KR840000375Y1 - 텔레비젼 수상기의 vhf국부발진기 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

텔레비젼 수상기의 VHF국부발진기

제1도는 종래의 VHF국부발진기를 나타내는 접속도.

제2도는 본 고안에 의한 텔레비젼 수상기의 VHF국부발진기의 1예를 나타내는 접속도.

제3도는 그 작용을 설명하는 접속도이다.

본 고안은 텔레비젼 수상기의 VHF국부발진기에 관한 것이다.

종래의 반도체 집적회로(이하 IC로도 칭함)화된 VHF국부발진기로서 제1도에 나타내는 구성의 것이 사용되고 있다.

제1도에 있어서(1)은 1쌍의 트랜지시터 TR1및 TR2를 가지는 불평형차동형 (不平衡差型動) 발진회로로서, 트랜지스터 TR1및 TR2의 콜렉터가 IC의 외부단자 T2및 T3를 개재하여 탱크회로(2)의 로우채널코일(3) 및 하이채널코일(4)에 접속되어있다. 트랜지스터 TR1및 TR2의 에미터는 정전류 트랜지스터 TR3 및 그에미터저항(5)을 지나고, 다시 외부단자 T5를 지나서 접지되고, 이것에 의하여 외부단자 T2및 T3를 직류적으로 동전위로 유지하도록 되어있다.

한편 트랜지스터TR1의 베이스에는 외부단자 T1을 개재하여 대용량의 바이패스용량(6)이 접속되는 동시에, 트랜지스터 TR2의 베이스에 대하여 외부단자 T4를 개재하여 타단올 외부단자 T2에 접속된 귀환용량(7)에 접속되어 있다.

탱크회로(2)의 로우채널코일(3) 및 하이채널코일(4)에 병렬로 트래킹(tracking)감도 조정용량(8)및 (9)가 접속되고 이 2개의 병렬회로가 직렬로 접속되어 있다. 이 2개의 병렬회로의 접속중점 P에는 채널절환용 다이오드(11)의 애노우드가 접속되고, 그캐도우드가 전류 제한저항(12)를 개재하여 절환 제어신호 단자SW에 접속되어 있다. 또, 트랜지스터 TR2의 콜랙터전극 및 다이오드의 캐도우드는 바이패스 용량(13)(14)을 통하여 접지되어 있다.

한편, 탱크회로(2)의 하이채널 코일(4)의 외부단자 T4측단에는 트래킹감도 조정용량(15)를 통하여 전압 가변용량 다이오드(16)가 접속되고, 그 비접지측단이 고주파 저지저항(17)을 개재하여 동조전압 신호단자 VT에 접속되어있다.

제1도의 구성에 의하면 동조전압신호단자VT의 동조전압을 변경하여 전압가변용량 다이오드(16)의 용량을 변화시킴으로서, 탱크회로(2)의 발진주파수를 변경시킬 수 있다. 그러나, 제1도의 구성에 의하면 전압 가변용량 다이오드(16)에 주어지는 동조전압이 낮아지면 이에 따라 탱크회로의 Q가 저하하여 발진세력이 점차 소되어 견국에는 발진정지에 이르는 위험이 있다. 이 발진정지전압이 동조해야할 전 채널범위외의 낮은 값이면 실용상 실해(實害)가 생기지 아니하나, 제1도의 경우와 같이, 반도체 집적화한 경우에는 문제 가 있다.

즉, VHF국부발진기를 반도체 집적회로화 했을경우, 집적회로 부분에 기생용량, 부유인덕턴스등의 배제 곤란한 불요(不要)정수가 산재하고 있기 때문에, 국부발진기 본래의 발진주파수와는 다른 발진주파수의 루우프(이하 이상발진루우프로 칭함)가 형성되어 있다고 생각되다. 그런데 예를 들면, 탱크회로(2)의 Q가 저하하거나, 채널절환용 다이오드(11)이 도룡, 비도통 절환되었을 때의 순간적인 충격이 발생하거나, 또는 주위온도가 변화하거나 함으로서, 본래의 발진루우프의 이득이 크게 변동하여, 이것으로 인하여 이상 발진 루우프의 이득보다 순간적으로 저하하면, 이상 발진 상태로 휩쓸릴 때가 있다. 이와같이하여, 일단 이상발진이 일어나면, 국부발진기는 이 상태에 안정되는 좋지 못한 상태가 되다.

이상의 점을 고려하여 본 고안은 반도체집적화한 불평형 차동형 발진기에 생기는 이상발진을 미연에 방지하려는 것이다.

