KR100187442B1 - Back rinsing apparatus of semiconductor process - Google Patents
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Abstract
현상공정에 있어서 공급된 현상액이 웨이퍼의 밑면 소정 부위에 남게 되는 것을 방지하도록 하는 반도체 현상설비의 백린스 장치에 관한 것이다.It relates to a back rinsing apparatus of a semiconductor developing apparatus which prevents the developing solution supplied in the developing step from remaining at a predetermined portion of the bottom surface of the wafer.
본 발명은 웨이퍼의 하측으로 소정 간격 이격되어 진공척의 머리부와 기둥외측 부위를 커버하는 형태로 설치되고, 내부에 형성된 세정액 공급통로가 상측으로 관통된 형상의 분출구를 이루는 반도체 현상설비의 백린스 장치에 있어서, 상측부가 소정 두께와 높이로 돌출된 환형돌기와 이 환형돌기의 외측 끝단부에 연이어 하측으로 소정의 경사 각도를 이루는 경사면과 상기 경사면 소정 부위에 소정의 각도를 가지며 내부의 세정액 공급통로와 관통 연결되는 세정액 분출구가 형성됨을 특징으로 한다.The present invention is installed in the form of covering the head of the vacuum chuck and the outer portion of the column spaced apart by a predetermined interval to the lower side of the wafer, the cleaning device of the semiconductor development equipment forming a spout opening formed through the upper side of the cleaning liquid supply passage formed therein An inclined surface having a predetermined inclination angle successively to an outer end portion of the annular protrusion and an outer end portion of the annular protrusion and a predetermined angle at a predetermined portion of the inclined surface and penetrating the inside of the cleaning liquid supply passage. Characterized in that the cleaning liquid jet port is connected.
따라서, 웨이퍼 밑면에 공급되는 세정액과 질소 가스의 공급 압력에 관계없이 웨이퍼 밑면 주연에 맺힌 상태로 있게 되는 현상액을 용이하게 제거하는 효과가 있다.Therefore, there is an effect of easily removing the developer which remains in the peripheral state of the wafer bottom regardless of the supply pressure of the cleaning liquid and nitrogen gas supplied to the bottom of the wafer.
Description
제1도는 종래의 반도체 현상설비의 백린스 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a back rinsing apparatus of a conventional semiconductor developing apparatus.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 현상설비의 백린스 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a back rinsing apparatus of a semiconductor development apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 웨이퍼 12 : 진공척10 wafer 12 vacuum chuck
14 : 머리부 16 : PR 층14 head 16 PR layer
18 : 기둥 20,30 : 백린스 장치18: pillar 20,30: rinse back device
22,36 : 외측벽 24,38 : 세정액 분출구22,36: outer wall 24,38: cleaning liquid jet
26,40 : 세정액 공급통로 32 : 환형돌기26,40: washing liquid supply passage 32: annular projection
34 : 경사면34: slope
본 발명은 반도체 현상설비의 백린스 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현상공정에 있어서 공급된 현상액이 웨이퍼의 밑면 소정 부위에 남게 되는 것을 방지하도록 하는 반도체 현상설비의 백린스 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a back rinsing apparatus of a semiconductor developing apparatus, and more particularly, to a back rinsing apparatus of a semiconductor developing apparatus to prevent the developer supplied in the developing step from remaining at a predetermined portion of the bottom surface of the wafer.
일반적으로 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 웨이퍼 상에 요구되는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 웨이퍼 표면에 PR(Photoresist)을 균일하게 도포하고, 그 위에 소정 레이아웃으로 형성된 포토마스크 상을 노광시킨 후 이어서 현상공정을 통해 PR층의 불필요한 부위를 제거함으로써 요구되는 패턴을 형성하게 된다.In general, a photolithography process is a process for forming a desired pattern on a wafer. First, a PR (Photoresist) is uniformly applied to a surface of a wafer that has been cleaned and dried, and then formed on a photomask formed in a predetermined layout thereon. After exposing the film, a desired pattern is formed by removing unnecessary portions of the PR layer through a developing process.
