KR20240105090A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 기술적 사상은, 기판의 하면 중심을 지지하는 센터 척; 상기 센터 척과 수평 방향으로 이격되어 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하는 사이드 척; 중앙에 개구부가 구비되며, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 보울; 상기 센터 척을 둘러싸면서 수직 방향으로 연장되며, 상기 기판의 하면을 향해 기체를 분사하도록 구성된 에어 나이프; 상기 에어 나이프의 일측에 배치되고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 센터 세정부; 상기 에어 나이프의 다른 일측에 배치되고, 상기 센터 세정부와 수평 방향으로 이격되어 위치하고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 사이드 세정부;를 포함하며, 상기 사이드 척은 상기 보울에 간섭받지 않고 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 것이다. The technical idea of the present invention is to include a center chuck supporting the center of the lower surface of the substrate; a side chuck spaced horizontally from the center chuck and supporting a lower edge of the substrate; a bowl having an opening in the center and arranged to surround the substrate; an air knife extending in a vertical direction surrounding the center chuck and configured to spray gas toward the lower surface of the substrate; a center cleaning unit disposed on one side of the air knife and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate; A side cleaning part disposed on the other side of the air knife, spaced apart from the center cleaning part in a horizontal direction, and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate, wherein the side chuck is not interfered with by the bowl. It is characterized in that it can be moved horizontally or vertically with respect to the plane on which the substrate is placed.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 보울에 간섭받지 않고 사이드 척이 수평 및 수직 방향으로 이동 가능함에 따라 보울의 크기를 확장 가능한 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus in which the size of a bowl can be expanded by allowing a side chuck to move in horizontal and vertical directions without interference with the bowl.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a significant impact on the characteristics and production yield of semiconductor devices. For this reason, a cleaning process that removes various contaminants attached to the surface of the substrate is important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor.
일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다. In general, substrate cleaning involves a chemical treatment process that uses chemicals to remove metal contaminants, organic substances, or particles remaining on the substrate, a rinse process that uses pure water to remove chemicals remaining on the substrate, and an organic solvent. Alternatively, it may include a drying process of drying the substrate using nitrogen gas or the like.
또한, 기판의 세정은 기판의 하면으로 세정액을 분사하여 기판의 하면을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 스캐너를 통해 기판 척킹시(Wafer chucking), 기판의 뒷면에 파티클(particle)이 존재하면 해당 영역에서 기판의 변형이 발생하고, 이에 따라 노광시 국부적으로 디포커스(defocus)를 유발할 수 있다. 이를 방지하기 위해 기판의 하면으로 세정액을 분사하여 기판의 하면을 처리할 수 있다. Additionally, cleaning the substrate may include a process of treating the lower surface of the substrate by spraying a cleaning liquid onto the lower surface of the substrate. When chucking a wafer through a scanner, if particles are present on the back of the substrate, deformation of the substrate occurs in that area, which may cause local defocus during exposure. To prevent this, the bottom surface of the substrate can be treated by spraying a cleaning solution on the bottom surface of the substrate.
한편, 기판의 하면을 세정하는 과정에서, 기판의 하면에 잔류하던 오염물이나 기판의 하면을 세정하는 세정액이 기판의 상면으로 튀어 기판을 재오염시킬 수 있다.Meanwhile, during the process of cleaning the lower surface of the substrate, contaminants remaining on the lower surface of the substrate or the cleaning liquid used to clean the lower surface of the substrate may splash onto the upper surface of the substrate and re-contaminate the substrate.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는, 보울에 간섭받지 않고 사이드 척을 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하게 하여 보울의 크기를 확장 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the technical idea of the present invention is to provide a substrate processing device that can expand the size of the bowl by allowing the side chuck to move in the horizontal and vertical directions without interference with the bowl.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.In addition, the problem to be solved by the technical idea of the present invention is not limited to the problems mentioned above, and other problems can be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명은 기술적 과제를 이루기 위하여, 다음과 같은 기판 처리 장치를 제공한다. In order to achieve the technical problem, the present invention provides the following substrate processing apparatus.
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 하면 중심을 지지하는 센터 척; 상기 센터 척과 수평 방향으로 이격되어 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하는 사이드 척; 중앙에 개구부가 구비되며, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 보울; 상기 센터 척을 둘러싸면서 수직 방향으로 연장되며, 상기 기판의 하면을 향해 기체를 분사하도록 구성된 에어 나이프; 상기 에어 나이프의 일측에 배치되고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 센터 세정부; 상기 에어 나이프의 다른 일측에 배치되고, 상기 센터 세정부와 수평 방향으로 이격되어 위치하고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 사이드 세정부;를 포함하며, 상기 사이드 척은 상기 보울에 간섭받지 않고 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure includes a center chuck supporting the center of a lower surface of a substrate; a side chuck spaced horizontally from the center chuck and supporting a lower edge of the substrate; a bowl having an opening in the center and arranged to surround the substrate; an air knife extending in a vertical direction surrounding the center chuck and configured to spray gas toward the lower surface of the substrate; a center cleaning unit disposed on one side of the air knife and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate; A side cleaning part disposed on the other side of the air knife, spaced apart from the center cleaning part in a horizontal direction, and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate, wherein the side chuck is not interfered with by the bowl. A substrate processing apparatus is provided, wherein the substrate can be moved horizontally or vertically with respect to the plane on which the substrate is disposed.
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 사이드 척은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향과 수직 방향으로 이동 가능하며, 상기 보울은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동 가능할 수 있다. The side chuck of the substrate processing apparatus according to the embodiment may be movable in horizontal and vertical directions with respect to the plane on which the substrate is placed, and the bowl may be movable in the vertical direction with respect to the plane on which the substrate is placed.