이하 도면에 따라, 본 고안의 1예를 상세히 설명한다. 제1도와의 대응부분에 동일부호를 붙여서, 제2도에 나타내는 바와 같이, 외부단자 T3과 탱크회로(2)의 로우채널코일(3)과의 사이에 비교적 낮은 저항치의 저항(21) 및 초우크코일(22)로 구성되는 덤핑회로(23)를 삽입한다. 이 경우도 덤핑회로(23)의 외부단자 T3 측단에는 바이패스용량(13)을 접속해 놓는 동시에, 로우채널코일(3) 측단에 트래킹콘덴서(24)를 접속한다.

제2도의 구성에 있어서, 불평형차동형 발진회로를 형성하는 트랜지스터 TR1및 TR2 콕렉터 전극이 접속된 외부단자 T2및 T3간에 덤핑회로(23)을 접속함으로서 외부단자 T2및 T3를 고주파적으로 분리하는 동시에 이상발진루우프 이득을 덤핑하고 이리하여 이상발진을 방지할 수 있다.

예를들어 이러한 작용을 정량적(定量的)으로 설명한다는 것은 곤란한 것이나, 정성적(定性的)으로 설명하면 다음과 같다.

즉, 제2도의 반도체 집적회로로 구성되는 불평형형 차동증폭회로(1)는 트랜지스터 TR2의 콜렉터전극이 이상적으로는 접지되어 있지 아니함으로, 이상 발진 루우프가 형성된다고 생각하고, 따라서, 트랜지스터 TR2의 콜렉터 전극의 출력을 덤핑하면 이상발진의 방지의 효과가 생긴다고 생각된다.

이 사실은 실험에 의하여, 예를들면 바이패스 용량(13)의 리이드 인덕턴스를 증가시키거나, 이 리이드인덕턴스에 비이드 코어(bead core)를 삽입하거나, 접지위치를 변경하거나 해본결과, 이상 발진을 방지할 수 있음을 확인할 수 있었던 사실에서 추찰(推察)할 수 있다.

이상과같이, 본 고안에 의하면, 극히 간단한 구성에 의하며 반도 체집적회로에 기인해서 생기는 이상발진을 효과적으로 방지할 수가 있다.

또, 본 고안에 의하면, 국부발진기의 트래킹을 설계함에 있어서 그 설계상의 자유도를 크게할 수가 있다 예를들어 일반적으로 제3도에 나타내는 바와같은 전압가변 용량 다이오드(31)를 사용한동조회로에 있어서 용량(32),(33) 및 (34)는 트래킹 커어브의 감도를 조정하기 위하여 설치되고, 코일(35)과 병렬의 용량(33)과, 전압가변용량 다이오드(31)에 대하여 직렬의 용량(32)라는 높은 주파수에 있어서의 트래킹 감도보정을 위하여 사용되고, 또, 코일(33) 및 용량(33)의 병렬회로에 직렬의 용량(34)은 낮은 주파수에 있어서의 트래킹감도 보정을 위하여 사용된다. 이와같이 용량의 수를 어느정도 많이하면 트래킹 커어브의 조정을 한층 더 하기 쉽게 할 수 있다. 이점에서, 제2도의 구성을 제3도와 대비해보면 제3도의 용량(34)에 대하여 덤핑회로(23)의 탱크회로(2)측의 용량(24)이 대응한다. 그런데 이 값은 자유로이 설정할 수 있으므로, 이 부분의 설계의 자유도를 종래와 비교해서 증대시킬 수가 있다.

이것에 대하여, 제1도의 종래의 구성에 있어서는 탱크회로(2)측에 접속하는 용량(13)은 바이패스 기능을 현실하기 위하여 대용량이라야 하고, 그 용량값를 작게할 수가 없고, 이에따라, 트래킹의 설계상의 자유도가 작다고 할 수 있으나, 본 고안에 의하면 이러한 제한을 없앨 수 있다.

또, 상기에 있어서는, 덤핑회로를 1개의 저항과, 1개의 인덕터와의 직렬회로로 구성했으나, 소자 수 및 접속상태를 필요에 따라 변경해도 된다.

Claims (1)

1쌍의 트랜지스터를 가지는 불평형차동증폭기의 당해트랜지스터의 콜렉터전극을 직류적으로 거의 동전위로 유지하여, 상기 트랜지스터의 콜렉터전극간에 탱크회로의 양단을 접속하는 동시에 당해 콜렉터전극을 바이패스 용량을 통해서 접지해서 구성되는 텔레비젼 수상기의 국부발진기에 있어서, 상기 1쌍의 트랜지스터의 한쪽의 콜렉터 전극과 상기 탱크회로의 대응하는 1단과의 사이에 덤핑회로를 삽입한 것을 특징으로하는 텔리비젼 수상기의 VHF국부발진기.