KR20240091537A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 처리공정 중에 또는 처리공정을 마치고 파티클 등의 이물질이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing device and a substrate processing method that can prevent foreign substances such as particles from attaching to the substrate during or after the processing process for the substrate. It's about.
Description
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 처리공정 중에 또는 처리공정을 마치고 파티클 등의 이물질이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 대한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing device and a substrate processing method that can prevent foreign substances such as particles from attaching to the substrate during or after the processing process for the substrate. It's about.
일반적으로 기판은 챔버의 내측으로 인입되어 상기 챔버의 내측에서 각종 처리공정을 거치게 된다.Generally, a substrate is introduced into a chamber and undergoes various processing processes inside the chamber.
이 경우, 상기 기판에 대한 처리공정을 수행하는 중에 챔버 내부가 고압으로 상승하는 경우 상기 챔버의 도어를 보다 견고히 지지할 수 있는 수단을 필요로 한다. In this case, when the inside of the chamber rises to high pressure while performing a processing process on the substrate, a means to more firmly support the door of the chamber is required.
예를 들어, 초임계유체를 이용한 초임계 공정 등의 경우 상기 챔버의 내부 압력이 매우 상승하게 되므로 상기 챔버의 내측에서 도어를 향해 작용하는 압력이 매우 커지게 된다. 이 경우, 상기 기판에 대한 처리공정 중에 도어의 파손 등을 방지하지 위하여 상기 도어를 보다 견고히 지지할 수 있는 지지구조체를 필요로 하게 된다.For example, in the case of a supercritical process using a supercritical fluid, the internal pressure of the chamber increases significantly, so the pressure acting from the inside of the chamber toward the door becomes very large. In this case, a support structure that can more firmly support the door is needed to prevent damage to the door during the processing process for the substrate.
그런데, 기판에 대한 공정 중에 도어와 전술한 지지구조체의 마찰 또는 접촉에 의해 파티클이 발생할 수 있으며, 나아가 기판에 대한 공정이 종료된 경우 지지구조체가 이동하는 경우에 도어와 전술한 지지구조체의 마찰 또는 접촉에 의해 파티클이 발생할 수 있다. 이와 같은 파티클은 상기 기판의 상면에 부착되어 상기 기판을 오염시킬 수 있다.However, particles may be generated due to friction or contact between the door and the above-mentioned support structure during the process for the substrate, and furthermore, when the support structure moves when the process for the substrate is completed, friction or contact between the door and the above-mentioned support structure Particles may be generated by contact. Such particles may attach to the upper surface of the substrate and contaminate the substrate.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대한 초임계공정과 같이 고압의 공정을 진행하거나 또는 고압의 공정을 종료한 후에 발생할 수 있는 파티클을 효과적으로 포집할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate processing device and substrate processing device that can effectively collect particles that may be generated during a high-pressure process such as a supercritical process for a substrate or after completing a high-pressure process. The purpose is to provide a method.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판에 대한 처리공정을 수행하는 챔버가 내부에 위치한 하우징, 상기 하우징의 상부에 구비되어 상기 하우징 내부에서 하강기류를 발생시키는 팬유닛, 상기 하우징의 하부에 구비되어 상기 하우징 내부의 유체를 배기하도록 개폐되는 오토댐퍼 및 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이를 감지하는 압력계를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.The object of the present invention as described above is a housing in which a chamber for performing a processing process for a substrate is located, a fan unit provided at the top of the housing to generate a downward airflow inside the housing, and a fan unit provided at the bottom of the housing to generate a downward airflow inside the housing. This is achieved by a substrate processing device that includes an auto damper that opens and closes to exhaust the fluid inside the housing, and a pressure gauge that detects the pressure difference between the inside and outside of the housing.
여기서, 상기 압력계는 상기 하우징의 내부에 설치되는 제1 압력센서와, 상기 하우징의 외부의 배기유로에 설치되는 제2 압력센서로 구성될 수 있다.Here, the pressure gauge may be composed of a first pressure sensor installed inside the housing and a second pressure sensor installed in the exhaust passage outside the housing.
또한, 상기 오토댐퍼는 상기 압력계에 의해 감지된 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우 개방될 수 있다.Additionally, the auto damper may be opened when the pressure difference between the inside and outside of the housing detected by the pressure gauge is greater than a preset threshold.
나아가, 상기 오토댐퍼는 상기 팬유닛이 구동하는 경우 개방될 수 있다.Furthermore, the auto damper may be opened when the fan unit is driven.
한편, 상기 챔버는 상기 기판을 지지하며 상기 챔버의 개구부를 통해 상기 챔버의 내부로 인입 및 상기 챔버의 외부로 인출 가능하게 구비되는 트레이유닛과, 상기 트레이유닛을 가압하는 셔터와, 상기 트레이유닛과 상기 셔터의 마찰에 의해 발생하는 금속파티클을 포집하기 위한 자성체를 더 구비할 수 있다.Meanwhile, the chamber includes a tray unit that supports the substrate and is capable of being introduced into and out of the chamber through an opening of the chamber, a shutter that presses the tray unit, and the tray unit. It may further include a magnetic material to collect metal particles generated by friction of the shutter.
이 경우, 상기 기판에 대한 공정 완료 후 상기 셔터가 하강할 경우 상기 팬유닛에 의한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판의 상부보다 하부로 하강시켜 상기 기판에 흡착 발생하는 금속파티클을 억제할 수 있다.In this case, when the shutter is lowered after completion of the process for the substrate, a downward airflow is generated by the fan unit to lower the metal particles to the lower part of the substrate rather than the upper part, thereby suppressing the metal particles adsorbed to the substrate. there is.
한편, 상기 트레이유닛은 상기 기판을 지지하는 트레이와, 상기 트레이의 말단부에 구비되어 상기 챔버의 개구부를 밀폐하는 커버를 구비하며, 상기 자성체는 상기 커버와 상기 셔터 중에 적어도 한쪽에 구비될 수 있다.Meanwhile, the tray unit includes a tray supporting the substrate, and a cover provided at an end of the tray to seal an opening of the chamber, and the magnetic material may be provided on at least one of the cover and the shutter.
또한, 상기 자성체는 상기 커버와 상기 셔터의 서로 마주보는 면에 설치되는 제1 자성체와 제2 자성체를 구비할 수 있다.Additionally, the magnetic material may include a first magnetic material and a second magnetic material installed on surfaces of the cover and the shutter facing each other.
나아가, 상기 제1 자성체 및 제2 자성체는 단일 또는 분리된 복수개의 자성체로 형성될 수 있다.Furthermore, the first magnetic material and the second magnetic material may be formed of a single magnetic material or a plurality of separate magnetic materials.
한편, 상기 챔버의 개구부가 형성된 전면에 구비되어 상기 셔터가 삽입되는 프레임개구부가 형성된 고정프레임을 더 구비하고, 상기 자성체는 상기 프레임개구부의 가장자리를 따라 설치되는 추가 자성체를 더 구비할 수 있다.Meanwhile, a fixed frame may be provided on the front side of the chamber where the opening is formed and have a frame opening through which the shutter is inserted, and the magnetic material may further include an additional magnetic material installed along an edge of the frame opening.
나아가, 상기 자성체는 전자석으로 구성되어, 주기적으로 또는 비주기적으로 자력을 해제하고 상기 팬유닛에 의해 파티클을 배출할 수 있다.Furthermore, the magnetic material is composed of an electromagnet, and can release magnetic force periodically or aperiodically and discharge particles by the fan unit.