실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 보울을 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동시키는 상하 구동부를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment may further include a vertical driving unit that moves the bowl in a vertical direction with respect to the plane on which the substrate is disposed.
실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 사이드 척이 접촉되면서, 상기 사이드 척을 이동시키는 레일이 구비되는 베이스 플레이트를 더 포함하며, 상기 레일은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment further includes a base plate provided with a rail that moves the side chuck while contacting the side chuck, and the rail may extend in a horizontal direction with respect to the plane on which the substrate is disposed. .
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 보울은, 상기 베이스 플레이트에 대하여 수평 방향으로 움직이지 않으면서 상기 베이스 플레이트에 설치될 수 있다. The bowl of the substrate processing apparatus according to the embodiment may be installed on the base plate without moving in the horizontal direction with respect to the base plate.
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 보울의 폭은 변경 가능하며, 상기 보울의 폭은 상기 베이스 플레이트의 폭 만큼 확장 가능할 수 있다. The width of the bowl of the substrate processing apparatus according to the embodiment can be changed, and the width of the bowl can be expanded by the width of the base plate.
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 보울은, 중앙에 상기 개구부가 구비되며, 상기 기판의 상부를 덮고 있는 덮개부와, 상기 덮개부의 외측에 구비되는 측벽을 포함할 수 있다. The bowl of the substrate processing apparatus according to the embodiment may have the opening in the center, a cover part covering an upper part of the substrate, and a side wall provided outside the cover part.
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 측벽에는, 상기 사이드 척의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈이 구비될 수 있다. The side wall of the substrate processing apparatus according to the embodiment may be provided with an extension groove into which one side of the side chuck can be inserted.
실시 예에 따른 기판 처리 장치의 상기 연장홈은, 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장되는 수평홈과, 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 연장되는 수직홈을 포함할 수 있다. The extension groove of the substrate processing apparatus according to the embodiment may include a horizontal groove extending in a horizontal direction with respect to the plane on which the substrate is disposed, and a vertical groove extending in a vertical direction with respect to the plane on which the substrate is disposed. .
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 하면 중심을 지지하는 센터 척; 상기 센터 척과 수평 방향으로 이격되어 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하는 사이드 척; 중앙에 개구부가 구비되며, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 보울; 상기 센터 척을 둘러싸고, 수직 방향으로 연장되며, 상기 기판의 하면을 향해 기체를 분사하도록 구성된 에어 나이프; 상기 에어 나이프의 일측에 배치되고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 센터 세정부; 상기 에어 나이프의 다른 일측에 배치되고, 상기 센터 세정부와 수평 방향으로 이격되어 위치하고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 사이드 세정부;를 포함하며, 상기 사이드 척과 상기 보울은 분리되어 배치되며, 상기 사이드 척과 상기 보울은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 각각 독립적으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure includes a center chuck supporting the center of a lower surface of a substrate; a side chuck spaced horizontally from the center chuck and supporting a lower edge of the substrate; a bowl having an opening in the center and arranged to surround the substrate; an air knife surrounding the center chuck, extending in a vertical direction, and configured to spray gas toward the lower surface of the substrate; a center cleaning unit disposed on one side of the air knife and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate; A side cleaning part disposed on the other side of the air knife, spaced apart from the center cleaning part in a horizontal direction, and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate, wherein the side chuck and the bowl are disposed separately, , the side chuck and the bowl are each independently movable with respect to a plane on which the substrate is disposed.
본 발명은 보울에 간섭받지 않고 사이드 척이 수평 및 수직 방향으로 이동 가능함에 따라 보울의 크기를 확장 가능할 수 있다. In the present invention, the size of the bowl can be expanded as the side chuck can move in the horizontal and vertical directions without being interfered with by the bowl.
본 발명은 보울의 크기를 확장 가능함에 따라 보울의 벽면에 의해 세정액이나 오염물이 비산하여 기판의 상면으로 낙하하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 기판의 상면이 재오염되는 것을 방지할 수 있다. The present invention can expand the size of the bowl, preventing cleaning liquid or contaminants from scattering on the wall of the bowl and falling on the top surface of the substrate, thereby preventing re-contamination of the top surface of the substrate.
도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시 예에 따른 보울을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 개시의 실시 예에 따라 보울이 결합된 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 개시의 실시 예에 따라 센터 세정부를 통해 기판의 하면을 세척하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 개시의 실시 예에 따라 사이드 세정부를 통해 기판의 하면을 세척하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 본 개시의 실시 예에 따른 보울의 측벽에 사이드 척의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈이 구비된 것을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 사이드 척과 보울이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 사이드 척과 보울이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치의 센터 세정부를 통해 기판의 하면을 세척할 때와, 본 개시의 실시 예에 따른 센터 세정부를 통해 기판의 하면을 세척할 때의 기판과 보울의 측벽 사이의 거리를 비교한 것을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 9는 사이드 척과 보울이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치의 사이드 세정부를 통해 기판의 하면을 세척할 때와, 본 개시의 실시 예에 따른 사이드 세정부를 통해 기판의 하면을 세척할 때의 기판과 보울의 측벽 사이의 거리를 비교한 것을 나타내는 개략적인 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 2 is a diagram schematically showing a bowl according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 3 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus to which a bowl is combined according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 4 is a diagram schematically showing cleaning the lower surface of the substrate through the center cleaning unit according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 5 is a diagram schematically showing cleaning the lower surface of the substrate through the side cleaning unit according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 6 is a diagram schematically showing that the side wall of the bowl according to an embodiment of the present disclosure is provided with an extension groove into which one side of the side chuck can be inserted.
Figure 7 is a diagram schematically showing a substrate processing device in which a side chuck and a bowl are integrated and movable.
