KR880000643B1

KR880000643B1 - 전자 레인지의 구동 제어회로

Info

Publication number: KR880000643B1
Application number: KR1019850004394A
Authority: KR
Inventors: 박종인
Original assignee: 주식회사 금성사; 허신구
Priority date: 1985-06-20
Filing date: 1985-06-20
Publication date: 1988-04-19
Also published as: KR870000625A

Abstract

내용 없음.

Description

전자 레인지의 구동 제어회로

제1도는 본 발명의 구동 제어 회로도.

제2도는 제1도 각부의 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 정류회로 2 : 정전압회로

3 : 구형파 발생회로 4 : 마이크로 프로세서

5 : 마그네트론 구동회로 6 : 정전 검출회로

7 : 오동작 검출회로 8 : 보호회로

본 발명은 마크네트론을 구동시켜 음식물을 가열하는 전자 레인지의 구동 제어 회로에 관한 것으로 특히 마그네트론의 온·오프시 및 순간 정전시 마그네트론을 구동하는 고압 트랜스의 일차측에 과대 돌입 전류가 발생되지않게 하여 회로 부품의 손상을 방지함은 물론 마이크로 프로세서가 오동작할 경우에 마그네크론이 구동되지 않게 한 전자 레인지의 구동 제어회로에 관한 것이다.

종래의 전자 레인지들은 소프트 웨어에만 의존하여 마그네트론을 구동하는 고압 트랜스이 일차측에 과대 돌입 전류가 발생하지 않게 제어하였으나, 이는 그 프로그램의 작성이 매우 힘들고, 또한 그 프로그램을 저장하기 위한 많은 기억용량을 필요로 하여 복잡한 기능의 다른 콘트롤러를 개발하기가 매우 힘이들며, 기억용량이 많은 칩(chip)을 사용해야 되므로 생산단자가 상승할 뿐만 아니라 마이크로 프로세서가 오동작할 경우를 대배하여 이를 감지하기 위한 많은 하이드 웨어를 필요로 하는 결함이 있었다.

본 발명은 이와 같은 종래의 결함들을 감안하여, 마이크로 프로세서로 ①위상지연된 신호를 발생하여 그 위상 지연 신호로 트리거 신호를 발생하여 그 위상 지연 신호를 트리거 신호를 만들고, ②그 트리거 신호를 기준 전압과 비교하여 적당한 순간에 마그네트론을 구동시키는 고압 트랜스에 전원을 인가함으로써, ③고압 트렌스의 일차측에 과대 돌입 전류가 발생하지 않게함은 물론 ④순간 정전 및 마이크로 프로세서의 오동작시 이를 검출하여 마그네트론의 구동을 정지시키는 구동 제어 회로를 발명한 것으로 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제1도에 도시한 바와 같이 전원(AC)에 일차측(T₁₁)이 접속된 강압 트랜스(T₁)의 이차측(T₁₂)을 다이오드 브리지(BD₁)를 통해 콘덴서(C₁)에 접속하여 정류회로(1)를 구성하고, 정류 회로(1)의 출력측은 각 부에 동작 전원(V_cc2)을 공급하는 정전압회로(2)의 입력측에 접속하는 한편, 상기 다이오드 브리지(BD₁)의 다이오드(D₂)(D₃)의 접속점을 콜렉터가 저항(R₂)을 통해 상기 정전압회로(2)의 출력측인 전원(V_cc2)에 트랜지스터(TR₁)의 베이스에 저항(R₁)을 통해 접속하여 구형파 발생회로(3)를 구성하고, 그 구형파 발생 회로(3)의 출력측을 마이크로 프로세서(4)의 입력단자(I₁)에 접속한다.

