KR830006830A - 카드뮴과 텔루륨을 함유하는 과산화은 전지 - Google Patents

카드뮴과 텔루륨을 함유하는 과산화은 전지 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

과산화은 전지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
과산화은 전지의 안도를 결집하는데 사용되는 장치의 개략도.

Claims (39)

  1. 알칼이 전해액을 함유하고, 주로 과산화은으로 형성된 양극을 가지는 과산화은 전지에서, 과산화과알칼리 전해액의 적어도 하나에 카드뮴성분과 텔루륨성분을 함유함을 특징으로 하는 과산화은 전지.
  2. 과산화은에 카드뮴 성분을 0.03중량%이상의 농도로 함유함을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  3. 알칼리 전해액에 카드뮴 성분을 0.03g/ℓ이상의 농도로 함유함을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 다르는 과산화은 전지.
  4. 카드뮴 성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 함유되고, 알칼리 전해액에 0.02g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지
  5. 텔루륨성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  6. 텔루륨 성분이 알칼리 전해액에 0.02g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  7. 텔루륨 성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 함유되고 알칼이 전해액에 0.02g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  8. 카드뮴 성분을 알칼리 전해액에 형수 상태로 첨가시킴을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  9. 과산화은에 카드뮴 성분과 텔루륨 성분의 병합이 수산화알칼리, 질산은 과산화제의 작용에 의한 과산화은 슬러리의 생산과 상기의 성분을 이슬러리에 첨가시키고, 혼합시킴으로서 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  10. 과산화은에 카드뮴성분과 텔루륨 성분의 병합이 수산화알칼리, 질산은과 산화제를 작용시켜 과산화은을 만들고, 건조시킨후, 분산매체에 재분산시키고, 상기의 성분을 이 분산액에 첨가시킴으로써 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  11. 과산화은에 카드뮴성분과 텔루륨성분의 병합이 수산화알칼리, 질산은과 산화제를 작용시켜 과산화은을 만들고, 이를 건조시키고 다음에 상기의 성분을 건조된 과산화은과 기계적으로 혼합시킴에 의해 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  12. 질산은 용액, 알칼리 용액, 산화제와 물을 사용하여 과산화은을 형성하기 위한 작용은 과산화은 형성을 위한 원재료에 병합된 카드뮴 성분과 텔루륨 선분과 같이 수행됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  13. 카드뮴 성분과 텔루륨 성분이 과산화은에 함유될때, 카드뮴대 텔루륨비가 0.2이상의 양으로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  14. 상기의 비가 0.5이상임을 특징으로 하는 특허청구범위 제13항에 따르는 과산화은 전지.
  15. 과산화은에 함유된 카드뮴 성분과 텔루륨 성분의 총량이 10중량%이하임을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  16. 카드뮴성분이 적어도 카드뮴산화물, 수산화카드뮴, 분말상 카드뮴금속, 황화카드뮴, 황산카드뮴염, 질산카드뮴, 스테아린산 카드뮴포름산 카드뮴과셀렌화 카드뮴으로 구성되는 그룹으로 부터하나이상 선택됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  17. 텔루륨 성분이 적어도 이산화 텔루륨, 과산화텔루륨, 분말상텔루륨금속, 텔루르산, 아텔루르산, 텔루르산의 알칼리염과 아켈루르산의 알칼리염으로 구성되는 그룹으로 부터 하나이상 선택됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  18. 카드뮴 성분과 텔루륨 성분이 알칼리 전해액에 함유될때, 각 농도가 0.03g/ℓ이상과 0.01g/ℓ함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제1항에 따르는 과산화은 전지.
  19. 카드뮴성분이 0.03-10g/ℓ 범위의 농도로 함유되고, 텔루륨은 0.04-5.0g/ℓ 범위의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구 범위 제14항에 따르는 과산화은 전지.
  20. 카드뮴 성분이 알칼리 전해액에 첨가될때 60매쉬이하의 입자크기를 가짐을 특징으로 하는 특허청구범위 제8항에 다르는 과산화은 전지.