8 shows a substrate when cleaning the lower surface of the substrate through the center cleaning unit of a substrate processing device in which the side chuck and bowl are integrated and movable, and when cleaning the lower surface of the substrate through the center cleaning unit according to an embodiment of the present disclosure. This is a schematic drawing showing a comparison of the distance between and the side wall of the bowl.
9 shows a substrate when cleaning the lower surface of the substrate through the side cleaning unit of a substrate processing device in which the side chuck and bowl are integrated and movable, and when cleaning the lower surface of the substrate through the side cleaning unit according to an embodiment of the present disclosure. This is a schematic drawing showing a comparison of the distance between and the side wall of the bowl.
본 발명의 예시적인 실시예들은 본 발명의 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예들은 본 발명을 더욱 충실하고 완전하게 하며 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Exemplary embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art to which the concept of the present invention pertains, and the following embodiments may be modified in various other forms. and the scope of the present invention is not limited to the examples below. Rather, these embodiments are provided to make the present invention more faithful and complete and to completely convey the idea of the present invention to those skilled in the art.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명의 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 가진다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical terms and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by those skilled in the art in the technical field to which the concept of the present invention pertains. Additionally, commonly used terms, as defined in dictionaries, should be interpreted with a meaning consistent with what they mean in the context of the relevant technology, and unless explicitly defined herein, should not be interpreted in an overly formal sense. It will be understood that this will not be the case.
이하, 첨부한 도면들에서 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들어, 제조 공정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, depending on manufacturing technology and/or tolerances in the accompanying drawings, variations in the shape shown may be expected. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to the specific shape of the area shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from the manufacturing process.
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 보울에 간섭받지 않고 사이드 척을 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하게 하여 보울의 크기를 확장 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure provides a substrate processing apparatus that can expand the size of a bowl by allowing a side chuck to move in horizontal and vertical directions without interference with the bowl.
도 1은 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 본 개시의 실시 예에 따른 보울을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 3은 본 개시의 실시 예에 따라 보울이 결합된 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure. Figure 2 is a diagram schematically showing a bowl according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 3 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus to which a bowl is combined according to an embodiment of the present disclosure.
이하 도면들에서, X축 방향 및 Y축 방향은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 평행한 방향 또는 수평한 방향을 나타내며, X축 방향 및 Y축 방향은 서로 수직한 방향일 수 있다. In the following drawings, the X-axis direction and the Y-axis direction represent parallel or horizontal directions with respect to the plane on which the
Z축 방향은 기판(10)이 배치되는 평면에 수직한 방향을 나타낼 수 있으며, Z축 방향은 X-Y 평면에 수직한 방향일 수 있다. 즉, X축 방향 및 Y축 방향은 기판(10)이 배치되는 평면에 수평 방향일 수 있으며, Z축 방향은 기판(10)이 배치되는 평면에 수직 방향일 수 있다. The Z-axis direction may represent a direction perpendicular to the plane in which the
본 개시의 실시 예에 따른 기판(10)은 웨이퍼일 수 있으며, 기판(10)은 판 형상으로 이루어질 수 있다. The
실시 예에 따른 기판 처리 장치는 센터 척(110), 사이드 척(120), 보울(130), 에어 나이프(160), 센터 세정부(170), 사이드 세정부(180)를 포함할 수 있다. A substrate processing device according to an embodiment may include a