그리고, 마이크로 프로세서(4)의 구동신호 출력단자(P₁)는 저항(R₃)을 통해 트랜지스터(TR₂)의 베이스에 접속하여 그의 콜렉터를 저항(R₄)(R₅)및 연산 증폭기(IC₁)의 반전 입력단자(-)에 접속하고, 지연신호 출력단자(P₂)는 다이오드(D₅) 및 저항(R₆)을 통해 저항(R₇)(R₈) 및 연산 증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에 접속함과 동시에 그 접속점을 저항(R₉)을 통해 연산 증폭기(IC₁)의 출력측 및 트랜지스터(TR₃)의 베이스에 접속된 저항(R₁₀)에 접속하여 그의 콜렉터를 릴레이 (RL₁)에 접속하며, 그 릴레이(RL₁)의 스위치(RL₁₁)의 가동 단자는 트라이악(TRIAC)의 게이트에 접속하며, 고정단자는 저항(R₁₁)을 통해 트라이악(TRIAC)의 전극(T₂)에 접속하여 마그네트론 구동회로(5)를 구성한다.

또한 상기 다이오드 브리지(BD₁)의 다이오드(D₂)(D₃)의 접속점을 저항(R₁₂) 및 직렬로 접지된 다이오드(D₆)(D₇), 접지콘덴서(C₂), 저항(R₁₃)을 통해 저항(R₁₄) 및 콜렉터에 저항(R₁₅)이 접속된 트랜지스터(TR₄)의 베이스에 접속하여 정전 검출회로(6)를 구성하고, 상기 마이크로 프로세서(4)의 지연신호 출력단자(P₂)는 저항(R₁₆)을 통해 트랜지스터(TR₅)의 베이스에 접속하여 그의 콜렉터를 저항(R₁₇)에 접속함과 동시에 그 접속점을 콘덴서(C₃)를 통해 저항(R₁₈) 및 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 접속하고, 트랜지스터(TR₆)의 콜렉터는 저항(R₁₉) 및 콘덴서(C₄), 콜렉터에 저항(R₂₀)이 접속된 트랜지스터(TR₇)의 베이스에 접속하여 오동작 검출회로(7)를 구성하는 한편, 상기 정전 검출회로(6) 및 오동작 검출회로(7)의 출력측을 다이오드(D₈)(D₉)를 각기 통해 트랜지스터(TR₈)의 베이스에 접속하여 보호회로(8)를 구성하고, 그 보호회로(8)의 출력측인 트랜지스터(TR₈)의 콜렉터를 상기 마그네트론 구동회로(5)의 연산 증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에 접속하여 구성한 것으로, 상기에서 마이크로 프로세서(4)의 지연신호 출력단자(P₂)는 그의 입력단자(I₁)에 입력된 구형파를

만큼 지연한 후 그 폭을 좁힌 지연신호가 출력되는 단자이며, 트라이악(TRIAC)은 릴레이(RL₁)의 스위치(RL₁₁)가 단락되면 온되어 마그네트론을 구동시키는 고압 트랜스의 일차측에 동작 전원이 인가되게 한다.

이와 같이 구성된 본 발명의 작용 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

전원(AC)이 인가되면 그 전원(AC)은 트랜스(T₁)에 의해 강압된 후 다이오드 브리지(BD₁) 및 콘덴서(C₁)에 의해 정류되고, 그 정류된 전압은 정전압 회로(2)에 의해 정전압으로 되어 각부에 동작 전원(V_cc2)을 공급하게 되고, 이때 다이오드 브리지(BD₁)의 다이오드(D₂)(D₃)의 접속점에는 제2(a)도에 도시한 바와 같이 반파 정류된 정현파가 출력되어 구형파 발생회로(3)의 저항(R₁)을 통해 트랜지스터(TR₁)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(TR₁)은 온·오프를 반복하여 제2(a)도에 도시한 바와 같이 그의 콜렉터에 구형파가 발생하고, 그 구형파는 마이크로 프로세서(4)의 입력단자(I₁)에 입력되어 제2(c)도에 도시한 바와 같이 그의 지연신호 출력단자(P₂)에는

만큼 지연된 지연 펄스 신호가 출력되며, 그 지연신호는 다이오드(D₅) 및 저항(R₆)을 통해 연산 증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에 인가된다.

