KR870006668A - Image sensor and manufacturing method - Google Patents

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KR870006668A
KR870006668A KR860011332A KR860011332A KR870006668A KR 870006668 A KR870006668 A KR 870006668A KR 860011332 A KR860011332 A KR 860011332A KR 860011332 A KR860011332 A KR 860011332A KR 870006668 A KR870006668 A KR 870006668A
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사또시 다까야마
요시유끼 스다
오사무 시마다
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와다리 스기이찌로오
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Abstract

내용 없음.No content.

Description

이메지센서 및 그 제조방법Image sensor and manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제2도는 본 발명 이전에 본 발명자에 의해 만들어진 이메지 센서의 평면 개략도이다.2 is a top schematic view of an image sensor made by the inventor prior to the present invention.

제3a도는 본 발명의 한 예의 이메지 센서를 나타내는 것이다.3A shows an image sensor of an example of the present invention.

제5도는 본 발명의 다른 예로서 이메지 센서에 부착된 전극의 평면을 나타내는 개략도이다.5 is a schematic diagram showing a plane of an electrode attached to an image sensor as another example of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

31 : 기판 32 : 반도체층31 substrate 32 semiconductor layer

33 : 저 저항층 34 : 제1전극33: low resistance layer 34: first electrode

35 : 제2전극 36 : 제1와이어35: second electrode 36: first wire

37 : 절연층 38 : 제2와이어37: insulating layer 38: second wire

50 : 매트릭스와이어 지역 52 : 광감지속자 지역50: matrix wire region 52: photosensitive sustainer region

85 : 접착층85: adhesive layer

Claims (24)

