KR850001362B1 - A radiation element of infrared rays - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 본 발명에 의한 한실시예에 판상(板狀) 원적외선 발산소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a plate-like far-infrared diverging element in one embodiment according to the present invention.
제2도는 본 발명에 의한 다른 실시예의 관상(管狀) 원적외선 발산소자의 단면도.2 is a cross-sectional view of a tubular far-infrared diverging element of another embodiment according to the present invention.
제3도는 본 발명에 의한 실험에 2의 성형체 표면에 지르콘계 첨가조성물로 피복시켜 소성한 시편의 원적외선 곡선도로서, 3μ에서 피이크를 나타낸다.FIG. 3 is a far-infrared curve diagram of the test specimen of the present invention coated with a zircon-based additive composition on the surface of the molded
제4도는 본 발명에 의한 실험예 1의 형성체표면을 SiO2-Al2O3-K2O-CaO-B2O3계 유백제로 시유시켜 소성한 시편의 원적외선 곡선도로서 4μ에서 피이크를 나타낸다.FIG. 4 is a far-infrared curve of a specimen obtained by sintering the formed surface of Experimental Example 1 according to the present invention with a SiO 2 -Al 2 O 3 -K 2 O-CaO-B 2 O 3 system milk whitening agent. Indicates.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 금속열선 2 : 발산부1: metal heating wire 2: diverging part
3 : 원적외선 발산체 4 : 리이드선3: far infrared emitter 4: lead wire
5 : 단자 6 : 지지금구5: terminal 6: support pin
본 발명은 원적외선 발산소자에 관한 것이다. 좀 더 자세히 말하면 지르콘(Zr)계 원적외선 발산체소지 또는 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지에 금속열선을 매몰시켜 성형한 그 성형체 표면에 특정한 유백제로 시유하여 소성시킨 원적외선 발산소자에 관한 것이다.The present invention relates to a far infrared ray emitting element. In more detail, Zircon (Zr) far-infrared emitters or Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitters were formed by embedding a metal heating wire in the form of a far-infrared-emitting device fired by using a specific milky agent on the surface of the molded body. will be.
본 발명은 본 발명자가 고안해낸 실용신안등록 제23,373호의 건조용 적외선 발열장치에서 방열부의 관벽, 즉 내열성 애자와 조절용커버의 물성에 대해서 집중적으로 연구한 결과 적외선의 통과한 계파장을 선택적으로 발산시켜 건조효과를 종래보다 더 효율적으로 처리시킬 수 있는 원적외선 발산소자를 실현시키기 위하여 본 발명을 연구한 것이다.The present invention has been intensively studied on the physical properties of the tube wall, that is, the heat-resistant insulator and the adjusting cover of the heat dissipation device in the drying infrared heating device of Utility Model Registration No. 23,373 devised by the present inventors to selectively diverge The present invention has been studied in order to realize a far-infrared diverging element capable of processing the drying effect more efficiently than before.
특히, 원적외선 복사파장의 영역이 3μ 이상인 원적외선 발산소자를 판상(板狀) 또는 관상(管狀)으로 구성하고, 그 내부에 금속열선(1150℃ 이상의 온도에견딜 수 있는 금속열선을 매물시켜 소성시킴으로서 그 실용성이 크며 염가로 제작할 수 있고 원적외선을 선택적으로 처리할 수 있도록 한 것이므로 에너지의 절약상볼때 그 상승적 효과가 크다 일반적으로 적외선 건조장치(infrared dryer)는 적외선 램프 또는 다른 적당한 가열체로부터 적외선을 발산시켜 건조시키는 것으로 그 적외선 파장영역이 2μ이하이므로 극히 제한된 범위에서 응용되었다.In particular, a far-infrared diverging element having a region of far-infrared radiation wavelength of 3 mu or more is formed in a plate or tubular shape, and a metal heating wire (which can withstand temperatures of 1150 ° C or higher) is fired by firing it. Its practicality and low cost make it possible to handle far infrared rays selectively. Therefore, the synergistic effect is large in view of energy saving. In general, infrared dryers emit infrared rays from infrared lamps or other suitable heating elements. Its drying was applied in an extremely limited range because its infrared wavelength range was less than 2μ.