한편, 상기와 같은 본 발명의 목적은 기판에 대한 처리공정을 수행하는 챔버가 구비된 하우징에 설치된 팬유닛과, 상기 하우징에 설치되는 오토댐퍼와, 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이를 감지하는 압력계를 구비한 기판처리장치의 기판처리방법에 있어서, 상기 팬유닛의 구동에 의해 상기 하우징 내부에 하강기류를 발생시키는 단계 및 상기 오토댐퍼의 구동에 의해 상기 하우징 내부의 유체를 배출하는 단계를 포함하고, 상기 오토댐퍼는 상기 압력계에 의해 감지된 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우에 개방되거나, 또는 상기 팬유닛이 구동하는 경우 개방되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법에 의해 달성된다.Meanwhile, the object of the present invention as described above is to provide a fan unit installed in a housing equipped with a chamber for performing a processing process on a substrate, an auto damper installed in the housing, and a device that detects the pressure difference between the inside and outside of the housing. A substrate processing method using a substrate processing apparatus equipped with a pressure gauge, comprising generating a downward airflow inside the housing by driving the fan unit and discharging fluid inside the housing by driving the auto damper. In the substrate processing method, the auto damper is opened when the pressure difference between the inside and outside of the housing detected by the pressure gauge is more than a preset threshold, or when the fan unit is driven. is achieved by
여기서, 상기 챔버는 기판을 지지하며 이동 가능한 트레이유닛과 상기 트레이유닛을 가압하는 셔터를 더 구비하고, 상기 오토댐퍼의 구동에 의해 상기 하우징 내부의 유체를 배출하는 단계는 상기 기판에 대한 공정 완료 후 상기 셔터가 하강할 경우 상기 팬유닛의 구동에 의한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판의 상부보다 하부로 하강시켜 상기 기판에 흡착 발생하는 금속파티클을 억제할 수 있다.Here, the chamber further includes a movable tray unit that supports the substrate and a shutter that pressurizes the tray unit, and the step of discharging the fluid inside the housing by driving the auto damper is performed after completion of the process for the substrate. When the shutter is lowered, a downward airflow is generated by driving the fan unit, thereby causing metal particles to fall to the lower part of the substrate rather than the upper part, thereby suppressing the metal particles adsorbed to the substrate.
나아가, 상기 트레이유닛과 상기 셔터의 마찰에 의해 발생하는 금속파티클을 포집하기 위한 전자석을 더 구비하고, 주기적으로 또는 비주기적으로 상기 전자석의 자력을 해제하고 상기 팬유닛에 의해 파티클을 배출할 수 있다.Furthermore, an electromagnet is further provided to collect metal particles generated by friction between the tray unit and the shutter, and the magnetic force of the electromagnet can be released periodically or aperiodically and the particles can be discharged by the fan unit. .
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 챔버가 배치되는 하우징의 내측에 팬유닛에 의해 강한 하강기류를 형성하여 파티클 등이 기판의 상면에 부착되는 것을 최대한 억제할 수 있다.According to the present invention having the above-described configuration, a strong descending airflow is formed by a fan unit inside the housing where the chamber is disposed, thereby suppressing particles, etc. from attaching to the upper surface of the substrate as much as possible.
또한, 본 발명에 따르면 챔버에 자성체를 구비하여 셔터의 이동에 의해 발생할 수 있는 금속파티클 등을 효과적으로 포집하여 금속파티클이 기판의 상면에 부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, by providing a magnetic material in the chamber, it is possible to effectively collect metal particles that may be generated by movement of the shutter and prevent metal particles from attaching to the upper surface of the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 챔버의 셔터가 상승한 상태를 도시한 측면도,
도 2는 챔버의 정면 사시도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 챔버의 셔터가 하강한 상태를 도시한 측면도,
도 4 및 도 5는 자성체를 구비한 일 실시예에 따른 챔버의 측면도,
도 6은 자성체를 구비한 다른 실시예에 따른 챔버의 측면도,
도 7은 자성체를 구비한 또다른 실시예에 따른 챔버의 측면도이다.1 is a side view showing a state in which the shutter of a chamber is raised in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a front perspective view of the chamber;
Figure 3 is a side view showing a state in which the shutter of the chamber is lowered in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
4 and 5 are side views of a chamber equipped with a magnetic material according to an embodiment,
6 is a side view of a chamber equipped with a magnetic material according to another embodiment;
Figure 7 is a side view of a chamber equipped with a magnetic material according to another embodiment.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be examined in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)의 측면도이고, 도 2는 상기 기판처리장치(1000)의 하우징(100)의 내부에 배치된 챔버(400)의 정면 사시도이다.FIG. 1 is a side view of a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a front perspective view of the chamber 400 disposed inside the housing 100 of the substrate processing apparatus 1000.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 하우징(100)을 구비하며, 상기 하우징(100)의 내측에 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 챔버(400)가 배치된다.Referring to FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 1000 includes a housing 100, and a chamber 400 for performing a processing process on a substrate S is disposed inside the housing 100. do.
상기 챔버(400)는 내부에 상기 기판(S)이 처리되는 처리공간(412)을 제공하며, 상기 처리공간(412)에서 상기 기판(S)에 대해 미리 정해진 처리공정이 수행된다.The chamber 400 provides a processing space 412 within which the substrate S is processed, and a predetermined processing process is performed on the substrate S in the processing space 412.
예를 들어, 상기 챔버(400)는 초임계상태의 유체를 이용하여 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 여기서, 초임계상태의 유체란 물질이 임계상태, 즉 임계온도와 임계압력을 초과한 상태에 도달하면 형성되는 상을 가진 유체에 해당한다. 이러한 초임계상태의 유체는 분자밀도는 액체에 가까우면서도 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지게 된다. 따라서, 초임계상태의 유체는 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하며, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 표면장력을 가하지 아니하므로, 반도체소자의 건조공정 시 건조효율이 우수할 뿐 아니라 패턴 붕괴현상을 회피할 수 있어 매우 유용하게 이용될 수 있다.For example, the chamber 400 may perform a processing process on the substrate S using a fluid in a supercritical state. Here, a fluid in a supercritical state corresponds to a fluid with a phase that is formed when a substance reaches a critical state, that is, a state exceeding the critical temperature and critical pressure. Fluids in this supercritical state have a molecular density close to that of a liquid, but a viscosity close to that of a gas. Therefore, the supercritical fluid has excellent diffusion, penetration, and dissolving power, which is advantageous for chemical reactions. It has almost no surface tension, so it does not apply surface tension to the microstructure, so it not only has excellent drying efficiency during the drying process of semiconductor devices. It can be very useful as it can avoid pattern collapse.
본 발명에서 초임계유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이산화탄소는 임계온도가 대략 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 높지 않아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 그 상태를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. In the present invention, carbon dioxide (CO 2 ) may be used as the supercritical fluid. Carbon dioxide has a critical temperature of approximately 31.1℃ and a relatively low critical pressure of 7.38Mpa, so it is easy to create a supercritical state, easy to control by adjusting the temperature and pressure, and has the advantage of being inexpensive.
