KR880007362A - 응축 다이아몬드 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

응축 다이아몬드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시를 위하여 유용한 장치의 측면도, 제2도는 본 발명의 실시를 위하여 유용한 장치의 측단면도.
제2도는 본 발명의 실시를 위하여 제1도의 장치와 그 관련된 성분들의 평단면도.
제3도는 가스 전달을 위하여 다르게 배열될 뿐만 아니라 추가적인 전기저항 히터 코일이 포함되어 있는 제1도의 장치에 대하여 변경된 확대 측면도.

Claims (23)

  1. CVD 방법에 의하여 다이아몬드의 생산에서 유용한 장치에 있어서, (a)반응실과, (b)상기 반응실 안으로 흐르게 하기 위하여 반응실내에서 수소와 탄화수소 가스의 가스 혼합물이 이입되는 가스 유입수단과, (c) 상기 반응실을 통하여 가스의 흐름을 설정하고 상기 반응실로부터 가스를 비우기 위하여 상기 반응실과 연결된 출구 수단과, (d)상기 가스 유입 수단으로부터 가스의 흐름이 상기 히터 부재 위로 흐르게 위치하며 상기 가스 유입 수단에 인접한 상기 반응실내의 금속 전기저항 히터 부재와, (e)상기 반응실내에서 상기 전기저항 히터 위로 흐르는 가스에 의하여 부딪히게 되는 상기 히터 부재에 인접한 상기 반응실내에 설치된 기판과, (f) 상기 반응실내에 가스 흐름으로 인하여 반응면을 제공하고 약 2000℃ 이상으로 상기 히터 부재의 온도를 끌어올리기 위하여 상기 히터 부재와 전력원이 연결된 상기 히터 부재에 관련이 있는 전기 연결 수단과, (g)가스 프라스마로부터 응축됨으로써 그 위에 탄소의 형태인 침전 다이아몬드와 상기 기판상에 응축하기 위하여 상기 가스 프라스마가 발생하므로 상기 기판에 인접한 그 내에 원자 수소와 가스 프라스마가 발생하기 위하여 상기 히터 부재와 상기 기판에 대항하며 상기 반응실내에서 흐르는 가스안으로 파동 에너지를 분사하기 위하여 채택되며 상기 반응실과 관련이 있는 파동 에너지 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 응축 다이아몬드의 생산에서 유용한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파동 에너지 발생기는 상기 반응실내에 가스의 흐름 안으로 마이크로파 에너지를 발생하고 상기 마이크로파 에너지를 주사하기 위하여 채택된 전자기파 에너지 발생기인 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저항기 히터 부재는 텅스텐, 몰리브덴, 레늄, 그들의 합금이나 금속와이어 코일인 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판은 비금속인 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 기판은 탄소 필라멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 비금속은 브롬이나 브롬을 포함한 혼합물인 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 비금속은 흑연인 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제3항에 있어서, 추가적인 전기저항 히터 코일은 그것의 온도를 올리기 위하여 기판과 관련이 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제3항에 있어서, 기판은 액체 금속이나 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 기판 금속은 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 탄소를 함유하는 가스의 응축으로부터 탄소로 구성된 다이아몬드를 생산하기 위한 CVD공정에 있어서, (1)반응실에서 수소와 탄화수소의 혼합물을 발생하는 단계와, (2) 약 2000℃ 이상으로 가령된 내화성 금속면을 가로질러 상기 혼합물을 통과하는 단계와, (3) 그안에 원자 수소의 중요한 양을 가지는 가스 프라스마를 발생하기 위하여 가스의 상기 혼합물을 전자기파에 동시에 종속시키는 단계와, (4) 상기 기판상에 탄소로 구성된 다이아몬드를 침전하기 위하여 상기 반응실내의 기판을 가열하는 단계와, (5) 상기 기판으로 부터 탄소로 구성된 다이아몬드를 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD공정.
  12. 제11항에 있어서, 상기 내화성 금속면은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 CVD공정.
  13. 제11항에 있어서, 상기 기판은 내화성 금속인 것을 특징으로 하는 CVD 공정.
  14. 제11항에 있어서, 상기 기판은 몰리브덴 금속 박인 것을 특징으로 하는 CVD공정.
  15. 제11항에 있어서, 상기 기판의 온도는 약 1000℃ 로부터 약 2500℃의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 CVD공정.
  16. 제11항에 있어서, 상기 기판은 비금속인 것을 특징으로 하는 CVD공정.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판은 유리된 탄소 필라멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 DCV공정.
  18. 공정에 의하여 얻어지는 탄소로 구성된 다이아몬드에 있어서, (1) 반응실을 통과하여 수소와 메탄 가스의 혼합물을 발생하는 단계와, (2) 상기 가스 혼합물을, (a) 약 2000℃ 이상으로 가열된 반응면과, (b) 그 안에 원자수소의 중요한 양을 가지는 상기 가스 혼합물내에 가스 프라스마를 형성하기 위하여 상기 반응면과 상기 기판에 대향하는 전자기파 에너지에 동시에 종속시키는 단계와, (3) 상기 면상에 탄소로 구성된 다아아몬드를 침전하기 위하여 기판면상에 상기 가스 프라스마를 응축하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
  19. 제18항에 있어서, 탄소로 구성된 다이아몬드는 단결정 다면 형태인 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
  20. 제18항에 있어서, 탄소로 구성된 다이아몬드는 다결정인 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
  21. 제18항에 있어서, 탄소로 구성된 다이아몬드는 전기 반도체성 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
  22. 제18항에 있어서, 탄소로 구성된 다이아몬드는 합착된 관계에서 인접 얇은층에 결합되고 상호 연장하고 단단한 각 얇은층과 납작하게 쌓인 관계에서 복수개의 편면 얇은층의 얇은층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
  23. 제22항에 있어서, 상기 층의 하나는 인접층과 다른 전기 반도체성특성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 다이아몬드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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