KR840005357A - 고압에 의한 비국부적 열평형 아아크플라스마를 이용한 기질의 용착방법 - Google Patents

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내용 없음

Description

고압에 의한 비국부적 열평형 아아크플라스마를 이용한 기질의 용착방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도 플라스마내의 용착물질 도입을 위한 음극공급부(제3도에 도시함)와 플라스마제트내에서 양극외부의 융착을 위한 방출오리피스를 갖는 본 발명에 따른 장치의 정면도.

제3도 제2도의 선 3-3을 따라 절취한 제1도 및 제2도에 도시한 장치의 측면도.

제4도 플라스마내의 용착물질 도입을 위한 연속적인 공급기구와 플라의마 아아크대역내에서 양극외부의 용착기질표면을 갖는 본 발명에 따른 별개의 장치 측면도.

Claims (90)

1. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적인 열평형 아아크 플라스마를 발생시키고, 아아크 플라스마내에 피복물질을 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 피복물질의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 피막을 형성시킴을 특징으로 하는 기질을 용착시키는 방법.
2. 제1항에 있어서, 아아크 플라스마의 운동을 유발시키는 방법.
3. 제2항에 있어서, 전술한 아아크 플라스마를 회전시키는 단계를 포함하는 방법.
4. 제1항에 있어서, 기질을 전술한 아아크 플라스마의 주위에 위치시키는 방법.
5. 제1항에 있어서, 운반가스를 아아크 플라스마에 접촉시켜 피복물질의 활성화종들을 기질에 운반 시키는 방법.
6. 제5항에 있어서, 운반가스가 피복물질을 아아크 플라스마에 도입시키는 방법.
7. 제5항에 있어서, 운반가스가 불활성가스인 방법.
8. 제1항에 있어서, 피복물질이 금속인 방법.
9. 제1항에 있어서, 피복물질이 반도체 성분인 방법.
10. 제1항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 방법.
11. 제1항에 있어서, 기질이 유리제 미소기구인 방법.
12. 제1항에 있어서, 압력이 약 0.1 내지 3기압인 방법.
13. 제1항에 있어서, 압력이 약 1기압인 방법.
14. 제1항에 있어서, 음극과 음극 근처의 양극사이에 0.5암페어 이상의 전류를 유통시킴으로써 아아크 폴라즈마를 발생시키는 방법.
15. 제14항에 있어서, 전류가 약 2 내지 약 10암페어인 방법.
16. 제14항에 있어서, 전류가 약 3 내지 약 6암페어인 방법.
17. 제14항에 있어서, 피복물질을 음극상 또는 음극내에 배치시켜 피복물질을 도입시키고 증발시키는 방법.
18. 제14항에 있어서, 피복물질을 외부에너지원에 의해 음극 및 양극 대역내에서 증발시켜 피복물질을 아아크 플라스마내에 도입시키는 방법.
19. 제18항에 있어서, 외부 에너지원이 레이저인 방법.
20. 제14항에 있어서, 약 20 내지 약 200볼트의 전압을 음극과 양극에 인가하는 방법.
21. 제1항에 있어서, 피복물질이 아연, 구리, 닉켈, 코발트, 철, 카드뮴, 은, 금, 백금 및 팔라듐중에서 선택되는 방법.
22. 제1항에 있어서, 파복물질을 가스형태로 아아크 플라스마내에 도입시키는 방법.
23. 제1항에 있어서, 아아크 플라스마 주변의 온도가 약 200℃ 내지 약 800℃인 방법.
24. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적 열평형 아아크 폴라스마를 발생시키고, 아아크 폴라스마내에 1종 이상의 반도체 성분을 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 반도체 성분원소의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 반도체 대역을 형성시킴을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
25. 제24항에 있어서, 아아크 플라스마의 운동을 유발시키는 방법.
26. 제25항에 있어서, 아아크 플라스마의 회전단계를 포함하는 방법.
27. 제24항에 있어서, 반도체 성분의 활성화종들을 기질에 운반시키기 위하여 운반가스를 아아크 플라스마에 접촉시키는 방법.
28. 제24항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 방법.
