KR870000836B1 - 텔레비죤 튜닝 불량으로 발생하는 잡음을 뮤트시키는 수신잡음 제거회로 - Google Patents

텔레비죤 튜닝 불량으로 발생하는 잡음을 뮤트시키는 수신잡음 제거회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

텔레비죤 튜닝 불량으로 발생하는 잡음을 뮤트시키는 수신잡음 제거회로
제1도는 종래의 잡음제거회로의 블럭도.
제2도는 AFT(자동세밀조정)의 주파수와 출력전압의 특성도.
제3도는 본 발명에 따른 수신잡음 제거회로를 텔레비죤수상기에 적용한 블럭도.
제4도는 본 발명에 따른 수신잡음 제거회로의 블럭도.
제5도는 제4도의 구체회로도.
제6도는 (a)∼(e)는 제5도의 구체회로의 각부의 파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 제어스위칭회로 32 : 저전압 비교기
34 : 고전압 비교기 36 : 출력스위칭회로
본 발명은 텔레비죤수상기의 수신잡음 제거회로에 관한 것으로 특히 방송중 튜닝불량으로 화면이 흐트러빔과 동시에 발생하는 잡음을 제거하는 집적 회로에 관한 것이다.
종래의 잡음제거회로에 있어서는 제1도의 블럭도와 같이 수평동기신호(16)와 자동주파수조정 AFC신호(17)를 사용하여 무방송채널수신 또는 방송국의 정전시 텔레비죤수상기의 스피커에서 잡음을 제거하기 위한 잡음소거회로(10)를 사용하여 통상의 텔레비죤수상기가 갖는 음성증폭회로(5)의 증폭이득을 조절하여 잡음을 뮤팅시키는 방식이 사용되어 왔다.
그러나 이와같은 종래의 뮤팅회로에 있어서는 동기신호에는 변화없이 튜닝이 잘되지 않아서 화면이 흐트러질 때에 잡음이 발생하는 것을 AFC신호(17)의 평균전압변화분을 검출하여 사용하게 되어 있었다. 이와같은 경우에 있어서는 AFC출력준압의 변화폭이 수십 mV(미리볼트) 정도로 극히 작아서 실제 이 변화를 검출하는 데는 많은 어려움이 있었고 실제에 있어서도 고정도의 기술을 요하는 결점이 있었다.
따라서 본 발명은 자동세밀조정 AFT전압의 변화분을 사용하여 튜닝의 불량으로 인한 화면의 흐트러짐과 동시에 발생하는 잡음을 제거할 수 있는 잡음제거 집적회로를 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 종래의 뮤트회로와 텔레비죤수상기의 회로를 크게 개조함이 없이 단순한 추가로 무방송채널 수신시는 물론 방송중 튜닝이 맞지 않아 발생하는 잡음을 제거할 수 있는 잡음제거 집적회로를 제공하는데 있다.
이하 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 통상의 AFT의 주파수에 대한 AFT출력전압의 특성도를 보인 것으로 fo는 중심주파수이다. 도면에서 알 수 있는 바와같이 정확한 주파수(튜닝이 맞는 정확한 주파수) fo에서는 AFT전압출력이 약
Figure kpo00001
(Vcc는 전원전압)가 되고 이를 벗어난 fo
Figure kpo00002
에서는 약 Vcc전압 또는 0볼트의 전압을 갖고
Figure kpo00003
Figure kpo00004
의 넓은 주파수 범위에서는 Vcc전압과 0볼트 사이의 AFT츨력전압을 갖게 된다. 따라서 튜닝은 잘되지 않았지만 동기신호에는 크게 변화를 주지 않는 폭은 fo에서
Figure kpo00005
전도 주파수가 벗어난 주변주파수범위가 된다.
본 발명은 상술한 바와같이 화상에 영향을 주지 않고 잡음이 나지 않는 범위를
Figure kpo00006
영역 즉 AFT출력전압을 VB와 VA사이의 AFT출력 전압변화분
Figure kpo00007
에서만 공지의 뮤트회로가 동작되지 않도록하는 감시회로를 제공함으로써 공지의 뮤트회로의 감도를 높일 수 있게 된다.