상기 포토소그래피 공정 중 현상공정은 고속 회전하는 웨이퍼 표면에 현상액을 공급하여 균일하게 도포시키고, 이렇게 도포된 현상액은 소정시간동안 PR 층의 불필요한 부위를 분리하게 되며, 이후 세정액을 공급하여 잔류하는 찌꺼기를 제거하고, 건조공정으로 옮겨진다.In the developing process of the photolithography process, the developer is uniformly applied by supplying a developer to the surface of the rotating wafer at a high speed, and the developer is applied to separate unnecessary portions of the PR layer for a predetermined time, and then the residue remaining by supplying a cleaning solution Is removed and transferred to the drying process.
이러한 과정에서 잔량의 현상액은 웨이퍼의 원심력에 의해 웨이퍼 외부로 이탈하게 되지만 소정량의 현상액은 웨이퍼의 밑면 주연으로부터 내측 소정 범위에 맺힌 상태로 잔존하게 되는데 이 현상액과 용해된 포토레지스트 등은 다음 공정인 건조공정에서 파티클로 작용하여 웨이퍼를 오염시키는 요인이 된다.In this process, the residual amount of developer is released to the outside of the wafer by the centrifugal force of the wafer, but a predetermined amount of developer remains in a predetermined range from the edge of the bottom surface of the wafer to the inside of the wafer. It acts as a particle in the drying process and becomes a factor to contaminate the wafer.
이것을 방지하기 위해 웨이퍼 상면 뿐 아니라 웨이퍼 하측에서 세정액을 공급하도록 하는 백린스 장치가 공정챔버 내부 소정 위치에 설치되어 있으며, 이러한 백린스 장치에 대한 종래 기술을 첨부된 제1도를 참조하여 설명하기로 한다.In order to prevent this, a rinse apparatus is provided at a predetermined position inside the process chamber to supply the cleaning liquid from the lower side of the wafer as well as the upper surface of the wafer, and the prior art of the rinse apparatus will be described with reference to FIG. do.
현상공정을 수행하는 공정챔버 내부 소정 위치에 웨이퍼(10)를 흡착고정하여 고속 회전하도록 형성된 진공척(12)이 설치되어 있으며, 이 진공척(12)의 상측 머리부(14)에는 PR층(16)이 도포된 웨이퍼(10)가 흡착된 상태로 고정되어 있다.The vacuum chuck 12 formed to suck and fix the wafer 10 at a predetermined position inside the process chamber for performing the development process is installed, and the upper head 14 of the vacuum chuck 12 has a PR layer ( The wafer 10 coated with 16 is fixed in an adsorbed state.
한편, 웨이퍼(10) 하측으로 상기 진공척(12)의 머리부(14) 및 기둥(18)을 포함한 외측 부위와 소정 간격을 이루며 커버하는 형태로 백린스 장치(20)가 설치 고정되어 있고, 이 백린스 장치(20)는 진공척(12)으로 하여금 웨이퍼(10)를 흡착 고정한 상태에서 고속 회전 및 승·하강 운동이 자유롭도록 지지하는 역할을 수행하게 된다.On the other hand, the back rinsing device 20 is fixed to the outer portion including the head 14 and the pillar 18 of the vacuum chuck 12 at a predetermined interval below the wafer 10. The rinse apparatus 20 serves to support the vacuum chuck 12 so as to freely rotate at high speed and move up and down in a state in which the wafer 10 is adsorbed and fixed.
또한, 백린스 장치(20)의 상측면은 웨이퍼(10)의 밑면에 근접된 상태를 유지하고 있으며, 이 백린스 장치(20)의 측벽(22)은 웨이퍼(10)의 주연 부위까지 연장되어 있다.In addition, the upper surface of the back rinsing device 20 maintains a state near the bottom of the wafer 10, and the side wall 22 of the back rinsing device 20 extends to the periphery of the wafer 10. have.