여기서, 사용자가 전자 레인지를 동작시켜 제2(d)도에 도시한 바와 같이 마이크로 프로세서(4)의 구동신호 출력단자(P₁)에 일정주기 간격으로 고전위 및 저전위를 반복하는 구동신호가 출력되면, 그 구동신호는 저항(R₃)을 통해 트랜지스터(TR₂)의 베이스에 인가되어 오프 및 온을 반복하게 되므로, 연산 증폭기(IC₁)의 반전 입력단자(-)에는 전원(V_CC2)을 저항(R₄)(R₅)으로 분할한 저전위 및 전원(V_cc2)이 트랜지스터(TR₂)를 통한 고전위가 일정 간격으로 반복되면서 인가된다.

이때, 시간(t₁)에 구동신호 출력단자(P₁)에 저전위가 출력되어 연산 증폭기(IC₁)의 반전 입력단자(-)에 인가된 고전원(V_BH)가 제2(e)도에 도시한 바와 같이 지연신호 출력단자(P₂)에서 출력되어 그의 비반전 입력단자(+)에 인가된 지연신호 보다 높게하면, 연산 증폭기(IC₁)의 출력측에는 계속해서 저전위가 출력되어 트랜지스터(TR₃)의 베이스에 인가되므로 트랜지스터(TR₃)는 오프되어 릴레이(RL₁)가 구동되지 않고, 이에 따라 릴레이(RL₁)이 스위치(RL₁₁)가 단락되지 않아 트라이악(TRIAC)이 구동되지 않게 되므로 고압 트랜스의 일차측에 동작 전원이 인가되지 않아 마그네트론이 구동되지 않는다.

그리고, 시간(t₂)에 구동신호 출력단자(P₁)에 고전위가 출력되어 연산 증폭기(IC₁)의 반전 입력단자(-)에 인가된 저전위(V_BH)가 제2(e)도에 도시한 바와 같이 비반전 입력단자(+)에 인가된 지연 펄스 신호의 최대 전압보다 약간 낮게하면, 펄스신호가 출력된 시간(t₃)에 연산 증폭기(IC₁)의 출력측에 고전위가 출력되고, 그 출력된 고전위는 저항(R₉)을 통해 비반전 입력단자(+)로 궤한되어 지연펄스 신호와 합쳐지게 되므로 그비반전 입력단자(+)에 인가된 전위는 반전 입력단자(-)에 인가된 전위보다 높아 그의 출력측에는 계속해서 고전위가 출력되고, 이에따라 트랜지스터(TR₃)는 연산 증폭기(IC₁)의 반전 입력단자(-)에 고전위(V_BH)가 인가될 때까지 온되어 릴레이(RL₁)가 구동되므로 그의 스위치(RL₁₁)가 단락되어 트라이악(TRIAC)이 구동되고, 고압 트랜스에 전원이 인가되어 마그네트론이 구동된다.

여기서, 연산 증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에 지연 펄스 신호가 인가되어 트라이악(TRIAC)이 구동되면서 승압 트랜스에 전원이 인가되는 시간(t₃)은 전원(AC)을

만큼 지연시킨 시간 즉 전압이 최대치에 위치하고, 전류가 최소치에 위치하는 시간이므로 고압 트랜스의 일차측에 전원이 인가될 때 과대 돌입 전류가 발생하는 것이 방지되는 것이다.

한편, 이와 같이 일정시간 간격으로 반복하면서 마그테트론을 구동시키고 있는 동안에 순간 정전이 되면, 다이오드 브리지(BD₁)에서 정류되는 전압이 없어 정전 검출회로(6)의 저항(R₁₂)(R₁₃)을 통해 트랜지스터(TR₄)의 베이스에 인가되는 전압이 없게 되므로 전원(V_cc2)이 저항(R₁₅) 및 보호회로(8)의 다이오드(D₈)를 통해 트랜지스터(TRR₈)의 베이스에 인가되어 온되고, 이에 따라 연산 증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에는 저전위가 인가되어 그의 출력축에 저전위가 출력되므로 상기에서와 같이 트랜지스터(TR₃)가 오프되고, 트라이악(TRIAC)이 오프되어 고압트랜스에 전원이 인가되지 않게 되고, 다시 정류회로(1)에 전원(AC)이 인가되며, 상기와는 반대로 트랜지스터(TR₄)가 온되고, 트랜지스터(TR₈)가 오프되고 마이크로 프로세서(4)에 지연 펄스 신호가 출력될 때 고압 트랜스에 전원이 인가된다.