기판이 형성되어 있고, 반도체층이 기판의 제1지역에 형성되어 있으며, 다수개의 제1전극이 선정된 형태로 배치되어서 제1지역의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있고, 다수개의 전극 부분이 선정된 형태로 배치되어서 제1지역의 반도체층에 전기적으로 연결되어 있으며, 전극부분의 그룹에 공통의 제2전극이 있고, 다수개의 전극 부분이 선정된 형태로 배치되어서 다수개의 제1전극에 인접하여 위치되어 있으며, 상기 전극부분, 제1전극 그리고 그들 사이에 위치한 반도체층이 광감지소자를 구성하고, 제1와이어가 제1전극에서부터 기판의 제2지역까지 뻗어있으며, 절연층이 제1 및 제2지역에 형성되어서 광감지소자와 제1와이어를 덮어씌우고, 제2와이어가 제2지역의 절연층에 병렬로 형성되어 있으며, 그리고 상기 제2와이어가 절연층에 형성되어 있는 관통된 구멍에서 제1와이어에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The substrate is formed, the semiconductor layer is formed in the first region of the substrate, the plurality of first electrodes are arranged in a predetermined form and electrically connected to the semiconductor layer in the first region, the plurality of electrode portions are selected The first electrode and the second electrode are electrically connected to the semiconductor layer of the first region, the second electrode is common to a group of electrode portions, and the plurality of electrode portions are arranged in a predetermined shape to be adjacent to the plurality of first electrodes. The electrode portion, the first electrode, and a semiconductor layer positioned therebetween constitute a photosensitive device, the first wire extending from the first electrode to the second region of the substrate, and the insulating layer being the first and the first Formed in two regions to cover the photosensitive element and the first wire, the second wire is formed in parallel with the insulating layer of the second region, and the second wire is formed in the insulating layer. An image sensor, characterized in that it is electrically connected to the first wire in the through hole. 제1항에 있어서, 반도체 층이 무정형실리콘으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the semiconductor layer is composed of amorphous silicon. 제1항에 있어서, 도프된 무정형실리콘의 저 저항층이 반도체층과 제1 및 제2전극사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.An image sensor according to claim 1, wherein a low resistance layer of doped amorphous silicon is formed between the semiconductor layer and the first and second electrodes. 제1항에 있어서, 제1전극이 전극부분의 그룹수에 대응하는 그룹을 형성하고 있는 다른 위치에 배치되어 있고, 제1전극의 각각이 제1와이어에 의해 제1전극의 각 그룹에서 같은 위치로 되어있는 제1전극들 사이에서 공통으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.2. The first electrode according to claim 1, wherein the first electrode is disposed at another position forming a group corresponding to the number of groups of the electrode portion, and each of the first electrodes is the same position in each group of the first electrodes by the first wire. Image sensor, characterized in that connected in common between the first electrode. 제1항에 있어서, 제2전극의 각각에 광 감지소자에 대응하는 틈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein a gap corresponding to the photosensitive device is formed in each of the second electrodes. 제1항에 있어서, 기판이 유리기판과 금레 이즈된 세라믹기판으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the substrate is selected from a glass substrate and a gold-laminated ceramic substrate. 제1항에 있어서, 제1 및 제2전극과 제1 및 제2와이어가 Ti,Cr,Al,Mo,Mn,Nb,V,W,Ta,Sb,Cr―Al,Cr―Cu,Cr―Au,Ti―Au 그리고 Tr―Ni로부터 선택된 금속으로 만들어진 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The method of claim 1, wherein the first and second electrodes and the first and second wires are formed of Ti, Cr, Al, Mo, Mn, Nb, V, W, Ta, Sb, Cr—Al, Cr—Cu, Cr— An image sensor characterized in that it is made of a metal selected from Au, Ti-Au and Tr-Ni. 제1항에 있어서, 제1 및 제2전극이 빗살형 전극의 형태로 되어있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the first and second electrodes are in the form of comb-shaped electrodes. 제1항에 있어서, 광감지소자의 저항이 입사광의 강도에 대응하여 변화하도록 된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the resistance of the photosensitive device is changed in correspondence to the intensity of incident light. 제1항에 있어서, 반도체층이 밴드형으로 제1지역에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the semiconductor layer is formed in a first region in a band shape. 제1항에 있어서, 반도체층이 기판에 연속적으로 형성되어서 제1 및 제2지역 전체를 덮어 씌우는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein a semiconductor layer is formed continuously on the substrate to cover the entire first and second regions. 제11항에 있어서, 저저항층이 제1지역을 제외한 반도체층과 제1전극, 제2전극 및 제1와이어 사이에 형성되어 있고, L1/W1≪L2/W2(단 L1은 제1극과 제2전극 사이의 틈의폭, W1은 제1전극과 제2전극 사이의 틈의 길이, L2는 제1와이어들 사이의 간격, 그리고 W2는 제1와이어의 길이이다)의 관계가 만족되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.12. The low resistance layer according to claim 11, wherein a low resistance layer is formed between the semiconductor layer except the first region, the first electrode, the second electrode, and the first wire, and L 1 / W 1 < L 2 / W 2 (where L 1 Is the width of the gap between the first electrode and the second electrode, W 1 is the length of the gap between the first electrode and the second electrode, L 2 is the distance between the first wires, and W 2 is the length of the first wire. The image sensor is satisfied. 제11항에 있어서, 저저항층이 반도체층과 제1전극, 제2전극 및 제1와이어 사이에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.12. The image sensor according to claim 11, wherein the low resistance layer is formed only between the semiconductor layer and the first electrode, the second electrode, and the first wire. 제11항에 있어서, 입사광이 제1지역의 반도체층에만 단지 조사되는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.12. The image sensor according to claim 11, wherein incident light is only irradiated to the semiconductor layer of the first region. 