KR20240068600A - Apparatus for heating chemical liquid and system for treating substrate with the apparatus - Google Patents

Apparatus for heating chemical liquid and system for treating substrate with the apparatus Download PDF

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KR20240068600A
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사윤기
김도연
허필균
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세메스 주식회사
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Abstract

광원을 매개체로 하는 발열체를 이용하여 약액을 히팅하는 약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 상기 약액 히팅 장치는, 기판을 처리하는 데에 이용되는 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로; 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 및 발열체에 광을 조사하는 광원을 포함하며, 발열체는 광자 여기를 이용하여 발열되며, 약액을 가열한다.A chemical heating device that heats a chemical liquid using a heating element using a light source as a medium and a substrate processing system including the same are provided. The chemical heating device includes a flow path provided as a path through which a chemical liquid used to treat a substrate passes; A heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; and a light source that irradiates light to the heating element, where the heating element generates heat using photon excitation and heats the chemical solution.

Description

약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 {Apparatus for heating chemical liquid and system for treating substrate with the apparatus}Chemical heating device and substrate processing system comprising the same {Apparatus for heating chemical liquid and system for treating substrate with the apparatus}

본 발명은 약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판 세정시 적용될 수 있는 약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical heating device and a substrate processing system including the same. More specifically, it relates to a chemical heating device that can be applied during substrate cleaning and a substrate processing system including the same.

반도체 소자를 제조하는 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 나눌 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 일반적으로 팹(FAB)으로 정의되는 공간에 설치될 수 있다.The process of manufacturing semiconductor devices can be performed continuously within a semiconductor manufacturing facility and can be divided into pre-process and post-process. Semiconductor manufacturing facilities may be installed in a space generally defined as a fab to manufacture semiconductor devices.

전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo-Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.The preprocess refers to the process of completing a chip by forming a circuit pattern on a wafer. The pre-process includes a deposition process that forms a thin film on the wafer, an exposure process that transfers photo resist onto the thin film using a photo mask, and a desired photo-lithography process on the wafer. An etching process that selectively removes unnecessary parts using chemicals or reactive gases to form a circuit pattern, an ashing process that removes photoresist remaining after etching, and a process that is connected to the circuit pattern. It may include an ion implantation process that implants ions into a part to give it the characteristics of an electronic device, and a cleaning process that removes contaminants from the wafer.

후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 웨이퍼 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn-In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.Post-process refers to the process of evaluating the performance of a product completed through the pre-process. The post-process includes a wafer inspection process that tests the operation of each chip on the wafer to select good and defective products, dicing, die bonding, wire bonding, molding, The final product characteristics and reliability are determined through the packaging process, which cuts and separates each chip to form the product shape through marking, electrical characteristics inspection, and burn-in inspection. It may include the final inspection process, etc.

한국공개특허 제10-2008-0014246호 (공개일: 2008.02.14.)Korean Patent Publication No. 10-2008-0014246 (Publication date: 2008.02.14.)

웨이퍼에 외형 변화를 일으키기 위해 FAB 공정을 진행하면 웨이퍼 표면에 화학적/물리적 잔류물이 남게 되는데, 이러한 잔류물을 제거하는 공정이 세정 공정이다.When the FAB process is performed to change the appearance of the wafer, chemical/physical residues remain on the wafer surface, and the process to remove these residues is the cleaning process.

세정 공정은 크게 세가지 방식으로 나눌 수 있는데, 화학 용액을 이용하는 습식 세정(Wet Cleaning), 용액 이외의 매체를 이용하는 건식 세정(Dry Cleaning), 습식 세정과 건식 세정의 중간 형태인 증기를 이용하는 증기 세정(Vapor Cleaning) 등이 이에 해당한다.The cleaning process can be broadly divided into three methods: wet cleaning using a chemical solution, dry cleaning using a medium other than a solution, and steam cleaning using steam, which is an intermediate form between wet cleaning and dry cleaning. This includes Vapor Cleaning), etc.

