mainly composed of Si, a gas containing Si such as SiH 4 gas or Si 2 H 6 gas, and a N-containing gas such as N 2 gas or NH 3 gas when the support is nitride In the case of carbides, gases containing C, such as CH 3 gas or C 2 H 6 gas, are mixed, and in the case of a support oxide, gases containing O, such as O 2 gas or N 2 O gas, etc. Mix it.

한편, 코팅될 세라믹스가 B를 주성분으로 하는 경우에는 Si를 함유하는 기체 대신에 BF3기체 또는 B2H6기체 등과 같이 B를 포함하는 기체를 사용하는 것이 좋다. 이와 같이 원료기체를 반응실(11)내로 도입함과 동시에 정합함(25)의 접속을 지지부재(21)에서 반응실(11)로 교환하고, 시일드(15)의 접속도 반응실(11)에서 지지부재(21)로 교환한다.On the other hand, when the ceramics to be coated have B as a main component, it is preferable to use a gas containing B, such as BF 3 gas or B 2 H 6 gas, instead of a gas containing Si. In this way, the raw material gas is introduced into the reaction chamber 11 and at the same time, the connection of the matching box 25 is exchanged from the support member 21 to the reaction chamber 11, and the connection of the shield 15 is also performed in the reaction chamber 11. ) To the support member 21.

이어서 고주파전원(24)에서 반응실(11) 및 전극(14)에 고주파 전력을 공급하여 전극(14)과 지지체(20) 사이에 플라스마를 발생시킨다. 이와 같이하여 원료기체중의 성분을 구성원소로 하는 세라믹스가 지지체(20)의 표면에 코팅되게 된다.Subsequently, high frequency power is supplied from the high frequency power supply 24 to the reaction chamber 11 and the electrode 14 to generate plasma between the electrode 14 and the support 20. In this way, ceramics containing components of the raw material gas are coated on the surface of the support 20.

다음에는 본 발명에 따른 세라믹스의 코팅조건 및 막이 형성된 세라믹스층의 두께에 대한 대표적인 예를 설명한다.Next, representative examples of the coating conditions of the ceramics according to the present invention and the thickness of the ceramic layer on which the film is formed will be described.

(a) SiN의 경우(a) for SiN

SiH4기체의 유량 : 50SCCMSiH 4 gas flow rate: 50SCCM

N2기체의 유량 : 800SCCMFlow rate of N 2 gas: 800SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 : 300WHigh Frequency Power: 300W

막 형성시간 : 1시간Film formation time: 1 hour

층의 두께 : 약 4μmLayer thickness: about 4μm

(b) SiC의 경우(b) for SiC

SiH4기체의 유량 : 50SCCMSiH 4 gas flow rate: 50SCCM

CH3기체의 유량 : 300SCCMCH 3 gas flow rate: 300SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 : 30WHigh Frequency Power: 30W

막 형성시간 : 1시간Film formation time: 1 hour

층의 두께 : 약 4μmLayer thickness: about 4μm

(c) BN의 경우(c) for BN

B2H6기체의 유량 : 50SCCMB 2 H 6 gas flow rate: 50SCCM

N2기체의 유량 : 800SCCMFlow rate of N 2 gas: 800SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 : 300WHigh Frequency Power: 300W

막 형성시간 : 1시간Film formation time: 1 hour

층의 두께 : 약 4μmLayer thickness: about 4μm

(d) SiO의 경우(d) for SiO

SiH4기체의 유량 : 50SCCMSiH 4 gas flow rate: 50SCCM

O2기체의 유량 : 800SCCMO 2 gas flow rate: 800SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 : 300WHigh Frequency Power: 300W

막 형성시간 : 1시간Film formation time: 1 hour

층의 두께 : 약 4μmLayer thickness: about 4μm

이와 같이하여 제조된 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재는 세라믹스가 고강도로 코팅되어 있고, 내마모성이 높은 특징을 갖는다.The ceramic-coated sliding member manufactured in this way is coated with high strength ceramics, and has high wear resistance.

상기와 같은 조건으로 로타리콤푸렛샤용의 축을 제조하고 이축에 대하여 10,000RPM의 회전수로 30분동안 회전시킨 다음 10분 동안 정지시키고, 다시 30분간 회전시키는 방법으로 모두 1,000시간 동안 내구성시험을 실시하였다.Under the above conditions, the shaft for the rotary compressor was manufactured and rotated for 30 minutes at a rotational speed of 10,000 RPM about the biaxial axis, and then stopped for 10 minutes, and then rotated for 30 minutes. .

