KR20060032838A - 회로 보호장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 배터리(Battery)를 사용하는 회로 보호장치에 관한 것으로, 전원공급을 위한 셀을 구비한 배터리 팩과, 상기 셀로부터 전원을 공급 받아 신호 처리와 신호 송수신을 수행하는 휴대장치의 회로와, 상기 배터리 팩의 이상유무를 감지하여, 상기 셀에서 상기 휴대장치의 회로로 공급되는 전원을 제어하는 보호회로를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이동통신 단말기, 배터리보호, 온도 센서, 압력 센서
Description
도 1은 종래의 배터리 결합을 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 정면도와 측면도를 도시한 예시도이다.
도 3은 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 보호회로를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 동작방법을 나타낸 흐름도이다.
본 발명은 회로 보호장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 배터리를 사용하는 회로 보호장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 배터리 결합을 나타낸 예시도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 휴대폰(10)은 배터리(20)를 연결 시 상기 배터리(20) 상태를 점검하는 어떠한 장치도 없이 직접 연결되어 있다. 배터리(20) 내부에는 과충전, 과방전 및 단락(Short) 보호회로가 있어 외부회로를 보호한다. 상기 과 충전 및 과방전의 경우는, 배터리(20) 전압을 검파(Detection)하여, 기준전압과 비교 후(비교기 사용), 상기 기준 전압보다 높거나 낮으면, 배터리(20) 전원을 정지시켜, 상기 외부회로와 연결을 차단한다. 또한, 배터리(20) 내부의 저항에 흐르는 전류가 기준 전류보다 높으면, 단락(Short) 상태로 인식하여, 상기 배터리 (20) 전원을 정지시켜 상기 외부회로를 보호한다.
그러나 배터리(20)가 부풀어 오르거나, 배터리(20) 액이 흘러 나오거나, 배터리(20) 온도가 비정상적으로 높을 경우, 이를 감지하는 장치가 없어 배터리(20) 전원이 상기 외부회로와 계속적으로 연결되면, 폭발 등의 위험이 있어 사용자가 위험할 수 있다.
본 발명에 따른 회로 보호장치는 센서를 이용하여 배터리가 비정상적인 상태일 경우 배터리 전원을 차단하고, 충전을 중단시켜 회로를 보호하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 회로 보호장치는 전원공급을 위한 셀을 구비한 배터리 팩과, 상기 셀로부터 전원을 공급 받아 신호 처리와 신호 송수신을 수행하는 휴대장치의 회로와, 상기 배터리 팩의 이상유무를 감지하여, 상기 셀에서 상기 휴대장치의 회로로 공급되는 전원을 제어하는 보호회로를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 회로 보호장치에 대해 설명하 기로 한다.
도 2는 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 정면도와 측면도를 도시한 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 회로 보호장치는 배터리 팩 앞/뒷면(230)에 센서들을 부착한다. 상기 센서들은 상기 배터리 팩의 압력을 감지하는 압력 센서와, 상기 배터리 팩의 온도를 감지하는 온도 센서이다. 상기 배터리 팩(200)의 내부는 보호회로(210)와 배터리 셀(220)로 이루어져 있다.
도 3은 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 보호회로를 나타낸 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 회로 보호장치는 배터리 팩의 압력을 감지하는 압력 센서(S1)와, 상기 배터리 팩의 온도를 감지하는 온도 센서(S2)와, 상기 압력 센서(S1)와 상기 온도 센서(S2)에서 감지된 각각의 신호들이 거치는 저항(R1, R2)과, 상기 저항(R1, R2)과 (+)극으로 연결되는 다이오드(D1, D2)와, 상기 다이오드(D1, D2)의 (-)극과 역방향(Reverse Bias)으로 연결되는 발광 소자(LED; Light Emitting Diode)와, 상기 발광 소자(LED)의 (-)극과 보호회로(300)의 접지 사이에 연결되는 저항(R3)과, 상기 발광 소자(LED)의 (+)극과 연결 되는 버저(Buzzer)와, 상기 버저(Buzzer)의 (+)극과 연결되는 저항(R4)과, 상기 저항(R4)과 게이트(Gate)단이 연결되는 P-FET(P-Channel Field Effect Transister; 이하 P-FET라 약칭함) (Q1)으로 구성된다.
상기한 구성에 따른 회로 보호장치의 동작을 이하 설명한다.