습식 세정의 경우, IPA, DI 등의 약액을 이용하여 기판을 세정할 수 있는데, 이때 약액은 히팅된 후에 기판의 세정에 사용될 수 있다. 그런데, 종래에는 저항체를 이용하여 약액을 히팅하여, 세정 공정시 파티클(Particle) 증가로 인해 수율이 저하되는 문제가 있다.In the case of wet cleaning, the substrate can be cleaned using a chemical solution such as IPA or DI. In this case, the chemical solution can be used to clean the substrate after being heated. However, conventionally, a resistor is used to heat the chemical solution, and there is a problem in that the yield decreases due to an increase in particles during the cleaning process.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 광원을 매개체로 하는 발열체를 이용하여 약액을 히팅하는 약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a chemical heating device that heats a chemical solution using a heating element using a light source as a medium, and a substrate processing system including the same.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 약액 히팅 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 처리하는 데에 이용되는 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로; 상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 및 상기 발열체에 광을 조사하는 광원을 포함하며, 상기 발열체는 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되며, 상기 약액을 가열한다.One aspect of the chemical heating device of the present invention for achieving the above object is a flow path provided as a path through which a chemical solution used to treat a substrate passes; a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; and a light source that irradiates light to the heating element, wherein the heating element generates heat using photon excitation and heats the chemical solution.

상기 약액 히팅 장치는, 상기 발열체를 커버하는 커버 부재를 더 포함할 수 있다.The chemical heating device may further include a cover member that covers the heating element.

상기 커버 부재는 상기 광을 투과시킬 수 있다.The cover member may transmit the light.

상기 커버 부재는 쿼츠(Quartz)를 포함하여 제조될 수 있다.The cover member may be manufactured including quartz.

상기 발열체는 상기 약액이 상기 유로를 통과하기 전에 미리 정해진 온도까지 승온될 수 있다.The heating element may be heated to a predetermined temperature before the chemical liquid passes through the flow path.

상기 발열체는 상기 약액과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다.The heating element may be manufactured from a material that does not react with the chemical solution.

상기 발열체는 단결정 실리콘으로 제조될 수 있다.The heating element may be made of single crystal silicon.

상기 발열체는 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 다이옥사이드(SiO2) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 중 적어도 하나의 성분을 포함하여 제조될 수 있다.The heating element may be manufactured including at least one of silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon dioxide (SiO2), and aluminum nitride (AlN).

상기 발열체는 폭 방향으로 십자 형태 및 링 형태 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다.The heating element may have either a cross shape or a ring shape in the width direction.

상기 약액 히팅 장치는, 상기 유로의 배출구에 연결되어 상기 약액의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하며, 상기 약액의 측정 온도를 기초로 상기 발열체의 승온 여부를 확인할 수 있다.The chemical heating device further includes a temperature sensor connected to the discharge port of the flow path to measure the temperature of the chemical liquid, and can check whether the temperature of the heating element is increased based on the measured temperature of the chemical liquid.

상기 광원은 LED 소스 및 LD 소스 중 적어도 하나의 소스를 포함할 수 있다.The light source may include at least one of an LED source and an LD source.

상기 약액 히팅 장치는, 상기 발열체가 상기 유로의 일부를 둘러싸도록 배치되는 경우, 상기 나머지 부분을 둘러싸도록 배치되는 측벽 부재를 더 포함할 수 있다.When the heating element is disposed to surround a portion of the flow path, the chemical heating device may further include a side wall member disposed to surround the remaining portion.