제3도는 본 발명의 수신잡음 제거회로(13)를 통상의 텔레비죤수상기의 블럭도와 공지의 뮤트회로(101)에 적용한 사용예시도이다.
도면중 참조번호는 제1도의 참조번호와 동일한 것으로 안테나(1)와 튜너(2), 중간주파수 증폭회로(3), 음성검파회로(4), 음성증폭회로(5), 스피커(6)와 영상검파회로(7), 영상증폭회로(9)및 이후의 영상단회로(9)는 통상의 텔레비죤수상기가 갖는 구성블럭도이며, 뮤트회로(101)는 공지의 회로이고 본 발명에 따른 AFT신호(14)를 입력으로 사용하는 잡음제거회로(13)가 뮤트회로(101)와 음성증폭회로(5) 사이에 접속된다. 본 발명에 따른 튜닝이 잘 맞지 않아서 발생하는 잡음을 제거시키는 잡음 제거회로(13)는 후술하는 뮤트회로(101)의 출력신호와 AFT신호(14)를 입력하여 화상에 영향을 주지 않는 범위에서 잡음을 제거할 수 있도록 음성증폭회로(5)의 증폭레벨을 변경시키는 신호를 출력하여 스피커로 나오는 잡음을 제거하게 된다. 즉 본 발명에 따른 잡음제거회로(13)는 뮤트회로(101)가 무방송채널 또는 정전시의 상태임을 감지하면 음성증폭회로(5)에 뮤트 동작신호를 주며 뮤트회로(101)에서 텔레비죤수상기가 정상상태임을 판단하였을 때 AFT신호(14)가 제2도 VB와 VA사이의 전압위치에 있는가를 판단하여 이 범위를 벗어나게 되면 비정상상태라 판단하고 음성 증폭회로(5)에 뮤트동작신호를 준다.
제4도는 본 발명에 따른 잡음제거회로의 블럭도로써 도면중 제어스위칭회로 (3 1)는 뮤트회로(101)의 신호를 입력하여 전체회로의 동작을 제어하는 회로로써 뮤트회로(101)의 출력이 로우상태이면 전체회로의 동작을 중지시키고 음성증폭회로(5)에 소정의 전압을 입력시켜 직류볼륨조정(DC Volume Control)전압단자에 가해져 음성증폭회로(5)의 이득을 최저로 하게된다. 한편 텔레비죤수상기가 정상상태일 때는 뮤트회로 (101)의 출력은 하이상태가 되며 이 제어스위칭회로(31)는 후단의 저잔압비교기(32)를 활성화시킨다.
저전압 비교전압 발생회로(33)는 상기 제2도의 검출하한전압 VA를 발생하는 회로이며 저전압 비교기(32)는 제어스위칭회로(31)가 활성화신호를 출력할 때 AFT신호(14)를 입력하는 상기 저전압 비교전압발생회로(33)의 출력전압 VA와 비교하고 AFT신호의 값이 VA보다 크면 하이상태의 출력을 내놓고 후술하는 고전압비교기(34)를 활성화시키며, VA보다 작으면 후술하는 출력스위칭회로(36)의 회로동작을 차단하고 음성증폭회로(5)에 소정의 전압을 출력하여 음성증폭레벨을 최저로 한다.
고전압 비교전압 발생회로(35)는 제2도의 검출상한전압 VB를 발생하는 회로이며 고전압비교기(34)는 상기 저전압비교기(32)가 하이상태의 출력을 내놓을 때 활성화되어 AFT신호(14)와 상기 고전압 비교전압 발생회로(35)의 출력전압인 VB와 비교하여 AFT신호의 값이 VB값보다 작을 때는 후술하는 출력 스위치회로(36)를 활성화하여 음성증폭회로(5)의 작동을 계속하게 하고, 클 때는 출력스위칭회로(36)를 오프시켜 음성증폭회로(5)의 증폭이득을 최저로 낮춘다.
출력스위칭회로(36)는 제어스위칭회로(31)또는 적전압비교기(32)또는 고전압비교기(34)의 출력중 어느 하나라도 로우상태의 출력을 내놓으면 온상태가 되어 음성증폭회로(5)의 증폭작용을 방해하지 않고 고전압비교기(34)의 출력이 로우상태 즉 AFT전압이 VB값보다 클 때는 오프상태가 되어 음성증폭회로(5)의 증폭이득을 최저로 낮추어 스피커(6)에 잡음이 울리지 않게 한다.
