KR20240085852A - Gamma Voltage Generation Circuit and Source Driver Circuit - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0291—Details of output amplifiers or buffers arranged for use in a driving circuit
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0271—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping
- G09G2320/0276—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping for the purpose of adaptation to the characteristics of a display device, i.e. gamma correction
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/06—Adjustment of display parameters
- G09G2320/0673—Adjustment of display parameters for control of gamma adjustment, e.g. selecting another gamma curve
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명은 감마 전압 생성 회로 및 소스 드라이버 회로에 관한 것으로, 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에서 전압 레벨이 서로 다른 복수의 전압들을 출력하는 제1 전압 분배부; 상기 제1 전압 분배부로부터 출력되는 전압들을 출력 단자들에 감마 전압으로 전달하는 복수의 증폭기들; 상기 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에 연결되고 상기 증폭기들의 출력 단자에 연결되는 제2 전압 분배부; 및 상기 제2 전압 분배부에 연결되어 상기 증폭기들로부터 출력되는 감마 전압들 이외의 적어도 하나의 감마 전압을 조정하는 하나 이상의 셀프 드라이버를 포함한다.The present invention relates to a gamma voltage generation circuit and a source driver circuit, comprising: a first voltage divider that outputs a plurality of voltages having different voltage levels between a high-potential reference voltage and a low-potential reference voltage; a plurality of amplifiers that transmit the voltages output from the first voltage divider to output terminals as gamma voltages; a second voltage divider connected between the high-potential reference voltage and the low-potential reference voltage and connected to output terminals of the amplifiers; and one or more self-drivers connected to the second voltage divider to adjust at least one gamma voltage other than the gamma voltages output from the amplifiers.
Description
본 발명은 감마 전압 생성 회로 및 소스 드라이버 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a gamma voltage generation circuit and a source driver circuit.
액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display, OLED Display)와 같은 전계발광 표시장치(Electroluminescence Display, ELD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전기영동 표시장치(Electrophoresis Display, EPD) 등 다양한 평판 표시장치가 알려져 있다.Liquid crystal display (LCD), electroluminescence display (ELD) such as organic light emitting diode display (OLED display), field emission display (FED) , various flat panel displays such as plasma display panels (PDP) and electrophoresis displays (EPD) are known.
표시장치는 입력 영상을 표시하는 픽셀들이 배치된 표시패널, 표시패널의 픽셀들에 데이터를 기입하는 표시패널 구동 회로를 포함한다. 표시패널 구동 회로는 표시패널의 데이터 라인들에 소스 데이터의 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로와, 표시패널의 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동 회로를 포함한다. The display device includes a display panel on which pixels that display an input image are arranged, and a display panel driving circuit that writes data to the pixels of the display panel. The display panel driving circuit includes a data driving circuit that supplies a data signal of source data to the data lines of the display panel, and a gate driving circuit that supplies a gate signal to the gate lines of the display panel.
표시패널 구동 회로는 감마 전압을 데이터 구동 회로에 공급하는 감마 전압 생성 회로를 더 포함한다. 감마 전압 생성 회로는 많은 버퍼 증폭기들을 포함하여 회로 면적이 크고 데이터 전압의 트랜지션(Transition) 폭이 클 때 발생하는 큰 피크 전압으로 인하여 발열과 소비전력이 크다. 감마 전압 생성 회로에서 출력되는 중간 계조 전압은 버퍼 증폭기와 전압 분배 회로의 구동에 의해 생성되기 때문에 타겟 전압(Target voltage)에 도달하기까지의 세틀링 타임(Settling time)이 길어지는 문제가 있다. The display panel driving circuit further includes a gamma voltage generating circuit that supplies a gamma voltage to the data driving circuit. The gamma voltage generation circuit includes many buffer amplifiers, has a large circuit area, and generates a lot of heat and power consumption due to the large peak voltage that occurs when the transition width of the data voltage is large. Since the intermediate gray level voltage output from the gamma voltage generation circuit is generated by driving the buffer amplifier and the voltage distribution circuit, there is a problem that the settling time until it reaches the target voltage becomes long.
본 발명은 회로 크기를 줄이고 발열, 소비 전력 및 세틀링 타임을 개선할 수 있는 감마 전압 생성 회로와 소스 드라이버 회로를 제공한다. The present invention provides a gamma voltage generation circuit and a source driver circuit that can reduce circuit size and improve heat generation, power consumption, and settling time.
본 발명의 일 실시예에 따른 감마 전압 생성 회로는 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에서 전압 레벨이 서로 다른 복수의 전압들을 출력하는 제1 전압 분배부; 상기 제1 전압 분배부로부터 출력되는 전압들을 출력 단자들에 감마 전압으로 전달하는 복수의 증폭기들; 상기 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에 연결되고 상기 증폭기들의 출력 단자에 연결되는 제2 전압 분배부; 및 상기 제2 전압 분배부에 연결되어 상기 증폭기들로부터 출력되는 감마 전압들 이외의 적어도 하나의 감마 전압을 조정하는 하나 이상의 셀프 드라이버를 포함한다. 상기 셀프 드라이버는 직렬로 연결된 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함한다. A gamma voltage generation circuit according to an embodiment of the present invention includes a first voltage divider that outputs a plurality of voltages having different voltage levels between a high-potential reference voltage and a low-potential reference voltage; a plurality of amplifiers that transmit the voltages output from the first voltage divider to output terminals as gamma voltages; a second voltage divider connected between the high-potential reference voltage and the low-potential reference voltage and connected to output terminals of the amplifiers; and one or more self-drivers connected to the second voltage divider to adjust at least one gamma voltage other than the gamma voltages output from the amplifiers. The self-driver includes a first transistor and a second transistor connected in series.
상기 제1 트랜지스터는 n 채널 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 p 채널 트랜지스터일 수 있다. The first transistor may be an n-channel transistor, and the second transistor may be a p-channel transistor.
상기 제1 트랜지스터는 제i(i는 자연수) 감마 전압에 연결된 게이트 전극, 구동 전압에 연결된 제1 전극, 및 제i+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터는 제i+2 감마 전압에 연결된 게이트 전극, 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 그라운드 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다.The first transistor may include a gate electrode connected to an i (i is a natural number) gamma voltage, a first electrode connected to a driving voltage, and a second electrode connected to an i+1 gamma voltage. The second transistor may include a gate electrode connected to the i+2th gamma voltage, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and a second electrode connected to the ground voltage.
상기 제i 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 높고, 상기 제i+2 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 낮을 수 있다.The i-th gamma voltage may be higher than the i+1-th gamma voltage, and the i+2-th gamma voltage may be lower than the i+1-th gamma voltage.
상기 제1 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 구동 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 분압 노드로부터 출력되는 전압과 대응하는 제i(i는 자연수)+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 상기 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 그라운드 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다.The first transistor includes a gate electrode connected to the dividing voltage node of the first voltage divider, a first electrode connected to the driving voltage, and an ith (i is a natural number) + 1 gamma voltage corresponding to the voltage output from the dividing node. It may include 2 electrodes. The second transistor may include a gate electrode connected to the voltage dividing node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i+1 gamma voltage, and a second electrode connected to the ground voltage.
상기 제1 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 제i(i는 자연수) 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 분압 노드로부터 출력되는 전압과 대응하는 제i+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 상기 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 제i+2 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다.The first transistor has a gate electrode connected to the dividing node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i (i is a natural number) gamma voltage, and an i+1 gamma voltage corresponding to the voltage output from the dividing node. It may include a connected second electrode. The second transistor may include a gate electrode connected to the voltage dividing node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and a second electrode connected to the i+2th gamma voltage.
상기 제i 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 높고, 상기 제i+2 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 낮을 수 있다. The i-th gamma voltage may be higher than the i+1-th gamma voltage, and the i+2-th gamma voltage may be lower than the i+1-th gamma voltage.
상기 감마 전압 생성 회로는 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 상기 제1 트랜지스터를 선택적으로 비활성화하는 제1 스위치 소자; 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 상기 제2 트랜지스터를 선택적으로 비활성화하는 제2 스위치 소자를 더 포함할 수 있다. The gamma voltage generating circuit includes a first switch element connected to a gate electrode of the first transistor to selectively deactivate the first transistor; And it may further include a second switch element connected to the gate electrode of the second transistor to selectively deactivate the second transistor.
본 발명의 일 실시예에 따른 소스 드라이버 회로는 상기 감마 전압 생성 회로를 포함한다. A source driver circuit according to an embodiment of the present invention includes the gamma voltage generation circuit.
본 발명은 두 개의 트랜지스터를 이용한 셀프 구동부를 이용하여 증폭기 추가 없이 감마 전압의 세틀링 타임을 줄일 수 있다. 그 결과, 본 발명은 감마 전압 생성 회로 및 소스 드라이버 회로의 회로 크기를 줄이고 발열, 소비 전력 및 세틀링 타임을 개선할 수 있다.The present invention can reduce the settling time of the gamma voltage without adding an amplifier by using a self-driving unit using two transistors. As a result, the present invention can reduce the circuit size of the gamma voltage generation circuit and the source driver circuit and improve heat generation, power consumption, and settling time.
본 발명은 전압 분배 회로의 저항값 감소 또는 파워 증가 없이 그리고 정전류 소비 없이 감마 전압의 세틀링 타임 또는 속도를 증가시킬 수 있으며, 그 결과 소스 데이터의 계조값이 변할 때 감마 전압과 소스 드라이버로부터 출력되는 데이터 전압의 반응 속도와 슬루율을 높일 수 있다. The present invention can increase the settling time or speed of the gamma voltage without reducing the resistance value or increasing the power of the voltage distribution circuit and without consuming constant current, and as a result, when the gray level value of the source data changes, the gamma voltage and the output from the source driver can be increased. The response speed and slew rate of data voltage can be increased.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 데이터 구동부의 회로 구성을 개략적으로 보여 주는 블록도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감마 전압 생성부를 보여 주는 회로도들이다.
도 5 및 도 6은 셀프 드라이버의 선구동을 보여 주는 회로도들이다.
도 7a 및 도 7b는 셀프 드라이버의 피크 전압 억제 효과를 비교예와 함께 검증한 시뮬레이션 결과 도면들이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 감마 전압 생성부를 보여 주는 회로도들이다.
도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 셀프 드라이버에 인가되는 구동 전압의 다른 예를 보여 주는 회로도이다.
도 12는 도 9 및 도 10에 도시된 셀프 드라이버에 연결되는 추가 스위치 소자들의 일 예를 보여 주는 회로도이다.
도 13 및 도 14는 셀프 드라이버의 선구동을 보여 주는 회로도들이다.
도 15는 도 9 및 도 10에 도시된 셀프 드라이버의 피크 전압 억제 효과를 검증한 시뮬레이션 결과 도면이다. 1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a block diagram schematically showing the circuit configuration of the data driver.
Figures 3 and 4 are circuit diagrams showing a gamma voltage generator according to an embodiment of the present invention.
Figures 5 and 6 are circuit diagrams showing the linear operation of the self-driver.
Figures 7a and 7b are simulation results showing the peak voltage suppression effect of the self-driver with a comparative example.
9 and 10 are circuit diagrams showing a gamma voltage generator according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a circuit diagram showing another example of the driving voltage applied to the self-driver shown in FIGS. 9 and 10.
FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of additional switch elements connected to the self-driver shown in FIGS. 9 and 10.
Figures 13 and 14 are circuit diagrams showing the linear operation of the self-driver.
Figure 15 is a simulation result diagram verifying the peak voltage suppression effect of the self-driver shown in Figures 9 and 10.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms. The embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will be able to understand the present invention. It is provided to completely inform the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. The shape, size, ratio, angle, number, etc. shown in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown in the drawings. Like reference numerals refer to substantially like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
본 명세서 상에서 언급된 “구비한다”, “포함한다”, “갖는다”, “이루어진다” 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다. When “provides,” “includes,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless ‘only’ is used. If a component is expressed in the singular, it may be interpreted as plural unless specifically stated.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.
'~ 상에', '~ 상부에', '~ 하부에', '~ 옆에', '~ 연결 또는 결합(connect, couple)', 교차(crossing, intersecting) 등과 같이 두 구성요소들 간에 위치 관계와 상호 연결 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'과 같은 언급이 없는 한 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다. Position between two components, such as 'on', 'on top', 'on the bottom', 'next to', '~ connect, couple', crossing, intersecting, etc. When relationships and interconnections are described, one or more other components may be interposed between the components, unless reference is made to 'immediately' or 'directly'.
'~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 시간축 상에서 연속적이지 않을 수 있다. If a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., it may not be continuous on the time axis unless 'immediately' or 'directly' is used. .
구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다. First, second, etc. may be used to distinguish components, but the function or structure of these components is not limited by the ordinal number or component name in front of the component.
이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments can be partially or fully combined or combined with each other, and various technological interconnections and drives are possible. Each embodiment may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship.
