KR20240080273A - 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물 - Google Patents

헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]

상기 화학식 1에서,
a는 0 또는 1의 정수이고,
R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 R5 및 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 또는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수 중 하나이고, a가 1인 경우, m1은 1 또는 2의 정수이고,
[화학식 2-1]

[화학식 2-2]

상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;이며,
R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
r은 1 내지 8의 정수 중 하나이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기;이고,
n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 하나이고, n1 및 n2가 2 이상인 경우, L1 또는 L2는 서로 같거나 상이하다.

Description

헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물{HETEROCYCLIC COMPOUND, ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND COMPOSITION FOR ORGANIC LAYER COMPRISING THE SAME}
본 발명은 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 저지, 정공 저지, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
미국 등록특허 제4,356,429호
본 발명은 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기물층용 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
a는 0 또는 1의 정수이고,
R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 R5 및 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 또는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수 중 하나이고, a가 1인 경우, m1은 1 또는 2의 정수이고,
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;이며,
R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
r은 1 내지 8의 정수 중 하나이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기;이고,
n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 하나이고, n1 및 n2가 2 이상인 경우, L1 또는 L2는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 본 발명에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물; 및 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물;을 포함하는 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물을 제공한다.
일 실시예에 따른 헤테로 고리 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기 발광 소자에서 정공 주입층 재료, 전자 저지층 재료, 정공 수송층 재료, 발광층 재료, 전자 수송층 재료, 정공 저지층 재료, 전자 주입층 재료 등의 역할을 수행할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
구체적으로, 상기 헤테로 고리 화합물은 단독으로 또는 P타입 호스트와 혼합하여 발광 재료로 사용될 수도 있고, 발광층의 호스트 재료 또는 도펀트 재료로서 사용될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 사용하는 경우, 정공 이동도(Hole mobility)의 증가로 인하여 유기 발광 소자의 구동전압을 낮추고, 발광 효율을 향상시키며, 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 적층 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는, 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란, 중수소; 할로겐; 시아노기;트리플루오로메틸기; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐기; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐기; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬기; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴기; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민기; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민기; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 R, R', 및 R"은 서로　같거나　상이하고 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의　헤테로아릴기일 수 있다.
본 명세서에 있어서, "프로톤 수"는 특정 화합물이 치환기를 가질 수 있는 개수를 의미하며, 구체적으로 상기 프로톤 수는 수소의 개수를 의미할 수 있다. 예를 들어 비치환된 벤젠의 경우 프로톤 수 5로 표시할 수 있으며, 비치환된 나프틸기의 경우 프로톤 수 7개로 표시할 수 있으며, 페닐기로 치환된 나프틸기의 경우 프로톤 수 6개로 표시될 수 있고, 비치환된 비페닐기의 경우 프로톤 수 9개로 표시될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸 헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, sec-부톡시기, n-펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 3,3-디메틸부틸옥시기, 2-에틸부틸옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, 벤질옥시기, p-메틸벤질옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기는 스피로기를 포함할 수 있다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 -P(=O)R101R102로 표시되고, R101 및 R102는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 구체적으로 아릴기로 치환될 수 있으며, 상기 아릴기는 전술한 예시가 적용될 수 있다. 예컨대, 포스핀옥사이드기는 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR101R102R103로 표시되고, R101 내지 R103은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , , , , , 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 스피로기는 스피로 구조를 포함하는 기로서, 탄소수 15 내지 60일 수 있다. 예컨대, 상기 스피로기는 플루오레닐기에 2,3-디히드로-1H-인덴기 또는 시클로헥산기가 스피로 결합된 구조를 포함할 수 있다. 구체적으로, 하기 스피로기는 하기 구조식의 기 중 어느 하나를 포함할 수 있다:
.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오페닐기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 2-인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤)기, 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제피닐기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐기, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
본 발명에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"는 탄소 원자에 수소 원자가 결합된 것을 의미한다. 다만, 중수소(2H, Deuterium)는 수소의 동위원소이므로, 일부 수소 원자는 중수소일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, “화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우”는 치환기로 올 수 있는 위치가 모두 수소 또는 중수소인 것을 의미할 수 있다. 즉, 중수소의 경우 수소의 동위원소로, 일부의 수소 원자는 동위원소인 중수소일 수 있으며, 이 때 중수소의 함량은 0% 내지 100%일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, "화학식 또는 화합물 구조에 치환기가 표시되지 않은 경우"에 있어서, "중수소의 함량이 0%", "수소의 함량이 100%", "치환기는 모두 수소" 등 중수소를 명시적으로 배제하지 않는 경우에는 수소와 중수소는 화합물에 있어 혼재되어 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 중수소는 수소의 동위원소(isotope) 중 하나로 양성자(proton) 1개와 중성자(neutron) 1개로 이루어진 중양성자(deuteron)를 원자핵(nucleus)으로 가지는 원소로서, 수소-2로 표현될 수 있으며, 원소기호는 D 또는 2H로 쓸 수도 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 동위원소는 원자 번호(atomic number, Z)는 같지만, 질량수(mass number, A)가 다른 원자를 의미하는 동위원소는 같은 수의 양성자(proton)를 갖지만, 중성자(neutron)의 수가 다른 원소로도 해석할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 특정 치환기의 함량 T%의 의미는 기본이 되는 화합물이 가질 수 있는 치환기의 총 개수를 T1으로 정의하고, 그 중 특정의 치환기의 개수를 T2로 정의하는 경우 T2/T1×100 = T%로 정의할 수 있다.
즉, 일 예시에 있어서, 로 표시되는 페닐기에 있어서 중수소의 함량 20%라는 것은 페닐기가 가질 수 있는 치환기의 총 개수는 5(식 중 T1)개이고, 그 중 중수소의 개수가 1(식 중 T2)인 경우를 의미할 수 있다. 즉, 페닐기에 있어서 중수소의 함량 20%라는 것인 하기 구조식으로 표시될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 있어서, “중수소의 함량이 0%인 페닐기”의 경우 중수소 원자가 포함되지 않은, 즉 수소 원자 5개를 갖는 페닐기를 의미할 수 있다.
본 발명에 있어서, C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리는 C6 내지 C60개의 탄소와 수소로 이루어진 방향족 고리를 포함하는 화합물을 의미하며, 예를 들어, 벤젠, 비페닐, 터페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 아줄렌 등을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니며, 상기 탄소수를 충족하는 것으로서 이 분야에 공지된 방향족 탄화수소 고리 화합물을 모두 포함한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
a는 0 또는 1의 정수이고,
R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 R5 및 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 또는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이고,
m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수 중 하나이고, a가 1인 경우, m1은 1 또는 2의 정수이고,
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;이며,
R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
r은 1 내지 8의 정수 중 하나이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기;이고,
n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 하나이고, n1 및 n2가 2 이상인 경우, L1 또는 L2는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 하기 화학식 1-a 또는 화학식 1-b로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 1-a]
[화학식 1-b]
상기 화학식 1-a 및 화학식 1-b에서,
R1 내지 R6, m1 및 m2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 하기 화학식 1-a-1 또는 화학식 1-b-1로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 1-a-1]
[화학식 1-b-1]
상기 화학식 1-a-1 및 화학식 1-b-1에서,
R1 내지 R6, L1, Ar1, Ar2, n1, m1 및 m2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 하기 화학식 1-a-2 또는 화학식 1-b-2 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 1-a-2]
[화학식 1-b-2]
상기 화학식 1-a-2 및 화학식 1-b-2에서,
R1 내지 R7, L2, n2, m1, m2 및 r은 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 하기 화학식 1-a-1-1, 화학식 1-a-1-2, 화학식 1-a-2-1, 화학식 1-a-2-2, 화학식 1-b-1-1, 화학식 1-b-1-2, 화학식 1-b-2-1 및 화학식 1-b-2-2 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 1-a-1-1]
[화학식 1-a-1-2]
[화학식 1-a-2-1]
[화학식 1-a-2-2]
[화학식 1-b-1-1]
[화학식 1-b-1-2]
[화학식 1-b-2-1]
[화학식 1-b-2-2]
상기 화학식 1-a-1-1, 화학식 1-a-1-2, 화학식 1-a-2-1, 화학식 1-a-2-2, 화학식 1-b-1-1, 화학식 1-b-1-2, 화학식 1-b-2-1 및 화학식 1-b-2-2에서,
R1 내지 R7, L1, L2, Ar1, Ar2, n1, n2, m1, m2 및 r은 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 3-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10의 헤테로아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10의 아릴기; 상기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a가 0인 경우, R5는 상기 화학식 2-1로 표시되는 기 또는 상기 화학식 2-2로 표시되는 기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a가 1인 경우, R5는 상기 화학식 2-1로 표시되는 기 또는 상기 화학식 2-2로 표시되는 기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a가 1인 경우, R6은 상기 화학식 2-1로 표시되는 기 또는 상기 화학식 2-2로 표시되는 기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수 중 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a가 0인 경우, m1은 1 내지 4의 정수 중 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a가 1인 경우, m1은 1 또는 2의 정수 중 하나일 수 있고, m2는 1 내지 4의 정수 중 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기;일 수 있으나, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환된"페닐기, "치환된"비페닐기, "치환된"터페닐기, "치환된"나프틸기, "치환된"플루오레닐기, "치환된"디벤조티오페닐기 및 "치환된"디벤조퓨라닐기에서, "치환"은 할로겐기; 시아노기; 메틸기; 트리플루오로메틸기; 또는 터트부틸기;로 치환되는 것일 수 있다. 예를 들어, "치환된" 플루오레닐기는 9,9-디메틸플루오레닐기를 포함할 수 있다. 다만, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, r이 2 이상인 경우, R7은 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, r이 2 이상인 경우, R7은 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, r이 2 이상인 경우, R7은 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2로 표시되는 기는 하기 화학식 2-2-a, 화학식 2-2-b, 화학식 2-2-c 또는 화학식 2-2-d로 표시되는 기 중 어느 하나인 것일 수 있다:
[화학식 2-2-a]
[화학식 2-2-b]
[화학식 2-2-c]
[화학식 2-2-d]
상기 화학식 2-2-a 내지 2-2-d에서,
L2 및 n2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같고,
R7a 내지 R7e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되고,
X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 NR', O 또는 S이고, 여기서 R'은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
b1, b2 및 b3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
b4는 0, 1 또는 2의 정수이고, 단, b4가 2인 경우, b2는 0이고,
r1, r2 및 r3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수 중 하나이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R7a 내지 R7e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R7a 내지 R7e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R7a 내지 R7e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 또는 중수소;일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 NR', O 또는 S이고, 여기서 R'은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기;일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R'은 페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-a에서, b1 및 b2는 각각 0일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-a에서, b1 및 b2는 각각 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-a에서, b1는 0이고, b2는 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-a에서, b1는 1이고, b2는 0일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-b에서, b2 및 b3은 각각 0일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-b에서, b2 및 b3은 각각 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-b에서, b2는 0이고, b3은 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-c에서, b3은 0 또는 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-d에서, b2 및 b4는 각각 0일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-d에서, b2 및 b4는 각각 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 화학식 2-2-d에서, b2는 0이고, b4는 2일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 2-2로 표시되는 기는 하기 구조식들을 포함할 수 있으나, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00034
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기;일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴렌기;일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기;일 수 있으나, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환된"페닐렌기, "치환된"비페닐렌기, "치환된"터페닐렌기, "치환된"나프틸렌기, "치환된"플루오레닐렌기, "치환된"디벤조티오페닐렌기 및 "치환된"디벤조퓨라닐렌기에서, "치환"은 할로겐기; 시아노기; 메틸기; 트리플루오로메틸기; 또는 터트부틸기;로 치환되는 것일 수 있다. 예를 들어, "치환된" 플루오레닐렌기는 9,9-디메틸플루오레닐렌기를 포함할 수 있다. 다만, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 하나이고, n1 및 n2가 2 이상인 경우, L1 또는 L2는 서로 같거나 상이하다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 치환기로서 중수소를 포함하지 않을 수 있거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수에 대한 중수소의 함량은 예를 들면, 0% 초과, 1% 이상, 10% 이상, 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상 또는 50% 이상일 수 있고, 100% 이하, 90% 이하, 80% 이하, 70% 이하, 60% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 중수소를 포함하지 않을 수 있거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수에 대한 중수소의 함량은 1% 내지 100%일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 중수소를 포함하지 않을 수 있거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수에 대한 중수소의 함량은 20% 내지 90%일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 중수소를 포함하지 않을 수 있거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수에 대한 중수소의 함량은 30% 내지 80%일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 중수소를 포함하지 않을 수 있거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수에 대한 중수소의 함량은 40% 내지 70%일 수 있다.
예를 들면, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 중 수소 원자와 중수소 원자의 총수를 기준으로 중수소의 함량이 0% 이상, 1% 이상, 5% 이상, 10% 이상, 15% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 35% 이상, 40% 이상, 45% 이상, 또는 50% 이상일 수 있고, 100% 이하, 95% 이하, 90% 이하, 85% 이하, 80% 이하, 75% 이하, 70% 이하, 65% 이하 또는 60% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리화합물은 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다:
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송층 물질, 정공 수송 보조층 물질, 전자 저지층 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질, 정공 저지층 물질 및 전자 주입층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 상기 "유기 발광 소자"는 "유기발광다이오드”, "OLED(Organic Light Emitting Diodes)", "OLED 소자", "유기 전계 발광 소자" 등의 용어로 표현될 수 있다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 발광층 재료로 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 헤테로 고리 화합물을 이용하여 1 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 헤테로 고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층을 형성할 수 있다. 여기서, 용액 도포법은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수도 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로 정공주입층, 정공수송층, 정공수송보조층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층, 전지저지층, 정공저지층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 상기 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다. 상기 헤테로 고리 화합물이 발광층에 사용될 경우, 호모(HOMO, Highest Occupied Molecular Orbital) 및 루모(LUMO, Lowest Unoccupied Molecular Orbital)를 공간적으로 분리하여 강한 전하이동(charge transfer)이 가능하기 때문에 유기 발광 소자의 구동 효율 및 수명이 우수해질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 유기물층을 포함할 수 있고, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함할 수 있으며, 상기 호스트 물질은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 전지저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 유기물층을 포함할 수 있고, 상기 유기물층은 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송보조층, 전자주입층, 전자수송층, 전지저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 유기물층을 포함할 수 있고, 상기 유기물층은 정공수송보조층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 전지저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 1층 이상의 유기물층을 포함할 수 있고, 상기 유기물층은 전자저지층을 포함할 수 있고, 상기 전자저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공수송보조층, 전자주입층, 전자수송층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하고, 인광 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
상기 인광 도펀트 재료로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다. 예컨대, LL'MX', LL'L"M, LMX'X", L2MX' 및 L3M로 표시되는 인광 도펀트 재료를 사용할 수 있으나, 이들 예에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 M은 이리듐, 백금, 오스뮴 등이 될 수 있다.
상기 L은 sp2 탄소 및 헤테로 원자에 의하여 상기 M에 배위되는 음이온성 2좌 배위자이고, X는 전자 또는 정공을 트랩하는 기능을 수행할 수 있다. L, L' 및 L"의 비한정적인 예로는 2-(1-나프틸)벤조옥사졸, 2-페닐벤조옥사졸, 2-페닐벤조티아졸, 7,8-벤조퀴놀린, 페닐피리딘, 벤조티오페닐피리딘, 3-메톡시-2-페닐피리딘, 티오페닐피리딘, 톨릴피리딘 등이 있다. X' 및 X"의 비한정적인 예로는 아세틸아세토네이트(acac), 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 살리실리덴, 피콜리네이트, 8-히드록시퀴놀리네이트 등이 있다.
상기 인광 도펀트의 구체적인 예를 하기에 표시하나, 이들 예로만 한정되는 것은 아니다:
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하고, 이리듐계 도펀트와 함께 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 이리듐계 도펀트로는 적색 인광 도펀트는 (piq)2(Ir)(acac)가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 도펀트의 함량은 발광층 전체 중량을 기준으로 1% 내지 15%, 바람직하게는 2% 내지 10%, 보다 바람직하게는 3% 내지 7%의 함량을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공 수송층 또는 정공 수송 보조층을 포함하고, 상기 정공 수송층 또는 정공 수송 보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자 주입층 또는 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자 주입층 또는 전자 수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자 저지층 또는 정공 저지층을 포함하고, 상기 전자 저지층 또는 정공 저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자 수송층, 발광층 또는 정공 저지층을 포함하고, 상기 전자 수송층, 발광층 또는 정공 저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 2개 이상의 호스트 물질을 포함할 수 있으며, 상기 호스트 물질 중 적어도 1개는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 발광층은 2개 이상의 호스트 물질을 예비 혼합(pre-mixed)하여 사용할 수 있으며, 상기 2개 이상의 호스트 물질 중 적어도 1개는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
상기 예비 혼합(pre-mixed)은 상기 발광층은 2개 이상의 호스트 물질을 유기물층에 증착하기 전에 먼저 재료를 섞어서 하나의 공원에 담아 혼합하는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 저지층 및 정공 저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기물층은 하기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물을 추가로 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다:
[화학식 A]
상기 화학식 A에서,
X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CR"이고,
상기 X1 내지 X3 중 적어도 2 이상은 N이며,
상기 R11 내지 R13 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
상기 R11 내지 R13 중 적어도 하나는 하기 화학식 B-1 또는 화학식 B-2로 표시되는 기인 것인, 유기 발광 소자:
[화학식 B-1]
[화학식 B-2]
상기 화학식 B-1 및 B-2에서,
X11은 O 또는 S이고,
c는 0 또는 1의 정수이고,
R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
a1은 1 내지 3의 정수 중 하나이고,
a2는 1 내지 4의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a2는 1 또는 2일 수 있고,
a3은 1 내지 4의 정수 중 하나이고,
a4는 1 내지 3의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a4는 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물은 하기 화학식 A-1, 화학식 A-2 또는 화학식 A-3 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다:
[화학식 A-1]
[화학식 A-2]
[화학식 A-3]
상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-3에서,
X1a 내지 X3a는 상기 화학식 A의 X1 내지 X3의 정의와 같고,
X4는 O 또는 S이고,
R11 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
p는 1 내지 4의 정수 중 하나이고, q는 1 내지 4의 정수 중 하나이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1 내지 X3 및 X1a 내지 X3a는 N; 또는 CR"이고, 상기 X1 내지 X3 중 적어도 2 이상은 N일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 N이고, X3은 CR"일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X3은 N이고, X2는 CR"일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1a 및 X2a는 N이고, X3a는 CR"일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X1a 및 X3a는 N이고, X2a는 CR"일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X4는 O 또는 S일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X4는 S일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R15 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R15 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R15 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R15 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R13 및 R"는 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R13 및 R"는 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R13 및 R"는 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로고리;를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R11 내지 R13 중 적어도 하나는 하기 화학식 B-1 또는 화학식 B-2로 표시되는 기일 수 있다:
[화학식 B-1]
[화학식 B-2]
상기 화학식 B-1 및 B-2에서,
X11은 O 또는 S이고,
c는 0 또는 1의 정수이고,
R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
a1은 1 내지 3의 정수 중 하나이고,
a2는 1 내지 4의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a2는 1 또는 2일 수 있고,
a3은 1 내지 4의 정수 중 하나이고,
a4는 1 내지 3의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a4는 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, X11은 O 또는 S일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, c는 0이거나 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기;일 수 있으나, 이들의 예로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a1은 1, 2 또는 3일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a2는 1, 2, 3 또는 4일 수 있고, c가 1인 경우, a2는 1 또는 2일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a3은 1, 2, 3 또는 4일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, a4는 1, 2 또는 3일 수 있고, c가 1인 경우, a4는 1일 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자를 제조함에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 A의 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우, 유기 발광 소자의 우수한 구동전압, 발광효율 및 수명이 개선되는 효과를 보인다.
이는 상기 두 헤테로고리 화합물을 동시에 혼합하여 포함하는 경우, 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어남을 예상할 수 있다.
상기 엑시플렉스(exciplex) 현상은 두 분자간 전자 교환으로 도너(donor, p-host)의 호모(HOMO) 에너지 레벨과 억셉터(acceptor, n-host)의 루모(LUMO) 에너지 레벨간의 차이나는 에너지를 방출하는 현상이다. 두 분자간 엑시플렉스(exciplex) 현상이 일어나면 역항간 교차(Reverse Intersystem Crossing, RISC)가 일어나게 되고, 이로 인하여 형광의 내부양자 효율이 100%까지 증가할 수 있다. 정공 수송 능력이 좋은 도너 (donor, p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 억셉터 (acceptor, n-host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우, 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되기 때문에 구동 전압을 낮출 수 있고, 그로 인해 수명 향상에 도움을 줄 수 있다. 즉, 상기 억셉터(acceptor)로서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하고, 상기 도너(donor)로서 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 사용하는 경우, 우수한 유기 발광 소자의 특성을 나타낸다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물은 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다:
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자의 유기물층용　조성물을 제공한다.
상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
상기　조성물　내 상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물 : 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물의 중량비는 1:10 내지 10:1이거나, 1:8 내지 8:1이거나, 1:6 내지 6:1이거나, 1:4 내지 4:1이거나, 1:3 내지 3:1이거나, 1:2 내지 2:1이거나, 1:1일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기　조성물은 유기 발광 소자의 유기물 형성시 이용할 수 있고, 특히 발광층의 호스트 형성시 보다 바람직하게 이용할 수 있다.
상기　조성물은 둘 이상의 화합물이 단순 혼합되어 있는 형태이며, 유기 발광 소자의 유기물층 형성 전에 파우더 상태의 재료를 혼합할 수도 있고, 적정 온도 이상에서 액상 상태로 되어있는 화합물을 혼합할 수 있다. 상기　조성물은 각 재료의 녹는점 이하에서는 고체 상태이며, 온도를 조정하면 액상으로 유지할 수 있다.
상기　조성물은 추가로 용매, 첨가제 등 당 기술분야에 공지된 재료들이 추가로 포함될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 A에 따른　헤테로고리 화합물은 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물은 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물은 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 정공 저지층, 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며, 상기 호스트 물질은 상기 화학식 1로 표시되는　헤테로고리 화합물, 및 상기 화학식 A로 표시되는　헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
도 1 내지 도 3에 본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자로서, 2-스텍 텐덤 구조의 유기 발광 소자를 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다.
이 때, 상기 도 4에 기재된 제1 전자 저지층, 제1 정공저지층 및 제2 정공저지층 등은 경우에 따라 생략될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법으로서, 상기 유기물층을 형성하는 단계가 본 발명의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물을 이용하여 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 예비 혼합(pre-mixed)하고, 열 진공 증착 방법을 이용하여 형성하는 것일 수 있다.
상기 예비 혼합(pre-mixed)은, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 유기물층에 증착하기 전 먼저 재료를 섞어서 하나의 공급원에 담아 혼합하는 것을 의미한다.
예비 혼합된 재료는 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기물층용 조성물로 언급될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입층 재료로는 공지된 정공 주입층 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 사용할 수 있다.
정공 수송층 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송층 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입층 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, 예비혼합하여 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광층 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광층 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광층 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 헤테로 고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예를 제시하지만, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
<제조예>
제조예 1: 목적화합물의 제조
중간체 화합물 (a)인 7-클로로나프탈렌-1,2-디아민(7-chloronaphthalene-1,2-diamine) 또는 중간체 화합물 (b)인 6-클로로나프탈렌-1,2-디아민(6-chloronaphthalene-1,2-diamine)을 사용하여 각각 화합물 A인 9-클로로-2,3-디페닐벤조[f]퀴녹살린(9-chloro-2,3-diphenylbenzo[f]quinoxaline) 또는 화합물 B인 8-클로로-2,3-디페닐벤조[f]퀴녹살린(8-chloro-2,3-diphenylbenzo[f]quinoxaline)을 제조하였다.
1) 화합물 A의 제조
7-클로로나프탈렌-1,2-디아민(7-chloronaphthalene-1,2-diamine) (10.0 g, 51.90mmol) 및 벤질(benzil) (10.91 g, 51.90mmol)을 5M NaCl 수용액 100ml에 넣고 녹인 후 95 ℃에서 2시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층은 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 A를 17.25 g 얻었다(수율 90.61%).
2) 화합물 B'의 제조 (화합물 359 또는 화합물 478의 중간체 B 중수소 치환)
화합물 B (5.0g, 13.62 mmol)와 벤젠-d6(Benzene-d6) (50mL)을 500mL 둥근바닥 플라스크에 투입하고, 트리플루오로메탄설폰산(Triflic acid, TfOH) (16.84 mL)을 천천히 적가하였다. 이후, 100 ℃에서 1 시간동안 교반시켰다. 반응이 완결된 다음, 실온으로 냉각시키고, 과량의 증류수와 메탄올(Methonol)로 세척하였다. 이 후, 건조시킨 다음, MC:Hex=1:2 조건의 컬럼(column)으로 분리하여 화합물 B' (4.9 g, 11.9mmol)을 얻었다 (수율 94.5%).
3) 화합물 376의 제조
화합물 A (5 g, 13.62 mmol), N-([1,1'-비페닐]-3-일)-[1,1'-비페닐]-2-아민(N-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-2-amine) (4.3 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스 (XPhos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 소듐 터트-부톡사이드 (sodium tert-butoxide, t-BuONa) (2.62 g, 27.24 mmol)를 톨루엔(toluene) (50ml)에 넣고 녹인 후, 100 ℃에서 6시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후, 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 376을 7.0 g 얻었다(수율 78.92%).
4) 화합물 281의 제조
화합물 A (5 g, 13.62 mmol), (4-(디페닐아미노)페닐)보론산 ((4-(diphenylamino)phenyl)boronic acid) (3.94 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스(Xphos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 수산화 나트륨 (sodium hydroxide, NaOH) (1.1 g, 27.24 mmol)을 1,4-디옥세인(50ml) 및 물(H2O)(10ml)에 넣고 녹인 후, 120 ℃에서 4시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 281을 6.2 g 얻었다(수율 79.08%).
5) 화합물 382의 제조
화합물 A (5 g, 13.62 mmol), 7-디벤조[c,g]카바졸(7-dibenzo[c,g]carbazole) (3.6 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스(Xphos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 소듐 터트-부톡사이드 (sodium tert-butoxide, t-BuONa) (2.62 g, 27.24 mmol)를 자일렌(Xylene) (50ml)에 넣고 녹인 후, 150 ℃에서 5시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 382를 5.8 g 얻었다(수율 71.25%).
상기 제조예 1에서, 중간체 화합물 (c), (d) 및 (e) 대신, 하기 표 1의 중간체 (c), (d) 및 (e)를 사용하여, 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 목적 화합물을 합성하였다.
화합물
번호		 중간체 (a)/(b) 중간체 (c)/(d)/(e) 목적화합물 수율
281