또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니게 된다. 나아가, 초임계상태의 이산화탄소는 물이나 기타 유기용매와 비교하여 대략 10배 내지 100배 정도 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투성이 매우 우수하여 유기용매의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 건조공정에 사용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 건조공정에 사용된 이산화탄소를 기체상태로 전환시켜 유기용매를 분리해 재사용하는 것이 가능하여 환경오염의 측면에서도 부담이 적다.In addition, carbon dioxide is non-toxic, harmless to the human body, and has the characteristics of being non-flammable and inert. Furthermore, carbon dioxide in a supercritical state has a diffusion coefficient that is approximately 10 to 100 times higher than that of water or other organic solvents, so it has excellent permeability, allowing rapid replacement of organic solvents, and has almost no surface tension, making it easy to dry during the drying process. It has properties that are advantageous for use in In addition, it is possible to convert the carbon dioxide used in the drying process into a gaseous state, separate the organic solvent, and reuse it, thus reducing the burden in terms of environmental pollution.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 챔버(400)는 초임계상태의 유체를 이용하여 처리액 또는 유기용매(10)(이하, '유기용매'라 함)가 도포된 기판(S)에 대한 건조공정 등의 처리공정을 수행할 수 있다.Referring to Figures 1 and 2, the chamber 400 uses a fluid in a supercritical state to treat a substrate S onto which a processing liquid or organic solvent 10 (hereinafter referred to as 'organic solvent') is applied. Treatment processes such as drying process can be performed.
이를 위하여, 상기 챔버(400)로 유체를 공급하는 중에 상기 유체를 임계압력 또는 그 이상의 압력으로 가압할 수 있으며, 또한 상기 유체를 임계온도 또는 그 이상의 온도로 가열할 수 있다.To this end, while supplying the fluid to the chamber 400, the fluid may be pressurized to a critical pressure or higher, and the fluid may be heated to a critical temperature or higher.
한편, 상기 챔버(400)는 일측에 개구부(414)가 형성될 수 있으며, 내측에서 상기 기판(S)에 대한 고압 공정을 처리하기에 적합한 재질로 제작될 수 있다. Meanwhile, the chamber 400 may have an opening 414 formed on one side, and the inside may be made of a material suitable for processing the high-pressure process on the substrate S.
또한, 상기 챔버(400)에는 상기 기판(S)을 지지하며 상기 개구부(414)를 통해 상기 챔버(400)의 내부로 인입 및 상기 챔버(400)의 외부로 인출 가능하게 구비되는 트레이유닛(430)을 구비할 수 있다.In addition, the chamber 400 includes a tray unit 430 that supports the substrate S and is capable of being introduced into the chamber 400 and withdrawn from the chamber 400 through the opening 414. ) can be provided.
상기 트레이유닛(430)은 상기 개구부(414)를 통해 상기 챔버(400)의 처리공간(412)으로 인입되거나, 또는 상기 처리공간(412)에서 상기 개구부(414)를 통해 상기 챔버(400)의 외부로 인출될 수 있다.The tray unit 430 is introduced into the processing space 412 of the chamber 400 through the opening 414, or enters the processing space 412 into the chamber 400 through the opening 414. It can be withdrawn externally.
예를 들어, 상기 트레이유닛(430)은 상기 기판(S)을 지지하는 트레이(436)와, 상기 트레이(436)의 말단부에 구비되어 상기 개구부(414)를 밀폐하는 커버(432)로 구성될 수 있다.For example, the tray unit 430 may be composed of a tray 436 supporting the substrate S, and a cover 432 provided at the distal end of the tray 436 to seal the opening 414. You can.
상기 트레이(436)의 상면에 상기 기판(S)이 안착되어 지지될 수 있으며, 상기 트레이(436)의 단부에 상기 커버(432)가 연결될 수 있다. The substrate S may be seated and supported on the upper surface of the tray 436, and the cover 432 may be connected to an end of the tray 436.
상기 트레이(436)가 상기 개구부(414)를 통해 상기 처리공간(412)으로 삽입되는 경우 상기 커버(432)가 상기 개구부(414)를 밀폐하게 된다. 이 경우, 상기 커버(432)와 상기 챔버(400) 사이의 실링을 위하여 실링부재(미도시)를 구비할 수 있다.When the tray 436 is inserted into the processing space 412 through the opening 414, the cover 432 closes the opening 414. In this case, a sealing member (not shown) may be provided to seal between the cover 432 and the chamber 400.
한편, 초임계유체를 이용하여 기판에 대한 건조공정 등의 처리공정을 진행하는 경우 챔버 내부에서 대략 10MPa 이상의 고압의 유체를 사용하여 가압 및 감압을 반복하게 되므로 상기 처리공간(412)에서 상기 커버(432)를 향해 상당히 높은 압력이 작용하게 된다. 이 경우, 상기 기판(S)에 대한 처리공정 중에 상기 커버(432)의 파손 등을 방지하며 상기 커버(432)를 견고히 지지할 수 있도록 셔터(450)를 구비할 수 있다.On the other hand, when a processing process such as a drying process for a substrate is performed using a supercritical fluid, pressurization and depressurization are repeated using a high-pressure fluid of approximately 10 MPa or more inside the chamber, so the cover ( 432), a fairly high pressure is applied toward it. In this case, a shutter 450 may be provided to prevent damage to the cover 432 during the processing process for the substrate S and to firmly support the cover 432.
예를 들어, 상기 챔버(400)의 개구부(414)가 형성된 전면에 구비되는 고정프레임(422, 426)을 구비할 수 있으며, 상기 고정프레임(422, 426)에는 프레임개구부(423, 427)가 형성될 수 있다. For example, the chamber 400 may be provided with fixed frames 422 and 426 provided on the front side where the openings 414 are formed, and the fixed frames 422 and 426 have frame openings 423 and 427. can be formed.
상기 셔터(450)는 승하강 이동을 할 수 있도록 구성되며, 상기 셔터(450)가 승강하여 상기 프레임개구부(423, 427)에 상기 셔터(450)가 삽입되는 경우에 상기 셔터(450)에 의해 상기 커버(432)를 지지할 수 있게 된다. The shutter 450 is configured to move up and down, and when the shutter 450 is raised and inserted into the frame openings 423 and 427, the shutter 450 moves up and down. The cover 432 can be supported.
도 1은 상기 기판(S)에 대한 공정을 위하여 상기 셔터(450)가 상승하여 상기 프레임개구부(423, 427)에 삽입되어 상기 커버(432)를 지지하는 상태를 도시하며, 도 3은 상기 기판(S)에 대한 공정 후에 상기 셔터(450)가 하강한 상태를 도시한다.Figure 1 shows a state in which the shutter 450 is raised and inserted into the frame openings 423 and 427 to support the cover 432 for the process on the substrate S, and Figure 3 shows a state where the shutter 450 is raised and inserted into the frame openings 423 and 427 to support the cover 432. The shutter 450 is shown in a lowered state after the process in (S).
도 1 내지 도 3을 참조하면 상기 고정프레임(422, 426)은 한 쌍으로 구성될 수 있으며, 상기 개구부(414)의 상부에 위치한 제1 프레임(422)과 상기 개구부(414)의 하부에 위치한 제2 프레임(426)으로 구성될 수 있다. 상기 제1 프레임(422)과 제1 프레임(422)은 상기 챔버(400)에 견고히 연결되어 구성되며, 상기 챔버(400)와 일체로 구성되거나 또는 별개의 부재로 구성될 수 있다.1 to 3, the fixed frames 422 and 426 may be composed of a pair, with a first frame 422 located above the opening 414 and a first frame 422 located below the opening 414. It may be composed of a second frame 426. The first frame 422 is firmly connected to the chamber 400 and may be integral with the chamber 400 or may be a separate member.