이하의 실시예에서, 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. n 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 채널 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.In the following embodiments, the transistor is a three-electrode device including a gate, source, and drain. In the case of an n-channel transistor, because the carriers are electrons, the source voltage has a lower voltage than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-channel transistor, the direction of current flows from the drain to the source. In the case of a p-channel transistor (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-channel transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. The source and drain of a transistor are not fixed. In the following description, the source and drain of the transistor will be referred to as first and second electrodes.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.1 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(100)과, 표시패널(100)의 픽셀들에 소스 데이터를 기입하기 위한 표시패널 구동 회로를 포함한다. 소스 데이터(Source data)는 픽셀 데이터(Pixel data)로 해석될 수 있다. Referring to FIG. 1, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 100 and a display panel driving circuit for writing source data into pixels of the display panel 100. Source data can be interpreted as pixel data.
표시패널(100)의 기판은 플라스틱 기판, 박형 유리 기판, 금속 기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 표시패널(100)은 제1 방향의 길이, 제2 방향의 폭 및 제3 방향의 두께를 가지는 장방형 구조의 패널일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 도 1에서, X, Y, Z는 각각 제1 방향, 제2 방향, 그리고 제3 방향일 수 있다.The substrate of the display panel 100 may be a plastic substrate, a thin glass substrate, or a metal substrate, but is not limited thereto. The display panel 100 may be a panel with a rectangular structure having a length in the first direction, a width in the second direction, and a thickness in the third direction, but is not limited thereto. In Figure 1, X, Y, and Z may be a first direction, a second direction, and a third direction, respectively.
액정 표시장치의 경우, 표시패널(100)의 아래에 백 라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)가 배치될 수 있다. 전계 발광 표시장치와 같은 자발광 표시장치의 경우, 백라이트 유닛과 같은 별도의 광원이 필요 없다. In the case of a liquid crystal display device, a back light unit (BLU) may be disposed below the display panel 100. In the case of a self-luminous display device such as an electroluminescent display device, a separate light source such as a backlight unit is not required.
표시패널(100)의 표시 영역(AA)은 입력 영상을 표시하는 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 복수의 데이터 라인들(102), 데이터 라인들(102)과 교차되는 복수의 게이트 라인들(103), 및 데이터 라인들(102)과 게이트 라인들(103)에 연결된 픽셀(101)들을 포함한다. The display area AA of the display panel 100 includes a pixel array that displays an input image. The pixel array includes a plurality of data lines 102, a plurality of gate lines 103 crossing the data lines 102, and a pixel 101 connected to the data lines 102 and the gate lines 103. includes them.
픽셀들(101) 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 액정 표시장치에서 픽셀들은 액정셀을 포함한다. 전계 발광 표시장치에서 픽셀들은 OLED와 같은 발광 소자를 포함한다. 서브 픽셀들 각각은 액정셀 또는 발광 소자를 구동하기 위한 픽셀 회로를 포함한다. Each of the pixels 101 may be divided into a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel to implement color. Each of the pixels may further include a white subpixel. In a liquid crystal display, pixels contain liquid crystal cells. In an electroluminescent display device, pixels include light-emitting elements such as OLED. Each subpixel includes a pixel circuit for driving a liquid crystal cell or a light emitting device.
표시패널 구동 회로는 타이밍 컨트롤러(Timing controller)(130)의 제어 하에 표시패널(100)의 픽셀들에 입력 영상의 소스 데이터를 기입한다. 표시패널 구동 회로는 소스 데이터를 데이터 전압으로 변환하는 소스 드라이버 회로와 게이트 구동부(120)를 포함한다. 소스 드라이버 회로는 감마 전압 생성부(140)와 데이터 구동부(110)를 포함한다. The display panel driving circuit writes source data of the input image to pixels of the display panel 100 under the control of a timing controller 130. The display panel driving circuit includes a source driver circuit that converts source data into a data voltage and a gate driver 120. The source driver circuit includes a gamma voltage generator 140 and a data driver 110.
표시패널 구동 회로는 터치 센서들을 구동하기 위한 터치 센서 구동부를 더 포함할 수 있다. 터치 센서 구동부는 도 1에서 생략되어 있다. 모바일 단말기나 웨어러블 단말기에서 타이밍 컨트롤러(130), 데이터 구동부(110), 터치 센서 구동부 등은 하나의 드라이브 IC에 집적될 수 있다. The display panel driving circuit may further include a touch sensor driving unit for driving the touch sensors. The touch sensor driver is omitted in FIG. 1. In a mobile terminal or wearable terminal, the timing controller 130, data driver 110, touch sensor driver, etc. may be integrated into one drive IC.
데이터 구동부(110)는 타이밍 컨트롤러(130)로부터 디지털 신호로 수신되는 입력 영상의 소스 데이터를 입력 받아 데이터 전압을 출력한다. 데이터 구동부(110)는 DAC(Digital to Analog Converter)를 이용하여 입력 영상의 소스 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압을 출력한다. The data driver 110 receives source data of the input image received as a digital signal from the timing controller 130 and outputs a data voltage. The data driver 110 converts the source data of the input image into a gamma compensation voltage using a digital to analog converter (DAC) and outputs the data voltage.
감마 전압 생성부(140)는 전압 레벨이 서로 다른 복수의 감마 전압들을 생성하여 데이터 구동부(110)에 제공한다. 감마 전압은 감마 기준 전압, 또는 감마 탭 전압(Gamma tab voltage)로 해석될 수 있다. 발광 소자의 경우에, 컬러별로 발광 효율이 다를 수 있다. 이러한 컬러별 발광 효율 특성에 맞게 감마 전압들은 서브 픽셀들의 컬러에 맞게 컬러별 독립 전압으로 분리될 수 있다. 감마 전압 생성부(140)는 데이터 구동부(110) 내에 포함되어 소스 드라이버 회로를 구성할 수 있다. The gamma voltage generator 140 generates a plurality of gamma voltages with different voltage levels and provides them to the data driver 110. Gamma voltage can be interpreted as a gamma reference voltage, or gamma tab voltage. In the case of light-emitting devices, luminous efficiency may vary depending on color. In accordance with these color-specific luminous efficiency characteristics, the gamma voltages can be separated into independent voltages for each color according to the colors of the subpixels. The gamma voltage generator 140 may be included in the data driver 110 to form a source driver circuit.
감마 전압 생성부(140)에 의해 생성된 감마 전압들은 데이터 구동부(110)에 공급된다. 감마 전압들은 데이터 구동부(110)에서 소스 데이터의 각 계조에 대응하는 계조 전압들로 분압되어 DAC에 공급된다. DAC는 복수의 트랜지스터들을 이용하여 소스 데이터의 계조값에 대응하는 계조 전압을 출력함으로써 디지털 신호인 소스 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환한다. DAC로부터 출력된 데이터 전압은 데이터 구동부(110)의 데이터 출력 채널들 각각에서 출력 버퍼를 통해 데이터 라인(102)으로 출력된다.Gamma voltages generated by the gamma voltage generator 140 are supplied to the data driver 110. The gamma voltages are divided into gray level voltages corresponding to each gray level of the source data in the data driver 110 and supplied to the DAC. The DAC converts source data, which is a digital signal, into an analog data voltage by outputting a grayscale voltage corresponding to the grayscale value of the source data using a plurality of transistors. The data voltage output from the DAC is output to the data line 102 through an output buffer in each of the data output channels of the data driver 110.
게이트 구동부(120)의 회로는 표시패널(100)에서 표시 영역(AA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되거나 표시 영역(AA)에 적어도 일부가 배치될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 별도의 게이트 드라이브 IC에 집적되어 표시패널(100)의 게이트 라인들(103)에 전기적으로 연결될 수 있다. The circuit of the gate driver 120 may be disposed in the non-display area (NA) outside the display area (AA) of the display panel 100, or at least a portion may be disposed in the display area (AA). The gate driver 120 may be integrated into a separate gate drive IC and electrically connected to the gate lines 103 of the display panel 100.
게이트 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(130)의 제어 하에 게이트 신호들의 펄스를 게이트 라인들로 순차적으로 출력한다. 게이트 구동부(120)는 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호의 펄스를 시프트시킴으로써 게이트 신호의 펄스를 게이트 라인들(103)에 순차적으로 공급할 수 있다.The gate driver 120 sequentially outputs pulses of gate signals to gate lines under the control of the timing controller 130. The gate driver 120 may sequentially supply the gate signal pulses to the gate lines 103 by shifting the gate signal pulses using a shift register.
타이밍 컨트롤러(130)는 외부의 호스트 시스템(200)으로부터 입력 영상의 소스 데이터와, 이 데이터와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블신호(DE), 메인 클럭 등을 포함할 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)를 카운트하는 방법으로 수직 기간과 수평 기간을 알 수 있기 때문에 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 수직 동기신호(Vsync)는 1 프레임 기간의 주기를 갖는다. 수평 동기 신호(Hsync)와 데이터 인에이블신호(DE)는 1 수평 기간(1H)의 주기를 갖는다.The timing controller 130 receives source data of the input image and a timing signal synchronized with this data from the external host system 200. The timing signal may include a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), a data enable signal (DE), and a main clock. Since the vertical period and horizontal period can be known by counting the data enable signal (DE), the vertical synchronization signal (Vsync) and horizontal synchronization signal (Hsync) can be omitted. The vertical synchronization signal (Vsync) has a period of 1 frame. The horizontal synchronization signal (Hsync) and the data enable signal (DE) have a period of 1 horizontal period (1H).
타이밍 컨트롤러(130)는 호스트 시스템(200)으로부터 수신된 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE)를 바탕으로 표시패널 구동 회로(110, 120)의 동작 타이밍을 제어한다. The timing controller 130 controls the operation timing of the display panel driving circuits 110 and 120 based on timing signals (Vsync, Hsync, DE) received from the host system 200.
호스트 시스템(200)은 비디오 소스로부터의 영상 신호를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 스케일링하여 타이밍 신호와 함께 타이밍 컨트롤러(130)에 전송할 수 있다. 모바일 시스템에서, 호스트 시스템(200)은 AP(Application Processor)로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(200)은 MIPI(Mobile Industry Processor Interface)를 통해 드라이브 IC에 입력 영상의 소스 데이터를 전송할 수 있다. 호스트 시스템(200)은 가요성 인쇄 회로 예를 들면, FPC(Flexible Printed Circuit)를 통해 드라이브 IC에 전기적으로 연결될 수 있다. 드라이브 IC는 COG(Chip on glass) 공정에서 표시패널(100) 상에 접착될 수 있다. 드라이브 IC는 가요성 회로 필름 상에 실장된 COF(Chip on film)일 수 있다. COF는 본딩 공정에서 표시패널(100)의 비표시 영역에 배치된 데이터 패드들에 접착되어 표시패널(100) 상의 데이터 라인들에 전기적으로 연결될 수 있다. The host system 200 may scale an image signal from a video source to match the resolution of the display panel 100 and transmit it to the timing controller 130 along with a timing signal. In a mobile system, the host system 200 may be implemented as an Application Processor (AP). The host system 200 may transmit source data of the input image to the drive IC through MIPI (Mobile Industry Processor Interface). The host system 200 may be electrically connected to the drive IC through a flexible printed circuit, for example, a flexible printed circuit (FPC). The drive IC may be bonded onto the display panel 100 using a chip on glass (COG) process. The drive IC may be a chip on film (COF) mounted on a flexible circuit film. The COF may be bonded to data pads disposed in a non-display area of the display panel 100 during a bonding process and electrically connected to data lines on the display panel 100.
도 2는 데이터 구동부의 회로 구성을 개략적으로 보여 주는 블록도이다.Figure 2 is a block diagram schematically showing the circuit configuration of the data driver.
도 2를 참조하면, 데이터 구동부(110)는 수신부(111), 로직 제어부(112), 시프트 레지스터(Shift register)(113), 제1 래치(Latch)(114), 제2 래치(115), 계조전압 생성부(116), DAC(117), 및 출력 버퍼(118)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the data driver 110 includes a receiving unit 111, a logic control unit 112, a shift register 113, a first latch 114, a second latch 115, It may include a grayscale voltage generator 116, a DAC 117, and an output buffer 118.
수신부(111)는 타이밍 콘트롤러(130)로부터 직렬로 수신되는 데이터(DATA)를 수신하고, 데이터(DATA)로부터 클럭을 복원하고, 복원된 클럭을 이용하여 데이터(DATA)로부터 콘트롤 데이터, 및 입력 영상의 소스 데이터를 샘플링하여 로직 제어부(112)에 제공한다. 타이밍 콘트롤러(130)는 클럭과 데이터를 저전압의 차동 신호로 변환하여 고속 직렬 인터페이스를 통해 데이터 구동부(110)로 전송할 수 있다. The receiving unit 111 receives data (DATA) received serially from the timing controller 130, restores a clock from the data (DATA), and uses the restored clock to receive control data and input video from the data (DATA). The source data is sampled and provided to the logic control unit 112. The timing controller 130 can convert clock and data into low-voltage differential signals and transmit them to the data driver 110 through a high-speed serial interface.
로직 제어부(112)는 수신부(111)로부터 공급된 픽셀 데이터를 서브 픽셀 단위로 재배열한다. 로직 제어부(112)는 복원된 클럭과 콘트롤 데이터를 이용하여 시프트 레지스터(113)에 스타트 펄스와 클럭을 공급하고, 제1 및 제2 래치부(114, 115)와, 출력 버퍼(118)의 출력 타이밍을 제어할 수 있다. The logic control unit 112 rearranges the pixel data supplied from the receiving unit 111 on a sub-pixel basis. The logic control unit 112 supplies a start pulse and clock to the shift register 113 using the restored clock and control data, and outputs the first and second latch units 114 and 115 and the output buffer 118. Timing can be controlled.
