KR20230065112A - Electronic device controlling an operation of a volatile memory and method for operating the same - Google Patents

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Abstract

According to various embodiments, provided is an electronic device, which includes storage, volatile memory, and a processor. The processor checks temperature information of the volatile memory and the processor, checks the first temperature section corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature sections, performs calibration on the volatile memory to obtain operating parameters corresponding to the first temperature section, and adjusts the timing between signals which control the operation of the volatile memory, based on the operating parameters.

Description

휘발성 메모리의 동작을 제어하는 전자 장치와 이의 동작 방법 {ELECTRONIC DEVICE CONTROLLING AN OPERATION OF A VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME}Electronic device for controlling the operation of volatile memory and method for operating the same

다양한 실시 예들은, 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 전자 장치와 이의 동작 방법에 관한 것이다.Various embodiments relate to an electronic device for controlling an operation of a volatile memory and an operating method thereof.

전자 기술의 발달에 힘입어 다양한 유형의 전자 장치들이 개발 및 보급되고 있다. 특히, 최근에는 스마트폰, 태블릿 PC 등과 같이 다양한 기능을 가지는 휴대용 전자 장치의 보급이 확대되고 있다. 휴대용 전자 장치의 보급에 따라, 전자 장치들에 적용되는 기술의 고도화되고 전자 장치의 부품 집적도가 높아지고 있다.Thanks to the development of electronic technology, various types of electronic devices are being developed and spread. Particularly, in recent years, portable electronic devices having various functions, such as smart phones and tablet PCs, have been widely spread. BACKGROUND With the spread of portable electronic devices, technologies applied to the electronic devices are becoming more advanced and the degree of component integration of the electronic devices is increasing.

전자 장치의 부품 집적도가 높아짐에 따라, 전자 장치는 고성능의 어플리케이션 프로세서(application processor(AP))와 휘발성 메모리(예컨대, dynamic random access memory(DRAM))를 포함할 수 있다. As the degree of component integration of an electronic device increases, the electronic device may include a high-performance application processor (AP) and volatile memory (eg, dynamic random access memory (DRAM)).

AP와 휘발성 메모리(예컨대, DRAM)을 포함하는 전자 장치는, 시스템 내부의 온도에 의해, AP와 휘발성 메모리 사이의 동작에 영향을 받을 수 있다. 특히, AP와 휘발성 메모리 사이의 동작을 수행하는 신호들은 시스템 내부의 온도에 민감하게 영향을 받을 수 있다. In an electronic device including an AP and a volatile memory (eg, DRAM), an operation between the AP and the volatile memory may be affected by an internal temperature of the system. In particular, signals performing an operation between the AP and the volatile memory may be sensitively affected by the internal temperature of the system.

또한, 휘발성 메모리(예컨대, DRAM)는, 정상 온도를 벗어난 고온 상태 또는 저온 상태에 장시간 노출되면 초기에 캘리브레이션 동작(예컨대, DDR 트레이닝)을 통해 설정된 동작 범위를 벗어나고, 이로 인한 여러 형태의 작동 불량이 발생될 수 있다. 예컨대, AP와 휘발성 메모리 사이에서 송수신되는 클럭 신호와 명령어에 대한 마진이 기설정된 동작 범위를 벗어날 경우, 휘발성 메모리(예컨대, DRAM)는, 잘못된 주소로 접근하여 다양한 작동 불량을 발생시킬 수 있다. In addition, when a volatile memory (eg, DRAM) is exposed to a high temperature or low temperature outside the normal temperature for a long time, it is out of the operating range initially set through a calibration operation (eg, DDR training), resulting in various types of malfunctions. may occur. For example, when a margin for a clock signal and a command transmitted and received between an AP and a volatile memory is out of a predetermined operating range, the volatile memory (eg, DRAM) may access an incorrect address and cause various malfunctions.

기존의 전자 장치는, 온도 변화에 기반하여 휘발성 메모리에 포함된 메모리 셀의 데이터 보전을 위한 리프레시 동작을 수정하는 기능을 수행할 수 있었다. 다만, 기존의 전자 장치는 온도 변화에 따라 AP와 휘발성 메모리(예컨대, DRAM) 사이의 동작 파라미터를 수정하는 기능을 수행할 수 없었다. Existing electronic devices may perform a function of correcting a refresh operation for data preservation of a memory cell included in a volatile memory based on a temperature change. However, conventional electronic devices cannot perform a function of modifying an operating parameter between an AP and a volatile memory (eg, DRAM) according to a temperature change.

다양한 실시 예들은, 시스템 리부팅을 수행하지 않으면서 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션 동작을 수행하여 휘발성 메모리와 프로세서의 온도에 대응하는 온도 구간에 대한 동작 파라미터를 획득하고, 획득된 동작 파라미터에 기초하여 프로세서와 휘발성 메모리 사이의 동작들을 수행하는 신호들을 조정할 수 있는 전자 장치와 이의 동작 방법을 제공할 수 있다.In various embodiments, a calibration operation is performed on a volatile memory without performing a system reboot to obtain operating parameters for a temperature interval corresponding to temperatures of the volatile memory and the processor, and based on the obtained operating parameters, the processor and the volatile memory are calibrated. An electronic device capable of adjusting signals performing operations between memories and an operating method thereof may be provided.

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 스토리지, 휘발성 메모리, 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 휘발성 메모리와 상기 프로세서의 온도 정보를 확인하고, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하고, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하고, 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하도록 설정될 수 있다.An electronic device according to various embodiments includes a storage, a volatile memory, and a processor, wherein the processor checks temperature information of the volatile memory and the processor, and corresponds to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature intervals. Signals for determining a first temperature range of the volatile memory, performing calibration on the volatile memory, obtaining an operating parameter corresponding to the first temperature range, and controlling the operation of the volatile memory based on the operating parameter It can be set to adjust the timing between

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 동작 방법은, 상기 전자 장치에 포함된 휘발성 메모리와 프로세서의 온도 정보를 확인하는 동작, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작, 및 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.An operating method of an electronic device according to various embodiments includes an operation of checking temperature information of a volatile memory and a processor included in the electronic device, and checking a first temperature section corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature sections. An operation of performing calibration on the volatile memory to obtain an operating parameter corresponding to the first temperature range, and timing between signals controlling the operation of the volatile memory based on the operating parameter. Adjustment may be included.

다양한 실시 예들에 따른 비일시적 기록매체는, 전자 장치에 포함된 휘발성 메모리와 프로세서의 온도 정보를 확인하는 동작, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작, 및 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 수행할 수 있는 프로그램을 저장할 수 있다.The non-transitory recording medium according to various embodiments includes an operation of checking temperature information of a volatile memory and a processor included in an electronic device, and an operation of checking a first temperature section corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature sections. , performing calibration on the volatile memory to acquire an operating parameter corresponding to the first temperature range, and adjusting timing between signals controlling the operation of the volatile memory based on the operating parameter You can store programs that can perform actions.

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 전자 장치에 포함된 프로세서와 휘발성 메모리의 온도에 최적화된 동작 파라미터를 해당 동작을 수행하는 신호들에 적용하여 온도에 의한 프로세서와 휘발성 메모리의 성능 저하를 방지할 수 있다.An electronic device according to various embodiments may prevent performance degradation of a processor and a volatile memory due to temperature by applying an operating parameter optimized for a temperature of a processor and a volatile memory included in the electronic device to signals performing a corresponding operation. there is.

도 1은, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 개략적인 블록도이다.
도 3은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 4는, 다양한 실시 예들에 따른 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들에 대한 도면이다.
도 5는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도 구간에 기반하여 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 6은, 다양한 실시 예들에 따른 휘발성 메모리의 동작 상태에 대한 도면이다.
도 7은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도에 따라 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 시점을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도 구간에 기반하여 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 10은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리의 동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 11은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리의 동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 복수의 동작 주파수 세트들에 동작 파라미터를 적용하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.1 is a block diagram of an electronic device in a network environment, according to various embodiments.
2 is a schematic block diagram of an electronic device according to various embodiments.
3 is a flowchart illustrating an operation of adjusting signals for controlling the operation of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
4 is a diagram of signals controlling an operation of a volatile memory according to various embodiments.
5 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device adjusting timings of signals controlling an operation of a volatile memory based on a temperature range according to various embodiments of the present disclosure.
6 is a diagram of an operating state of a volatile memory according to various embodiments.
FIG. 7 is a diagram for explaining an operation of adjusting timings of signals for controlling an operation of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
8 is a diagram for explaining a timing point at which an electronic device adjusts timing of each of signals controlling an operation of a volatile memory according to various embodiments of the present disclosure.
9 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device adjusting timing of signals for controlling an operation of a volatile memory based on a temperature range according to various embodiments of the present disclosure.
10 is a flowchart illustrating an operation of adjusting timing of each of frequencies included in an operating frequency set of a volatile memory based on an operating parameter by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
11 is a diagram for explaining an operation of adjusting timing of each frequency included in an operating frequency set of a volatile memory based on an operating parameter by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
12 is a flowchart illustrating an operation of applying an operating parameter to a plurality of operating frequency sets of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.1 is a block diagram of an electronic device 101 within a network environment 100, according to various embodiments. Referring to FIG. 1 , in a network environment 100, an electronic device 101 communicates with an electronic device 102 through a first network 198 (eg, a short-range wireless communication network) or through a second network 199. It may communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (eg, a long-distance wireless communication network). According to one embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108 . According to an embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or the antenna module 197 may be included. In some embodiments, in the electronic device 101, at least one of these components (eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added. In some embodiments, some of these components (eg, sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into a single component (eg, display module 160). It can be.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (eg, the program 140) to cause at least one other component (eg, hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can control and perform various data processing or calculations. According to one embodiment, as at least part of data processing or operation, the processor 120 transfers instructions or data received from other components (e.g., sensor module 176 or communication module 190) to volatile memory 132. , processing commands or data stored in the volatile memory 132 , and storing resultant data in the non-volatile memory 134 . According to one embodiment, the processor 120 may include a main processor 121 (eg, a central processing unit or an application processor) or a secondary processor 123 (eg, a graphic processing unit, a neural network processing unit ( NPU: neural processing unit (NPU), image signal processor, sensor hub processor, or communication processor). For example, when the electronic device 101 includes the main processor 121 and the auxiliary processor 123, the auxiliary processor 123 may use less power than the main processor 121 or be set to be specialized for a designated function. can The secondary processor 123 may be implemented separately from or as part of the main processor 121 .

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The secondary processor 123 may, for example, take the place of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (eg, sleep) state, or the main processor 121 is active (eg, running an application). ) state, together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (eg, the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) It is possible to control at least some of the related functions or states. According to one embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, image signal processor or communication processor) may be implemented as part of other functionally related components (eg, camera module 180 or communication module 190). there is. According to an embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, a neural network processing device) may include a hardware structure specialized for processing an artificial intelligence model. AI models can be created through machine learning. Such learning may be performed, for example, in the electronic device 101 itself where the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (eg, the server 108). The learning algorithm may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning or reinforcement learning, but in the above example Not limited. The artificial intelligence model may include a plurality of artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural networks (DNNs), convolutional neural networks (CNNs), recurrent neural networks (RNNs), restricted boltzmann machines (RBMs), deep belief networks (DBNs), bidirectional recurrent deep neural networks (BRDNNs), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the foregoing, but is not limited to the foregoing examples. The artificial intelligence model may include, in addition or alternatively, software structures in addition to hardware structures.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101 . The data may include, for example, input data or output data for software (eg, program 140) and commands related thereto. The memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134 .

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142 , middleware 144 , or an application 146 .

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive a command or data to be used by a component (eg, the processor 120) of the electronic device 101 from the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The input module 150 may include, for example, a microphone, a mouse, a keyboard, a key (eg, a button), or a digital pen (eg, a stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다. The sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101 . The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. A receiver may be used to receive an incoming call. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 may visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector and a control circuit for controlling the device. According to one embodiment, the display module 160 may include a touch sensor set to detect a touch or a pressure sensor set to measure the intensity of force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 may convert sound into an electrical signal or vice versa. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device connected directly or wirelessly to the electronic device 101 (eg: Sound may be output through the electronic device 102 (eg, a speaker or a headphone).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects an operating state (eg, power or temperature) of the electronic device 101 or an external environmental state (eg, a user state), and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to one embodiment, the sensor module 176 may include, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a bio sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that may be used to directly or wirelessly connect the electronic device 101 to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 may be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 may convert electrical signals into mechanical stimuli (eg, vibration or motion) or electrical stimuli that a user may perceive through tactile or kinesthetic senses. According to one embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 may capture still images and moving images. According to one embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 may manage power supplied to the electronic device 101 . According to one embodiment, the power management module 188 may be implemented as at least part of a power management integrated circuit (PMIC), for example.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101 . According to one embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The communication module 190 is a direct (eg, wired) communication channel or a wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (eg, the electronic device 102, the electronic device 104, or the server 108). Establishment and communication through the established communication channel may be supported. The communication module 190 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 120 (eg, an application processor) and support direct (eg, wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (eg, : a local area network (LAN) communication module or a power line communication module). Among these communication modules, a corresponding communication module is a first network 198 (eg, a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (eg, a legacy communication module). It may communicate with the external electronic device 104 through a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a telecommunications network such as a computer network (eg, a LAN or a WAN). These various types of communication modules may be integrated as one component (eg, a single chip) or implemented as a plurality of separate components (eg, multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (eg, International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 may be identified or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. The wireless communication module 192 may support a 5G network after a 4G network and a next-generation communication technology, for example, NR access technology (new radio access technology). NR access technologies include high-speed transmission of high-capacity data (enhanced mobile broadband (eMBB)), minimization of terminal power and access of multiple terminals (massive machine type communications (mMTC)), or high reliability and low latency (ultra-reliable and low latency (URLLC)). -latency communications)) can be supported. The wireless communication module 192 may support a high frequency band (eg, mmWave band) to achieve a high data rate, for example. The wireless communication module 192 uses various technologies for securing performance in a high frequency band, such as beamforming, massive multiple-input and multiple-output (MIMO), and full-dimensional multiplexing. Technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna may be supported.

무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 1eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support various requirements defined for the electronic device 101, an external electronic device (eg, the electronic device 104), or a network system (eg, the second network 199). According to one embodiment, the wireless communication module 192 may be used to realize Peak data rate (eg, 20 Gbps or more) for realizing 1eMBB, loss coverage (eg, 164 dB or less) for realizing mMTC, or U-plane latency (for realizing URLLC). Example: downlink (DL) and uplink (UL) each of 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) may be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다. The antenna module 197 may transmit or receive signals or power to the outside (eg, an external electronic device). According to one embodiment, the antenna module 197 may include an antenna including a radiator formed of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB). According to one embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is selected from the plurality of antennas by the communication module 190, for example. can be chosen A signal or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna. According to some embodiments, other components (eg, a radio frequency integrated circuit (RFIC)) may be additionally formed as a part of the antenna module 197 in addition to the radiator.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, the mmWave antenna module includes a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first surface (eg, a lower surface) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (eg, mmWave band); and a plurality of antennas (eg, array antennas) disposed on or adjacent to a second surface (eg, a top surface or a side surface) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals of the designated high frequency band. can do.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 111 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to an embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199 . Each of the external electronic devices 102 or 104 may be the same as or different from the electronic device 101 . According to an embodiment, all or part of operations executed in the electronic device 101 may be executed in one or more external electronic devices among the external electronic devices 102 , 104 , or 108 . For example, when the electronic device 101 needs to perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 instead of executing the function or service by itself. Alternatively or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform the function or at least part of the service. One or more external electronic devices receiving the request may execute at least a part of the requested function or service or an additional function or service related to the request, and deliver the execution result to the electronic device 101 . The electronic device 101 may provide the result as at least part of a response to the request as it is or additionally processed. To this end, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology may be used. 111 The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an internet of things (IoT) device. Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to one embodiment, the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199 . The electronic device 101 may be applied to intelligent services (eg, smart home, smart city, smart car, or health care) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be devices of various types. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. An electronic device according to an embodiment of the present document is not limited to the aforementioned devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.Various embodiments of this document and terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, but should be understood to include various modifications, equivalents, or substitutes of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numbers may be used for like or related elements. The singular form of a noun corresponding to an item may include one item or a plurality of items, unless the relevant context clearly dictates otherwise. In this document, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B", "A, B or C", "at least one of A, B and C", and "A Each of the phrases such as "at least one of , B, or C" may include any one of the items listed together in that phrase, or all possible combinations thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "secondary" may simply be used to distinguish a given component from other corresponding components, and may be used to refer to a given component in another aspect (eg, importance or order) is not limited. A (e.g., first) component is said to be "coupled" or "connected" to another (e.g., second) component, with or without the terms "functionally" or "communicatively." When mentioned, it means that the certain component may be connected to the other component directly (eg by wire), wirelessly, or through a third component.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term "module" used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as, for example, logic, logical blocks, parts, or circuits. can be used as A module may be an integrally constructed component or a minimal unit of components or a portion thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of this document provide one or more instructions stored in a storage medium (eg, internal memory 136 or external memory 138) readable by a machine (eg, electronic device 101). It may be implemented as software (eg, the program 140) including them. For example, a processor (eg, the processor 120 ) of a device (eg, the electronic device 101 ) may call at least one command among one or more instructions stored from a storage medium and execute it. This enables the device to be operated to perform at least one function according to the at least one command invoked. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter. The device-readable storage medium may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-temporary' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (e.g. electromagnetic wave), and this term refers to the case where data is stored semi-permanently in the storage medium. It does not discriminate when it is temporarily stored.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. A computer program product is distributed in the form of a device-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (eg Play Store TM ) or on two user devices ( It can be distributed (eg downloaded or uploaded) online, directly between smart phones. In the case of online distribution, at least part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a device-readable storage medium such as a manufacturer's server, an application store server, or a relay server's memory.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다. According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the above-described components may include a single object or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. there is. According to various embodiments, one or more components or operations among the aforementioned corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each of the plurality of components identically or similarly to those performed by a corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, the actions performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the actions are executed in a different order, or omitted. or one or more other actions may be added.

도 2는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 개략적인 블록도이다.2 is a schematic block diagram of an electronic device according to various embodiments.

도 2를 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(201)는, 프로세서(220), 휘발성 메모리(230), 및 스토리지(250)를 포함할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 도 1의 전자 장치(101)와 동일 내지 유사하게 구현될 수 있다.Referring to FIG. 2 , according to various embodiments, an electronic device 201 may include a processor 220, a volatile memory 230, and a storage 250. For example, the electronic device 201 may be implemented the same as or similar to the electronic device 101 of FIG. 1 .

다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 전자 장치(201)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 어플리케이션 프로세서(application processor(AP))로 구현될 수 있다. 프로세서(220)는, 메모리 컨트롤러(225) 및 온도 센서(227)를 포함할 수 있다. According to various embodiments, the processor 220 may control overall operations of the electronic device 201 . For example, the processor 220 may be implemented as an application processor (AP). The processor 220 may include a memory controller 225 and a temperature sensor 227 .

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)(예컨대, 도 1의 휘발성 메모리(132))의 동작을 제어할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)와 다양한 신호들(또는 데이터)을 송수신할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)로 클럭(CLK), 주소 정보(ADDR), 명령(CMD)(예컨대, 리드 명령 또는 라이트 명령), 제1데이터(DQS), 및 제2데이터(DQ)에 관련된 신호들을 송수신할 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)로부터 휘발성 메모리(230)의 온도를 나타내는 코드 정보(또는 온도 코드)를 수신할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)의 지정된 레지스터로부터 온도를 나타내는 코드 정보를 획득할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)에 저장된 데이터를 리프레시(또는 유지)하기 위한 리프레시 레이트 명령을 휘발성 메모리(230)로 전송할 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may control the operation of the volatile memory 230 (eg, the volatile memory 132 of FIG. 1 ). The memory controller 225 may transmit and receive various signals (or data) to and from the volatile memory 230 . For example, the memory controller 225 transmits a clock (CLK), address information (ADDR), a command (CMD) (eg, a read command or a write command), first data (DQS), and second data (DQS) to the volatile memory 230 . Signals related to the data DQ may be transmitted and received. Also, the memory controller 225 may receive code information (or temperature code) representing the temperature of the volatile memory 230 from the volatile memory 230 . For example, the memory controller 225 may obtain code information representing the temperature from a designated register of the volatile memory 230 . The memory controller 225 may transmit a refresh rate command for refreshing (or maintaining) data stored in the volatile memory 230 to the volatile memory 230 .

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터에 대한 정보(예컨대, 리프레시 레이트(refresh rate)를 변경하는 파라미터, 응답 속도를 변경하는 파라미터, 특정 기능을 사용하는 파라미터, 특정 기능을 사용하지 않는 파라미터)를 송수신할 수 있다. 또는, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터에 대한 정보를 레지스터 세트(예컨대, MORE register set)를 통해 읽어오거나 해당 레지스터 세트에 라이트할 수도 있다. 예컨대, 동작 파라미터는, 프로세서(220)와 휘발성 메모리(230)의 온도에 기반하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하기 위한 신호들 각각의 타이밍을 조정하기 위한 파라미터를 의미할 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)의 특정 동작을 수행하기 위한 적어도 하나의 신호에 대하여 복수의 주파수들이 설정될 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)의 특정 동작을 수행하는 신호는, 상황에 따라 복수의 주파수들 중 어느 하나를 가질 수 있다. 이때, 동작 파라미터는, 복수의 주파수들 각각에 대하여 서로 같거나 다른 설정값을 가질 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may provide information on operating parameters of the volatile memory 230 (eg, a parameter for changing a refresh rate, a parameter for changing a response speed, and a parameter for using a specific function). Parameters, parameters that do not use specific functions) can be transmitted and received. Alternatively, the memory controller 225 may read information about operating parameters of the volatile memory 230 through a register set (eg, MORE register set) or may write information to a corresponding register set. For example, the operating parameter may mean a parameter for adjusting the timing of each signal for controlling the operation of the volatile memory 230 based on the temperatures of the processor 220 and the volatile memory 230 . For example, a plurality of frequencies may be set for at least one signal for performing a specific operation of the volatile memory 230 . For example, a signal for performing a specific operation of the volatile memory 230 may have one of a plurality of frequencies depending on circumstances. In this case, the operating parameters may have the same or different set values for each of the plurality of frequencies.

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)와 프로세서(220)의 온도 정보를 확인할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 프로세서(220)에 포함된 온도 센서(227)를 통해, 프로세서(220)의 온도를 확인할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)로부터 수신된 휘발성 메모리(230)의 온도를 나타내는 코드 정보에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 온도를 확인할 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)의 온도를 나타내는 코드 정보는, 휘발성 메모리(230)에 포함된 온도 센서(235)에 의해 센싱된 휘발성 메모리(230)의 온도에 대한 정보를 포함할 수 있다. 또는, 메모리 컨트롤러(225)는, 수신된 코드 정보 및 휘발성 메모리(230)의 제품 정보 중 적어도 하나에 기반하여, 휘발성 메모리(230)의 온도를 확인할 수도 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(225)는, 전자 장치(201)에 포함된 별도의 온도 센서(260)를 통해, 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)의 온도를 더 확인할 수도 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)의 온도와 프로세서(220)의 온도를 확인하고, 휘발성 메모리(230)와 프로세서(220)가 포함된 시스템의 온도 정보를 결정할 수 있다. 예컨대, 온도 정보는, 휘발성 메모리(230)의 온도와 프로세서(220)의 온도의 평균 값에 기반할 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may check temperature information of the volatile memory 230 and the processor 220 . For example, the memory controller 225 may check the temperature of the processor 220 through a temperature sensor 227 included in the processor 220 . The memory controller 225 may check the temperature of the volatile memory 230 based on code information representing the temperature of the volatile memory 230 received from the volatile memory 230 . For example, code information representing the temperature of the volatile memory 230 may include information about the temperature of the volatile memory 230 sensed by the temperature sensor 235 included in the volatile memory 230 . Alternatively, the memory controller 225 may check the temperature of the volatile memory 230 based on at least one of the received code information and product information of the volatile memory 230 . In addition, the memory controller 225 may further check the temperatures of the processor 220 and the volatile memory 230 through a separate temperature sensor 260 included in the electronic device 201 . The memory controller 225 may check the temperature of the volatile memory 230 and the temperature of the processor 220 and determine temperature information of a system including the volatile memory 230 and the processor 220 . For example, the temperature information may be based on an average value of the temperature of the volatile memory 230 and the temperature of the processor 220 .

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인할 수 있다. 예컨대, 제1온도 구간은, 복수의 온도 구간 중 휘발성 메모리(230)와 프로세서(220)의 온도 정보가 포함된 온도 구간을 의미할 수 있다. 예컨대, 미리 지정된 복수의 온도 구간들은, 프로세서(220)에 의해 자동으로 지정되거나 사용자에 의해 지정될 수 있다. 예컨대, 복수의 온도 구간들은, 초저온 구간(-20~-10도), 저온 구간(-10~0도), 일반 구간(0~40도), 고온 구간(40~60도), 또는 초고온 구간(60도 이상) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 온도 구간들의 개수나 이를 구분하는 온도값은 이에 한정되지 않을 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may check a first temperature section corresponding to temperature information among a plurality of pre-designated temperature sections. For example, the first temperature range may refer to a temperature range including temperature information of the volatile memory 230 and the processor 220 among a plurality of temperature ranges. For example, a plurality of pre-designated temperature ranges may be automatically designated by the processor 220 or designated by a user. For example, the plurality of temperature ranges include an ultra-low temperature range (-20 to -10 degrees), a low temperature range (-10 to 0 degrees), a normal range (0 to 40 degrees), a high temperature range (40 to 60 degrees), or an ultra-high temperature range. (60 degrees or more). However, the number of temperature sections or the temperature value dividing them may not be limited thereto.

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션을 수행하고, 캘리브레이션의 수행에 따라 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션은, DDR(double data rate) 트레이닝(training) 동작을 포함할 수 있다. 예컨대, 캘리브레이션은, 프로세서(220)(예컨대, 메모리 컨트롤러(225))와 휘발성 메모리(230) 사이의 원활한 동작을 위해 수행될 수 있다. 예컨대, 캘리브레이션은, 프로세서(220)(예컨대, 메모리 컨트롤러(225))와 휘발성 메모리(230) 사이의 동작에 필요한 여러 파라미터 값들(예컨대, 주파수 각각의 CLK to DQS 인터벌 타이밍(interval timing) 값, DQS to DQ 핀(pin) 각각의 타이밍 값, 프로세서(220)와 휘발성 메모리(230) 사이의 전압값, 모드 레귤레이터 값)을 설정할 수 있다. 예를 들어, 기준 CLK과 DQS의 관계 또는 DQS와 DQ의 관계를 10이라는 딜레이 값으로 변경할 때, 주변 환경에 따른 캘리브레이션은 각각의 관계 파라미터를 상황에 따라 12로 변경하거나 8로 변경하여 시스템이 최대한 안정적으로 동작할 수 있는 최적점을 확인할 수 있다. 이때, 휘발성 메모리(230)의 동작 주파수에 대응하는 동작 파라미터는, 캘리브레이션에 의해 확인된 최적점에 기반하여 설정 또는 조정될 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may perform calibration on the volatile memory 230 and obtain an operating parameter corresponding to the first temperature range according to the calibration. For example, calibration of the volatile memory 230 may include a double data rate (DDR) training operation. For example, calibration may be performed for smooth operation between the processor 220 (eg, the memory controller 225) and the volatile memory 230. For example, calibration includes various parameter values required for operation between the processor 220 (eg, the memory controller 225) and the volatile memory 230 (eg, CLK to DQS interval timing value for each frequency, DQS A timing value of each to DQ pin, a voltage value between the processor 220 and the volatile memory 230, and a mode regulator value) may be set. For example, when changing the relationship between the standard CLK and DQS or the relationship between DQS and DQ to a delay value of 10, calibration according to the surrounding environment changes each relationship parameter to 12 or 8 depending on the situation so that the system can maximize The optimal point for stable operation can be confirmed. At this time, an operating parameter corresponding to the operating frequency of the volatile memory 230 may be set or adjusted based on an optimal point identified through calibration.

다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 프로세서(220)(또는 시스템)의 백그라운드에서 메모리 컨트롤러(225)의 캘리브레이션 동작을 수행할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 메모리 컨트롤러(225)를 제어하여, DDR 트레이닝을 포함하는 캘리브레이션 동작을 수행할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 획득된 동작 파라미터에 대한 정보를 스토리지(250)(예컨대, 도 1의 비휘발성 메모리(134) 또는 데이터 저장 장치)에 저장할 수 있다. According to various embodiments, the processor 220 may perform a calibration operation of the memory controller 225 in the background of the processor 220 (or system) without rebooting the system. For example, the processor 220 may control the memory controller 225 to perform a calibration operation including DDR training. The memory controller 225 may store information about the acquired operating parameters in the storage 250 (eg, the non-volatile memory 134 of FIG. 1 or a data storage device).

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 프로세서(220)의 백그라운드에서 캘리브레이션을 수행할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 획득된 동작 파라미터에 대한 정보를 스토리지(250)(예컨대, 도 1의 비휘발성 메모리(134) 또는 데이터 저장 장치)에 저장할 수 있다. According to various embodiments, the memory controller 225 may perform calibration in the background of the processor 220 without rebooting the system. The memory controller 225 may store information about the acquired operating parameters in the storage 250 (eg, the non-volatile memory 134 of FIG. 1 or a data storage device).

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터가 스토리지(250)에 기저장된 경우, 캘리브레이션을 수행하지 않고 스토리지(250)로부터 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 지정된 기간동안 동작 파라미터를 획득하기 위한 캘리브레이션을 수행하지 않은 경우, 동작 파라미터가 스토리지(250)에 저장되어 있더라도 캘리브레이션을 수행하여 새로운 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 획득된 새로운 동작 파라미터에 대한 정보를 스토리지(250)에 저장(또는 업데이트)할 수 있다. According to various embodiments, the memory controller 225 may obtain the operating parameters from the storage 250 without performing calibration when operating parameters corresponding to the first temperature range are previously stored in the storage 250 . According to another embodiment, the memory controller 225 may obtain a new operating parameter by performing calibration even if the operating parameter is stored in the storage 250 when calibration is not performed for a specified period of time. can The memory controller 225 may store (or update) information about the acquired new operating parameter in the storage 250 .

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 동작 파라미터에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정(또는 최적화)할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)가 아이들(idle) 상태인지 여부를 확인할 수 있다. 예컨대, 아이들 상태는, 휘발성 메모리(230)가 동작 중 휘발성 메모리(230)에 포함된 메모리 셀에 접근이 없는 상태를 의미할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는, 휘발성 메모리(230)가 아이들 상태인 것으로 확인되면, 아이들 상태에서 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(225)는, 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 클럭 신호(CLK)와 제1데이터 신호(DQS) 사이의 간격, 제1데이터 신호(DQS)와 제2데이터 신호(DQ) 사이의 간격, 및/또는 제2데이터 신호들 각각의 간격을 조정할 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 may adjust (or optimize) timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230 based on an operating parameter. For example, the memory controller 225 may check whether the volatile memory 230 is in an idle state. For example, the idle state may mean a state in which there is no access to a memory cell included in the volatile memory 230 while the volatile memory 230 is in operation. When it is confirmed that the volatile memory 230 is in an idle state, the memory controller 225 may adjust timing between signals controlling an operation of the volatile memory 230 in an idle state. Also, the memory controller 225 may adjust timing between signals at a point in time when the frequency of the signals is changed. For example, the memory controller 225 may determine the interval between the clock signal CLK and the first data signal DQS, the interval between the first data signal DQS and the second data signal DQ, and/or the second data signal DQ. The interval of each of the data signals can be adjusted.

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 동작 파라미터에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 순차적으로 또는 랜덤하게 조정(또는 최적화)할 수 있다. According to various embodiments, the memory controller 225 may sequentially or randomly adjust (or optimize) timings of signals controlling the operation of the volatile memory 230 based on operating parameters.

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 외부 전자 장치(예컨대, 도 1의 서버(108))로부터 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 획득할 수 있다. 예컨대, 메모리 컨트롤러(225)는, 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 펌웨어 형태로 획득할 수 있다. 메모리 컨트롤러(225)는 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 스토리지(250)에 저장할 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(225)는, 동작 파라미터에 대한 정보에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정(또는 최적화)할 수 있다. According to various embodiments, the memory controller 225 may obtain information about an operating parameter corresponding to each of a plurality of temperature intervals from an external electronic device (eg, the server 108 of FIG. 1 ). For example, the memory controller 225 may obtain information on operating parameters corresponding to each of a plurality of temperature intervals in the form of firmware. The memory controller 225 may store information about operating parameters corresponding to each of the plurality of temperature ranges in the storage 250 . Also, the memory controller 225 may adjust (or optimize) timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230 based on the information on the operating parameter.

다양한 실시 예에 따라, 메모리 컨트롤러(225)는, 프로세서(222) 및 휘발성 메모리(230)의 온도에 최적화된 동작 파라미터를 이용하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 이를 통해, 메모리 컨트롤러(225)는, 온도 변화에 따른 휘발성 메모리(230)의 성능 저하를 감소시킬 수 있다. 또한, 메모리 컨트롤러(225)는, 온도 변화에 따른 휘발성 메모리(230)의 불량을 방지할 수 있다.According to various embodiments, the memory controller 225 uses operating parameters optimized for the temperatures of the processor 222 and the volatile memory 230 to determine timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230. can be adjusted Through this, the memory controller 225 can reduce performance degradation of the volatile memory 230 due to temperature change. Also, the memory controller 225 may prevent the volatile memory 230 from being defective due to temperature change.

한편, 이하에서 설명하는 전자 장치(201)의 동작들의 적어도 일부는 프로세서(220)(또는 메모리 컨트롤러(225))에 의해 수행될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위해 전자 장치(201)가 동작을 수행하는 것으로 설명될 것이다.Meanwhile, at least some of the operations of the electronic device 201 described below may be performed by the processor 220 (or the memory controller 225). However, hereinafter, for convenience of explanation, it will be described that the electronic device 201 performs an operation.

도 3은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.3 is a flowchart illustrating an operation of adjusting signals for controlling the operation of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.

도 3을 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 동작 301에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230) 및/또는 프로세서(220)의 온도 정보를 확인할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230) 및 프로세서(220)의 온도를 확인하거나, 휘발성 메모리(230) 또는 프로세서(220) 각각의 온도를 확인할 수도 있다. 예컨대, 온도 정보는, 휘발성 메모리(230) 및 프로세서(220) 각각의 온도에 지정된 가중치를 적용하여 결정되거나, 휘발성 메모리(230) 및 프로세서(220) 각각의 온도의 평균값으로 결정될 수도 있다. 또는, 온도 정보는, 휘발성 메모리(230) 또는 프로세서(220) 중 어느 하나의 온도에 기반할 수도 있다.Referring to FIG. 3 , according to various embodiments, in operation 301, the electronic device 201 may check temperature information of the volatile memory 230 and/or the processor 220. For example, the electronic device 201 may check the temperature of the volatile memory 230 and the processor 220 or check the temperature of each of the volatile memory 230 and the processor 220 . For example, the temperature information may be determined by applying a designated weight to the respective temperatures of the volatile memory 230 and the processor 220, or may be determined as an average value of the respective temperatures of the volatile memory 230 and the processor 220. Alternatively, the temperature information may be based on the temperature of either the volatile memory 230 or the processor 220 .

다양한 실시 예에 따라, 동작 303에서, 전자 장치(201)는, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 확인된 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 303, the electronic device 201 may check a first temperature section corresponding to the checked temperature information among a plurality of pre-designated temperature sections.

다양한 실시 예에 따라, 동작 305에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 프로세서(220)의 백그라운드에서, 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션을 수행하고, 캘리브레이션 수행 결과에 따라 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, in operation 305, the electronic device 201 may obtain operating parameters corresponding to the first temperature range by calibrating the volatile memory 230. For example, the electronic device 201 may perform calibration on the volatile memory 230 in the background of the processor 220 and obtain an operating parameter corresponding to the first temperature range according to a calibration result.

다양한 실시 예에 따라, 동작 307에서, 전자 장치(201)는, 동작 파라미터에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. According to various embodiments, in operation 307, the electronic device 201 may adjust timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230 based on the operating parameter.

도 4는, 다양한 실시 예들에 따른 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들에 대한 도면이다.4 is a diagram of signals controlling an operation of a volatile memory according to various embodiments.

도 4를 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)(예컨대, 메모리 컨트롤러(225))는, 휘발성 메모리(230)로, 클럭 신호(CLK), 주소 정보 신호(ADDR), 명령 신호(CMD)(예컨대, 리드 명령 또는 라이트 명령), 제1데이터 신호(DQS), 및/또는 제2데이터 신호들(DQ)을 전송할 수 있다. Referring to FIG. 4 , according to various embodiments, the processor 220 (eg, the memory controller 225) sends a clock signal (CLK), an address information signal (ADDR), and a command signal (to the volatile memory 230). CMD) (eg, a read command or a write command), the first data signal DQS, and/or the second data signals DQ.

다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)(예컨대, 메모리 컨트롤러(225))는, 동작 파라미터에 기초하여, 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클럭 신호(CLK)와 제1데이터 신호(DQS) 사이의 간격, 제1데이터 신호(DQS)와 제2데이터 신호(DQ) 사이의 간격, 및/또는 제2데이터 신호들(DQ) 각각의 간격을 조정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클럭 신호(CLK)와 제1데이터 신호(DQS) 사이의 간격, 제1데이터 신호(DQS)와 제2데이터 신호(DQ) 사이의 간격, 및/또는 제2데이터 신호들(DQ) 각각의 간격을 증가시키거나 감소시킬 수 있다. 또는, 프로세서(220)는, 클럭 신호(CLK)와 제1데이터 신호(DQS) 사이의 간격, 제1데이터 신호(DQS)와 제2데이터 신호(DQ) 사이의 간격, 및/또는 제2데이터 신호들(DQ) 각각의 간격을 유지할 수도 있다. 한편, 상술한 신호들의 타이밍을 조정하는 것은 예시적인 것일 뿐, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않을 수 있다.According to various embodiments, the processor 220 (eg, the memory controller 225) may adjust timing between signals based on an operating parameter. For example, the processor 220 may determine the interval between the clock signal CLK and the first data signal DQS, the interval between the first data signal DQS and the second data signal DQ, and/or the second data signal DQS. Intervals of each of the signals DQ may be adjusted. For example, the processor 220 may determine the interval between the clock signal CLK and the first data signal DQS, the interval between the first data signal DQS and the second data signal DQ, and/or the second data signal DQS. An interval of each of the signals DQ may be increased or decreased. Alternatively, the processor 220 may determine the interval between the clock signal CLK and the first data signal DQS, the interval between the first data signal DQS and the second data signal DQ, and/or the second data signal DQS. Intervals between the signals DQ may be maintained. Meanwhile, adjusting the timing of the above-described signals is only exemplary, and the technical idea of the present invention may not be limited thereto.

도 5는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도 구간에 기반하여 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.5 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device adjusting timings of signals controlling an operation of a volatile memory based on a temperature range according to various embodiments of the present disclosure.

도 5를 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 동작 501에서, 전자 장치(201)는, 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)의 온도(또는 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)을 포함하는 시스템의 온도)에 대응하는 제1온도 구간을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5 , according to various embodiments, in operation 501, the electronic device 201 sets the temperature of the processor 220 and the volatile memory 230 (or the processor 220 and the volatile memory 230). The first temperature range corresponding to the temperature of the system) may be identified.

다양한 실시 예에 따라, 동작 503에서, 전자 장치(201)는 스토리지(250)에 저장된 플래그(Flag) 값 (예컨대, Flag=1 또는 Flag=0)을 확인할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 플래그 값이 1인지 여부를 확인할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 스토리지(250)에 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터가 저장되어 있으면, 플래그 값을 1로 설정할 수 있다. 또는, 전자 장치(201)는, 스토리지(250)에 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터가 저장되어 있지 않으면, 플래그 값을 0으로 설정할 수 있다. 또한, 전자 장치(201)는, 캘리브레이션을 수행한 후 지정된 기간이 도과된 경우에는, 스토리지(250)에 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터가 저장되더라도 플래그 값을 0으로 설정할 수 있다.According to various embodiments, in operation 503, the electronic device 201 may check a flag value (eg, Flag=1 or Flag=0) stored in the storage 250 . For example, the electronic device 201 may check whether the flag value is 1. For example, the electronic device 201 may set the flag value to 1 if an operating parameter corresponding to the first temperature range is stored in the storage 250 . Alternatively, the electronic device 201 may set the flag value to 0 when the storage 250 does not store the operation parameter corresponding to the first temperature range. In addition, when a specified period elapses after performing calibration, the electronic device 201 may set the flag value to 0 even though the operation parameter corresponding to the first temperature range is stored in the storage 250 .

다양한 실시 예에 따라, 플래그 값이 1이 아닌 것으로 확인되면(동작 503의 아니오), 동작 505에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 프로세서(220)의 백그라운드에서 휘발성 메모리(230)에 대한 캘리브레이션을 수행할 수 있다. 동작 507에서, 전자 장치(201)는, 획득된 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 스토리지(250)에 저장할 수 있다.According to various embodiments, if it is determined that the flag value is not 1 (NO in operation 503), in operation 505, the electronic device 201 performs calibration on the volatile memory 230, and Corresponding operating parameters may be obtained. For example, the electronic device 201 may perform calibration of the volatile memory 230 in the background of the processor 220 . In operation 507 , the electronic device 201 may store the obtained operating parameters corresponding to the first temperature range in the storage 250 .

다양한 실시 예에 따라, 플래그 값이 1인 것으로 확인되면(동작 503의 예), 동작 509에서, 전자 장치(201)는, 스토리지(250)로부터 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 플래그 값이 1이 아닌 것으로 확인된 경우에, 전자 장치(201)는, 캘리브레이션을 통해 획득된 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 스토리지(250)로부터 획득할 수 있다. 한편, 전자 장치(201)는, 플래그 값이 1이 아닌 것으로 확인된 경우에, 동작 509를 생략할 수도 있다.According to various embodiments, when it is determined that the flag value is 1 (YES in operation 503), in operation 509, the electronic device 201 may obtain operation parameters from the storage 250. According to another embodiment, when it is confirmed that the flag value is not 1, the electronic device 201 may obtain an operating parameter corresponding to the first temperature range acquired through calibration from the storage 250 . Meanwhile, when it is confirmed that the flag value is not 1, the electronic device 201 may omit operation 509.

다양한 실시 예에 따라, 동작 511에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(201)의 상태를 확인할 수 있다. 동작 513에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(201)의 상태가 아이들(IDLE) 상태인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 511, the electronic device 201 may check the state of the volatile memory 201. In operation 513, the electronic device 201 may check whether the state of the volatile memory 201 is an idle state.

다양한 실시 예에 따라, 휘발성 메모리(201)의 상태가 아이들(IDLE) 상태인 것으로 확인되면(동작 513의 예), 동작 515에서, 전자 장치(201)는, 아이들 상태에서 획득된 동작 파라미터에 기초하여, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 휘발성 메모리(201)의 상태가 아이들(IDLE) 상태가 아닌 것으로 확인되면(동작 513의 아니오), 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하지 않을 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)가 아이들 상태로 전환될 때까지 타이밍을 조정하는 동작을 대기할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when it is determined that the state of the volatile memory 201 is in the IDLE state (Yes in operation 513), in operation 515, the electronic device 201 performs an operation parameter obtained in the idle state based on Thus, timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230 may be adjusted. According to another embodiment, when it is determined that the state of the volatile memory 201 is not an IDLE state (NO in operation 513), the electronic device 201 generates signals for controlling the operation of the volatile memory 230. You may not adjust the timing in between. For example, the electronic device 201 may wait for a timing adjustment operation until the volatile memory 230 is converted to an idle state.

도 6은, 다양한 실시 예들에 따른 휘발성 메모리의 동작 상태에 대한 도면이다.6 is a diagram of an operating state of a volatile memory according to various embodiments.

도 6을 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 휘발성 메모리(230)는, 전원 온(power on) 되면, 리셋(reset) 상태를 거쳐 아이들(IDLE) 상태로 전환될 수 있다. 예컨대, 아이들(IDLE) 상태는, 휘발성 메모리(230)가 특정 동작을 수행하지 않는 상태를 의미할 수 있다. Referring to FIG. 6 , according to various embodiments, when power is turned on, the volatile memory 230 may go through a reset state and be converted to an idle state. For example, the IDLE state may mean a state in which the volatile memory 230 does not perform a specific operation.

다양한 실시 예에 따라, 휘발성 메모리(230)는, 전원 오프되지 않은 경우에, 아이들(IDLE) 상태, 휘발성 메모리(230)에 포함된 메모리 셀에 액세스하는 활성화(activating) 상태, 메모리 셀에 저장된 데이터를 보존하기 위한 리프레시(refresh) 상태, 및 전력 절감을 위한 파워 다운(power down) 상태의 전환을 반복할 수 있다. 또한, 휘발성 메모리(230)는, 특정 동작을 수행하기 위해 데이터를 리드하는 리드(MRR) 상태 및 휘발성 메모리(230)의 상태(예컨대, 온도)를 지정된 레지스터에 업데이트하는 라이트(MRW) 상태로 전환될 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)는, 폴링 타임(polling time)에 따라 주기적으로 휘발성 메모리(230)의 온도 코드를 지정된 레지스터에 업데이트할 수 있다.According to various embodiments, the volatile memory 230, when not powered off, is in an idle state, an activating state in which memory cells included in the volatile memory 230 are accessed, and data stored in the memory cells. Switching between a refresh state to preserve and a power down state to save power may be repeated. In addition, the volatile memory 230 switches to a read (MRR) state for reading data and a write (MRW) state for updating the state (eg, temperature) of the volatile memory 230 to a designated register in order to perform a specific operation It can be. For example, the volatile memory 230 may periodically update the temperature code of the volatile memory 230 to a designated register according to a polling time.

다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 휘발성 메모리(230)의 아이들(IDLE) 상태에서, 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 새롭게 획득된 동작 파라미터를 적용할 수 있다. According to various embodiments, the processor 220 may adjust timing between signals controlling the operation of the volatile memory 230 based on an operating parameter in an IDLE state of the volatile memory 230 . For example, the processor 220 may apply a newly acquired operating parameter at a time when the frequency of signals controlling the operation of the volatile memory 230 is changed.

도 7은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도에 따라 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram for explaining an operation of adjusting timings of signals for controlling an operation of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.

도 7을 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 휘발성 메모리(230)로 클럭 신호(CLK)를 전송할 수 있다. 또한, 프로세서(220)는, 클럭 신호(CLK)에 따라 제1신호(SIG1, SIG2, 또는 SIG3)를 전송할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 제1온도에서 획득된 동작 파라미터에 기초하여 제1신호(SIG1)를 출력하고, 제1온도보다 높은 제2온도에서 획득된 동작 파라미터에 기초하여 제1신호(SIG2)를 출력하고, 제1온도보다 낮은 제3온도에서 획득된 동작 파라미터에 기초하여 제1신호(SIG3)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 7 , according to various embodiments, the processor 220 may transmit the clock signal CLK to the volatile memory 230 . Also, the processor 220 may transmit the first signal SIG1 , SIG2 , or SIG3 according to the clock signal CLK. For example, the processor 220 outputs the first signal SIG1 based on the operating parameter obtained at the first temperature, and outputs the first signal SIG2 based on the operating parameter obtained at the second temperature higher than the first temperature. ), and output the first signal SIG3 based on the operating parameters obtained at the third temperature lower than the first temperature.

다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 제1온도(예컨대, 제1온도 구간에 포함됨)에서, 휘발성 메모리(230)로 전송되는 클럭 신호(CLK)와 제1신호(SIG1)의 타이밍을 결정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클락 신호(CLK)의 제1시점(t1)에 따라 제1신호(SIG1)를 휘발성 메모리(230)로 전송할 수 있다. According to various embodiments, the processor 220 determines the timing of the clock signal CLK and the first signal SIG1 transmitted to the volatile memory 230 at a first temperature (eg, included in the first temperature range). can decide For example, the processor 220 may transmit the first signal SIG1 to the volatile memory 230 according to the first time point t1 of the clock signal CLK.

다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(201)는, 제2온도(예컨대, 제2온도 구간에 포함됨)에서, 휘발성 메모리(230)에 클럭 신호(CLK)와 제1신호(SIG2)의 타이밍을 결정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클락 신호(CLK)의 제2시점(t2)에 따라 제1신호(SIG2)를 휘발성 메모리(230)로 전송할 수 있다. 예컨대, 제2시점(t2)은, 제1시점(t1)보다 늦을 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 프로세서(220)와 휘발성 메모리(230)를 포함하는 시스템의 온도가 높을수록, 제1신호(SIG2)가 클락 신호(CLK)에 동기화되는 타이밍을 늦출 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 201 determines the timing of the clock signal CLK and the first signal SIG2 in the volatile memory 230 at the second temperature (eg, included in the second temperature range). can For example, the processor 220 may transmit the first signal SIG2 to the volatile memory 230 according to the second time point t2 of the clock signal CLK. For example, the second time point t2 may be later than the first time point t1. For example, the processor 220 may delay synchronization of the first signal SIG2 with the clock signal CLK as the temperature of the system including the processor 220 and the volatile memory 230 increases.

다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(201)는, 제3온도(예컨대, 제3온도 구간에 포함됨)에서, 휘발성 메모리(230)에 클럭 신호(CLK)와 제1신호(SIG3)의 타이밍을 결정할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클락 신호(CLK)의 제3시점(t3)에 따라 제1신호(SIG3)를 휘발성 메모리(230)로 전송할 수 있다. 예컨대, 제3시점(t1)은, 제1시점(t1)보다 빠를 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 프로세서(220)와 휘발성 메모리(230)를 포함하는 시스템의 온도가 낮을수록, 제1신호(SIG3)가 클락 신호(CLK)에 동기화되는 타이밍을 앞당길 수 있다.According to various embodiments, the electronic device 201 determines the timing of the clock signal CLK and the first signal SIG3 in the volatile memory 230 at a third temperature (eg, included in the third temperature range). can For example, the processor 220 may transmit the first signal SIG3 to the volatile memory 230 according to the third time point t3 of the clock signal CLK. For example, the third time point t1 may be earlier than the first time point t1. For example, the processor 220 may advance the timing at which the first signal SIG3 is synchronized with the clock signal CLK as the temperature of the system including the processor 220 and the volatile memory 230 decreases.

도 8은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 시점을 설명하기 위한 도면이다.8 is a diagram for explaining a timing point at which an electronic device adjusts timing of each of signals controlling an operation of a volatile memory according to various embodiments of the present disclosure.

도 8을 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 다양한 실시 예에 따라, 프로세서(220)는, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호(SIG)의 주파수가 변경되는 주파수 변경 시점(810)에 캘리브레이션을 수행하여 획득(또는 스토리지(250)로부터 획득)된 동작 파라미터를 적용할 수 있다. 예컨대, 프로세서(220)는, 클락 신호(CLK)에 기반하여, 휘발성 메모리(230)의 동작 주파수가 변경되는 주파수 변경 시점(810)을 확인할 수 있다. 프로세서(220)는, 주파수 변경 시점(810)에 대응하는 타이밍 변경 구간(820)에서 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 특정 신호(SIG)에 동작 파라미터를 적용할 수 있다. 프로세서(220)는, 특정 신호(SIG)에 동작 파라미터를 적용하여 특정 신호(SIG)의 타이밍을 늦추거나 앞당길 수 있다.Referring to FIG. 8 , according to various embodiments, the processor 220, at a frequency change time point 810 when the frequency of the signal SIG that controls the operation of the volatile memory 230 is changed. Operation parameters obtained by performing calibration (or obtained from the storage 250) may be applied. For example, the processor 220 may check the frequency change point 810 at which the operating frequency of the volatile memory 230 is changed based on the clock signal CLK. The processor 220 may apply an operation parameter to a specific signal SIG that controls the operation of the volatile memory 230 in the timing change period 820 corresponding to the frequency change time point 810 . The processor 220 may delay or advance the timing of the specific signal SIG by applying an operating parameter to the specific signal SIG.

도 9는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 온도 구간에 기반하여 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.9 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device adjusting timing of signals for controlling an operation of a volatile memory based on a temperature range according to various embodiments of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 동작 901에서, 전자 장치(201)는, 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)의 온도(또는 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)을 포함하는 시스템의 온도)에 대응하는 제1온도 구간을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 9 , according to various embodiments, in operation 901, the electronic device 201 sets the temperature of the processor 220 and the volatile memory 230 (or the processor 220 and the volatile memory 230). The first temperature range corresponding to the temperature of the system) may be identified.

다양한 실시 예에 따라, 동작 903에서, 전자 장치(201)는, 제1온도 구간이 기존 온도 구간과 동일한지 여부를 확인할 수 있다. According to various embodiments, in operation 903, the electronic device 201 may check whether the first temperature range is the same as the existing temperature range.

다양한 실시 예에 따라, 제1온도 구간이 기존 온도 구간과 동일한 것으로 확인되면(동작 903의 예), 동작 909에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 유지할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 캘리브레이션을 수행하지 않을 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when it is determined that the first temperature range is the same as the existing temperature range (YES in operation 903), in operation 909, the electronic device 201 determines between signals controlling the operation of the volatile memory 230. timing can be maintained. For example, the electronic device 201 may not perform calibration of the volatile memory 230 .

다양한 실시 예에 따라, 제1온도 구간이 기존 온도 구간과 동일하지 않은 것으로 확인되면(동작 903의 아니오), 동작 905에서, 전자 장치(201)는, 제1온도 구간이 지정된 일반 온도 구간인지 여부를 확인할 수 있다. 예컨대, 일반 온도 구간은, 프로세서(220)에 의해 지정되거나 사용자에 의해 지정될 수 있다. 예컨대, 일반 온도 구간은, 10~30도 구간일 수 있다. According to various embodiments of the present disclosure, when it is determined that the first temperature range is not the same as the existing temperature range (NO in operation 903), in operation 905, the electronic device 201 determines whether the first temperature range is a designated normal temperature range. can be checked. For example, the general temperature range may be designated by the processor 220 or by a user. For example, the general temperature range may be a range of 10 to 30 degrees.

다양한 실시 예에 따라, 제1온도 구간이 지정된 일반 온도 구간이 아닌 것으로 확인되면(동작 905의 아니오), 동작 907에서, 전자 장치(201)는, 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when it is determined that the first temperature range is not a designated normal temperature range (NO in operation 905), in operation 907, the electronic device 201 operates the volatile memory 230 based on the operating parameters. The timing between the signals controlling the can be adjusted.

다양한 실시 예에 따라, 제1온도 구간이 지정된 일반 온도 구간인 것으로 확인되면(동작 905의 예), 동작 909에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 유지할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when it is confirmed that the first temperature range is a designated general temperature range (YES in operation 905), in operation 909, the electronic device 201 generates a signal between signals controlling the operation of the volatile memory 230. timing can be maintained.

도 10은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리의 동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.10 is a flowchart illustrating an operation of an electronic device adjusting a timing of each of frequencies included in an operating frequency set of a volatile memory based on an operating parameter according to various embodiments of the present disclosure.

다양한 실시 예에 따라, 동작 1001에서, 전자 장치(201)는, 제1온도 구간에 대응하는 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 캘리브레이션을 수행하여 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 또는, 전자 장치(201)는, 스토리지(250)에 저장된 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다.According to various embodiments, in operation 1001, the electronic device 201 may obtain an operating parameter of the volatile memory 230 corresponding to the first temperature range. For example, the electronic device 201 may acquire operating parameters of the volatile memory 230 by performing calibration. Alternatively, the electronic device 201 may obtain operating parameters of the volatile memory 230 stored in the storage 250 .

다양한 실시 예에 따라, 동작 1003에서, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 해당 동작에 설정된 복수의 주파수들을 확인할 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)는, 특정 동작을 수행할 때, 복수의 주파수들 중 적어도 하나의 주파수로 동작할 수 있다. 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)의 특정 동작에 설정된 복수의 주파수들을 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 1003, the electronic device 201 may check a plurality of frequencies set for a corresponding operation of the volatile memory 230. For example, when performing a specific operation, the volatile memory 230 may operate at at least one frequency among a plurality of frequencies. The electronic device 201 may check a plurality of frequencies set for a specific operation of the volatile memory 230 .

다양한 실시 예에 따라, 동작 1005에서, 전자 장치(201)는, 복수의 주파수들 각각에 대하여 동작 파라미터를 적용할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 복수의 주파수들 각각에 대하여 순차적으로 또는 램덤으로 동작 파라미터를 적용할 수 있다.According to various embodiments, in operation 1005, the electronic device 201 may apply an operating parameter to each of a plurality of frequencies. For example, the electronic device 201 may sequentially or randomly apply an operating parameter to each of a plurality of frequencies.

도 11은, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 동작 파라미터에 기초하여 휘발성 메모리의 동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각의 타이밍을 조정하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.11 is a diagram for explaining an operation of adjusting timing of each of frequencies included in an operating frequency set of a volatile memory based on an operating parameter by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.

도 11을 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 휘발성 메모리(230)에 대한 제1동작 주파수 세트(1110)는, 복수의 주파수들을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1동작 주파수 세트(1110)는, 휘발성 메모리(230)의 제1동작을 수행할 때 변경될 수 있는 주파수들(1111, 1112, 및 1114, N은 3이상의 자연수)을 포함할 수 있다. 예컨대, 휘발성 메모리(230)가 제1동작을 수행할 때, 휘발성 메모리(230)는 주파수들(1111, 1112, 및 1114) 중 적어도 하나의 주파수로 동작할 수 있다. Referring to FIG. 11 , according to various embodiments, a first operating frequency set 1110 for the volatile memory 230 may include a plurality of frequencies. For example, the first operating frequency set 1110 may include frequencies 1111, 1112, and 1114 (where N is a natural number greater than or equal to 3) that may be changed when the first operation of the volatile memory 230 is performed. . For example, when the volatile memory 230 performs the first operation, the volatile memory 230 may operate at at least one frequency among the frequencies 1111, 1112, and 1114.

다양한 실시 예에 따라, 전자 장치(201)는, 제1동작 주파수 세트(1110)에 포함된 주파수들(1111, 1112, 및 1114) 각각에 대하여 동작 파라미터를 적용할 수 있다. 이를 통해, 전자 장치(201)는, 프로세서(220) 및 휘발성 메모리(230)를 포함하는 시스템의 온도에 따라 주파수들(1111, 1112, 및 1114) 각각에 대한 타이밍을 조정할 수 있다. According to various embodiments, the electronic device 201 may apply an operating parameter to each of the frequencies 1111, 1112, and 1114 included in the first operating frequency set 1110. Through this, the electronic device 201 may adjust the timing for each of the frequencies 1111 , 1112 , and 1114 according to the temperature of the system including the processor 220 and the volatile memory 230 .

도 12는, 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치가 휘발성 메모리의 복수의 동작 주파수 세트들에 동작 파라미터를 적용하는 동작을 설명하기 위한 플로우 차트이다.12 is a flowchart illustrating an operation of applying an operating parameter to a plurality of operating frequency sets of a volatile memory by an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.

도 12를 참조하면, 다양한 실시 예에 따라, 동작 1201에서, 전자 장치(201)는, 제1온도 구간에 대응하는 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 캘리브레이션을 수행하여 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 또는, 전자 장치(201)는, 스토리지(250)에 저장된 휘발성 메모리(230)의 동작 파라미터를 획득할 수 있다. 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)에 대하여 설정된 모든 주파수들 각각에 대하여 동작 파라미터를 적용할 수 있다. 예컨대, 전자 장치(201)는, 복수의 주파수들 각각에 대하여 순차적으로 또는 램덤으로 동작 파라미터를 적용할 수 있다.Referring to FIG. 12 , according to various embodiments, in operation 1201, the electronic device 201 may obtain an operating parameter of the volatile memory 230 corresponding to the first temperature range. For example, the electronic device 201 may acquire operating parameters of the volatile memory 230 by performing calibration. Alternatively, the electronic device 201 may obtain operating parameters of the volatile memory 230 stored in the storage 250 . The electronic device 201 may apply an operating parameter to each of all frequencies set for the volatile memory 230 . For example, the electronic device 201 may sequentially or randomly apply an operating parameter to each of a plurality of frequencies.

다양한 실시 예에 따라, 동작 1203에서, 전자 장치(201)는, 제1동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각에 대하여 타이밍을 조정할 수 있다. According to various embodiments, in operation 1203, the electronic device 201 may adjust timing for each of the frequencies included in the first operating frequency set.

다양한 실시 예에 따라, 동작 1205에서, 전자 장치(201)는, 제1동작 주파수 세트에 포함된 주파수들의 타이밍을 조정한 이후, 제2동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각에 대하여 타이밍을 조정할 수 있다. 마찬가지로, 동작 1207에서, 전자 장치(201)는, 나머지 동작 주파수 세트에 포함된 주파수들 각각에 대하여 타이밍을 조정할 수 있다. 이를 통해, 전자 장치(201)는, 휘발성 메모리(230)에 대하여 설정된 모든 주파수들 각각에 대하여 동작 파라미터를 적용할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, in operation 1205, after adjusting timings of frequencies included in the first operating frequency set, the electronic device 201 may adjust timings for each of the frequencies included in the second operating frequency set. there is. Similarly, in operation 1207, the electronic device 201 may adjust the timing for each of the frequencies included in the remaining operating frequency sets. Through this, the electronic device 201 may apply an operating parameter to each of all frequencies set for the volatile memory 230 .

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(201)는, 스토리지(250), 휘발성 메모리(230), 및 프로세서(220)를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 휘발성 메모리와 상기 프로세서의 온도 정보를 확인하고, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하고, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하고, 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하도록 설정될 수 있다.An electronic device 201 according to various embodiments includes a storage 250, a volatile memory 230, and a processor 220, and the processor checks temperature information of the volatile memory and the processor, and Identifying a first temperature range corresponding to the temperature information among a plurality of designated temperature ranges, performing calibration on the volatile memory, obtaining an operating parameter corresponding to the first temperature range, and based on the operating parameter Thus, it may be set to adjust the timing between signals controlling the operation of the volatile memory.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 상기 프로세서의 백그라운드에서 상기 캘리브레이션을 수행하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor may be configured to perform the calibration in the background of the processor without rebooting the system.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 휘발성 메모리가 아이들(idle) 상태인지 여부를 확인하고, 상기 휘발성 메모리가 상기 아이들 상태인 것으로 확인되면, 상기 아이들 상태에서 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor checks whether the volatile memory is in an idle state, and if it is determined that the volatile memory is in an idle state, the processor adjusts the timing between the signals in the idle state can be set to

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 상기 타이밍을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor may be configured to adjust the timing when the frequency of the signals is changed.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 동작 파라미터에 대한 정보를 상기 스토리지에 저장하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor may be configured to store information on the operation parameter in the storage.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 제1온도 구간에 대한 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 기저장된 경우, 상기 캘리브레이션을 수행하지 않고 상기 스토리지로부터 상기 동작 파라미터를 획득하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when the operating parameters for the first temperature range are pre-stored in the storage, the processor may be configured to acquire the operating parameters from the storage without performing the calibration.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 지정된 기간동안 상기 캘리브레이션을 수행하지 않은 경우, 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 저장되어 있더라도 상기 캘리브레이션을 수행하여 새로운 동작 파라미터를 획득하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, when the calibration is not performed for a specified period of time, the processor may be set to acquire a new operating parameter by performing the calibration even if the operating parameter is stored in the storage.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 외부 전자 장치로부터 상기 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 획득하고, 상기 동작 파라미터에 대한 정보에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor obtains information on an operating parameter corresponding to each of the plurality of temperature ranges from an external electronic device, and controls the operation of the volatile memory based on the information on the operating parameter. It can be set to adjust the timing between the signals that do.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 제1온도 구간이 지정된 일반 온도 구간으로 확인되면, 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 유지하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, the processor may be configured to maintain the timing between the signals when the first temperature interval is identified as a designated general temperature interval.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 휘발성 메모리의 지정된 레지스터에 저장된 상기 휘발성 메모리의 온도값을 나타내는 코드 정보를 획득하고, 상기 코드 정보 및 상기 휘발성 메모리의 제품 정보 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 휘발성 메모리의 온도를 확인하도록 설정될 수 있다.According to various embodiments, the processor obtains code information indicating a temperature value of the volatile memory stored in a designated register of the volatile memory, and based on at least one of the code information and product information of the volatile memory, the It can be set to check the temperature of the volatile memory.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 프로세서는, 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 신호들 각각의 상기 타이밍을 순차적으로 또는 랜덤하게 조정할 수 있다.According to various embodiments, the processor may sequentially or randomly adjust the timing of each of the signals based on the operating parameter.

다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(201)의 동작 방법은, 상기 전자 장치에 포함된 휘발성 메모리(230)와 프로세서(220)의 온도 정보를 확인하는 동작, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작, 및 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.An operating method of an electronic device 201 according to various embodiments includes an operation of checking temperature information of a volatile memory 230 and a processor 220 included in the electronic device, and the temperature information among a plurality of pre-designated temperature intervals. An operation of identifying a first temperature range corresponding to , an operation of performing calibration on the volatile memory to obtain an operating parameter corresponding to the first temperature range, and an operation of the volatile memory based on the operating parameter It may include an operation of adjusting the timing between the signals that control the.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 제1온도 구간에 대응하는 상기 동작 파라미터를 획득하는 동작은, 시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 상기 프로세서의 백그라운드에서 상기 캘리브레이션을 수행하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the obtaining of the operating parameters corresponding to the first temperature range may include performing the calibration in the background of the processor without rebooting the system.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 신호들 각각의 상기 타이밍을 조정하는 동작은, 상기 휘발성 메모리가 아이들(idle) 상태인지 여부를 확인하는 동작 및 상기 휘발성 메모리가 상기 아이들 상태인 것으로 확인되면, 상기 아이들 상태에서 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the operation of adjusting the timing of each of the signals may include an operation of determining whether the volatile memory is in an idle state, and an operation of determining whether the volatile memory is in an idle state, the idle state may include an operation of adjusting the timing between the signals.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 신호들의 상기 타이밍을 조정하는 동작은, 상기 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 상기 타이밍을 조정하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the operation of adjusting the timing of the signals may include an operation of adjusting the timing when the frequency of the signals is changed.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 전자 장치의 동작 방법은, 상기 제1온도 구간에 대한 상기 동작 파라미터가 상기 전자 장치의 스토리지에 기저장된 경우, 상기 캘리브레이션을 수행하지 않고 상기 스토리지로부터 상기 동작 파라미터를 획득하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to various embodiments, the operating method of the electronic device may include obtaining the operating parameters from the storage without performing the calibration when the operating parameters for the first temperature range are previously stored in the storage of the electronic device. More actions may be included.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 전자 장치의 동작 방법은, 지정된 기간동안 상기 캘리브레이션을 수행하지 않은 경우, 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 저장되어 있더라도 상기 캘리브레이션을 수행하여 새로운 동작 파라미터를 획득하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to various embodiments, the operating method of the electronic device further includes, when the calibration is not performed for a specified period of time, obtaining a new operating parameter by performing the calibration even if the operating parameter is stored in the storage. can do.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 전자 장치의 동작 방법은, 외부 전자 장치로부터 상기 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 획득하는 동작 및 상기 동작 파라미터에 대한 정보에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하는 동작을 더 포함할 수 있다.According to various embodiments, the operating method of the electronic device may include obtaining information on operating parameters corresponding to each of the plurality of temperature ranges from an external electronic device, and based on the information on the operating parameters, the volatile The method may further include adjusting the timing between the signals controlling the operation of the memory.

다양한 실시 예들에 따라, 상기 온도 정보를 획득하는 동작은, 상기 휘발성 메모리의 지정된 레지스터에 저장된 상기 휘발성 메모리의 온도값을 나타내는 코드 정보를 획득하는 동작 및 상기 코드 정보 및 상기 휘발성 메모리의 제품 정보 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 휘발성 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, the obtaining of the temperature information may include obtaining code information indicating a temperature value of the volatile memory stored in a designated register of the volatile memory, and at least one of the code information and product information of the volatile memory. Based on one, it may include an operation of checking the temperature of the volatile memory.

다양한 실시 예들에 따른 비일시적 기록매체는, 전자 장치(201)에 포함된 휘발성 메모리(230)와 프로세서(220)의 온도 정보를 확인하는 동작, 미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작, 상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작, 및 상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 수행할 수 있는 프로그램을 저장할 수 있다.The non-transitory recording medium according to various embodiments includes an operation of checking temperature information of the volatile memory 230 and the processor 220 included in the electronic device 201 and corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature intervals. determining a first temperature range, performing calibration on the volatile memory to obtain operating parameters corresponding to the first temperature range, and controlling the operation of the volatile memory based on the operating parameters It is possible to store a program capable of performing an operation of adjusting the timing between signals to be performed.

201: 전자 장치
220: 프로세서
230: 휘발성 메모리
250: 스토리지201 Electronic device
220: processor
230: volatile memory
250: storage

Claims (20)

전자 장치에 있어서,
스토리지;
휘발성 메모리; 및
프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는,
상기 휘발성 메모리와 상기 프로세서의 온도 정보를 확인하고,
미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하고,
상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하고,
상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하도록 설정된 전자 장치.In electronic devices,
storage;
volatile memory; and
It includes a processor, the processor comprising:
Checking temperature information of the volatile memory and the processor;
Checking a first temperature range corresponding to the temperature information among a plurality of pre-specified temperature ranges;
Calibrating the volatile memory to obtain operating parameters corresponding to the first temperature range;
An electronic device configured to adjust timing between signals controlling an operation of the volatile memory based on the operating parameter. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 상기 프로세서의 백그라운드에서 상기 캘리브레이션을 수행하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
An electronic device configured to perform the calibration in the background of the processor without performing a system reboot. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 휘발성 메모리가 아이들(idle) 상태인지 여부를 확인하고,
상기 휘발성 메모리가 상기 아이들 상태인 것으로 확인되면, 상기 아이들 상태에서 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
Checking whether the volatile memory is in an idle state;
If it is confirmed that the volatile memory is in the idle state, the electronic device configured to adjust the timing between the signals in the idle state. 제3항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 상기 타이밍을 조정하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 3, wherein the processor,
An electronic device configured to adjust the timing when the frequency of the signals is changed. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 동작 파라미터에 대한 정보를 상기 스토리지에 저장하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
An electronic device configured to store information on the operating parameter in the storage. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 제1온도 구간에 대한 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 기저장된 경우, 상기 캘리브레이션을 수행하지 않고 상기 스토리지로부터 상기 동작 파라미터를 획득하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
If the operating parameters for the first temperature range are pre-stored in the storage, the electronic device is set to obtain the operating parameters from the storage without performing the calibration. 제6항에 있어서, 상기 프로세서는,
지정된 기간동안 상기 캘리브레이션을 수행하지 않은 경우, 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 저장되어 있더라도 상기 캘리브레이션을 수행하여 새로운 동작 파라미터를 획득하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 6, wherein the processor,
The electronic device configured to acquire a new operating parameter by performing the calibration even if the operating parameter is stored in the storage when the calibration is not performed for a specified period of time. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
외부 전자 장치로부터 상기 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 획득하고,
상기 동작 파라미터에 대한 정보에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
Obtaining information on an operating parameter corresponding to each of the plurality of temperature ranges from an external electronic device;
An electronic device configured to adjust the timing between the signals controlling the operation of the volatile memory based on the information on the operating parameter. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 제1온도 구간이 지정된 일반 온도 구간으로 확인되면, 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 유지하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
The electronic device configured to maintain the timing between the signals when the first temperature range is identified as a designated general temperature range. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 휘발성 메모리의 지정된 레지스터에 저장된 상기 휘발성 메모리의 온도값을 나타내는 코드 정보를 획득하고,
상기 코드 정보 및 상기 휘발성 메모리의 제품 정보 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 휘발성 메모리의 온도를 확인하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
Obtaining code information indicating a temperature value of the volatile memory stored in a designated register of the volatile memory;
An electronic device configured to check the temperature of the volatile memory based on at least one of the code information and product information of the volatile memory. 제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 신호들 각각의 상기 타이밍을 순차적으로 또는 랜덤하게 조정하도록 설정된 전자 장치.The method of claim 1, wherein the processor,
An electronic device configured to sequentially or randomly adjust the timing of each of the signals based on the operating parameter. 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 전자 장치에 포함된 휘발성 메모리와 프로세서의 온도 정보를 확인하는 동작;
미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작;
상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작; 및
상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.In the operating method of the electronic device,
checking temperature information of a volatile memory and a processor included in the electronic device;
identifying a first temperature range corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature ranges;
acquiring an operating parameter corresponding to the first temperature range by calibrating the volatile memory; and
and adjusting a timing between signals controlling an operation of the volatile memory based on the operation parameter. 제12항에 있어서, 상기 제1온도 구간에 대응하는 상기 동작 파라미터를 획득하는 동작은,
시스템 리부팅(rebooting)을 수행하지 않고, 상기 프로세서의 백그라운드에서 상기 캘리브레이션을 수행하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.The method of claim 12, wherein the operation of obtaining the operating parameter corresponding to the first temperature range comprises:
The method of operating an electronic device comprising performing the calibration in the background of the processor without performing a system reboot. 제12항에 있어서, 상기 신호들 각각의 상기 타이밍을 조정하는 동작은,
상기 휘발성 메모리가 아이들(idle) 상태인지 여부를 확인하는 동작; 및
상기 휘발성 메모리가 상기 아이들 상태인 것으로 확인되면, 상기 아이들 상태에서 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.13. The method of claim 12, wherein adjusting the timing of each of the signals comprises:
checking whether the volatile memory is in an idle state; and
and adjusting the timing between the signals in the idle state when it is confirmed that the volatile memory is in the idle state. 제14항에 있어서, 상기 신호들의 상기 타이밍을 조정하는 동작은,
상기 신호들의 주파수가 변경되는 시점에 상기 타이밍을 조정하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.15. The method of claim 14, wherein adjusting the timing of the signals comprises:
and adjusting the timing when the frequency of the signals is changed. 제12항에 있어서,
상기 제1온도 구간에 대한 상기 동작 파라미터가 상기 전자 장치의 스토리지에 기저장된 경우, 상기 캘리브레이션을 수행하지 않고 상기 스토리지로부터 상기 동작 파라미터를 획득하는 동작을 더 포함하는 전자 장치의 동작 방법.According to claim 12,
The method of operating the electronic device further comprising acquiring the operating parameters from the storage without performing the calibration when the operating parameters for the first temperature range are previously stored in a storage of the electronic device. 제16항에 있어서,
지정된 기간동안 상기 캘리브레이션을 수행하지 않은 경우, 상기 동작 파라미터가 상기 스토리지에 저장되어 있더라도 상기 캘리브레이션을 수행하여 새로운 동작 파라미터를 획득하는 동작을 더 포함하는 전자 장치의 동작 방법.According to claim 16,
and acquiring a new operating parameter by performing the calibration even if the operating parameter is stored in the storage when the calibration is not performed for a specified period of time. 제12항에 있어서,
외부 전자 장치로부터 상기 복수의 온도 구간들 각각에 대응하는 동작 파라미터에 대한 정보를 획득하는 동작; 및
상기 동작 파라미터에 대한 정보에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 상기 신호들 사이의 상기 타이밍을 조정하는 동작을 더 포함하는 전자 장치의 동작 방법.According to claim 12,
obtaining information on an operating parameter corresponding to each of the plurality of temperature ranges from an external electronic device; and
and adjusting the timing between the signals controlling the operation of the volatile memory based on the information on the operating parameter. 제12항에 있어서, 상기 온도 정보를 획득하는 동작은,
상기 휘발성 메모리의 지정된 레지스터에 저장된 상기 휘발성 메모리의 온도값을 나타내는 코드 정보를 획득하는 동작; 및
상기 코드 정보 및 상기 휘발성 메모리의 제품 정보 중 적어도 하나에 기반하여, 상기 휘발성 메모리의 온도를 확인하는 동작을 포함하는 전자 장치의 동작 방법.The method of claim 12, wherein the obtaining of the temperature information comprises:
obtaining code information indicating a temperature value of the volatile memory stored in a designated register of the volatile memory; and
and checking the temperature of the volatile memory based on at least one of the code information and product information of the volatile memory. 비일시적 기록매체에 있어서,
전자 장치에 포함된 휘발성 메모리와 프로세서의 온도 정보를 확인하는 동작;
미리 지정된 복수의 온도 구간들 중 상기 온도 정보에 대응하는 제1온도 구간을 확인하는 동작;
상기 휘발성 메모리에 대한 캘리브레이션을 수행하여, 상기 제1온도 구간에 대응하는 동작 파라미터를 획득하는 동작; 및
상기 동작 파라미터에 기초하여, 상기 휘발성 메모리의 동작을 제어하는 신호들 사이의 타이밍을 조정하는 동작을 수행할 수 있는 프로그램을 저장하는 기록매체.

In a non-transitory recording medium,
Checking temperature information of a volatile memory and a processor included in the electronic device;
identifying a first temperature range corresponding to the temperature information among a plurality of pre-designated temperature ranges;
acquiring an operating parameter corresponding to the first temperature range by calibrating the volatile memory; and
A recording medium for storing a program capable of performing an operation of adjusting timing between signals controlling an operation of the volatile memory based on the operation parameter.
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