29. 제24항에 있어서, 압력이 약 0.1 내지 약 3기압인 방법.
30. 제24항에 있어서, 압력이 약 1기압인 방법.
31. 제24항에 있어서, 반도체 성분이 실리콘인 방법.
32. 제31항에 있어서, 반도체 성분이 추가로 1종 이상의 도우팬트 원소를 포함하는 방법.
33. 제32항에 있어서, 도우팬트 원소가 비소, 인 및 질소중에서 선정되는 방법.
34. 제32항에 있어서, 도우팬트 원소가 붕소, 알루미늄 및 갈륨중에서 선정되는 방법.
35. 제24항에 있어서, 반도체 원소가 게르마늄인 방법.
36. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적 열평형 아아크플라스마를 발생시키고, 아아크플라스마내에 1종이상의 광민감성 반도체 성분원소를 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 반도체 성분원소의 활성하종들을 기질과 접촉시켜 반도체 대역을 형성시킴을 특징으로 하는 광기전성 반도체 장치의 제조방법.
37. 제36항에 있어서,1종 이상의 도우프 된 반도체 대역이 형성되도록 아아크 플라스마내에 반도체 도우프시약을 도입시키는 방법.
38. 제37항에 있어서, n-형 도우프 원소를 아아크 플라스마내에 도입시키는 방법.
39. 제37항에 있어서 p-형 도우프원소를 아아크 플라스마내에 도입시키는 방법.
40. 제38항에 있어서, 도우프시약이 비소, 인 및 질소중에서 선정되는 방법.
41. 제39항에 있어서, 도우프시약이 붕소, 갈륨 및 알루미늄중에서 선정되는 방법.
42. 제36항에 있어서, 반도체 원소가 실리콘인 방법.
43. 제36항에 있어서, 반도체 원소가 게르마늄인 방법.
44. 제36항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 방법.
45. 제37항에 있어서, 반도체 장치가 각각의 p-형, 진성 및 n-형 반도체의 1종이상의 대역을 포함하는 방법.
46. 제36항에 있어서, 반도체 장치의 조명에 의해서 생성되는 전기의 흐름을 전도시킬 전도체를 제공하는 방법.
47. 제1 전극과 제1 전극 인접부의 제2 전극 사이의 비극부적 열평형내에 존재할 수 있는 아아크 플라스마내에 전기장 분위기를 형성시키고, 제1 전극과 제2 전극의 대역내에 자기장을 형서시켜 아아크 플라스마의 운동을 유발시키며, 제1 전극과 제2전극사이의 1개이상의 대역내에 0.1기압 이상의 압력에서 미리 선정된 가스 분위기를 형성 및 유지시킨 다음, 아아크 플라스마내에 피복물질을 도입시키고, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 피복물질의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 피막을 형성시킴을 특징으로 하는 기질의 용착방법.
48. 제47항에 있어서, 아아크 플라스마의 회전을 유발시키는 방법.
49. 제47항에 있어서, 미리 선정된 기상 분위기가 불황성 가스인 방법.
50. 제47항에 있어서, 미리 선정된 기상 분위기가 산소를 제외하는 방법.
51. 제47항에 있어서, 기질을 아아크 플라스마의 주위에 위치시키는 방법.
52. 제47항에 있어서, 피복물질이 금속인 방법.
53. 제47항에 있어서, 피복물질이 반도체 성분원소인 방법.
54. 제47항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 방법.
55. 제47항에 있어서, 기질이 유리제 미소기구인 방법.
56. 제47항에 있어서, 제1 전극과 제2 전극사이에 약 0.5암페어 이상의 전류를 유통시켜 아아크 플라스마를 발생시키는 방법.
57. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적 열평형 아아크 플라스마를 발생시키고, 아아크 플라스마내에 피복물질을 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 피복물질의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 피막을 형성시킴을 특징으로 하는 방법에 의해 용착된 기질을 포함하는 제품.
58. 제57항에 있어서, 아아크 플라스마의 운동을 유발시키는 방법에 의한 제품.
59. 제58항에 있어서, 아아크 플라스마의 회전단계를 포함하는 방법에 의한 제품.
60. 제57항에 있어서, 피복물질이 금속인 제품.
61. 제57항에 있어서, 피복물질이 반도체 성분 원소인 제품.
62. 제57항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 제품.