상기 측벽 부재는 상기 약액과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다.The side wall member may be manufactured from a material that does not react with the chemical solution.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 약액 히팅 장치의 다른 면은, 기판을 처리하는 데에 이용되는 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로; 상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 상기 발열체에 광을 조사하는 광원; 및 상기 발열체를 커버하며, 상기 광을 투과시키는 커버 부재를 포함하며, 상기 발열체는 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되며, 상기 약액을 가열한다.Another aspect of the chemical heating device of the present invention for achieving the above object is a flow path provided as a path through which the chemical solution used to treat the substrate passes; a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; A light source that irradiates light to the heating element; and a cover member that covers the heating element and transmits the light, wherein the heating element generates heat using photon excitation and heats the chemical solution.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면은, 기판을 처리하는 데에 이용되는 약액을 저장하는 약액 저장 장치; 상기 기판에 상기 약액을 분사하여 상기 기판이 처리되도록 하는 분사 부재; 및 상기 약액이 상기 약액 저장 장치에서 상기 분사 부재로 이동하는 경로 상에 설치되는 약액 히팅 장치를 포함하며, 상기 약액 히팅 장치는, 상기 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로; 상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 및 상기 발열체에 광을 조사하는 광원을 포함하며, 상기 발열체는 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되며, 상기 약액을 가열한다.One aspect of the substrate processing system of the present invention for achieving the above object includes: a chemical liquid storage device for storing a chemical liquid used to process a substrate; a spray member that sprays the chemical solution onto the substrate to treat the substrate; and a chemical heating device installed on a path through which the chemical liquid moves from the chemical liquid storage device to the spray member, wherein the chemical heating device includes: a flow path provided as a path through which the chemical liquid passes; a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; and a light source that irradiates light to the heating element, wherein the heating element generates heat using photon excitation and heats the chemical solution.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 저장 장치, 약액 히팅 장치 및 분사 부재 간 연결 관계를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 내부 구조를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 광원의 다양한 배치 구조를 설명하기 위한 예시도이다.
도 6은 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 발열체의 다양한 형상을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 7은 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 발열체의 다양한 형상을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 평가하기 위한 제1 시험 셋업 구조도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 평가하기 위한 제2 시험 셋업 구조도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 보여주는 제1 시험 결과이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 보여주는 제2 시험 결과이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating the connection relationship between a chemical storage device, a chemical heating device, and an injection member that constitute a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the internal structure of a chemical heating device that constitutes a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a plan view showing the internal structure of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an example diagram for explaining various arrangement structures of light sources constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.
FIG. 6 is a first example diagram for explaining various shapes of heating elements constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.
FIG. 7 is a second example diagram for explaining various shapes of heating elements constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.
Figure 8 is a structural diagram of a first test setup for evaluating the performance of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Figure 9 is a structural diagram of a second test setup for evaluating the performance of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Figure 10 is a first test result showing the performance of a chemical heating device that constitutes a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Figure 11 is a second test result showing the performance of the chemical heating device that constitutes the substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are merely intended to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” another element or layer, it refers not only to being directly on top of another element or layer, but also to intervening with another element or layer. Includes all. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that there is no intervening element or layer.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms such as “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc. are used as a single term as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms that include different directions of the element during use or operation in addition to the direction shown in the drawings. For example, if an element shown in the drawings is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” the other element. Accordingly, the illustrative term “down” may include both downward and upward directions. Elements can also be oriented in other directions, so spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, elements and/or sections, it is understood that these elements, elements and/or sections are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one element, component or section from other elements, elements or sections. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section mentioned below may also be a second element, second element, or second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing embodiments and is not intended to limit the invention. As used herein, singular forms also include plural forms, unless specifically stated otherwise in the context. As used herein, “comprises” and/or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. or does not rule out addition.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numbers regardless of the reference numerals, and overlapping elements will be assigned the same reference numbers. The explanation will be omitted.

본 발명은 광원을 매개체로 하는 발열체를 이용하여 약액을 히팅하는 약액 히팅 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 구체적으로, 본 실시예에서 약액 히팅 장치는 광자 여기(Photon Excitation) 방식을 이용하는 고청정 약액 히터로 구현될 수 있다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명하기로 한다.The present invention relates to a chemical heating device that heats a chemical liquid using a heating element using a light source as a medium, and a substrate processing system including the same. Specifically, in this embodiment, the chemical heating device may be implemented as a highly clean chemical heater using a photon excitation method. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

기판 처리 시스템(100)은 기판을 습식 세정(Wet Cleaning)하는 것이다. 기판 처리 시스템(100)은 예를 들어, 약액을 이용하여 기판을 세정할 수 있다. 기판 처리 시스템(100)은 반도체 제조 설비 내에서 공정 챔버(Process Chamber) 내에 제공될 수 있다.The substrate processing system 100 performs wet cleaning of the substrate. The substrate processing system 100 may clean the substrate using, for example, a chemical solution. The substrate processing system 100 may be provided in a process chamber within a semiconductor manufacturing facility.

기판 처리 시스템(100)은 약액을 이용하여 기판을 세정하는 경우, 예를 들어, 컵(110), 지지 부재(120), 승강 유닛(130), 분사 부재(140) 및 제어기(150)를 포함하여 구성될 수 있다.When cleaning a substrate using a chemical solution, the substrate processing system 100 includes, for example, a cup 110, a support member 120, an elevating unit 130, an injection member 140, and a controller 150. It can be configured as follows.

컵(110)은 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 컵(110)은 그 상부가 개방되도록 형성될 수 있다.The cup 110 provides a space where a process for processing the substrate W is performed. This cup 110 may be formed to have an open top.

컵(110)은 내부 회수통(111), 중간 회수통(112) 및 외부 회수통(113)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 각각의 회수통(111, 112, 113)은 공정에서 사용되는 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다.The cup 110 may be configured to include an internal recovery container 111, a middle recovery container 112, and an external recovery container 113. At this time, each recovery tank 111, 112, and 113 can recover different treatment liquids among the treatment liquids used in the process.

