KR840003144A - 반도체용 캐티비이티드 인(燐) 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치 - Google Patents

반도체용 캐티비이티드 인(燐) 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체용 캐티비이티드 인(燐) 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명에 의한 단원 증기운반 장치의 횡단면에서의 부분적 개략도.
제2도는 제1도의 증기운반 장치 부분의 개략도.

Claims (156)

  1. 기질 위에 침적된 MPx(M은 1개 이상의 금속이며, P는 1개 이상의 프닉타이드 임)의 고체 필름으로 이루어지는 반도체용 캐티네이티드 인 물질의 제조방법.
  2. 인 원자가 결합된 인원자의 5각관상 배열을 형성하는 다중 공유 인-대(對)-인 결합에 의하여 함께 결합되고, 상기 인의 국부차수는 일반적으로 서로 병렬의 그 모든 축선을 지배적으로 가진 상기 관상 배열에 의하여 한정되는 신규 형태의 고체인 물질로 이루어지는 반도체용 캐티네이티드 인 물질의 제조방법.
  3. 구조식 MPx(M은 1개 이상의 알칼리금속이며, P는 주로인이나 1개 이상의 다른 프닉타이드를 포함할 수 있고, X가 15이상 인)을 가진 고체 안정성 물질로 이루어지는 반도체용 캐티네이티드 인 물질의 제조방법.
  4. 인 증기 및 1개 이상의 금속의 증기로 분리되고 가열된 원으로 부터의 증기운반의 침적 생성물로서 형성된 고인 물질로 이루어진 반도체용 캐티네이티드 인 물질의 제조방법.
  5. 화학적으로 증기 침적에 의하여 형성된 고인, 폴리포스파이드 필름 물질로 이루어지는 반도체용 캐티네이티드 인 물질의 제조방법.
  6. 섬광 증발에 의하여 형성된 고인, 폴리포스파이드 필름물질로 이루어지는 반도체용 캐티네이티드인 물질의 제조방법.
  7. 실질적으로 전체에 걸쳐서 다수의 원자가 세가지, 등원자, 공유원자가 결합을 가진 원자종의 원자로 이루어진 물질로 형성된 반도체 장치.
  8. 실질적으로 전체에 걸쳐서 국부차수가 실질적으로 5각관내로 공유 결합된 7개 이상의 원자 그루우프에 의하여 한정된 물질로 형성된 캐티네이티드 인 물질의 반도체장치.
  9. 실질적으로 전체에 걸쳐서, 국부차수가 구조식 MPx(M이 금속이며, X가 6이상 인)을 가진 폴리포스파이드에 의하여 한정된 물질로 형성된 캐티네이티드 인 물질의 반도체 장치.
  10. 실질적으로 전체에 걸쳐서, 국부차수가 5각관의 층을 형성하는 다중 공유 원자-대-원자 결합에 의하여 함께 연결되는 원자에 의하여 한정되며, 상기 관은 개개의 층내에서 실질적으로 서로 병렬로 되는 물질로 이루어지는 캐티네이티드 인 물질의 반도체 장치.
  11. 등원자 공유 결합의 캐티네이숀이 지배적인 국부차수를 가진 무기질을 포함하며, 상기 물질의 모든 공유결합은 상기 물질내에서 지배적 도전 통로를 제공하는 공유결합이고, 상기 물질은 1.4∼2.2eV 범위내의 밴드갭을 가지는, 캐티네이티드 인 물질의 반도체 장치.
  12. 등원자 공유결합의 캐티테이숀이 지배적인 국부차수를 가진 무기물질을 포함하며, 상기 물질의 모든 공유 결합은 상기 물질내에서 지배적 도전통로를 제공하는 공유결합이고, 상기 물질은 100∼10,000범위내의 광도전성 비율을 가진 캐티네이티드 인 물질의 반도체 장치.
  13. 알카리금속의 존재하에증기 상으로 부터 응결된 고인 폴리포스파이드 물질로 이루어지는 캐티네이티드 인 물질의 반도체 장치.
  14. 두 증기종의 단일 가열원과, 실질적으로 정온으로 유지되는 신장된 침적대로 이루어지는 증기운반 장치.
  15. 두 증기종의 단일원이 첫번째 대(帶)내에서 가열되고, 최소 한 두개의 다른 대가 상기 대와 연결되고 최소한 두 다른 온도로 유지되는 증기운반장치.
  16. 최소한 두개의 다른 증기증의 최소한 두 분리된 가열원으로 이루어지는 증기운반 장치.