도 1을 참조하면, 센터 척(110)은 기판(10)의 하면 중심을 지지하는 것으로, 센터 척(110)은 기판(10)의 하면 중심과 접촉될 수 있다. 실시 예에 따르면, 센터 척(110)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. Referring to FIG. 1 , the
실시 예에 따른 센터 척(110)은 기판(10)과 접촉되는 중심부를 기준으로 상, 하로 이동할 수 있다. 구체적으로, 센터 척(110)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동가능할 수 있다. The
센터 척(110)을 통해 기판(10)을 지지할 때 센터 척(110)의 중심부가 상부로 이동하면서 기판(10)의 하면 중심에 접촉될 수 있다. 센터 척(110)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로만 이동 가능하고, 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로는 이동하지 않을 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않을 수 있으며, 센터 척(110)은 수평 방향으로도 이동할 수도 있다. When supporting the
실시 예에 따른 센터 척(110)은 기판(10)의 하면을 중심으로 회전할 수 있다. 센터 척(110)의 회전 방향은 시계 방향 또는 반시계 방향일 수 있다. 센터 척(110)이 회전하게 되면, 센터 척(110)과 접촉되면서 센터 척(110)에 의해 지지되는 기판(10)도 함께 회전할 수 있다. The center chuck 110 according to the embodiment may rotate around the lower surface of the
도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 사이드 척(120)은 센터 척(110)과 수평 방향으로 이격되어 기판(10)의 하면 가장자리를 지지할 수 있는 것이다. 실시 예에 따르면, 사이드 척(120)은 복수 개가 구비될 수 있으며, 복수 개의 사이드 척(120)은 센터 척(110)을 사이에 두고 수평 방향으로 이격될 수 있다. Referring to FIG. 1, the side chuck 120 according to the embodiment is spaced apart from the
또한, 복수 개의 사이드 척(120)은 센터 척(110)을 중심으로 대칭 형상으로 구비될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 사이드 척(120)은 기판(10) 하면의 양쪽 가장자리와 접촉할 수 있으며, 실시 예에 따른 사이드 척(120)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. Additionally, the plurality of side chucks 120 may be provided in a symmetrical shape about the
실시 예에 따른 사이드 척(120)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능할 수 있다. 구체적으로, 사이드 척(120)은 도 1의 X축 방향을 따라 이동할 수 있다. The
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 사이드 척(120)을 이동시키는 레일(191)이 구비된 베이스 플레이트(190)를 더 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 베이스 플레이트(190)는 판 형상으로 이루어지면서, 사이드 척(120)을 이동시키는 레일(191)이 구비되는 것이다. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure may further include a
베이스 플레이트(190)에 구비되는 레일(191)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장될 수 있다. 구체적으로, 실시 예에 따른 레일(191)은 도 1의 X축 방향을 따라 연장될 수 있다. 사이드 척(120)은 도 1의 X축 방향을 따라 연장된 레일(191)을 통해 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 이동할 수 있다. The
실시 예에 따른 사이드 척(120)은 기판(10)의 배치되는 평면에 대하여 수평 방향과 수직 방향으로 이동 가능한 것일 수 있다. 사이드 척(120)은 도 1의 X축 방향을 따라 이동 가능하며, Z축 방향으로 이동 가능할 것일 수 있다. The
도 2 및 도 3을 참조하면, 실시 예에 따른 보울(130)은 중앙에 개구부(141)가 구비되며, 기판(10)을 둘러싸도록 배치되는 것일 수 있다. 실시 예에 따른 보울(130)은 기판(10) 주변의 공기 유동을 하방으로 유도할 수 있는 것이다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the
실시 예에 따르면, 기판(10)의 가장자리와 보울(130) 사이의 유동 공간에는 공기 유동을 유도할 수 있는 다양한 구조물이 구비될 수 있으며, 도 2 및 도 3에서는 이와 같은 구조물의 도시는 생략한다. According to the embodiment, various structures that can induce air flow may be provided in the flow space between the edge of the
도 2를 참조하면, 보울(130)은 기판(10)을 둘러싸도록 배치될 수 있는 것으로, 실시 예에 따른 보울(130)은 덮개부(140)와 측벽(150)을 포함한다. 실시 예에 따른 덮개부(140)는 기판(10)의 상부를 덮고 있는 것으로, 중앙에 개구부(141)가 구비된 것이다. 개구부(141)는 보울(130)이 수직 방향으로 이동할 때, 기판(10)이 통과할 수 있는 구멍일 수 있으며, 개구부(141)는 공기 유동을 형성하는 구멍일 수 있다. Referring to FIG. 2, the
실시 예에 따른 측벽(150)은 덮개부(140)의 외측에 구비되는 것이다. 측벽(150)은 기판(10)의 측면을 덮을 수 있는 것으로, 기판(10)의 가장자리와 측벽(150) 사이에는 유동 공간이 구비될 수 있다. 상기 유동 공간에는 공기 유동을 하방으로 유도하는 다양한 구조물이 구비될 수 있다. The
도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 에어 나이프(160)는 센터 척(110)을 둘러싸면서 수직 방향으로 연장되며, 기판(10)의 하면을 향해 기체를 분사할 수 있는 것이다. Referring to FIG. 1, the
에어 나이프(160)는 기판(10)의 하면을 향해 기체를 분사하면서 기판(10)의 하면을 건조시킬 수 있는 것이다. 또한, 에어 나이프(160)는 센터 세정부(180)와 사이드 세정부(180)에 의해 기판(10)의 하면으로 세정액이 분사될 때, 기판(10)의 하면을 향해 기체를 분사함에 따라 세정액이 센터 척(110)으로 유입되는 것을 방지할 수 있는 것이다. The
실시 예에 따른 센터 세정부(170)는 에어 나이프(160)의 일측에 배치되고, 기판(10)의 하면을 향해 세정액을 분사할 수 있는 것이다. 도 1을 참조하면, 센터 세정부(170)는 센터 노즐(171)과 센터 암(172)을 포함할 수 있다. The
센터 암(172)은 에어 나이프(160)의 일측면에 형성될 수 있는 것으로, 센터 암(172)은 에어 나이프(160)를 사이에 두고 센터 척(110)에서 수평 방향으로 이격될 수 있는 것이다. The
센터 노즐(171)은 센터 암(172)의 상면에 구비될 수 있는 것으로, 센터 노즐(171)은 기판(10)의 하면을 향해 세정액을 분사할 수 있는 것이다. 실시 예에 따르면, 센터 노즐(171)은 기판(10)의 하면을 향해 수직 방향으로 세정액을 분사할 수 있다. The
실시 예에 따른 사이드 세정부(180)는 에어 나이프(160)의 다른 일측에 배치되고, 센터 세정부(170)와 이격되어 위치하는 것이다. 사이드 세정부(180)는 기판(10)의 하면을 향해 세정액을 분사할 수 있는 것이다. 도 1을 참조하면, 사이드 세정부(180)는 사이드 노즐(181)과 사이드 암(182)을 포함할 수 있다. The