도 4는 본 발명인 회로 보호장치의 일 실시예에 따른 동작방법을 나타낸 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 상기 배터리가 정상상태(S10)일 경우, 상기 압력 및 온도 센서가 저신호(Low-Signal)(S20a)를 다이오드(D1, D2)로 보낸다. 상기 다이오드 (D1, D2)는 다시 상기 저신호를 P-FET(Q1)의 게이트(Gate)단으로 보낸다. 상기 P-FET(Q1)은 게이트(Gate)단에 저신호(Low-Signal)가 인가되면 도통(On)되는 특성을 가지고 있으므로, 상기 P-FET(Q1)은 도통(On)이 되어(S30a), 상기 배터리 전원이 켜지고 (S40a), 외부회로(400)로 전원이 전달된다.
상기 배터리가 정상상태가 아닐경우(S10), 상기 압력 및 온도 센서가 고신호 (High-Signal)(S20b)를 다이오드(D1, D2)로 보낸다. 상기 고신호가 상기 다이오드 (D1, D2)를 거쳐 적색 다이오드(DRed)로 전달되고, 상기 적색 다이오드(DRed)가 도통(On)되어, 상기 배터리의 비정상적인 상태를 알려준다. 또 상기 고신호가 상기 적색 다이오드를 거쳐 버저(Buzzer)로 전달되고, 상기 버저가 도통 (On)되어 소리가 나, 상기 배터리의 비정상적인 상태를 알려준다. 상기 다이오드(D1, D2)는 다시 상기 고신호를 P-FET(Q1)의 게이트(Gate)단으로 보낸다. 상기 P-FET(Q1)은 게이트 (Gate)단에 고신호가 인가되면, 꺼지는(Off)특성을 가지고 있으므로, 상기 P-FET(Q1)은 정지 되고(S30b), 상기 배터리 전원은 꺼져(S40b), 외부회로(400)로 전원이 전달되지 않아 상기 외부회로(400)를 보호하는 동작을 한다.
이상에서의 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 회로 보호장치는 배터리가 비정상적인 상태, 이를테면 상기 배터리가 부풀어 오르고, 용액이 흘러나오는 상태나, 상기 배터리의 온도가 비정상적으로 상승했을 경우, 센서를 통해 감지하여 상기 배터리 전원을 끊어, 외부회로로 전원 전달을 차단하므로, 외부회로와 사용자를 보호하는 역할을 한다.
또한, 휴대폰에서뿐만 아니라 상기 배터리를 사용하는 다른 휴대용 장치에도 널리 적용될 수 있다.
Claims (7)
- 전원공급을 위한 셀을 구비한 배터리 팩;상기 셀로부터 전원을 공급 받아 신호 처리와 신호 송수신을 수행하는 휴대장치의 회로; 및상기 배터리 팩의 이상유무를 감지하여, 상기 셀에서 상기 휴대장치의 회로로 공급되는 전원을 제어하는 보호회로를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보호회로는 상기 배터리 팩의 온도와 압력 중 적어도 하나를 감지하고, 그 감지 결과에 따라 상기 배터리 팩의 이상유무가 감지되면 상기 휴대장치의 회로로 공급되는 전원을 차단하는 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 2항에 있어서,상기 보호회로는 상기 감지된 온도 및/또는 압력의 신호들을 미리 설정된 임계치와 비교하고, 상기 신호들이 미리 설정된 임계치를 초과하는 경우에 상기 배터리 팩의 이상으로 감지하는 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보호회로는 상기 배터리 팩의 압력을 감지하는 압력 센서,상기 배터리 팩의 온도를 감지하는 온도 센서,상기 압력 센서와 상기 온도 센서에서 감지된 각각의 신호들이 거치는 적어도 하나의 다이오드, 및상기 다이오드를 거친 상기 신호들이 입력되는 스위칭 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 4항에 있어서,상기 스위칭 소자는 트랜지스터(TR; Transister)인 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 5항에 있어서,상기 트랜지스터는 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
- 제 4항에 있어서,상기 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 게이트(Gate)단과 접지(Ground) 사이에 연결 되는 버저(Buzzer)와,상기 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 게이트(Gate)단에 순방향 바이어스(Forward Bias)로 연결되는 발광 소자를 더 포함하여 이루어지는 회로 보호장치.
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