  17. 가열실; 상기 가열실내의 기질; 상기 가스실의 배출수단 및 가스 유동에 의하여 포위되는 상기 가스실로 들어가는 첫번째 성분의 가스 유동으로 구성되는 화학적 침적장치.
  18. 응결 기질 위에 증발된 인의 유동하는 별개의 가스 흐름 및 알칼리금속으로 이루어지는 고인 폴리포스파이드의 화학적 증기 침적 방법.
  19. 가열된 서셉터 및 물질 유동을 위한 수단으로 이루어지는 섬광증발 장치.
  20. 물질을 증발시키기 위하여 가열된 서셉터를 통하여 물질을 유동시킴으로써 이루어지는 섬광증발 방법.
  21. 1개 이상의 알칼리금속 및 1개 이상의 프닉타이드를 함께 보울밑에 의하여 분쇄함으로써 이루어지는 물질의 제조방법.
  22. 구조식 MPx(M이 1개 이상의 금속이며, P는 대부분이 인이나 2개의 분리된 인 및 1개 이상의 금속원과 전체영역 위에서 항온을 가진 별개의 침적대로 구성된 증기운반에 의한 1개 이상의 프닉타이드를 포함할 수 있다)의 폴리포스파이드 물질의 제조방법.
  23. 금속 폴리포스파이드의 기질 위에서 증기운반에 의하여 인을 침적시킴으로써 이루어지는 실질적으로 순수한 인의 형성방법.
  24. 제어된 온도대내에서 1개 이상의 금속 및 인을 가열하고 그리고 전체 영역에 걸쳐 실질적으로 항온을 가진 제2의 제어된 온도대에 공급된 증기로부터 금속포스파이드를 침적시킴으로써 이루어지는 금속 폴리포스파이드의 제조방법.
  25. M 및 P를 함께 가열하고, 그후에 그것들을 실온까지 냉각시킴으로써 이루어지는 구조식, MPx(M이 1개 이상의 금속이며, P가 인이다)를 가진 고인 폴리포스파이드 물질의 제조방법.
  26. 결정질 꼬여진 섬유인의 제조방법.
  27. 성형 봉 형태의 결정질 폴리포스파이드 물질의 제조방법.
  28. 상당한 량의 알칼리 금속 증기의 존재하에 증기 상으로부터 응결되어 이루어지는 단사정계인 물질의 제조방법.
  29. 500∼550℃의 범위내의 온도에서 증기상으로 부터 응결되어 이루어지는 고순도 인의 제조방법.
  30. 실질적으로 0.2mm이상의 최대 치수를 가진 단사정계 인의 결정체로 이루어지는 물질의 제조방법.
  31. 실질적으로 0.05mm이상의 최소 치수를 가진 단사정계인의 결정체로 이루어지는 물질의 제조방법.
  32. 단사정계인 물질로 형성된 광학 회전장치.
  33. 밀봉된 앰플내에서 인을 증발시키고, 그것을 실질적으로 500∼550℃범위내의 온도에서 응결시킴으로써 이루어지는 고순도인 물질의 제조방법.
  34. 단사정계 인으로 이루어지는 복합물질의 제조방법.
  35. 고인 폴리포스파이드로 이루어지는 인화 억제 물질의 제조방법.
  36. 고인 폴리포스파이드로 이루어지는 충전물질의 제조방법.
  37. 결정질 고인 폴리포스파이드로 이루어지는 복합물질용 보강물질의 제조방법.
  38. 고 프닉타이드 폴리프닉타이드로 이루어지는 보호 코우팅 물질의 제조방법.
  39. 고 프닉타이드 폴리프닉타이드로 이루어지는 광학적 코우팅 물질의 제조방법.
  40. 최소한 1개 층의 고프닉타이드 폴리프닉타이드를 포함하는 반사방지 코우팅 물질의 제조방법.
  41. 고인 반도체와 다른 프닉타이드와의 도우핑(Doping)방법.
  42. 고인 반도체와 점령된 d 또는 f외측 전자 레벨과의 도우핑 방법.
  43. a) 최소한 그 하나의 구성분으로서, 인-대-인 결합을 함유하고, 원자들이 상기 인원자에 결합된 알카리금속을 함유하는 폴리포스파이드를 포함하며, 연속적 고유원자가 인-대-인 결합의 수가 상기 물질에 반도체 특성을 부여하기 위하여 비-인-대-인 결합의 수보다 충분히 더 많은 물질을 마련하고, b) 상기 물질을 반도체로서 이용하기 위하여 상기 물질과 전기적으로 통신하기 위한 수단을 상기 물질에 부착시키는 공정단계로 이루어지는 반도체 장치의 형성방법.