사이드 암(182)은 센터 암(172)과 수평 방향으로 이격되며, 에어 나이프(160)의 다른 일측면에 형성될 수 있는 것이다. 사이드 암(182)은 에어 나이프(160)를 사이에 두고 센터 척(110)과 수평 방향으로 이격될 수 있는 것이다. The
사이드 노즐(181)은 사이드 암(182)의 상면에 구비될 수 있는 것으로, 사이드 노즐(181)은 기판(10)의 하면을 향해 세정액을 분사할 수 있는 것이다. 실시 예에 따르면, 사이드 노즐(181)은 기판(10)의 하면을 향해 수직 방향으로 세정액을 분사할 수 있다. The
실시 예에 따른 사이드 암(182)은 센터 척(110)의 구비되는 중심의 외측 방향으로 연장될 수 있으며, 사이드 암(182)에는 복수 개의 사이드 노즐(181)이 구비될 수 있다. The
또한, 실시 예에 따른 사이드 세정부(180)는 복수 개가 구비될 수도 있다. 사이드 세정부(180)는 센터 척(110)의 외주면을 따라 복수 개가 구비될 수 있으며, 복수 개의 사이드 세정부(180)는 센터 척(110)의 중심을 기준으로 대칭을 형성할 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않으며, 복수 개의 사이드 세정부(180)는 센터 척(110)의 외주면에 다양한 방법으로 구비될 수 있다. Additionally, a plurality of
도 4는 본 개시의 실시 예에 따라 센터 세정부(170)를 통해 기판(10)의 하면을 세척하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 4는 도 3의 A-A 선에 따른 단면도일 수 있으며, 도 4에서는 센터 척(110), 에어 나이프(160), 사이드 세정부(180)를 생략하여 도시하였다. FIG. 4 is a diagram schematically showing cleaning the lower surface of the
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 센터 세정부(170)를 통해 기판(10)의 하면을 세정하는 과정은 다음과 같다. 도 4를 참조하면, 사이드 척(120)이 기판(10)을 지지한 상태가 되면, 센터 세정부(170)의 센터 노즐(171)에서 세정액이 분사된다. The process of cleaning the lower surface of the
이때, 에어 나이프(160)에서는 기체가 분사되면서, 세정액이 센터 척(110)으로 유입되는 것을 방지하게 된다. 사이드 척(120)이 기판(10)을 지지한 상태에서 사이드 척(120)이 레일(191)을 따라 수평 방향으로 이동하게 되면, 기판(10)도 사이드 척(120)과 함께 수평 방향으로 이동하게 된다. At this time, gas is sprayed from the
센터 세정부(170)가 고정되어 있는 상태에서 기판(10)이 수평 방향으로 이동하게 되면, 도 4와 같이 기판(10)의 하면 중심부가 세정 영역(11)이 되면서 기판(10)의 하면이 세정될 수 있다. 사이드 척(120)과 기판(10)이 수평 방향으로 이동하는 동안에 에어 나이프(160)에서는 기체가 분사되며, 에어 나이프(160)에서 분사되는 기체를 통해 세정액이 센터 척(110)으로 유입되는 것을 방지하게 된다.When the
사이드 척(120)과 기판(10)이 수평 방향으로 이동하면서 기판(10)의 하면 중심부가 세정된 이후, 사이드 척(120)과 기판(10)은 원래의 자리로 이동하게 된다. 이때, 에어 나이프(160)에서는 기체가 계속적으로 분사되면서, 기판(10)의 하면을 건조 시키게 된다. After the
이후 사이드 척(120)에서 기판(10)이 분리되고, 기판(10)의 하면 가장자리를 세정하기 위해 센터 척(110)에 기판(10)이 고정될 수 있다. 도 5는 본 개시의 실시 예에 따라 사이드 세정부(180)를 통해 기판(10)의 하면을 세척하는 것을 개략적으로 나타내는 도면이다. Thereafter, the
도 5는 도 3에서 사이드 세정부(170)가 X축과 나란한 방향으로 배치되어 있을 때, A-A 선에 따른 단면도일 수 있으며, 도 5에서는 에어 나이프(160), 센터 세정부(170)를 생략하여 도시하였다. 5 may be a cross-sectional view taken along line A-A when the
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사이드 세정부(180)를 통해 기판(10)의 하면을 세정하는 과정은 다음과 같다. 도 5를 참조하면, 센터 척(110)에 기판(10)의 중심이 고정되면, 센터 척(110)이 회전하면서 기판(10)을 회전시킨다. 이때, 사이드 세정부(180)에서는 세정액이 분사되고, 에어 나이프(160)에서는 기체가 분사되면서, 세정액이 센터 척(110)으로 유입되는 것을 방지하게 된다. The process of cleaning the lower surface of the
센터 척(110)에 의해 기판(10)이 회전하면서 사이드 세정부(180)에서 세정액이 분사되면, 도 5와 같이 기판(10)의 하면 가장자리가 세정 영역(11)이 되면서 세정될 수 있다. When the
사이드 세정부(180)를 통해 기판(10)의 하면 가장자리를 세정한 이후, 사이드 세정부(180)에서는 세정액의 분사가 멈추게 된다. 이때, 에어 나이프(160)에서는 기체가 계속적으로 분사되면서, 기판(10)의 하면을 건조 시키게 된다. 이와 같은 방법을 통해 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판(10)의 하면을 세정할 수 있게 된다. After the edge of the bottom of the
본 개시의 실시 예에 따른 사이드 척(120)은 보울(130)에 간섭받지 않고 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능할 수 있다. 실시 예에 따른 보울(130)은 사이드 척(120)과 별도로 분리되어 이동 가능할 수 있는 것이다. The
사이드 척(120)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향과 수직 방향으로 이동 가능한 것으로, 사이드 척(120)이 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동할 때, 사이드 척(120)은 보울(130)에 간섭되지 않을 수 있다. The
도 6은 본 개시의 실시 예에 따른 보울(130)의 측벽(150)에 사이드 척(120)의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈(151)이 구비된 것을 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 사이드 척(120)과 보울(130)의 간섭을 방지하기 위해, 보울(130)의 측벽(150)에는 사이드 척(120)의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈(151)이 구비될 수 있다. FIG. 6 is a diagram schematically showing that the
사이드 척(120)은 기판(10)의 하면 가장자리를 지지하면서 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동할 수 있는 것이기 때문에, 사이드 척(120)은 기판(10)과 접촉될 수 있다. 보울(130)은 기판(10)을 둘러싸도록 배치되는 것이기 때문에, 사이드 척(120)이 기판(10)과 접촉되어 이동될 때, 사이드 척(120)과 보울(130) 사이에 간섭이 발생할 수 있다. Since the
조금 더 구체적으로, 실시 예에 따른 사이드 척(120)은 기판(10)과 접촉되면서 베이스 플레이트(190)의 외측에 구비된 레일(191)을 따라 수평 방향으로 이동하고, 보울(130)은 베이스 플레이트(190) 내부에 설치됨에 따라 사이드 척(120)과 보울(130)이 이동할 때 서로 겹쳐지는 영역이 발생하면서 간섭이 발생할 수 있다. More specifically, the
실시 예에 따른 연장홈(151)은 이를 방지하기 위한 것으로, 연장홈(151)은 보울(130)의 측벽을 관통하는 홈일 수 있다. 실시 예에 따른 사이드 척(120)은 일측이 연장홈(151)에 삽입된 상태로 연장홈(151)을 따라 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동될 수 있다. The
