KR20240089210A - 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법 - Google Patents

전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240089210A
KR20240089210A KR1020247014488A KR20247014488A KR20240089210A KR 20240089210 A KR20240089210 A KR 20240089210A KR 1020247014488 A KR1020247014488 A KR 1020247014488A KR 20247014488 A KR20247014488 A KR 20247014488A KR 20240089210 A KR20240089210 A KR 20240089210A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
electron
application device
photocathode
detection data
Prior art date
Application number
KR1020247014488A
Other languages
English (en)
Inventor
도모히로 니시타니
Original Assignee
가부시키가이샤 포토 일렉트론 소울
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 포토 일렉트론 소울 filed Critical 가부시키가이샤 포토 일렉트론 소울
Publication of KR20240089210A publication Critical patent/KR20240089210A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/34—Photo-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams

Abstract

광원과, 생성하는 포토캐소드와, 애노드와, 검출기와, 제어부를 포함하는 전자선 적용 장치로서, 포토캐소드가 수광하는 여기광은 2개 이상이고, 상기 여기광은 각각 펄스상이고, 또한, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되고, 상기 제어부는, 1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 조사 대상에 전자 빔을 조사하는 조사 영역을 2개 이상 설정하고, 상기 여기광의 수광에 의해 형성된 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을, 각각, 설정한 2개 이상의 조사 영역 중에서 선택한 상이한 조사 영역에 조사하고, 상기 검출기는, 상기 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 방출된 펄스상의 방출물을 상이한 타이밍에 검출함으로써 검출 신호를 생성하며, 생성한 검출 신호를 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력하고, 상기 검출기의 수가, 상기 조사 대상에 조사한 전자 빔의 수보다 적은 전자선 적용 장치.

Description

전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법
본 출원에 있어서의 개시는, 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법에 관한 것이다.
전자 빔을 이용하여, 시료 등의 조사 대상으로부터 검출 데이터를 취득하는 전자선 적용 장치가 알려져 있다.
관련된 기술로서, 특허문헌 1에는, 시료 상의 복수의 계측점에 하전 입자선을 조사하는 조사계와, 시료로부터의 2차 전자 또는 반사 하전 입자를 검출하는 복수 개의 검출기를 갖는 멀티 빔 검사 장치가 기재되어 있다. 특허문헌 1에는, 복수의 계측점에 병렬로 하전 입자선이 조사되기 때문에, 높은 스루풋으로 시료의 결함 검사 등을 행할 수 있다는 이점이 있는 것이 기재되어 있다.
또, 특허문헌 2에는, 멀티 빔형의 하전 입자 빔 장치에 있어서, 멀티 빔에 대응한 복수의 검출 소자를 2차원상으로 배열하는 것이 기재되어 있다.
그런데, 전자총으로서는, 열전자 사출형, 전계 방사(FE)형, 쇼트키형 이외에, 포토캐소드를 이용하는 것이 알려져 있다. 특허문헌 3에는, 포토캐소드를 이용한 전자총이 기재되어 있다. 특허문헌 3에 기재된 포토캐소드를 이용한 전자총은, 포토캐소드에 여기광을 조사함으로써, 밝고, 샤프한 전자 빔을 사출할 수 있다.
일본국 특허공개 평10-134757호 공보 국제공개 제2021/024397호 일본국 특허 제5808021호 공보
특허문헌 1 및 2에 기재된 발명은, 멀티 빔에 대응한 복수의 검출기(검출 소자)를 이용함으로써, 스루풋의 향상을 도모하고 있다. 그러나, 특허문헌 1 및 2에 기재된 발명은, 적어도 조사 대상에 조사되는 전자 빔의 수 이상의 검출기(검출 소자)가 필요하다는 문제가 있다. 한편, 특허문헌 3에 기재된 포토캐소드를 이용한 전자총은 개발 도상에 있다. 포토캐소드를 이용한 전자총을 탑재한 전자선 적용 장치에 있어서, 멀티 빔에 대응한 유의한 검출 데이터의 작성 방법의 개발이 요망된다.
본 출원은 상기 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 예의 연구를 행한 결과, (1) 포토캐소드는, 조사 타이밍이 상이한 2개 이상의 펄스상의 여기광을 수광하면, 여기광의 조사 타이밍을 반영한 펄스상의 전자 빔을 2개 이상 형성할 수 있는 것, (2) 형성한 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 조사 대상의 상이한 조사 영역에 조사하면, 각각의 조사 영역에 조사되는 전자 빔의 조사 타이밍이 상이한 것, (3) 전자 빔의 조사 타이밍이 상이하기 때문에, 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터는 전자 빔의 조사 타이밍에 따른 펄스상의 방출물을 얻을 수 있는 것, (4) 그 결과, 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 얻어진 2개 이상의 방출물로부터, 동일한 검출기로 검출 신호를 생성할 수 있으므로, 검출기의 수를 조사하는 전자 빔의 수보다 적게 할 수 있는 것을 새롭게 발견했다.
본 출원에 있어서의 개시는, 포토캐소드의 특징을 이용한 새로운 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법을 제공하는 것에 있다.
본 출원에 있어서의 개시는, 이하에 나타내는, 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법에 관한 것이다.