  44. a) 최소한 그 하나의 구성분으로서, 개개의 단위가 최소한 7개의 공유결합된 인원자의 골격을 가진 2개의 폴리포스파이드 단위를 포함하며, 상기 단위는 최소한 1개의 알칼리금속 원자와 연합되고, 상기 알칼리금속 원자는 다른 단위의인골격을가진 1개 단위의 인골격을 도전적으로 가교하고, 그리고 상기 인-대-인 결합에 의하여 주로 결정되는 밴드갭을 가지는 물질을 마련하고, b) 반도체로서 상기 물질을 이용하기 위하여 상기 물질과 전기적으로 통신하기 위한 수단을 상기 물질에 부착하는 공정단계로 이루어지는 반도체 장치의 형성방법.
  45. a) 최소한 그 1개 구성분을서, 구조식 MPx(M이 알칼리금속이고, X가 최소한 7의 P대 M의 원자 비율이다)를 가진 폴리포스파이드를 포함하며, 1∼3eV범위내에서 에너지 밴드갭을 가진 물질을 마련하고 b) 반도체로서 상기 물질을 사용하기 위하여 상기 물질과 전기적으로 통신하기 위한 수단을 상기 물질에 부착하는 공정단계로 이루어지는 반도체 장치의 형성방법.
  46. 특허청구의 범위 14 내지 19기재의 장치에 의하여 생성물 물질의 제조방법.
  47. 특허청구의 범위 18,20,22 내지 25,33 또는 41 또는 45기재의 방법에 의하여 생성된 조성물.
  48. 특허청구의 범위 1 내지 6,46 또는 47기재의 물질로 형성된 반도체 장치.
  49. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 48기재(여기에서 상기 물질이 단일 알칼리금속으로 이루어지는)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  50. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 48기재(여기에서 상기 물질이 최소한 두개의 다른 알칼리금속으로 이루어지는)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  51. 특허청구 범위 4,6,9,18,21,22,24,25,35 내지 37 또는 43내지 50기재(여기에서 상기 물질은 상기 물질내의 개개의 금속원자당 다른 인원자에 최소한 7개의 인원자가 결합되는)의 반도체용 캐티비이티드인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  52. 특허청구의 범위 51기재(여기에서 15개의 인원자가 상기 물질내의 각 금속원자당 다른 인원자에 결합되는)의 반도체용 캐티비이티드 인물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  53. 특허청구의 범위 52기재(여기에서 상기 물질내의 개개의 금속원자당 최소한 500개의 인 원자가 존재하는)의 반도체용 캐티비이티드 인물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  54. 특허청구의 범위 50기재(여기에서 b:a가 [P8]대 [MP7]의 원자 비율이다)의 반도체용 캐티비이티드 인물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  55. 특허청구위 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 54기재(여기에서 상기 폴리포스파이드가 구조식 MPx를 가지며, X가 실질적으로 15와 동등한)의 반도체용 캐티비이티드 인물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  56. 특허청구의 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43내지 54기재(여기에서 상기 폴리포스파이드가 구조식 MPx을 가지며, X가 14이상인)의 반도체용 캐티비이티드인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  57. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 54기재(여기에서 X가 7∼15의 범위내 인)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  58. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 57기재(여기에서 상기 금속이 Li이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  59. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 57기재(여기에서 상기 금속이 Na이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  60. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 57기재(여기에서 상기 금속이 K이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  61. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 57기재(여기에서 상기 금속이 Rb이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  62. 특허청귀 범위 1 내지 13,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 43 내지 57기재(여기에서 상기 금속이 Cs이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  63. 특허청구의 범위 2,7,8,10 내지 12 또는 43기재(여기에서 최소한 상기 원자수의은 3개의 등원자 결합을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  64. 특허청구의 범위 63기재(최소한 상기 원자수의가 3개의 등원자 결합을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  65. 특허청구의 범위 64기재(여기에서 등원자 결합을 가진 상기 종의 원자비율이이상이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  66. 특허청구의 범위 2,13,18,21,22,24,25,29,33,35 내지 40 또는 43 내지 48기재(여기에서 상기 물질은 관상 원통형 구조에 의하여 그 국부차수로 특징져진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  67. 특허청구의 범위 66기재(여기에서 상기 국부차수내에서의 관상구조는 모두 일반적으로 병렬이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  68. 특허청구의 범위 66 또는 67기재(여기에서 상기 물질의 주요 성분은 3가이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  69. 특허청구의 범위 66 또는 67기재(여기에서 상기 원주형 구조는 단부에서 보았을 때에 채널모양이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  70. 특허청구의 범위 66 또는 69기재(여기에서 상기 원주형 구조는 단부에서 보았을 때에 5각이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  71. 특허청구의 범위 68 또는 70기재(여기에서 상기 원자는 1 또는 2이상의 프닉타이드이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  72. 특허청구의 범위 66 또는 71기재(여기에서 상기 원자가 지배적으로 인이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  73. 특허청구의 범위 7,8 또는 10내지 22기재(여기에서 상기 원자의 결합은 98°이상의 평균 각의 간격이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  74. 특허청구의 범위 73기재(상기 각은 87°∼109°)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  75. 특허청구의 범위 11 또는 12기재(여기에서 상기 연쇄와 동인하지 않은 1개 이상의 원소의 추가원자가 2개 이상의 상기 연쇄내에 결합된다)의 반도체 장치.