그리고, 백린스 장치(20)의 측벽(22) 소정 위치에는 웨이퍼(10)의 밑면주연 부위에 세정액을 공급하도록 형성된 세정액 분출구(24)가 있으며, 이 세정액 분출구(24)는 백린스 장치(20)의 내부에 형성된 세정액 공급통로(26)가 백린스 장치(20)의 측벽(22) 상측 방향으로 웨이퍼(10) 표면에 대해 약 85°정도의 각도로 관통되어 형성된 것이다.In addition, at a predetermined position of the side wall 22 of the rinse apparatus 20, there is a rinse liquid ejection port 24 formed to supply a rinse liquid to the bottom peripheral portion of the wafer 10, and the rinse liquid ejection port 24 is the rinse apparatus 20. The cleaning liquid supply passage 26 formed inside the cavities is penetrated at an angle of about 85 ° with respect to the surface of the wafer 10 in the upper side of the side wall 22 of the rinse apparatus 20.
한편, 백린스 장치(20)의 상측면 주연 부위가 웨이퍼(10)의 밑면 주연 부위까지 근접되고, 또한 웨이퍼 표면에 대해 약 85°의 경사각을 갖는 세정액 분출구(24)를 통해 공급되는 세정액은 웨이퍼(10)의 밑면에서 반사되어 웨이퍼(10) 밑면과 백린스 장치(20)의 상단면 사이로 유입되어 웨이퍼 밑면의 넓은 범위를 오염시키게 된다.On the other hand, the cleaning liquid supplied through the cleaning liquid ejection opening 24 having an inclined angle of about 85 ° with respect to the bottom peripheral portion of the wafer 10 near the top peripheral portion of the wafer rinse apparatus 20 and the wafer surface is a wafer. Reflected from the bottom of the (10) is introduced between the bottom of the wafer 10 and the top surface of the rinse device 20 to contaminate a wide range of the bottom of the wafer.
이것을 방지하기 위해 제1도에 화살표로 도시된 바와 같이 진공척(12)과 백린스 장치(20) 사이의 틈새로 질소 가스를 소정의 공급압력으로 공급되고 있으며, 공급된 질소 가스는 백린스 장치(20)의 상면과 웨이퍼 밑면 사이로 유출되어 반사되어 유입되는 세정액을 차단하도록 되어 있다.In order to prevent this, nitrogen gas is supplied at a predetermined supply pressure into the gap between the vacuum chuck 12 and the rinse apparatus 20 as shown by arrows in FIG. 1, and the supplied nitrogen gas is supplied to the rinse apparatus. The cleaning liquid flowing out between the upper surface of the 20 and the lower surface of the wafer is reflected off.
이러한 구성에 의한 동작 관계를 살펴보면, 공정챔버 내부에 설치된 진공척(12)의 머리부(14) 상면에 노광된 PR층(16)이 덮여진 웨이퍼(10)가 놓이게 되고, 진공펌프(도시 안됨)에 의한 진공압의 전달로 웨이퍼(10)는 진공척(12)의 상면에 흡착된 상태로 고정된다.Looking at the operation relationship by this configuration, the wafer 10 covered with the exposed PR layer 16 is placed on the upper surface of the head 14 of the vacuum chuck 12 installed inside the process chamber, a vacuum pump (not shown) The wafer 10 is fixed to the upper surface of the vacuum chuck 12 by the transfer of the vacuum pressure by the suction force.