(1) 광원과,
상기 광원으로부터 조사된 여기광의 수광에 따라, 방출 가능한 전자를 생성하는 포토캐소드와,
상기 포토캐소드와의 사이에서 전계를 형성할 수 있고, 형성한 전계에 의해 상기 방출 가능한 전자를 인출하여, 전자 빔을 형성하는 애노드와,
상기 전자 빔을 조사한 조사 대상으로부터 방출된 방출물을 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출기와,
제어부
를 포함하는, 전자선 적용 장치로서,
상기 포토캐소드가 수광하는 여기광은 2개 이상이고,
상기 2개 이상의 여기광은, 각각, 펄스상이고, 또한, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되고,
상기 제어부는,
1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 상기 조사 대상에 전자 빔을 조사하는 조사 영역을 2개 이상 설정하고,
상기 타이밍이 상이한 2개 이상의 펄스상의 여기광의 수광에 의해 형성된 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을, 각각, 설정한 2개 이상의 조사 영역 중에서 선택한 상이한 조사 영역에 조사하고,
상기 검출기는, 상기 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 방출된 펄스상의 방출물을 상이한 타이밍에 검출함으로써 검출 신호를 생성하며,
생성한 검출 신호를 상기 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력하고,
상기 검출기의 수가, 상기 조사 대상에 조사한 전자 빔의 수보다 적은 전자선 적용 장치.
(2) 상기 검출기의 수가 1개인, 상기 (1)에 기재된 전자선 적용 장치.
(3) 상기 광원이 2개 이상이고, 각각의 광원으로부터 조사되는 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자선 적용 장치.
(4) 상기 광원이 1개이고, 상기 광원으로부터 조사된 여기광을 2개 이상으로 분할하며, 분할된 2개 이상의 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자선 적용 장치.
(5) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자선 적용 장치.
(6) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (3)에 기재된 전자선 적용 장치.
(7) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (4)에 기재된 전자선 적용 장치.
(8) 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법으로서,
전자선 적용 장치는,
광원과,
상기 광원으로부터 조사된 여기광의 수광에 따라, 방출 가능한 전자를 생성하는 포토캐소드와,
상기 포토캐소드와의 사이에서 전계를 형성할 수 있고, 형성한 전계에 의해 상기 방출 가능한 전자를 인출하여, 전자 빔을 형성하는 애노드와,
상기 전자 빔을 조사한 조사 대상으로부터 방출된 방출물을 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출기와,
제어부
를 포함하고,
상기 검출 데이터의 작성 방법은,
1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 상기 조사 대상에 전자 빔을 조사하는 조사 영역을 2개 이상 설정하는 공정과,
상기 광원으로부터, 펄스상이고, 또한, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이한 2개 이상의 여기광을 상기 포토캐소드에 조사하여, 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 형성하는 전자 빔 형성 공정과,
상기 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을, 각각, 설정한 2개 이상의 조사 영역 중에서 선택한 상이한 조사 영역에 조사하는 전자 빔 조사 공정과,
상기 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 조사함으로써 상기 상이한 조사 영역으로부터 방출된 펄스상의 방출물을 상이한 타이밍에 상기 검출기에 의해 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출 공정과,
생성한 검출 신호를 상기 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력하는 검출 데이터 출력 공정
을 포함하고,
상기 검출기의 수가, 상기 조사 대상에 조사한 전자 빔의 수보다 적은 검출 데이터의 작성 방법.
(9) 상기 검출기의 수가 1인, 상기 (8)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
(10) 상기 광원이 2개 이상이고, 각각의 광원으로부터 조사되는 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 상기 (8) 또는 (9)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
(11) 상기 광원이 1개이고, 상기 광원으로부터 조사된 여기광을 2개 이상으로 분할하며, 분할된 2개 이상의 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 상기 (8) 또는 (9)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
(12) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (8) 또는 (9)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
(13) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (10)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
(14) 상기 전자선 적용 장치가,
주사 전자 현미경,
전자선 검사 장치,
오제 전자 분광기,
캐소드 루미네선스 장치,
X선 분석 장치,
투과 전자 현미경, 또는,
주사형 투과 전자 현미경인, 상기 (11)에 기재된 검출 데이터의 작성 방법.
본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법은, 검출기의 수를 조사하는 전자 빔의 수보다 적게 할 수 있다.
도 1은, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터 작성 방법(제어부(6)의 제어 내용)의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터 작성 방법(제어부(6)의 제어 내용)의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 얻어진 2개 이상의 방출물로부터, 동일한 검출기로 검출 신호를 생성할 수 있는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 얻어진 2개 이상의 방출물로부터, 동일한 검출기로 검출 신호를 생성할 수 있는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 검출 데이터 작성 방법의 플로 차트이다.
이하, 도면을 참조하면서, 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법(이하, 「검출 데이터 작성 방법」이라고 기재하는 경우가 있다.)에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 동종의 기능을 갖는 부재에는, 동일 또는 유사한 부호가 부여되어 있다. 그리고, 동일 또는 유사한 부호가 부여된 부재에 대해서, 반복되는 설명이 생략되는 경우가 있다.
또, 도면에 있어서 나타내는 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은, 이해를 용이하게 하기 위해서, 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내고 있지 않은 경우가 있다. 이 때문에, 본 출원에 있어서의 개시는, 반드시, 도면에 개시된 위치, 크기, 범위 등에 한정되지 않는다.