  76. 특허청구의 범위 75기재(상기 추가적 원자기 그것들이 결합되는 연쇄 사이에 도전통로를 형성한다)의 반도체 장치.
  77. 특허청구의 범위 75 또는 76기재(여기에서 개개의 국부차수내에서 상기 연쇄는 모두 병렬이다)의 반도체 장치.
  78. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,21,22,24,25,33,35 내지 40,43 내지 48 또는 65 내지 77기재(여기에서 상기 물질은 인 및 알칼리금속의 개별적 원으로 부터 침적대에서 증기운반으로 부터의 침적 생성물로서 형성된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  79. 특허청구의 범위 7,8,10 내지 12,43 내지 63 내지 65 또는 71 내지 77기재(여기에서 상기 원자의 대부분이 실질적으로 인이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  80. 특허청구의 범위 3 또는 4,5,9,13,18,22,24,25,28,30 내지 32, 34 내지 37 ,43 내지 49,54,58 내지 62,78 또는 79기재(여기에서, 인대 금속의 원자비율은 실질적으로 50이상이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  81. 특허청구의 범위 80기재(여기에서 상기 원자 비율이 200이상이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  82. 특허청구의 범위 71기재(여기에서 상기 원자 비율이 실질적으로 1,000이상이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  83. 특허청구의 범위 81기재(여기에서 상기 금속의 양이 1,000PPM이하이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  84. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,22,24,25,33,43 내지 53,63 내지 65 또는 73 내지 77기재(여기에서 상기 물질은 1∼3전자 볼트의 범위내의 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  85. 특허청구의 범위 84기재(여기에서 상기 물질은 1.4∼2.2범위내의 전자볼트의 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  86. 특허청구의 범위 85기재(여기에서 상기 물질을 실질적으로 1.8전자 볼트의 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법.
  87. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,22,24,25,33,43 내지 53,63 내지 65,73 내지 77 또는 84 내지 86(여기에서 상기 물질은 100∼10,000의 범위내의광도전성 비율을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  88. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,22,24,25,28,29,32,33 또는 43내지 87기재(여기에서 상기 물질은 단일결정체로 형성된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  89. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,22,24,25,29,33 또는 43내지 87기재(여기에서 상기 물질은 다결정질이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  90. 특허청구의 범위 1 내지 13,22,24,25,29,33 또는 43내지 87기재(여기에서 상기 물질은 무정형이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  91. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,22,24,38 또는 40,43 내지 87,89 또는 90기재(여기에서 상기 물질은 얇은 필름 형이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  92. 특허청구의 범위 91기재(여기에서 얇은 필름은 유리기질 위에 침적된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  93. 특허청구의 범위 91기재(여기에서 상기 필름은 금속 기질위에 침적된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  94. 특허청구의 범위 7 내지 13,47 또는 73 내지 77기재(여기서 접합이 이루어진다.)의 반도체 장치.
  95. 특허청구의 범위 94기재(여기에서 상기 접합은 Cu, Al, Mg, Ni, Au, Ag 및 Ti로 구성된 그루우프에서 선택된 금속으로 이루어진다)의 반도체 장치.
  96. 특허청구의 범위 95기재(여기에서 접합 금속은 Ni이다)의 반도체 장치.