상기 제1 프레임(422)과 제1 프레임(422)에 상기 프레임개구부(423, 427)를 구성하는 제1 개구부(423)와 제2 개구부(427)가 각각 형성될 수 있다. 따라서, 상기 셔터(450)가 상승하는 경우에 상기 셔터(450)가 상기 제1 개구부(423)와 제2 개구부(427)를 관통하여 배치된다. 이 경우, 상기 제1 프레임(422)과 제2 프레임(426)에 의해 상기 셔터(450)가 지지되어 상기 커버(432)에 작용하는 압력을 상기 셔터(450)에 의해 버틸 수 있게 된다.A first opening 423 and a second opening 427 constituting the frame openings 423 and 427 may be formed in the first frame 422, respectively. Accordingly, when the shutter 450 rises, the shutter 450 is disposed to penetrate the first opening 423 and the second opening 427. In this case, the shutter 450 is supported by the first frame 422 and the second frame 426, allowing the shutter 450 to withstand the pressure acting on the cover 432.
한편, 전술한 구성에서는 상기 챔버(400) 내부에서 초임계유체를 이용하여 고압공정을 진행하는 경우 상기 커버(432)에 작용하는 압력을 상기 셔터(450)에 의해 지지하게 된다. 따라서, 상기 커버(432)와 상기 셔터(450)의 마찰 또는 접촉에 의한 파티클이 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 커버(432)와 셔터(450)는 고압에 견딜 수 있는 금속제로 제작될 수 있으므로 상기 커버(432)와 상기 셔터(450)의 마찰 또는 접촉에 의해 금속파티클이 발생할 수 있다.Meanwhile, in the above-described configuration, when a high-pressure process is performed using supercritical fluid inside the chamber 400, the pressure acting on the cover 432 is supported by the shutter 450. Therefore, particles may be generated due to friction or contact between the cover 432 and the shutter 450. In this case, the cover 432 and the shutter 450 may be made of metal that can withstand high pressure, so metal particles may be generated by friction or contact between the cover 432 and the shutter 450.
또한, 상기 기판(S)에 대한 공정 종료 후에 도 3과 같이 상기 셔터(450)가 하강하는 경우에 상기 셔터(450)와 상기 커버(432)가 마찰 또는 접촉할 수 있으며 마찬가지로 금속파티클이 발생할 수 있다.In addition, when the shutter 450 is lowered as shown in FIG. 3 after completion of the process for the substrate S, the shutter 450 and the cover 432 may rub or contact, and similarly, metal particles may be generated. there is.
이러한 금속파티클은 상기 기판(S)이 상기 챔버(400)에서 인출되어 이송되는 중에 상기 기판(S) 상면에 흡착될 수 있으며, 이에 의해 상기 기판(S)을 오염시킬 수 있다. These metal particles may be adsorbed to the upper surface of the substrate S while the substrate S is pulled out and transported from the chamber 400, thereby contaminating the substrate S.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 고안되었으며, 이하 구체적으로 구성을 살펴본다.The present invention was designed to solve the above-mentioned problems, and the configuration will be discussed in detail below.
예를 들어, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 하우징(100)의 상부에 구비되어 상기 하우징(100) 내부에서 하강기류를 발생시키는 팬유닛(200)과, 상기 하우징(100)의 하부에 구비되어 상기 하우징(100) 내부의 유체를 배기하도록 개폐되는 오토댐퍼(auto-damper)(120, 122) 및 상기 하우징(100)의 내부 및 외부의 압력차이를 감지하는 압력계(320, 340)를 구비할 수 있다. For example, the substrate processing apparatus 1000 includes a fan unit 200 provided at the top of the housing 100 to generate a downward airflow inside the housing 100, and a fan unit 200 provided at the bottom of the housing 100. It is equipped with an auto-damper (120, 122) that opens and closes to exhaust the fluid inside the housing (100) and a pressure gauge (320, 340) that detects the pressure difference between the inside and outside of the housing (100). can do.
상기 하우징(100)은 전술한 챔버(400)가 배치될 수 있도록 내측에 충분한 설치공간(110)을 제공할 수 있다. The housing 100 may provide sufficient installation space 110 inside so that the above-described chamber 400 can be placed.
상기 하우징(100)은 밀폐가 될 수 있는 구조로 구성될 수 있으며, 개구부(미도시) 등이 형성되어 상기 챔버(400)를 상기 하우징(100)의 내측으로 이동시키거나, 또는 상기 하우징(100)에서 외부로 이동시킬 수 있다. 이러한 하우징(100)은 별도의 구조물로 구성되거나, 또는 기존에 설치된 밀폐 구조의 공간을 활용할 수도 있다. The housing 100 may have a structure that can be sealed, and an opening (not shown) may be formed to move the chamber 400 to the inside of the housing 100, or to move the chamber 400 to the inside of the housing 100. ) can be moved to the outside. This housing 100 may be composed of a separate structure, or may utilize the space of an existing sealed structure.
한편, 상기 하우징(100)의 상부에는 팬유닛(200)이 설치될 수 있다. 상기 팬유닛(200)은 내부에 팬(205)을 구비하여, 상기 팬(205)의 구동에 의해 상기 하우징(100)의 내측에서 강한 하강기류를 형성하게 된다.Meanwhile, a fan unit 200 may be installed on the upper part of the housing 100. The fan unit 200 has a fan 205 inside, and when the fan 205 is driven, a strong downward air current is formed inside the housing 100.
이를 위하여 상기 하우징(100)의 외부에서 상기 팬유닛(200)에 연결되는 공급유로(210)를 구비할 수 있다.To this end, a supply passage 210 connected to the fan unit 200 may be provided outside the housing 100.
상기 공급유로(210)를 통해 상기 팬유닛(200)으로 CDA(Clean Dry Air)를 공급하거나, 또는 경우에 따라서는 상기 공급유로(210)가 생략되고 상기 팬유닛(200)으로 상기 하우징(100) 외부의 공기가 바로 유입될 수도 있다.CDA (Clean Dry Air) is supplied to the fan unit 200 through the supply passage 210, or in some cases, the supply passage 210 is omitted and the housing 100 is supplied to the fan unit 200. ) Outside air may flow in directly.
한편, 상기 팬유닛(200)을 통해 상기 하우징(100)의 내측으로 공기를 공급하는 경우에 공기 중에 포함될 수 있는 이물질 등을 필터링하기 위한 필터(미도시)를 더 구비할 수 있다. 상기 필터는 전술한 공급유로(210) 상에 설치되거나, 또는 상기 팬유닛(200)에 설치될 수도 있다.Meanwhile, when air is supplied to the inside of the housing 100 through the fan unit 200, a filter (not shown) may be further provided to filter out foreign substances that may be contained in the air. The filter may be installed on the above-described supply passage 210, or may be installed in the fan unit 200.