72%
287






70%
297




76%
305




68%
313

82%
323


75%
336

70%
338

71%
340


79%
356



81%
359

86%
376



66%
382

69%
391

77%
392

64%
396

72%
397

81%
403


74%
411

73%
424

82%
436

67%
445

77%
449


64%
459

76%
466


72%
478



77%
493


76%
497

84%
513

72%
515

84%
518

76%
제조예 2 : 목적화합물의 제조
중간체 화합물(f)인 (5-클로로-2-포밀페닐)보론산 ((5-chloro-2-formylphenyl)boronic acid) 또는 중간체 화합물(g)인 (4-클로로-2-포밀페닐)보론산((4-chloro-2-formylphenyl)boronic acid)를 사용하여 각각 화합물 C-1인 4-클로로-2-(2,3-디페닐퀴녹살린-5-일)벤즈알데히드(4-chloro-2-(2,3-diphenylquinoxalin-5-yl)benzaldehyde) 또는 화합물 D-1인 5-클로로-2-(2,3-디페닐퀴녹살린-5-일)벤즈알데히드(5-chloro-2-(2,3-diphenylquinoxalin-5-yl)benzaldehyde)를 제조하였다.
1) 화합물 C-1의 제조
5-브로모-2,3-디페닐퀴녹살린(5-bromo-2,3-diphenylquinoxaline) (10.0 g, 27.68 mmol), (5-클로로-2-포밀페닐)보론산 ((5-chloro-2-formylphenyl)boronic acid) (6.6 g, 35.98 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium, Pd(PPh3)4) (1.6 g, 1.38 mmol) 및 탄산칼륨 (potassium carbonate, K2CO3) (7.65 g, 55.36 mmol)을 1,4-디옥세인 (100ml) 및 물(H2O) (20ml)에 넣고 녹인 후, 120 ℃에서 1시간 30분 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층은 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 반응물은 실리카로 정제한 후, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하여 목적화합물 C-1을 7 g 얻었다(수율 92.10%).
2) 화합물 C의 제조
(메톡시메틸)트리-페닐포스포늄 클로라이드 ((Methoxymethyl)tri-phenylphosphonium chloride) (8.6g, 24.94 mmol)를 -78 ℃에서 무수 테트라히드로퓨란(anhydrous THF) (35 ml)에 넣고 녹인 후, 칼륨 터트-부톡사이드 (potassium tert-butoxide, t-BuOK) (2.8g, 24.94 mmol)을 넣고 30분 동안 교반 하였다. 화합물 C-1 (7g, 16.63 mmol)을 무수 테트라히드로퓨란(anhydrous THF) (35ml)에 넣고 녹인 후 적하깔때기(dropping funnel)를 이용하여 한방울씩 적하(dropwise) 한 후, 상온에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층은 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다.
반응물을 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM) (70 ml)에 넣고 녹인 후 메탄술폰산(methanesulfonic acid) (1.08 ml, 16.63 mmol)을 넣고 60 ℃에서 2시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 실온에서 증류수와 디클로로메탄 (dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층은 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하였다. 반응물은 실리카 정제하였고 반응물은 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:4)로 정제하여 목적화합물 C를 5.2 g 얻었다(수율 75.02%).
3) 화합물 95의 제조
화합물 C (5.7 g, 13.62 mmol), N-([1,1'-비페닐]-3-일)디벤조[b,d]티오펜-2-아민(N-([1,1'-biphenyl]-3-yl)dibenzo[b,d]thiophen-2-amine) (4.78 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스(Xphos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 소듐 터트-부톡사이드 (sodium tert-butoxide, t-BuONa)(2.62 g, 27.24 mmol)를 톨루엔(toluene) (57ml)에 넣고 녹인 후, 100 ℃에서 6시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 95를 8.40 g 얻었다(수율 84.25%).
4) 화합물 121의 제조
화합물 D (5.7 g, 13.62 mmol), (4-(디페닐아미노)페닐)보론산((4-(diphenylamino)phenyl)boronic acid) (3.94 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스 (Xphos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 수산화 나트륨 (sodium hydroxide, NaOH) (1.1 g, 27.24 mmol)를 1,4-디옥세인(50ml) 및 물(H2O)(10ml)에 넣고 녹인 후, 120 ℃에서 4시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 121을 7 g 얻었다(수율 82.22%).
5) 화합물 265의 제조
화합물 D (5.7 g, 13.62 mmol), 5-벤조[b]카바졸 (5-benzo[b]carbazole) (2.9 g, 13.62 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium, Pd2(dba)3) (0.62 g, 0.68 mmol), 엑스포스(Xphos) (0.65 g, 1.36 mmol) 및 소듐 터트-부톡사이드 (sodium tert-butoxide, t-BuONa) (2.62 g, 27.24 mmol)를 자일렌(Xylene) (50ml)에 넣고 녹인 후, 150 ℃에서 5시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후 생성된 고체를 필터하고 메탄올(MeOH)로 씻겨주어 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로폼에 녹여 실리카 정제한 후 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적화합물 265를 5.9 g 얻었다(수율 72.48%).
6) 화합물 D'의 제조 (화합물 199의 중간체 D 중수소 치환)
화합물 D (5.0g, 11.99 mmol)와 벤젠-d6(Benzene-d6) (50mL)을 500mL 둥근바닥 플라스크에 투입하고, 트리플루오로메탄설폰산(Triflic acid, TfOH) 15.08 mL를 천천히 적가하였다. 이후, 100 ℃에서 1 시간동안 교반시켰다. 반응이 완결된 다음, 실온으로 냉각시키고, 과량의 증류수와 메탄올(Methonol)로 세척하였다. 이 후, 건조시킨 다음, MC:Hex=1:2 조건의 컬럼(column)으로 분리하여 화합물 D' 4.7 g(11.9mmol, 수율: 90.4%)을 얻었다.
상기 제조예 2에서, 중간체 화합물 (f), (g), (h), (i) 및 (j) 대신, 하기 표 2의 중간체 (f), (g), (h), (i) 및 (j)를 사용하여, 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 목적화합물을 합성하였다.
화합물
번호		 중간체 (f)/(g) 중간체 (h)/(i)/(j) 목적화합물 수율
8