(전자선 적용 장치 및 검출 데이터 작성 방법의 실시 형태)
도 1~도 6을 참조하여, 전자선 적용 장치 및 검출 데이터 작성 방법의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3은, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터 작성 방법(제어부(6)의 제어 내용)의 개략을 설명하기 위한 도면이다. 도 4 및 도 5는, 조사 대상의 상이한 2개 이상의 조사 영역으로부터 각각 얻어진 방출물로부터, 동일한 검출기로 검출 신호를 생성할 수 있는 것을 설명하기 위한 도면이다. 도 6은, 검출 데이터 작성 방법의 플로 차트이다.
도 1에 나타내는 전자선 적용 장치(1)의 실시 형태는, 광원(2)과, 포토캐소드(3)와, 애노드(4)와, 검출기(5)와, 제어부(6)를 적어도 포함하고 있다. 또한, 도 1에는, 전자선 적용 장치(1)가 전자총 부분(1a)과 상대 측 장치(1b)(전자선 적용 장치(1)로부터 전자총 부분(1a)을 제외한 부분)로 나누어 형성한 예가 나타나 있다. 대체적으로, 전자선 적용 장치(1)는 일체적으로 형성되어도 된다. 또, 전자선 적용 장치(1)는, 임의 부가적으로, 포토캐소드(3)와 애노드(4) 사이에 전계를 발생시키기 위한 전원(7), 전자 빔(B)을 조사 대상(S)을 향하여 집속하기 위한 오브젝티브 렌즈(8), 전자 빔(B)을 조사 대상(S) 상에서 주사하기 위한 전자 빔 편향 장치(9)를 설치해도 된다. 또한, 도시는 생략하지만, 전자선 적용 장치(1)의 종류에 따른 공지된 구성 부재를 포함해도 된다. 또한, 도 1에 나타내는 예는, 전자선 적용 장치(1) 전체의 개략을 나타내기 때문에, 포토캐소드(3)로부터 방출하는 전자 빔(B)의 수는 하나이다. 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터 작성 방법(제어부(6)의 제어 내용)의 개략에 대해서는, 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세하게 설명한다.
광원(2)은, 포토캐소드(3)에 여기광(L)을 조사함으로써, 전자 빔(B)을 사출할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 광원(2)은, 예를 들면, 고출력(와트급), 고주파수(수백 MHz), 초단펄스 레이저 광원, 비교적 염가의 레이저 다이오드, LED 등을 들 수 있다. 여기광(L)은, 포토캐소드(3)가 수광할 때에 펄스광이면 된다. 따라서, 광원(2)이 연속광을 조사하는 경우는, 광원(2)과 포토캐소드(3) 사이에 액정 셔터 등을 설치하면 좋다. 또한, 도 1에 나타내는 예에서는, 광원(2)이, 진공 챔버(CB) 외에 배치되고, 여기광(L)이, 포토캐소드(3)의 제1 면(31)(애노드(4) 측의 면) 측에 조사되고 있다. 대체적으로, 광원(2)을 진공 챔버(CB) 내에 배치해도 된다. 또, 여기광(L)은, 포토캐소드(3)의 제2 면(32)(애노드(4)와는 반대 측의 면) 측에 조사되어도 된다.
포토캐소드(3)는, 광원(2)으로부터 조사되는 여기광(L)의 수광에 따라, 방출 가능한 전자를 생성한다. 포토캐소드(3)가 여기광(L)의 수광에 따라 방출 가능한 전자를 생성하는 원리는 공지이다(예를 들면, 일본국 특허 제5808021호 공보 등을 참조).
포토캐소드(3)는, 석영 유리나 사파이어 유리 등의 기판과, 기판의 제1 면(31)에 접착된 포토캐소드막(도시는 생략)으로 형성되어 있다. 포토캐소드막을 형성하기 위한 포토캐소드 재료는, 여기광을 조사함으로써 방출 가능한 전자를 생성할 수 있으면 특별히 제한은 없고, EA 표면 처리가 필요한 재료, EA 표면 처리가 불필요한 재료 등을 들 수 있다. EA 표면 처리가 필요한 재료로서는, 예를 들면, III-V족 반도체 재료, II-VI족 반도체 재료를 들 수 있다. 구체적으로는, AlN, Ce2Te, GaN, 1종류 이상의 알칼리 금속과 Sb의 화합물, AlAs, GaP, GaAs, GaSb, InAs 등 및 그들의 혼정(混晶) 등을 들 수 있다. 그 외의 예로서는 금속을 들 수 있으며, 구체적으로는, Mg, Cu, Nb, LaB6, SeB6, Ag 등을 들 수 있다. 상기 포토캐소드 재료를 EA 표면 처리함으로써 포토캐소드(3)를 제작할 수 있으며, 당해 포토캐소드(3)는, 반도체의 갭 에너지에 따른 근자외-적외 파장 영역에서 여기광의 선택이 가능해질 뿐만 아니라, 전자 빔의 용도에 따른 전자 빔원 성능(양자 수율, 내구성, 단색성, 시간 응답성, 스핀 편극도)이 반도체의 재료나 구조의 선택에 의해 가능해진다.
또, EA 표면 처리가 불필요한 재료로서는, 예를 들면, Cu, Mg, Sm, Tb, Y 등의 금속 단체, 혹은, 합금, 금속 화합물, 또는, 다이아몬드, WBaO, Cs2Te 등을 들 수 있다. EA 표면 처리가 불필요한 포토캐소드는, 공지의 방법(예를 들면, 일본국 특허 제3537779호 등을 참조)으로 제작하면 된다. 일본국 특허 제3537779호에 기재된 내용은 참조에 의해 그 전체가 본 명세서에 포함된다.