내부 회수통(111)은 지지 부재(120)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 내부 회수통(111)의 내측 공간(114)은 처리액이 내부 회수통(111)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.The internal recovery container 111 may be provided in an annular ring shape surrounding the support member 120. At this time, the inner space 114 of the internal recovery container 111 may function as an inlet through which the treatment liquid flows into the internal recovery container 111.

중간 회수통(112)은 내부 회수통(111)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 내부 회수통(111)과 중간 회수통(112) 사이의 공간(115)은 처리액이 중간 회수통(112)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.The middle recovery container 112 may be provided in an annular ring shape surrounding the internal recovery container 111. At this time, the space 115 between the internal recovery container 111 and the intermediate recovery container 112 may function as an inlet that allows the treatment liquid to flow into the intermediate recovery container 112.

외부 회수통(113)은 중간 회수통(112)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때 중간 회수통(112)과 외부 회수통(113) 사이의 공간(116)은 처리액이 외부 회수통(113)으로 유입되게 하는 유입구로서 기능할 수 있다.The external recovery container 113 may be provided in an annular ring shape surrounding the middle recovery container 112. At this time, the space 116 between the middle recovery container 112 and the external recovery container 113 may function as an inlet that allows the treatment liquid to flow into the external recovery container 113.

각각의 회수통(111, 112, 113)은 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수 라인(117, 118, 119)과 각각 연결될 수 있다. 각각의 회수 라인(117, 118, 119)은 각각의 회수통(111, 112, 113)을 통해 유입되는 처리액을 외부로 배출할 수 있다. 외부로 배출되는 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용되도록 처리될 수 있다.Each of the recovery bins 111, 112, and 113 may be connected to recovery lines 117, 118, and 119 extending vertically downward from the bottom thereof. Each recovery line (117, 118, 119) can discharge the treatment liquid flowing in through each recovery container (111, 112, 113) to the outside. The treatment liquid discharged to the outside may be treated for reuse through a treatment liquid regeneration system (not shown).

지지 부재(120)는 공정 진행 중에 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시키는 것이다. 이러한 지지 부재(120)는 컵(110)의 내부에 배치될 수 있다.The support member 120 supports and rotates the substrate W during the process. This support member 120 may be placed inside the cup 110.

지지 부재(120)는 몸체(121), 서포트 핀(Support Pin; 122), 가이드 핀(Guide Pin; 123) 및 제1 지지축(124)을 포함하여 구성될 수 있다.The support member 120 may include a body 121, a support pin 122, a guide pin 123, and a first support shaft 124.

몸체(121)는 위쪽에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 이러한 몸체(121)의 저면에는 모터(125)에 의해 회전될 수 있는 제1 지지축(124)이 고정 결합될 수 있다. 한편, 몸체(121)의 상면에는 백 노즐(Back Nozzle; 미도시)이 설치될 수 있다.The body 121 may have an upper surface that is generally circular when viewed from above. A first support shaft 124 that can be rotated by a motor 125 may be fixedly coupled to the bottom of the body 121. Meanwhile, a back nozzle (not shown) may be installed on the upper surface of the body 121.

서포트 핀(122)은 몸체(121) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하는 것이다. 이러한 서포트 핀(122)은 몸체(121) 상에 복수 개 제공될 수 있다.The support pin 122 supports the bottom of the substrate W on the body 121. A plurality of such support pins 122 may be provided on the body 121.

복수 개의 서포트 핀(122)은 몸체(121)의 상부면으로부터 위쪽 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 서포트 핀(122)은 몸체(121)의 상부면 가장자리에 소정 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 복수 개의 서포트 핀(122)은 예를 들어, 서로 간의 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 복수 개의 서포트 핀(122)은 이와 같은 구성을 통해 기판(W)이 몸체(121)의 상부면으로부터 일정 거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지할 수 있다.A plurality of support pins 122 may be formed to protrude upward from the upper surface of the body 121. Additionally, a plurality of support pins 122 may be arranged at predetermined intervals on the edge of the upper surface of the body 121. For example, the plurality of support pins 122 may be arranged to have an overall annular ring shape by combining them with each other. Through this configuration, the plurality of support pins 122 can support the rear edge of the substrate W so that the substrate W is spaced a certain distance away from the upper surface of the body 121.