이후 진공척(12)은 웨이퍼(10)를 흡착한 상태로 고속 회전하게 되고, 이어서 웨이퍼(10) 상측에서 현상액이 공급되어 웨이퍼(10) 표면에 균일하게 도포되며, 현상액의 잔여분은 웨이퍼(10) 외측으로 이탈되거나 웨이퍼(10)의 밑면 주연 부위 즉 내측 방향으로 약 10mm 이하의 범위에 맺혀 있는 상태로 있게 된다.Thereafter, the vacuum chuck 12 is rotated at a high speed while absorbing the wafer 10, and then a developer is supplied from the upper side of the wafer 10 to be uniformly applied to the surface of the wafer 10, and the remaining amount of the developer is transferred to the wafer 10. ) Is separated from the outside or in a state in which the bottom periphery of the wafer 10, that is, in a range of about 10 mm or less in the inward direction.
그리고, 소정 시간동안 현상 시간을 유지하게 되고, 이 현상 시간동안 불필요한 PR층(16)이 분리되며, 이후 웨이퍼(10)의 상측 뿐 아니라 웨이퍼(10) 하측 백린스 장치(20)에서 동시에 세정액이 공급되어 고속 회전에 따른 원심력으로 분리된 찌거기를 제거하게 된다.Then, the development time is maintained for a predetermined time, and the unnecessary PR layer 16 is separated during this development time, and then the cleaning solution is simultaneously applied not only to the upper side of the wafer 10 but also to the lower back rinse apparatus 20 of the wafer 10. It is supplied to remove the debris separated by centrifugal force due to the high speed rotation.
이러한 동작 관계에서 상기 백린스 장치(20)의 세정액 분출구(24)를 통해 공급된 세정액의 공급압력은 약 0.4~0.5 ㎏/㎠ 정도의 낮은 압력 상태로 설정되어 있다.In this operating relationship, the supply pressure of the cleaning liquid supplied through the cleaning liquid jet opening 24 of the rinse apparatus 20 is set to a low pressure of about 0.4 to 0.5 kg / cm 2.
이 설정된 상태 이상으로 세정액을 공급하게 되면 웨이퍼(10) 밑면에 반사되어 백린스 장치(20)의 상면과 웨이퍼(10) 밑면 사이로 찌꺼기를 함유한 현상액이 세정액과 함께 유입되고, 또 상기 현상액 및 세정액은 웨이퍼(10) 상측으로 유동하게 되는 경우가 발생하게 된다.When the cleaning solution is supplied above the set state, the developer containing the residue is reflected on the bottom surface of the wafer 10 and flows between the top surface of the rinse apparatus 20 and the bottom surface of the wafer 10 together with the cleaning solution. The silver may flow in the upper side of the wafer 10.
그리고, 설정된 압력상태 이하일 경우 일정 시간 내에 상기 오염원을 제거하지 못하게 된다.When the pressure is lower than the set pressure state, the pollutant cannot be removed within a predetermined time.
한편, 상기와 같은 반사된 세정액이 백린스 장치(20)와 웨이퍼(10) 사이로 유입되는 것을 방지토록 백린스 장치(20)와 진공척 사이의 틈새로 질소 가스를 공급하고 있으나 이렇게 공급되는 질소 가스의 공급압력 또한 일정 압력을 설정하고 있으며, 설정된 압력과 다를 경우 상기 세정액 공급압력의 변동과 동일한 문제점을 갖고 있다.Meanwhile, nitrogen gas is supplied to a gap between the rinse device 20 and the vacuum chuck to prevent the reflected cleaning solution from flowing between the rinse device 20 and the wafer 10. The supply pressure of is also set to a constant pressure, and if the pressure differs from the set pressure, it has the same problem as the fluctuation of the supply pressure of the cleaning liquid.
그러나, 상기와 같은 문제점을 갖는 세정액과 질소 가스의 공급압력은 하나의 라인을 통해 생산라인 내에 다수개 설치된 공정챔버로 공급되고 있으며, 이에 따라 다수개의 공정챔버에서 동시에 현상공정을 실시하게 되면 상기 공급압력은 저하되며, 또 하나의 공정챔버에서만 공정을 실시하게 되면 공급압력은 설정된 압력 이상으로 높아져 웨이퍼의 밑면을 더욱 오염시키게 되는 문제점이 있었다.However, the supply pressures of the cleaning liquid and nitrogen gas having the above problems are supplied to a plurality of process chambers installed in the production line through a single line. Accordingly, when the development process is simultaneously performed in a plurality of process chambers, the supply pressure is supplied. When the pressure is lowered and the process is performed only in one process chamber, the supply pressure is higher than the set pressure, thereby further contaminating the bottom surface of the wafer.