또한, 본 명세서 중에 있어서의 「포토캐소드」와 「캐소드」의 기재에 관해서, 전자 빔을 사출한다는 의미로 기재하는 경우에는 「포토캐소드」라고 기재하고, 「애노드」의 대극이라는 의미로 기재하는 경우에는 「캐소드」라고 기재하는 경우가 있는데, 부호에 관해서는, 「포토캐소드」 및 「캐소드」 중 어느 경우에서도 3을 이용한다.
애노드(4)는, 캐소드(3)와 전계를 형성할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 전자총의 분야에 있어서 일반적으로 이용되고 있는 애노드(4)를 사용하면 된다. 캐소드(3)와 애노드(4)의 사이에서 전계를 형성함으로써, 여기광(L)의 조사에 의해 포토캐소드(3)에 생성한 방출 가능한 전자를 인출하여, 전자 빔(B)을 형성한다.
도 1에는, 캐소드(3)와 애노드(4)의 사이에서 전계를 형성하기 위해, 전원(7)을 캐소드(3)에 접속한 예가 나타나 있는데, 캐소드(3)와 애노드(4) 사이에 전위차가 생기면 전원(7)의 배치에 특별히 제한은 없다.
검출기(5)는, 전자 빔(B)을 조사한 조사 대상(S)으로부터 방출된 방출물(SB)을 검출한다. 방출물(SB)은, 전자 빔(B)을 조사함으로써 조사 대상(S)으로부터 발해지는 신호를 의미하고, 예를 들면, 이차 전자, 반사 전자, 특성 X선, 오제 전자, 캐소드 루미네선스, 투과 전자 등을 들 수 있다. 검출기(5)는, 이들 방출물(SB)을 검출할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 공지의 검출기·검출 방법을 이용하면 된다.
다음으로, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1) 및 검출 데이터 작성 방법(보다 구체적으로는, 제어부(6)의 제어 내용)의 일례에 대해서 상세하게 설명한다.
실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)에서는, 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)은, 2개 이상이다. 도 2에 나타내는 예에서는, 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)은, 4개(L1~L4)이다. 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)의 수는 2개 이상이면 특별히 제한은 없고, 3개 이상, 4개 이상, 5개 이상, 6개 이상, 7개 이상, 8개 이상, 9개 이상 등, 적절히 선택하면 된다. 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)의 수가 많을수록, 1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R)에 조사하는 전자 빔(B)의 수가 많아진다. 따라서, 1회의 검출 데이터 작성 작업에서, 검출 데이터를 작성할 수 있는 조사 영역(R)의 설정의 자유도가 향상된다. 한편, 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)의 수의 상한은 특별히 없지만, 후술하는 바와 같이, 광원(2)의 수를 증가시키는 경우는 제조 비용이 높아짐과 더불어, 장치가 대형화된다. 따라서, 기술적 관점에서의 상한은 특별히는 없지만, 제조 비용 등의 관점에서, 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)의 수의 상한을 적당히 설정하면 좋다.
포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L)의 수를 2개 이상으로 하기 위해서는, 예를 들면, 포토캐소드(3)에 여기광(L)을 조사하는 광원(2)의 수를 2개 이상으로 하면 된다. 대체적으로, 도 1에 나타내는 바와 같이, 단일의 광원(2)과 포토캐소드(3) 사이에 빔 스플리터(21)를 배치하고, 빔 스플리터(21)에 의해, 단일의 광원(2)으로부터 조사된 여기광(L)을 원하는 수로 분할하면 된다. 또한 대체적으로, 2개 이상의 광원(2)과 빔 스플리터(21)를 조합해도 된다.
도 2에 나타내는 예에서는, 포토캐소드(3)는 4개의 여기광(L1~L4)의 수광에 따라 방출 가능한 전자를 생성한다. 이어서, 캐소드(3)와 애노드(4) 사이에 형성한 전계에 의해, 포토캐소드(3)로부터 전자가 인출되어 4개의 전자 빔(B1~B4)이 형성된다. 그리고, 형성된 4개의 전자 빔(B1~B4)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 각각, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R1~R4)에 조사된다. 또한, 포토캐소드(3)로부터 조사되는 전자 빔(B)은, 다른 전자총으로부터 사출된 전자 빔과 비교하여 확산되기 어렵다는 특징을 가지는데, 필요에 따라서, 오브젝티브 렌즈(8)(도 1 참조)를 이용하여, 전자 빔(B1~B4)을 조사 대상(S)에 조사하기 전에 집속해도 된다. 오브젝티브 렌즈(8)를 이용하는 경우는, 2개 이상의 전자 빔(B)에 대해서 적어도 1개의 오브젝티브 렌즈(8)를 설치하면 된다.
전자선 적용 장치(1)가 주사형인 경우, 제어부(6)는, 전자 빔 편향 장치(9)를 이용하여, 전자 빔(B1~B4) 각각을 라인상으로 주사하면서 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R1~R4)에 조사한다. 그리고, 전자 빔(B1~B4)이 조사된 조사 영역(R1~R4)으로부터는, 각각, 이차 전자 등의 방출물(SB1~SB4)이 방출된다. 전자 빔 편향 장치(9)를 설치하는 경우, 하나의 전자 빔 편향 장치(9)로 2개 이상의 전자 빔(B)을 편향시켜도 되고, 각각의 전자 빔(B)에 대해서 전자 빔 편향 장치(9)를 설치해도 된다. 전자선 적용 장치(1)가 비주사형의 TEM 등인 경우는, 조사 대상(S)에 조사하는 전자 빔(B)의 사이즈를 크게 하면 되기 때문에, 전자 빔 편향 장치(9)는 설치하지 않아도 된다. 전자 빔 편향 장치(9)는, 예를 들면, 전자 빔(B)의 진행 방향과 교차하는 방향의 전계를 생성하는 편향용 전극 등, 공지의 장치를 이용하면 된다.