제5도는 본 발명에 따른 제4도의 블럭도를 구체화한 회로도의 일실시예이다.
도면중 트랜지스터 Q7의 베이스에 접속된 두개의 직렬다이오우드 D1, D2와 저항 R1을 통해 뮤트회로(101)와 접속되는 뮤트신호입력단 및 트랜지스터 Q7의 에미터에 접속된 저항 R5는 제4도의 제어스위칭회로(31)이다. 여기서 저항 R1은 전류제한용이며 다이오우드 D1, D2로 트랜지스터 Q7과 저항 R5로 구성되는 정전류회로의 정전류를 흘리게 바이어스를 잡아주게 된다.
저항 R2+R3와 저항 R4로 구성된 부분이 제4도의 저전압 비교전압 발생회로(3 3)이며 트랜지스터 Q5의 베이스 입력전압은
Figure kpo00008
로 저항 R2, R3, R4를 조정하여 AFT신호입력시 제2도의 검출 하한값 VA에 해당하는 비교전압을 설정시킬 수 있게 된다.
트랜지스터 Q5, Q6, 저항 R6, R7로 구성된 부분이 저전압비교기(32)로써 AFT신호(14)가 트랜지스터 Q3의 베이스로 입력하면 트랜지스터 Q3가 작동하여 그 에미터에 접속된 저항 R6, R7에는 AFT전압이 걸리게 된다. 지금 AFT전압을 VF라 하면 트랜지스터 Q6의 베이스에 입력하는 AFT신호는
Figure kpo00009
26B가 되며 저항 R2, R3, R4, R6, R7을 조정하면 트랜지스터 Q5의 비교전압이 제2도의 값 VA로 되고 Q6의 베이스에 입력하는 AFT신호(14)와의 비교를 하게 할 수 있다.
저항 R2와 R3+R4로 구성된 부분이 고전압 발생회로(35)가 되며 제2도의 상한검출전압 VB를 비교기준전압으로 설정하게 된다. 또한 트랜지스터 Q1∼Q4및 Q8은 고전압 비교기(34)가 되며 트랜지스터 Q6이 도통상태 즉 무팅신호가 하이상태로 입력하고 AFT신호가 검출하한 값 VA보다 클 때 트랜지스터 Q1의 베이스전압인 상기 상한검출전압 VB와 트랜지스터 Q3의 베이스입력전압 AFT신호와의 비교를 하는 회로구성으로 되어 있다.
트랜지스터 Q9및 Q10가 저항 R8∼R10및 다이오우드 D3로 구성된 부분이 출력스위칭회로(36)로써 트랜지스터 Q8이 도통이 되면 트랜지스터 Q9도 도통이 되고 트랜지스터 Q10로 도통이 되므로 다이오우드 D3의 애노드에는 트랜지스터 Q10의 포화전압인 0,1볼트가 걸리게 되며 그 출력은 로우상태로 음성증폭회로(5)의 증폭레벨의 변동을 주지 않는다. 그러나 트랜지스터 Q8이 오프상태 즉, 뮤트회로(101) 출력이 로우상태 또는 저전압비교기(32)의 트랜지스터 Q6이 오프상태 또는 고전압비교기(34)의 트랜지스터 Q2가 오프상태일 때는 트랜지스터 Q9및 트랜지스터 Q10은 오프되고 다이오우드 D3의 애노드전압은
Figure kpo00010
가 되며 이 전압이 공지의 음성증폭회로(5)의 상술한 직류볼륨제어전압단자에 가해져 음성 증폭의 이득을 최저로 하게된다.
제6도 (a)∼(e)는 제5도의 각부의 각 경우에 따른 파형도이다.