상기 (a) 내지 (d)에 나타낸 각 세라믹스를 코팅시킨 축중에서 마모에 의해서 눌어붙은 부분이 생긴 것은 하나도 없었으며 층이 박리된 곳도 없어서 내구성이 매우 높다는 것이 증명되었다.In the shafts coated with the ceramics shown in the above (a) to (d), none of the pressed parts occurred due to abrasion, and there was no place where the layers were peeled off, and it was proved that the durability was very high.

또한, 상기 실시예는 지지체의 표면처리 및 세라믹스의 코팅을 플라스마 CVD방법에 따라 실시하고 있으나, 여기에 국한하지 않고 상술한 스펏터링이나 이온도금, 열 CVD 또는 CVD등과 같은 다른 방법을 사용해도 좋다.Further, in the above embodiment, the surface treatment of the support and the coating of the ceramics are carried out according to the plasma CVD method, but other methods such as sputtering, ion plating, thermal CVD, or CVD described above may be used without limitation.

한편, 플라스마 발생용 전력도 상기 실시예에서와 같이 고주파 전력에 국한하지 않고 직류전력을 사용해도 좋으나 이러한 경우에는 정합함이 필요없게 된다.On the other hand, the power for plasma generation may also be used as the direct current, not limited to the high frequency power as in the above embodiment, but in this case there is no need for matching.

이와같이하여 막이형성된 SiN, SiC, SiO 또는 BN 등의 세라믹스 층은 통상 비결정형 이지만 다결정인 부분이 있거나 일부분만 결정화되어 있든지 미결정부분이 존재하는 곳도 있다. 그러나 어떤 것이나 내마모성이 양호하여 같은 모양의 우수한 효과를 얻을 수가 있다.As such, the ceramic layer such as SiN, SiC, SiO, or BN in which the film is formed is usually amorphous, but there are polycrystalline portions or only partially crystallized portions or microcrystalline portions. However, all of them have good abrasion resistance and can obtain excellent effects of the same shape.

다음은 예시도면 제4도에 의거하여 본 실시예에 따라 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재를 플라스마 CVD법에 따라 제조하는 방법에 대하여 한 예로써 설명한다. 원통형의 반응실(31)은 그 축 방향을 수직으로 하여 적당한 지지대위에 지지되어 있으면서 절연체(32)를 통해서 전기적으로 분리되어 있다. 반응실(31)은 기계적 가압펌프나 유회전펌프 (도시되지 않음)등에 의해 배기되어 약 10-3토르의 진공도를 유지하도록 되어 있고 기체유입구(33)를 통해서 여러가지의 원료기체가 도입되도록 되어 있다.Next, a method of manufacturing a sliding member coated with ceramics according to the present embodiment according to the present embodiment of FIG. 4 by plasma CVD will be described as an example. The cylindrical reaction chamber 31 is electrically separated through the insulator 32 while being supported on an appropriate support with its axial direction perpendicular thereto. The reaction chamber 31 is exhausted by a mechanical pressurized pump or a flow pump (not shown) to maintain a vacuum degree of about 10 -3 Torr, and various raw material gases are introduced through the gas inlet 33. .

원통형의 전극(34)은 반응실(31)의 주위벽에 대하여 같은 축을 갖도록 반응실(31)내에 설치되어 있고, 상기 전극(34)과 반응실(31)의 주위벽 사이에는 원통형의 확산부재(35)가 전극(34)과 동일 축상으로 형성되어져 있다.The cylindrical electrode 34 is provided in the reaction chamber 31 so as to have the same axis with respect to the peripheral wall of the reaction chamber 31, and a cylindrical diffusion member between the electrode 34 and the peripheral wall of the reaction chamber 31. 35 is formed coaxially with the electrode 34.

상기 전극(34) 및 확산부재(35)에는 각각 복수의 통기공(36,37)이 개설도 있는데 기체유입구(33)를 통해서 반응실(31)내로 유입된 기체는 확산부재(35)의 통기공(37) 및 전극(34)의 통기공(36)을 통과하여 반응실(31)의 중심부에 공급되게 되고, 이와 같이하여 반응실(31)의 중심부에 기체가 균일하게 확산되어 공급된다.The electrode 34 and the diffusion member 35 are each provided with a plurality of vent holes 36 and 37. The gas introduced into the reaction chamber 31 through the gas inlet 33 is the cylinder of the diffusion member 35. The pores 37 and the vent holes 36 of the electrode 34 pass through the pores 37 and are supplied to the center of the reaction chamber 31. In this way, the gas is uniformly diffused into the center of the reaction chamber 31.