도 2 내지 도 4를 참조하여, 여기광(L)과 형성되는 전자 빔(B)에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)에서는, 포토캐소드(3)가 수광하는 여기광(L1~L4)은, 각각, 펄스상이고, 또한, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 설정되어 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하다」는 것은, 포토캐소드(3)가, 2개 이상의 상이한 여기광(예를 들면, L1~L4. 포토캐소드(3)가 여기광(L1~L4)을 수광하는 장소가 상이하다.)을 동시에 수광하지 않는 것을 의미한다. 환언하면, 포토캐소드(3)가 2개 이상의 상이한 여기광(L1~L4)을 수광하는 시간축의 임의의 시간에 있어서, 수광하는 장소가 상이한 여기광(L1~L4)을 중복하여 수광하지 않는 것을 의미한다.
또, 본 명세서에 있어서 「펄스상」이란, 여기광(L1~L4)의 강도가 0인 시간과 소정의 강도를 갖는 시간이 번갈아 출현하는 것을 의미한다(또한, 이하에 있어서, 번갈아 출현하는 타이밍을 「주파수」라고 기재하는 경우가 있다. 또, 소정의 강도를 갖는 시간 중 하나를 「펄스」라고 기재하는 경우가 있다). 펄스의 형상은, 방출한 전자 빔(B)에 의해, 조사 대상(S)으로부터, 검출 신호를 생성할 수 있는 방출물(SB)이 얻어지는 범위 내이면 특별히 제한은 없다. 도 4에 나타내는 예에서는, 펄스는 대략 직사각형파 형상인데, 사인 커브 형상이어도 된다. 도 4에 나타내는 예에서는, 여기광(L1~L4) 각각의 주파수는 같은데, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 설정할 수 있으면, 여기광(L1~L4)의 주파수는 상이해도 된다. 또, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 설정할 수 있으면, 하나의 여기광(L1~L4 중 어느 하나)에 있어서, 시간축에 따라 주파수를 변경해도 된다.
도 4에 나타내는 예에서는, 여기광(L1~L4) 각각의 펄스의 강도는 같은데, 여기광(L1~L4)의 펄스의 강도는 상이해도 된다. 또, 하나의 여기광(L1~L4 중 어느 하나)에 있어서, 시간축에 따라 펄스의 강도를 변경해도 된다.
상기한 바와 같이, 여기광(L1~L4)은, 각각, 펄스상이고, 또한, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사된다. 포토캐소드(3)로부터는, 여기광(L1~L4)의 수광에 대응한 전자 빔(B1~B4)이 방출되기 때문에, 방출되는 전자 빔(B1~B4)도 타이밍이 상이한 펄스상의 전자 빔이 된다. 따라서, 방출되는 전자 빔(B1~B4)은, 각각, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R1~R4)에 상이한 타이밍에 조사된다.
여기광(L1~L4)은, 각각, 펄스상이고, 또한, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되면, 조사 방법에 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 광원(2)을 2개 이상 설치하는 경우(도 2에 나타내는 예에서는 4개)는, 각각의 광원(2)으로부터 조사되는 여기광(L1~L4)의 펄스가 시간축에서 상이한 타이밍이 되도록 광원(2)을 제어하면 된다. 또한, 광원(2)의 제어는, 필요에 따라서 후술하는 제어부(6)가 제어해도 된다. 또, 단일의 광원(2)으로 빔 스플리터(21)를 이용하여 2개 이상의 여기광을 형성하는 경우는, 예를 들면, 빔 스플리터(21)로서 액정 셔터를 이용하면 된다. 후술하는 제어부(6)가, 액정 셔터를 개폐 제어함으로써 여기광을 복수의 여기광(L1~L4)으로 분할함과 더불어, 액정 셔터의 개폐 간격을 여기광(L1~L4)별로 조정함으로써, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 제어할 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참조하여, 제어부(6)의 제어 내용의 일례에 대해서 상세하게 설명한다. 도 5는, 조사 영역(R1 및 R2)으로부터 방출되는 방출물(SB)이, 하나의 검출기에 들어가는 예를 나타내고 있다. 상기한 바와 같이, 전자 빔(B1~B4)은, 각각, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R1~R4)에 상이한 타이밍에 조사된다. 그 때문에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 조사 영역(R1 및 R2)으로부터 방출되는 방출물(SB)도, 상이한 타이밍의 펄스상이 된다. 따라서, 상이한 조사 영역(R1 및 R2)으로부터 1개의 검출기에 들어가는 방출물(SB)은 중복되지 않기 때문에, 1개의 검출기로 상이한 조사 영역(R1 및 R2)으로부터 방출된 펄스상의 방출물(SB)을 상이한 타이밍에 검출하여 검출 신호를 생성할 수 있다. 제어부(6)는, 전자 빔(B1 및 B2)을, 조사 영역(R1 및 R2)의 어느 위치에 조사하는지 제어하고 있다. 따라서, 생성한 검출 신호를 조사 영역(R1 및 R2)의 위치 정보와 관련지어 출력함으로써, 조사 대상(S)에 조사한 전자 빔(B)의 수보다 적은 검출기(5)의 수로 검출 데이터를 작성할 수 있다. 도 5에 나타내는 예에서는, 하나의 검출기로, 2개의 방출물(SB)의 검출 신호를 생성하고 있다. 방출물(SB)이 3개 이상인 경우에도, 도 5에 나타내는 예와 동일하게, 검출기에 들어가는 방출물(SB)이 중복되지 않도록 조사 영역(R)에 조사하는 전자 빔(B)의 타이밍을 제어함으로써, 하나의 검출기로 3개 이상의 방출물(SB)로부터 검출 신호를 생성할 수 있다.