연장홈(151)에 사이드 척(120)의 일측이 삽입된 상태에서 사이드 척(120)이 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동함에 따라 사이드 척(120)과 보울(130) 사이에 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다. With one side of the
도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 연장홈(151)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장되는 수평홈(152)과, 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 연장되는 수직홈(153)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 6, the
사이드 척(120)이 수평 방향으로 이동할 때는, 사이드 척(120)의 일측은 수평홈(152)을 따라 이동할 수 있다. 사이드 척(120)이 수직 방향으로 이동할 때는, 사이드 척(120)의 일측은 수직홈(153)을 따라 이동할 수 있다. When the
실시 예에 따른 보울(130)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동 가능한 것이다. 실시 예에 따른 보울(130)은 사이드 척(120)과 별도로 분리되어 이동 가능한 것으로, 보울(130)은 수직 방향으로만 이동 가능하며 수평 방향으로는 이동이 불가능할 수 있다. The
도 3을 참조하면, 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 보울(130)을 수직 방향으로 이동시키는 상하 구동부(131)를 더 포함할 수 있다. 상하 구동부(131)는 사이드 척(120)을 구동시키는 구동부와 분리되어 있는 것으로, 별도로 구비되어 있는 상하 구동부(131)를 통해 보울(130)을 사이드 척(120)과 분리하여수직 방향으로 이동시킬 수 있다. Referring to FIG. 3 , the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure may further include a
도 7은 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 7의 기판 처리 장치는 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 움직일 수 있는 것으로, 사이드 척(220)과 보울(230)은 동시에 수평 방향으로 움직이거나 수직 방향으로 움직일 수 있다. FIG. 7 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus in which the
도 7의 기판 처리 장치에도 에어 나이프(260), 센터 세정부(270), 사이드 세정부(280), 베이스 플레이트(290)가 구비될 수 있으며, 도 7의 기판 처리 장치는 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치와 같이 센터 세정부(270)와 사이드 세정부(280)를 통해 기판의 하면을 세정할 수 있는 것이다. The substrate processing apparatus of FIG. 7 may also be provided with an
도 7과 같이 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치는 보울(230)이 사이드 척(220)과 함께 이동해야 함에 따라 베이스 플레이트(290)에 보울(230)이 이동할 수 있는 이동 공간(231)이 구비되어야 한다. As shown in FIG. 7, in a substrate processing device in which the
도 7과 같이 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치에서 보울(230)의 폭이 커지면, 보울(230)이 이동할 수 있는 이동 공간(231)이 작아짐에 따라 사이드 척(220) 및 보울(230)의 이동이 제한된다. 따라서 도 7과 같이 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치에서는 보울(230)의 폭을 확장하기 어렵게 된다. As shown in FIG. 7, in a substrate processing device in which the
도 8은 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치의 센터 세정부(270)를 통해 기판(10)의 하면을 세척할 때와, 본 개시의 실시 예에 따른 센터 세정부(170)를 통해 기판(10)의 하면을 세척할 때의 기판(10)과 보울의 측벽 사이의 거리를 비교한 것을 나타내는 개략적인 도면이다. 8 shows a case where the
도 8의 상부에 도시되어 있는 기판 처리 장치는 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치이며, 도 8의 하부에 도시되어 있는 기판 처리 장치는 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치일 수 있다. The substrate processing apparatus shown in the upper part of FIG. 8 is a substrate processing apparatus in which the
도 9는 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치의 사이드 세정부(280)를 통해 기판(10)의 하면을 세척할 때와, 본 개시의 실시 예에 따른 사이드 세정부(180)를 통해 기판(10)의 하면을 세척할 때의 기판(10)과 보울의 측벽 사이의 거리를 비교한 것을 나타내는 개략적인 도면이다. 9 shows a case where the lower surface of the
도 9의 상부에 도시되어 있는 기판 처리 장치는 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치이며, 도 9의 하부에 도시되어 있는 기판 처리 장치는 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치일 수 있다. The substrate processing apparatus shown in the upper part of FIG. 9 is a substrate processing apparatus in which the
도 8을 참조하면, 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치는 보울(230)의 폭을 확장하기 어려움에 따라 기판(10)과 보울(230)의 측벽(250) 사이의 거리가 짧게 된다. Referring to FIG. 8, in a substrate processing device in which the
이 경우, 사이드 척(220)을 이동시키면서 센터 세정부(270)로 기판(10)의 하면을 세정하면, 세정액이 보울(230)의 측벽(250) 내측과 덮개부(240)의 하부에 맺히게 된다. In this case, when the lower surface of the
센터 세정부(270)로 기판(10)의 하면을 세정한 이후, 도 9와 같이 센터 척(210)을 통해 기판(10)을 회전시켜 사이드 세정부(270)로 기판(10)의 하면을 세정하면, 기판(10)의 회전에 의해 발생하는 난류에 의해 보울(230)의 측벽(250) 내측과 덮개부(240)의 하부에 맺혀 있는 세정액이 비산되면서 기판(10)의 상면에 낙하되는 문제가 발생하게 된다. After cleaning the lower surface of the
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 사이드 척(120)을 보울(130)에 간섭받지 않고 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능하게 하는 것이다. In order to solve this problem, the substrate processing device according to an embodiment of the present disclosure moves the
실시 예에 따른 사이드 척(120)은 보울(130)에 간섭 받지 않고 이동 가능한 것으로, 실시 예에 따른 사이드 척(120)과 보울(130)은 별도로 분리되어 이동 가능할 수 있다. The