  21. 알칼리 전해액을 함유하고 주로 과산화은으로 형성되는 양극을 가지는 과산화은 전지에서, 과산화은과 알칼리 전해액중 적어도 하나가 카드뮴 성분과 텔루륨성분과 탈륨, 수은, 납, 게르마늄, 이트륨, 주석, 텅스텐, 란타늄, 회토류원소, 아연, 알루미늄, 셀레늄으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 적어도 하나의 보조성분을 함유함을 특징으로하는 과산화은 전지.
  22. 카드뮴성분이 과산화은에 0.03중량%이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  23. 카드뮴 성분이 알칼리전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  24. 카드뮴 성분이 과산화은에 0.03중량%이상의 농도로 알칼리전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  25. 텔루륨 성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  26. 텔루륨 성분이 알칼리 전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구 범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  27. 텔루륨성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 알칼리 전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  28. 적어도 하나의 보조성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  29. 적어도 하나의 보조성분의 알칼리 전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 다르는 과산화은 전지.
  30. 적어도하나의 보조성분이 과산화은에 0.01중량%이상의 농도로 알칼리 전해액에 0.01g/ℓ이상의 농도로 함유됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  31. 과산화은에 함유된 카드뮴성분, 텔루륨성분과 적어도 하나의 보조성분의 총량이 10중량%이하임을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  32. 카드뮴성분과 탈륨, 수은, 주석, 이트륨으로부터 선택된 원소를 함유하는 적어도 하나의 보조성분이 알칼리 전해액에 현수상태로 첨가됨을 특징으로 하는 특허청범위 제21항에 다르는 과산화은 전지.
  33. 과산화은에 카드뮴 성분, 텔루륨성분과 적어도 하나의 보조성분의 병합이 수산화 알칼리, 질산은과 산화제의 작용에 의해 솨산화은 슬러리를 만들고, 이 슬러리에 상기의 성분을 첨가시키고, 함께 혼합시켜 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  34. 과산화은에 카드뮴성분, 텔루륨성분과 적어도 하나의 보조성분의 벙합이 수산화 알칼리, 질산은과산화제의 작용에 의해 과산화은을 만들고, 이를 건조시키고, 분산매체에 건조된 과산화은을 재분산시킨후, 상기 성분을 이 분산액에 첨가시킴에 의해 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  35. 과산화은에 카드뮴성분,텔루륨성분과 적어도 하나의 보조성분의 병합이 수산화알칼리, 질산은과산화제의 작용에 의해 과산화은을 만들고, 이를 건조시키고, 상기 성분을 건조된 과산화은과 기계적으로 혼합시켜 성취됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  36. 질산은 용액, 알칼리 수용액, 산화제와 물을 사용하여 과산화은을 형성시키기 위한 반응이 과산화은 형성을 위한 원재료에 병합되는 카드뮴 성분, 텔루륨성분과 적어도 하나의 보조성분과 같이 수행됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  37. 카드뮴성분이 산화카드뮴, 수산화카드뮴, 분말상 카드뮴금속, 황화카드뮴, 황산카드뮴염, 질산카드뮴, 스테아린산 카드뮴, 포름산카드뮴과 셀렌산 카드카드뮴으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 적어도 하나의 성분으로 됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  38. 텔루륨성분이 이산화 텔루륨, 과산화 텔루륨, 분말상 텔루륨금속, 텔루르산, 이텔루르산, 텔루르산의 알칼리염과 아텔루르산의 알칼리염으로 구성되는 그룹으로 부터선택되는 적어도 하나의 성분으로 됨을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
  39. 카드뮴성분과 적어도 하나의 보조성분이 알칼리 전해액에 청가될때 입자크기가 60메쉬 이하임을 특징으로 하는 특허청구범위 제21항에 따르는 과산화은 전지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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