특허문헌 1 및 2에서는, 조사 대상(S)에 조사하는 전자 빔(B)의 수와 같거나 혹은 그 이상의 검출기(검출 소자)를 설치할 필요가 있었다. 한편, 상기한 바와 같이, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)에서는, 검출기(5)의 수는, 조사 대상(S)에 조사하는 전자 빔(B)의 수보다 적게 할 수 있다. 보다 바람직한 실시 형태에서는, 하나의 검출기(5)로 멀티 전자 빔(B)에 대응할 수 있다.
전자선 적용 장치(1)는, 이차 전자, 반사 전자, 특성 X선, 오제 전자, 캐소드 루미네선스, 투과 전자 등의 방출물을 검출할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 전자선 적용 장치(1)의 예로서는, 예를 들면, 주사 전자 현미경, 전자선 검사 장치, 오제 전자 분광 장치, 캐소드 루미네선스 장치, X선 분석 장치, 투과 전자 현미경(TEM), 주사형 투과 전자 현미경(STEM) 등을 들 수 있다. 또한, 전자선 적용 장치(1)로서 비주사형의 장치를 이용했을 경우는, 상이한 조사 영역(R)에 상이한 타이밍의 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 조사하면 된다. 비주사인 것 이외는, 주사형과 같다.
다음으로, 도 6을 참조하여, 검출 데이터 작성 방법을 설명한다. 검출 데이터 작성 방법은, 전자 빔 형성 공정(ST1)과, 전자 빔 조사 공정(ST2)과, 검출 공정(ST3)과, 검출 데이터 출력 공정(ST4)을 포함한다. 전자 빔 형성 공정(ST1)은, 광원(2)으로부터, 펄스상이고, 또한, 포토캐소드(3)가 수광할 때의 타이밍이 상이한 2개 이상의 여기광(L)을 포토캐소드(3)에 조사하여, 2개 이상의 펄스상의 전자 빔(B)을 형성한다. 상기한 바와 같이, 포토캐소드(3)는, 여기광(L)의 타이밍을 반영한 전자 빔(B)을 형성할 수 있다. 따라서, 전자 빔 형성 공정(ST1)에서는, 각각 타이밍이 상이한 2개 이상의 펄스상의 전자 빔(B)을 형성할 수 있다. 전자 빔 조사 공정(ST2)에서는, 2개 이상의 펄스상의 전자 빔(B)을, 각각, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R)에 조사한다. 검출 공정(ST3)에서는, 2개 이상의 펄스상의 전자 빔(B)을 각각 조사한 상이한 조사 영역(R)으로부터 방출된 방출물(SB)을 검출기(5)로 검출하여, 검출 신호를 생성한다. 검출기(5)에는, 상이한 조사 영역(R)으로부터 방출된 방출물(SB)이 상이한 타이밍에 들어간다. 검출 데이터 출력 공정(ST4)에서는, 생성한 검출 신호를 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력한다. 출력한 데이터에 의거하여, 상이한 조사 영역(R)을 커버하는 검출 데이터를 작성할 수 있다. 또, 검출 데이터 출력 공정(ST4) 후에, 검출 데이터에 의거하여 화상을 형성하는 화상 형성 공정을 임의 부가적으로 추가해도 된다.
또한, 도 1~도 5는, 전자선 적용 장치(1)의 일례에 지나지 않는다. 본 출원에서 개시하는 기술 사상의 범위 내이면 각종 변경을 해도 된다. 예를 들면, 도 1에 나타내는 예에서는, 여기광(L)은 포토캐소드(3)의 제1 면(31) 측으로부터 조사되고 있는데, 제2 면(32) 측으로부터 조사해도 된다. 또, 도 1에 나타내는 예에서는, 방출물(SB)은 조사 대상(S)으로부터 반사된 방출물(SB)을 나타내고 있는데, 조사 대상(S)을 투과한 방출물(SB)이어도 된다.
본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치 및 검출 데이터 작성 방법(이하에 있어서는, 장치 및 방법을 합쳐서 「전자선 적용 장치」로 기재하는 경우가 있다.)은, 이하의 효과를 발휘한다.
(1) 종래의 멀티 전자 빔 형식의 전자선 적용 장치는, 조사 대상에 조사되는 전자 빔과 동수 또는 그보다 많은 수의 검출기(검출 소자)가 필요했다. 한편, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)는, 검출기(5)의 수를 조사 대상(S)에 조사하는 전자 빔(B)의 수보다 적게 할 수 있다. 검출기(5)를 적게 함으로써, 전자선 적용 장치(1)를 소형화할 수 있음과 더불어, 비용 절감을 도모할 수 있다.