본 발명의 목적은 웨이퍼 밑면 주연에 공급되는 세정액이 압력변화에 관계 없이 웨이퍼 밑면 오염원을 제거하기 용이한 반도체 현상설비의 백린스 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a backlining apparatus of a semiconductor developing apparatus in which the cleaning liquid supplied to the periphery of the wafer bottom is easy to remove the source of contamination on the bottom of the wafer irrespective of the pressure change.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼의 하측으로 소정 간격 이격되어 진공척의 머리부와 기둥 외측 부위를 커버하는 형태로 설치되고, 내부에 형성된 세정액 공급통로가 상측으로 관통된 형상의 분출구를 이루는 반도체 현상설비의 백린스 장치에 있어서, 상측부가 소정 두께와 높이로 돌출된 환형돌기와 이 환형돌기의 외측 끝단부에 연이어 하측으로 소정의 경사 각도를 이루는 경사면과 상기 경사면 소정 부위에 소정의 각도를 가지며 내부의 세정액 공급통로와 관통 연결되는 세정액 분출구가 형성됨을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is installed in the form of covering the head of the vacuum chuck and the outer portion of the column spaced apart a predetermined interval to the lower side of the wafer, the semiconductor forming the ejection port of the cleaning liquid supply passage formed therein penetrated upwards In the developing apparatus, a rinsing device having an upper side portion having a predetermined thickness and height, and an inclined surface having a predetermined inclination angle at a lower side subsequent to the outer end portion of the annular protrusion, and having a predetermined angle at a predetermined portion of the inclined surface. It characterized in that the cleaning liquid jet port is connected to the cleaning liquid supply passage of the through.
또한, 상기 환형돌기는 2~3mm의 돌출된 높이를 갖도록 형성함이 바람직하고, 상기 경사면의 각도는 공급된 세정액이 반사되어 떨어지는 것을 외측으로 흐르도록 15~20°의 경사각을 갖도록 함이 효과적이다.In addition, the annular projection is preferably formed to have a protruding height of 2 ~ 3mm, the angle of the inclined surface is effective to have an inclination angle of 15 ~ 20 ° to flow to the outside that the supplied cleaning liquid is reflected off. .
한편, 상기 분출구가 이루는 각도는 공급되는 세정액이 웨이퍼의 외측방향으로 향하도록 웨이퍼 밑면에 대해 60~70°의 경사각을 갖도록 하고, 상기 분출구는 웨이퍼의 주연에서 중심 방향으로 10~12mm 이격된 위치에 세정액을 공급하도록 함이 바람직하다.On the other hand, the angle formed by the jet port is to have an inclination angle of 60 ~ 70 ° with respect to the bottom surface of the wafer so that the cleaning liquid supplied to the outside direction of the wafer, the jet port is located at a position spaced 10 ~ 12mm in the center direction from the periphery of the wafer It is preferable to supply the cleaning liquid.
또한, 상기 분출구의 노즐 구멍은 저압에서도 세정액이 정위치에 공급되도록 0.8~1.2mm의 직경으로 형성함이 바람직하다.In addition, the nozzle hole of the jet port is preferably formed with a diameter of 0.8 ~ 1.2mm so that the cleaning liquid is supplied in place even at low pressure.
이하, 본 발명에 따른 반도체 현상설비의 백린스 장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a backlining apparatus for a semiconductor developing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명의 바람직한 일 실시예를 도시한 것으로서, 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.2 is a view showing a preferred embodiment of the present invention, the same reference numerals are given to the same parts as in the prior art, and detailed description thereof will be omitted.