72%
14
76%
37
84%
50


81%
58


71%
60
84%
70


86%
77
66%
95
81%
101


74%
120


73%
121
82%
140
67%
147
72%
150


70%
155
76%
167
68%
174
82%
177


75%
179
66%
187
79%
199


86%
227



66%
242
82%
254
69%
256
75%
265
70%
270
73%
271
68%
272


76%
제조예 3 : 목적화합물의 제조
1) 화합물 1-1-2의 제조
1-브로모-3-클로로벤조[b]나프토[2,3-d]푸란(1-bromo-3-chloro-benzo[b]naphtho[2,3-d]furan) 6.0 g(18.09 mmol), 페닐보론산(phenylboronic acid)(l) (2.65 g, 21.71 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium, Pd(PPh3)4) (1.23g, 1.07 mmol) 및 탄산칼륨 (potassium carbonate, K2CO3) (5.89g, 42.62 mmol)을 1,4-디옥세인(30mL) 및 물(H2O) (6mL)에 넣고 녹인 후, 24시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 후, 실온에서 증류수와 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층을 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후, 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 용매를 제거한 반응물을 실리카로 정제한 후, 컬럼 크로마토그래피(DCM:Hex=1:5)로 정제하여 화합물 1-1-2를 5g 얻었다(수율 45%).
2) 화합물 1-1-1의 제조
상기 화합물 1-1-2 (5.0g, 15.21 mmol), 비스(피나콜라토)디보론(bis(pinacolato)diboron) (4.3g, 16.73 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)(Pd2(dba)3) (0.44g, 1.07 mmol), 디시클로헥실-(2',6'-디메톡시비페닐-2-일)포스핀(Sphos) (0.4g, 0.958 mmol), 및 아세트산 칼륨 (Potassium acetate, KOAc) (1.9g, 19.16 mmol)를 1,4-디옥세인(1,4-dioxane) (50mL)에 넣고 녹인 후 5시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 실온에서 증류수와 디클로로메탄(dichloromethane, DCM)을 넣고 추출하였고, 유기층을 황산 마그네슘 (MgSO4)으로 건조시킨 후, 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 용매를 제거한 반응물을 실리카로 정제한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 1-1-1을 3.27g 얻었다(수율 56%).
3) 목적 화합물 1-1의 제조
상기 화합물 1-1-1 (3.27g, 7.8 mmol), 2-클로로-4-페닐퀴나졸린(2-chloro-4-phenylquinazoline)(m) (1.9g, 7.8 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium, Pd(PPh3)4) (0.31g, 0.27 mmol) 및 탄산칼륨 (potassium carbonate, K2CO3) (1.47 g, 10.66 mmol)을 1,4-디옥세인(25mL) 및 물(H2O) (5mL)에 넣고 녹인 후, 3시간 동안 환류하였다. 반응이 완결된 다음, 생성된 고체를 필터하고, 증류수로 씻고, 건조시켰다. 건조된 고체를 클로로포름에 녹여 실리카로 정제한 후, 회전 증발기를 이용하여 용매를 제거하였다. 아세톤으로 재결정하여 목적 화합물 1-1을 3.1g 얻었다(수율 80%).
상기 제조예 3에서, 1-브로모-3-클로로벤조[b]나프토[2,3-d]푸란, 페닐보론산(phenylboronic acid) 및 2-클로로-4-페닐퀴나졸린(2-chloro-4-phenylquinazoline) 대신, 각각 하기 표 3의 중간체 (k), (l) 및(m)을 사용하여, 상기 제조예 3과 동일한 방법으로 하기 표 3의 목적 화합물을 합성하였다.
화합물
번호		 중간체(k) 중간체(l) 중간체(m) 목적화합물 수율
1-1

88%
1-6


84%
1-10

79%
1-22






86%
1-32


80%
1-41

83%
1-44


75%
1-50

69%
1-52



77%
1-54




79%
상기 제조예 1 내지 3 및 표 1 내지 3에 기재된 화합물 이외의 나머지 화합물도 전술한 제조예에 기재된 방법과 동일한 방법으로 제조하였고, 하기 표 4 및 표 5에 합성결과를 나타내었다. 하기 표 4는 화합물의 1H NMR(CDCl3, 300Mz)의 측정값이고, 하기 표 5는 FD-질량분석계(FD-MS: Field desorption mass spectrometry)의 측정값이다.
NO 1 H NMR(CDCl 3 , 300Mz)
8 9.27 (s, 1H), 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 3H), 7.59-7.24 (m, 19H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
14 9.27 (s, 1H), 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.10 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 3H), 7.59-7.27 (m, .22H), 7.14 (t, 1H), 7.08 (d, 1H)
37 9.27 (s, 1H), 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H),8.22 (s, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (d, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.56-7.00 (m, 17H)
50 9.27 (s, 1H), 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.96 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 1H), 7.74 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.64 (s, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.50 (t, 1H), 7.43 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
58 9.27 (s, 1H). 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.93 (d, 2H), 7.92 (d, 1H), 7.84 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 4H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 4H), 7.24 (t, 2H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
60 9.27 (s, 1H). 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 4H), 7.38-7.24 (m, 14H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
70 9.27 (s, 1H), 8.37 (d, 1H), 8.35 (d, 1H),8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.96 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.82-7.24 (m, 24H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
95 8.71 (s, 1H), 8.45 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.95 (s, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.86 (d, 2H), 7.75 (d, 3H), 7.55 (d, 1H), 7.59-7.27 (m, 15H), 7.18 (d, 1H), 7.17 (d, 1H)
101 8.71 (s, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.10 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 8.03 (d, 5H), 7.98 (d, 1H), 7.94 (s, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 3H), 7.71 (t, 1H), 7.61-7.27 (m, 18H), 7.14 (t, 1H), 6.94 (d, 1H)
121 9.11 (d, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.82 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 2H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
140 9.11 (d, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.25 (d, 2H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.82 (d, 1H), 7.71-7.24 (m, 20H), 7,11 (s, 1H), 7,08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
147 9.11 (d, 1H), 8.95 (d, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.27 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.59-7.24 (m, 19H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
150 9.11 (d, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.04 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.98 (d, 1H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.54 (d, 1H), 7.39-7.24 (m, 10H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H), 6.91 (d, 1H)
155 9.11 (d, 1H), 8.46 (s, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.90 (d, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.38-7.24 (m, 12H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
167 9.11 (d, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.04 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.83-7.17 (m, 22H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H), 6.91 (d, 1H)
174 9.11 (d, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.18 (s, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.74 (d, 1H), .7.68 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.33 (s, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.24-7.00 (m, 11H)
177 9.11 (d, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 4H), 7.52 (d, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 4H), 7.24 (t, 2H), 7.13 (d, 2H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
187 9.11 (d, 1H), 8.46 (d, 1H), 8.43 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.04 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.79 (d, 2H), 7.59-7.24 (m, 19H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H), 6.91 (d, 1H)
203 8.88 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.90 (s, 2H), 7.86 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.66 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.38 (t, 1H), 7.33 (s, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.28 (t, 2H), 7.24 (t, 2H), 7.16 (d, 1H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
227 8.88 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.90 (s, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75-7.32 (m, 21H), 7.27 (d,2 H), 7.11 (s, 1H)
237 8.88 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.92 (d, 2H), 7.90 (s, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75-7.24 (m, 22H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
242 9.05(s, 1H), 8.54 (d, 2H), 8.25 (d, 1H), 8.11 (D, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 2H), 7.94 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (d, 1H), 7.61 (t, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.53 (t, 2H), 7.52 (d, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (d, 1H), 7.16 (d, 1H)
254 9.05 (s, 1H), 8.55 (d, 1H), 8.45 (d, 1H), 8.25 (d, 1H), 8.11-7.75 (m, 11H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.39-7.31 (m, 7H), 7.16 (t, 1H), 7.11 (t, 1H)
256 9.05 (s, 1H), 8.55 (d, 2H), 8.25 (d, 1H), 8.19 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.82 (d. 1H), 7.75 (d, 1H), 7.67 (s, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.54 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.40 (d, 1H), 7.32 (d, 4H), 7.21 (d, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.18(t, 1H), 7.16 (t, 2H), 7.11 (t, 2H)
265 9.06 (d, 1H), 8.28 (d, 1H), 8.24 (s, 1H), 8.19 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 8.00 (d, 1H), 7.92 (d, 2H), 7.84 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.75 (t, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.48 (t, 1H), 7.40 (s, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.20 (t, 1H), 7.18 (t, 1H)
270 9.06 (d, 1H), 8.55 (d, 1H), 8.24 (s, 1H), 8.19 (d, 1H), 8.11 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 8.00 (d, 1H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.62 (t, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.58 (t, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.50 (d, 1H), 7.40-7.32 (m, 6H), 7.20-7.11 (d, 4H)
271 9.06 (d, 1H), 8.24 (s, 1H), 8.19 (d. 1H), 8.11(d, 1H), 8.03 (d, 4H), 8.00 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.92 (d, 2H), 7.82 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.54 (d, 1H), 7.49 (s, 1H), 7.42 (s, 1H), 7.40 (d, 1H), 7.39 (t, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.18 (t, 1H)
272 9.06 (d, 1H), 8.45 (d, 1H), 8.24-7.82 (m, 14H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.40 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.18 (t, 1H)
281 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 2H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
287 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.59-7.27 (m, 28H), 7.11 (s, 1H)
297 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 2H), 7.25 (d, 4H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
305 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.59-7.00 (m, 28H)
313 8.45 (d, 1H), 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.74 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.64 (s, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.55 (d, 3H), 7.43 (d, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.27 (d, 1H), 7.24 (t, 2H)
323 8.32 (s, 1H), 8.03 (3, 4H), 8.02 (s, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.60 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.57 (d, 1H), 7.55 (d, 2H), 7.47 (t, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
336 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.67-7.27 (m, 20H), 7.07 (d, 2H), 7.06 (d, 2H)
338 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.93 (d, 2H), 7.84 (d, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 5H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 4H), 7.24 (t, 2H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
340 8.32 (s, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 4H), 7.38 (d, 3H), 7.32 (t, 4H), 7.30 (d, 2H), 7.27 (d, 4H), 7.24 (t, 2H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
356 8.45 (d, 1H), 8.32 (s, 1H), 8.10 (d, 1H),8.03 (d, 4H), 7.99 (d, 1H), 7.95 (s, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.85 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.55 (t, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.43 (t, 2H), 7.42 (d, 1H), 7.41 (t, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.34 (t, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.27 (s, 1H), 7.26 (d, 1H), 7.17 (d, 2H), 7.14 (t, 1H), 7.08 (d, 2H)
376 8.10 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.75 (d, 2H), 7.67-7.27 (m, 20H), 7.18 (d, 1H), 7.17 (d, 1H), 7.14 (t, 1H), 7.11 (s, 1H), 7.08 (d, 2H)
382 8.54 (d, 2H), 8.03 (d, 5H), 7.99 (d, 2H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 2H), 7.61 (t, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.53 (t. 2H), 7.52 (d, 2H), 7.40 (d, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H) 7.16 (d, 1H)
391 8.19 (d, 1H), 8.03 (d, 5H), 7.98 (d, 1H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.49 (s, 1H), 7.42 (s, 1H), 7.40 (d, 1H), 7.39 (t, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.18 (t, 1H)
392 8.45 (d, 1H), 8.19 (d, 1H), 8.03 (d, 5H), 7.86 (s, 2H), 7.83 (s, 1H), 7.78 (s, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.55 (d, 1H), 7.40 (d, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.20 (t, 1H), 7.18 (t, 1H)
396 8.55 (d, 2H), 8.19 (d, 1H), 8.03 (d, 5H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 2H), 7.52 (d, 2H), 7.40 (d, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.20 (t, 1H), 7.19 (d, 1H), 7.18 (t, 1H), 7.16 (t, 2H), 7.11 (t, 2H)
397 8.55 (d, 1H), 8.54 (d, 2H), 8.03 (d, 5H), 7.98 (d, 1H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.61 (t, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.39 (t, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.16 (t, 1H), 7.11 (t, 1H)
403 8.04 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.71 (d, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.62 (d, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (s, 2H), 7.55 (d, 2H), 7.54 (d, 2H), 7.45 (t, 2H), 7.42 (d, 2H), 7.38 (d, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 1H), 7.11 (s, 2H)
411 8.04 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.75 (d, 4H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 7H), 7.54 (s, 1H), 7.49 (t, 4H), 7.41 (t, 2H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H),7.27 (d, 6H)
424 8.25 (d, 2H), 8.22 (d, 1H), 8.03 (d, 5H), 7.84 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.63 (t, 3H), 7.59 (t, 2H), 7.58 (d, 1H), 7.55 (d, 3H), 7.50 (d, 2H), 7.45 (t, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (d, 2H), 7.24 (t, 2H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
436 8.03 (d, 5H), 7.90 (d, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 5H), 7.54 (s, 2H), 7.49 (t, 2H), 7.41 (t, 1H), 7.38 (d, 2H), 7.33 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.28 (t, 1H), 7.27 (d, 4H), 7.16 (d, 1H), 1.69 (s, 6H)
445 8.04 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.98 (d, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.55 (s, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.53 (d, 1H), 7.49 (t, 2H), 7.41 (t, 1H), 7.39 (t, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.27 (d, 3H), 7.24 (t, 2H), 7.00 (t, 1H)
449 8.45 (d, 1H), 8.04 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.86 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.63 (d, 1H), 7.60 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.55 (d, 2H), 7.38 (d, 1H), 7.31 (t, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.24 (t, 4H), 7.08 (d, 4H), 7.00 (t, 2H)
466 8.03 (d, 5H), 7.75 (d, 2H), 7.67-7.32 (m, 21H), 7.07 (d, 2H), 7.06 (d, 2H)
493 8.03 (d, 4H), 7.75 (d, 4H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 3H), 7.54 (d, 1H), 7.49 (t, 4H), 7.41 (t, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.27 (s, 2H), 7.18 (d, 2H), 7.17 (d, 3H), 7.11 (s, 1H)
497 8.03 (d, 4H), 7.60 (s, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.75 (d, 4H), 7.67 (d, 1H), 7.55 (d, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.49 (t, 4H), 7.41 (t, 2H), 7.37 (d, 2H), 7.32 (t, 4H), 7.24 (t, 2H), 7.17 (d, 1H), 7.11 (s, 1H), 7.08 (d, 2H), 7.00 (t, 1H)
513 8.55 (d, 1H), 8.04 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.89 (s, 1H), 7.87 (d, 1H), 7.71 (d, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.62 (t, 4H), 7.59 (t, 2H), 7.58 (t, 2H), 7.56 (d, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.50 (d, 4H), 7.40 (d, 1H), 7.38 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.16 (t, 1H), 7.11 (T, 1H), 7.08 (d, 1H)
515 8.55 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.98 (d, 2H), 7.93 (d, 1H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.59 (t, 2H), 7.55 (d, 1H), 7.54 (d, 2H), 7.52 (d, 1H), 7.39 (d, 2H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 2H), 7.16 (t, 1H), 7.11 (t, 1H)
518 8.55 (d, 1H), 8.54 (d, 2H), 8.45 (d, 1H), 8.03 (d, 4H), 7.93 (d, 1H), 7.86 (d, 1H), 7.83 (s, 1H), 7.67 (d, 1H), 7.61 (t, 2H), 7.59 (t, 2H), 7.56 (t, 1H), 7.55 (d, 1H), 7.52 (d, 1H), 7.36 (d, 1H), 7.32 (t, 4H), 7.31 (t, 1H), 7.16 (d, 1H), 7.11 (d, 1H)
1-1 8.28 (d, 1H), 8.13 (d, 1H), 7.86 (s, 1H), 7.84 (d, 2H), 7.83 (t, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.80 (d, 2H), 7.79 (d, 2H), 7.75 (t, 1H), 7.65-7.41 (m, 10H)
1-6 8.36 (d, 2H), 8.28 (d, 1H), 8.25 (d, 2H), 8.09 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.86 (s, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.79 (d, 2H), 7.75 (t, 1H), 7.63 (t, 1H), 7.58 (t, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.50 (t, 3H), 7.49 (s, 1H), 7.48 (t, 1H), 7.46 (t, 2H), 7.42 (s, 1H), 7.41 (t, 1H), 7.25 (d, 2H)
1-10 9.09 (s, 1H), 8.49 (d, 1H), 8.36 (d, 2H), 8.26 (d, 1H), 8.16 (d, 1H), 8.09 (d, 1H), 8.08 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.86 (s, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.75 (t, 1H), 7.63-7.38 (m, 12H)
1-22 8.97 (d, 1H), 8.38 (d, 1H), 8.36 (d, 2H), 8.18 (d, 1H), 7.94 (s, 2H), 7.79 (d, 2H), 7.78 (d, 1H), 7.76 (s, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.71 (t, 1H), 7.64 (t, 1H), 7.61 (d, 1H), 7.50 (t, 3H), 7.49 (t, 2H), 7.48 (t, 1H), 7.46 (t, 2H), 7.41 (t, 2H), 7.38 (s, 1H)
1-32 9.09 (s, 1H), 8.97 (d, 1H), 8.49 (d, 1H), 8.18 (d, 1H), 8.16 (d, 1H), 8.09 (d, 2H), 8.08 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.99 (d, 2H), 7.83 (s, 1H), 7.64-7.61 (m, 17H)
1-41 8.36 (d, 4H), 8.28 (d, 1H), 8.09 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.84 (t, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.76 (d, 1H), 7.75 (t, 1H), 7.63 (t, 1H), 7.58 (t, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.50 (t, 6H), 7.49 (s, 1H), 7.48 (t, 1H), 7.42 (s, 1H), 7.38 (t, 1H), 7.25 (d, 4H)
1-44 8.36 (d, 2H), 8.28 (d, 1H), 8.25 (d, 2H), 8.09 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.84 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.76 (d, 1H), 7.75 (t, 1H), 7.74 (d, 2H), 7.63 (t, 1H), 7.58 (t, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.50 (t, 3H), 7.49 (s, 1H), 7.48 (t, 3H), 7.42 (s, 1H), 7.41 (t, 1H), 7.25 (d, 2H)
1-50 9.09 (s, 1H), 8.49 (d, 1H), 8.25 (d, 2H), 8.16 (d, 1H), 8.09 (d, 1H), 8.08 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.86 (s, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.75 (d, 2H), 7.63-7.25 (m, 14H)
1-52 9.09 (s, 1H), 8.49 (d, 1H), 8.36 (d, 2H), 8.16 (d, 1H), 8.09 (d, 1H), 8.08 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.99 (s, 1H), 7.78 (d, 1H), 7.76 (s, 1H), 7.63 (t, 1H), 7.61 (t, 1H), 7.60 (d, 1H), 7.58 (t, 1H), 7.57 (d, 3H), 7.55 (s, 1H), 7.47 (t, 1H)
1-54 9.09 (s, 1H), 8.49 (d, 1H), 8.36 (d, 2H), 8.16 (d, 1H), 8.09 (d, 1H), 8.06 (d, 1H), 8.00 (d, 1H), 7.99 (d, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.86 (s, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.63 (t, 1H), 7.61 (t, 1H), 7.58 (t, 1H), 7.57 (t, 1H)m, 7.55 (s, 1H), 7.54 (d, 1H), 7.50 (t, 3H), 7.39-7.25 (m, 7H)
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
8 m/z= 701.28 (C52H35N3=701.87) 14 m/z= 793.35 (C59H43N3=794.01)
37 m/z= 765.28 (C56H35N3O=765.92) 50 m/z= 731.24 (C52H33N3S=731.92)
58 m/z= 726.28 (C53H34N4=726.88) 60 m/z= 757.35 (C56H43N3=757.98)
70 m/z= 807.27 (C58H37N3S=808.02) 77 m/z=719.40 (C52H17D18N3=719.98)
95 m/z=731.24 (C52H33N3S=731.92) 101 m/z=791.29 (C58H37N3O=791.95)
120 m/z=826.39(C58H18D19N3S=827.13) 121 m/z=625.25 (C46H31N3=625.78)
140 m/z=751.30 (C56H37N3=751.93) 147 m/z=751.30 (C56H37N3=751.93)
150 m/z=715.26 (C52H33N3O=715.86) 155 m/z=741.31 (C55H39N3=741.94)
167 m/z=791.29 (C58H37N3O=791.95) 174 m/z=741.31 (C55H39N3=741.94)
177 m/z=719.27 (C52H34FN3=719.86) 179 m/z=769.27 (C53H34F3N3=769.87)
187 m/z=791.29 (C58H37N3O=791.95) 199 m/z=731.47 (C52H5D30N3=732.06)
203 m/z=665.28 (C49H35N3=665.84) 227 m/z=675.27 (C50H33N3=675.84)
237 m/z=701.28 (C52H35N3=701.87) 242 m/z=647.24 (C48H29N3=647.78)
254 m/z=743.20 (C52H29N3OS=743.88) 256 m/z=712.26 (C52H32N4=712.86)
265 m/z=597.22 (C44H27N3=597.72) 270 m/z=712.26 (C52H32N4=712.86)
271 m/z=637.22 (C46H27N3O=637.74) 272 m/z=653.19 (C46H27N3S=653.80)
281 m/z=575.24 (C42H29N3=575.72) 287 m/z= 701.28 (C52H35N3=701.87)
297 m/z= 667.30 (C49H37N3=667.86) 305 m/z= 701.28 (C52H35N3=701.87)
313 m/z= 681.22 (C48H31N3S=681.86) 323 m/z= 665.25 (C48H31N3O=665.80)
336 m/z=669.26 (C48H32FN3=669.80) 338 m/z= 676.26 (C49H32N4=676.82)
340 m/z= 707.33 (C52H41N3=707.92) 343 m/z= 687.25(C48H31F2N3=687.79)
356 m/z= 757.26 (C54H35N3S=757.96) 359 m/z=666.36(C48H18D15N3=666.90)
372 m/z=625.25 (C46H31N3=625.78) 376 m/z=651.27 (C48H33N3=651.81)
391 m/z=587.20 (C42H25N3O=587.68) 392 m/z=603.18 (C42H25N3S=603.74)
382 m/z=597.22 (C44H27N3=597.72) 396 m/z=662.25 (C48H30N4=662.80)
397 m/z=637.22 (C46H27N3O=637.74) 403 m/z= 675.27 (C50H33N3=675.84)
411 m/z=727.30 (C54H37N3=727.91) 424 m/z=701.28 (C52H35N3=701.87)
436 m/z=767.33 (C57H41N3=767.98) 445 m/z=741.28 (C54H35N3O=741.89)
449 m/z=681.22 (C48H31N3S =681.86) 459 m/z=719.25 (C49H32F3N3=719.81)
466 m/z=741.28 (C54H35N3O =741.89) 493 m/z=719.25 (C48H33N3=651.81)
478 m/z=791.47(C54HD34N3S =792.16) 497 m/z=719.25 (C48H33N3=651.81)
513 m/z=738.28 (C54H34N4=738.89) 515 m/z=677.21(C48H27N3O2=677.76)
518 m/z=653.19 (C46H27N3S =653.80)
1-1 m/z=498.17 (C36H22N2O =498.59) 1-6 m/z=651.23 (C47H29N3O =651.77)
1-10 m/z=625.22 (C45H27N3O =625.73) 1-22 m/z=601.22 (C43H27N3O =601.71)
1-32 m/z=715.23 (C51H29N3O2=715.81) 1-41 m/z=651.23 (C47H29N3O =651.77)
1-44 m/z=651.23 (C47H29N3O =651.77) 1-50 m/z=651.23 (C47H29N3O =651.77)
1-52 m/z=575.20 (C41H25N3O =575.67) 1-54 m/z=651.23 (C47H29N3O =651.77)
<실험예>
실험예 1
(1) 유기 발광 소자의 제조 (적색 single Host & Mix Host)
115Å/100Å/15Å의 두께로 ITO/Ag/ITO가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO 처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 전극(양극) 위에 공통층인 정공 주입층으로 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌헥사카보니트릴 (1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile: HAT-CN)을 100Å의 두께로 증착하였고, 정공 수송층으로 N,N'-디-[(1-나프틸)-N,N'-디페닐]-1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (N,N'-di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine:α-NPB)을 1100Å의 두께로 증착하였고, 광보조층으로 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine: TPD)를 800Å의 두께로 증착하였고, 전자 저지층으로 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산 (1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane): TAPC)를 150Å의 두께로 증착하였다.
이와 같이 정공 주입층, 정공 수송층, 광보조층 및 전자 저지층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 6에 기재된 단일 화합물, 또는 하기 표 7에 기재된 화합물 두 종을 하나의 공급원에서 증착하였고, 적색 인광 도펀트로 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)을 3 wt% 도핑하여 400 Å의 두께로 증착하였다.
이후 정공 저지층으로 바토페난트롤린 (Bathophenanthroline, Bphen)을 30 Å의 두께로 증착하였으며, 그 위에 전자 수송층으로 TPBI를 250 Å의 두께로 증착하였다.
마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10 Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 은(Ag) 음극을 200 Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조하였다. 한편, 유기 발광 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-8~10-6torr 하에서 진공 승화 정제하여 유기 발광 소자의 제조에 사용하였다.
(2) 유기 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율
상기와 같이 제작된 유기 전계 발광 소자에 대하여 맥사이언스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T95를 측정하였다. 상기 T95는 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간인 수명(단위: h, 시간)을 의미한다. 본 발명에 따라 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 6 및 표 7과 같았다.
화합물 구동전압
(V) 		발광효율
(cd/A) 		색좌표
(x, y) 		수명
(T 95 )
비교예1 A 4.54 13.4 (0.682, 0.317) 16
비교예2 B 4.55 12.8 (0.682, 0.317) 16
비교예3 C 4.56 12.6 (0.681, 0.319) 14
비교예4 D 4.44 10.6 (0.681, 0.319) 12
비교예5 E 4.66 8.8 (0.681, 0.319) 10
비교예6 F 4.48 10.2 (0.681, 0.319) 8
비교예7 G 4.52 10.4 (0.682, 0.317) 16
비교예8 H 4.58 9.2 (0.681, 0.319) 14
비교예9 I 5.80 8.6 (0.682, 0.317) 12
실시예1 8 3.85 20.1 (0.682, 0.317) 85
실시예2 14 3.83 21.8 (0.682, 0.317) 90
실시예3 37 4.02 18.7 (0.682, 0.317) 78
실시예4 50 4.08 18.8 (0.682, 0.317) 75
실시예5 70 4.06 18.9 (0.681, 0.319) 77
실시예6 77 3.82 23.8 (0.681, 0.319) 123
실시예7 95 3.80 21.9 (0.681, 0.319) 88
실시예8 101 3.78 23.1 (0.682, 0.317) 102
실시예9 120 3.77 24.2 (0.682, 0.317) 134
실시예10 121 3.88 19.1 (0.681, 0.319) 80
실시예11 140 4.00 18.2 (0.681, 0.319) 70
실시예12 147 4.02 17.9 (0.682, 0.317) 73
실시예13 150 3.86 19.4 (0.681, 0.319) 82
실시예14 155 3.92 19.5 (0.682, 0.317) 75
실시예15 167 3.92 18.9 (0.682, 0.317) 80
실시예16 174 3.93 18.5 (0.682, 0.317) 70
실시예17 177 3.77 19.3 (0.681, 0.319) 72
실시예18 187 3.83 19.4 (0.681, 0.319) 80
실시예19 199 3.82 19.8 (0.681, 0.319) 100
실시예20 227 3.80 19.1 (0.681, 0.319) 80
실시예21 254 4.04 17.9 (0.682, 0.317) 69
실시예22 256 4.10 17.0 (0.682, 0.317) 70
실시예23 265 4.06 17.7 (0.682, 0.317) 68
실시예24 270 4.06 17.4 (0.682, 0.317) 66
실시예25 281 3.84 18.7 (0.681, 0.319) 77
실시예26 287 3.86 18.6 (0.681, 0.319) 74
실시예27 297 3.90 17.4 (0.682, 0.317) 70
실시예28 305 4.00 18.8 (0.681, 0.319) 71
실시예29 313 3.88 18.6 (0.682, 0.317) 80
실시예30 323 3.92 17.6 (0.681, 0.319) 73
실시예31 340 3.96 17.0 (0.682, 0.317) 66
실시예32 356 3.86 19.3 (0.682, 0.317) 83
실시예33 359 3.84 18.9 (0.681, 0.319) 95
실시예34 376 3.87 19.1 (0.682, 0.317) 85
실시예35 382 4.08 17.5 (0.682, 0.317) 66
실시예36 397 4.10 17.2 (0.681, 0.319) 64
실시예37 403 3.84 18.0 (0.681, 0.319) 71
실시예38 411 3.82 18.6 (0.681, 0.319) 74
실시예39 424 3.91 17.1 (0.682, 0.317) 70
실시예40 436 3.94 18.1 (0.682, 0.317) 70
실시예41 445 3.86 17.6 (0.681, 0.319) 75
실시예42 449 3.85 17.4 (0.681, 0.319) 72
실시예43 466 3.86 18.0 (0.681, 0.319) 76
실시예44 493 3.88 19.8 (0.682, 0.317) 77
실시예45 497 3.91 17.1 (0.682, 0.317) 71
실시예46 513 4.10 17.3 (0.681, 0.319) 65
실시예47 518 4.10 17.0 (0.681, 0.319) 63
실시예48 336 3.76 19.0 (0.681, 0.319) 70
실시예49 338 3.83 18.3 (0.681, 0.319) 67
실시예50 459 3.82 18.2 (0.681, 0.319) 65
실시예51 478 3.83 19.1 (0.681, 0.319) 99
실시예52 396 4.00 17.4 (0.681, 0.319) 64
실시예53 391 4.04 17.2 (0.681, 0.319) 68
실시예54 392 4.07 17.0 (0.681, 0.319) 66
실시예55 515 4.07 17.4 (0.682, 0.317) 62
실시예56 58 3.80 18.6 (0.681, 0.319) 69
실시예57 179 3.80 18.1 (0.681, 0.319) 64
실시예58 60 3.94 17.6 (0.682, 0.317) 67
실시예59 242 4.00 17.7 (0.682, 0.317) 69
실시예60 271 4.02 17.6 (0.681, 0.319) 70
실시예61 272 4.05 17.3 (0.681, 0.319) 68
제1
호스트 		제2
호스트 		비율
(N:P) 		구동
전압
(V) 		발광
효율
(cd/A) 		색좌표
(x, y) 		수명
(T 95 )
비교예10 A 1-1 1:1 4.30 15.4 (0.681, 0.319) 40
실시예62 281 1-1 1:1 3.44 28.7 (0.681, 0.319) 117
비교예11 I 1-6 1:1 5.41 14.6 (0.681, 0.319) 50
실시예63 101 1-6 1:1 3.38 33.0 (0.682, 0.317) 142
실시예64 449 1-10 1:2 3.47 27.4 (0.681, 0.319) 110
실시예65 50 1-10 1:2 3.68 28.8 (0.682, 0.317) 113
비교예12 H 1-22 1:2 4.18 17.6 (0.681, 0.319) 51
실시예66 265 1-22 1:3 3.66 27.6 (0.681, 0.319) 108
실시예67 14 1-22 1:3 3.43 32.0 (0.682, 0.317) 130
실시예68 177 1-32 1:3 3.38 28.3 (0.682, 0.317) 103
실시예69 466 1-41 1:3 3.46 28.0 (0.681, 0.319) 116
비교예13 G 1-41 1:2 4.11 20.1 (0.681, 0.319) 57
실시예70 77 1-41 1:2 3.41 34.0 (0.681, 0.319) 173
실시예71 167 1-44 1:1 3.52 28.9 (0.682, 0.317) 119
실시예72 411 1-44 1:1 3.40 28.8 (0.682, 0.317) 113
실시예73 382 1-44 1:1 3.67 27.5 (0.681, 0.319) 108
실시예74 270 1-32 1:1 3.65 27.7 (0.681, 0.319) 106
실시예75 8 1-54 2:1 3.44 30.3 (0.681, 0.319) 125
실시예76 493 1-54 2:1 3.42 29.7 (0.682, 0.317) 116
비교예14 F 1-54 1:3 4.06 20.0 (0.682, 0.317) 46
실시예77 313 1-50 1:3 3.48 28.4 (0.681, 0.319) 123
실시예78 95 1-50 1:1 3.40 31.9 (0.681, 0.319) 130
실시예79 199 1-52 1:2 3.41 29.8 (0.682, 0.317) 142
실시예80 436 1-52 1:3 3.51 28.3 (0.682, 0.317) 111
실시예81 359 1-6 1:3 3.43 29.1 (0.682, 0.317) 134
실시예82 287 1-6 1:1 3.46 28.8 (0.681, 0.319) 112
상기 표 6은 단일 호스트 물질을 적용한 예이며, 표 7은 제1 호스트로 본 발명의 화합물 중 정공 수송 능력이 좋은 화합물(donor(p-Host))을 사용하고, 제2 호스트로는 본 발명의 화합물 중 전자 수송 능력이 좋은 화합물(acceptor(n-Host))을 사용하여 두 개의 호스트 화합물을 하나의 공급원으로 증착한 예이다.
이 때, 비교예 1 내지 9에 사용된 비교 화합물 A 내지 I는 하기와 같다:
Figure pat00303
상기 표 6 및 7의 결과에서, 본 발명의 헤테로고리 화합물은 도너(donor)로 정공 수송 능력이 더 좋은 즉, 도네이팅(donating) 세기가 더 큰 아릴 아민(aryl amine)를 치환기로 갖는 경우 억셉터(acceptor)와의 밸런스 효과가 더 커져 높은 호모 레벨(HOMO level)을 갖게 되어 구동 전압이 더 감소하고 수명이 증가하여 유기 발광 소자의 레드 호스트로 적합함을 알 수 있다.
또한 비교 화합물 I는 본원 화합물과 비교했을 때, 도너(donor) 성격이 강한 아릴 아민이나, 카바졸이 치환되어 있지 않다. 정공 수송 능력이 좋은 도너인 아민기를 치환기로 가지는 경우, 높은 호모 레벨로 인하여 정공 이동도(Hole mobility)가 증가하고, 전자 차단 효과를 가진다. 따라서, 본 발명의 헤테로고리 화합물을 정공 수송층의 재료로 사용하는 경우, 구동 전압이 낮아지는 효과가 있고, 발광층의 재료로 사용하는 경우, 누설전류(current leakage) 감소 및 전자 구속(electron confinement) 효과를 통해 효율이 개선된다. 상기 표 6과 7에서 알 수 있듯이 비교 화합물 A 내지 I를 유기물층에 사용한 유기 발광 소자의 효율과 수명이 감소함을 알 수 있다.
또한, 비교 화합물 A 내지 F는 상기 표 6과 7에서 알 수 있듯이 구동 전압은 감소했으나, 도너(donor) 성격이 강한 아릴 아민을 치환했음에도 불구하고 수명과 효율은 낮음을 확인할 수 있다. 이는 헤테로고리 화합물 코어(core)의 치환기 위치에 따라서, T1 레벨(level)이 높아 레드 도펀트로 에너지 전달이 용이하지 않으며 밴드 갭(band gap)이 커서 저항이 크므로, 유기 발광 소자의 안정성이 떨어져 수명이 저하됨을 확인할 수 있다.
또한 비교 화합물 A 내지 E는 스피로(spiro)형태의 축합된 카바졸이 치환된 경우 열안정성이 좋지않아 소자의 수명 저하에 영향을 미친다.
비교 화합물 G와 H는 대칭적인 코어에 대칭적으로 도너가 치환되었을 경우 amorphous하지 못하고 결정성이 좋아져 morphology가 작아 기판에 열화를 일으켜 소자의 수명을 저하시킨다.
따라서 본원 화합물은 보다 밴드 갭(band gap)이 줄어들고 T1 레벨(level)이 작아져 수명과 효율을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
또한, 상기 표 7에서 알 수 있듯이, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물과 화학식 A의 헤테로고리 화합물을 동시에 유기 발광 소자의 유기물층에 포함하는 경우, 유기 발광 조사의 구동전압, 효율 및 수명을 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
이 결과는 두 화합물을 동시에 포함하여 엑시플렉스(Exciplex)현상이 일어남을 예상할 수 있다. 상기 엑시플렉스(Exciplex)현상은 강한 도너(donor) 특성을 가지는 분자와 강한 억셉터(acceptor) 특성을 가지는 분자간의 전자 교환으로 도너(p-Host)의 호모 레벨, 억셉터(n-Host) 루모 레벨 크기의 에너지를 방출하는 현상이다. 정공 수송 능력이 좋은 도너(p-host)와 전자 수송 능력이 좋은 억셉터(n-Host)가 발광층의 호스트로 사용될 경우 정공은 p-host로 주입되고, 전자는 n-host로 주입되기 때문에 구동 전압을 낮출 수 있고, 그로 인해 수명 향상에 도움을 줄 수 있다. 이렇게 두 분자간의 엑시플렉스(Exciplex) 현상이 일어나면 역항간 교차(Reverse Intersysterm Crossing, RISC)가 일어나게 되고 이로 인해 내부 양자 효율이 100 %까지 올라갈 수 있다.
실험예 2
(1) 유기 발광 소자의 제조 (2stack Red N+P mixed Host)
1,500Å의 두께로 인듐틴옥사이드(ITO, Indium Tinoxide)가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV(Ultraviolet) 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO(Ultraviolet Ozone)처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 공통층인 정공 주입층으로 4,4’,4’’-트리스[2-나프틸(페닐)아미노] 트리페닐아민 (4,4',4''-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino] triphenylamine: 2-TNATA)을 증착하였고, 정공 수송층으로 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine: NPB)을 증착하였다.
이와 같이 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 8에 기재된 화학식 1 및 2의 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 2 wt% 도핑하여 400Å의 두께로 증착하였다.
이후, 전자 수송층으로 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium, Alq3)을 120 Å의 두께로 증착하였고, 그 위에 전하 생성층으로 바토페난트롤린 (Bathophenanthroline, Bphen)을 120 Å의 두께로 증착하였으며, 그 위에 또한 전하 생성층으로 삼산화몰리브덴(Molybdenum trioxide, MoO3)을 100 Å의 두께로 증착하였다.
이후, 정공 수송층으로 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine: NPB)을 420 Å의 두께로 증착하였다.
그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 적색 호스트로 하기 표 8에 기재된 화학식 1 및 2의 화합물, 적색 인광 도펀트로 (piq)2(Ir)(acac)을 사용하여 호스트에 (piq)2(Ir)(acac)를 2% 도핑하여 400 Å의 두께로 증착하였다.
이후 전자 수송층으로 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄 (tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium, Alq3)을 300 Å의 두께로 증착하였다.
마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 20 Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200 Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조하였다. 한편, 유기 발광 소자의 제조에 필요한 모든 유기 화합물은 재료별로 각각 10-6~10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 유기 발광 소자의 제조에 사용하였다.
상기와 같이 제작된 유기 발광 소자에 대하여 맥사이언스사의 M7000으로 전계 발광(EL)특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명장비측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 6,000 cd/m2 일 때, T95을 측정하였다. 본 발명에 따라 제조된 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 8과 같았다.
제1
호스트 		제2
호스트 		비율
(N:P) 		구동
전압
(V) 		발광
효율
(cd/A) 		색좌표
(x, y) 		수명
(T 95 )
비교예15 A 1-1 1:1 7.14 30.3 (0.681, 0.319) 79
실시예83 281 1-1 1:1 5.71 56.5 (0.681, 0.319) 230
비교예16 I 1-6 1:1 8.98 28.8 (0.681, 0.319) 99
실시예84 101 1-6 1:1 5.61 65.0 (0.682, 0.317) 280
실시예85 449 1-10 1:2 5.76 54.0 (0.681, 0.319) 217
실시예86 50 1-10 1:2 6.11 56.7 (0.682, 0.317) 223
비교예17 H 1-22 1:2 6.94 34.7 (0.681, 0.319) 100
실시예87 265 1-22 1:3 6.08 54.4 (0.681, 0.319) 213
실시예88 14 1-22 1:3 5.69 63.0 (0.682, 0.317) 256
실시예89 177 1-32 1:3 5.61 55.8 (0.682, 0.317) 203
실시예90 466 1-41 1:3 5.74 55.2 (0.681, 0.319) 229
비교예18 G 1-41 1:2 6.82 39.6 (0.681, 0.319) 112
실시예91 77 1-41 1:2 5.66 67.0 (0.681, 0.319) 341
실시예92 167 1-44 1:1 5.84 56.9 (0.682, 0.317) 234
실시예93 411 1-44 1:1 5.64 56.7 (0.682, 0.317) 223
실시예94 382 1-44 1:1 6.09 54.2 (0.681, 0.319) 213
실시예95 270 1-32 1:1 6.06 54.6 (0.681, 0.319) 209
실시예96 8 1-54 2:1 5.71 59.7 (0.681, 0.319) 246
실시예97 493 1-54 2:1 5.68 58.5 (0.682, 0.317) 229
비교예19 F 1-54 1:3 6.74 39.4 (0.682, 0.317) 91
실시예98 313 1-50 1:3 5.78 55.9 (0.681, 0.319) 242
실시예99 95 1-50 1:1 5.64 62.8 (0.681, 0.319) 256
실시예100 199 1-52 1:2 5.66 58.7 (0.682, 0.317) 280
실시예101 436 1-52 1:3 5.83 55.8 (0.682, 0.317) 219
실시예102 359 1-6 1:3 5.69 57.3 (0.682, 0.317) 264
실시예103 287 1-6 1:1 5.74 56.7 (0.681, 0.319) 221
상기 표 8의 결과에서, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 A로 표시되는 화합물을 모두 포함하는 발광층을 2 스택으로 적층하여 유기 발광 소자를 제조한 경우에, 발광층이 2회 증착 되어, 단일 스택으로 제조한 경우에 비하여 효율이 증가됨을 확인할 수 있었다.
한편, 2 스택을 포함하는 유기 발광 소자에 있어서도 실험예 1과 같이 단일 스택으로 제조한 유기 발광 소자에서와 마찬가지로, 본 발명의 상기 화학식 A로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함함으로써, 정공 이동도(Hole mobility)의 증가로 인하여 구동전압을 현저히 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 전자 저지(Electron block)를 통한 전류 누설(Current leakage)의 감소와 전자 구속(Electron confinement)으로 인해 효율 또한 개선됨을 확인할 수 있었다.
100 : 기판
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1]

    상기 화학식 1에서,
    a는 0 또는 1의 정수이고,
    R1 내지 R6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    상기 R5 및 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 2-1로 표시되는 기; 또는 하기 화학식 2-2로 표시되는 기이고,
    m1 및 m2는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수 중 하나이고, a가 1인 경우, m1은 1 또는 2의 정수이고,
    [화학식 2-1]

    [화학식 2-2]

    상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;이며,
    R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
    r은 1 내지 8의 정수 중 하나이고,
    L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기;이고,
    n1 및 n2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중 하나이고, n1 및 n2가 2 이상인 경우, L1 또는 L2는 서로 같거나 상이하다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-a 또는 화학식 1-b로 표시되는 것인, 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1-a]

    [화학식 1-b]

    상기 화학식 1-a 및 화학식 1-b에서,
    R1 내지 R6, m1 및 m2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-a-1 또는 화학식 1-b-1로 표시되는 것인, 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1-a-1]

    [화학식 1-b-1]

    상기 화학식 1-a-1 및 화학식 1-b-1에서,
    R1 내지 R6, L1, Ar1, Ar2, n1, m1 및 m2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-a-2 또는 화학식 1-b-2로 표시되는 것인, 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1-a-2]

    [화학식 1-b-2]

    상기 화학식 1-a-2 및 화학식 1-b-2에서,
    R1 내지 R7, L2, n2, m1, m2 및 r은 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 1-a-1-1, 화학식 1-a-1-2, 화학식 1-a-2-1, 화학식 1-a-2-2, 화학식 1-b-1-1, 화학식 1-b-1-2, 화학식 1-b-2-1 및 화학식 1-b-2-2 중 어느 하나로 표시되는 것인, 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1-a-1-1]

    [화학식 1-a-1-2]

    [화학식 1-a-2-1]

    [화학식 1-a-2-2]

    [화학식 1-b-1-1]

    [화학식 1-b-1-2]

    [화학식 1-b-2-1]

    [화학식 1-b-2-2]

    상기 화학식 1-a-1-1, 화학식 1-a-1-2, 화학식 1-a-2-1, 화학식 1-a-2-2, 화학식 1-b-1-1, 화학식 1-b-1-2, 화학식 1-b-2-1 및 화학식 1-b-2-2에서,
    R1 내지 R7, L1, L2, Ar1, Ar2, n1, n2, m1, m2 및 r은 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기인 것인, 헤테로고리 화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2-2로 표시되는 기는 하기 화학식 2-2-a, 화학식 2-2-b, 화학식 2-2-c 또는 화학식 2-2-d로 표시되는 기 중 어느 하나인 것인, 헤테로고리 화합물:
    [화학식 2-2-a]

    [화학식 2-2-b]

    [화학식 2-2-c]

    [화학식 2-2-d]

    상기 화학식 2-2-a 내지 2-2-d에서,
    L2 및 n2는 상기 화학식 1에서 정의된 바와 같고,
    R7a 내지 R7e는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 NR', O 또는 S이고, 여기서 R'은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기이고,
    b1, b2 및 b3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
    b4는 0, 1 또는 2의 정수이고, 단, b4가 2인 경우, b2는 0이고,
    r1, r2 및 r3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수 중 하나이다.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물이 치환기로서 중수소를 포함하지 않거나, 수소 원자와 중수소 원자의 총수를 기준으로 중수소의 함량이 1 % 내지 100 %인 것인, 헤테로고리 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인, 헤테로고리 화합물:

























  10. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층;을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 호스트 물질을 포함하며,
    상기 호스트 물질은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 전지저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 유기물층은 하기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물을 추가로 포함하는 것인, 유기 발광 소자:
    [화학식 A]

    상기 화학식 A에서,
    X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CR"이고,
    상기 X1 내지 X3 중 적어도 2 이상은 N이며,
    상기 R11 내지 R13 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
    상기 R11 내지 R13 중 적어도 하나는 하기 화학식 B-1 또는 화학식 B-2로 표시되는 기인 것인, 유기 발광 소자:
    [화학식 B-1]

    [화학식 B-2]

    상기 화학식 B-1 및 B-2에서,
    X11은 O 또는 S이고,
    c는 0 또는 1의 정수이고,
    R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    a1은 1 내지 3의 정수 중 하나이고,
    a2는 1 내지 4의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a2는 1 또는 2일 수 있고,
    a3은 1 내지 4의 정수 중 하나이고,
    a4는 1 내지 3의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a4는 1일 수 있다.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1, 화학식 A-2 또는 화학식 A-3 중 어느 하나로 표시되는 것인, 유기 발광 소자:
    [화학식 A-1]

    [화학식 A-2]

    [화학식 A-3]

    상기 화학식 A-1 내지 화학식 A-3에서,
    X1a 내지 X3a는 상기 화학식 A의 X1 내지 X3의 정의와 같고,
    X4는 O 또는 S이고,
    R11 내지 R15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
    p는 1 내지 4의 정수 중 하나이고,
    q는 1 내지 4의 정수 중 하나이다.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물은 하기 화합물들로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것인, 유기 발광 소자:


  17. (a) 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물; 및
    (b) 하기 화학식 A로 표시되는 헤테로고리 화합물;을 포함하는, 유기물층용 조성물:
    [화학식 A]

    상기 화학식 A에서,
    X1 내지 X3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 N 또는 CR"이고,
    상기 X1 내지 X3 중 적어도 2 이상은 N이며,
    상기 R11 내지 R13 및 R"는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 방향족 탄화수소 고리; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로고리;를 형성하고,
    상기 R11 내지 R13 중 적어도 하나는 하기 화학식 B-1 또는 화학식 B-2로 표시되는 기인 것인, 유기 발광 소자:
    [화학식 B-1]

    [화학식 B-2]

    상기 화학식 B-1 및 B-2에서,
    X11은 O 또는 S이고,
    c는 0 또는 1의 정수이고,
    R16 내지 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 알키닐기; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    a1은 1 내지 3의 정수 중 하나이고,
    a2는 1 내지 4의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a2는 1 또는 2일 수 있고,
    a3은 1 내지 4의 정수 중 하나이고,
    a4는 1 내지 3의 정수 중 하나이고, c가 1인 경우, a4는 1일 수 있다.
  18. 제17항에 있어서,
    (a) 상기 헤테로고리 화합물 및 (b) 상기 헤테로고리 화합물의 중량비가 1:10 내지 10:1인 것인, 유기물층용 조성물.

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