사이드 척(120)과 보울(130)이 별도로 분리되어 이동 가능할 때, 사이드 척(120)은 수평 방향과 수직 방향으로 이동 가능할 수 있으며, 보울(130)은 수직 방향으로만 이동 가능할 수 있다. When the
구체적으로, 실시 예에 따른 보울(130)은 사이드 척(120)을 이동시킬 수 있는 레일(191)이 구비된 베이스 플레이트(190)에 대하여 수평 방향으로 움직이지 않으면서 베이스 플레이트(190)에 설치될 수 있다. Specifically, the
보울(130)은 사이드 척(120)과 분리되어 움직이면서 베이스 플레이트(190)에 대하여 수평 방향으로 움직이지 않기 때문에, 실시 예에 따른 보울(130)의 폭을 변경 및 가능하게 된다. Since the
구체적으로, 보울(130)은 사이드 척(120)과 분리되어 움직이면서 베이스 플레이트(190)에 대하여 수평 방향으로 움직이지 않기 때문에, 보울(130)의 폭은 도 3과 같이 베이스 플레이트(190)의 폭 만큼 확장 가능하게 될 수 있다. Specifically, since the
본 개시의 실시 예에 따른 보울(130)의 폭이 확장됨에 따라 센터 세정부(170)를 통해 기판(10)의 하면을 세정할 때, 기판(10)의 가장자리와 보울(130)의 측벽(150) 사이의 거리가 멀어질 수 있다. As the width of the
구체적으로, 도 8 및 도 9를 참조하면, 사이드 척(220)과 보울(230)이 일체형으로 이동 가능한 기판 처리 장치에서 기판(10)과 보울(230)의 측벽(250) 사이에 형성된 거리 보다, 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 기판(10)과 보울(130)의 측벽(150) 사이에 형성된 거리가 클 수 있다. Specifically, referring to FIGS. 8 and 9, in a substrate processing apparatus in which the
이와 같이 기판(10)의 가장자리와 보울(130)의 측벽(150) 사이의 거리가 멀어짐에 따라, 사이드 척(120)을 이동시키면서 센터 세정부(170)로 기판(10)의 하면을 세정할 때 세정액이 보울(130)의 측벽(150) 내측이나 덮개부(140)의 하부에 맺히게 되는 것을 감소시킬 수 있게 된다. As the distance between the edge of the
또한, 기판(10)의 가장자리와 보울(130)의 측벽(150) 사이의 거리가 멀어짐에 따라, 센터 척(110)을 통해 기판(10)을 회전시켜 사이드 세정부(180)로 기판(10)의 하면을 세정할 때 세정액이 비산되면서 기판(10)의 상면에 낙하되는 것을 감소시킬 수 있게 된다. In addition, as the distance between the edge of the
상술한 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 사이드 척(120)이 기판(10)과 접촉되면서 베이스 플레이트(190)의 외측에 구비된 레일(191)을 따라 수평 방향으로 이동하고, 보울(130)이 베이스 플레이트(190) 내부에 설치됨에 따라 사이드 척(120)과 보울(130)이 이동할 때 서로 겹쳐지는 영역이 발생하면서 간섭이 발생할 수 있다. In the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present disclosure described above, the
본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 사이드 척(120)과 보울(130)이 이동할 때 간섭이 발생하는 것을 방지하기 위해, 보울(130)의 측벽(150)에 사이드 척(120)의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈(151)이 구비될 수 있다. In order to prevent interference when the
다만, 이에 한정되지는 않으며, 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사이드 척(120)과 보울(130)은 분리되어 배치되면서, 사이드 척(120)과 보울(130)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 각각 독립적으로 이동 가능할 수 있다. However, it is not limited to this, and the
구체적으로, 사이드 척(120)과 보울(130)이 이동할 때 서로 겹쳐지는 영역이 발생하지 않도록 사이드 척(120)과 보울(130)을 분리하여 배치할 수 있다. 가령, 사이드 척(120)과 사이드 척(120)을 이동시키는 레일(191)이 보울(130)의 내부에 배치되면서 사이드 척(120)과 보울(130)이 분리되어 배치될 수도 있다. 이를 통해 사이드 척(120)과 보울(130)은 기판(10)이 배치되는 평면에 대하여 각각 독립적으로 이동 가능할 수 있다. Specifically, the
본 개시의 실시 예는 보울에 간섭받지 않고 사이드 척을 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하게 하여 보울의 크기를 확장 가능한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure can provide a substrate processing device that can expand the size of a bowl by allowing a side chuck to move in horizontal and vertical directions without interference with the bowl.
또한, 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 보울에 간섭받지 않고 사이드 척이 수평 및 수직 방향으로 이동 가능함에 따라 보울의 크기를 확장 가능할 수 있다. Additionally, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present disclosure may expand the size of the bowl as the side chuck can move in the horizontal and vertical directions without being interfered with by the bowl.
이를 통해 본 개시의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 보울의 벽면에 의해 세정액이나 오염물이 비산하여 기판의 상면으로 낙하하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통해 기판의 상면이 재오염되는 것을 방지할 수 있다. Through this, the substrate processing device according to an embodiment of the present disclosure can prevent cleaning liquid or contaminants from scattering on the wall of the bowl and falling on the upper surface of the substrate, and thereby prevent the upper surface of the substrate from being re-contaminated. .
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형상으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, embodiments of the technical idea of the present invention have been described with reference to the attached drawings, but those skilled in the art will understand that the present invention can be modified into other specific forms without changing the technical idea or essential features. You will understand that it can be done. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.
