KR870007605A - Fet를 사용한 스위칭회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

FET를 사용한 스위칭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 스위칭회로를 사용한 발전기의 전압 조정기의 계통적 회로도.
제2도는 제1도의 블록으로 나타낸 제어 회로의 계통적 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 발전기, 12 : 출력권선, 14 : 계자권선, 15 : 엔진,
16 : 브리지 정류기, 18 : 정방향 다이오드, 20 : 부방향 다이오드,
30 : 축전밧데리, 32 : 부하, 38 : MOSFET, 46 : 제어회로,
52,54 : 전압 감지회로, 62 : 온도 안정 전압원,
62A : NPN 트랜지스터, 71 : 전압 분배기, 73 : 저전압 비교기,
86 : 과전압 비교기, 88 : 시작점 비교기, 90 : 전압 응답 비교기,
96 : 낸드게이트, 116 : 캐패시터, 122 : 신호램프,
124 : 점호스위치, 126 : NPN 트랜지스터, 130 : 타이밍 비교기,
139 : VREF1, 141,143 : 전압 분배기,
146,154A,178,184,186,194,198,197,292 : NPN 트랜지스터,
154 : 전압 비교기, 151 : VREF2, 155, 157 : 전압 분배기,
182 : D 플립플롭,

Claims (13)

  1. 정, 부측단을 가진 직류 전원(30)과 게이트(G), 소스(S) 드레인(D)을 가진 N채널 FET, 전압원의 정측단에 드레인을 연결한 도선(36,39) 및 FET 소스와 부측단 사이에 접속된 전기적 부하(14)를 포함하는 전압원 및 전기적 부하를 접속 및 비접속시키는 것과 캐패시터(116)로 특징되는 것으로서 캐패시터 충전 위한 충전회로(170,172), 캐패시터 방전 위한 방전회로(140,196) 및 캐패시터가 방전되기 시작하도록 야기하는 방전회로를 본질적이고 모의적으로 이네블하는 동안 캐패시터가 충전회로를 비안정으로 충전하고 있는 때의 소정치에 도달하는 캐패시터를 가로지른 전압에 응답하는 수단(130) 및 전원 전압과 전원 및 캐패시터로 축적된 전압의 본질적인 합의 게이트 바이어스 전압으로 계속적으로 제공되도록 보태진 캐패시터의 축전되는 전압을 일으키거나 게이트의 인가 바이스 전압이 그것에 의해 그의 소스와 드레인 사이에 FET를 도통 바이어스하기에 충분히 높은 게이트 바이어스 전압을 제공하도록 게이트에서의 게이트 바이어스 전압을 인가하려는 소정 충전 전압치에 도달하는 캐패시터에 응답하는 수단(130)과, 캐패시터 방전으로 게이트 바이어스 전압을 감지하거나 충전 회로가 게이트 바이어스 전압이 캐패시터의 방전에 기인한 소정치로 감소될 때 캐패시터를 재충전하기 위해 FET가 도통 바이어스로 유지되기 충분하도록 높게 되는 소정치의 게이트 바이어스 전압으로, 재이네블되도록 일으키는 수단(130) 및 비도통 바이어스되어진 FET를 그것에 의해 야기하도록 부측단에 기이트를 연결하려는 스위칭 수단(184)과 비도통에서 도통 비이어스된 FET로 허용할 때의 스위칭 수단을 포함하는 제어수단(46)의 스위칭회로.
  2. 제1항에 있어서, 제어수단(46)이 충전회로((170,172)가 비안정되고 방전회로(40,196)가 이네블될 때 오로지 본질적인 스위칭 수단(184)의 상태로 변하길 허용하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 캐패시터(116)가 방전하므로 게이트 바이어스 전압을 감지하거나 게이트 바이어스 전압이 그것에 의해 FET(38)가 비도통 바이어스되도록 하는 캐패시터의 방전에 기인해 첫번째 예정된 치로 감소할 때 도통으로 바이어스되는 스위칭 수단(184)을 야기하거나 첫번째 예정된 값보다 이하로 되는 두번째 예정된 값, 비안정되는 방전회로(140,196)와 재이네블되는 충전회로(170,172)를 일으키는 두번째 예정된 값으로 감소하는 게이트 바이어스 전압에 응답하는 수단에 대한 수단들을 특징으로 하는 스위칭회로.