더우기, 그 건조처리에 있어서 피건조물은 각각 그 고유의 적외선 흡수파장을 갖고 있다. 그 예로서 유기물질인 경우에는 3μ-25μ의 범위를 갖고 있어 건조 효과를 더 높이기 위해서는 그 건조처리되는 유기물질에 적합한 원적외선 복사영역을 가진 파장을 발생시킬 필요가 있다.In addition, in the drying treatment, the dried objects have their own infrared absorption wavelengths. For example, in the case of an organic material, it has a range of 3 to 25 μm, and in order to further increase the drying effect, it is necessary to generate a wavelength having a far infrared radiation region suitable for the organic material to be dried.
이와같은 요건을 충족시키기 위한 원적외선 발산소자는 열충격에 우수하고 치밀한 소지(素地)로 구성되어야 하며, 열전도가 높고 열팽창계 수가 낮아야 한다.Far infrared ray emitting device to satisfy such requirements should be composed of excellent thermal shock and compact body, high thermal conductivity and low coefficient of thermal expansion.
본 발명에 의한 발산소자를 사용할 경우 종래보다 약 30%의 에너지절감 효과를 실험결과 기대할 수 있다는 것이 확인되었다.When using the divergent device according to the present invention it was confirmed that the energy saving effect of about 30% than the conventional one can be expected from the experimental results.
더 나아가서, 종래의 적외선램프와 석영관 히터등을 사용할 때 적외선 파장영역이 2μ이하로 되어 극히 제한된 파장영역에서만 한정적으로 건조처리를 하였으므로 그 범위를 벗어난 파장영역, 즉 유기물질인 경우(적외선 파장영역 3μ-25μ) 3μ이상의 범위가 넓은 복사영역에서는 적외선 건조처리시에 소기의 건조효과를 달성할 수 없을 뿐만 아니라 에너지 절약상 비능률 적이다.Furthermore, when using a conventional infrared lamp, a quartz tube heater, etc., the infrared wavelength region is 2 μm or less, and the drying process is limited only in the extremely limited wavelength region, so that the wavelength region outside the range, that is, the organic material (infrared wavelength region) 3μ-25μ) In the radiation area with a range of 3μ or more, the desired drying effect cannot be achieved in the infrared drying treatment, and it is inefficient for energy saving.
따라서 본 발명은 앞서 설명한 종래의 결점들을 효과적으로 해결하기 위한 것으로 그 주목적은 지르콘(Zr)소지(素地)에 점토(clay), Fe2O 및 SnO2등을 일정량 첨가시킨 지르콘계 원적외선 발산체소지와 Al2O3-SiO2소지에 Al2O3, SiO2, Fe2O3, K2O, Na2O 등을 일정량 첨가시킨 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체 소지를 일정한 형상으로 성형시킨 다음 필요에 따라 밀도가 높은 선택적 파장을 얻기 위하여 그 성형표면을 지르콘계 첨가 혼합물 또는 Al2O3-SiO2계 첨가 혼합물과 ZrO212wt%, ZrO2, SiO2-20wt%, SnO28wt%로 구성된 SiO2-AlO3-K2O-CaO-B2O3계로 유백제로 시유하고 1000℃-1500℃에서 소성함을 특징으로 한 원적외선 발산소자를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to effectively solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, the main purpose of the zircon (Zr) base (zr) base (zir) -based zircon-based far-infrared emitter body containing a certain amount of clay (Fe 2 O and SnO 2, etc.) the Al 2 O 3, SiO 2, Fe 2
이하, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구체적 기술구성을 다음에 설명한다. 적외선 건조처리에 있어서 원적외선 흡수파장을 가진 유기물질의 경우 특히, 자동차 도장건조에 있어서 종래에는 단파장적외선 발산체가 사용되어 열이용면에서 볼 때 비능률적이었다.Hereinafter, a specific technical configuration for achieving the object of the present invention will be described. In the case of organic materials having a far infrared absorption wavelength in the infrared drying treatment, in particular, in the automotive coating drying, conventionally, short wavelength infrared emitters have been used, which is inefficient in terms of heat utilization.