시프트 레지스터(113), 제1 래치(114), 및 제2 래치(115)는 직렬 체계의 데이터를 병렬 체계의 데이터로 변환한다. 시프트 레지스터(113)는 스타트 펄스가 입력되면, 클럭을 시프트하여 제1 래치(114)의 채널들로 출력한다. 제1 래치(114)는 시프트 레지스터(113)로부터 순차 입력되는 클럭에 응답하여 로직 제어부(112)를 통해 수신부(111)로부터 입력되는 소스 데이터를 샘플링하고, 모든 채널에 소스 데이터가 래치되면, 래치된 데이터들을 제2 래치(115)의 채널들에 동시에 출력한다. 제2 래치(115)는 제1 래치(114)로부터 동시에 입력 받은 데이터들을 래치하고, 로직 제어부(112)로부터의 출력 인에이블 신호에 응답하여 래치된 데이터들을 DAC(117)로 동시에 출력한다. The shift register 113, the first latch 114, and the second latch 115 convert serial data into parallel data. When a start pulse is input, the shift register 113 shifts the clock and outputs it to the channels of the first latch 114. The first latch 114 samples the source data input from the receiver 111 through the logic control unit 112 in response to clocks sequentially input from the shift register 113, and when the source data is latched in all channels, the latch The data is simultaneously output to the channels of the second latch 115. The second latch 115 latches data simultaneously input from the first latch 114 and simultaneously outputs the latched data to the DAC 117 in response to an output enable signal from the logic control unit 112.
계조 전압 생성부(116)는 감마 전압 생성부(140)로부터 감마 전압을 공급받는다. 계조 전압 생성부(116)는 직렬로 연결된 복수의 저항들을 이용한 전압 분배 회로를 포함한다. 계조 전압 생성부(116)의 전압 분배 회로는 감마 전압들을 분압하여 소스 데이터의 각 계조에 대응하는 계조 전압들을 DAC(117)에 공급한다.The grayscale voltage generator 116 receives a gamma voltage from the gamma voltage generator 140. The gray voltage generator 116 includes a voltage distribution circuit using a plurality of resistors connected in series. The voltage distribution circuit of the gray voltage generator 116 divides the gamma voltages and supplies gray voltages corresponding to each gray level of the source data to the DAC 117.
DAC(117)는 제2 래치(115)로부터 입력되는 소스 데이터의 계조값에 대응하는 계조 전압을 선택하여 데이터 전압(Vdata)으로 출력한다. 데이터 전압(Vdata)은 출력 버퍼(118)를 통해 출력되어 표시패널(100)의 데이터 라인들(102)에 인가된다. The DAC 117 selects a grayscale voltage corresponding to the grayscale value of the source data input from the second latch 115 and outputs it as a data voltage (Vdata). The data voltage Vdata is output through the output buffer 118 and applied to the data lines 102 of the display panel 100.
소스 데이터의 계조가 높아질수록 감마 전압이 인가되는 DAC(117)를 통해 출력되는 데이터 전압(Vdata)이 낮아질 수 있다. 반면에, 소스 데이터의 계조가 낮아질수록 데이터 전압(Vdata)이 높아질 수있다. As the gray level of the source data increases, the data voltage Vdata output through the DAC 117 to which the gamma voltage is applied may decrease. On the other hand, as the gray level of the source data decreases, the data voltage (Vdata) may increase.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감마 전압 생성부(140)를 보여 주는 회로도들이다. 이하에서, 'Vn'은 소스 데이터의 계조값 'n'에 대응하는 감마 전압이다. Figures 3 and 4 are circuit diagrams showing the gamma voltage generator 140 according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, 'Vn' is the gamma voltage corresponding to the grayscale value 'n' of the source data.
도 3 및 도 4를 참조하면, 감마 전압 생성부(140)는 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)이 인가되는 노드와 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)이 인가되는 노드 사이에 연결되어 고전위 기준 전압(MDBV_TOP), 저전위 기준 전압(MDBV_BOT), 및 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)과 저전위 전압(MDBV_BOT) 사이에서 전압 레벨이 서로 다른 복수의 전압들(VR256~VR1792)을 출력하는 제1 전압 분배부(RS), 제1 전압 분배부(RS1)에 연결된 복수의 증폭기들(AMP1~AMP9), 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)이 인가되는 노드와 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)이 인가되는 노드 사이에 연결되고 증폭기들(AMP1~AMP9)의 출력 단자에 연결되는 제2 전압 분배부(RS2), 및 제2 전압 분배부(RS2)에 연결되어 증폭기들(AMP1~AMP9)로부터 출력되는 감마 전압들(V256, V512, V768, V1024, V1280, V1536, V1792, V2048) 이외의 적어도 하나의 감마 전압(V128, V384, V640, V896, V1152, V1408, V1664, V1920)의 피크 전압을 낮추는 하나 이상의 셀프 드라이버(S1~S8)를 포함한다. 3 and 4, the gamma voltage generator 140 is connected between the node to which the high-potential reference voltage (MDBV_TOP) is applied and the node to which the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) is applied to generate the high-potential reference voltage (MDBV_TOP). ), a low-potential reference voltage (MDBV_BOT), and a first voltage divider ( RS), a plurality of amplifiers (AMP1 to AMP9) connected to the first voltage divider (RS1), connected between the node to which the high-potential reference voltage (MDBV_TOP) is applied and the node to which the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) is applied, A second voltage divider (RS2) connected to the output terminal of the amplifiers (AMP1 to AMP9), and gamma voltages (V256, One or more self-drivers (S1 to S8).
컬러별 독립 감마 회로의 경우, 감마 전압 생성부(140)는 제1 감마 전압 생성부(140R), 제2 감마 전압 생성부(140G), 및 제3 감마 전압 생성부(140B)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 감마 전압 생성부(140R)는 적색 서브 픽셀에 인가되는 데이터 전압(Vdata)을 생성하기 위한 감마 전압들을 출력한다. 제2 감마 전압 생성부(140G)는 녹색 서브 픽셀에 인가되는 데이터 전압(Vdata)을 생성하기 위한 감마 전압들을 출력한다. 제3 감마 전압 생성부(140R)는 청색 서브 픽셀에 인가되는 데이터 전압(Vdata)을 생성하기 위한 감마 전압들을 출력한다. In the case of an independent gamma circuit for each color, the gamma voltage generator 140 may include a first gamma voltage generator 140R, a second gamma voltage generator 140G, and a third gamma voltage generator 140B. However, it is not limited to this. The first gamma voltage generator 140R outputs gamma voltages to generate a data voltage (Vdata) applied to the red subpixel. The second gamma voltage generator 140G outputs gamma voltages to generate a data voltage (Vdata) applied to the green subpixel. The third gamma voltage generator 140R outputs gamma voltages to generate a data voltage (Vdata) applied to the blue subpixel.
감마 전압 생성부(140)에 고전위 기준 전압(MDBV_TOP), 저전위 기준 전압(MDBV_BOT), 증폭기 구동 전압, 셀프 드라이버 구동 전압(VDD) 등이 인가된다. 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)은 6V이고, 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)은 2V 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)과 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)은 호스트 시스템(200)에 의해 밝기가 조절될 때 그 전압 레벨이 가변될 수 있다. 예를 들어, 사용자 인터페이스 또는 사용 환경의 조도에 따라 밝기가 어두워질 때 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)은 높아질 수 있다. A high potential reference voltage (MDBV_TOP), a low potential reference voltage (MDBV_BOT), an amplifier driving voltage, a self-driver driving voltage (VDD), etc. are applied to the gamma voltage generator 140. The high potential reference voltage (MDBV_TOP) may be 6V, and the low potential reference voltage (MDBV_BOT) may be 2V, but are not limited thereto. The voltage levels of the high-potential reference voltage (MDBV_TOP) and the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) may vary when the brightness is adjusted by the host system 200. For example, when the brightness becomes dark depending on the user interface or the illuminance of the usage environment, the low potential reference voltage (MDBV_BOT) may increase.
감마 전압 생성부(140)는 전압 레벨이 서로 다른 제1 내지 제17 감마 전압들(V0~V2048)을 출력한다. 감마 전압들은 계조 0부터 계조 2048까지의 감마 전압일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 감마 전압 생성부(140)에서, 이웃한 출력 단자를 통해 출력되는 감마 전압들은 소정의 전압차를 갖는다. 감마 전압 생성부(140)로부터 출력되는 제1 감마 전압(V0)은 6V이고, 제9 감마 전압(V1024)는 3.5V이고, 제17 감마 전압(V2048)은 1V, 제n 감마 전압은 Vn=6V-(6V-1V)ⅹn/2048) 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gamma voltage generator 140 outputs first to seventeenth gamma voltages V0 to V2048 having different voltage levels. The gamma voltages may be gamma voltages from gray level 0 to gray level 2048, but are not limited thereto. In the gamma voltage generator 140, gamma voltages output through adjacent output terminals have a predetermined voltage difference. The first gamma voltage V0 output from the gamma voltage generator 140 is 6V, the ninth gamma voltage V1024 is 3.5V, the seventeenth gamma voltage V2048 is 1V, and the nth gamma voltage is Vn= It may be 6V-(6V-1V)ⅹn/2048), but is not limited to this.
제1 전압 분배부(RS1)는 직렬로 연결된 복수의 저항들을 포함한다. 제1 전압 분배부(RS1)는 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)과 저전위 기준 전압(MDBV_BOT) 사이에서 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)을 분압하여 분압 노드들을 통해 전압 레벨이 서로 다른 전압들(VR256, VR512, VR768, VR1024, VR1280, VR1536, VR1792)을 생성한다. The first voltage divider RS1 includes a plurality of resistors connected in series. The first voltage divider (RS1) divides the high-potential reference voltage (MDBV_TOP) between the high-potential reference voltage (MDBV_TOP) and the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) to generate voltages (VR256, VR512, VR768, VR1024, VR1280, VR1536, VR1792).
증폭기(AMP1~AMP9)는 연산 증폭기로 이루어진 버퍼(Buffer) 또는 전압 팔로워(Voltage follower)로 해석될 수 있다. 증폭기들(AMP1~AMP9) 각각은 비반전 입력 단자(+), 반전 입력 단자(-), 출력 단자를 포함한다. The amplifiers (AMP1 to AMP9) can be interpreted as buffers or voltage followers made of operational amplifiers. Each of the amplifiers (AMP1 to AMP9) includes a non-inverting input terminal (+), an inverting input terminal (-), and an output terminal.
제1 증폭기(AMP1)는 비반전 입력 단자(+)에 입력되는 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)을 제1 감마 전압(V0)으로 출력한다. 제1 증폭기(AMP1)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제1 감마 전압(V0)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제1 출력 단자에 연결된다. 제9 증폭기(AMP9)는 비반전 입력 단자(+)에 입력되는 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)을 제17 감마 전압(V2048)으로 출력한다. 제9 증폭기(AMP9)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제17 감마 전압(V2048)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제17 출력 단자에 연결된다. 데이터 구동부(110)의 각 채널들에서 출력되는 데이터 전압(Vdata)의 동적 범위(Dynamic range)는 제1 감마 전압(V0)과 제17 감마 전압(V2048)의 전압 범위로 결정된다. The first amplifier (AMP1) outputs the high potential reference voltage (MDBV_TOP) input to the non-inverting input terminal (+) as the first gamma voltage (V0). The inverting input terminal (-) and the output terminal of the first amplifier (AMP1) are connected to the first output terminal of the gamma voltage generator 140 through which the first gamma voltage (V0) is output. The ninth amplifier (AMP9) outputs the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) input to the non-inverting input terminal (+) as the 17th gamma voltage (V2048). The inverting input terminal (-) and the output terminal of the ninth amplifier (AMP9) are connected to the 17th output terminal of the gamma voltage generator 140, which outputs the 17th gamma voltage (V2048). The dynamic range of the data voltage Vdata output from each channel of the data driver 110 is determined by the voltage range of the first gamma voltage V0 and the seventeenth gamma voltage V2048.
제2 증폭기(AMP2)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제1 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR256)을 제3 감마 전압(V256)으로 출력한다. 제2 증폭기(AMP2)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제3 감마 전압(V256)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제3 출력 단자에 연결된다. 제3 증폭기(AMP3)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제2 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR512)을 제5 감마 전압(V512)으로 출력한다. 제3 증폭기(AMP3)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제5 감마 전압(V512)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제5 출력 단자에 연결된다. 제4 증폭기(AMP4)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제3 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR768)을 제7 감마 전압(V768)으로 출력한다. 제4 증폭기(AMP4)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제7 감마 전압(V768)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제7 출력 단자에 연결된다. 제5 증폭기(AMP5)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제4 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR1024)을 제9 감마 전압(V1024)으로 출력한다. 제5 증폭기(AMP5)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제5 감마 전압(V1024)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제9 출력 단자에 연결된다.The second amplifier AMP2 outputs the voltage VR256 output from the first division node of the first voltage divider RS1 as the third gamma voltage V256. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the second amplifier (AMP2) are connected to the third output terminal of the gamma voltage generator 140 from which the third gamma voltage (V256) is output. The third amplifier AMP3 outputs the voltage VR512 output from the second division node of the first voltage divider RS1 as the fifth gamma voltage V512. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the third amplifier (AMP3) are connected to the fifth output terminal of the gamma voltage generator 140 from which the fifth gamma voltage (V512) is output. The fourth amplifier AMP4 outputs the voltage VR768 output from the third division node of the first voltage divider RS1 as the seventh gamma voltage V768. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the fourth amplifier (AMP4) are connected to the seventh output terminal of the gamma voltage generator 140, which outputs the seventh gamma voltage (V768). The fifth amplifier AMP5 outputs the voltage VR1024 output from the fourth division node of the first voltage divider RS1 as the ninth gamma voltage V1024. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the fifth amplifier (AMP5) are connected to the ninth output terminal of the gamma voltage generator 140 through which the fifth gamma voltage (V1024) is output.