(2) 종래의 멀티 전자 빔은, 전자총으로부터 인출된 후의 전자 빔(B)으로부터, 기계적인 셔터 등을 이용하여 펄스상의 전자 빔을 얻고 있었다. 한편, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)는, 포토캐소드(3)를 이용하고 있기 때문에, 포토캐소드(3)에 조사하는 여기광(L)의 타이밍을 바꿈으로써, 같은 포토캐소드(3)로부터 타이밍이 상이한 2개 이상의 전자 빔(B)을 형성할 수 있다. 따라서, 전자 빔(B)의 설계를 다양화할 수 있다. 또, 실시 형태에 따른 전자선 적용 장치(1)는, 포토캐소드(3)를 이용함으로써 처음으로 실시할 수 있기 때문에, 포토캐소드(3) 특유의 성질을 이용한 새로운 원리에 의한 전자선 적용 장치(1)(검출 데이터 작성 방법)라고도 할 수 있다.
(3) 포토캐소드(3)는, 여기광(L)의 조사 시간에 따라 열화되는 것이 알려져 있다. 여기광(L)으로서 펄스광을 이용한 경우는, 기계적인 셔터로 커트되어 미사용되는 전자 빔이 발생하지 않는다. 따라서, 전자 빔(B)을 펄스화하는 구성 부재가 불필요하고, 또한, 포토캐소드(3)의 수명이 길어진다.
(4) 검출기(5)가 복수인 경우, 검출 신호로부터 검출 데이터 작성(화상 처리)까지의 프로세스는, 검출기(5)의 수만큼 필요하다. 한편, 본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치(1)의 경우, 검출기(5)의 수는 조사 대상(S)에 조사한 전자 빔(B)의 수보다 적게 할 수 있다. 따라서, 시그널 처리가 간이해지기 때문에, 검출 데이터 작성의 작업 전체를 간이화(신속화)할 수 있다.
(5) 포토캐소드(3)를 이용한 전자선 적용 장치(1)에 있어서, 하나의 전자 빔(B)으로 상이한 조사 영역(R)의 검출 데이터를 작성하는 것은 가능하다. 예를 들면, 도 3의 조사 영역(R1 및 R3)의 검출 데이터를 작성하는 경우는, 먼저, 조사 영역(R1)의 검출 데이터를 작성하고, 다음으로, 조사 영역(R3)의 검출 데이터를 작성하면 된다. 그러나, 그 경우, 조사 영역(R1 및 R3)의 검출 데이터를 작성하기 위해서는, 타임 래그가 발생한다. 한편, 본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치(1)에서는, 조사 대상(S)의 상이한 조사 영역(R1 및 R3)에 조사하는 펄스상의 전자 빔(B)이 중복되지 않도록 타이밍을 어긋나게 함으로써, 상이한 조사 영역(R1 및 R3)으로부터 타임 래그가 없이, 실질적으로 동시에 검출 데이터를 얻을 수 있다. 따라서, 예를 들면, 조사 영역(R1)에 전압을 인가했을 때에 조사 영역(R3)에 미치는 영향을 검출하는 등, 본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치(1)는, 종래의 하나의 전자 빔(B)으로는 타임 래그의 관계로 검출이 어려웠던 용도 등에도 사용할 수 있다는 예기치 못한 효과를 발휘한다.
(6) 본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치(1)를 이용함으로써, 조사 대상(S)의 원하는 조사 영역(R)으로부터 타임 래그 없이 검출 데이터를 얻을 수 있다. 상기 (5)에 기재된 용도 이외에도, 타임 래그 없이 검출 데이터를 얻을 수 있기 때문에, 다양한 용도에 유용하다.
본 출원에서 개시하는 전자선 적용 장치 및 검출 데이터 작성 방법은, 조사하는 전자 빔의 수보다 검출기의 수를 적게 할 수 있다. 따라서, 검출 데이터를 작성하는 전자선 적용 장치를 취급하는 산업에 있어서 유용하다.
1…전자선 적용 장치, 1a…전자총 부분, 1b…상대 측 장치, 2…광원, 21…빔 스플리터, 3…포토캐소드(캐소드), 31…제1 면, 32…제2 면, 4…애노드, 5…검출기, 6…제어부, 7…전원, 8…오브젝티브 렌즈, 9…전자 빔 편향 장치, B, B1~B4…전자 빔, CB…진공 챔버, L, L1~L4…여기광, S…조사 대상, SB, SB1~SB4…방출물, R, R1~R4…조사 영역

Claims (14)

  1. 광원과,
    상기 광원으로부터 조사된 여기광의 수광에 따라, 방출 가능한 전자를 생성하는 포토캐소드와,
    상기 포토캐소드와의 사이에서 전계를 형성할 수 있고, 형성한 전계에 의해 상기 방출 가능한 전자를 인출하여, 전자 빔을 형성하는 애노드와,
    상기 전자 빔을 조사한 조사 대상으로부터 방출된 방출물을 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출기와,
    제어부
    를 포함하는, 전자선 적용 장치로서,
    상기 포토캐소드가 수광하는 여기광은 2개 이상이고,
    상기 2개 이상의 여기광은, 각각, 펄스상이고, 또한, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되고,
    상기 제어부는,
    1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 상기 조사 대상에 전자 빔을 조사하는 조사 영역을 2개 이상 설정하고,
    상기 타이밍이 상이한 2개 이상의 펄스상의 여기광의 수광에 의해 형성된 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을, 각각, 설정한 2개 이상의 조사 영역 중에서 선택한 상이한 조사 영역에 조사하고,
    상기 검출기는, 상기 조사 대상의 상이한 조사 영역으로부터 방출된 펄스상의 방출물을 상이한 타이밍에 검출함으로써 검출 신호를 생성하며,
    생성한 검출 신호를 상기 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력하고,
    상기 검출기의 수가, 상기 조사 대상에 조사한 전자 빔의 수보다 적은,
    전자선 적용 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 검출기의 수가 1개인, 전자선 적용 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광원이 2개 이상이고, 각각의 광원으로부터 조사되는 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 전자선 적용 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광원이 1개이고, 상기 광원으로부터 조사된 여기광을 2개 이상으로 분할하며, 분할된 2개 이상의 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 전자선 적용 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 전자선 적용 장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 전자선 적용 장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 전자선 적용 장치.