또, 현재 개발되어 있는 원적외선 발산체 또는 지르콘계, 코르디에라이트(Cordierite)계 및 Al2O3-SiO2계의 원적외선 발산체가 있으나 복사영역의 파장을 선택적으로 발산할 수가 있다.In addition, there are far-infrared emitters or zircon-based, cordierite-based and Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitters, which are currently developed, but can selectively radiate the wavelength of the radiation region.
따라서, 선택성 원적외선 발산소자를 구성시킴으로써 건조효율을 효과적으로 수행할 수 있다.Therefore, the drying efficiency can be effectively performed by constructing a selective far infrared emitting device.
본 발명은 지르콘소지나 Al2O3-SiO2소지에 각종 산화물을 일정량 첨가시켜 원적외선 발산체소지 즉, 지르콘계원적외선 발산체소지와 Al2-SiO2계 원적외선 발산체소지)를 만들어 필요한 형상으로 성형시킴과 동시에 금속가열선을 매몰시킨다음 그 성형표면에 유백제로 시유처리하고, 일정온도에서 소성시킴으로서 선택적으로 원적외선 발산소자를 구성시킬 수 있도록 한 것이다.According to the present invention, a certain amount of various oxides are added to zircon or Al 2 O 3 -SiO 2 so as to form a far-infrared emitter, that is, a zircon-based far-infrared emitter and an Al 2 -SiO 2 -based far-infrared emitter. Simultaneously with molding, the metal heating wire is buried, and the surface of the molding is milk-treated with a milky agent and fired at a predetermined temperature so that the far-infrared emitting device can be selectively configured.
위에서 설명한 발산소자를 구성하는 지르콘계 원적외선 발산체소지와 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지를 구체화하면 다음과 같다.The zircon-based far-infrared emitter body and the Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitter body constituting the divergent element described above are as follows.
지르콘계 원적외선 발산체소지는 지르콘소지에 Zr 55-80wt%, 점토(clay) 10-30wt%, Fe2O3-25wt%, (편의상 이들의 조성물을 지르콘계 첨가혼합물이라함)로 혼합시켜서 된 것이며, Al2-SiO2계 원적외선 발산체소지는 Al2O3-SiO2소지에 Al2O330-40wt%, SiO260-70wt% Fe2O3, K2O, Na2O 0.9-3wt%(편의상 이들의 조성물을 Al2O3-SiO21150℃계 첨가혼합물)을 첨가시켜서 구성된 것이다.Zircon far-infrared emitter body is made by mixing zircon with Zr 55-80wt%, clay 10-30wt%, Fe 2 O 3 -25wt%, (for convenience, their composition is called zircon additive mixture). , Al 2 -SiO 2 based far-infrared radiating cheso that Al 2 O 3 30-40wt% on Al 2 O 3 -
위에서 처리된 원적외선 발산체소지로 성형시킬 때에는 여러가지의 형상으로 할 수 있으나 판상(板狀) 또는 관상(管狀) 형태로 주입성형 및 사출성형등의 성형방법으로 성형시킬 수 있다.When forming the above-mentioned far-infrared emitting body material can be formed in various shapes, but may be molded in a plate or tubular form by a molding method such as injection molding and injection molding.
이때 금속열선을 매몰시키며 1150℃ 이상의 열에 견딜수 있어야 한다.At this time, the metal heating wire must be buried and able to withstand heat of 1150 ° C or higher.
또, 형성된 원적외선 발산체소지 표면에 유백제로 시유처리하여(유백제는 지르콘계 첨가혼합물 또는 Al2O3-SiO2계 첨가혼합물임)In addition, the surface of the formed far-infrared emitter body is treated with a milky agent (milky agent is a zircon-based additive mixture or an Al 2 O 3 -SiO 2 -based additive mixture).