제6 증폭기(AMP6)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제5 분압 노드로부터 출력되는 전압(V1280)을 제11 감마 전압(V1280)으로 출력한다. 제6 증폭기(AMP6)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제11 감마 전압(V1280)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제11 출력 단자에 연결된다. 제7 증폭기(AMP7)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제6 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR1536)을 제13 감마 전압(V1536)으로 출력한다. 제7 증폭기(AMP7)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제13 감마 전압(V1536)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제13 출력 단자에 연결된다. 제8 증폭기(AMP8)는 제1 전압 분배부(RS1)의 제7 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR1792)을 제15 감마 전압(V1792)으로 출력한다. 제8 증폭기(AMP8)의 반전 입력 단자(-)와 출력 단자는 제15 감마 전압(V1792)이 출력되는 감마 전압 생성부(140)의 제15 출력 단자에 연결된다.The sixth amplifier AMP6 outputs the voltage V1280 output from the fifth division node of the first voltage divider RS1 as the eleventh gamma voltage V1280. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the sixth amplifier (AMP6) are connected to the 11th output terminal of the gamma voltage generator 140, which outputs the 11th gamma voltage (V1280). The seventh amplifier AMP7 outputs the voltage VR1536 output from the sixth division node of the first voltage divider RS1 as the thirteenth gamma voltage V1536. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the seventh amplifier (AMP7) are connected to the thirteenth output terminal of the gamma voltage generator 140 from which the thirteenth gamma voltage (V1536) is output. The eighth amplifier AMP8 outputs the voltage VR1792 output from the seventh division node of the first voltage divider RS1 as the fifteenth gamma voltage V1792. The inverting input terminal (-) and the output terminal of the eighth amplifier (AMP8) are connected to the fifteenth output terminal of the gamma voltage generator 140 from which the fifteenth gamma voltage (V1792) is output.
제2 전압 분배부(RS2)는 직렬로 연결된 복수의 저항들을 포함한다. 제2 전압 분배부(RS2)는 제1 감마 전압(V0)과 제17 감마 전압(V2048) 사이에서 제1 감마 전압(V0)을 분압한다. 제1 전압 분배부(RS1)는 분압 노드들을 통해 제1 감마 전압(V0)과 제3 감마 전압(V256) 사이의 전압 레벨을 가지는 제2 감마 전압(V128), 제3 감마 전압(V256)과 제5 감마 전압(V512) 사이의 전압 레벨을 가지는 제4 감마 전압(V384), 제5 감마 전압(V512)과 제7 감마 전압(V768) 사이의 전압 레벨을 가지는 제6 감마 전압(V640), 제7 감마 전압(V768)과 제9 감마 전압(V1024) 사이의 전압 레벨을 가지는 제8 감마 전압(V896), 제9 감마 전압(V1024)과 제11 감마 전압(V1280) 사이의 전압 레벨을 가지는 제10 감마 전압(V1152), 제11 감마 전압(V1280)과 제13 감마 전압(V1536) 사이의 전압 레벨을 가지는 제12 감마 전압(V1408), 제13 감마 전압(V1536)과 제15 감마 전압(V1792) 사이의 전압 레벨을 가지는 제14 감마 전압(V1664), 및 제15 감마 전압(V1792)과 제17 감마 전압(V2048) 사이의 전압 레벨을 가지는 제16 감마 전압(V1920)을 생성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The second voltage divider RS2 includes a plurality of resistors connected in series. The second voltage divider RS2 divides the first gamma voltage V0 between the first gamma voltage V0 and the 17th gamma voltage V2048. The first voltage divider RS1 generates a second gamma voltage V128, a third gamma voltage V256, and a voltage level between the first gamma voltage V0 and the third gamma voltage V256 through the voltage dividing nodes. A fourth gamma voltage (V384) having a voltage level between the fifth gamma voltage (V512), a sixth gamma voltage (V640) having a voltage level between the fifth gamma voltage (V512) and the seventh gamma voltage (V768), An 8th gamma voltage (V896) having a voltage level between the 7th gamma voltage (V768) and the 9th gamma voltage (V1024), and a voltage level between the 9th gamma voltage (V1024) and the 11th gamma voltage (V1280) The 10th gamma voltage (V1152), the 12th gamma voltage (V1408) having a voltage level between the 11th gamma voltage (V1280) and the 13th gamma voltage (V1536), the 13th gamma voltage (V1536) and the 15th gamma voltage ( A 14th gamma voltage (V1664) having a voltage level between V1792) and a 16th gamma voltage (V1920) having a voltage level between the 15th gamma voltage (V1792) and the 17th gamma voltage (V2048) can be generated. It is not limited to this.
감마 전압 생성부(140)는 데이터 전압(Vdata)의 피크 전압(Peak voltage)이 발생될 때 선구동(Pre-driving)되는 셀프 드라이버(S1~S8)를 이용하여 그 피크 전압을 낮춤으로써 소스 데이터의 계조가 변할 때 데이터 전압(Vdata)이 빠른 속도로 타겟 계조 전압에 도달하도록 한다. 감마 전압 생성부(140)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 내지 제8 셀프 드라이버(S1~S8)를 포함할 수 있다. When the peak voltage of the data voltage (Vdata) is generated, the gamma voltage generator 140 lowers the peak voltage using pre-driving self-drivers (S1 to S8), thereby reducing the peak voltage of the source data. When the gray level changes, the data voltage (Vdata) is allowed to reach the target gray level voltage at a high speed. The gamma voltage generator 140 may include first to eighth self drivers S1 to S8 as shown in FIG. 3 .
셀프 드라이버들(S1~S8) 각각은 제i(i는 자연수) 감마 전압과 제i+2 감마 전압의 피크 전압에 응답하여 자가 구동(Self-driving)되는 트랜지스터들(MN, MP)을 이용하여 제i+1 감마 전압의 피크 전압을 낮출 수 있다. 제i+1 감마 전압은 제i 감마 전압 보다 낮고, 제i+2 감마 전압 보다 높은 전압이다. 셀프 드라이버들(S1~S8)의 구동 전압(VDD)은 8V이고, 그라운드 전압(GND)은 0V일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. Each of the self-drivers (S1 to S8) uses self-driving transistors (MN, MP) in response to the peak voltage of the i (i is a natural number) gamma voltage and the i+2 gamma voltage. The peak voltage of the i+1th gamma voltage can be lowered. The i+1th gamma voltage is lower than the ith gamma voltage and higher than the i+2th gamma voltage. The driving voltage (VDD) of the self-drivers (S1 to S8) may be 8V, and the ground voltage (GND) may be 0V, but is not limited thereto.
제1 트랜지스터(MN)는 n 채널 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터(MP)는 p 채널 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(MN)는 Vi - (Vi+1) > Vthn일 때 턴-온(Turn-on)된다. 여기서, Vi는 제i 감마 전압(Vi)이다. Vi+1은 Vi 보다 낮은 전압이고, 제1 트랜지스터(MN)와 제2 트랜지스터(MP) 사이의 출력 노드를 통해 출력되는 제i+1 감마 전압이다. Vthn은 제1 트랜지스터(MN)의 문턱 전압이다. The first transistor (MN) may be an n-channel transistor, and the second transistor (MP) may be a p-channel transistor. The first transistor (MN) turns on when Vi - (Vi+1) > Vthn. Here, Vi is the ith gamma voltage (Vi). Vi+1 is a voltage lower than Vi and is the i+1th gamma voltage output through the output node between the first transistor (MN) and the second transistor (MP). Vthn is the threshold voltage of the first transistor (MN).
제2 트랜지스터(MP)는 (Vi+2) - (Vi+1) < Vthp일 때 턴-온(Turn-on)된다. 여기서, Vi+2는 제i+2 감마 전압(Vi+2)이다. Vthp는 제2 트랜지스터(MP)의 문턱 전압이다. The second transistor MP is turned on when (Vi+2) - (Vi+1) < Vthp. Here, Vi+2 is the i+2th gamma voltage (Vi+2). Vthp is the threshold voltage of the second transistor (MP).
제1 트랜지스터(MN)는 제i 감마 전압이 인가되는 출력 단자에 연결된 게이트 전극, 구동 전압(VDD)이 인가되는 노드에 연결된 제1 전극(드레인), 및 제i+1 감마 전압이 인가되는 출력 단자에 연결된 제2 전극(소스)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(MP)는 제i+2 감마 전압이 인가되는 출력 단자에 연결된 게이트 전극, 제i+1 감마 전압이 인가되는 출력 단자에 연결된 제1 전극(소스), 및 그라운드 전압(GND)이 인가되는 노드에 연결된 제2 전극(드레인)을 포함할 수 있다. The first transistor (MN) has a gate electrode connected to the output terminal to which the i-th gamma voltage is applied, a first electrode (drain) connected to the node to which the driving voltage (VDD) is applied, and an output to which the i+1-th gamma voltage is applied. It may include a second electrode (source) connected to the terminal. The second transistor MP has a gate electrode connected to the output terminal to which the i+2th gamma voltage is applied, a first electrode (source) connected to the output terminal to which the i+1th gamma voltage is applied, and a ground voltage (GND). It may include a second electrode (drain) connected to the applied node.
제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)은 게이트-소스간 전압이 문턱 전압(Vthn, Vthp)과 가까운 전압으로 인가되기 때문에 소스 데이터의 계조가 변하여 제i+1 감마 전압이 변할 때, 자신의 문턱 전압 보다 낮은 전압에서도 어느 하나가 턴-온되어 제i+1 감마 전압의 피크 전압을 낮춘다. 그 결과, 셀프 드라이버 각각은 트랜지스터의 문턱 전압(Vthn, Vthp)이 낮아지는 효과가 있고, 이 효과는 고전위 기준 전압(MDVB_TOP)과 저전위 기준 전압(MDBV_BOT)의 전압차가 클수록 더 향상될 수 있다. Since the gate-source voltage is applied at a voltage close to the threshold voltage (Vthn, Vthp), the first and second transistors (MN, MP) change their own voltage when the grayscale of the source data changes and the i+1th gamma voltage changes. Even at a voltage lower than the threshold voltage, one of the voltages is turned on to lower the peak voltage of the i+1th gamma voltage. As a result, each self-driver has the effect of lowering the threshold voltage (Vthn, Vthp) of the transistor, and this effect can be further improved as the voltage difference between the high-potential reference voltage (MDVB_TOP) and the low-potential reference voltage (MDBV_BOT) is larger. .
제1 셀프 드라이버(S1)는 제1 감마 전압(V0)과 제3 감마 전압(V256) 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)을 포함한다. 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)은 구동 전압(VDD)과 그라운드 전압(GND) 사이에서 직렬로 연결된다. 제1 트랜지스터(MN)는 제1 감마 전압(V0)에 연결된 게이트 전극, 구동 전압(VDD)에 연결된 제1 전극(드레인), 및 제2 감마 전압(V128)에 연결된 제2 전극(소스)을 포함한다. 제1 트랜지스터(MN)는 제2 감마 전압(V128)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제2 감마 전압(V128)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제3 감마 전압(V256)에 연결된 게이트 전극, 제2 감마 전압(V128)에 연결된 제1 전극(소스), 및 그라운드 전압(GND)에 연결된 제2 전극(드레인)을 포함한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제2 감마 전압(V128)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제2 감마 전압(V128)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. The first self-driver S1 includes first and second transistors MN and MP connected in series between the first gamma voltage V0 and the third gamma voltage V256. The first and second transistors (MN, MP) are connected in series between the driving voltage (VDD) and the ground voltage (GND). The first transistor (MN) has a gate electrode connected to the first gamma voltage (V0), a first electrode (drain) connected to the driving voltage (VDD), and a second electrode (source) connected to the second gamma voltage (V128). Includes. The first transistor MN is turned on when a falling peak voltage is generated in the second gamma voltage V128, thereby lowering the peak voltage so that the second gamma voltage V128 quickly reaches the target voltage. The second transistor (MP) has a gate electrode connected to the third gamma voltage (V256), a first electrode (source) connected to the second gamma voltage (V128), and a second electrode (drain) connected to the ground voltage (GND). Includes. The second transistor MP is turned on when a rising peak voltage is generated in the second gamma voltage V128 and lowers the peak voltage so that the second gamma voltage V128 quickly reaches the target voltage.