전극(34) 및 확산부재(35)는 반응실(31)과 동일한 전위를 가지며 전극(34)등은 고주파전원(38)에 접속되어 있어서 전극(34)에 고주파전력을 공급하도록 되어 있다.The electrode 34 and the diffusion member 35 have the same potential as the reaction chamber 31, and the electrode 34 and the like are connected to the high frequency power source 38 to supply high frequency power to the electrode 34. As shown in FIG.

반응실(31)의 중심에는 지지체(40)가 그 축방향을 수직으로 하여 전극(34)의 축 중심에 부설되어 있고, 반응실(31)의 모판상에는 절연체(32)를 사이에 두고 지지부재(41)가 배설되어 있으며, 상기 지지부재(41)는 접지되어 있다. 지지체(40)는 상기 지지부재(41)에 부착되어 반응실(31)내로 들어와 있는데, 지지체(40)도 지지부재(41)와 같이 접지되어 있기 때문에 고주파전원(38)에서 전극(34)에 고주파전력이 공급되게 되면 전극(34)과 지지체(40)의 사이에 플라스마방저이 일어나게 된다. 이와 같이 구성된 장치에 따라 우선 지지체의 표면을 탄화시켜 표층부에 탄소가 고농도로 함유된 부분을 형성시킨다. 즉 반응실(31)을 약 10-3토르가 되도록 배기시킨 다음, 펌프로 계속 배기시키면서 기체유입구(33)를 통해서 CF4기체 또는 CH4기체등과 같이 탄소를 함유하는 기체를 반응실(31)내로 도입시켜 반응실(31)을 예컨대 1토르의 압력이 되도록 조절하고, 전극(34)과 지지체(40)의 사이에 고주파전력을 공급하여 플라스마를 일으키면 지지체(40)의 표면이 탄화되게 된다.The support 40 is attached to the center of the reaction chamber 31 at the center of the axis 34 of the electrode 34 with its axial direction perpendicular to the center of the reaction chamber 31. On the mother plate of the reaction chamber 31, the support member is interposed between the insulators 32. 41 is disposed, and the support member 41 is grounded. The support 40 is attached to the support member 41 and enters the reaction chamber 31. Since the support 40 is also grounded like the support member 41, the support 40 is connected to the electrode 34 from the high frequency power supply 38. When the high frequency power is supplied, a plasma discharge occurs between the electrode 34 and the support 40. According to the device configured as described above, the surface of the support is first carbonized to form a portion containing a high concentration of carbon in the surface layer portion. That is, the reaction chamber 31 is evacuated to about 10 −3 Torr, and the gas containing carbon, such as CF 4 gas or CH 4 gas, is passed through the gas inlet 33 while continuing to evacuate the pump. The reaction chamber 31 is controlled to have a pressure of 1 Torr, for example, and the plasma is generated by supplying high frequency power between the electrode 34 and the support 40 to carbonize the surface of the support 40. .

이때, 탄소를 함유하는 기체만으로 공급하여 플라스마를 일으키게 되면 플라스마에 의하여 탄소가 중합되므로서 형성되는 막이 지지체의 표면에 부착될 우려가 있는 바, 이 막이 약할 경우에는 다음 공정에서 형성되는 세라믹스층이 쉽게 박리되어 좋지 않다. 따라서 반응실 내에 탄소를 함유하는 기체 이외에 Ar기체, He기체, 또는 N2기체등과 같은 기체를 도입시켜 이들의 혼합기체로 플라스마를 발생시키는 것이 좋은데, 이는 Ar기체등의 혼합에 의해 탄소의 중합이 생기기가 어렵고 탄소와 철 사이의 반응이 쉽게 진행되기 때문이다. 이와 같은 혼합기체로서는, 특히 불활성이고 이온화에너지가 크다는 점에서 Ar기체가 가장 좋다. 일반적인 탄화처리의 예를 들어 보면 다음과 같다.At this time, if a plasma is generated by supplying only a gas containing carbon, a film formed by polymerization of carbon by plasma may adhere to the surface of the support. When the film is weak, the ceramic layer formed in the next step is easily formed. It is not good to peel off. Therefore, it is better to introduce a gas such as Ar gas, He gas, or N 2 gas in addition to the gas containing carbon in the reaction chamber to generate plasma with these gas mixtures. This is difficult to produce and the reaction between carbon and iron proceeds easily. As such a mixed gas, an Ar gas is most preferable in that it is particularly inert and has large ionization energy. An example of general carbonization is as follows.