도 3에 도시된 바와 같이 상기 챔버(400)에서 상기 기판(S)에 대한 공정이 종료된 경우 금속파티클 등은 상기 기판(S)에 부착되지 않고 전술한 팬유닛(200)의 하강기류에 의해 상기 설치공간(110)의 하부로 이동하게 된다.As shown in FIG. 3, when the process on the substrate S is completed in the chamber 400, metal particles, etc. do not attach to the substrate S, but are caused by the downward airflow of the fan unit 200 described above. It moves to the lower part of the installation space 110.
구체적으로, 상기 기판(S)에 대한 공정 완료 후 상기 셔터(450)가 하강할 경우 상기 팬유닛(200)에 의한 강한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판(S)의 상부보다 하부로 하강시켜 상기 기판(S)에 흡착 발생하는 금속파티클을 억제할 수 있다.Specifically, when the shutter 450 is lowered after completing the process on the substrate (S), a strong downward air current is generated by the fan unit 200, thereby causing metal particles to fall to the lower part of the substrate (S) than the upper part. This can suppress metal particles adsorbed to the substrate (S).
전술한 팬유닛(200)의 팬(205)의 구성은 일예를 들어 도시한 것에 불과하며, 도면에 도시된 팬(205)의 구성에 한정되지는 않으며 적절히 변형될 수 있다.The configuration of the fan 205 of the above-described fan unit 200 is only shown as an example, and is not limited to the configuration of the fan 205 shown in the drawing and may be modified as appropriate.
한편, 상기 하우징(100)의 하부에는 상기 하우징(100) 내부의 유체를 배기하도록 개폐되는 오토댐퍼(120, 122)가 설치될 수 있다. 상기 오토댐퍼(120, 122)는 자동으로 또는 수동으로 개폐되도록 구성될 수 있으며, 상기 오토댐퍼(120, 122)가 개방되는 경우에 상기 하우징(100) 내측의 유체, 즉 공기가 외부로 배출될 수 있다. Meanwhile, auto dampers 120 and 122 that open and close to exhaust the fluid inside the housing 100 may be installed in the lower part of the housing 100. The auto dampers (120, 122) may be configured to open and close automatically or manually, and when the auto dampers (120, 122) are opened, the fluid inside the housing 100, that is, the air, will be discharged to the outside. You can.
상기 오토댐퍼(120, 122)는 한 개 이상 설치될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 하우징(100)의 중앙부 하부에 설치되는 제1 오토댐퍼(120)와, 상기 하우징(100)의 가장자리 하부에 설치되는 제2 오토댐퍼(122)로 구성될 수 있다. 이러한 오토댐퍼의 설치위치 및 개수는 일예를 들어 설명한 것이며, 적절하게 변형될 수 있다.One or more auto dampers 120 and 122 may be installed. For example, as shown in FIGS. 1 and 3, a first auto damper 120 installed below the central portion of the housing 100, and a second auto damper installed below the edge of the housing 100 ( 122). The installation location and number of these auto dampers are explained as an example and may be modified appropriately.
전술한 오토댐퍼(120, 122)는 배기유로(140, 142, 144)와 연결될 수 있다. 즉, 상기 오토댐퍼(120, 122)가 개방된 경우 상기 하우징(100) 내측의 유체는 상기 배기유로(140, 142, 144)를 통해 배기될 수 있다.The auto dampers 120 and 122 described above may be connected to the exhaust passages 140, 142 and 144. That is, when the auto dampers 120 and 122 are opened, the fluid inside the housing 100 can be exhausted through the exhaust passages 140, 142, and 144.
상기 배기유로(140, 142, 144)는 상기 제1 오토댐퍼(120)에 연결되는 제1 배기유로(142)와, 상기 제2 오토댐퍼(122)에 연결되는 제2 배기유로(144)로 구성될 수 있다. 또한, 상기 제1 배기유로(142)와 제2 배기유로(144)는 메인 배기유로(140)와 연결될 수 있다. 상기 메인 배기유로(140)에 펌핑유닛(미도시)이 연결되어 상기 하우징(100) 내측의 하강기류를 보다 강화할 수도 있다.The exhaust passages 140, 142, and 144 include a first exhaust passage 142 connected to the first auto damper 120 and a second exhaust passage 144 connected to the second auto damper 122. It can be configured. Additionally, the first exhaust passage 142 and the second exhaust passage 144 may be connected to the main exhaust passage 140. A pumping unit (not shown) may be connected to the main exhaust passage 140 to further strengthen the downward airflow inside the housing 100.
한편, 상기 기판처리장치(1000)는 상기 하우징(100)의 내부 및 외부의 압력차이를 감지하는 압력계(320, 340)를 구비할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus 1000 may be provided with pressure gauges 320 and 340 that detect pressure differences between the inside and outside of the housing 100.
상기 압력계(320, 340)에 의해 감지된 상기 하우징(100)의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우에 상기 오토댐퍼(120, 122)가 자동으로 개방되도록 설정될 수 있다.When the pressure difference between the inside and outside of the housing 100 detected by the pressure gauges 320 and 340 is greater than or equal to a preset threshold, the auto dampers 120 and 122 may be set to automatically open.
예를 들어, 상기 압력계(320, 340)는 상기 하우징(100)의 내부에 설치되는 제1 압력센서(320)와, 상기 하우징(100)의 외부의 배기유로(140, 142, 144)에 설치되는 제2 압력센서(340)로 구성될 수 있다. For example, the pressure gauges 320 and 340 are installed in the first pressure sensor 320 installed inside the housing 100 and in the exhaust passages 140, 142 and 144 outside the housing 100. It may be composed of a second pressure sensor 340.
이 경우, 상기 제1 압력센서(320)는 상기 하우징(100)의 내측에서 상기 팬유닛(200)에서 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 압력센서(320)가 상기 팬유닛(200)에 인접하여 배치된다면 상기 팬유닛(200)에 의해 상기 제1 압력센서(320)에서 측정되는 압력값이 민감하게 반응할 수 있기 때문이다. In this case, the first pressure sensor 320 may be disposed inside the housing 100 and spaced apart from the fan unit 200. This is because if the first pressure sensor 320 is placed adjacent to the fan unit 200, the pressure value measured by the first pressure sensor 320 by the fan unit 200 may react sensitively. .
상기 하우징(100)의 상부에 상기 팬유닛(200)이 설치되는 경우 상기 제1 압력센서(320)는 상기 하우징(100)의 하부 또는 바닥에 설치될 수 있다. When the fan unit 200 is installed at the top of the housing 100, the first pressure sensor 320 may be installed at the bottom or bottom of the housing 100.
또는 전술한 오토댐퍼(120, 122)가 개방되는 경우 상기 오토댐퍼(120, 122)를 통해 상기 하우징(100) 내측의 유체가 배출되므로 상기 제1 압력센서(320)는 상기 오토댐퍼(120, 122)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 압력센서(320)는 도면에 도시된 바와 같이 상기 제1 오토댐퍼(120)에 인접하여 배치될 수 있다.Alternatively, when the above-described auto dampers 120 and 122 are opened, the fluid inside the housing 100 is discharged through the auto dampers 120 and 122, so that the first pressure sensor 320 is connected to the auto dampers 120 and 122. It can be placed adjacent to 122). For example, the first pressure sensor 320 may be placed adjacent to the first auto damper 120 as shown in the drawing.