제2 셀프 드라이버(S2)의 제1 트랜지스터(MN)는 제4 감마 전압(V384)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제2 셀프 드라이버(S2)의 제2 트랜지스터(MP)는 제4 감마 전압(V384)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제3 셀프 드라이버(S3)의 제1 트랜지스터(MN)는 제6 감마 전압(V640)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제3 셀프 드라이버(S3)의 제2 트랜지스터(MP)는 제6 감마 전압(V640)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. The first transistor (MN) of the second self-driver (S2) is turned on when a falling peak voltage is generated in the fourth gamma voltage (V384) to lower the peak voltage. The second transistor (MP) of the second self-driver (S2) is turned on when a rising peak voltage is generated in the fourth gamma voltage (V384) and lowers the peak voltage. The first transistor (MN) of the third self-driver (S3) is turned on when a peak voltage falling from the sixth gamma voltage (V640) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the third self-driver S3 is turned on when a peak voltage rising from the sixth gamma voltage V640 is generated to lower the peak voltage.
제4 셀프 드라이버(S4)의 제1 트랜지스터(MN)는 제8 감마 전압(V896)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제4 셀프 드라이버(S4)의 제2 트랜지스터(MP)는 제8 감마 전압(V896)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제5 셀프 드라이버(S5)의 제1 트랜지스터(MN)는 제10 감마 전압(V1152)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제5 셀프 드라이버(S5)의 제2 트랜지스터(MP)는 제10 감마 전압(V1152)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제6 셀프 드라이버(S6)의 제1 트랜지스터(MN)는 제12 감마 전압(V1408)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제6 셀프 드라이버(S6)의 제2 트랜지스터(MP)는 제12 감마 전압(V1408)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제7 셀프 드라이버(S7)의 제1 트랜지스터(MN)는 제14 감마 전압(V1664)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제7 셀프 드라이버(S7)의 제2 트랜지스터(MP)는 제14 감마 전압(V1664)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다.The first transistor (MN) of the fourth self-driver (S4) is turned on when a peak voltage falling from the eighth gamma voltage (V896) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the fourth self-driver S4 is turned on when a peak voltage rising from the eighth gamma voltage V896 is generated to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the fifth self-driver (S5) is turned on when a peak voltage falling from the tenth gamma voltage (V1152) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the fifth self-driver S5 is turned on when a peak voltage rising from the tenth gamma voltage V1152 is generated to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the sixth self-driver (S6) is turned on when a peak voltage falling from the 12th gamma voltage (V1408) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the sixth self-driver S6 is turned on when a rising peak voltage is generated in the twelfth gamma voltage V1408 to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the seventh self-driver (S7) is turned on when a peak voltage falling from the 14th gamma voltage (V1664) is generated to lower the peak voltage. The second transistor (MP) of the seventh self-driver (S7) is turned on when a rising peak voltage is generated at the 14th gamma voltage (V1664) and lowers the peak voltage.
제8 셀프 드라이버(S8)는 제15 감마 전압(V1792)과 제17 감마 전압(V2048) 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)을 포함한다. 제1 트랜지스터(MN)는 제15 감마 전압(V1792)에 연결된 게이트 전극, 구동 전압(VDD)에 연결된 제1 전극(드레인), 및 제16 감마 전압(V1920)에 연결된 제2 전극(소스)을 포함한다. 제1 트랜지스터(MN)는 제16 감마 전압(V1920)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제16 감마 전압(V1920)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제17 감마 전압(V2048)에 연결된 게이트 전극, 제16 감마 전압(V1920)에 연결된 제1 전극(소스), 및 그라운드 전압(GND)에 연결된 제2 전극(드레인)을 포함한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제16 감마 전압(V1920)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제16 감마 전압(V1920)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다.The eighth self-driver (S8) includes first and second transistors (MN, MP) connected in series between the 15th gamma voltage (V1792) and the 17th gamma voltage (V2048). The first transistor (MN) has a gate electrode connected to the 15th gamma voltage (V1792), a first electrode (drain) connected to the driving voltage (VDD), and a second electrode (source) connected to the 16th gamma voltage (V1920). Includes. The first transistor MN is turned on when a falling peak voltage occurs in the 16th gamma voltage V1920 and lowers the peak voltage so that the 16th gamma voltage V1920 quickly reaches the target voltage. The second transistor (MP) has a gate electrode connected to the 17th gamma voltage (V2048), a first electrode (source) connected to the 16th gamma voltage (V1920), and a second electrode (drain) connected to the ground voltage (GND). Includes. The second transistor MP is turned on when a rising peak voltage is generated in the 16th gamma voltage V1920 and lowers the peak voltage so that the 16th gamma voltage V1920 quickly reaches the target voltage.
셀프 드라이버들 중 일부는 생략될 수 있다. 예를 들어, 감마 전압 생성부(140)는 도 4에 도시된 바와 같이 타겟 전압에 도달하기까지의 속도가 상대적으로 느린 감마 전압에만 셀프 드라이버(SD)가 연결될 수 있다. 일 예로, 제16 감마 전압(V1920)은 데이터 구동부(110)에 입력되는 소스 데이터의 계조가 변할 때 다른 감마 전압에 비해 상대적으로 느린 속도로 타겟 전압에 도달한다. 이 경우, 셀프 드라이버의 개수가 증폭기들의 개수 보다 적다.Some of the self-drivers may be omitted. For example, the gamma voltage generator 140 may be connected to a self-driver (SD) only to a gamma voltage that reaches the target voltage at a relatively slow speed, as shown in FIG. 4 . For example, the 16th gamma voltage V1920 reaches the target voltage at a relatively slow rate compared to other gamma voltages when the gray level of the source data input to the data driver 110 changes. In this case, the number of self-drivers is less than the number of amplifiers.
도 4를 참조하면, 감마 전압 생성부(140)는 제1 감마 전압(V0), 제1 감마 전압(V0) 보다 낮은 제2 감마 전압(V256), 제2 감마 전압(V256) 보다 낮은 제3 감마 전압(V512), 제3 감마 전압(V512) 보다 낮은 제4 감마 전압(V768), 제4 감마 전압(V768) 보다 낮은 제5 감마 전압(V1024), 제5 감마 전압(V1024) 보다 낮은 제6 감마 전압(V1280), 제6 감마 전압(V1280) 보다 낮은 제7 감마 전압(V1536), 제7 감마 전압(V1536) 보다 낮은 제8 감마 전압(V1792), 제8 감마 전압(V1792) 보다 낮은 제9 감마 전압(V1920), 및 제9 감마 전압(V1920) 보다 낮은 제10 감마 전압(V2048)을 출력한다. Referring to FIG. 4, the gamma voltage generator 140 generates a first gamma voltage (V0), a second gamma voltage (V256) lower than the first gamma voltage (V0), and a third gamma voltage (V256) lower than the second gamma voltage (V256). Gamma voltage (V512), fourth gamma voltage (V768) lower than third gamma voltage (V512), fifth gamma voltage (V1024) lower than fourth gamma voltage (V768), lower than fifth gamma voltage (V1024) 6 gamma voltage (V1280), 7th gamma voltage (V1536) lower than 6th gamma voltage (V1280), 8th gamma voltage (V1792) lower than 7th gamma voltage (V1536), lower than 8th gamma voltage (V1792) A ninth gamma voltage (V1920) and a tenth gamma voltage (V2048) lower than the ninth gamma voltage (V1920) are output.
제1 내지 제8, 및 제10 감마 전압(V0~V1792, V2048)은 증폭기(AMP1~AMP9)의 출력 전압으로 그 전압 레벨이 결정된다. 제9 감마 전압(V1920)은 제2 전압 분배부(RS2)의 저항열에서 제8 감마 전압(V1792)과 제10 감마 전압(V2048) 사이의 분압 노드로부터 출력되고, 셀프 드라이버(SD)의 선구동에 의해 피크 전압이 억제된다. The voltage levels of the first to eighth and tenth gamma voltages (V0 to V1792, V2048) are determined by the output voltages of the amplifiers (AMP1 to AMP9). The ninth gamma voltage (V1920) is output from the dividing voltage node between the eighth gamma voltage (V1792) and the tenth gamma voltage (V2048) in the resistance column of the second voltage divider (RS2), and is used as a line driving force of the self-driver (SD). The peak voltage is suppressed.
소스 데이터의 계조값이 높아질 때 데이터 구동부(110)로부터 출력되는 데이터 전압(Vdata)이 낮아질 수 있다. 이 때, DAC(117)에 연결된 감마 전압 배선에 흐르는 피크 전류로 인하여 감마 전압에 피크 전압이 발생한다. 셀프 드라이버들(S1~S8)은 감마 전압에 피크 전압이 발생될 때 구동되어 피크 전압을 낮춘다. 이러한 셀프 드라이버들(S1~S8)의 선구동에 대하여 도 5 내지 도 7b를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.When the grayscale value of the source data increases, the data voltage Vdata output from the data driver 110 may decrease. At this time, a peak voltage occurs in the gamma voltage due to the peak current flowing in the gamma voltage wire connected to the DAC 117. Self-drivers (S1 to S8) are driven when a peak voltage occurs in the gamma voltage and lower the peak voltage. The linear driving movement of these self-drivers (S1 to S8) will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 7B.
도 5를 참조하면, 제1 트랜지스터(MN)의 게이트-소스간 전압은 V1792-V1920이다. 소스 데이터의 계조값이 낮아질 때 감마 전압(V1920)에 급격히 하강하는 피크 전압(Vp)이 발생될 수 있다. 예를 들어, 소스 데이터의 계조값이 2048로부터 1920으로 변할 때, DAC(117)를 통해 데이터 전압(Vdata)으로 출력되는 감마 전압(V1920)에 하강하는 피크 전압이 발생될 수 있다. 이 때, 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 낮아진다. 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 제1 트랜지스터(MN)의 문턱 전압(Vthn) 보다 낮아질 때 제1 트랜지스터(MN)의 게이트-소스간 전압이 문턱 전압(Vthn) 보다 커져 제1 트랜지스터(MN)가 턴-온된다. 그 결과, 턴-온된 제1 트랜지스터(MN)를 통해 구동 전압(VDD)이 감마 전압(1920)에 인가되어 하강하는 피크 전압(Vp)이 낮아진다. 감마 전압(V1920)에 하강하는 피크 전압(Vp)이 발생될 때 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 낮아지기 때문에 제2 트랜지스터(MP)는 턴-온되지 않는다. Referring to FIG. 5, the gate-source voltage of the first transistor (MN) is V1792-V1920. When the grayscale value of the source data decreases, the peak voltage (Vp) that rapidly decreases in the gamma voltage (V1920) may occur. For example, when the grayscale value of the source data changes from 2048 to 1920, a falling peak voltage may occur in the gamma voltage (V1920) output as the data voltage (Vdata) through the DAC 117. At this time, the source voltage of the first transistor (MN) decreases. When the source voltage of the first transistor (MN) becomes lower than the threshold voltage (Vthn) of the first transistor (MN), the gate-source voltage of the first transistor (MN) becomes greater than the threshold voltage (Vthn) and the first transistor (MN) ) turns on. As a result, the driving voltage VDD is applied to the gamma voltage 1920 through the turned-on first transistor MN, thereby lowering the falling peak voltage Vp. When the peak voltage Vp falling in the gamma voltage V1920 occurs, the source voltage of the second transistor MP is lowered, so the second transistor MP is not turned on.
도 6을 참조하면, 제2 트랜지스터(MP)의 게이트-소스간 전압은 V2048-V1920이다. 소스 데이터의 계조값이 높아질 때 감마 전압(V1920)에 급격히 상승하는 피크 전압(Vp)이 발생될 수 있다. 예를 들어, 소스 데이터의 계조값이 1792으로부터 1920으로 변할 때, DAC(117)를 통해 데이터 전압(Vdata)으로 출력되는 감마 전압(V1920)에 상승하는 피크 전압이 발생될 수 있다. 이 때, 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 높아진다. 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 높아져 제2 트랜지스터(MP)의 게이트-소스간 전압이 문턱 전압(Vthp) 보다 더 작아질 때 제2 트랜지스터(MP)가 턴-온된다. 그 결과, 턴-온된 제2 트랜지스터(MP)를 통해 감마 전압(V1920)의 피크 전압이 그라운드 전압(GND)으로 방전되어 피크 전압(Vp)이 낮아진다. 감마 전압(V1920)에 상승하는 피크 전압(Vp)이 발생될 때 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 높아지기 때문에 제1 트랜지스터(MN)는 턴-온되지 않는다. 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)은 동시에 턴-온될 수 없다. Referring to FIG. 6, the gate-source voltage of the second transistor MP is V2048-V1920. When the gray level value of the source data increases, a peak voltage (Vp) that rapidly increases in the gamma voltage (V1920) may occur. For example, when the grayscale value of the source data changes from 1792 to 1920, a rising peak voltage may be generated in the gamma voltage (V1920) output as the data voltage (Vdata) through the DAC (117). At this time, the source voltage of the second transistor MP increases. When the source voltage of the second transistor MP increases and the gate-source voltage of the second transistor MP becomes smaller than the threshold voltage Vthp, the second transistor MP is turned on. As a result, the peak voltage of the gamma voltage V1920 is discharged to the ground voltage GND through the turned-on second transistor MP, thereby lowering the peak voltage Vp. When the peak voltage Vp that rises in the gamma voltage V1920 occurs, the source voltage of the first transistor MN increases, so the first transistor MN is not turned on. The first and second transistors (MN, MP) cannot be turned on at the same time.