10...기판 11...세정 영역
110...센터 척 120...사이드 척
130...보울 131...상하 구동부
140...덮개부 141...개구부
150...측벽 151...연장홈
152...수평홈 153...수직홈
160...에어 나이프 170...센터 세정부
171...센서 노즐 172...센터 암
180...사이드 세정부 181...사이드 노즐
182...사이드 암 190...베이스 플레이트
191...레일 10...
110...
130...
140...cover
150...
152...
160...
171...
180...
182...
191...rail
Claims (10)
상기 센터 척과 수평 방향으로 이격되어 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하는 사이드 척;
중앙에 개구부가 구비되며, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 보울;
상기 센터 척을 둘러싸면서 수직 방향으로 연장되며, 상기 기판의 하면을 향해 기체를 분사하도록 구성된 에어 나이프;
상기 에어 나이프의 일측에 배치되고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 센터 세정부;
상기 에어 나이프의 다른 일측에 배치되고, 상기 센터 세정부와 수평 방향으로 이격되어 위치하고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 사이드 세정부;를 포함하며,
상기 사이드 척은 상기 보울에 간섭받지 않고 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향 또는 수직 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A center chuck that supports the center of the bottom of the board;
a side chuck spaced horizontally from the center chuck and supporting a lower edge of the substrate;
a bowl having an opening in the center and arranged to surround the substrate;
an air knife extending in a vertical direction surrounding the center chuck and configured to spray gas toward the lower surface of the substrate;
a center cleaning unit disposed on one side of the air knife and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate;
A side cleaning part disposed on the other side of the air knife, spaced apart from the center cleaning part in a horizontal direction, and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate,
The side chuck is capable of moving horizontally or vertically with respect to the plane on which the substrate is placed without being interfered with by the bowl.
상기 사이드 척은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향과 수직 방향으로 이동 가능하며,
상기 보울은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to paragraph 1,
The side chuck is movable in horizontal and vertical directions with respect to the plane on which the substrate is placed,
A substrate processing apparatus, characterized in that the bowl is movable in a direction perpendicular to the plane on which the substrate is disposed.
상기 보울을 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 이동시키는 상하 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to paragraph 2,
A substrate processing apparatus further comprising a vertical driving unit that moves the bowl in a vertical direction with respect to the plane on which the substrate is disposed.
상기 사이드 척이 접촉되면서, 상기 사이드 척을 이동시키는 레일이 구비되는 베이스 플레이트를 더 포함하며,
상기 레일은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to paragraph 2,
It further includes a base plate provided with a rail that moves the side chuck while contacting the side chuck,
The rail is a substrate processing device characterized in that it extends in a horizontal direction with respect to the plane on which the substrate is placed.
상기 보울은, 상기 베이스 플레이트에 대하여 수평 방향으로 움직이지 않으면서 상기 베이스 플레이트에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to clause 4,
A substrate processing apparatus, wherein the bowl is installed on the base plate without moving in a horizontal direction with respect to the base plate.
상기 보울의 폭은 변경 가능하며,
상기 보울의 폭은 상기 베이스 플레이트의 폭 만큼 확장 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to clause 5,
The width of the bowl can be changed,
A substrate processing device, characterized in that the width of the bowl can be expanded by the width of the base plate.
상기 보울은,
중앙에 상기 개구부가 구비되며, 상기 기판의 상부를 덮고 있는 덮개부와,
상기 덮개부의 외측에 구비되는 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to paragraph 2,
The bowl is,
a cover provided with the opening in the center and covering an upper part of the substrate;
A substrate processing device comprising a side wall provided outside the cover portion.
상기 측벽에는,
상기 사이드 척의 일측이 삽입될 수 있는 연장홈이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. In clause 7,
On the side walls,
A substrate processing device characterized in that it is provided with an extension groove into which one side of the side chuck can be inserted.
상기 연장홈은,
상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수평 방향으로 연장되는 수평홈과,
상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 수직 방향으로 연장되는 수직홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. According to clause 8,
The extension groove is,
a horizontal groove extending in a horizontal direction with respect to the plane on which the substrate is disposed;
A substrate processing device comprising a vertical groove extending in a direction perpendicular to the plane on which the substrate is disposed.
상기 센터 척과 수평 방향으로 이격되어 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하는 사이드 척;
중앙에 개구부가 구비되며, 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 보울;
상기 센터 척을 둘러싸고, 수직 방향으로 연장되며, 상기 기판의 하면을 향해 기체를 분사하도록 구성된 에어 나이프;
상기 에어 나이프의 일측에 배치되고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 센터 세정부;
상기 에어 나이프의 다른 일측에 배치되고, 상기 센터 세정부와 수평 방향으로 이격되어 위치하고, 상기 기판의 하면을 향해 세정액을 분사하는 사이드 세정부;를 포함하며,
상기 사이드 척과 상기 보울은 분리되어 배치되며, 상기 사이드 척과 상기 보울은 상기 기판이 배치되는 평면에 대하여 각각 독립적으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A center chuck that supports the center of the bottom of the board;
a side chuck spaced horizontally from the center chuck and supporting a lower edge of the substrate;
a bowl having an opening in the center and arranged to surround the substrate;
an air knife surrounding the center chuck, extending in a vertical direction, and configured to spray gas toward the lower surface of the substrate;
a center cleaning unit disposed on one side of the air knife and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate;
It includes a side cleaning part disposed on the other side of the air knife, spaced apart from the center cleaning part in a horizontal direction, and spraying a cleaning liquid toward the lower surface of the substrate,
The side chuck and the bowl are disposed separately, and the side chuck and the bowl are independently movable with respect to a plane on which the substrate is disposed.
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