CH4기체유량 : 50SCCMCH 4 gas flow rate: 50SCCM

Ar 기체유량 : 300SCCMAr gas flow rate: 300SCCM

반응압력(진공도) : 1.0토르Reaction pressure (vacuum degree): 1.0 Torr

고주파전력 : 500WHigh Frequency Power: 500W

처리시간 : 30분Treatment time: 30 minutes

상기와 같이 탄화처리를 실시함에 있어서, 지지체를 미리 가열시켜도 좋으나 플라스마가 발생되면 이 플라스마에 의해서 지지체가 가열되기 때문에 별도의 가열장치를 둘 필요는 없다.In carrying out the carbonization treatment as described above, the support may be heated in advance, but if a plasma is generated, the support is heated by this plasma, and thus it is not necessary to provide a separate heating device.

또한 탄소의 공급원으로서는 상술한 기체 뿐만아니라 고체를 사용해도 좋은데, 이때에는 Ar의 플라스마로 탄소를 두드려 탄소를 함유한 고체에서 탄소가 나오게하면 된다.As the carbon source, not only the above-mentioned gases but also solids may be used. In this case, carbon may be emitted from a carbon-containing solid by tapping carbon with an Ar plasma.

상기 탄화처리에 이어서 코팅될 세라믹스의 구성원소를 함유하는 기체를 반응실(31)내에 도입시키고, 표면이 탄화된 지지체에 세라믹스를 코팅시킨다. 코팅될 세라믹스가 Si를 주성분으로 하는 경우에는 SiH4기체 또는 Si2H5기체등과 같이 Si를 주성분으로 하는 경우에는 SiH4기체 또는 Si2H5기체 등과 같이 Si를 함유하는 기체에다 지지체가 질화물인 경우에는 N2기체 또는 NH3기체 등과 같이 N을 함유하는 기체를 혼합시키고, 탄화물인 경우에는 CH4기체 또는 C2H6기체등과 같이 C를 함유하는 기체를 혼합시키며, 산화물인 경우에는 O2기체 또는 N2O기체등과 같은 O를 함유하는 기체를 혼합시킨다.Following the carbonization treatment, a gas containing a constituent element of the ceramic to be coated is introduced into the reaction chamber 31, and the ceramic is coated on the surface of the carbonized support. In the case where the ceramics to be coated are mainly composed of Si, such as SiH 4 gas or Si 2 H 5 gas, when the main component is Si, the support is nitrided in a Si-containing gas such as SiH 4 gas or Si 2 H 5 gas. In case of N, gas containing N such as N 2 gas or NH 3 gas is mixed, and in case of carbide, gas containing C, such as CH 4 gas or C 2 H 6 gas, is mixed. Gases containing O, such as O 2 gas or N 2 O gas, are mixed.

한편, 코팅될 세라믹스기체가 B를 주성분으로 하는 경우에는 Si를 함유하는 기체 대신에 BF3기체 또는 B2H6기체등과 같이 B를 함유하는 기체를 혼합하는 것이 좋다. 또한 SiCxNy의 막을 형성시키기 위해서는 SiH4기체와 O2기체 또는 N2O기체와의 혼합기체에다 CH4기체를 가하면 된다.On the other hand, when the ceramic gas to be coated contains B as a main component, it is preferable to mix a gas containing B, such as BF 3 gas or B 2 H 6 gas, instead of the gas containing Si. In order to form a SiCxNy film, CH 4 gas may be added to a mixed gas of SiH 4 gas and O 2 gas or N 2 O gas.

다음은 이와 같은 장치에 의해서 세라믹스를 코팅시키는데 따른 막형성존 및 막이 형성된 세라믹스의 막두께의 대표적인 예에 대하여 설명한 것이다.The following is a description of a typical example of the film forming zone and the film thickness of ceramics in which a film is formed by coating ceramics by such a device.