웨이퍼(10)의 밑면에 근접되어 진공척(12)의 머리부(14)오 기둥(18)을 포함한 외측 부위를 커버하도록 형성된 소정 형상의 백린스 장치(30)가 설치고정된다.A back rinsing device 30 having a predetermined shape is formed and fixed so as to be close to the bottom surface of the wafer 10 and cover the outer portion including the head 14 and the pillar 18 of the vacuum chuck 12.
이러한 백린스 장치(30)의 상측부는 소정 폭을 가지며, 상측 방향 2~3mm 정도로 돌출된 높이의 환형돌기(32)가 형성되어 있고, 이 환형돌기(32)는 진공척(12)의 머리부(14) 외측 부위와 흡착 고정된 웨이퍼(10) 밑면에 근접되어 소정 간격의 틈새를 이루도록 설치된다.The upper portion of the rinse apparatus 30 has a predetermined width, and an annular protrusion 32 having a height protruding about 2 to 3 mm in the upward direction is formed, and the annular protrusion 32 is the head of the vacuum chuck 12. (14) It is provided so as to form a gap at a predetermined interval in close proximity to the outer portion and the bottom surface of the wafer 10 which is fixed by suction.
또한, 백린스 장치(30)의 외측 부위는 상기 환형돌기(32)의 하측 부위의 둘레를 따라 외측으로 웨이퍼(10)의 밑면에 대해 약 15~20°정도의 경사진 경사면(34)을 이루고 있으며, 이 경사면(34)의 하단부에 연이어 수직하게 이어지는 외측벽(36)을 이루고 있다.In addition, the outer portion of the rinse apparatus 30 forms an inclined surface 34 inclined about 15 to 20 degrees with respect to the bottom surface of the wafer 10 outward along the circumference of the lower portion of the annular projection 32. The outer wall 36 is vertically connected to the lower end of the inclined surface 34.
그리고, 상기 경사면(34)의 소정 위치에는 웨이퍼(10)의 주연으로부터 10~12mm 정도 이격된 위치에 세정액을 공급하는 세정액 분출구(38)가 형성되어 있다.At a predetermined position of the inclined surface 34, a cleaning liquid ejection opening 38 for supplying the cleaning liquid to a position spaced about 10 to 12 mm from the periphery of the wafer 10 is formed.
이 세정액 분출구(38)는 백린스 장치(30) 내부에 형성된 세정액 공급통로(40)가 상측 경사면(34) 소정 위치에 약 60~70°정도의 경사각 이루며 관통되어 있어 웨이퍼(10)의 밑면에 세정액이 공급됨에 따라 반사되는 방향은 웨이퍼의 외측 방향으로 향하게 된다.The cleaning liquid jet opening 38 penetrates the cleaning liquid supply passage 40 formed inside the rinse apparatus 30 at an inclined angle of about 60 to 70 degrees at a predetermined position on the upper inclined surface 34. As the cleaning liquid is supplied, the reflected direction is directed toward the outside of the wafer.
이러한 구성의 작용 관계를 설명하면, 공정챔버 내부에 설치된 진공척(12)의 머리부(14) 상면에 노광된 PR층(16)이 덮여진 웨이퍼(10)가 놓이게 되고, 진공펌프(도시 안됨)에 의한 진공압의 전달로 웨이퍼(10)는 진공척(12)의 상면에 흡착 고정된다.Referring to the working relationship of this configuration, the wafer 10 covered with the exposed PR layer 16 is placed on the upper surface of the head 14 of the vacuum chuck 12 provided inside the process chamber, and the vacuum pump (not shown) The wafer 10 is adsorbed and fixed to the upper surface of the vacuum chuck 12 by the transfer of the vacuum pressure by.