한편, 상기 제2 압력센서(340)는 전술한 배기유로(140, 142, 144)에 설치될 수 있는데, 상기 하우징(100)의 내외부 압력차이를 보다 정확히 감지하기 위하여 상기 하우징(100)에서 인접한 배기유로(140, 142, 144)에 설치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 압력센서(340)는 상기 제1 배기유로(142) 또는 제2 배기유로(144) 상에 설치될 수 있다. 도면에서는 상기 제2 압력센서(340)가 상기 제1 배기유로(142)에 설치된 것으로 도시된다.Meanwhile, the second pressure sensor 340 may be installed in the aforementioned exhaust passages 140, 142, and 144. In order to more accurately detect the internal and external pressure difference of the housing 100, the second pressure sensor 340 is installed adjacent to the housing 100. It can be installed in the exhaust passage (140, 142, 144). Accordingly, the second pressure sensor 340 may be installed on the first exhaust passage 142 or the second exhaust passage 144. In the drawing, the second pressure sensor 340 is shown as installed in the first exhaust passage 142.
상기 제1 압력센서(320)와 제2 압력센서(340)에 의해 감지된 상기 하우징(100)의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우 상기 하우징(100) 내측의 유로를 배기할 필요가 있게 되어 상기 오토댐퍼(120, 122)가 자동으로 개방될 수 있다.When the pressure difference between the inside and outside of the housing 100 detected by the first pressure sensor 320 and the second pressure sensor 340 is more than a preset threshold, the flow path inside the housing 100 is vented. As the need arises, the auto dampers 120 and 122 may be automatically opened.
또는 상기 오토댐퍼(120, 122)는 전술한 팬유닛(200)이 구동하는 경우에 구동하도록 설정될 수도 있다. 상기 팬유닛(200)이 구동하게 되면 상기 하우징(100)의 내측에서 하강기류가 발생하므로 상기 오토댐퍼(120, 122)가 개방되어 상기 하우징(100) 내측의 유체를 배출할 필요가 있기 때문이다. Alternatively, the auto dampers 120 and 122 may be set to operate when the aforementioned fan unit 200 is driven. When the fan unit 200 is driven, a downward airflow occurs inside the housing 100, so the auto dampers 120 and 122 need to be opened to discharge the fluid inside the housing 100. .
한편, 전술한 바와 같이 상기 셔터(450)와 트레이유닛(430)의 커버(432)의 마찰에 의해 발생하는 파티클은 금속성이므로 이러한 금속파티클을 포집하기 위하여 자성체를 구비할 수도 있다. Meanwhile, as described above, since the particles generated by friction between the shutter 450 and the cover 432 of the tray unit 430 are metallic, a magnetic material may be provided to collect these metallic particles.
도 4 내지 도 5는 전술한 자성체(510, 530)를 상기 챔버(400A)에 구비한 실시예를 도시한다. 도 4는 상기 셔터(450)가 하강한 상태를 도시하며, 도 5는 상기 셔터(450)가 상승한 상태를 도시한다.4 to 5 show an embodiment in which the above-described magnetic materials 510 and 530 are provided in the chamber 400A. FIG. 4 shows a state in which the shutter 450 is lowered, and FIG. 5 shows a state in which the shutter 450 is raised.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 자성체(510, 530)는 상기 커버(432)와 상기 셔터(450) 중에 적어도 한쪽에 구비될 수 있다. 상기 셔터(450)의 승하강 이동 시에 상기 셔터(450)와 상기 커버(432)의 마찰 또는 접촉에 의해 금속파티클이 발생하게 되므로 상기 커버(432)와 셔터(450) 중에 적어도 한 쪽에 구비되는 것이 바람직하다.Referring to FIGS. 4 and 5 , the magnetic materials 510 and 530 may be provided on at least one of the cover 432 and the shutter 450. When the shutter 450 moves up and down, metal particles are generated due to friction or contact between the shutter 450 and the cover 432, so metal particles are generated on at least one of the cover 432 and the shutter 450. It is desirable.
도 4 및 도 5에서는 상기 커버(432)와 셔터(450)에 모두 자성체(510, 530)가 구비되는 것으로 도시된다.4 and 5 show that both the cover 432 and the shutter 450 are provided with magnetic materials 510 and 530.
즉, 상기 커버(432)에 구비되는 제1 자성체(510)와, 상기 셔터(450)에 구비되는 제2 자성체(530)로 구성될 수 있다.That is, it may be composed of a first magnetic material 510 provided in the cover 432 and a second magnetic material 530 provided in the shutter 450.
이 경우, 상기 제1 자성체(510)와 제2 자성체(530)는 상기 커버(432)와 셔터(450)의 마찰되는 면, 또는 서로 마주보는 면에 설치될 수 있다. 이에 의해 상기 셔터(450)와 상기 커버(432)의 마찰 또는 접촉에 의해 발생할 수 있는 금속파티클을 효과적으로 포집할 수 있다.In this case, the first magnetic material 510 and the second magnetic material 530 may be installed on the friction surface of the cover 432 and the shutter 450, or on surfaces facing each other. As a result, metal particles that may be generated by friction or contact between the shutter 450 and the cover 432 can be effectively collected.
또한, 상기 제1 자성체(510) 및 제2 자성체(530)는 단일 또는 분리된 복수개의 자성체로 형성될 수 있다.Additionally, the first magnetic material 510 and the second magnetic material 530 may be formed of a single magnetic material or a plurality of separate magnetic materials.
예를 들어, 전술한 금속파티클의 포집효과를 높이기 위하여 상기 제2 자성체(530)는 상기 셔터(450)의 상부에 배치되는 제2-1 자성체(532)와 상기 셔터(450)의 하부에 배치되는 제2-2 자성체(534)로 구성될 수 있다.For example, in order to increase the collection effect of the above-described metal particles, the second magnetic material 530 is disposed below the shutter 450 and the 2-1 magnetic material 532 disposed on the upper part of the shutter 450. It may be composed of the 2-2 magnetic material 534.
상기 셔터(450)가 상승하여 전술한 제1 프레임(422)의 제1 개구부(423)와 제2 프레임(426)의 제2 개구부(427)에 삽입된 경우 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제2-1 자성체(532)와 제2-2 자성체(534)의 높이 사이에 상기 제1 자성체(510)가 배치될 수 있다.When the shutter 450 is raised and inserted into the first opening 423 of the above-described first frame 422 and the second opening 427 of the second frame 426, as shown in FIG. The first magnetic material 510 may be disposed between the heights of the 2-1 magnetic material 532 and the 2-2 magnetic material 534.
또한, 상기 셔터(450)가 상승하여 전술한 제1 프레임(422)의 제1 개구부(423)와 제2 프레임(426)의 제2 개구부(427)에 삽입된 경우 상기 제2-1 자성체(532)의 높이는 상기 커버(432)와 상기 제1 프레임(422) 사이에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 제2-2 자성체(534)의 높이는 상기 커버(432)와 상기 제2 프레임(426) 사이에 위치할 수 있다. In addition, when the shutter 450 rises and is inserted into the first opening 423 of the above-described first frame 422 and the second opening 427 of the second frame 426, the 2-1 magnetic material ( The height of 532 may be located between the cover 432 and the first frame 422. Furthermore, the height of the 2-2 magnetic material 534 may be located between the cover 432 and the second frame 426.
한편, 상기 제1 자성체(510)와 제2 자성체(530)는 서로 동일한 극성을 가지거나 또는 반대의 극성을 가질 수 있으며, 특별히 한정하지는 않는다. Meanwhile, the first magnetic material 510 and the second magnetic material 530 may have the same polarity or opposite polarity, but are not particularly limited.