(a) SiN의 경우(a) for SiN

SiH4기체의 유량 : 100SCCMSiH 4 gas flow rate: 100SCCM

N2기체의 유량 : 300SCCMFlow rate of N 2 gas: 300SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 : 500WHigh Frequency Power: 500W

막 형성시간 : 30분Film formation time: 30 minutes

층의 두께 : 약 3μmLayer thickness: about 3μm

(b) SiC의 경우(b) for SiC

SiH4기체의 유량 : 100SCCMSiH 4 gas flow rate: 100SCCM

CH4기체의 유량 : 300SCCMCH 4 gas flow rate: 300SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파압력 : 500WHigh Frequency Pressure: 500W

막 형성시간 : 30분Film formation time: 30 minutes

층의 두꼐 : 약 3μmLayer thickness: about 3μm

(c) BN의 경우(c) for BN

BF3기체의 유량 : 100SCCMFlow rate of BF 3 gas: 100SCCM

N2기체의 유량 : 300SCCMFlow rate of N 2 gas: 300SCCM

반응압력 : 1.0토르Reaction pressure: 1.0 Torr

고주파전력 :500WHigh Frequency Power: 500W

막 형성시간 : 30분Film formation time: 30 minutes

층의 두께 : 약 3μmLayer thickness: about 3μm

(d) SiO의 경우(d) for SiO

SiH4기체의 유량 : 100SCCMSiH 4 gas flow rate: 100SCCM

O2기체의 유량 : 300SCCMO 2 gas flow rate: 300SCCM

반응 압력 : 1.0 토르Reaction pressure: 1.0 thor

고주파 전력 : 500WHigh frequency power: 500W

막 형성시간 : 30분Film formation time: 30 minutes

층의 두께 : 약 3μmLayer thickness: about 3μm

이와 같이하여 제조된 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재는 세라믹스가 고강도로 코팅되고 내마모성이 높은 특징을 갖는다.The ceramic-coated sliding member manufactured as described above is characterized in that the ceramics are coated with high strength and have high wear resistance.

상기와 같은 막 형성조건으로 로타리 콤푸렛샤용 축을 제조하고, 이 축에 대하여 10,000RPM의 회전수로 30분간 연속적으로 슬라이딩을 시킨다음, 10분간 정지시키고, 다시 30분간 슬라이딩시키는 방법으로, 1,000시간동안 내구성 시험을 실시하였다.The rotary compressor shaft was manufactured under the film forming conditions as described above, and the shaft was slid continuously for 30 minutes at a rotational speed of 10,000 RPM, and stopped for 10 minutes, and then slid for 30 minutes. Durability test was performed.

상기 (a) 내지 (d)에 표시된 세라믹스를 코팅한 축 중에서 마모에 의해서 늘어붙은 부분이 생긴 것은 하나도 없었으며, 층이 박리된 곳도 없어서 내구성이 매우 높은 것이 입증되었다.None of the shafts coated with the ceramics shown in the above (a) to (d) were formed due to abrasion, and there was no place where the layers were peeled off, which proved to be very durable.

또한, 상기 실시예에서는 모재표면의 탄화 및 세라믹스의 코팅을 플라스마 CVD에 따라 실시한 것이긴 하지만, 이에 국한되지 않고 상술한 바와 같이 스펏터링 또는 이온도금 등과 같은 다른 방법을 사용해도 좋다.Further, in the above embodiment, carbonization of the surface of the base material and coating of ceramics are performed by plasma CVD, but not limited thereto, and other methods such as sputtering or ion plating may be used as described above.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 슬라이딩부재는 철을 주성분으로하는 지지체에 대해서도 세라믹스층이 높은 접착성으로 접착되고, 내마모성이 우수한 부재를 얻을 수가 있을 뿐만 아니라, 이 부재는 슬라이딩하는 상대부재를 연삭시키지 않고 눌어붙게 되는 것도 방지할 수 있다.As described above, in the sliding member according to the present invention, the ceramic layer is adhered to the support mainly composed of iron with high adhesiveness, and a member having excellent abrasion resistance can be obtained. It can also be prevented from sticking together.