이후 진공척(12)은 웨이퍼(10)를 흡착한 상태로 고속 회전하게 되고, 이러한 상태에서 웨이퍼(10) 상측에서 현상액이 공급되어 웨이퍼(10) 표면에 균일하게 도포되며, 현상액의 잔여분은 웨이퍼(10) 외측으로 이탈되거나 웨이퍼(10)의 밑면 주연으로부터 내측방향 약 10mm 이하의 범위에 맺혀 있는 상태로 있게 된다.Thereafter, the vacuum chuck 12 is rotated at a high speed while the wafer 10 is adsorbed. In this state, a developer is supplied from the upper side of the wafer 10 to be uniformly applied to the surface of the wafer 10. (10) It is separated outward or remains in a range of about 10 mm or less in the inward direction from the periphery of the bottom surface of the wafer 10.
그리고, 소정 시간동안 현상 시간을 유지하여 PR층(16)이 불필요한 부위를 분리시키고, 이러한 상태에서 웨이퍼(10) 상측에 설치된 세정액 분출구(38)와 하측의 설치된 백린스 장치(30)를 통해 세정액을 공급하도록 되어 있다.Then, the development time is maintained for a predetermined time to separate the unnecessary portion of the PR layer 16, and in this state, the cleaning liquid is provided through the cleaning liquid jet opening 38 provided above the wafer 10 and the lower back rinse apparatus 30. It is supposed to supply.
이때 웨이퍼(10)의 밑면에 세정액을 공급하는 형성된 세정액 분출구(38)는 약 60~70°정도로 경사진 상태에서 웨이퍼(10) 주연으로부터 내측으로 10~12mm 정도의 위치에 세정액을 공급하게 됨에 따라 반사된 세정액은 현상액과 함께 웨이퍼(10)의 외측으로 벗어나게 된다.At this time, the cleaning liquid ejection opening 38 for supplying the cleaning liquid to the bottom surface of the wafer 10 is supplied with the cleaning liquid at a position of about 10 to 12 mm from the periphery of the wafer 10 in the inclined state to about 60 to 70 degrees. The reflected cleaning solution leaves the outside of the wafer 10 together with the developing solution.
또한, 세정액 분출구(38) 구멍의 직경은 0.8~1.2mm 정도로 작게 형성되어 있어 압력 변화에 관계 없이 일정한 위치에 세정액이 공급된다.In addition, the diameter of the hole of the cleaning liquid ejection opening 38 is formed to be small, about 0.8 to 1.2 mm, so that the cleaning liquid is supplied at a constant position regardless of the pressure change.
그리고, 환형돌기(32)가 세정액이 공급되는 부위로 부터 소정 거리 이격되어 위치됨에 따라 공급된 세정액이 환형돌기(32)까지 미치지 못하고, 경사면(34)을 따라 흘르게 되어 외측으로 벗어나게 된다.And, since the annular projection 32 is positioned at a predetermined distance away from the site where the cleaning liquid is supplied, the supplied cleaning liquid does not reach the annular projection 32 and flows along the inclined surface 34 to be outward.
또한, 환형돌기(32)와 웨이퍼(10) 밑면 사이로 질소 가스가 화살표 방향으로 공급됨에 따라 세정액의 유입을 효과적으로 차단하게 된다.In addition, as nitrogen gas is supplied in the direction of the arrow between the annular protrusion 32 and the bottom surface of the wafer 10, the inflow of the cleaning liquid is effectively blocked.
이상에서와 같이 본 발명은 웨이퍼 밑면에 공급되는 세정액과 질소가스의 공급 압력에 관계 없이 웨이퍼 밑면 주연에 맺힌 상태로 있게 되는 현상액을 용이하게 제거하는 효과가 있다.As described above, the present invention has an effect of easily removing the developer which remains in the peripheral state of the wafer bottom regardless of the supply pressure of the cleaning liquid and nitrogen gas supplied to the bottom of the wafer.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상과 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구의 범위에 속함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the embodiments described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit and scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims. Do.
Claims (6)
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