도면중 T1및 T3는 무방송채널 수신시 또는 방송국 정전시의 수평동기신호가 입력하지 않을 때의 시간이며 T2는 방송채널 수신시의 수평동기가 잡힐때의 시간이며 T4는 방송채널 수신시 수평동기신호는 잡혀 있으나 AFT전압이 상한검출전압 VB를 벗어났을 때의 시간이며 T5는 T4와 마찬가지이며 단지 하한검출전압 VA이하일 때의 시간이다
제6도(a)는 뮤트회로(101)의 출력파형도로써 무방송채널 수신시인 시간 T 1 및 T3에서는 출력전압이 로우상태이며 방송채널 수신시인 시간 T2중에는 하이상태를 보인 도면이며 제6도(b)는 AFT신호(14)의 파형도와 제2도의 검출상한 또는 하한값인 VB 。VA전압을 보인 도면이고 제6도(c)는 제5도의 트랜지스터 Q8의 베이스전압파형을 제6도(d)는 제5도의 트랜지스터 Q10의 콜렉터 전압파형을 제6도 (e)는 제5도의 음성증폭회로의 출력인 음성신호파형을 각각 보인 도면이다.
이하 제5도의 전체동작을 제6도를 참조하여 상세히 설명한다.
우선 무방송채널 수신시 또는 방송국 정전시 수평동기가 잡히지 않을 때인 시간 T1및 T3중에 있어서는 뮤트회로(101)의 출력은 제6도(a)와 같이 로우상태이며 저항 R1을 통해 트랜지스터 Q7의 베이스로 입력한다. 트랜지스터 Q7은 오프되고 트랜지스터 Q6및 Q2도 오프상태가되며 트랜지스터 Q8및 Q9, Q10모두 오프상태에 있게된다. 따라서 뮤트회로(101)의 출력이 로우상태이면 어떤 AFT신호(14)가 트랜지스터 Q3의 베이스로 입력하여도 트랜지스터 Q10은 오프상태가 되고
Figure kpo00011
의 전압이 음성증폭회로(5)의 직류볼륨 제어단자에 걸려 음성증폭이득을 최저로 하여 음성신호의 출력은 없게 된다. 그러므로 트랜지스터 Q8의 베이스전압은 제6도(c)와 같이 하이상태이며 트랜지스터 Q10의 콜랙터전압은 제6도(d)와 같은 상술한 VQ10c의 값이 되게 되어 제6도(e)와 같이 음성신호의 출력은 없게 된다.
방송채널 수신시로서 수평동기가 잡힐 때인 시간 T2의 경우에 있어서는 제6도 (a)와 같이 뮤트회로(101)의 출력은 하이상태가 되며 저항 R1을 통해 트랜지스터 Q7의 베이스로 입력하여 트랜지스터 Q7을 도통시키고 저전압비교기(32)의 트랜지스터 Q5, Q6을 활성화시킨다. 이때 제6도(b)와 같은 AFT신호가 트랜지스터 Q3의 베이스로 입력하면 이 전압은 트랜지스터 Q3을 온시켜 트랜지스터 Q6의 베이스에 인가되며 트랜지스터 Q5의 베이스에 설정된 비교기준전압 VP와 비교된다. 상술한 바와같이 AFT전압이 하한검출전압 VA보다 낮은 시간 T5중에서 트랜지스터 Q6은 오프되고 트랜지스터 Q2, Q4도 오프되며 트랜지스터 Q8, Q9및 Q10모두 오프된다. 따라서 이때 트랜지스터 Q8의 베이스전압은 하이상태가 되고(제6도(c)) 트랜지스터 Q10의 콜랙터전압은 상술한 VQ10c가 되므로 제6도(e)와 같이 음성신호가 음성증폭회로(5)에서 출력하지 않는다. 또한 AFT전압이 제2도의 상한검출전압 VB를 초과할 때인 시간 T4중에 있어서는 상술한 바와같이 트랜지스터 Q7은 온이되며 트랜지스터 Q6의 베이스전압이 트랜지스터 Q5의 베이스전압 VP보다 크게 되므로 트랜지스터 Q6이 도통이 되고 트랜지스터 Q2, Q4를 활성화시킨다. 또한 트랜지스터 Q3의 베이스에 입력하는 전압이 트랜지스터 Q1의 베이스에 입력하는 상한검출전압 VB보다 높으므로 트랜지스터 Q3, Q4는 도통되고 트랜지스터 Q1, Q2는 오프되므로 트랜지스터 Q8또한 오프된다. 따라서 트랜지스터 Q10은 오프되며 음성증폭회로(5)의 음성출력은 없게된다. 이때의 트랜지스터 Q8의 베이스전압, 트랜지스터 Q10의 콜랙터전압은 상술한 바와 마찬가지로 제6도(c)및 제6도와 같이 된다.
