Claims (10)
정제할 조제규소를 용해하고, 이 용융조제 규소를 불활성가스 분위기 중에서 응고온도를 초과한 상태로 유지하고 또한 용융조제 규소중에 중공회전 냉각체를 침지하는 동시에, 이 중공회전 냉각체의 내부에 냉각유체를 보내면서 회전냉각체를 회전시켜서 그 표면에 고순도 규소를 정출시키는 것으로 구성된 규소의 정체방법.The crude silicon to be purified is dissolved, and the molten crude silicon is kept in a state exceeding the solidification temperature in an inert gas atmosphere, and the hollow rotary cooling body is immersed in the molten auxiliary silicon, and the cooling fluid is inside the hollow rotary cooling body. A method of stagnation of silicon consisting of rotating the rotary cooling body while sending a high purity silicon on its surface.
제1항에 있어서, 회전시의 냉각체의 주속이 500-600mm/초인 것을 특징으로 하는 규소의 정제방법.The method for purifying silicon according to claim 1, wherein the circumferential speed of the cooling body at the time of rotation is 500-600 mm / sec.
제1항에 있어서, 회전시의 냉각체의 주속이 500-1500mm/초인 것을 특징으로 하는 규소의 정제방법.The method for purifying silicon according to claim 1, wherein the circumferential speed of the cooling body during rotation is 500-1500 mm / sec.
제1항에 있어서, 불활성가스가 아르곤 가스인 것을 특징으로 하는 규소의 정제방법.The method of purifying silicon according to claim 1, wherein the inert gas is argon gas.
발열체를 구비한 용해로와 ; 용해로 내에 도가니를 배치하고, 도가니 내에 장입된 용융규소를 불활성 가스 분위기하에 놓는 장치와, 도가니 내에 배치된 회전이 가능한 중공회전 냉각체와, 중공회전 냉각체 내에 냉각유체를 공급하는 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는 조제규소를 정제하여 고순도 규소를 얻기 위한 규소의 정제장치.A melting furnace having a heating element; The apparatus includes a device in which a crucible is placed in a melting furnace and a molten silicon charged in the crucible is placed under an inert gas atmosphere, a hollow rotating cooling body disposed in the crucible, and a device supplying a cooling fluid in the hollow rotating cooling body. A refiner of silicon for purifying crude silicon characterized by obtaining high purity silicon.
상단이 개구된 용해로 본체와, 본체의 상단개구를 막는 뚜껑으로 구성되고, 내부에 발열체를 구비한 용해로와, 상단이 개구되고, 또 용해로 내에 배치되는 도가니와, 상기 뚜껑을 관통해서 뚜껑에 장치되어 용해로 내로 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급관과, 뚜껑을 관통하여 도가니 내에 배치된 회전이 가능한 중공회전냉각체와, 중공회전 냉각체 내에 배치되고, 중공회전 냉각체내에 냉각유체를 공급하는 냉각유체 공급관으로 구성되는 것을 특징으로 하는 조제규소를 정제하여 고순도 규소를 얻기 위한 규소의 정제장치.A melting furnace body having an upper end opening, a lid blocking an upper opening of the main body, a melting furnace having a heating element therein; a crucible having an upper end opening and disposed in the melting furnace; An inert gas supply pipe for supplying an inert gas into the melting furnace, a hollow rotary coolant that is rotatable through the lid and disposed in the crucible, and a cooling fluid supply pipe that is disposed in the hollow rotary coolant and supplies cooling fluid to the hollow rotary coolant Refining device of silicon for purifying crude silicon, characterized in that consisting of high purity silicon.
제6항에 있어서, 뚜껑에 최소한 1개의 용융규소 유속저하용 방해판이 조지(持 : 매달아 지지함) 부재를 개재하여 매단 상태로 설치되고, 그 방해판의 상단이 도가니에 든 용융규소의 액면보다 하방에 있고, 하단이 냉각체의 하단보다 약간 하방에 있는 것을 특징으로 하는 규소의 정제장치.7. The lid of claim 6, wherein at least one molten silicon flux reducing baffle is provided on the lid. 持: suspended support) silicon, which is installed in a suspended state via a member, the upper end of which is below the liquid level of the molten silicon in the crucible, and the lower end is slightly lower than the lower end of the cooling body. Refiner.
제6항에 있어서, 도가니의 내면에 최소한 1개의 용융규소 유속저하용 방해판이 설치되고, 이 방해판의 상단이 도가니에 든 용융규소의 액면보다 하방에 있고, 하단이 냉각체의 하단보다도 하방에 있는 것을 특징으로 하는 규소의 정제장치.7. A molten silicon flow rate lowering baffle plate is provided on the inner surface of the crucible, the upper end of which is below the liquid level of the molten silicon contained in the crucible, and the lower end is lower than the lower end of the cooling body. Purifier of silicon characterized in that.
제5항 또는 제6항에 있어서, 도가니가 흑연 또는 알루미나제이고 그 내면에 2산화규소층이 존재하는 것을 특징으로 하는 규소의 정제장치The silicon purifier according to claim 5 or 6, wherein the crucible is made of graphite or alumina, and a silicon dioxide layer is present on an inner surface thereof.
제5항 또는 제6항에 있어서, 중공회전 냉각체가 질화규소 또는 흑연으로 구성되는 것을 특징으로 하는 규소의 정제장치.7. The silicon purifier according to claim 5 or 6, wherein the hollow rotary cooling body is made of silicon nitride or graphite.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.