  97. 특허청구의 범위 7 내지 13,47 내지 73 또는 77,94,96기재(여기에서 상기 물질은 다른 프닉타이드의 원자와 도우핑 되어진다)의 반도체 장치.
  98. 특허청구의 범위 97기재(여기에서 프닉타이드는 As이다)의 반도체 장치.
  99. 특허청구의 범위 7 내지 13,48,73,74 내지 77 또는 94 내지 98기재(여기에서 상기 물질은 점령된 외측 f 또는 d전자레벨을 가진 금속을 함유함으로써 도우핑된다)의 반도체 장치.
  100. 특허청구의 범위 99기재(여기에서 상기 도우핑제는 니켈, 철 및 크롬으로 구성되는 그루우프에서 선택된다)의 반도체 장치.
  101. 특허청구의 범위 7 내지 13,47,73 내지 77 또는 94 내지 100기재(여기에서 금속접척이 포함되며, 이 접촉은 Cu, Al, Mg, Ni, Au, As 및 Ti로 구성되는 그루우프에서 선택된다)의 반도체 장치.
  102. 특허청구의 범위 41기재(여기에서 상기 프닉타이드는 As, Sb 및 Ni로 구성되는 그루우프에서 선택된다)의 도우핑 방법.
  103. 특허청구의 범위 102기재(여기에서 상기 프닉타이드는 As이다)의 도우핑 방법.
  104. 특허청구의 범위 41,102 또는 103기재(여기에서 인에 대한 다른 프닉타이드의 비율을 50이하이다)의 도우핑 방법.
  105. 특허청구의 범위 104기재(상기 비율은 10% 이내이다)의 도우핑 방법.
  106. 특허청구의 범위 42기재(상기 금속은 Fe, Ni 또는 Cr로 구성되는 그루우프에서 선택된다)의 도우핑 방법.
  107. 특허청구의 범위 1 내지 13,18,21,22,24,25,27,28,30 내지 40 또는 46 내지 48기재(여기에서 상기 금속이 알칼리금속으로 이루어진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  108. 특허청구의 범위 107기재(여기에서 최소한 7개 인 원자가 상기 물질내의 개개의 금속원자당 다른 인 원자에 결합된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  109. 특허청구의 범위 107기재(여기에서 최소한 15개의 인원자가 상기 물질내의 개개의 금속원자당 다른 인원자에 결합된다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  110. 특허청구의 범위 109기재(여기에서 상기 물질내에서의 인원자대 금속원자의 비율은 최소한 500대 1이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  111. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 금속은 Li이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  112. 특허청구의 범위 63내지 65,74 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 금속은 Na이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  113. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 금속은 K이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  114. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 금속은 Rb이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  115. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 금속은 Cs이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  116. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 물질은 LiPx이고, X는 7이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  117. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 물질은 NaPx이고, X는 최소한 7이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  118. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 물질은 KPx이고, X는 최소한 7이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  119. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 물질은 RbPx이고, X는 최소한 7이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  120. 특허청구의 범위 63내지 65,73 내지 77,84 내지 87,94 내지 101 또는 107 내지 110기재(여기에서 상기 물질은 CsPx이고, X는 최소한 7이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  121. 특허청구의 범위 84 내지 87,94 내지 101 또는 106 내지 120기재(여기에서 상기 물질은 1∼3 전자볼트의 범위내에 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  122. 특허청구의 범위 121기재(여기에서 상기 물질은 1.4∼2.2 전자볼트의 범위내에 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  123. 특허청구의 범위 122기재(여기에서 상기 물질이 실질적으로 1.8전자볼트의 밴드갭을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  124. 특허청구의 범위 84 내지 87,94 내지 101 또는 106 내지 120기재(여기에서 상기 물질은 100∼10,000의 범위내의 광도전성 비율을 가진다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  125. 특허청구의 범위 120기재(여기에서 상기 고순도 인은 상당한 양의 알칼리금속 증기하에 응결된다)의 고순도 인의 제조방법.
  126. 특허청구의 범위 29 또는 125기재(여기에서 상기 고순도 인은 약 539℃의 온도에서 응결된다)의 고순도 인의 제조방법.
  127. 특허청구의 범위 30 또는 31기재(여기에서 상기 단사정계 인은 상당량의 알칼리금속 증기의 존재하에 증기상으로 부터 응결된다)의 단사정계 인의 제조방법.
  128. 특허청구의 범위 127기재(여기에서 상기 단사정계 인은 500∼550℃의 범위내의 온도에서 증기상으로부터 응결된다)의 단사정계 인의 제조방법.