  4. 제1항에서 제3항 중 어느 하나에 있어서, 접점(162)에서 캐패시터(116)의 일측을 연결한 도선(120), 전원(30)의 정측단에 캐패시터 타다을 연결한 도선(118,50), 게이트(G)에 접점을 연결한 도선(40)으로 된 것을 특징으로 하는 스위칭회로.
  5. 제4항에 있어서, 캐패시터(116)를 충전하는데 대한 충전회로가 전원(30)의 정측단과 접점(162) 사이에 연결된 회로(170,172) 및 캐패시터 타측단과 전원의 부측단 사이에 연결한 두번째 스위칭 수단(178)으로 구성되며, 캐패시터가 충전될 때 예정된 충전 전압치로 축적되는 캐패시터를 가로 지른 전압에 응답하는 수단(13)이 그것으로 충전회로를 비안정으로 하는 두번째 스위칭 수단을 비도통으로 바이어스하거나 캐패시터가 방전할 때 게이트 바이어스 전압 감지에 대한 수단(130)이 게이트 바이어스 전압이 예정된 값으로 감소할 때 캐패시터가 재충전하도록 도통으로 바이어스하는 두번재 스위칭 수단을 일으키는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  6. 출력 권선이 연결된 정(22) 및 부(24) 방향 전압 출력단을 가지는 회로수단(16), 게이트(G), 드레인(D), 소스(S)를 가지는 FET 트랜지스터(38), 상기 정방향 전압 출력단에 드레인을 연결한 도선(39,36,26), FET 트랜지스터의 스와부방향 전압 출력단 사이에 계자권선에 연결한 수단을 포함하는 출력권선(12) 및 계자권선(14)을 가지며, 캐패시터(116)로 특징되는, 상기 캐패시터를 직류 전압 출력단으로부터충전하기 위한 충전회로(170,172), 상기 캐패시터를 방전하기 위한 방전회로(140,196), 캐패시터를 가로지른 전압이 예정된 치로 도달할 때 이네블되는 방전회로와 충전회로가 비안정되는 동안 캐패시터를 가로지른 전압 크기에 응답하는 전압 응답 제어회로(130)와, 드레인과 소스 사이에 FET를 도통 바이어스로 되기 충분히 높은 게이트 전압을 그것에 의해 부여하도록 게이트에서의 게이트 바이어스 전압을 인가하거나 캐패시터에 의해 축적된 전압 및 직류 전압 출력단을 가로지른 전압이 본질적이게 합이 되는 게이트 바이어스 전압 FET가 도통 바이어스를 지속하기 충분히 높은 소정의 게이트 바이어스 전압을 부여하도록 캐패시터를 가로지른 전압과 일련적으로 보태지게 되는 직류 전압 출력단을 가로지른 직류 전압을 일으키는 상기 소정치 전압에 도달된 캐패시터에 응답하는 수단(130), FET의 게이트와 부측단 사이에 연결된 제1의 스위칭 수단(184) 및 도통이 비도통 바이어스로 된 FET로 야기시킬 때의 제1스위칭 수단과, 발전기 출력 전압이 소정치 이상 될 때 도통 바이어스로 남아있거나 제1스위칭 수단이 되도록 일으키는 것과 출력 전압이 소정치 이하로 될 때 비도통 바이어스로 되거나 혹은 제1스위칭수단이 되도록 야기하는 발전기 출력에 응답한 제1스위칭 수단의 스위칭 상태로 제어하는 제엇단(46) 및 충전회로가 비안정되고 방전회로가 이네블될 때 단지 본질적으로 제1스위칭 수단의 상태로 변하길 허용하는 수단을 포함하는 제어수단을 특징으로 하는 전압 조정기.