한편, 도 6은 다른 실시예에 따른 챔버(400B)의 구성을 도시한 측면도이다.Meanwhile, Figure 6 is a side view showing the configuration of the chamber 400B according to another embodiment.
도 6을 참조하면, 본 실시예에서 상기 커버(432)에 설치되는 제3 자성체(610)는 상기 커버(432)의 노출면, 즉 상기 셔터(450)와 마주보는 면의 전체에 설치될 수 있다.Referring to FIG. 6, in this embodiment, the third magnetic material 610 installed on the cover 432 may be installed on the entire exposed surface of the cover 432, that is, the surface facing the shutter 450. there is.
마찬가지로, 상기 셔터(450)에 설치되는 제4 자성체(650)도 상기 커버(432)와 마주보는 면의 전체 설치될 수 있다. 이에 의해 전술한 금속파티클의 포집효과를 높일 수 있다.Likewise, the fourth magnetic material 650 installed on the shutter 450 may be installed on the entire surface facing the cover 432. As a result, the collection effect of the above-described metal particles can be increased.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 챔버(400C) 구성을 도시한 측면도이다.Figure 7 is a side view showing the configuration of a chamber 400C according to another embodiment.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 경우 상기 프레임개구부(423, 427)의 가장자리를 따라 설치되는 추가 자성체(732, 734)를 더 구비할 수 있다. Referring to FIG. 7, in this embodiment, additional magnetic materials 732 and 734 installed along the edges of the frame openings 423 and 427 may be further provided.
즉, 상기 추가 자성체(732, 734)는 상기 제1 프레임(422)의 제1 개구부(423)의 가장자리를 따라 설치되는 제1 추가자성체(732)와 상기 제2 프레임(426)의 제2 개구부(427)의 가장자리를 따라 설치되는 제2 추가자성체(734) 중에 적어도 하나를 더 구비할 수 있다.That is, the additional magnetic materials 732 and 734 are the first additional magnetic material 732 installed along the edge of the first opening 423 of the first frame 422 and the second opening of the second frame 426. At least one of the second additional magnetic materials 734 installed along the edge of 427 may be further provided.
상기 커버(432)에 설치되는 제5 자성체(710)는 전술한 도 4의 제1 자성체(510)와 유사하게 도시되지만, 이에 한정되지는 않으며 전술한 도 6의 제3 자성체(610)와 유사한 구성을 가질 수도 있다.The fifth magnetic material 710 installed on the cover 432 is shown to be similar to the first magnetic material 510 of FIG. 4 described above, but is not limited thereto and is similar to the third magnetic material 610 of FIG. 6 described above. It can also have a configuration.
한편, 상기 셔터(450)에 구비되는 제6 자성체(750)는 도 7에 도시된 바와 같이 상기 셔터(450)를 관통하여 설치될 수 있다. Meanwhile, the sixth magnetic material 750 provided in the shutter 450 may be installed penetrating the shutter 450 as shown in FIG. 7 .
즉, 상기 셔터(450)의 상하부에 배치되는 제6-1 자성체(752)와 제6-2 자성체(754)는 상기 셔터(450)를 관통하여 구비될 수 있다. 이에 의해 금속파티클 포집효과를 높일 수 있다.That is, the 6-1st magnetic material 752 and the 6-2nd magnetic material 754 disposed above and below the shutter 450 may be provided to penetrate the shutter 450. This can increase the metal particle collection effect.
한편, 도면에 도시되지는 않지만 전술한 자성체(510, 530)는 전자석으로 구성될 수도 있다. 이와 같이 전자석으로 자성체(510, 530)가 구성되면 상기 기판(S)에 대한 공정 중에 또는 공정종료 시에는 상기 전자석에 자력을 공급하여 금속 파티클을 포집하고, 주기적 또는 비주기적으로 상기 전자석의 자력을 해제하고 상기 팬유닛(200)을 구동시켜 금속파티클을 상기 하우징(100)의 외부로 배출시킬 수 있다.Meanwhile, although not shown in the drawings, the above-described magnetic materials 510 and 530 may be composed of electromagnets. In this way, when the magnetic materials 510 and 530 are composed of electromagnets, during or at the end of the process for the substrate S, magnetic force is supplied to the electromagnet to collect metal particles, and the magnetic force of the electromagnet is periodically or aperiodically applied. By disengaging and driving the fan unit 200, metal particles can be discharged to the outside of the housing 100.
전술한 구성을 가지는 기판처리장치(1000)에 의한 기판처리방법을 살펴보면 다음과 같다.The substrate processing method using the substrate processing apparatus 1000 having the above-described configuration is as follows.
먼저, 상기 팬유닛(200)의 구동에 의해 상기 하우징(100) 내부에 하강기류를 발생시키는 단계 및 상기 오토댐퍼(120, 122)의 구동에 의해 상기 하우징(100) 내부의 유체를 배출하는 단계를 포함할 수 있다.First, generating a downward airflow inside the housing 100 by driving the fan unit 200 and discharging fluid inside the housing 100 by driving the auto dampers 120 and 122. may include.
이 경우, 상기 오토댐퍼(120, 122)는 전술한 압력계(320, 340)에 의해 감지된 상기 하우징(100)의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우에 개방되거나, 또는 상기 팬유닛(200)이 구동하는 경우 개방될 수 있다.In this case, the auto dampers 120 and 122 are opened when the pressure difference between the inside and outside of the housing 100 detected by the pressure gauges 320 and 340 is greater than a preset threshold, or the fan It may be opened when the unit 200 is driven.
또한, 상기 기판(S)에 대한 공정 완료 후 상기 셔터(450)가 하강할 경우 상기 팬유닛(200)의 구동에 의한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판(S)의 상부보다 하부로 하강시킬 수 있다. 상기 기판(S)의 하부로 하강된 금속파티클은 상기 오토댐퍼(120, 122)의 개방에 의해 배출되어 상기 기판(S)에 흡착되는 것이 억제될 수 있다.In addition, when the shutter 450 is lowered after completing the process on the substrate S, a downward airflow is generated by driving the fan unit 200, thereby causing metal particles to fall to the lower part of the substrate S rather than the upper part. You can do it. Metal particles that have fallen to the bottom of the substrate (S) can be prevented from being discharged and adsorbed to the substrate (S) by opening the auto dampers (120, 122).
또한, 전술한 자성체(510, 530)가 전자석으로 구성되는 경우 주기적으로 또는 비주기적으로 상기 전자석의 자력을 해제하고 상기 팬유닛(200)에 의해 파티클을 배출할 수 있다.In addition, when the above-mentioned magnetic materials 510 and 530 are composed of electromagnets, the magnetic force of the electromagnet can be released periodically or aperiodically and particles can be discharged by the fan unit 200.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims described below. You can do it. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, it should be considered to be included in the technical scope of the present invention.