도 7a 및 도 7b는 셀프 드라이버의 피크 전압 억제 효과를 비교예와 함께 검증한 시뮬레이션 결과 도면들이다. Figures 7a and 7b are simulation results showing the peak voltage suppression effect of the self-driver with a comparative example.
도 7a는 셀프 드라이버(SD)가 없는 비교예에서 감마 전압(V1920)의 피크 전압(Vp)을 보여 주는 시뮬레이션 결과이다. 비교예의 경우, 전압 분배부(RS2)의 저항값을 줄이거나 증폭기 추가 없이는 소스 데이터의 계조가 변할 때 데이터 전압(Vdata)이 타겟 전압에 도달하기까지의 시간이 저항값으로 제한되어 데이터 전압(Vdata)의 슬루율(Slew rate) 개선에 한계가 있고 데이터 전압(Vdata)이 변할 때 정전류 소비가 크다.Figure 7a is a simulation result showing the peak voltage (Vp) of the gamma voltage (V1920) in a comparative example without a self-driver (SD). In the case of the comparative example, without reducing the resistance value of the voltage divider (RS2) or adding an amplifier, when the gray level of the source data changes, the time until the data voltage (Vdata) reaches the target voltage is limited by the resistance value, and the data voltage (Vdata) ), there is a limit to improving the slew rate, and constant current consumption is large when the data voltage (Vdata) changes.
도 7b는 감마 전압(V1920)에 셀프 드라이버(SD)를 연결하여 피크 전압(Vp)이 낮아진 시뮬레이션 결과이다. 이 시뮬레이션에서, 소스 데이터의 계조값이 0으로부터 1920으로 상승할 때 계조값 1920의 타겟 전압인 감마 전압(V1920)의 피크 전압이 셀프 드라이버(SD)를 통해 방전되어 낮아지는 것이 확인되었다. 셀프 드라이버(SD)의 선구동 효과로 인하여, 제2 전압 분배부(RS2)의 저항값을 줄이거나 감마 전압(V1920)에 추가 증폭기를 연결하지 않고도 소스 데이터의 계조가 변할 때 데이터 전압(80)이 타겟 전압에 빠르게 도달하여 슬루율(Slew rate)이 개선된다. 또한, 셀프 드라이버(SD)를 감마 전압(V1920)에 연결하면 정전류 소비 없이 데이터 전압의 슬루율이 향상된다. 도 7a 및 도 7b에서, '1H'는 1 픽셀 라인에 데이터 전압(Vdata)이 기입되는 1 수평 기간이다. Figure 7b is a simulation result in which the peak voltage (Vp) is lowered by connecting the self-driver (SD) to the gamma voltage (V1920). In this simulation, it was confirmed that when the grayscale value of the source data increases from 0 to 1920, the peak voltage of the gamma voltage (V1920), which is the target voltage of the grayscale value of 1920, is discharged through the self-driver (SD) and lowered. Due to the line driving effect of the self-driver (SD), the data voltage 80 increases when the gradation of the source data changes without reducing the resistance value of the second voltage divider RS2 or connecting an additional amplifier to the gamma voltage V1920. The slew rate is improved by quickly reaching the target voltage. Additionally, connecting the self-driver (SD) to the gamma voltage (V1920) improves the slew rate of the data voltage without consuming constant current. In FIGS. 7A and 7B, '1H' is 1 horizontal period in which the data voltage (Vdata) is written to 1 pixel line.
도 8은 감마 전압 생성부의 제3 전압 분배부를 보여 주는 회로도이다.Figure 8 is a circuit diagram showing the third voltage divider of the gamma voltage generator.
도 8을 참조하면, 감마 전압 생성부(140)는 제3 전압 분배부(RS3)와, 제1 및 제2 멀티플렉서(MUX1, MUX2)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8 , the gamma voltage generator 140 may further include a third voltage distributor (RS3) and first and second multiplexers (MUX1 and MUX2).
제3 전압 분배부(RS3)는 고전위 입력 전압(VREG)과 저전위 입력 전압(VREF) 사이에서 직렬로 연결된 복수의 저항들을 포함한다. 제3 전압 분배부(RS3)는 분압 노드들을 통해 고전위 입력 전압(VREG)과 저전위 입력 전압(VREF) 사이에서 전압 레벨이 서로 다른 복수의 전압들을 생성한다. The third voltage divider RS3 includes a plurality of resistors connected in series between the high potential input voltage VREG and the low potential input voltage VREF. The third voltage divider RS3 generates a plurality of voltages with different voltage levels between the high-potential input voltage VREG and the low-potential input voltage VREF through the voltage dividing nodes.
제1 멀티플렉서(MUX1)는 미리 설정된 레지스터값, 또는 호스트 시스템(200)으로부터 발생되는 디지털 밝기값(Digital Brightness Value, DBV)에 응답하여 제3 전압 분배부(RS3)로부터 출력되는 고전위 전압들 중 어느 하나를 선택하여 출력한다. 제1 멀티플렉서(MUX1)의 출력 전압은 제1 증폭기(AMP1)를 통해 제1 전압 분배부(RS1)로 전달되는 고전위 기준 전압(MDBV_TOP)이다. The first multiplexer (MUX1) selects one of the high potential voltages output from the third voltage divider (RS3) in response to a preset register value or a digital brightness value (DBV) generated from the host system 200. Select one and print it. The output voltage of the first multiplexer (MUX1) is the high potential reference voltage (MDBV_TOP) transmitted to the first voltage divider (RS1) through the first amplifier (AMP1).
제2 멀티플렉서(MUX2)는 미리 설정된 레지스터값, 또는 호스트 시스템(200)으로부터 발생되는 디지털 밝기값(DBV)에 응답하여 제3 전압 분배부(RS3)로부터 출력되는 저전위 전압들 중 어느 하나를 선택하여 출력한다. 제2 멀티플렉서(MUX2)의 출력 전압은 제9 증폭기(AMP9)를 통해 제1 전압 분배부(RS1)로 전달되는 전전위 기준 전압(MDBV_BOT)이다. The second multiplexer (MUX2) selects one of the low potential voltages output from the third voltage divider (RS3) in response to a preset register value or a digital brightness value (DBV) generated from the host system 200. and print it out. The output voltage of the second multiplexer (MUX2) is the total potential reference voltage (MDBV_BOT) transmitted to the first voltage divider (RS1) through the ninth amplifier (AMP9).
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 감마 전압 생성부를 보여 주는 회로도들이다. 도 9 및 도 10에서, 전술한 실시예와 실질적으로 동일한 구성 요소들에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고, 그에 대한 상세한 설명을 생략한다. 9 and 10 are circuit diagrams showing a gamma voltage generator according to another embodiment of the present invention. In FIGS. 9 and 10 , components that are substantially the same as those in the above-described embodiment are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted.
도 9 및 도 10을 참조하면, 감마 전압 생성부(140)는 제1 전압 분배부(RS1), 제2 전압 분배부(RS2), 복수의 증폭기(AMP1~AMP9), 및 하나 이상의 셀프 드라이버(S11~S18)를 포함한다. 이 감마 전압 생성부(140)는 제3 전압 분배부(RS3)와, 제1 및 제2 멀티플렉서(MUX1, MUX2)를 더 포함할 수 있다. 9 and 10, the gamma voltage generator 140 includes a first voltage divider (RS1), a second voltage divider (RS2), a plurality of amplifiers (AMP1 to AMP9), and one or more self-drivers ( S11~S18). The gamma voltage generator 140 may further include a third voltage divider RS3 and first and second multiplexers MUX1 and MUX2.
셀프 드라이버들(S1~S8) 각각은 제1 전압 분배부(RS1)와 제2 전압 분배부(RS2) 사이에 연결된 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP)을 이용하여 제i 감마 전압과 제i+2 감마 전압 사이의 제i+1 감마 전압의 피크 전압을 억제한다. Each of the self-drivers (S1 to S8) uses the first and second transistors (MN, MP) connected between the first voltage divider (RS1) and the second voltage divider (RS2) to generate the i-th gamma voltage and The peak voltage of the i+1th gamma voltage between the i+2th gamma voltage is suppressed.
제1 트랜지스터(MN)는 n 채널 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터(MP)는 p 채널 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(MN)는 (VRi+1) - (Vi+1) > Vthn일 때 턴-온(Turn-on)된다. 여기서, VRi+1은 제i+1 감마 전압(Vi+1)에 대응하는 제1 전압 분배부(RS1)의 전압이다. Vthn은 제1 트랜지스터(MN)의 문턱 전압이다. The first transistor (MN) may be an n-channel transistor, and the second transistor (MP) may be a p-channel transistor. The first transistor (MN) turns on when (VRi+1) - (Vi+1) > Vthn. Here, VRi+1 is the voltage of the first voltage divider RS1 corresponding to the i+1th gamma voltage (Vi+1). Vthn is the threshold voltage of the first transistor (MN).
제2 트랜지스터(MP)는 (VRi+1) - (Vi+1) < Vthp일 때 턴-온(Turn-on)된다. 여기서, Vthp는 제2 트랜지스터(MP)의 문턱 전압이다. The second transistor MP is turned on when (VRi+1) - (Vi+1) < Vthp. Here, Vthp is the threshold voltage of the second transistor MP.
제1 셀프 드라이버(S11)는 제1 감마 전압(V0)과 제3 감마 전압(V256) 사이의 제2 감마 전압(V128)에 피크 전압이 발생될 때 선구동하여 피크 전압을 낮춘다. 제1 트랜지스터(MN)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR128)에 연결된 게이트 전극, 구동 전압(VDD)에 연결된 제1 전극(드레인), 및 제2 감마 전압(V128)에 연결된 제2 전극(소스)을 포함한다. 제1 트랜지스터(MN)는 제2 감마 전압(V128)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 그 피크 전압을 낮춤으로써 제2 감마 전압(V128)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR128)에 연결된 게이트 전극, 제2 감마 전압(V128)에 연결된 제1 전극(소스), 및 그라운드 전압(GND)에 연결된 제2 전극(드레인)을 포함한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제2 감마 전압(V128)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제2 감마 전압(V128)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. The first self-driver S11 operates first when a peak voltage is generated in the second gamma voltage V128 between the first gamma voltage V0 and the third gamma voltage V256 to lower the peak voltage. The first transistor (MN) has a gate electrode connected to the voltage (VR128) output from the voltage dividing node of the first voltage divider (RS1), a first electrode (drain) connected to the driving voltage (VDD), and a second gamma voltage ( It includes a second electrode (source) connected to V128). The first transistor MN is turned on when a falling peak voltage is generated in the second gamma voltage V128 and lowers the peak voltage so that the second gamma voltage V128 quickly reaches the target voltage. The second transistor MP has a gate electrode connected to the voltage VR128 output from the dividing voltage node of the first voltage divider RS1, a first electrode (source) connected to the second gamma voltage V128, and a ground voltage ( It includes a second electrode (drain) connected to GND). The second transistor MP is turned on when a rising peak voltage is generated in the second gamma voltage V128 and lowers the peak voltage so that the second gamma voltage V128 quickly reaches the target voltage.
제2 셀프 드라이버(S12)의 제1 트랜지스터(MN)는 제4 감마 전압(V384)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제2 셀프 드라이버(S12)의 제2 트랜지스터(MP)는 제4 감마 전압(V384)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제3 셀프 드라이버(S13)의 제1 트랜지스터(MN)는 제6 감마 전압(V640)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제3 셀프 드라이버(S13)의 제2 트랜지스터(MP)는 제6 감마 전압(V640)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. The first transistor (MN) of the second self-driver (S12) is turned on when a falling peak voltage is generated in the fourth gamma voltage (V384) to lower the peak voltage. The second transistor MP of the second self-driver S12 is turned on when a rising peak voltage is generated in the fourth gamma voltage V384 and lowers the peak voltage. The first transistor (MN) of the third self-driver (S13) is turned on when a peak voltage falling from the sixth gamma voltage (V640) is generated to lower the peak voltage. The second transistor (MP) of the third self-driver (S13) is turned on when a rising peak voltage is generated in the sixth gamma voltage (V640) and lowers the peak voltage.