  129. 특허청구의 범위 127기재(여기에서 상기 단사정계 인은 약 539℃의 온도에서 응결된다)의 단사정계 인의 제조방법.
  130. 특허청구의 범위 20기재(여기에서 유동물질은 인으로 이루어진다)의 방법.
  131. 특허청구의 범위 20 또는 130기재(여기에서 상기 유동물질은 인으로 이루어진다)의 방법.
  132. 특허청구의 범위 131기재의 방법에 의하여 생성되는 물질의 제조방법.
  133. 특허청구의 범위 132기재(여기에서 상기 물질은 얇은 필름의 형태이다)의 물질의 제조방법.
  134. 특허청구의 범위 133기재(여기에서 상기 물질은 다결정질이다)의 물질의 제조방법.
  135. 특허청구의 범위 133기재(여기에서 상기 물질은 무정형이다)의 물질의 제조방법.
  136. 특허청구의 범위 28,30,31 또는 127 내지 129기재(여기에서 상기 인은 50∼2,000ppm범위 내의 알칼리금속을 함유한다)의 단사정계 인의 제조방법.
  137. 특허청구의 범위 28,30,31 또는 127 내지 129 또는 136기재(여기에서 상기 단사정계 인은 소판상의 형태를 가진다)의 단사정계 인의 제조방법.
  138. 특허청구의 범위 28,30,31 또는 127 내지 129,136 또는 137기재(여기에서 상기 단사정계 인은 선단을 자른 피라밋 형태이다)의 단사정계 인의 제조방법.
  139. 특허청구의 범위 28,127 내지 136 내지 138기재(여기에서 상기 증기는 546∼564℃의 범위내의 온도에서 형성된다)의 단사정계 인의 제조방법.
  140. 특허청구의 범위 28,127,136 또는 138기재(여기에서 알칼리금속은 나트륨이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  141. 특허청구의 범위 28,127,136 또는 137기재(여기에서 알칼리금속은 포타슘이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  142. 특허청구의 범위 28,127,136 또는 137기재(여기에서 알칼리금속은 루비듐이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  143. 특허청구의 범위 28,127,136 또는 137기재(여기에서 알칼리금속은 세슘이다)의 반도체용 캐티비이티드 인 물질의 제조방법과 그 제조 및 사용장치.
  144. 특허청구의 범위 26기재(여기에서 상기 인은 실질적으로 509℃에서 증기상으로 부터 응결된다)의 인의 제조방법.
  145. 특허청구의 범위 27기재(여기에서 상기 폴리포스파이드는 500℃이하의 온도에서 증기상으로 부터 응결된다)의 폴리포스파이드의 제조방법.
  146. 특허청구의 범위 145기재(여기에서 상기 폴리포스파이드는 실질적으로 462℃의 온도에서 응결된다)의 폴리포스파이드의 제조방법.
  147. 특허청구의 범위 38 내지 40기재(여기에서 코우팅은 유리기질 위에 된다)의 코우팅 방법.
  148. 특허청구의 범위 38 내지 40기재(여기에서 상기 코우팅은 금속기질 위에 된다)의 코우팅 방법.
  149. 특허청구의 범위 38 내지 40기재(여기에서 상기 프닉타이드는 인이다)의 코우팅 방법.
  150. 특허청구의 범위 38 내지 40기재(여기에서 상기 코우팅은 무정형이다)의 코우팅 방법.
  151. 결정질 MPx(X은 알칼리금속으로 이루어지고 P는 인이며, 그리고 X는 7이다)을 함유하는 복합물질용 보강재.
  152. 결정질 MP15(M은 알칼리금속으로 이루어지며, P는 인이다)을 함유하는 복합물질용 보강재.
  153. 결정질 MPx(M은 알칼리금속 또는 알칼리금속의 결합을 모방하는 기타 금속이며, P는 인이고, X는 7이상이다)을 함유하는 복합물질용 보강재.
  154. 결정질 MP15(M은 알칼리금속, 또는 알칼리금속의 결합을 모방하는 기타 금속이며, P는 인이다)을 함유하는 복합물질용 보강재.
  155. 특허청구의 범위 35 내지 37 또는 151 내지 154(여기에서 상기물질은 유리내에 채워넣어진다)의 보강재.
  156. 특허청구의 범위 35 내지 37 또는 151 내지 154(여기에서 상기물질은 플라스틱물질내에 채워진다)의 보강재.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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