  8. 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법으로서,
    전자선 적용 장치는,
    광원과,
    상기 광원으로부터 조사된 여기광의 수광에 따라, 방출 가능한 전자를 생성하는 포토캐소드와,
    상기 포토캐소드와의 사이에서 전계를 형성할 수 있고, 형성한 전계에 의해 상기 방출 가능한 전자를 인출하여, 전자 빔을 형성하는 애노드와,
    상기 전자 빔을 조사한 조사 대상으로부터 방출된 방출물을 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출기와,
    제어부
    를 포함하고,
    상기 검출 데이터의 작성 방법은,
    1회의 검출 데이터 작성 작업에 있어서, 상기 조사 대상에 전자 빔을 조사하는 조사 영역을 2개 이상 설정하는 공정과,
    상기 광원으로부터, 펄스상이고, 또한, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이한 2개 이상의 여기광을 상기 포토캐소드에 조사하여, 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 형성하는 전자 빔 형성 공정과,
    상기 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을, 각각, 설정한 2개 이상의 조사 영역 중에서 선택한 상이한 조사 영역에 조사하는 전자 빔 조사 공정과,
    상기 2개 이상의 펄스상의 전자 빔을 조사함으로써 상기 상이한 조사 영역으로부터 방출된 펄스상의 방출물을 상이한 타이밍에 상기 검출기에 의해 검출하여, 검출 신호를 생성하는 검출 공정과,
    생성한 검출 신호를 상기 상이한 조사 영역의 위치 정보와 관련지어 출력하는 검출 데이터 출력 공정
    을 포함하고,
    상기 검출기의 수가, 상기 조사 대상에 조사한 전자 빔의 수보다 적은,
    검출 데이터의 작성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 검출기의 수가 1인, 검출 데이터의 작성 방법.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 광원이 2개 이상이고, 각각의 광원으로부터 조사되는 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 검출 데이터의 작성 방법.
  11. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 광원이 1개이고, 상기 광원으로부터 조사된 여기광을 2개 이상으로 분할하며, 분할된 2개 이상의 여기광은, 상기 포토캐소드가 수광할 때의 타이밍이 상이하도록 조사되는, 검출 데이터의 작성 방법.
  12. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 검출 데이터의 작성 방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 검출 데이터의 작성 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 전자선 적용 장치가,
    주사 전자 현미경,
    전자선 검사 장치,
    오제 전자 분광기,
    캐소드 루미네선스 장치,
    X선 분석 장치,
    투과 전자 현미경, 또는,
    주사형 투과 전자 현미경인, 검출 데이터의 작성 방법.
KR1020247014488A 2021-10-19 2022-10-17 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법 KR20240089210A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-170831 2021-10-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240089210A true KR20240089210A (ko) 2024-06-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11150204B2 (en) Sample inspection device and sample inspection method
JP6437020B2 (ja) 荷電粒子顕微鏡を使用する方法及び荷電粒子顕微鏡
US6365897B1 (en) Electron beam type inspection device and method of making same
TW202046365A (zh) 電子槍、電子射線應用裝置以及電子槍之控制方法
WO2023068218A1 (ja) 電子線適用装置および電子線適用装置における検出データの作成方法
US11417494B2 (en) Incident axis alignment method for electron gun equipped with photocathode, computer program, and electron gun equipped with photocathode
US20120138791A1 (en) Electron beam column and methods of using same
WO2023038002A1 (ja) 電子線適用装置における検出データの作成方法および照射対象の画像合成方法、プログラム、記録媒体、並びに、電子線適用装置
KR20240089210A (ko) 전자선 적용 장치 및 전자선 적용 장치에 있어서의 검출 데이터의 작성 방법
US20220359146A1 (en) Electron gun, electron beam application device, method for verifying emission axis of electron beam emitted from photocathode, and method for aligning emission axis of electron beam emitted from photocathode
WO2022249707A1 (ja) 電子銃、電子線適用装置、および、電子ビームの射出方法
JP7080533B1 (ja) 電子銃、電子線適用装置およびマルチ電子ビームの形成方法
JP7218034B1 (ja) 局所観察方法、プログラム、記録媒体および電子線適用装置
WO2023085133A1 (ja) 電子銃、電子線適用装置およびマルチ電子ビームの形成方法
JP7105022B1 (ja) 電子銃、電子線適用装置およびマルチ電子ビームの形成方法
WO2024038824A1 (ja) 電子線適用装置における検出データの作成方法および照射対象の画像合成方法、プログラム、記録媒体、並びに、電子線適用装置