  7. 제6항에 있어서, 접점(162)으로 특정되고, 접점에서 캐패시터(116)의 일단에 접속한 도선(12) 및 정방향 전압 입력단에서 캐패시터 타단을 연결한 도선(118,50,36)과 게이트(G) 접점을 접속한 도선(40) 및; 정방향 전압 입력단과 접점 사이에 연결된 회로(170,172)와 캐패시터 타단과 부방향 전압 입력단 사이에 접속된 제2스위칭 수단(178)으로 구성된 충전회로 및 도통될 때의 제2스위칭 수단으로 충전되는 캐패시터; 전압 응답 제어회로(130)가 접점에 접속되고 충전회로와 그것에 의해 비도통 바이어스 되는 제2스위칭 수단 및 제2스위칭 수단이 비도통 바이어스될 때 캐패시터 방전이 게이트 전압이 소정치로 감소할 시 캐패시터를 재충전하려고 도통으로 바이어스되는 제2스위칭 수단을 야기하는 것과 같은 게이트 바이어스 전압의 감지를 위한 수단(130), 비도통의 FET(38)가 도통으로 바이어스되도록 접점에서 진전된 게이트 바이어스 전압을 허용할 때의 제1스위칭 수단(184) 및 제어수단(46)이 제2스위칭 수단의 스위칭 상태에 응답하는 것을 특징으로 하는 전압 조정기.
  8. 제7항에 있어서, 저항기(42)가 게이트(G)와 접점(162) 사이에 접속되고, 게이트(G)으로부터 접점까지 완만한 전압이 인가되도록 한 필터회로를 형성하는 FET(32)의 게이트 캐패시턴스와 저항으로 구성됨을 특징으로 하는 전압 조정기.
  9. 제7항에 있어서, 예정된 듀티사이클의 연속적인 발생 주기로 FET(38)는 도통으로 바이어스된 가운데 스트로브 모드로 전압 조정기를 이행시키도록 발전기 출력 전압에 응답하는 스트로브 제어수단을 포함하는 전압 조정기와 발전기(10) 출력 전압이 0 또는 소정치 이하로 될 때 스트로브 모드로 이행하는 전압 조정기 및, 게이트(G) 및 부전압 출력단(24) 사이에 접속된 제3스위칭 수단(186)과, 스트로브 모드를 포함한 수단(194)은 게이트 전압이 캐패시터(116)가 방전될 동안 재충전하는 소정 전압치보다 더 높은 전압 크기로 되는 전압치까지 감소할 때의 도통 바이어스되어지려는 제3스위칭 수단을 야기하도록 동작하는 전압 조정기로 구성된 전압 조정기.
  10. 제7항에서 제9항 중 어느 하나에 있어서, 캐패시터(116)를 반본적이게 충, 방전하거나 캐패시터 충전이 끝나고 방전이 개시될 때 정, 부 직류 전압 출력단(22)(24)을 가로지른 전압과, 캐패시터 전압의 합이 본질적으로 같게 되는 접점(162)의 게이트 바이어스 전압을 일으키는 수단과, 게이트 바이어스 전압이 캐패시터 방전동안 소정치로 감소할 때 끝나는 캐패시터 방전 및 본질적으로 타이밍 주기와 같게 되는 연속적 발생의 캐패시터 충방전주기와, 재충전되는 캐패시터를 야기시키는 수단 및 발전기(10) 출력 전압이 소정치 이하로 될 때의 복수의 타이밍 주기 합과 본질적으로 같은 총시간 주기로 도통 바이어스되는(38)를 일으키도록 하는 수단과 발전기 출력 전압이 소정치 이상으로 되는 복수의 시간 주기 합과 본질적으로 같은 총시간 주기로 비도통으로 바이어스되도록 FET를 야기시키는 제어수단을 특징으로 하는 전압 조정기.
  11. 제10항에 있어서, 발전기 출력 전압이 소정치 이하로 될 때의 기것보다는 발전기(10) 출력 전압이 소정치 이상으로 될 때보다 짧게 되는 캐패시터(116)의 방전주기를 일으키도록 하는 수단을 포함한 전압 조정기.
  12. 제10항에 있어서, 제어수단이 캐패시터 충전 주기가 끝나고 캐패시터 방전 주기로 시작될 때 오로지 본질적으로 FET(38)의 스위칭 상태로 변화됨을 허용하는 수단을 포함한 구성의 전압 조정기.
  13. 제6항에서 제12항 중 어느 하나에 있어서, 충전 밧데리(30)의 충전을 포함하는 모터 기관으로 전기적 부하를 공급하는 다이오드 정류 교류 발전기(10)나 엔진(15)에 의해 구동되는 로터를 가진 교류 발전기(10) 및 정부 직류 전압 출력단(22,24)을 가지며 출력권선(12)에 연결한 정류 수단(16)과, 직류 출력단을 가로질러 연결한 축전 밧데리(30)를 사용한 전압 조정기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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