63. 제57항에 있어서, 기질이 유리제 미소기구인 제품.
64. 제57항에 있어서, 피복물질이 아연, 구리, 닉켈, 코발트, 철, 카드뮴, 은, 금, 백금 및 팔라듐에서 선정되는 제품.
65. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적 열평형 아아크 플라스마를 발생시키고, 아아크 플라스마내에 1종이하의 반도체 성분원소를 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 근접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 반도체 물질의 활성화종들을 기질에 접촉시켜 반도체막을 형성시킴을 특징으로 하는 방법에 의해 제조되는 반도체.
66. 제65항에 있어서, 아아크 플라스마의 운동을 유발시키는 방법에 의해 제조되는 반도체.
67. 제66항에 있어서, 아아크 플라스마를 회전시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조되는 반도체.
68. 제65항에 있어서, 기질이 전기전도성인 반도체.
69. 제65항에 있어서, 반도체 원소가 실리콘인 반도체.
70. 제69항에 있어서, 반도체 원소가 추가로 1종이상의 도우핑 원소를 포함하는 반도체.
71. 제70항에 있어서, 도우핑 원소가 비소, 인 및 질소중에서 선택되는 반도체.
72. 제70항에 있어서, 도우핑 원소가 붕소, 알루미늄 및 갈륨중에서 선택되는 반도체.
73. 제65항에 있어서, 반도체 원소가 게르마늄을 포함하는 반도체.
74. 약 0.1기압이상의 압력에서 비국부적 열평형 아아크 플라스마를 발생시키고, 아아크 플라스마내에 광기전성 반도체를 도입시킨 다음, 아아크 플라스마 근접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 반도체 물질의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 반도체층을 형성시킴을 특징으로 하는 방법에 의해 제조되는 광기전성 반도체 장치.
75. 제36항에 있어서, 1종 이상의 도우프 반도체 대역이 형성되도록 아아크 플라스마 내에 반도체 도우프 물질을 도입시킴을 특징으로 하는 광기전성 반도체 장치.
76. 제75항에 있어서, n-형 도우프 원소를 아아크 플라스마에 도입시킴을 특징으로 하는 광기전성 반도체 장치.
77. 제75항에 있어서, p-형 도우프 원소를 아아크 플라스마에 도입시킴을 특징으로 하는 광기전성 반도체 장치.
78. 제76항에 있어서, 도우프 원소가 비소, 인 및 질소중에서 선택되는 광기전성 반도체 장치.
79. 제77항에 있어서, 도우프 원소가 붕소, 갈륨 및 알루미늄중에서 선택되는 광기전성 반도체 장치.
80. 제74항에 있어서, 반도체 원소가 실리콘을 포함하는 광기전성 반도체 장치.
81. 제74항에 있어서, 반도체 원소가 게르마늄을 포함하는 광기전성 반도체 장치.
82. 제74항에 있어서, 기질이 전기 전도성인 광기전성 반도체 장치.
83. 제75항에 있어서, 반도체 장치가 각각의 p-형, 진성 및 n-형 반도체 물질의 적어도 1개 대역을 포함하는 광기전성 반도체 장치.
84. 제74항에 있어서, 반도체 장치를 조명시켜 전기를 전도시키기 위하여 전기 전도체를 제공한 광기전성 반도체 장치.
85. 제1극 전극과 제1 전극 인접부의 제2 전극 사이의 비국부적 열평형내에 존재할 수 있는 아아크 플라스마내에 전기장 분위기를 형성시키고, 제1 전극과 제2 전극의 대역내에 자기장을 형성시켜 아아크 플라스마의 운동을 유발시키며, 제1 전극과 제2 전극사이의 1개이상의 대역내에 0.1기압 이상의 압력에서 미리 선정한 가스 분위기를 형성 및 유지시킨 다음, 아아크 플라스마내에 피복물질을 도입시키고, 아아크 플라스마 인접부에 기질을 위치시킴으로써 아아크 플라스마에 의해 형성된 피복물질의 활성화종들을 기질과 접촉시켜 피막을 형성시킴을 특징으로 하는 기질의 용착방법에 의해 제조된 용착된 기질을 포함하는 제품.
86. 제85항에 있어서, 아아크 플라스마의 회전을 일으키는 방법에 의해 제조된 제품.
87. 제85항에 있어서, 피복물질이 금속을 포함하는 제품.
88. 제85항에 있어서, 피복물질이 반도체 성분 원소를 포함하는 제품.
89. 제85항에 있어서, 기질인 전기 전도성인 제품.
90. 제85항에 있어서, 기질이 유리제 미소기구인 제품.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.