선택성, 적외선 파장이 발산되도록 한다.Selective, allowing infrared wavelengths to diverge.
여기서 시유처리하는 유백제의 조성물은 Na2O, K2O, CaO, BaO, ZnO, Al2O3, B2O, SiO2, ZrO2, SnO2이며 Fe2O3, MNO2, Co등을 첨가하기도 하는 것으로서 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지 성형품이나, 지르콘계 원적외선 발산체소지 공히표면을 시유처리 할 수 있는데 이는 상기 조성물을 적량 가감 혼합하여 처리하는 것이다.Here, the composition of the milking agent which is oil-treated is Na 2 O, K 2 O, CaO, BaO, ZnO, Al 2 O 3 , B 2 O, SiO 2 , ZrO 2 , SnO 2 and Fe 2 O 3 , M N O 2 In addition, Co may be added to the Al 2 O 3 -SiO 2 based far-infrared emitter body-molded product, or zircon-based far-infrared emitter body, both the surface can be milked, which is to treat the composition by appropriate addition or subtraction.
즉 이를 구분하여 설명하면 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지 성형물의 표면시유처리 하는 것은 상기 Al2O3-SiO2계 첨가혼합물과 ZrO212wt%, ZrO2, SiO220wt%, SnO28wt%로 구성된 SiO2-Al2O3-K2O-CaO-B2O3계 유백제이며, 지르콘계 원적외선 발산체소지 성형품의 표면시유처리하는 것은 상기 지르콘계 첨가혼합물과 ZrO212wt%, ZrO2, SiO220wt%, SnO28wt%로 구성된 SiO2-Al2O3-K2O-CaO-B2O3계 유백제이다. 또 소성온도는 1000C-1500C의 범위가 바람직하며 특히 1150℃에서가 가장 바람직하다.In other words, if the description of the separation of the Al 2 O 3 -SiO 2- based far-infrared emitter body-molded product surface treatment is the Al 2 O 3 -SiO 2- based additive mixture and ZrO 2 12wt%, ZrO 2 , SiO 2 20wt%, SiO 2 -Al 2 O 3 -K 2 O-CaO-B 2 O 3 type milk white agent composed of 8 wt% of SnO 2 , and the surface oil treatment of the zircon-based far-infrared emitter molded product is performed by the zircon additive mixture and ZrO 2 SiO 2 -Al 2 O 3 -K 2 O-CaO-B 2 O 3 system whitening agent composed of 12wt%, ZrO 2 , 20wt% SiO 2, 8wt% SnO 2 . The firing temperature is preferably in the range of 1000C-1500C, most preferably at 1150 ° C.
이상과 같이 지르콘계 또는 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지를 소요의 형상으로 사출 성형 또는 주입성형시켜 그 성형표면에 상기한 유백제를 시유처리하여 소성시킴으로써 선택성 원적외선발산도(emissivity)를 높힌다. 특히, 지르콘계 원적외선 발산체소지로 성형할 때에는 사출형성에 의해 관상원적외선 발산소자로 소성할 수도 있고, 또 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체로 성형할 때에는 주입성형에 의해 판상원적외선 발산소자로 소성시킬 수도 있다.As described above, the injection molding or injection molding of the zircon-based or Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitter body is required, and the milky agent is calcined by firing on the surface of the molding to selective emissivity. To increase. In particular, when molded into a zircon-based far-infrared emitter, it may be calcined into a tubular far-infrared emitter by injection molding, and when molded into an Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitter, it may be used as a plate-infrared emitter by injection molding. It can also bake.
다음 표 1은 지르콘계 원적외선 발산체로 성형, 시유 및 소성시켜서된 시편으로서 일반적인 자기화 분기의내에서 1000℃-1500℃로 소성시킨 물성을 나타낸 것이다.The following Table 1 shows the physical properties of the specimens molded, tested and calcined with zircon far-infrared emitter and fired at 1000 ° C-1500 ° C in a general magnetization branch.