한편 방송체널 수신시로서 수평동기가 잡힐 때인 시간 T2중에 AFT전압이 상술한 VB와 VA사이에 있을 경우에는 마찬가지로 트랜지스터 Q7이 도통이 되서 트랜지스터 Q5, Q6이 활성화되며 트랜지스터 Q6의 베이스전압이 트랜지스터 Q5의 베이스전압보다 높으므로 트랜지스터 Q6이 도통되어 트랜지스터 Q2, Q4가 활성화된다. 따라서 트랜지스터 Q1의 베이스 입력전압인 상한검출전압 VB가 트랜지스터 Q3에 입력하는 AFT전압보다 높으므로 트랜지스터 Q1, Q2가 도통되고 트랜지스터 Q4는 오프되므로 트랜지스터 Q8은 도통되고 트랜지스터 Q9및 Q10또한 도통된다. 따라서 트랜지스터 Q8의 베이스 전압은 로우상태로 떨어져서 제6도(c)와 같이되며 트랜지스터 Q10의 콜랙터전압은 트랜지스터 Q10의 포화전압인 0.1볼트로 떨어져 제6도(d)와 같이된다. 따라서 음성증폭회로(5)의 증폭레벨은 변화가 없어 음성신호를 증폭 출력하여 제6도(e)와 같이 된다.
상술한 바와같이 본 발명은 AFT신호를 사용한 잡음 제거회로를 뮤팅회로 (101)와 음성증폭회로(5) 사이에 적용하므로써 종래의 뮤팅회로의 기능을 그대로 유지시키면서 종래의 뮤팅회로의 잡음 판별기능을 강화하고 화상의 변동을 주지 않으면서 튜닝이 잘 맞지 않아 발생하는 잡음을 제거할 수 있는 이점을 갖게 된다.

Claims (4)

  1. 뮤트신호와 자동세밀조정신호를 입력하여 음성증폭회로(5)의 음성증폭레벨을 조정하여 잡음을 제거하는 회로에 있어서, 뮤트신호를 입력하여 전체 회로를 제어하는 제어스위칭회로(31)와, 제어스위칭 회로(31)의 출력상태에 따라 저전압 비교전압 발생 회로(33)에서 출력하는 AFT하한검출전압과 AFT전압을 입력하여 비교하는 저전압비교기(32)와, 저전압비교기(32)의 출력상태에 따라 고전압 비교전압 발생회로(3 5)에서 출력하는 상한검출전압과 AFT전압을 비교하는 고전압비교기(34)와, 상기 제어스위치회로(31), 저전압비교기(32), 고전압비교기(34)의 출력상태에 따라 음성증폭회로(5)에 음성증폭레벨을 변동시킬 수 있는 전압을 출력하는 출력스위칭회로(36)가 구성된 것을 특징으로하는 수신잡음 제거회로.
  2. 제1항에 있어서, 저전압비교기(32)가 트랜지스지터(Q5, Q6)로 구성된 차동증폭기로 구성되며 트랜지스터(Q5, Q6)의 에미터 공통에 트랜지스터(Q7)와 다이오우드( D1, D2)로 구성된 제어스위칭회로(31)가 접속됨을 특징으로하는 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 고전압비교기(34)가 다링톤접속으로 된 차동증폭기로 구성되며 트랜지스터(Q2, Q4)의 에미터공통이 상기 저전압비교기(32)의 한 출력단에 접속됨을 특징으로 하는 회로.
  4. 제1항에 있어서, 출력스위칭회로(36)가 고전압비교기(31)의 출력단과의 전류리피터를 구성하는 트랜지스터(Q9)와 이 트랜지스터(Q9)의 전류에 의해 스위칭을 하는 트랜지스터(Q10)및 분압저항(R9, R10)을 구비하여 음성증폭회로(5)의 음성증폭레벨을 변동시킬 수 있는 전압을 출력함을 특징으로 하는 회로.
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