100 : 하우징
120 : 제1 오토댐퍼
122 : 제2 오토댐퍼
140 : 메인 배기유로
142 : 제1 배기유로
144 : 제2 배기유로
200 : 팬유닛
320 : 제1 압력센서
340 : 제2 압력센서
400 : 챔버
422 : 제1 프레임
426 : 제2 프레임
430 : 트레이유닛
450 : 셔터
1000 : 기판처리장치100: housing
120: 1st auto damper
122: 2nd auto damper
140: Main exhaust passage
142: first exhaust passage
144: Second exhaust passage
200: Fan unit
320: first pressure sensor
340: second pressure sensor
400: Chamber
422: 1st frame
426: 2nd frame
430: Tray unit
450: Shutter
1000: Substrate processing device
Claims (14)
상기 하우징의 상부에 구비되어 상기 하우징 내부에서 하강기류를 발생시키는 팬유닛:
상기 하우징의 하부에 구비되어 상기 하우징 내부의 유체를 배기하도록 개폐되는 오토댐퍼; 및
상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이를 감지하는 압력계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A housing in which a chamber for performing a processing process on a substrate is located;
A fan unit provided at the top of the housing to generate a downward airflow inside the housing:
An auto damper provided at the lower part of the housing and opened and closed to exhaust fluid inside the housing; and
A substrate processing apparatus comprising a pressure gauge that detects a pressure difference between the inside and outside of the housing.
상기 압력계는
상기 하우징의 내부에 설치되는 제1 압력센서와, 상기 하우징의 외부의 배기유로에 설치되는 제2 압력센서로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to paragraph 1,
The pressure gauge is
A substrate processing apparatus comprising a first pressure sensor installed inside the housing and a second pressure sensor installed in an exhaust passage outside the housing.
상기 오토댐퍼는
상기 압력계에 의해 감지된 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우 개방되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to paragraph 1,
The auto damper is
A substrate processing apparatus, characterized in that it is opened when the pressure difference between the inside and outside of the housing detected by the pressure gauge is greater than a preset threshold.
상기 오토댐퍼는
상기 팬유닛이 구동하는 경우 개방되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to paragraph 1,
The auto damper is
A substrate processing device that opens when the fan unit is driven.
상기 챔버는
상기 기판을 지지하며 상기 챔버의 개구부를 통해 상기 챔버의 내부로 인입 및 상기 챔버의 외부로 인출 가능하게 구비되는 트레이유닛과,
상기 트레이유닛을 가압하는 셔터와,
상기 트레이유닛과 상기 셔터의 마찰에 의해 발생하는 금속파티클을 포집하기 위한 자성체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to paragraph 1,
The chamber is
a tray unit that supports the substrate and is capable of being introduced into and out of the chamber through an opening of the chamber;
a shutter that pressurizes the tray unit;
A substrate processing apparatus further comprising a magnetic material for collecting metal particles generated by friction between the tray unit and the shutter.
상기 기판에 대한 공정 완료 후 상기 셔터가 하강할 경우 상기 팬유닛에 의한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판의 상부보다 하부로 하강시켜 상기 기판에 흡착 발생하는 금속파티클을 억제하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to clause 5,
When the shutter is lowered after completing the process on the substrate, a downward airflow is generated by the fan unit to lower the metal particles to the lower part of the substrate rather than the upper part, thereby suppressing the metal particles adsorbed to the substrate. Substrate processing equipment.
상기 트레이유닛은
상기 기판을 지지하는 트레이와, 상기 트레이의 말단부에 구비되어 상기 챔버의 개구부를 밀폐하는 커버를 구비하며,
상기 자성체는 상기 커버와 상기 셔터 중에 적어도 한쪽에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to clause 5,
The tray unit is
A tray supporting the substrate, and a cover provided at an end of the tray to seal the opening of the chamber,
A substrate processing apparatus, wherein the magnetic material is provided on at least one of the cover and the shutter.
상기 자성체는 상기 커버와 상기 셔터의 서로 마주보는 면에 설치되는 제1 자성체와 제2 자성체를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In clause 7,
A substrate processing apparatus, wherein the magnetic material includes a first magnetic material and a second magnetic material installed on surfaces of the cover and the shutter facing each other.
상기 제1 자성체 및 제2 자성체는 단일 또는 분리된 복수개의 자성체로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to clause 8,
A substrate processing apparatus, wherein the first magnetic material and the second magnetic material can be formed of a single magnetic material or a plurality of separated magnetic materials.
상기 챔버의 개구부가 형성된 전면에 구비되어 상기 셔터가 삽입되는 프레임개구부가 형성된 고정프레임을 더 구비하고,
상기 자성체는 상기 프레임개구부의 가장자리를 따라 설치되는 추가 자성체를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In clause 7,
Further comprising a fixed frame provided on a front surface of the chamber where the opening is formed and having a frame opening through which the shutter is inserted,
A substrate processing apparatus, wherein the magnetic material further includes an additional magnetic material installed along an edge of the frame opening.
상기 자성체는 전자석으로 구성되어, 주기적으로 또는 비주기적으로 자력을 해제하고 상기 팬유닛에 의해 파티클을 배출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to clause 5,
The substrate processing device is characterized in that the magnetic material is composed of an electromagnet, periodically or non-periodically releasing the magnetic force and discharging particles by the fan unit.
상기 팬유닛의 구동에 의해 상기 하우징 내부에 하강기류를 발생시키는 단계; 및
상기 오토댐퍼의 구동에 의해 상기 하우징 내부의 유체를 배출하는 단계;를 포함하고,
상기 오토댐퍼는 상기 압력계에 의해 감지된 상기 하우징의 내부 및 외부의 압력차이가 미리 설정된 임계값 이상인 경우에 개방되거나, 또는 상기 팬유닛이 구동하는 경우 개방되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.Substrate processing by a substrate processing apparatus equipped with a fan unit installed in a housing equipped with a chamber for performing a processing process on a substrate, an auto damper installed in the housing, and a pressure gauge that detects the pressure difference between the inside and outside of the housing. In the method,
Generating a downward airflow inside the housing by driving the fan unit; and
Discharging the fluid inside the housing by driving the auto damper,
The auto damper is opened when the pressure difference between the inside and outside of the housing detected by the pressure gauge is greater than a preset threshold, or when the fan unit is driven.
상기 챔버는 기판을 지지하며 이동 가능한 트레이유닛과 상기 트레이유닛을 가압하는 셔터를 더 구비하고,
상기 오토댐퍼의 구동에 의해 상기 하우징 내부의 유체를 배출하는 단계는 상기 기판에 대한 공정 완료 후 상기 셔터가 하강할 경우 상기 팬유닛의 구동에 의한 하강기류를 발생시킴으로써 금속파티클을 상기 기판의 상부보다 하부로 하강시켜 상기 기판에 흡착 발생하는 금속파티클을 억제하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.According to clause 12,
The chamber further includes a movable tray unit that supports the substrate and a shutter that presses the tray unit,
The step of discharging the fluid inside the housing by driving the auto damper generates a downward airflow by driving the fan unit when the shutter is lowered after completing the process on the substrate, thereby causing metal particles to be lowered from the upper part of the substrate. A substrate processing method characterized by suppressing metal particles adsorbed to the substrate by lowering them to the bottom.
상기 트레이유닛과 상기 셔터의 마찰에 의해 발생하는 금속파티클을 포집하기 위한 전자석을 더 구비하고,
주기적으로 또는 비주기적으로 상기 전자석의 자력을 해제하고 상기 팬유닛에 의해 파티클을 배출하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
According to clause 12,
Further comprising an electromagnet for collecting metal particles generated by friction between the tray unit and the shutter,
A substrate processing method characterized by periodically or aperiodically releasing the magnetic force of the electromagnet and discharging particles by the fan unit.
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