제1항에 있어서, 절연층이 투명한 물질로 된 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 1, wherein the insulating layer is made of a transparent material. 제11항에 있어서, 접착층이 기판과 반도체층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.12. The image sensor according to claim 11, wherein an adhesive layer is formed between the substrate and the semiconductor layer. 제16항에 있어서, 접착층이 질화물, 산화물 또는 탄화물인 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The image sensor according to claim 16, wherein the adhesive layer is nitride, oxide or carbide. 기판이 형성되어 있고, 다수의 광감지소자가 기판의 제1지역에 선형으로 배치되어 있으며, 상기 광감지소자가 전극쌍과 상기 전극쌍 사이에 배치된 반도체층으로 구성되어 있고, 제1와이어가 전극쌍의 한 전극에서부터 기판의 제2지역에 까지 뻗어 있으며, 절연층이 제1 및 제2지역에 연속적으로 형성되어서 광감지소자와 제1와이어를 덮어 씌우고, 그리고 제2와이어가 제2지역의 절연층에 병렬로 형성되고 그리고 절연층에 형성된 관통된 구멍에서 제1와이어와 전기적으로 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서.The substrate is formed, and a plurality of light sensing elements are arranged linearly in the first region of the substrate, the light sensing element is composed of a semiconductor layer disposed between the electrode pair and the electrode pair, the first wire is Extends from one electrode of the electrode pair to the second region of the substrate, an insulating layer is formed continuously in the first and second regions to cover the photosensitive element and the first wire, and the second wire is An image sensor formed in parallel with the insulating layer and in electrical contact with the first wire in a through hole formed in the insulating layer. 기판의 제1지역에 반도체층을 형성시키고, 제1 및 제2전극이 서로 대향하도록 배치시키며, 상기 제1 및 제2전극이 제1지역의 반도체층에 전기적으로 연결되도록 하고, 제2전극의 각각이 다수의 제1전극과 대향하게 하며, 제1와이어를 제1전극에서부터 기판의 제2지역에 까지 연장시키고, 제1 및 제2지역에 절연층을 연속적으로 형성시켜 제1전극, 제2전극, 및 제1와이어를 덮어 씌우며 절연층에다 제1와이어에 대응하는 구멍을 형성시키고, 도전층을 절연층에다 형성시키며, 도전층으로 제2지역의 절연층에 병렬로 형성되고 그리고 관통된 구멍에서 제1와이어와 전기적으로 접촉되는 제2와이어를 만드는 단계로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지센서 제조방법.Forming a semiconductor layer in the first region of the substrate, and disposing the first and second electrodes to face each other, and allowing the first and second electrodes to be electrically connected to the semiconductor layer in the first region, The first electrode and the second electrode may be formed to face the plurality of first electrodes, and the first wire may extend from the first electrode to the second region of the substrate, and an insulating layer may be continuously formed in the first and second regions. Covering the electrode and the first wire and forming a hole in the insulating layer corresponding to the first wire, forming a conductive layer in the insulating layer, and forming a conductive layer in parallel with the insulating layer in the second region and through An image sensor manufacturing method comprising the step of making a second wire in electrical contact with the first wire in the hole. 제19항에 있어서, 기판의 제1지역에 반도체층을 형성시키기 전에 반도체층에다 저 저항층을 형성시키고, 제1지역에 위치하는 저 저항층을 에칭시키는 단계를 구성하고있는 것을 특징으로 하는 방법.20. The method of claim 19, comprising forming a low resistance layer on the semiconductor layer and etching the low resistance layer located in the first region before forming the semiconductor layer in the first region of the substrate. . 제19항에 있어서, 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 형성시키기 전에 반도체층에다 저 저항층을 형성시키고, 제1전극, 제2전극 및 제1와이어 아래 부분을 제외한 저 저항층의 부분을 에칭시키는 단계를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.The low resistance layer of claim 19, wherein a low resistance layer is formed on the semiconductor layer before the first electrode, the second electrode, and the first wire are formed. And etching the portion. 제19항에 있어서, 기판의 제1지역에 반도체층을 형성시키기 전에 접착층을 기판에다 형성시키는 단계를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.20. The method of claim 19, comprising forming an adhesive layer on the substrate prior to forming the semiconductor layer in the first region of the substrate. 기판의 다수의 이메지 센서 지역에다 반도체층을 형성시키고, 제1 및 제2전극이 서로 대향하면서 선형으로 배치되고 제2전극의 각각이 다수개의 제1전극에 인접되며 제1와이어가 제1전극에 전기적으로 연결되도록 이메지 센서 지역에다 제1전극 제2전극 및 제1와이어를 형성시키며 절연층을 기판에다 형성시켜 제1전극, 제2전극 및 제1와이어를 덮어 씌우고 제2와이어를 절연층에 있는 관통된 구멍에서 제1와이어와 접촉되게 병렬로 형성시키며, 다수개의 이메지센서를 형성시키기 위해 기판을 절단시키는 단계로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 이메지 센서 제조방법.A semiconductor layer is formed in a plurality of image sensor regions of the substrate, and the first and second electrodes are arranged to face each other in a linear manner, each of the second electrodes is adjacent to the plurality of first electrodes, and the first wire is connected to the first electrode. The first electrode, the second electrode and the first wire are formed in the image sensor region so as to be electrically connected. An insulating layer is formed on the substrate to cover the first electrode, the second electrode and the first wire, and the second wire is placed on the insulating layer. And forming a plurality of image sensors in parallel so as to be in contact with the first wire in the through holes, and cutting the substrate to form a plurality of image sensors. 제23항에 있어서, 기판의 다수의 이메지센서 지역에다 반도체층을 형성시키기 전에 기판에다 접착층을 형성시키는 단계를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 방법.24. The method of claim 23, comprising forming an adhesive layer on the substrate prior to forming the semiconductor layer in the plurality of image sensor regions of the substrate. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
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