제4 셀프 드라이버(S14)의 제1 트랜지스터(MN)는 제8 감마 전압(V896)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제4 셀프 드라이버(S14)의 제2 트랜지스터(MP)는 제8 감마 전압(V896)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제5 셀프 드라이버(S15)의 제1 트랜지스터(MN)는 제10 감마 전압(V1152)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제5 셀프 드라이버(S15)의 제2 트랜지스터(MP)는 제10 감마 전압(V1152)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제6 셀프 드라이버(S16)의 제1 트랜지스터(MN)는 제12 감마 전압(V1408)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제6 셀프 드라이버(S16)의 제2 트랜지스터(MP)는 제12 감마 전압(V1408)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제7 셀프 드라이버(S17)의 제1 트랜지스터(MN)는 제14 감마 전압(V1664)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다. 제7 셀프 드라이버(S17)의 제2 트랜지스터(MP)는 제14 감마 전압(V1664)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춘다.The first transistor (MN) of the fourth self-driver (S14) is turned on when a peak voltage falling from the eighth gamma voltage (V896) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the fourth self-driver S14 is turned on when a peak voltage rising from the eighth gamma voltage V896 is generated to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the fifth self-driver (S15) is turned on when a peak voltage falling from the tenth gamma voltage (V1152) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the fifth self-driver S15 is turned on when a peak voltage rising from the tenth gamma voltage V1152 is generated to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the sixth self-driver (S16) is turned on when a peak voltage falling from the 12th gamma voltage (V1408) is generated to lower the peak voltage. The second transistor MP of the sixth self-driver S16 is turned on when a rising peak voltage is generated in the twelfth gamma voltage V1408 to lower the peak voltage. The first transistor (MN) of the seventh self-driver (S17) is turned on when a falling peak voltage is generated in the 14th gamma voltage (V1664) to lower the peak voltage. The second transistor (MP) of the seventh self-driver (S17) is turned on when a rising peak voltage is generated in the 14th gamma voltage (V1664) and lowers the peak voltage.
제8 셀프 드라이버(S11)는 제15 감마 전압(V1792)과 제17 감마 전압(V2048) 사이의 제16 감마 전압(V1920)에 피크 전압이 발생될 때 선구동하여 피크 전압을 낮춘다. 제1 트랜지스터(MN)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR1920)에 연결된 게이트 전극, 구동 전압(VDD)에 연결된 제1 전극(드레인), 및 제16 감마 전압(V1920)에 연결된 제2 전극(소스)을 포함한다. 제1 트랜지스터(MN)는 제16 감마 전압(V1920)에서 하강하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 그 피크 전압을 낮춤으로써 제16 감마 전압(V1920)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드로부터 출력되는 전압(VR1920)에 연결된 게이트 전극, 제16 감마 전압(V1920)에 연결된 제1 전극(소스), 및 그라운드 전압(GND)에 연결된 제2 전극(드레인)을 포함한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제16 감마 전압(V1920)에서 상승하는 피크 전압이 발생될 때 턴-온되어 피크 전압을 낮춤으로써 제16 감마 전압(V1920)이 타겟 전압에 빠르게 도달되도록 한다. The eighth self-driver (S11) operates first when a peak voltage is generated in the 16th gamma voltage (V1920) between the 15th gamma voltage (V1792) and the 17th gamma voltage (V2048) to lower the peak voltage. The first transistor MN includes a gate electrode connected to the voltage VR1920 output from the voltage dividing node of the first voltage divider RS1, a first electrode (drain) connected to the driving voltage VDD, and a 16th gamma voltage ( It includes a second electrode (source) connected to V1920). The first transistor MN is turned on when a falling peak voltage is generated in the 16th gamma voltage V1920 and lowers the peak voltage so that the 16th gamma voltage V1920 quickly reaches the target voltage. The second transistor MP has a gate electrode connected to the voltage VR1920 output from the dividing voltage node of the first voltage divider RS1, a first electrode (source) connected to the 16th gamma voltage V1920, and a ground voltage ( It includes a second electrode (drain) connected to GND). The second transistor MP is turned on when a rising peak voltage is generated in the 16th gamma voltage V1920 and lowers the peak voltage so that the 16th gamma voltage V1920 quickly reaches the target voltage.
셀프 드라이버들 중 일부는 생략될 수 있다. 예를 들어, 감마 전압 생성부(140)는 도 10에 도시된 바와 같이 상대적으로 타겟 전압에 도달하기까지의 속도가 느린 감마 전압에만 셀프 드라이버(SD2)가 연결될 수 있다. 일 예로, 제16 감마 전압(V1920)은 데이터 구동부(110)에 입력되는 소스 데이터의 계조가 변할 때 다른 감마 전압에 비해 상대적으로 느린 속도로 타겟 전압에 도달한다. Some of the self-drivers may be omitted. For example, the gamma voltage generator 140 may be connected to the self-driver SD2 only to a gamma voltage that reaches the target voltage at a relatively slow speed, as shown in FIG. 10 . For example, the 16th gamma voltage V1920 reaches the target voltage at a relatively slow rate compared to other gamma voltages when the gray level of the source data input to the data driver 110 changes.
도 10을 참조하면, 감마 전압 생성부(140)는 제1 감마 전압(V0), 제1 감마 전압(V0) 보다 낮은 제2 감마 전압(V256), 제2 감마 전압(V256) 보다 낮은 제3 감마 전압(V512), 제3 감마 전압(V512) 보다 낮은 제4 감마 전압(V768), 제4 감마 전압(V768) 보다 낮은 제5 감마 전압(V1024), 제5 감마 전압(V1024) 보다 낮은 제6 감마 전압(V1280), 제6 감마 전압(V1280) 보다 낮은 제7 감마 전압(V1536), 제7 감마 전압(V1536) 보다 낮은 제8 감마 전압(V1792), 제8 감마 전압(V1792) 보다 낮은 제9 감마 전압(V1920), 및 제9 감마 전압(V1920) 보다 낮은 제10 감마 전압(V2048)을 출력한다. Referring to FIG. 10, the gamma voltage generator 140 generates a first gamma voltage (V0), a second gamma voltage (V256) lower than the first gamma voltage (V0), and a third gamma voltage (V256) lower than the second gamma voltage (V256). Gamma voltage (V512), fourth gamma voltage (V768) lower than third gamma voltage (V512), fifth gamma voltage (V1024) lower than fourth gamma voltage (V768), lower than fifth gamma voltage (V1024) 6 gamma voltage (V1280), 7th gamma voltage (V1536) lower than 6th gamma voltage (V1280), 8th gamma voltage (V1792) lower than 7th gamma voltage (V1536), lower than 8th gamma voltage (V1792) A ninth gamma voltage (V1920) and a tenth gamma voltage (V2048) lower than the ninth gamma voltage (V1920) are output.
제1 내지 제8, 및 제10 감마 전압(V0~V1792, V2048)은 증폭기(AMP1~AMP9)의 출력 전압으로 그 전압 레벨이 결정된다. 제9 감마 전압(V1920)은 제2 전압 분배부(RS2)의 저항열에서 제8 감마 전압(V1792)과 제10 감마 전압(V2048) 사이의 분압 노드로부터 출력되고, 셀프 드라이버(SD2)의 선구동에 의해 피크 전압이 억제된다. The voltage levels of the first to eighth and tenth gamma voltages (V0 to V1792, V2048) are determined by the output voltages of the amplifiers (AMP1 to AMP9). The ninth gamma voltage (V1920) is output from the dividing voltage node between the eighth gamma voltage (V1792) and the tenth gamma voltage (V2048) in the resistance column of the second voltage divider (RS2), and is used as a line driving force of the self-driver (SD2). The peak voltage is suppressed.
셀프 드라이버(S11~S18)에 인가되는 구동 전압은 도 11과 같이 변경될 수 있다. The driving voltage applied to the self-drivers (S11 to S18) can be changed as shown in FIG. 11.
도 11을 참조하면, 제1 트랜지스터(MN)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 제i+1 감마 전압 보다 높은 제i 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 분압 노드로부터 출력되는 전압과 대응하는 제i+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(MP)는 제1 전압 분배부(RS1)의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 제i+1 감마 전압 보다 낮은 제i+2 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함한다. Referring to FIG. 11, the first transistor MN has a gate electrode connected to the voltage dividing node of the first voltage divider RS1, a first electrode connected to the i-th gamma voltage higher than the i+1-th gamma voltage, and a voltage dividing node. It includes a second electrode connected to the i+1th gamma voltage corresponding to the voltage output from. The second transistor MP has a gate electrode connected to the voltage dividing node of the first voltage divider RS1, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and an i+2th gamma voltage lower than the i+1th gamma voltage. It includes a second electrode connected to.
제1 트랜지스터(MN)의 제1 전극에 제i+1 감마 전압 보다 높은 제i 감마 전압이 인가되고, 제2 트랜지스터(MP)의 제2 전극에 제i+1 감마 전압 보다 낮은 제i+2 감마 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 감마 전압(V1920)의 피크 전압을 억제하기 위한 셀프 드라이버(SD2)에서, 제1 트랜지스터(MN)의 제1 전극에 감마 전압(V1792)가 인가되고, 제2 트랜지스터(MP)의 제2 전극에 감마 전압(V2048)이 인가될 수 있다. An i-th gamma voltage higher than the i+1-th gamma voltage is applied to the first electrode of the first transistor (MN), and an i+2-th gamma voltage lower than the i+1-th gamma voltage is applied to the second electrode of the second transistor (MP). A gamma voltage may be applied. For example, in the self-driver SD2 for suppressing the peak voltage of the gamma voltage V1920, the gamma voltage V1792 is applied to the first electrode of the first transistor MN, and the gamma voltage V1792 is applied to the first electrode of the second transistor MP. A gamma voltage (V2048) may be applied to the second electrode.
셀프 드라이버(S11~S18, SD2)는 선택적으로 비활성화될 수 있다. 이를 위해, 도 12에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 트랜지스터들(MN, MP) 각각의 게이트 전극에 스위치 소자들(SW1, SW2)이 연결될 수 있다. 스위치 소자들(SW1, SW2) 각각은 CMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 스위치 소자들(SW1, SW2)은 호스트 시스템(200), 타이밍 콘트롤러(130), 로직 제어부(112) 중 어느 하나에 의해 제어될 수 있다. 고객 또는 사용자가 셀프 드라이버 기능을 사용하고 싶지 않을 때, 레지스터(또는 메모리) 셋팅에 의하여 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)을 이용하여 셀프 드라이버(S11~S18, SD2)를 비활성화할 수 있다. 예를 들어, 고객은 시스템에 따라 셀프 드라이버로 인하여 감마 전압과 데이터 전압의 과도한 트랜지션(Transition) 속도로 인한 EMI 이슈(issue)가 발생하면, 셀프 드라이버(S11~S18, SD2)를 비활성화하여 트랜지션 속도를 늦출 수 있다. Self-drivers (S11~S18, SD2) can be selectively disabled. To this end, as shown in FIG. 12, switch elements SW1 and SW2 may be connected to the gate electrodes of each of the first and second transistors MN and MP. Each of the switch elements SW1 and SW2 may be implemented as a CMOS transistor. The switch elements SW1 and SW2 may be controlled by any one of the host system 200, the timing controller 130, and the logic control unit 112. When the customer or user does not want to use the self-driver function, the self-driver (S11~S18, SD2) can be deactivated using the first and second switch elements (SW1, SW2) by register (or memory) setting. You can. For example, if an EMI issue occurs due to excessive transition speed of gamma voltage and data voltage due to the self-driver depending on the system, the customer may disable the self-driver (S11~S18, SD2) to increase the transition speed. can be delayed.
제1 스위치 소자(SW1)가 제1 트랜지스터(MN)의 게이트 전극을 그라운드 전압(GND)에 연결할 때, 제1 트랜지스터(MN)는 오프 상태를 유지한다. 제1 스위치 소자(SW1)가 제1 트랜지스터(MN)의 게이트 전극을 도 3, 5, 도 9, 및 도 10과 같은 방법으로 연결할 때 제1 트랜지스터(MN)는 감마 전압(V1920)의 변동에 따라 턴-온될 수 있다. When the first switch element (SW1) connects the gate electrode of the first transistor (MN) to the ground voltage (GND), the first transistor (MN) remains in an off state. When the first switch element (SW1) connects the gate electrode of the first transistor (MN) in the same manner as shown in FIGS. 3, 5, 9, and 10, the first transistor (MN) responds to changes in the gamma voltage (V1920). It can be turned on accordingly.
제1 스위치 소자(SW1)가 제1 트랜지스터(MN)의 게이트 전극을 그라운드 전압(GND)에 연결할 때, 제1 트랜지스터(MN)는 오프 상태를 유지한다. 제1 스위치 소자(SW1)가 제1 트랜지스터(MN)의 게이트 전극을 도 3, 도 4, 도 9, 및 도 10과 같은 방법으로 연결할 때 제1 트랜지스터(MN)는 감마 전압(V1920)의 변동에 따라 턴-온될 수 있다. 제2 스위치 소자(SW2)가 제2 트랜지스터(MP)의 게이트 전극을 구동 전압(VDD)에 연결할 때, 제2 트랜지스터(MP)는 오프 상태를 유지한다. 제2 스위치 소자(SW2)가 제2 트랜지스터(MP)의 게이트 전극을 도 3, 도 4, 도 9, 및 도 10과 같은 방법으로 연결할 때 제2 트랜지스터(MP)는 감마 전압(V1920)의 변동에 따라 턴-온될 수 있다. When the first switch element (SW1) connects the gate electrode of the first transistor (MN) to the ground voltage (GND), the first transistor (MN) remains in an off state. When the first switch element (SW1) connects the gate electrode of the first transistor (MN) in the same manner as shown in FIGS. 3, 4, 9, and 10, the first transistor (MN) changes the gamma voltage (V1920). It may be turned on depending on . When the second switch element SW2 connects the gate electrode of the second transistor MP to the driving voltage VDD, the second transistor MP remains in an off state. When the second switch element (SW2) connects the gate electrode of the second transistor (MP) in the same manner as shown in FIGS. 3, 4, 9, and 10, the second transistor (MP) changes the gamma voltage (V1920). It may be turned on depending on .