그리고, 지연신호 출력단자(P₂)에서 출력된 지연 펄스 신호는 오동작 검출회로(7)의 저항(R₁₆)을 통해 트랜지스터(TR₅)의 베이스에 인가되어 온·오프를 반복 하게 되믈 콘덴서(C₃)에는 전원(V_cc2)이 충방전을 반복하게 되어 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 바이어스 전압이 인가 즉, 트랜지스터(TR₅)가 온될 때에는 전원(V_cc2)이 트랜지스터(TR₅)를 통해 콘덴서(C₃)에 충전되어 트랜지스트(TR₆)의 베이스에 저전위가 인가되고, 트랜지스터(TR₅)가 오프될 때에는 전원(V_cc2)이 저항(R₁₈), 저항(R₁₇)을 통해 접지로 흘러 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 저전위가 인가되므로 트랜지스터(TR₆)가 온되어 트랜지스터(TR₇)의 베이스에 고전위가 인가되고, 이에따라 트랜지스터(TR₇)가 온되어 전원(V_cc2)이 저항(R₂₀)을 통해 트랜지스터(TR₇)로 흐르게 되므로 보호회로(8)의 트랜지스터(TR₈) 베이스에는 저전위가 인가되어 오프되고, 마그네트론 구동회로(5)이 동작에 아무 영향도 미치지 않게 된다.

그리고, 이때 마이크로 프로세서(4)가 오동작하여 그의 지연신호 출력단자(P₂)에 계속해서 고전위 또는 저전위가 출력되면, 그 고전위 또는 저전위는 트랜지스터(TR₅)의 베이스에 인가되어 오프 또는 온 상태를 계속 유지하게 되므로 콘덴서(C₃)에 전원(V_cc2)이 충·방전을 반복하지 않게 되어 상기와는 반대로 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 바이어스 전압이 인가되지 않게 되고, 이에따라 트랜지스터(TR₆)가 오프되어 트랜지스터(TR₇)의 베이스에 저전위가 인가되므로 트랜지스터(TR₇)가 오프되어 상기의 순간 정전시와 마찬가지로 보호회로(8)의 트랜지스터(TR₈)가 온되고, 연산증폭기(IC₁)의 비반전 입력단자(+)에는 저전위가 인가되어 마그네트론의 구동을 정지시키게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전류가 최소치에 위치할 때 고압 트랜스를 구동시켜 그의 일차측에 과대 돌입 전류가 발생하지 않게함으로써 회로의 부품을 보호할 수 있고, 또한 소프트 웨어의 제작이 매우 용이하며, 적은 기억용량만을 사용하게 되므로 원가 절감은 물론 그 남는 기억용량만을 사용하게 되므로 원가 절감은 물론 그 남는 기억용량에 전자 레인지를 구동하는데 필요한 여러가지 콘트롤러를 저장할 수 있을 뿐만 아니라 순간 정전 및 마이크로 프로세서의 오동작시에는 마그네트론의 동작을 정지시켜 제품의 사용 수명을 연장할 수 있는 효과도 있다.

Claims

고압트랜스에 전원을 인가하여 마그네트론을 구동하는 전자 레인지에 있어서, 마이트로 프로세서(4)에서 출력된 구동신호 및
지연된 펄스 신호를 비교하여 전류가 최소치에 위치되는
지연된 시간에 고압 트랜스에 전원을 인가하는 마그네트론 구동회로(5)와, 정전을 검출하는 정전 검출회로(6) 및 상기 마이크로 프로세서(4)의 오동작을 검출하는 오동작 검출회로(7)의 출력 전압에 따라 상기 마그네트론 구동회로(5)를 제어하는 보호회로(8)로 구성함을 특징으로 하는 전자 레인지의 구동 제어회로.