[표 1]TABLE 1
또 동일하게 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지의 경우에는 그 시편의 열팽창계수는 5.0-6.0×10-6/deg의 범위이며 흡수율은 15-30%이다.Similarly, in the case of Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitters, the thermal expansion coefficient of the specimen was in the range of 5.0-6.0 × 10 -6 / deg and the absorption rate was 15-30%.
판상형 원적외선 발산체시편의 물성은 소성온도와 유백제의 용융온도로 인하여 특별한 이유가 없는 한 향상시키는 방향이 바람직하며, 이때 주요한 것은 원적외선 발산 영역에 영향을 미치는 결정상들을 주의깊게 고려하여야 한다. 이하, 실시예에 따라 본 발명을 더욱 구체화하면 다음과 같다.The physical properties of the plate-like far-infrared specimens should be improved unless there is a specific reason due to the firing temperature and the melting temperature of the milky agent, and the main ones should be carefully considered the crystal phases affecting the far-infrared emission region. Hereinafter, the present invention is further embodied according to the following examples.
[실시예 1]Example 1
제1도는 본 발명에 의해 구성된 판상(板狀)의 원자외선 발산소자를 나타낸 단면도로서,1 is a cross-sectional view showing a plate-like far-ultraviolet light emitting element constructed according to the present invention.
원자외선 발산체(3), 그 발산체(3)의 하부면에 평면으로 형성된 발산부(2), 그 발산부(2) 내부에 금속열선(1)을 상방향으로 리이드선(4)과 접속시키며, 그 평면상의 발산부 (2)상에 유백제(SiO2-Al2O3-K2O-CaO-B2O3계)로 시유하고 소성시켜(1000℃-1500℃) 소요의 원적외선 발산소자를 얻었다.The far-
[실시예 2]Example 2
제2도는 관상(管狀)의 원자외선 발산소자를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a tubular far ultraviolet emitting element.
내열성 원자외선 발산체(3)의 내부에 형성된 중공부(hollow portion)(5)내에 금속열선(1)을 설치하고 그 금속열선 (1)의 양단자(4)를 지지하는 지지금구(6)으로 그 중공부(5)의 양단을 고착시킨 구성으로 되어있다. 또, 제1도에서와 같이 그 원적외선 발산체의 표면은 유백제로 시유하여 시유층이 구성토록 되어있다.Supporting
그리고 제1도, 제2도의 각 발산체에 있어서 그 지르콘계 원적외선 발산체는 앞서 설명한 바와같이 지르콘소지에 Zr 55-80wt%, 점토 10-30wt%, Fe2O35-20wt%, SnO25-25wt% 의 조성물을 혼합시켜서된 지르콘계 원적외선 발산체 소지로 성형하고, 그 성형표면을 유백제로 시유하여 1150℃로 소성시킨 것이다.The zircon-based far-infrared emitters in the emitters of FIGS. 1 and 2 are Zr 55-80wt%, clay 10-30wt%, Fe 2 O 3 5-20wt%, SnO 2 in the zircon substrate as described above. 5-25 wt% of the composition is mixed with a zircon-based far-infrared emitter body, and the molded surface is calcined at 1150 ° C. with a milky agent.
앞서 설명한 실시예 1및 2에서와 같이 지르콘계 원적외선 발산체소지나 Al2O3-SiO2계 원적외선 발산체소지에 금속열선을 매설시켜 판상 또는 관상으로 사출 성형 또는 주입성형하고, 그 성형품 표면에 소요의 원적외선 판상을 얻기 위하여 유백제로 시유하여 1000℃-1500℃에서 소성시킴으로써 그 발산체소자로서의 요건을 충족시킬 수 있음을 알 수 있다.As in Examples 1 and 2 described above, metal hot wires are embedded in a zircon-based far-infrared emitter or an Al 2 O 3 -SiO 2 -based far-infrared emitter, followed by injection molding or injection molding in a plate or tubular shape, and required on the surface of the molded product. It can be seen that the requirements for the divergent element can be satisfied by firing at 1000 ° C. to 1500 ° C. with an milky agent to obtain a far-infrared plate of.