셀프 드라이버들(S11~S18, SD2)의 선구동에 대하여 도 13 내지 도 15을 결부하여 상세히 설명하기로 한다.The linear driving of the self-drivers (S11 to S18, SD2) will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 15.
도 13을 참조하면, 제1 트랜지스터(MN)의 게이트-소스간 전압은 VR1920-V1920이다. 소스 데이터의 계조값이 낮아질 때 감마 전압(V1920)에 급격히 하강하는 피크 전압(Vp)이 발생될 수 있다. 이 때, 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 낮아진다. 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 제1 트랜지스터(MN)의 문턱 전압(Vthn) 보다 낮아질 때 제1 트랜지스터(MN)의 게이트-소스간 전압이 문턱 전압(Vthn) 보다 커져 제1 트랜지스터(MN)가 턴-온된다. 그 결과, 턴-온된 제1 트랜지스터(MN)를 통해 구동 전압(VDD)이 감마 전압(1920)에 인가되어 하강하는 피크 전압(Vp)이 낮아진다. 감마 전압(V1920)에 하강하는 피크 전압(Vp)이 발생될 때 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 낮아지기 때문에 제2 트랜지스터(MP)는 턴-온되지 않는다. Referring to FIG. 13, the gate-source voltage of the first transistor (MN) is VR1920-V1920. When the grayscale value of the source data decreases, the peak voltage (Vp) that rapidly decreases in the gamma voltage (V1920) may occur. At this time, the source voltage of the first transistor (MN) decreases. When the source voltage of the first transistor (MN) becomes lower than the threshold voltage (Vthn) of the first transistor (MN), the gate-source voltage of the first transistor (MN) becomes greater than the threshold voltage (Vthn) and the first transistor (MN) ) turns on. As a result, the driving voltage VDD is applied to the gamma voltage 1920 through the turned-on first transistor MN, thereby lowering the falling peak voltage Vp. When the peak voltage Vp falling in the gamma voltage V1920 occurs, the source voltage of the second transistor MP is lowered, so the second transistor MP is not turned on.
도 14를 참조하면, 제2 트랜지스터(MP)의 게이트-소스간 전압은 VR1920-V1920이다. 소스 데이터의 계조값이 높아질 때 감마 전압(V1920)에 급격히 상승하는 피크 전압(Vp)이 발생될 수 있다. 예를 들어, 소스 데이터의 계조값이 1792으로부터 1920으로 변할 때, DAC(117)를 통해 데이터 전압(Vdata)으로 출력되는 감마 전압(V1920)에 상승하는 피크 전압이 발생될 수 있다. 이 때, 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 높아진다. 제2 트랜지스터(MP)의 소스 전압이 높아져 제2 트랜지스터(MP)의 게이트-소스간 전압이 문턱 전압(Vthp) 보다 더 작아질 때 제2 트랜지스터(MP)가 턴-온된다. 그 결과, 턴-온된 제2 트랜지스터(MP)를 통해 감마 전압(V1920)의 피크 전압이 그라운드 전압(GND)으로 방전되어 피크 전압(Vp)이 낮아진다. 감마 전압(V1920)에 상승하는 피크 전압(Vp)이 발생될 때 제1 트랜지스터(MN)의 소스 전압이 높아지기 때문에 제1 트랜지스터(MN)는 턴-온되지 않는다.Referring to FIG. 14, the gate-source voltage of the second transistor MP is VR1920-V1920. When the gray level value of the source data increases, a peak voltage (Vp) that rapidly increases in the gamma voltage (V1920) may occur. For example, when the grayscale value of the source data changes from 1792 to 1920, a rising peak voltage may be generated in the gamma voltage (V1920) output as the data voltage (Vdata) through the DAC (117). At this time, the source voltage of the second transistor MP increases. When the source voltage of the second transistor MP increases and the gate-source voltage of the second transistor MP becomes smaller than the threshold voltage Vthp, the second transistor MP is turned on. As a result, the peak voltage of the gamma voltage V1920 is discharged to the ground voltage GND through the turned-on second transistor MP, thereby lowering the peak voltage Vp. When the peak voltage Vp that rises in the gamma voltage V1920 occurs, the source voltage of the first transistor MN increases, so the first transistor MN is not turned on.
도 15는 도 9 및 도 10에 도시된 셀프 드라이버의 피크 전압 억제 효과를 검증한 시뮬레이션 결과 도면이다. 이 시뮬레이션에서, 데이터 구동부(110)의 모든 채널에서 소스 데이터의 계조값이 0으로부터 1920으로 상승할 때 감마 전압(V1920)의 피크 전압은 셀프 드라이버(SD2)를 통해 방전되어 낮아지는 것이 확인되었다. 이 시뮬레이션 결과에서 알 수 있듯이, 제2 트랜지스터(MP)가 구동될 때 제1 트랜지스터(MN)는 오프 상태를 유지하여 전류가 흐르지 않는다. 도 15에서, 'EN'은 데이터 구동부(110)의 제2 래치(115)의 출력 타이밍을 제어하는 출력 인에이블 신호이다.Figure 15 is a simulation result diagram verifying the peak voltage suppression effect of the self-driver shown in Figures 9 and 10. In this simulation, it was confirmed that when the grayscale value of the source data increases from 0 to 1920 in all channels of the data driver 110, the peak voltage of the gamma voltage (V1920) is discharged through the self-driver (SD2) and lowered. As can be seen from this simulation result, when the second transistor (MP) is driven, the first transistor (MN) remains in an off state and no current flows. In FIG. 15, 'EN' is an output enable signal that controls the output timing of the second latch 115 of the data driver 110.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the specification described in the problem to be solved, the means to solve the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the specification.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.
100: 표시패널
110: 데이터 구동부
120: 게이트 구동부
130: 타이밍 콘트롤러
RS1: 제1 전압 분배부
RS2: 제2 전압 분배부
RS3: 제3 전압 분배부
AMP1~AMP9: 증폭기
S1~S8, S11~S18, SD, SD2: 셀프 드라이버100: display panel 110: data driver
120: Gate driver 130: Timing controller
RS1: first voltage divider RS2: second voltage divider
RS3: Third voltage divider AMP1~AMP9: Amplifier
S1~S8, S11~S18, SD, SD2: Self-driver
Claims (10)
상기 제1 전압 분배부로부터 출력되는 전압들을 출력 단자들에 감마 전압으로 전달하는 복수의 증폭기들;
상기 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에 연결되고 상기 증폭기들의 출력 단자에 연결되는 제2 전압 분배부; 및
상기 제2 전압 분배부에 연결되어 상기 증폭기들로부터 출력되는 감마 전압들 이외의 적어도 하나의 감마 전압을 조정하는 하나 이상의 셀프 드라이버를 포함하고,
상기 셀프 드라이버는,
직렬로 연결된 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 감마 전압 생성 회로. a first voltage divider that outputs a plurality of voltages having different voltage levels between a high-potential reference voltage and a low-potential reference voltage;
a plurality of amplifiers that transmit the voltages output from the first voltage divider to output terminals as gamma voltages;
a second voltage divider connected between the high-potential reference voltage and the low-potential reference voltage and connected to output terminals of the amplifiers; and
One or more self-drivers connected to the second voltage divider to adjust at least one gamma voltage other than the gamma voltages output from the amplifiers,
The self-driver,
A gamma voltage generating circuit including a first transistor and a second transistor connected in series.
상기 제1 트랜지스터는 n 채널 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 p 채널 트랜지스터인 감마 전압 생성 회로. According to claim 1,
The first transistor is an n-channel transistor, and the second transistor is a p-channel transistor.
상기 제1 트랜지스터는 제i(i는 자연수) 감마 전압에 연결된 게이트 전극, 구동 전압에 연결된 제1 전극, 및 제i+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제i+2 감마 전압에 연결된 게이트 전극, 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 그라운드 전압에 연결된 제2 전극을 포함하는 감마 전압 생성 회로. According to claim 2,
The first transistor includes a gate electrode connected to an i (i is a natural number) gamma voltage, a first electrode connected to a driving voltage, and a second electrode connected to an i+1 gamma voltage,
The second transistor is a gamma voltage generating circuit including a gate electrode connected to the i+2th gamma voltage, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and a second electrode connected to the ground voltage.
상기 제i 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 높고,
상기 제i+2 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 낮은 감마 전압 생성 회로.According to claim 3,
The i-th gamma voltage is higher than the i+1-th gamma voltage,
A gamma voltage generating circuit in which the i+2th gamma voltage is lower than the i+1th gamma voltage.
상기 제1 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 구동 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 분압 노드로부터 출력되는 전압과 대응하는 제i(i는 자연수)+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 상기 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 그라운드 전압에 연결된 제2 전극을 포함하는 감마 전압 생성 회로.According to claim 2,
The first transistor includes a gate electrode connected to the dividing voltage node of the first voltage divider, a first electrode connected to the driving voltage, and an ith (i is a natural number) + 1 gamma voltage corresponding to the voltage output from the dividing node. Contains 2 electrodes,
The second transistor is a gamma voltage generating circuit including a gate electrode connected to the dividing voltage node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and a second electrode connected to the ground voltage.
상기 제1 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 제i(i는 자연수) 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 분압 노드로부터 출력되는 전압과 대응하는 제i+1 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함하고,
상기 제2 트랜지스터는 제1 전압 분배부의 분압 노드에 연결된 게이트 전극, 상기 제i+1 감마 전압에 연결된 제1 전극, 및 제i+2 감마 전압에 연결된 제2 전극을 포함하는 감마 전압 생성 회로.According to claim 2,
The first transistor has a gate electrode connected to the dividing voltage node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i (i is a natural number) gamma voltage, and an i+1 gamma voltage corresponding to the voltage output from the dividing node. Comprising a connected second electrode,
The second transistor is a gamma voltage generating circuit including a gate electrode connected to a voltage dividing node of the first voltage divider, a first electrode connected to the i+1th gamma voltage, and a second electrode connected to the i+2th gamma voltage.
상기 제i 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 높고,
상기 제i+2 감마 전압이 상기 제i+1 감마 전압 보다 낮은 감마 전압 생성 회로.The method of claim 5 or 6,
The i-th gamma voltage is higher than the i+1-th gamma voltage,
A gamma voltage generating circuit in which the i+2th gamma voltage is lower than the i+1th gamma voltage.
상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 상기 제1 트랜지스터를 선택적으로 비활성화하는 제1 스위치 소자; 및
상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되어 상기 제2 트랜지스터를 선택적으로 비활성화하는 제2 스위치 소자를 더 포함하는 감마 전압 생성 회로. According to any one of claims 3, 5 and 6,
a first switch element connected to the gate electrode of the first transistor to selectively deactivate the first transistor; and
A gamma voltage generating circuit further comprising a second switch element connected to the gate electrode of the second transistor to selectively deactivate the second transistor.
상기 감마 전압들을 생성하는 감마 전압 생성부를 포함하고,
상기 감마 전압 생성부는,
고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에서 전압 레벨이 서로 다른 복수의 전압들을 출력하는 제1 전압 분배부;
상기 제1 전압 분배부로부터 출력되는 전압들을 출력 단자들에 감마 전압으로 전달하는 복수의 증폭기들;
상기 고전위 기준 전압과 저전위 기준 전압 사이에 연결되고 상기 증폭기들의 출력 단자에 연결되는 제2 전압 분배부; 및
상기 제2 전압 분배부에 연결되어 상기 증폭기들로부터 출력되는 감마 전압들 이외의 적어도 하나의 감마 전압을 조정하는 하나 이상의 셀프 드라이버를 포함하고,
상기 셀프 드라이버는,
직렬로 연결된 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 소스 드라이버 회로.a data driver that converts source data into data voltages based on gamma voltages; and
It includes a gamma voltage generator that generates the gamma voltages,
The gamma voltage generator,
a first voltage divider that outputs a plurality of voltages having different voltage levels between a high-potential reference voltage and a low-potential reference voltage;
a plurality of amplifiers that transmit the voltages output from the first voltage divider to output terminals as gamma voltages;
a second voltage divider connected between the high-potential reference voltage and the low-potential reference voltage and connected to output terminals of the amplifiers; and
One or more self-drivers connected to the second voltage divider to adjust at least one gamma voltage other than the gamma voltages output from the amplifiers,
The self-driver,
A source driver circuit including a first transistor and a second transistor connected in series.
상기 제1 트랜지스터는 n 채널 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터는 p 채널 트랜지스터인 소스 드라이버 회로.According to clause 9,
The first transistor is an n-channel transistor, and the second transistor is a p-channel transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2023/019989 WO2024123074A1 (en) | 2022-12-08 | 2023-12-06 | Gamma voltage generation circuit and source driver circuit |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220170423 | 2022-12-08 | ||
KR20220170423 | 2022-12-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240085852A true KR20240085852A (en) | 2024-06-17 |
Family
ID=91714330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230165266A KR20240085852A (en) | 2022-12-08 | 2023-11-24 | Gamma Voltage Generation Circuit and Source Driver Circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20240085852A (en) |
-
2023
- 2023-11-24 KR KR1020230165266A patent/KR20240085852A/en unknown
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