Claims (14)

세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재에 있어서, 그 표면에 탄소, 산소 또는 질소중에서 선택된 적어도 하나의 원소가 풍부하게 함유된 처리층(3)을 가진 금속성의 지지체(1)와, 상기 지지체(1)의 표면상에 코팅된 세라믹스층(4)으로 된 것임을 특징으로 하는 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재.A sliding member coated with ceramics, comprising: a metallic support (1) having a treatment layer (3) rich in at least one element selected from carbon, oxygen, or nitrogen on the surface thereof, and a surface of the support (1) A sliding member coated with ceramics, characterized in that the ceramic layer (4) coated on. 제1항에 있어서, 지지체(1)는 철을 주성분으로 하되, 니켈, 크롬, 알루미늄, 망간, 마그네슘 또는 바나듐중에서 선택된 적어도 하나의 원소가 함유된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 1, wherein the support (1) contains iron as a main component and contains at least one element selected from nickel, chromium, aluminum, manganese, magnesium or vanadium. 제1항에 있어서, 세라믹스층(4)은 실리콘을 주성분으로하여서 된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.2. A sliding member according to claim 1, wherein the ceramic layer (4) is composed mainly of silicon. 제1항에 있어서, 세라믹스층(4)은 주기율표의 제Ⅲ족에 속하는 원소를 주성분으로 하여서 된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 1, wherein the ceramic layer (4) is composed mainly of an element belonging to group III of the periodic table. 제3항 또는 제4항에 있어서, 세라믹스층(4)은 수소 또는 할로겐원소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소가 함유된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 3 or 4, wherein the ceramic layer (4) contains at least one element selected from hydrogen or a halogen element. 제1항에 있어서, 처리층(3)은 아르곤이 함유된 기체의 플라스마에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 1, wherein the treatment layer (3) is formed by a plasma of argon-containing gas. 제6항에 있어서, 처리층(3)은 탄소, 산소 및 질소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 함유하는 기체의 플라스마에 의하여 형성된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.7. A sliding member according to claim 6, wherein the treatment layer (3) is formed by a plasma of a gas containing at least one element selected from carbon, oxygen and nitrogen. 제1항에 있어서, 세라믹스층(4)은 감압하에서 형성된 플라스마에 의해서 형성된 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 1, wherein the ceramic layer (4) is formed by plasma formed under reduced pressure. 제8항에 있어서, 세라믹스층(4)을 형성하는 플라스마는 지지체(1)에 고주파전력 또는 직규전력을 공급함으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 슬라이딩부재.The sliding member according to claim 8, wherein the plasma forming the ceramic layer (4) is formed by supplying high frequency power or direct power to the support (1). 제1항에 있어서, 세라믹스층(4)은 질화규소, 질화붕소, 탄화규소, 탄화붕소, 산화규소, 탄질화규소, 탄질화붕소, 탄산화규소 또는 탄산화붕소 인 것임을 특징으로 하는 슬라이딩부재.2. The sliding member according to claim 1, wherein the ceramic layer (4) is silicon nitride, boron nitride, silicon carbide, boron carbide, silicon oxide, silicon carbide, boron carbonitride, silicon carbonate or boron carbonate. 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재를 제조함에 있어서, 탄소, 산소 또는 질소 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 함유하는 금속성지지체(1)표면에 아르곤이 함유된 기체분위기 하에서 플라스마를 발생시켜서 지지체(1)표면에 상시 원소를 고농도로 함유하는 처리층(3)을 형성시키는 공정과, 지지체(1)의 표면상에 세라믹스층(4)을 형성시키는 공정을 포함하여서 되는 것을 특징으로 하는 세라믹스가 코팅된 슬라이딩부재의 제조방법.In manufacturing the sliding member coated with ceramics, plasma is generated in the gas atmosphere containing argon on the surface of the metallic support (1) containing at least one element selected from carbon, oxygen or nitrogen, and always on the surface of the support (1). Manufacture of a sliding member coated with ceramics, comprising the step of forming a treatment layer 3 containing a high concentration of an element, and a step of forming a ceramic layer 4 on the surface of the support 1. Way. 제11항에 있어서, 금속성지지체(1)는 철을 주성분으로하여서 되는 것임을 특징으로 하는 방법.12. The method according to claim 11, wherein the metallic support (1) is composed mainly of iron. 제11항에 있어서, 세라믹스층(4)은 실리콘 또는 주기율표의 Ⅲ족에 속하는 원소들 중에서 선택된 원소를 주성분으로 하여서 되는 것임을 특징으로 하는 방법.12. The method according to claim 11, wherein the ceramic layer (4) is composed mainly of an element selected from silicon or elements belonging to group III of the periodic table. 제13항에 있어서, 세라믹스층(4)을 형성하는 공정은 그 구성원소를 함유하는 기체조건하에서 플라스마를 형성시키는 공정을 포함하여서 되는 것임을 특징으로 하는 방법.The method according to claim 13, wherein the step of forming the ceramic layer (4) comprises the step of forming a plasma under gaseous conditions containing its elemental elements.
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