따라서, 실험결과 원적외선 발산도가 상승적임을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the far-infrared divergence is synergistic.
[실험예 1]Experimental Example 1
다음 조성으로된 소지에 카오린샤모트 점토 15wt% 장석 5-10wt%를 가하여 혼합시켜서된 성형품 표면에 SiO2-Al2O3-K2O-B2O3계 유백제로 시유하여 1150℃로 소성한 시료(sample)의 원적외선 복사영역을 조사하였다.Kaolin Chamotte clay 15wt% feldspar 5-10wt% was added to the body of the following composition and mixed with SiO 2 -Al 2 O 3 -K 2 OB 2 O 3 type milk whitening agent and fired at 1150 ° C. The far-infrared radiation of the sample was investigated.
그 결과 제3도의 곡선도에서와 같이 4μ에서 피이크를 갖고 있다는 것이 확인되었다.As a result, it was confirmed that it had a peak at 4 mu as in the curve of FIG.
상기 소지이 조성비율은 SiO254-55wt%, Al2O338-40wt%, Fe2O31.0-2.0wt%, K2O,Na2O31.0-2.0%로 되어 있다.The composition ratio of the base is SiO 2 54-55wt%, Al 2 O 3 38-40wt%, Fe 2 O 3 1.0-2.0wt%, K 2 O, Na 2 O 3 1.0-2.0%.
[실험예 2]Experimental Example 2
실험예 1에서와 같은 소지로 성형된 판상의 원적외선 발산체소지 성형표면에 지르콘계 첨가혼합물(Zr 55-80wt%, clay 10-30wt%, 산화철 5-25wt%, 산화주석 5-25wt%의 유백제로 시유하여 1150℃로 소성시킨 시편의 원적외선 복사 파장을 조사하였다.Zircon-based admixture (Zr 55-80wt%, clay 10-30wt%, iron oxide 5-25wt%, tin oxide 5-25wt% milky) on the plated surface of the plate-like far-infrared emitter molded with the same base as in Experimental Example 1 The far-infrared radiation wavelength of the specimen fired at 1150 ° C. and subjected to zero test was investigated.
그 결과 제3도의 곡선도에서와 같이 3μ에서 피이크를 갖고 있다는 것이 확인되었다.As a result, it was confirmed that it had a peak at 3 mu as in the curve of FIG.
이상과 같이 본 발명에 의한 원적외선 발산소자는 그 원적외선 복사영역이 3μ 이상의 파장을 발생시키며, 물성특성과 열충격에 강하며 다른 건조공업에도 널리 응용될 수 있으며 특히 자동차도장용 건조에 있어서 종래의 열풍건조방식과 비교할 때 30%의 에너지절감을 할 수 있고, 내구성이 양호하고, 시설비가 저렴하며 반영구적이므로 신뢰도가 높다.As described above, the far-infrared light emitting device according to the present invention generates a wavelength of 3 μm or more in the far-infrared radiation region, is resistant to physical properties and thermal shock, and can be widely applied to other drying industries. Compared to the method, energy can be saved by 30%, durability is good, facility cost is low, and it is semi-permanent, so the reliability is high.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000072400A (en) * | 2000-09-01 | 2000-12-05 | 김진철 | Halogen heater |
-
1983
- 1983-06-07 KR KR1019830002531A patent/KR850001362B1/en not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR20000072400A (en) * | 2000-09-01 | 2000-12-05 | 김진철 | Halogen heater |
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| KR850000892A (en) | 1985-03-09 |
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| J801 | Dismissal of trial |
Free format text: REJECTION OF TRIAL FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT REQUESTED 19860320 Effective date: 19870509 |
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| J2X1 | Appeal (before the patent court) |
Free format text: CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT |
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| J2X2 | Appeal (before the supreme court) |
Free format text: APPEAL BEFORE THE SUPREME COURT FOR CONFIRMATION OF THE SCOPE OF RIGHT |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |