KR20240072871A - Method for operating nonvolatile memory device based on temperature of memory and electronic device supporting the same - Google Patents

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KR20240072871A
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Abstract

일 실시예에 따르면, 전자 장치로서, 제1 메모리; 제2 메모리; 및 상기 제1 메모리, 및 상기 제2 메모리와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제2 메모리의 온도를 확인하고, 상기 제2 메모리의 온도가 상기 제2 메모리에 대한 경고 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제1 메모리의 온도를 확인하고, 및 상기 제1 메모리의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리의 동작을 제한하도록 구성된, 전자 장치가 제공될 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.According to one embodiment, an electronic device includes: a first memory; second memory; and at least one processor operatively connected to the first memory and the second memory, wherein the at least one processor determines a temperature of the second memory, and determines the temperature of the second memory when the temperature of the second memory is adjusted to the temperature of the second memory. An electronic device configured to check the temperature of the first memory based on confirming that it is within a warning interval for the second memory, and to limit operation of the second memory based on the temperature of the first memory. can be provided. Various other embodiments are possible.

Description

메모리의 온도에 기반하여 비휘발성 메모리를 운영하는 방법 및 이를 지원하는 전자 장치 {METHOD FOR OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE BASED ON TEMPERATURE OF MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE SUPPORTING THE SAME}Method for operating non-volatile memory based on the temperature of the memory and electronic device supporting the same {METHOD FOR OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE BASED ON TEMPERATURE OF MEMORY AND ELECTRONIC DEVICE SUPPORTING THE SAME}

본 개시의 실시예들은 메모리의 온도에 기반하여 비휘발성 메모리를 운영하는 방법 및 이를 지원하는 전자 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a method of operating a non-volatile memory based on the temperature of the memory and an electronic device supporting the same.

전자 장치는 하드웨어 및 소프트웨어의 두 가지 측면으로 구성될 수 있다. 하드웨어의 측면에서 전자장치는 프로세스의 연산 및 처리를 위한 프로세서(CPU, 또는 SOC)와, 프로세스를 위한 데이터가 로딩되는 메모리를 포함할 수 있다. 소프트웨어의 측면에서, 전자 장치는 시스템의 기본 관리를 수행하는 운영체제(또는 커널)과, 운영체제 상에서 구동하며 프로세스를 실행하는 어플리케이션을 포함할 수 있다. 예를 들면, 프로세서(CPU)는 운영체제에 해당하는 데이터를 메모리에 로딩하여 실행시키고, 운영체제가 실행되는 동안에 어플리케이션을 메모리에 로딩하여 운영체제 상에서 실행시킴으로써, 최종적으로 어플리케이션의 실행에 의해 프로세스가 수행된다.Electronic devices can consist of two aspects: hardware and software. In terms of hardware, an electronic device may include a processor (CPU, or SOC) for calculating and processing a process, and a memory into which data for the process is loaded. In terms of software, an electronic device may include an operating system (or kernel) that performs basic management of the system, and applications that run on the operating system and execute processes. For example, the processor (CPU) loads data corresponding to the operating system into memory and executes it, and while the operating system is running, the application is loaded into memory and executed on the operating system. Finally, the process is performed by executing the application.

최근에는 전자 장치가 다양한 서비스를 제공함에 따라 다양한 어플리케이션들을 포함할 수 있으며, 여러 어플리케이션이 동시에 실행함에 따라 어플리케이션이 로딩되어 실행되는 메모리의 관리도 중요하게 되었다. 전자 장치는 메모리의 온도를 감지하고, 메모리의 온도를 관리할 수 있다.Recently, as electronic devices provide various services, they can include various applications, and as multiple applications are executed simultaneously, management of memory where the applications are loaded and executed has also become important. Electronic devices can detect the temperature of the memory and manage the temperature of the memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 제1 메모리, 제2 메모리, 및 상기 제1 메모리 및 상기 제2 메모리와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제2 메모리의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제2 메모리의 온도가 상기 제2 메모리에 대한 경고 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제1 메모리의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제1 메모리의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리의 동작을 제한하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, an electronic device may be configured to include a first memory, a second memory, and at least one processor operatively connected to the first memory and the second memory. The at least one processor may be configured to check the temperature of the second memory. The at least one processor may be configured to check the temperature of the first memory based on confirming that the temperature of the second memory is within a warning range for the second memory. The at least one processor may be configured to limit the operation of the second memory based on the temperature of the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 제1 메모리, 제2 메모리, 및 상기 제1 메모리 및 상기 제2 메모리와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제1 메모리의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서는, 상기 제1 메모리의 온도가 상기 제1 메모리에 대한 안정 구간을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리의 동작을 제한하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, an electronic device may be configured to include a first memory, a second memory, and at least one processor operatively connected to the first memory and the second memory. The at least one processor may be configured to check the temperature of the first memory. The at least one processor may be configured to limit the operation of the second memory based on confirming that the temperature of the first memory deviates from a stable range for the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치의 메모리를 운영하는 방법은, 상기 전자 장치의 제2 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제2 메모리의 온도가 상기 제2 메모리에 대한 경고 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치의 제1 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 메모리의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of operating a memory of an electronic device may include checking the temperature of a second memory of the electronic device. The method may include checking the temperature of the first memory of the electronic device based on confirming that the temperature of the second memory is within a warning range for the second memory. The method may include limiting the operation of the second memory based on the temperature of the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치의 메모리를 운영하는 방법은, 상기 전자 장치의 제1 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 메모리의 온도가 상기 제1 메모리에 대한 안정 구간을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치의 제2 메모리의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of operating a memory of an electronic device may include checking the temperature of the first memory of the electronic device. The method may include limiting the operation of the second memory of the electronic device based on confirming that the temperature of the first memory deviates from a stable range for the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 인스트럭션들을 저장하고 있는 비일시적 저장 매체에 있어서, 상기 인스트럭션들은 전자 장치의 적어도 하나의 회로에 의해서 실행될 때에 상기 전자 장치로 하여금 적어도 하나의 동작을 수행하도록 설정될 수 있다. 상기 적어도 하나의 동작은, 상기 전자 장치의 제2 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 동작은, 상기 제2 메모리의 온도가 상기 제2 메모리에 대한 경고 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치의 제1 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 동작은, 상기 제1 메모리의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, in a non-transitory storage medium storing instructions, the instructions may be set to cause the electronic device to perform at least one operation when executed by at least one circuit of the electronic device. there is. The at least one operation may include checking the temperature of the second memory of the electronic device. The at least one operation may include checking the temperature of the first memory of the electronic device based on confirming that the temperature of the second memory is within a warning range for the second memory. The at least one operation may include limiting the operation of the second memory based on the temperature of the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 인스트럭션들을 저장하고 있는 비일시적 저장 매체에 있어서, 상기 인스트럭션들은 전자 장치의 적어도 하나의 회로에 의해서 실행될 때에 상기 전자 장치로 하여금 적어도 하나의 동작을 수행하도록 설정될 수 있다. 상기 적어도 하나의 동작은, 상기 전자 장치의 제1 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 동작은, 상기 제1 메모리의 온도가 상기 제1 메모리에 대한 안정 구간을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치의 제2 메모리의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, in a non-transitory storage medium storing instructions, the instructions may be set to cause the electronic device to perform at least one operation when executed by at least one circuit of the electronic device. there is. The at least one operation may include checking the temperature of the first memory of the electronic device. The at least one operation may include limiting the operation of the second memory of the electronic device based on confirming that the temperature of the first memory deviates from a stable range for the first memory.

본 개시의 일 실시예에 따른, 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The means for solving the problem according to an embodiment of the present disclosure are not limited to the above-mentioned solution means, and the solution methods not mentioned may be used by those with ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains from the present specification and the attached drawings. You will be able to understand it clearly.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 구성의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 메모리의 온도에 기반하여 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4a 및 도 4b는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 메모리에 대하여 온도 한계선을 설정하는 일 예시를 나타내는 도면이다.
도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 제1 메모리 및 제2 메모리의 온도에 기반하여 제2 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 메모리의 온도에 기반하여 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 제1 메모리의 온도에 기반하여 제2 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 메모리의 동작 제한을 유지할 지 여부를 결정하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 구성의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 10은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 제1 메모리 및 제2 메모리의 온도에 기반하여, 컨트롤러를 통하여 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치가 제1 메모리의 온도에 기반하여, 컨트롤러를 통하여 메모리를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 2 is a block diagram for explaining an example of the configuration of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a memory based on the temperature of the memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating an example of an electronic device setting a temperature limit for a memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 5 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a second memory based on the temperatures of the first memory and the second memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 6 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a memory based on the temperature of the memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 7 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a second memory based on the temperature of the first memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 8 is a flowchart illustrating a method for an electronic device to determine whether to maintain an operation limit of a memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 9 is a block diagram for explaining an example of the configuration of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 10 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a memory through a controller based on the temperatures of the first memory and the second memory, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 11 is a flowchart illustrating a method in which an electronic device operates a memory through a controller based on the temperature of the first memory, according to an embodiment of the present disclosure.

도 1은, 본 개시의 일 실시예에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. FIG. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100 according to an embodiment of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.Referring to FIG. 1, in the network environment 100, the electronic device 101 communicates with the electronic device 102 through a first network 198 (e.g., a short-range wireless communication network) or a second network 199. It is possible to communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (e.g., a long-distance wireless communication network). According to one embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108. According to one embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or may include an antenna module 197. In some embodiments, at least one of these components (eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101. In some embodiments, some of these components (e.g., sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into one component (e.g., display module 160). It can be.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (e.g., program 140) to operate at least one other component (e.g., hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can be controlled and various data processing or calculations can be performed. According to one embodiment, as at least part of data processing or computation, the processor 120 stores commands or data received from another component (e.g., sensor module 176 or communication module 190) in volatile memory 132. The commands or data stored in the volatile memory 132 can be processed, and the resulting data can be stored in the non-volatile memory 134. According to one embodiment, the processor 120 includes a main processor 121 (e.g., a central processing unit or an application processor) or an auxiliary processor 123 that can operate independently or together (e.g., a graphics processing unit, a neural network processing unit ( It may include a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor). For example, if the electronic device 101 includes a main processor 121 and a secondary processor 123, the secondary processor 123 may be set to use lower power than the main processor 121 or be specialized for a designated function. You can. The auxiliary processor 123 may be implemented separately from the main processor 121 or as part of it.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The auxiliary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (e.g., sleep) state, or while the main processor 121 is in an active (e.g., application execution) state. ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (e.g., the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) At least some of the functions or states related to can be controlled. According to one embodiment, coprocessor 123 (e.g., image signal processor or communication processor) may be implemented as part of another functionally related component (e.g., camera module 180 or communication module 190). there is. According to one embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, neural network processing device) may include a hardware structure specialized for processing artificial intelligence models. Artificial intelligence models can be created through machine learning. For example, such learning may be performed in the electronic device 101 itself on which the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (e.g., server 108). Learning algorithms may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but It is not limited. An artificial intelligence model may include multiple artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural network (DNN), convolutional neural network (CNN), recurrent neural network (RNN), restricted boltzmann machine (RBM), belief deep network (DBN), bidirectional recurrent deep neural network (BRDNN), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the examples described above. In addition to hardware structures, artificial intelligence models may additionally or alternatively include software structures.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101. Data may include, for example, input data or output data for software (e.g., program 140) and instructions related thereto. Memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142, middleware 144, or application 146.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive commands or data to be used in a component of the electronic device 101 (e.g., the processor 120) from outside the electronic device 101 (e.g., a user). The input module 150 may include, for example, a microphone, mouse, keyboard, keys (eg, buttons), or digital pen (eg, stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101. The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. Speakers can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. The receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 can visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector, and a control circuit for controlling the device. According to one embodiment, the display module 160 may include a touch sensor configured to detect a touch, or a pressure sensor configured to measure the intensity of force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 can convert sound into an electrical signal or, conversely, convert an electrical signal into sound. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device (e.g., directly or wirelessly connected to the electronic device 101). Sound may be output through the electronic device 102 (e.g., speaker or headphone).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects the operating state (e.g., power or temperature) of the electronic device 101 or the external environmental state (e.g., user state) and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to one embodiment, the sensor module 176 includes, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that can be used to connect the electronic device 101 directly or wirelessly with an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 can convert electrical signals into mechanical stimulation (e.g., vibration or movement) or electrical stimulation that the user can perceive through tactile or kinesthetic senses. According to one embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 can capture still images and moving images. According to one embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 can manage power supplied to the electronic device 101. According to one embodiment, the power management module 188 may be implemented as at least a part of, for example, a power management integrated circuit (PMIC).

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101. According to one embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. Communication module 190 is configured to provide a direct (e.g., wired) communication channel or wireless communication channel between electronic device 101 and an external electronic device (e.g., electronic device 102, electronic device 104, or server 108). It can support establishment and communication through established communication channels. Communication module 190 operates independently of processor 120 (e.g., an application processor) and may include one or more communication processors that support direct (e.g., wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 may be a wireless communication module 192 (e.g., a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (e.g., : LAN (local area network) communication module, or power line communication module) may be included. Among these communication modules, the corresponding communication module is a first network 198 (e.g., a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (e.g., legacy It may communicate with an external electronic device 104 through a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (e.g., LAN or WAN). These various types of communication modules may be integrated into one component (e.g., a single chip) or may be implemented as a plurality of separate components (e.g., multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 can be confirmed or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support 5G networks after 4G networks and next-generation communication technologies, for example, NR access technology (new radio access technology). NR access technology provides high-speed transmission of high-capacity data (eMBB (enhanced mobile broadband)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (mMTC (massive machine type communications)), or high reliability and low latency (URLLC (ultra-reliable and low latency). -latency communications)) can be supported. The wireless communication module 192 may support high frequency bands (eg, mmWave bands), for example, to achieve high data rates. The wireless communication module 192 uses various technologies to secure performance in high frequency bands, for example, beamforming, massive array multiple-input and multiple-output (MIMO), and full-dimensional multiplexing. It can support technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna. The wireless communication module 192 may support various requirements specified in the electronic device 101, an external electronic device (e.g., electronic device 104), or a network system (e.g., second network 199). According to one embodiment, the wireless communication module 192 supports Peak data rate (e.g., 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (e.g., 164 dB or less) for realizing mmTC, or U-plane latency (e.g., 164 dB or less) for realizing URLLC. Example: Downlink (DL) and uplink (UL) each of 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) can be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다. The antenna module 197 may transmit or receive signals or power to or from the outside (eg, an external electronic device). According to one embodiment, the antenna module 197 may include an antenna including a radiator made of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB). According to one embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is connected to the plurality of antennas by, for example, the communication module 190. can be selected. Signals or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna. According to some embodiments, in addition to the radiator, other components (eg, radio frequency integrated circuit (RFIC)) may be additionally formed as part of the antenna module 197.

일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, a mmWave antenna module includes: a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (e.g., bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (e.g., mmWave band); And a plurality of antennas (e.g., array antennas) disposed on or adjacent to the second side (e.g., top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals in the designated high frequency band. can do.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (e.g., bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( (e.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to one embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199. Each of the external electronic devices 102 or 104 may be of the same or different type as the electronic device 101. According to one embodiment, all or part of the operations performed in the electronic device 101 may be executed in one or more of the external electronic devices 102, 104, or 108. For example, when the electronic device 101 must perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 may perform the function or service instead of executing the function or service on its own. Alternatively, or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform at least part of the function or service. One or more external electronic devices that have received the request may execute at least part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit the result of the execution to the electronic device 101. The electronic device 101 may process the result as is or additionally and provide it as at least part of a response to the request. For this purpose, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology can be used. The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an Internet of Things (IoT) device. Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to one embodiment, the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199. The electronic device 101 may be applied to intelligent services (e.g., smart home, smart city, smart car, or healthcare) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

도 2는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)(예: 도 1의 전자 장치(101))의 구성의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram for explaining an example of the configuration of an electronic device 101 (eg, the electronic device 101 of FIG. 1 ) according to an embodiment of the present disclosure.

도 2를 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220)를 포함하는 메모리(130), 및 상기 제1 메모리(210) 및 상기 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, in one embodiment, the electronic device 101 includes a memory 130 including a first memory 210 and a second memory 220, and the first memory 210 and the second memory 220. 2 It may include at least one processor 120 operatively connected to the memory 220.

일 실시예에서, 메모리(130)는, 휘발성 메모리(예: 도 1의 휘발성 메모리(132)) 및 비휘발성 메모리(134)를 포함하는 MCP(multi-chip package)일 수 있다. 일 실시예에서, MCP는, DRAM(dynamic random access memory) 및 스토리지(storage)를 포함할 수 있으며, 이에 제한은 없다. 일 실시예에서, 스토리지는, UFS(universal flash storage) 또는 eMMC(embedded multi-media card)일 수 있으며, 스토리지는 전술한 예시에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)는 도 1의 휘발성 메모리(132)에 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 메모리(220)는 도 1의 비휘발성 메모리(134)에 포함될 수 있다. 일 실시예에서, MCP에는 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220)가 함께 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220) 각각은, 내부 온도를 획득하기 위한 센싱 회로를 각각 포함할 수 있다.In one embodiment, the memory 130 may be a multi-chip package (MCP) including volatile memory (eg, volatile memory 132 of FIG. 1) and non-volatile memory 134. In one embodiment, the MCP may include, but is not limited to, dynamic random access memory (DRAM) and storage. In one embodiment, the storage may be universal flash storage (UFS) or embedded multi-media card (eMMC), and the storage is not limited to the examples described above. In one embodiment, first memory 210 may be included in volatile memory 132 of FIG. 1 . In one embodiment, the second memory 220 may be included in the non-volatile memory 134 of FIG. 1 . In one embodiment, the first memory 210 and the second memory 220 may be disposed together in the MCP. In one embodiment, the first memory 210 and the second memory 220 may each include a sensing circuit for obtaining the internal temperature.

일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 메모리(210) 및/또는 제2 메모리(220)의 온도를 확인하고, 메모리(130) 내부의 온도를 제어하기 위하여, 제1 메모리(210) 및/또는 제2 메모리(220)의 동작을 제한하기 위한 전반적인 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 메모리(130)의 온도를 확인 및/또는 메모리(130)의 동작을 제한하기 위한 하나 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 프로세서들은, 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220) 각각에 포함된 적어도 하나의 센싱 회로를 통하여 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다.In one embodiment, the processor 120 checks the temperature of the first memory 210 and/or the second memory 220 and controls the temperature inside the memory 130. And/or an overall operation to limit the operation of the second memory 220 may be performed. In one embodiment, the processor 120 may include one or more processors to check the temperature of the memory 130 and/or limit the operation of the memory 130. One or more processors may be operatively connected to the first memory 210 and the second memory 220 . In one embodiment, the processor 120 measures the temperatures of the first memory 210 and the second memory 220 through at least one sensing circuit included in each of the first memory 210 and the second memory 220. You can check.

도 2에서 전자 장치(101)가 제1 메모리(210), 제2 메모리(220), 및/또는 프로세서(120)를 포함하는 것으로 예시하고 있지만, 이에 제한되지 않으며, 전자 장치(101)는 도 1에 도시된 적어도 하나의 구성을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 도 1의 디스플레이 모듈(160)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 메모리(130)의 동작을 제한함에 기반하여, 관련 정보를 디스플레이 모듈(160)을 통하여 표시할 수 있다. 전자 장치(101)는, 메모리(130)의 동작을 제한함으로 인하여 제한되는 적어도 하나의 동작과 관련되는 정보를 표시하도록 디스플레이 모듈(160)을 제어할 수 있다.In FIG. 2, the electronic device 101 is illustrated as including a first memory 210, a second memory 220, and/or a processor 120, but the electronic device 101 is not limited thereto. It may further include at least one configuration shown in 1. For example, the electronic device 101 may further include the display module 160 of FIG. 1 . In one embodiment, the electronic device 101 may display related information through the display module 160 based on limiting the operation of the memory 130. The electronic device 101 may control the display module 160 to display information related to at least one operation that is restricted due to limiting the operation of the memory 130.

도 3은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 메모리(예: 도 1의 메모리(130))의 온도에 기반하여 메모리(예: 도 1의 메모리(130))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(300)이다.FIG. 3 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) of a memory (e.g., the memory 130 of FIG. 1) according to an embodiment of the present disclosure. This is a flowchart 300 to explain a method of operating a memory (eg, memory 130 in FIG. 1) based on temperature.

일 실시예에서, 도 3에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 3에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 3 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 3 may be performed.

도 3을 참조하면, 동작 301에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(120))는, 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220))의 온도를 확인할 수 있다.Referring to FIG. 3 , in operation 301, in one embodiment, the electronic device 101 (e.g., the processor 120 of FIG. 1 or the processor 120 of FIG. 2) stores a second memory (e.g., the processor 120 of FIG. 2). The temperature of the second memory 220 can be checked.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로를 통하여, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로에 기반하여 획득한 제2 메모리(220)의 온도는, JEDEC(joint electron device engineering council) 표준에 따르면, 섭씨 약 ± 10 도의 오차를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)가 부팅됨에 기반하여, 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 고온 한계선, 고온 한계선, 저온 한계선, 및/또는 최대 저온 한계선을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 저온 한계선보다 높고, 고온 한계선보다 낮은 온도 구간을 제2 메모리(220)에 대한 안정 구간(stable range)으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 최대 저온 한계선보다 높고, 저온 한계선보다 낮은 온도 구간 및 고온 한계선보다 높고, 최대 고온 한계선보다 낮은 온도 구간을 제2 메모리(220)에 대한 경고(warning) 구간으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간 내에 존재하도록 제어함으로써, 제2 메모리(220)가 안정적으로 동작하도록 할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220 through a sensing circuit included in the second memory 220. In one embodiment, the temperature of the second memory 220 obtained based on the sensing circuit included in the second memory 220 has an error of about ±10 degrees Celsius, according to the Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standard. You can have it. In one embodiment, the electronic device 101 may set at least one temperature limit line for the second memory 220 based on the second memory 220 booting. In one embodiment, the at least one temperature limit may include a maximum high temperature limit, a high temperature limit, a low temperature limit, and/or a maximum cold limit. In one embodiment, the electronic device 101 may set a temperature range higher than the low temperature limit line and lower than the high temperature limit line as a stable range for the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 sends a warning to the second memory 220 for a temperature section that is higher than the maximum low temperature limit and lower than the low temperature limit, and a temperature section that is higher than the high temperature limit and lower than the maximum high temperature limit. It can be set as a section. In one embodiment, the electronic device 101 controls the temperature of the second memory 220 to be within a stable range, thereby allowing the second memory 220 to operate stably.

동작 303에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(예: 도 2의 제1 메모리(210))의 온도를 확인할 수 있다.In operation 303, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory (eg, the first memory 210 of FIG. 2).

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기(refresh rate)에 기반하여, 제1 메모리(210)의 내부 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)는, MR(mode register) 4 값을 변경함으로써, 미리 설정된 주기로 리프레시 주기를 업데이트 할 수 있다. 업데이트된 리프레시 주기는, 제1 메모리(210)의 내부 온도에 기반하여 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 리프레시 주기가 변경됨에 따라, 그에 대응하여 기록되는 TUF(temperature update flag) 값을 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 업데이트된 리프레시 주기가 1x 인 것을 확인함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도가 약 섭씨 85 도 임을 확인할 수 있으며, 제1 메모리(210)의 온도의 예시는 전술한 예시에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)의 온도는, 업데이트된 리프레시 주기가 1x 인 경우, 기준 온도일 수 있다. 일 실시예에서, 리프레시 주기는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도보다 낮은 경우, 1x 보다 커질 수 있다. 예를 들어, 제1 메모리(210)가 기준 온도보다 낮아지는 경우, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기는 약 1.3x 내지 약 8x 로 업데이트될 수 있다. 리프레시 주기는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도보다 높아지는 경우, 1x 보다 짧을 수 있다. 예를 들어, 제1 메모리(210)가 기준 온도보다 올라가는 경우, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기는 약 0.125x 내지 약 0.7x 로 업데이트될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기가 업데이트되는 동작은, "리프레시 동작"으로 지칭될 수 있다. 일 실시예에서, 리프레시 주기의 구체적인 값 및 기준 온도는, 본 개시의 실시예에 따라 변경될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)에 포함된 센싱 회로에 기반하여 획득한 제1 메모리(210)의 온도에 대한 오차는, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로에 기반하여 획득한 제1 메모리(210)의 온도에 대한 오차보다 작을 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)의 온도의 오차는, 섭씨 약 2 도 이하일 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도보다 오차가 상대적으로 작은 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 지 여부를 결정할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 determines the temperature of the first memory 210 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the warning range for the second memory 220. You can check. In one embodiment, the electronic device 101 may check the internal temperature of the first memory 210 based on the refresh rate of the first memory 210. In one embodiment, the first memory 210 may update the refresh period at a preset period by changing the value of mode register (MR) 4. The updated refresh cycle may be determined based on the internal temperature of the first memory 210. In one embodiment, as the refresh cycle changes, the electronic device 101 may check the temperature update flag (TUF) value recorded correspondingly. The electronic device 101 can confirm that the temperature of the first memory 210 is about 85 degrees Celsius based on confirming that the updated refresh cycle is 1x. An example of the temperature of the first memory 210 is described above. It is not limited to one example. In one embodiment, the temperature of the first memory 210 may be a reference temperature when the updated refresh cycle is 1x. In one embodiment, the refresh period may be greater than 1x when the temperature of the first memory 210 is lower than the reference temperature. For example, when the first memory 210 becomes lower than the reference temperature, the refresh cycle of the first memory 210 may be updated to about 1.3x to about 8x. The refresh period may be shorter than 1x when the temperature of the first memory 210 becomes higher than the reference temperature. For example, when the first memory 210 rises above the reference temperature, the refresh cycle of the first memory 210 may be updated to about 0.125x to about 0.7x. In one embodiment, an operation in which the refresh cycle of the first memory 210 is updated may be referred to as a “refresh operation.” In one embodiment, the specific value of the refresh period and the reference temperature may be changed according to the embodiment of the present disclosure. In one embodiment, the error regarding the temperature of the first memory 210 obtained based on the sensing circuit included in the first memory 210 is the error obtained based on the sensing circuit included in the second memory 220. It may be smaller than the error regarding the temperature of the first memory 210. In one embodiment, the temperature error of the first memory 210 may be about 2 degrees Celsius or less. In one embodiment, the electronic device 101 determines whether to limit the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210, which has a relatively smaller error than the temperature of the second memory 220. You can decide whether or not.

동작 305에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다.In operation 305, in one embodiment, the electronic device 101 may restrict the operation of the second memory 220.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간 내에 있는지 여부를 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)가 부팅됨에 기반하여, 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 고온 한계선, 고온 한계선, 저온 한계선, 및/또는 최대 저온 한계선을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 저온 한계선보다 높고, 고온 한계선보다 낮은 온도 구간을 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 최대 저온 한계선보다 높고, 저온 한계선보다 낮은 온도 구간 및 고온 한계선보다 높고, 최대 고온 한계선보다 낮은 온도 구간을 제1 메모리(210)에 대한 경고 구간으로 설정할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 controls the temperature of the second memory 220 based on determining whether the temperature of the first memory 210 is within a stable range for the first memory 210. Movement may be restricted. In one embodiment, the electronic device 101 may set at least one temperature limit line for the first memory 210 based on the first memory 210 booting. In one embodiment, the at least one temperature limit may include a maximum high temperature limit, a high temperature limit, a low temperature limit, and/or a maximum cold limit. In one embodiment, the electronic device 101 may set a temperature section higher than the low temperature limit line and lower than the high temperature limit line as the stable section for the first memory 210. In one embodiment, the electronic device 101 sets a temperature section above the maximum low temperature limit line, below the low temperature limit line, and a temperature section above the high temperature limit line and below the maximum high temperature limit line as a warning section for the first memory 210. You can.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간 내에 있음을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작 상태를 유지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작 상태를 유지함으로써, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상대적으로 오차가 작은 제1 메모리(210)의 온도가 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 성능을 유지할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간 내에 있는 경우, 제1 메모리(210)의 온도가 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하지 않을 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 operates the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 is within a stable range for the first memory 210. status can be maintained. The electronic device 101 may not restrict the operation of the second memory 220 by maintaining the operating state of the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 controls the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210, which has a relatively small error, is within a stable range for the first memory 210. performance can be maintained. For example, if the temperature of the second memory 220 is within the warning range for the second memory 220, the electronic device 101 may set the temperature of the first memory 210 to the first memory 210. Based on confirming that the operation of the second memory 220 is within the stable range, the operation of the second memory 220 may not be restricted.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간 내에 있지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간에서 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한함으로써, 제2 메모리(220)에 저장된 데이터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 controls the temperature of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 is not within a stable range for the first memory 210. Movement may be restricted. The electronic device 101 restricts the operation of the second memory 220 based on confirmation that the temperature of the first memory 210 deviates from the stable range, thereby reducing the reliability of the data stored in the second memory 220. can be improved.

도 4a 및 도 4b는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 메모리(예: 도 1의 메모리(130))에 대하여 온도 한계선을 설정하는 일 예시를 나타내는 도면이다.4A and 4B illustrate that an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) has a memory (e.g., the memory 130 of FIG. 1), according to an embodiment of the present disclosure. )) This is a diagram showing an example of setting a temperature limit line.

도 4a를 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)가 부팅됨에 기반하여, 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선(THmax, TH, TL, 및 TLmax)을 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 메모리(220)에 대한 기준 온도(T1)는, 미리 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 온도 한계선들(410) 및 온도 한계선들(420)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 고온 한계선(411), 고온 한계선(421), 저온 한계선(423), 및/또는 최대 저온 한계선(413)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 저온 한계선(423)보다 높고, 고온 한계선(421)보다 낮은 온도 구간을 제2 메모리(220)에 대한 안정 구간(430)으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 최대 저온 한계선(413)보다 높고, 저온 한계선(423)보다 낮은 온도 구간(443) 및 고온 한계선(421)보다 높고, 최대 고온 한계선(411)보다 낮은 온도 구간(441)을 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간(440)으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간(430) 내에 존재하도록 제어함으로써, 제2 메모리(220)가 안정적으로 동작하도록 할 수 있다.Referring to FIG. 4A , in one embodiment, the electronic device 101 sets at least one temperature limit line (T Hmax , T H , T L , and T Lmax ) can be set. In one embodiment, the reference temperature (T 1 ) for the second memory 220 may be set in advance. In one embodiment, at least one temperature limit line for the second memory 220 may include maximum temperature limit lines 410 and temperature limit lines 420 . In one embodiment, the at least one temperature limit for the second memory 220 includes a maximum temperature limit 411, a high temperature limit 421, a cold limit 423, and/or a maximum cold limit 413. can do. In one embodiment, the electronic device 101 may set a temperature section higher than the low temperature limit line 423 and lower than the high temperature limit line 421 as the stable section 430 for the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 has a temperature range 443 above the maximum cold limit 413 and below the cold limit 423 and a temperature range 443 above the high temperature limit 421 and below the maximum high temperature limit 411. The temperature section 441 can be set as a warning section 440 for the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 controls the temperature of the second memory 220 to be within the stable range 430, thereby allowing the second memory 220 to operate stably.

도 4b를 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)가 부팅됨에 기반하여, 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)에 대한 온도 한계선은, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기(RLmax, RL, RH, RHmax)로 나타낼 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)에 대한 기준 온도는, 제1 메모리(210)에 대한 기준 리프레시 주기(R1)에 기반하여 미리 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 온도 한계선들(450) 및 온도 한계선들(460)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선은, 최대 고온 한계선(451), 고온 한계선(461), 저온 한계선(463), 및/또는 최대 저온 한계선(453)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 저온 한계선(463)과 고온 한계선(461) 사이의 온도 구간을 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470)으로 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 최대 저온 한계선(453)과 저온 한계선(463) 사이의 온도 구간(483) 및 고온 한계선(461)과 최대 고온 한계선(451) 사이의 온도 구간(481)을 제1 메모리(210)에 대한 경고 구간(480)으로 설정할 수 있다.Referring to FIG. 4B , in one embodiment, the electronic device 101 may set at least one temperature limit line for the first memory 210 based on the first memory 210 booting. In one embodiment, the temperature limit line for the first memory 210 may be represented by the refresh period (R Lmax , R L , R H , R Hmax ) of the first memory 210 . In one embodiment, the reference temperature for the first memory 210 may be preset based on the reference refresh period (R 1 ) for the first memory 210. In one embodiment, at least one temperature limit line for the first memory 210 may include maximum temperature limit lines 450 and temperature limit lines 460 . In one embodiment, the at least one temperature limit for the first memory 210 includes a maximum temperature limit 451, a high temperature limit 461, a cold limit 463, and/or a maximum cold limit 453. can do. In one embodiment, the electronic device 101 may set the temperature section between the low temperature limit line 463 and the high temperature limit line 461 as the stable section 470 for the first memory 210. In one embodiment, the electronic device 101 has a temperature section 483 between the maximum cold limit line 453 and the low temperature limit line 463 and a temperature section 481 between the high temperature limit line 461 and the maximum high temperature limit line 451. ) can be set as the warning section 480 for the first memory 210.

도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 제1 메모리(예: 도 2의 제1 메모리(210)) 및 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220))의 온도에 기반하여 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(500)이다.FIG. 5 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) according to an embodiment of the present disclosure with a first memory (e.g., the first memory of FIG. 2). 210)) and a flowchart for explaining a method of operating the second memory (e.g., the second memory 220 of FIG. 2) based on the temperature of the second memory (e.g., the second memory 220 of FIG. 2). It is (500).

일 실시예에서, 도 5에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 5에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 5 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 5 may be performed.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 메모리(130)의 내부 온도에 따라 제1 메모리(210) 및/또는 제2 메모리(220)를 운영함으로써, 상온보다 높은 온도에서도 비휘발성 메모리의 성능을 제한하지 않고, 유지할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 operates the first memory 210 and/or the second memory 220 according to the internal temperature of the memory 130, thereby improving the performance of the non-volatile memory even at a temperature higher than room temperature. can be maintained without limitation.

동작 501에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다.In operation 501, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 동작 501은, 도 3의 동작 301과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 3과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220 based on the sensing circuit included in the second memory 220. Since operation 501 is at least partially the same or similar to operation 301 of FIG. 3, descriptions overlapping with FIG. 3 may not be repeated.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)가 부팅됨에 기반하여, 제2 메모리(220)를 초기화하는 동작의 적어도 일부로, 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도의 오차가 미리 설정된 범위를 벗어나는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)가 재부팅될 때, 상기 적어도 하나의 온도 한계선을 재설정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작 기간이 길어짐으로 인하여 제2 메모리(220)의 오차가 증가하는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)가 재부팅될 때, 상기 적어도 하나의 온도 한계선을 재설정할 수 있다. 제2 메모리(220)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선의 설정과 관련하여, 도 4a 또는 도 4b와 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 최대 고온 한계선(예: 도 4a의 최대 고온 한계선(411))은, 약 섭씨 80 내지 85 도 일 수 있다. 일 실시예에서, 최대 저온 한계선(예: 도 4a의 최대 저온 한계선(413))은, 약 섭씨 -40 내지 -30 도 일 수 있다. 일 실시예에서, 고온 한계선(예: 도 4a의 고온 한계선(421))은, 약 섭씨 70 내지 80 도 일 수 있다. 일 실시예에서, 저온 한계선(예: 도 4a의 저온 한계선(423))은, 약 섭씨 -30 내지 -25 도 일 수 있다. 적어도 하나의 온도 한계선의 구체적인 값은, 전술한 예시에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 경고 구간(예: 도 4a의 경고 구간(440))을 하나 이상의 세부 구간들로 분할할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 분할된 하나 이상의 세부 구간들을 벗어날 때마다, 알림을 제공할 수도 있다.In one embodiment, the electronic device 101 determines at least one temperature for the second memory 220 as at least part of the operation of initializing the second memory 220 based on the second memory 220 booting. You can set limits. In one embodiment, the electronic device 101, when the second memory 220 is rebooted, based on confirming that the temperature error of the second memory 220 is outside a preset range, the electronic device 101 determines the at least one temperature The limit line can be reset. For example, the electronic device 101 may reboot the second memory 220 based on confirmation that the error of the second memory 220 increases due to an increase in the operation period of the second memory 220. When, the at least one temperature limit line can be reset. With regard to setting at least one temperature limit line for the second memory 220, descriptions overlapping with FIG. 4A or FIG. 4B may not be repeated. In one embodiment, the maximum high temperature limit (e.g., maximum temperature limit 411 in FIG. 4A) may be approximately 80 to 85 degrees Celsius. In one embodiment, the maximum cold limit (e.g., maximum cold limit 413 in FIG. 4A) may be approximately -40 to -30 degrees Celsius. In one embodiment, the high temperature limit (e.g., high temperature limit 421 in FIG. 4A) may be approximately 70 to 80 degrees Celsius. In one embodiment, the low temperature limit (e.g., low temperature limit 423 in FIG. 4A) may be approximately -30 to -25 degrees Celsius. The specific value of the at least one temperature limit line is not limited to the examples described above. In one embodiment, the electronic device 101 may divide a warning section (e.g., warning section 440 of FIG. 4A) into one or more detailed sections. The electronic device 101 may provide a notification whenever the temperature of the second memory 220 deviates from one or more divided detailed sections.

동작 503에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리의 온도가 최대 온도 한계선에 도달하였는지 여부를 확인할 수 있다.In operation 503, in one embodiment, the electronic device 101 may check whether the temperature of the second memory has reached the maximum temperature limit.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(예: 도 4a의 최대 고온 한계선(411) 또는 최대 저온 한계선(413))에 도달하였는지 여부를 확인할 수 있다. In one embodiment, the electronic device 101 determines that the temperature of the second memory 220 is within the maximum temperature limit line for the second memory 220 (e.g., the maximum high temperature limit line 411 of FIG. 4A or the maximum low temperature limit line ( You can check whether 413)) has been reached.

동작 505에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 예외 이벤트의 발생을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선에 도달한 것을 확인(동작 503: 예)함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트가 발생함을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 예외 이벤트는, 제2 메모리(220)의 온도를 안정 구간(예: 도 4a의 안정 구간(430)) 내로 복구해야 함을 나타내는 이벤트일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 최대 고온 한계선(411)에 도달함을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 낮추어야 함을 나타내는 이벤트가 발생한 것을 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 최대 저온 한계선(413)에 도달함을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 높여야 함을 나타내는 이벤트가 발생한 것을 확인할 수 있다.At operation 505, in one embodiment, the electronic device 101 may confirm the occurrence of an exception event. In one embodiment, the electronic device 101 determines that the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit for the second memory 220 (operation 503: Yes), It can be confirmed that an exception event for the second memory 220 occurs. In one embodiment, the exception event may be an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be restored to a stable range (eg, the stable range 430 in FIG. 4A). For example, the electronic device 101 generates an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be lowered based on confirmation that the temperature of the second memory 220 reaches the maximum high temperature limit line 411. You can check what has happened. Based on confirmation that the temperature of the second memory 220 reaches the maximum low temperature limit line 413, the electronic device 101 may confirm that an event indicating that the temperature of the second memory 220 must be increased has occurred. there is.

동작 507에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다.In operation 507, in one embodiment, the electronic device 101 may restrict the operation of the second memory 220.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 예외 이벤트의 발생을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 낮추어야 함을 나타내는 이벤트의 발생을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, hibern8 모드에 대한 진입 딜레이(enter delay)를 최솟값으로 설정할 수 있다. hibern8 모드는, 제2 메모리(220)의 전력 소모를 줄이기 위한 동작 상태일 수 있다. 전자 장치(101)는, 백그라운드 동작(예: Auto-BKOPS(background operations))를 중지할 수 있다. 전자 장치(101)는, 쓰기 부스터(write booster)의 사용을 중지할 수 있다. 쓰기 부스터는, 제2 메모리(220)에 대한 쓰기 속도를 높여 컨텐트의 다운로드를 증가시키는 동작일 수 있다. 전자 장치(101)는 기어(gear) 및 레인(lane) 값을 최소로 설정할 수 있다. 전자 장치(101)는 제2 메모리(220)에 대한 기어 및 레인 값을 최소로 설정함으로써, 제2 메모리(220)의 전력 소모를 감소시킬 수 있다. 전자 장치(101)는, I/O 대역폭(bandwidth)에 따른 기어 스케일링(gear-scaling)의 사용을 중지할 수 있다. 기어 스케일링은, 메모리 대역폭(bandwidth)에 따라 기어 값을 변경하는 동작일 수 있다. 전자 장치(101)는, 기어 스케일링을 중지함으로써, 제2 메모리(220)에 대한 전력 소모를 감소시킬 수 있다. 전자 장치(101)는 I/O 양(quantity)을 감소시키기 위하여, 낸드 스왑(NAND swap) 값을 최소로 설정할 수 있다. 낸드 스왑은, 제1 메모리(210) 내의 페이지(page)를 제2 메모리(220)로 이동(예: 스왑-아웃(swap-out))하거나, 상기 이동된 페이지를 제1 메모리(210)로 이동(예: 스왑-인(swap-in))하는 동작일 수 있다. 전자 장치(101)는, 낸드 스왑 값을 최소로 설정함으로써, 제2 메모리(220)에 대한 입출력 양을 감소시킬 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한함으로써, 제2 메모리(220)의 발열을 감소시킬 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 장치(101)의 사용자에게 제2 메모리(220)의 온도 증가로 인하여 전자 장치(101)의 동작 속도가 감소할 수 있음을 알릴 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 디스플레이 모듈(예: 도 1의 디스플레이 모듈(160))이 동작 속도의 감소와 관련된 알림을 표시하도록 상기 디스플레이 모듈(160)을 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 높여야 함을 나타내는 이벤트의 발생을 확인함에 기반하여, 상술한 동작들을 활성화시킬 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may restrict the operation of the second memory 220 based on confirming the occurrence of an exception event. In one embodiment, the electronic device 101 may limit the operation of the second memory 220 based on confirming the occurrence of an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be lowered. For example, the electronic device 101 may set the entry delay for hibern8 mode to the minimum value. hibern8 mode may be an operating state to reduce power consumption of the second memory 220. The electronic device 101 may stop background operations (eg, Auto-BKOPS (background operations)). The electronic device 101 may stop using the write booster. The write booster may be an operation that increases the download of content by increasing the writing speed for the second memory 220. The electronic device 101 may set gear and lane values to minimum. The electronic device 101 can reduce power consumption of the second memory 220 by setting the gear and lane values for the second memory 220 to the minimum. The electronic device 101 may stop using gear-scaling according to I/O bandwidth. Gear scaling may be an operation of changing gear values according to memory bandwidth. The electronic device 101 can reduce power consumption for the second memory 220 by stopping gear scaling. The electronic device 101 may set the NAND swap value to the minimum to reduce I/O quantity. NAND swap moves a page in the first memory 210 to the second memory 220 (e.g., swap-out), or moves the moved page to the first memory 210. It may be a movement (e.g. swap-in) operation. The electronic device 101 can reduce the amount of input/output to the second memory 220 by setting the NAND swap value to the minimum. The electronic device 101 can reduce heat generation of the second memory 220 by limiting the operation of the second memory 220. The electronic device 101 may notify the user of the electronic device 101 that the operating speed of the electronic device 101 may decrease due to an increase in the temperature of the second memory 220. For example, the electronic device 101 may control the display module 160 (eg, the display module 160 of FIG. 1) so that the display module 160 displays a notification related to a decrease in operating speed. In one embodiment, the electronic device 101 may activate the above-described operations based on confirming the occurrence of an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be increased.

동작 509에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 최대 온도 한계선에 도달하지 않은 것을 확인(동작 503: 아니오)함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도가 경고 구간(예: 도 4a의 경고 구간(440)) 내에 있는지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)에 대하여 설정된 안정 구간(예: 도 4a의 안정 구간(430)) 또는 경고 구간(440)에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도가 경고 구간(440) 내에 있는지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간(430) 내에 있음을 확인(동작 509: 아니오)함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하지 않을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220) 동작 상태를 유지할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간(430) 내에 있는지 여부를 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도 확인 주기를 증가시킬 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간(430) 내에 있는 경우, 제2 메모리(220)의 온도 확인 주기를 1 초에서 2 초로 증가시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 안정 구간(430) 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도 확인 주기를 증가시킴으로써, 제2 메모리(220)의 온도를 확인하기 위하여 소모되는 전력을 감소시킬 수 있다.At operation 509, in one embodiment, the electronic device 101 determines that the temperature of the second memory 220 has not reached the maximum temperature limit (operation 503: No), It is possible to check whether the temperature is within the warning section (e.g., warning section 440 in FIG. 4A). In one embodiment, the electronic device 101 stores the second memory 220 based on the stable section (e.g., the stable section 430 in FIG. 4A) or the warning section 440 set for the second memory 220. ) can be checked whether the temperature is within the warning section 440. In one embodiment, the electronic device 101 limits the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the stable range 430 (operation 509: No). You may not. For example, the electronic device 101 may maintain the operating state of the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 may increase the temperature check cycle of the second memory 220 based on checking whether the temperature of the second memory 220 is within the stable range 430. . For example, when the temperature of the second memory 220 is within the stable section 430, the electronic device 101 may increase the temperature check period of the second memory 220 from 1 second to 2 seconds. In one embodiment, the electronic device 101 increases the temperature check cycle of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the stable section 430, thereby The power consumed to check the temperature of the memory 220 can be reduced.

동작 511에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다.In operation 511, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 경고 구간에 있음을 확인(동작 509: 예)함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기를 확인함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 동작 511은, 도 3의 동작 303과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 3과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210 based on confirmation that the temperature of the second memory 220 is in the warning range (operation 509: Yes). The electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210 based on checking the refresh cycle of the first memory 210. Since operation 511 is at least partially the same or similar to operation 303 of FIG. 3, descriptions overlapping with FIG. 3 may not be repeated.

동작 513에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간 내에 있는지 여부를 확인할 수 있다.In operation 513, in one embodiment, the electronic device 101 may check whether the temperature of the first memory 210 is within a stable range.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)에 대하여 설정된 적어도 하나의 온도 한계선에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간 내에 있는지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간에 있지 않음을 확인(동작 513: 아니오)함에 기반하여, 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트의 발생을 확인(동작 505)하고, 제2 메모리(220)의 동작을 제한(동작 507)할 수 있다. 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작에서, 동작 507과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간에 있음을 확인(동작 513: 예)함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하지 않을 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may check whether the temperature of the first memory 210 is within a stable range based on at least one temperature limit line set for the first memory 210. In one embodiment, the electronic device 101 generates an exception event for the second memory 220 based on determining that the temperature of the first memory 210 is not in a stable range (operation 513: No). can be confirmed (operation 505) and the operation of the second memory 220 can be restricted (operation 507). In the operation of limiting the operation of the second memory 220, descriptions overlapping with operation 507 may not be repeated. The electronic device 101 may not restrict the operation of the second memory 220 based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is in a stable range (operation 513: Yes).

전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 확인하고, 제1 메모리(210)의 온도를 더 확인함으로써, 하드웨어를 변경하지 않고도, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간에 있지 않음을 확인할 때까지, 제2 메모리(220)의 성능을 유지할 수 있다.The electronic device 101 checks the temperature of the second memory 220 and further checks the temperature of the first memory 210, so that the temperature of the first memory 210 is in a stable range without changing the hardware. The performance of the second memory 220 can be maintained until it is confirmed that it is not present.

도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 메모리(예: 도 1의 메모리(130))의 온도에 기반하여 메모리(예: 도 1의 메모리(130))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(600)이다.FIG. 6 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) of a memory (e.g., the memory 130 of FIG. 1) according to an embodiment of the present disclosure. This is a flowchart 600 to explain a method of operating a memory (e.g., memory 130 of FIG. 1) based on temperature.

일 실시예에서, 도 6에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 6에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다. 예를 들어, 동작 601은, 동작 603과 동시에 수행될 수 있다. 동작 603은, 동작 601보다 먼저 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 6 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 6 may be performed. For example, operation 601 may be performed simultaneously with operation 603. Operation 603 may be performed before operation 601.

도 6을 참조하면, 동작 601에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(120))는, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기를 확인함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6 , in operation 601, in one embodiment, the electronic device 101 (e.g., the processor 120 of FIG. 1 or the processor 120 of FIG. 2) determines the temperature of the first memory 210. You can check it. In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210 based on checking the refresh cycle of the first memory 210.

동작 603에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다.In operation 603, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220 based on the sensing circuit included in the second memory 220.

동작 605에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(예: 도 4b의 안정 구간(470))을 이탈하거나, 또는 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 안정 구간(예: 도 4a의 안정 구간(430))을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한할 수 있다.In operation 605, in one embodiment, the electronic device 101 may restrict the operation of the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 is configured to operate when the temperature of the first memory 210 deviates from the stable range for the first memory 210 (e.g., the stable range 470 in FIG. 4B), or Based on confirming that the temperature of the second memory 220 deviates from the stable range for the second memory 220 (e.g., the stable range 430 in FIG. 4A), the temperature of the second memory 220 is Movement may be restricted.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도 또는 제2 메모리(220)의 온도 중 적어도 하나가 온도 한계선에 도달하는 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한함으로써, 제2 메모리(220)의 안전성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In one embodiment, the electronic device 101 stores the second memory 220 based on confirming that at least one of the temperature of the first memory 210 or the temperature of the second memory 220 reaches the temperature limit line. By limiting the operation of , the safety and reliability of the second memory 220 can be improved.

도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 제1 메모리(예: 도 2의 제1 메모리(210))의 온도에 기반하여 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(700)이다.FIG. 7 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) according to an embodiment of the present disclosure with a first memory (e.g., the first memory of FIG. 2). This is a flowchart 700 to explain a method of operating the second memory (e.g., the second memory 220 of FIG. 2) based on the temperature of the memory 210).

일 실시예에서, 도 7에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 7에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 7 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 7 may be performed.

동작 701에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210) 의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기를 확인함에 기반하여, 제1 메모리(210) 의 온도를 확인할 수 있다. 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작은, 동작 303과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 3과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)가 부팅됨에 기반하여, 제1 메모리(210)를 초기화하는 동작의 적어도 일부로, 제1 메모리(210)의 리프레시 주기에 기반하여 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. In operation 701, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210. In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210 based on checking the refresh cycle of the first memory 210. The operation of checking the temperature of the first memory 210 is at least partially the same or similar to operation 303, so descriptions overlapping with FIG. 3 may not be repeated. In one embodiment, the electronic device 101, based on the first memory 210 booting, at least as part of the operation of initializing the first memory 210, based on the refresh cycle of the first memory 210 At least one temperature limit line for the first memory 210 may be set.

동작 703에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간을 이탈하였는지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도를 제1 메모리(210)에 대하여 설정된 적어도 하나의 온도 한계선과 비교함으로써, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간을 이탈하였는지 여부를 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간을 이탈하지 않았음을 확인(동작 703: 아니오)함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하지 않을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220) 동작 상태를 유지할 수 있다.In operation 703, in one embodiment, the electronic device 101 may check whether the temperature of the first memory 210 deviates from a stable range. In one embodiment, the electronic device 101 compares the temperature of the first memory 210 with at least one temperature limit line set for the first memory 210, so that the temperature of the first memory 210 is in a stable range. You can check whether it has deviated from . The electronic device 101 may not restrict the operation of the second memory 220 based on confirmation that the temperature of the first memory 210 does not deviate from the stable range (operation 703: No). For example, the electronic device 101 may maintain the operating state of the second memory 220.

동작 705에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 예외 이벤트의 발생을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 안정 구간을 이탈한 것을 확인(동작 703: 예)함에 기반하여, 예외 이벤트의 발생을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 예외 이벤트는, 제2 메모리(220)의 온도를 낮추어야 함을 나타내는 이벤트 또는 제2 메모리(220)의 온도를 높여야 함을 나타내는 이벤트일 수 있다.At operation 705, in one embodiment, the electronic device 101 may confirm the occurrence of an exception event. In one embodiment, the electronic device 101 may confirm the occurrence of an exception event based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is outside the stable range (operation 703: Yes). In one embodiment, the exception event may be an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be lowered or an event indicating that the temperature of the second memory 220 should be increased.

동작 707에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리의 동작을 제한할 수 있다. 동작 707은, 도 5의 동작 507과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 5와 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도 만을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 추가적으로 확인하지 않고도, 제2 메모리(220)의 동작을 제한할지 여부를 결정할 수 있다. 전자 장치(101)는, 오차가 상대적으로 작은 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여 제2 메모리(220)의 동작을 제한할지 여부를 결정함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 안정성을 향상시킬 수 있다.In operation 707, in one embodiment, the electronic device 101 may restrict the operation of the second memory. Since operation 707 is at least partially the same or similar to operation 507 of FIG. 5, descriptions overlapping with FIG. 5 may not be repeated. In one embodiment, the electronic device 101 limits the operation of the second memory 220 without additionally checking the temperature of the second memory 220, based on only checking the temperature of the first memory 210. You can decide whether to do it or not. The electronic device 101 determines whether to limit the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210, which has a relatively small error, to determine the stability of the second memory 220. It can be improved.

도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))가 메모리(예: 도 1의 메모리(130))의 동작 제한을 유지할 지 여부를 결정하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(800)이다.FIG. 8 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) of a memory (e.g., the memory 130 of FIG. 1) according to an embodiment of the present disclosure. This is a flowchart 800 to illustrate how to determine whether to maintain motion restrictions.

일 실시예에서, 도 8에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 8에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 8 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 8 may be performed.

도 8을 참조하면, 동작 801에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(120))는, 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220))의 동작을 제한할 수 있다. 일 실시예에서, 동작 801은, 도 3의 동작 305, 도 5의 동작 511, 도 6의 동작 605, 또는 도 7의 707와 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 3과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 8 , in operation 801, in one embodiment, the electronic device 101 (e.g., the processor 120 of FIG. 1 or the processor 120 of FIG. 2) stores a second memory (e.g., the processor 120 of FIG. 2). The operation of the second memory 220 may be restricted. In one embodiment, operation 801 is at least partially the same or similar to operation 305 of FIG. 3, operation 511 of FIG. 5, operation 605 of FIG. 6, or operation 707 of FIG. 7, and descriptions overlapping with FIG. 3 are not repeated. It may not be possible.

동작 803에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)에 포함된 센싱 회로를 통하여, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 동작 805에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인지 여부를 확인할 수 있다.In operation 803, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220. The electronic device 101 can check the temperature of the second memory 220 through a sensing circuit included in the second memory 220. In operation 805, in one embodiment, the electronic device 101 may check whether the temperature of the second memory 220 is the reference temperature.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 획득한 제2 메모리(220)의 온도가 제2 메모리(220)에 대하여 설정된 기준 온도(예: 도 4a의 T1)인지 여부를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 기준 온도는 제2 메모리(220)에 대하여 설정된 온도값일 수도 있고, 소정의 온도 구간일 수도 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may check whether the acquired temperature of the second memory 220 is the reference temperature set for the second memory 220 (eg, T 1 in FIG. 4A ). In one embodiment, the reference temperature may be a temperature value set for the second memory 220 or a predetermined temperature range.

동작 807에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)가 정상적으로 동작하도록 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인지 여부를 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인(동작 805: 예)함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할 수 있다.In operation 807, in one embodiment, the electronic device 101 may control the second memory 220 to operate normally. In one embodiment, the electronic device 101 may release restrictions on the operation of the second memory 220 based on checking whether the temperature of the second memory 220 is the reference temperature. For example, the electronic device 101 may release the restriction on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is the reference temperature (operation 805: Yes). You can.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 동작 805 이후에, 제1 메모리(210)의 온도를 더 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인(동작 805: 예)함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 더 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인지 여부를 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할 지 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제(예: 동작 807)할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지(예: 동작 809)할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 may further check the temperature of the first memory 210 after operation 805. The electronic device 101 may further confirm the temperature of the first memory 210 based on confirmation that the temperature of the second memory 220 is the reference temperature (operation 805: Yes). The electronic device 101 may determine whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on checking whether the temperature of the first memory 210 is the reference temperature. For example, the electronic device 101 may release restrictions on the operation of the second memory 220 (e.g., operation 807) based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is the reference temperature. . The electronic device 101 may maintain restrictions on the operation of the second memory 220 (eg, operation 809) based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is not the reference temperature.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는 동작 803 및 동작 805 대신에, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인지 여부를 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할 지 여부를 결정할 수도 있다. 전자 장치(101)는, 동작 801 이후에, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제(예: 동작 807)할 수 있다. 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지(예: 동작 809)할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 releases the restriction on the operation of the second memory 220 based on checking whether the temperature of the first memory 210 is a reference temperature, instead of operations 803 and 805. You can decide whether to do it or not. The electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210 after operation 801. The electronic device 101 may release the restriction on the operation of the second memory 220 (eg, operation 807) based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is the reference temperature. The electronic device 101 may maintain restrictions on the operation of the second memory 220 (eg, operation 809) based on confirmation that the temperature of the first memory 210 is not the reference temperature.

동작 809에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지할 수 있다.At operation 809, in one embodiment, the electronic device 101 may maintain restrictions on the operation of the second memory 220.

일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인(동작 805: 아니오)함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지할 수 있다.In one embodiment, the electronic device 101 maintains restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is not the reference temperature (operation 805: No). You can.

도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101) 또는 도 2의 전자 장치(101))의 구성의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 9 is a block diagram for explaining an example of the configuration of an electronic device (eg, the electronic device 101 of FIG. 1 or the electronic device 101 of FIG. 2) according to an embodiment of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 프로세서(120), 및 제1 메모리(210) 및 제2 메모리(220)를 포함하는 메모리(130)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)를 제어하기 위한 제1 컨트롤러(910) 및 제2 메모리(220)를 제어하기 위한 제2 컨트롤러(920)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 컨트롤러(910)는 프로세서(120)의 일부로서 동작할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 컨트롤러(920)는, 메모리(130)의 일부로서 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 컨트롤러(910)를 통하여, 제1 메모리(210)와 통신할 수 있다. 프로세서(120)는, 제2 컨트롤러(920)를 통하여, 제2 메모리(220)와 통신할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는, 제2 컨트롤러(920)를 통하여, 제2 메모리(220)에 예외 이벤트가 발생하였음을 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 컨트롤러(920)로부터 수신하는 알림은, "ExceptionEventStatus" 알림으로 지칭될 수 있다.Referring to FIG. 9 , in one embodiment, the electronic device 101 may include a processor 120 and a memory 130 including a first memory 210 and a second memory 220. In one embodiment, the electronic device 101 may further include a first controller 910 for controlling the first memory 210 and a second controller 920 for controlling the second memory 220. there is. In one embodiment, first controller 910 may operate as part of processor 120. In one embodiment, the second controller 920 may be disposed as part of the memory 130. In one embodiment, the processor 120 may communicate with the first memory 210 through the first controller 910. The processor 120 may communicate with the second memory 220 through the second controller 920. For example, the processor 120 may confirm that an exception event has occurred in the second memory 220 through the second controller 920. In one embodiment, the notification received from the second controller 920 may be referred to as an “ExceptionEventStatus” notification.

도 10은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(101), 또는 도 9의 전자 장치(101))가 제1 메모리(예: 도 2의 제1 메모리(210) 또는 도 9의 제1 메모리(210)) 및 제2 메모리(예: 도 2의 제2 메모리(220) 또는 도 9의 제2 메모리(220))의 온도에 기반하여, 컨트롤러(예: 도 9의 제1 컨트롤러(910) 또는 제2 컨트롤러(920))를 통하여 메모리(예: 도 1의 메모리(130))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(1000)이다.FIG. 10 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1, the electronic device 101 of FIG. 2, or the electronic device 101 of FIG. 9) according to an embodiment of the present disclosure with a first memory. (e.g., the first memory 210 in FIG. 2 or the first memory 210 in FIG. 9) and a second memory (e.g., the second memory 220 in FIG. 2 or the second memory 220 in FIG. 9) Flowchart for explaining a method of operating a memory (e.g., memory 130 in FIG. 1) through a controller (e.g., first controller 910 or second controller 920 in FIG. 9) based on the temperature. It is (1000).

일 실시예에서, 도 10에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 10에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 10 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 10 may be performed.

도 10을 참조하면, 동작 1001에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(120))는, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제2 컨트롤러(920)와의 통신에 기반하여, 제2 메모리(220)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 동작 1001에서, 도 3의 동작 301과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 10 , in operation 1001, in one embodiment, the electronic device 101 (e.g., processor 120 of FIG. 1 or processor 120 of FIG. 2) determines the temperature of the second memory 220. You can check it. In one embodiment, the processor 120 may check the temperature of the second memory 220 based on communication with the second controller 920. In one embodiment, in operation 1001, description overlapping with operation 301 of FIG. 3 may not be repeated.

동작 1003에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 컨트롤러(910)와의 통신에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 동작 1003에서, 도 3의 동작 303과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.In operation 1003, in one embodiment, the electronic device 101 may check the temperature of the first memory 210. In one embodiment, the processor 120 may check the temperature of the first memory 210 based on communication with the first controller 910. In one embodiment, in operation 1003, description overlapping with operation 303 of FIG. 3 may not be repeated.

동작 1005에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 제2 컨트롤러(920)를 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제2 컨트롤러(920)를 통하여, 제2 메모리(220)에 제어 신호를 전송할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한함에 기반하여 고온 상태에 있는 제2 메모리(220)의 온도를 저감하거나, 제2 메모리(220)의 동작들을 활성화시킴에 기반하여 저온 상태에 있는 제2 메모리(220)의 온도를 증가시킬 수 있다. 전자 장치(101)(예: 프로세서(120))가 제2 메모리(220)의 동작을 제한하거나 활성화시키는 동작의 예시는, 도 5의 동작 507과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 5와 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.In operation 1005, in one embodiment, the electronic device 101 may control the second controller 920 to limit the operation of the second memory 220. In one embodiment, the processor 120 may transmit a control signal to the second memory 220 through the second controller 920. In one embodiment, the processor 120 reduces the temperature of the second memory 220 in a high temperature state based on limiting the operation of the second memory 220 or activates the operations of the second memory 220. Based on this, the temperature of the second memory 220 in a low temperature state can be increased. An example of an operation in which the electronic device 101 (e.g., the processor 120) restricts or activates the operation of the second memory 220 is at least partially the same or similar to operation 507 of FIG. 5 and overlaps with FIG. 5. The explanation may not be repeated.

도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(101), 또는 도 9의 전자 장치(101))가 제1 메모리(예: 도 2의 제1 메모리(210))의 온도에 기반하여, 컨트롤러(예: 도 9의 제1 컨트롤러(910) 또는 제2 컨트롤러(920))를 통하여 메모리(예: 도 1의 메모리(130))를 운영하는 방법을 설명하기 위한 흐름도(1100)이다.FIG. 11 shows an electronic device (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1, the electronic device 101 of FIG. 2, or the electronic device 101 of FIG. 9), according to an embodiment of the present disclosure, with a first memory. Based on the temperature of the memory (e.g., the first memory 210 in FIG. 2), the memory (e.g., the memory in FIG. 1) is controlled through a controller (e.g., the first controller 910 or the second controller 920 in FIG. 9). This is a flowchart (1100) to explain how to operate (130)).

일 실시예에서, 도 11에 도시되는 동작들은 도시되는 순서에 국한되지 않고 다양한 순서로 수행될 수 있다. 예를 들어, 각 동작들의 순서가 변경될 수도 있으며, 적어도 두 동작들이 병렬적으로 수행될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 도 11에 도시되는 동작들 보다 더 많은 동작들이 수행되거나, 더 적은 적어도 하나의 동작이 수행될 수도 있다. 예를 들어, 동작 1101은, 동작 1103과 동시에 수행될 수 있다. 동작 1103은, 동작 1101보다 먼저 수행될 수도 있다.In one embodiment, the operations shown in FIG. 11 are not limited to the order shown and may be performed in various orders. For example, the order of each operation may be changed, and at least two operations may be performed in parallel. According to one embodiment, more operations may be performed, or at least one operation less than the operations shown in FIG. 11 may be performed. For example, operation 1101 may be performed simultaneously with operation 1103. Operation 1103 may be performed before operation 1101.

도 11을 참조하면, 동작 1101에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서(120))는, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 컨트롤러(910)와의 통신에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도를 확인할 수 있다. 일 실시예에서, 동작 1101에서, 도 6의 동작 601과 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 11 , in operation 1101, in one embodiment, the electronic device 101 (e.g., the processor 120 of FIG. 1 or the processor 120 of FIG. 2) determines the temperature of the first memory 210. You can check it. In one embodiment, the processor 120 may check the temperature of the first memory 210 based on communication with the first controller 910. In one embodiment, in operation 1101, description overlapping with operation 601 of FIG. 6 may not be repeated.

동작 1103에서, 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 제2 컨트롤러(920)를 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제1 메모리(210)의 온도가 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(예: 도 4b의 안정 구간(470))을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 제2 컨트롤러(920)를 통하여, 제2 메모리(220)에 제어 신호를 전송할 수 있다. 프로세서(120)는, 제1 메모리(210)가 부팅됨에 기반하여, 제1 메모리(210)를 초기화하는 동작의 적어도 일부로, 제1 메모리(210)에 대한 적어도 하나의 온도 한계선을 설정할 수 있다. 프로세서(120)는, 제1 메모리(210)의 온도를 상기 적어도 하나의 온도 한계선과 비교함에 기반하여, 제1 메모리(210)의 온도가 상기 안정 구간(470)을 이탈하였는지 여부를 확인할 수 있다.일 실시예에서, 프로세서(120)는, 제2 메모리(220)의 동작을 제한함에 기반하여 고온 상태에 있는 제2 메모리(220)의 온도를 저감하거나, 제2 메모리(220)의 동작들을 활성화시킴에 기반하여 저온 상태에 있는 제2 메모리(220)의 온도를 증가시킬 수 있다. 전자 장치(101)(예: 프로세서(120))가 제2 메모리(220)의 동작을 제한하거나 활성화시키는 동작의 예시는, 도 5의 동작 507과 적어도 일부가 동일 또는 유사한 바, 도 5와 중복되는 설명은 반복되지 않을 수 있다.In operation 1103, in one embodiment, the electronic device 101 may control the second controller 920 to limit the operation of the second memory 220. In one embodiment, the processor 120 determines that the temperature of the first memory 210 deviates from a stable range for the first memory 210 (e.g., the stable range 470 in FIG. 4B). , A control signal can be transmitted to the second memory 220 through the second controller 920. The processor 120 may set at least one temperature limit line for the first memory 210 as at least part of the operation of initializing the first memory 210 based on the first memory 210 booting. The processor 120 may check whether the temperature of the first memory 210 deviates from the stable section 470 based on comparing the temperature of the first memory 210 with the at least one temperature limit line. .In one embodiment, the processor 120 reduces the temperature of the second memory 220 in a high temperature state based on limiting the operation of the second memory 220 or reduces the operations of the second memory 220. Based on activation, the temperature of the second memory 220 in a low temperature state can be increased. An example of an operation in which the electronic device 101 (e.g., the processor 120) restricts or activates the operation of the second memory 220 is at least partially the same or similar to operation 507 of FIG. 5 and overlaps with FIG. 5. The explanation may not be repeated.

본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210), 제2 메모리(220), 및 상기 제1 메모리(210) 및 상기 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간(440) 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the electronic device 101 includes a first memory 210, a second memory 220, and operatively with the first memory 210 and the second memory 220. It may be configured to include at least one processor 120 that is connected. The at least one processor 120 may be configured to check the temperature of the second memory 220. The at least one processor 120, based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the warning section 440 for the second memory 220, Can be configured to check temperature. The at least one processor 120 may be configured to limit the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있음을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작 상태를 유지하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120, based on confirming that the temperature of the first memory 210 is within the stable range 470 for the first memory 210, 2 It may be configured to maintain the operating state of the memory 220.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120, based on confirming that the temperature of the first memory 210 is not within the stable range 470 for the first memory 210, It may be configured to limit the operation of the second memory 220.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하도록 더 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하도록 더 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 may be further configured to check the temperature of the first memory 210 while limiting the operation of the second memory 220. The at least one processor 120 may be further configured to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirmation that the confirmed temperature of the first memory 210 is a reference temperature. . The at least one processor 120 may be further configured to maintain a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the confirmed temperature of the first memory 210 is not a reference temperature. there is.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인 하도록 더 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 확인된 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 may be further configured to check the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220. The at least one processor 120 may be further configured to determine whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the confirmed temperature of the second memory 220.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 further removes restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature. It can be configured.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 maintains a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is not the reference temperature. It can be configured further.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하였는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달한 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트가 발생함을 확인하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 is further configured to determine whether the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220. It can be. The at least one processor 120, based on confirming that the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, ) may be further configured to confirm that an exception event occurs.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 경고 구간(440) 내에 있는지 여부를 확인하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 determines that the temperature of the second memory 220 does not reach the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220. , It may be further configured to check whether the temperature of the second memory 220 is within the warning section 440.

본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 제1 메모리(210), 제2 메모리(220), 및 상기 제1 메모리(210) 및 상기 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하도록 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470)을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성될 수 있다.The electronic device 101 according to an embodiment of the present disclosure includes a first memory 210, a second memory 220, and is operatively connected to the first memory 210 and the second memory 220. It may be configured to include at least one processor 120. The at least one processor 120 may be configured to check the temperature of the first memory 210. The at least one processor 120 operates the second memory 220 based on confirmation that the temperature of the first memory 210 deviates from the stable range 470 for the first memory 210. It may be configured to limit the operation of.

일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인 하도록 더 구성될 수 있다. 상기 적어도 하나의 프로세서(120)는, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도임을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하도록 더 구성될 수 있다.According to one embodiment, the at least one processor 120 may be further configured to check the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220. The at least one processor 120 may be further configured to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirmation that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature.

본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 메모리(130)를 운영하는 방법은, 상기 전자 장치(101)의 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간(440) 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치(101)의 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.A method of operating the memory 130 of the electronic device 101 according to an embodiment of the present disclosure may include checking the temperature of the second memory 220 of the electronic device 101. The method is based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the warning section 440 for the second memory 220, It may include an operation to check the temperature. The method may include limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210.

일 실시예에 따르면, 상기 방법에서, 상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작은, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있음을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작 상태를 유지하는 동작을 포함할 수 있다.According to one embodiment, in the method, the operation of limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210 is performed when the temperature of the first memory 210 is This may include maintaining the operating state of the second memory 220 based on confirmation that the first memory 210 is within the stable section 470.

일 실시예에 따르면, 상기 방법에서, 상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작은, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.According to one embodiment, in the method, the operation of limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210 is performed when the temperature of the first memory 210 is An operation of limiting the operation of the second memory 220 may be included based on confirmation that the first memory 210 is not within the stable section 470.

일 실시예에 따르면, 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method may further include checking the temperature of the first memory 210 while limiting the operation of the second memory 220. The method may further include removing restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the confirmed temperature of the first memory 210 is a reference temperature. The method may further include maintaining a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the confirmed temperature of the first memory 210 is not the reference temperature.

일 실시예에 따르면, 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 확인된 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method may further include checking the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220. The method may further include determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the confirmed temperature of the second memory 220.

일 실시예에 따르면, 상기 방법에서, 상기 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하는 동작을 포함할 수 있다.According to one embodiment, in the method, the operation of determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the temperature of the second memory 220 includes the operation of the second memory 220. ) may include an operation of releasing restrictions on the operation of the second memory 220, based on confirming that the temperature is the reference temperature.

일 실시예에 따르면, 상기 방법에서, 상기 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하는 동작을 포함할 수 있다.According to one embodiment, in the method, the operation of determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the temperature of the second memory 220 includes the operation of the second memory 220. ) may include maintaining a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature is not the reference temperature.

일 실시예에 따르면, 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하였는지 여부를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달한 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트가 발생함을 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method may further include checking whether the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220. The method is based on confirming that the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, and an exception event for the second memory 220 is generated. An operation to confirm occurrence may be further included.

일 실시예에 따르면, 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 경고 구간(440) 내에 있는지 여부를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method is based on confirming that the temperature of the second memory 220 does not reach the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, the second memory ( An operation of checking whether the temperature of 220) is within the warning section 440 may be further included.

본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 메모리(130)를 운영하는 방법은, 상기 전자 장치(101)의 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470)을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함할 수 있다.A method of operating the memory 130 of the electronic device 101 according to an embodiment of the present disclosure may include checking the temperature of the first memory 210 of the electronic device 101. The method includes limiting the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 deviates from the stable range 470 for the first memory 210. may include.

일 실시예에 따르면, 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작을 더 포함할 수 있다. 상기 방법은, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도임을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method may further include checking the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220. The method may further include removing restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature.

본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.An electronic device according to an embodiment disclosed in this document may be of various types. Electronic devices may include, for example, portable communication devices (e.g., smartphones), computer devices, portable multimedia devices, portable medical devices, cameras, wearable devices, or home appliances. Electronic devices according to embodiments of this document are not limited to the above-described devices.

본 문서의 일 실시예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.An embodiment of this document and the terms used herein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various changes, equivalents, or substitutes for the embodiment. In connection with the description of the drawings, similar reference numbers may be used for similar or related components. The singular form of a noun corresponding to an item may include one or more of the items, unless the relevant context clearly indicates otherwise. As used herein, “A or B”, “at least one of A and B”, “at least one of A or B”, “A, B or C”, “at least one of A, B and C”, and “A Each of phrases such as “at least one of , B, or C” may include any one of the items listed together in the corresponding phrase, or any possible combination thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "second" may be used simply to distinguish one component from another, and to refer to those components in other respects (e.g., importance or order) is not limited. One (e.g., first) component is said to be “coupled” or “connected” to another (e.g., second) component, with or without the terms “functionally” or “communicatively.” Where mentioned, it means that any of the components can be connected to the other components directly (e.g. wired), wirelessly, or through a third component.

본 문서의 일 실시예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term “module” used in one embodiment of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and may be interchangeable with terms such as logic, logic block, component, or circuit, for example. can be used A module may be an integrated part or a minimum unit of the parts or a part thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 일 실시예는 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다. One embodiment of the present document is one or more instructions stored in a storage medium (e.g., built-in memory 136 or external memory 138) that can be read by a machine (e.g., electronic device 101). It may be implemented as software (e.g., program 140) including these. For example, a processor (e.g., processor 120) of a device (e.g., electronic device 101) may call at least one command among one or more commands stored from a storage medium and execute it. This allows the device to be operated to perform at least one function according to the at least one instruction called. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code that can be executed by an interpreter. A storage medium that can be read by a device may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain signals (e.g. electromagnetic waves). This term refers to cases where data is stored semi-permanently in the storage medium. There is no distinction between temporary storage cases.

일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, a method according to an embodiment disclosed in this document may be provided and included in a computer program product. Computer program products are commodities and can be traded between sellers and buyers. The computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (e.g. Play Store TM ) or on two user devices (e.g. It can be distributed (e.g. downloaded or uploaded) directly between smart phones) or online. In the case of online distribution, at least a portion of the computer program product may be at least temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium, such as the memory of a manufacturer's server, an application store's server, or a relay server.

일 실시예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다. According to one embodiment, each component (e.g., module or program) of the above-described components may include a single or multiple entities, and some of the multiple entities may be separately placed in other components. . According to one embodiment, one or more of the above-described corresponding components or operations may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, multiple components (eg, modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to one embodiment, operations performed by a module, program, or other component may be executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the operations may be executed in a different order, omitted, or , or one or more other operations may be added.

또한, 상술한 본 발명의 실시예에서 사용된 데이터의 구조는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 여러 수단을 통하여 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, CD-ROM, DVD 등)와 같은 저장매체를 포함한다.Additionally, the data structure used in the above-described embodiments of the present invention can be recorded on a computer-readable recording medium through various means. The computer-readable recording media includes storage media such as magnetic storage media (eg, ROM, floppy disk, hard disk, etc.) and optical read media (eg, CD-ROM, DVD, etc.).

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far, the present invention has been examined focusing on its preferred embodiments. A person skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered from an illustrative rather than a restrictive perspective. The scope of the present invention is indicated in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the equivalent scope should be construed as being included in the present invention.

Claims (20)

전자 장치(101)에 있어서,
제1 메모리(210);
제2 메모리(220); 및
상기 제1 메모리(210), 및 상기 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하고,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간(440) 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하고, 및
상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성된, 전자 장치(101).
In the electronic device 101,
first memory 210;
second memory 220; and
Comprising at least one processor 120 operatively connected to the first memory 210 and the second memory 220,
The at least one processor 120,
Check the temperature of the second memory 220,
Confirming the temperature of the first memory 210 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the warning range 440 for the second memory 220, and
The electronic device 101 is configured to limit the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210.
 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성된, 전자 장치(101).
According to claim 1,
The at least one processor 120,
An electronic device configured to limit the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 is not within the stable range 470 for the first memory 210 101).
 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하고,
상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하고,
상기 확인된 제1 메모리(210)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하도록 구성된, 전자 장치(101).
The method of claim 1 or 2,
The at least one processor 120,
While limiting the operation of the second memory 220, check the temperature of the first memory 210,
Based on confirming that the confirmed temperature of the first memory 210 is the reference temperature, the restriction on the operation of the second memory 220 is lifted,
The electronic device 101 is configured to maintain a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the confirmed temperature of the first memory 210 is not a reference temperature.
 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하고, 및
상기 확인된 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
The method according to any one of claims 1 to 3,
The at least one processor 120,
While limiting the operation of the second memory 220, check the temperature of the second memory 220, and
The electronic device 101 is further configured to determine whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the confirmed temperature of the second memory 220.
 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
The method according to any one of claims 1 to 4,
The at least one processor 120,
The electronic device 101 is further configured to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature.
 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
The method according to any one of claims 1 to 5,
The at least one processor 120,
The electronic device (101) is further configured to maintain a limit on the operation of the second memory (220) based on confirming that the temperature of the second memory (220) is not a reference temperature.
 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하였는지 여부를 확인하고, 및
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달한 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트가 발생함을 확인하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
The method according to any one of claims 1 to 6,
The at least one processor 120,
Check whether the temperature of the second memory 220 reaches the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, and
Based on confirming that the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, it is confirmed that an exception event for the second memory 220 occurs. An electronic device 101 further configured to do so.
 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 경고 구간(440) 내에 있는지 여부를 확인하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
The method according to any one of claims 1 to 7,
The at least one processor 120,
Based on confirming that the temperature of the second memory 220 does not reach the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, the temperature of the second memory 220 increases within the warning section 440. ), the electronic device 101 further configured to determine whether the electronic device 101 is within the range.
 전자 장치(101)에 있어서,
제1 메모리(210);
제2 메모리(220); 및
상기 제1 메모리(210), 및 상기 제2 메모리(220)와 작동적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서(120)를 포함하고,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제1 메모리(210)의 온도를 확인하고,
상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470)을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하도록 구성된, 전자 장치(101).
In the electronic device 101,
first memory 210;
second memory 220; and
Comprising at least one processor 120 operatively connected to the first memory 210 and the second memory 220,
The at least one processor 120,
Check the temperature of the first memory 210,
An electronic device ( 101).
 제 9 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서(120)는,
상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하고, 및
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도임을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하도록 더 구성된, 전자 장치(101).
According to clause 9,
The at least one processor 120,
While limiting the operation of the second memory 220, check the temperature of the second memory 220, and
The electronic device (101) is further configured to release restrictions on the operation of the second memory (220) based on confirming that the temperature of the second memory (220) is a reference temperature.
 전자 장치(101)의 메모리(130)를 운영하는 방법에 있어서,
상기 전자 장치(101)의 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작;
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 경고 구간(440) 내에 있는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치(101)의 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작; 및
상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함하는, 방법.
In a method of operating the memory 130 of the electronic device 101,
Checking the temperature of the second memory 220 of the electronic device 101;
Based on confirming that the temperature of the second memory 220 is within the warning section 440 for the second memory 220, the temperature of the first memory 210 of the electronic device 101 is confirmed. movement; and
A method comprising limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210.
 제 11 항에 있어서,
상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작은,
상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있음을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작 상태를 유지하는 동작을 포함하는, 방법.
According to claim 11,
The operation of limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210 is,
Comprising an operation of maintaining the operating state of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 is within the stable range 470 for the first memory 210, method.
 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 제1 메모리(210)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작은,
상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470) 내에 있지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함하는, 방법.
The method of claim 11 or 12,
The operation of limiting the operation of the second memory 220 based on the temperature of the first memory 210 is,
Comprising an operation of limiting the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the first memory 210 is not within the stable range 470 for the first memory 210, method.
 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작; 및
상기 확인된 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작을 더 포함하는, 방법.
The method according to any one of claims 11 to 13,
Checking the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220; and
The method further includes determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the confirmed temperature of the second memory 220.
 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작은,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도인 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하는 동작을 포함하는, 방법.
The method according to any one of claims 11 to 14,
The operation of determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the temperature of the second memory 220 includes:
A method comprising lifting restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature.
 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 온도에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제할지 여부를 결정하는 동작은,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도가 아닌 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 유지하는 동작을 포함하는, 방법.
The method according to any one of claims 11 to 15,
The operation of determining whether to release restrictions on the operation of the second memory 220 based on the temperature of the second memory 220 includes:
A method comprising maintaining a limit on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is not a reference temperature.
 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하였는지 여부를 확인하는 동작; 및
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달한 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)에 대한 예외 이벤트가 발생함을 확인하는 동작을 더 포함하는, 방법.
The method according to any one of claims 11 to 16,
An operation to check whether the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220; and
Based on confirming that the temperature of the second memory 220 has reached the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, it is confirmed that an exception event for the second memory 220 occurs. A method that further includes an operation.
 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 제2 메모리(220)에 대한 최대 온도 한계선(410)에 도달하지 않은 것을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 온도가 상기 경고 구간(440) 내에 있는지 여부를 확인하는 동작을 더 포함하는, 방법.
The method according to any one of claims 11 to 17,
Based on confirming that the temperature of the second memory 220 does not reach the maximum temperature limit line 410 for the second memory 220, the temperature of the second memory 220 increases within the warning section 440. ), a method further comprising an operation of checking whether the method is within the method.
 전자 장치(101)의 메모리(130)를 운영하는 방법에 있어서,
상기 전자 장치(101)의 제1 메모리(210)의 온도를 확인하는 동작; 및
상기 제1 메모리(210)의 온도가 상기 제1 메모리(210)에 대한 안정 구간(470)을 이탈하는 것을 확인함에 기반하여, 상기 전자 장치(101)의 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동작을 포함하는, 방법.
In a method of operating the memory 130 of the electronic device 101,
An operation of checking the temperature of the first memory 210 of the electronic device 101; and
Based on confirming that the temperature of the first memory 210 deviates from the stable range 470 for the first memory 210, the operation of the second memory 220 of the electronic device 101 is restricted. A method that includes the action of doing something.
 제 19 항에 있어서,
상기 제2 메모리(220)의 동작을 제한하는 동안, 상기 제2 메모리(220)의 온도를 확인하는 동작; 및
상기 제2 메모리(220)의 온도가 기준 온도임을 확인함에 기반하여, 상기 제2 메모리(220)의 동작의 제한을 해제하는 동작을 더 포함하는, 방법.
According to claim 19,
Checking the temperature of the second memory 220 while limiting the operation of the second memory 220; and
The method further includes lifting restrictions on the operation of the second memory 220 based on confirming that the temperature of the second memory 220 is a reference temperature.
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