가이드 핀(123)은 척 핀(Chuck Pin)이라고도 하며, 지지 부재(120)가 회전할 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지하는 것이다. 이러한 가이드 핀(123)은 서포트 핀(122)과 마찬가지로 몸체(121) 상에 복수 개 제공될 수 있으며, 몸체(121)의 상부면으로부터 위쪽 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.The guide pin 123 is also called a chuck pin, and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not deviate laterally from its original position when the support member 120 rotates. Like the support pin 122, a plurality of guide pins 123 may be provided on the body 121, and may be formed to protrude upward from the upper surface of the body 121.

가이드 핀(123)은 몸체(121)의 중심에서 서포트 핀(122)보다 멀리 떨어지게 배치될 수 있다. 가이드 핀(123)은 몸체(121)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 여기서, 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(121)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치를 의미한다.The guide pin 123 may be arranged farther away from the center of the body 121 than the support pin 122. The guide pin 123 may be provided to enable linear movement between the standby position and the support position along the radial direction of the body 121. Here, the standby position means a position farther away from the center of the body 121 compared to the support position.

가이드 핀(123)은 기판(W)이 지지 부재(120)에 로딩시/언로딩시 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시 지지 위치에 위치될 수 있다. 가이드 핀(123)은 지지 위치에서 기판(W)의 측부와 접촉될 수 있다.The guide pin 123 may be positioned in a standby position when the substrate W is loaded/unloaded from the support member 120 and may be positioned in a support position when a process is performed on the substrate W. The guide pin 123 may be in contact with the side of the substrate W at the support position.

승강 유닛(130)은 컵(110)을 상하 방향으로 직선 이동시키는 것이다. 컵(110)이 상하 방향으로 직선 이동함에 따라, 지지 부재(120)에 대한 컵(110)의 상대 높이가 변경될 수 있다.The lifting unit 130 moves the cup 110 straight up and down. As the cup 110 moves linearly in the up and down direction, the relative height of the cup 110 with respect to the support member 120 may change.

승강 유닛(130)은 브라켓(131), 이동축(132) 및 제1 구동기(133)를 포함하여 구성될 수 있다.The lifting unit 130 may be configured to include a bracket 131, a moving shaft 132, and a first driver 133.

브라켓(131)은 컵(110)의 외벽에 고정 설치되는 것이다. 이러한 브라켓(131)은 제1 구동기(133)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(132)과 결합할 수 있다.The bracket 131 is fixedly installed on the outer wall of the cup 110. This bracket 131 can be combined with a moving shaft 132 that moves in the vertical direction by the first driver 133.

기판(W)이 지지 부재(120) 상에 놓이거나, 지지 부재(120)로부터 들어올려질 때, 지지 부재(120)가 컵(110)의 상부로 돌출되도록 컵(110)은 하강될 수 있다. 또한, 공정이 진행될 때, 기판(W)에 공급되는 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통(111, 112, 113)으로 유입될 수 있도록 컵(110)의 높이가 조절될 수 있다.When the substrate W is placed on the support member 120 or lifted from the support member 120, the cup 110 may be lowered so that the support member 120 protrudes toward the top of the cup 110. . Additionally, as the process progresses, the height of the cup 110 may be adjusted so that the processing liquid can flow into the preset recovery containers 111, 112, and 113 depending on the type of processing liquid supplied to the substrate W. .

예를 들어, 제1 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 내부 회수통(111)의 내측 공간(114)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 또한, 제2 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 내부 회수통(111)과 중간 회수통(112) 사이의 공간(115)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 또한, 제3 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안, 기판(W)은 중간 회수통(112)과 외부 회수통(113) 사이의 공간(116)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다.For example, while treating the substrate W with the first processing liquid, the substrate W may be positioned at a height corresponding to the inner space 114 of the internal recovery container 111. Additionally, while treating the substrate W with the second treatment liquid, the substrate W may be positioned at a height corresponding to the space 115 between the internal recovery container 111 and the intermediate recovery container 112. Additionally, while treating the substrate W with the third treatment liquid, the substrate W may be positioned at a height corresponding to the space 116 between the middle recovery container 112 and the external recovery container 113.

한편, 승강 유닛(130)은 컵(110) 대신 지지 부재(120)를 상하 방향으로 이동시키는 것도 가능하다.Meanwhile, the lifting unit 130 can also move the support member 120 in the vertical direction instead of the cup 110.

분사 부재(140)는 기판 처리 공정시 기판(W)으로 처리액을 공급하는 것이다. 분사 부재(140)는 이를 위해 노즐 지지대(141), 노즐(142), 제2 지지축(143) 및 제2 구동기(144)를 포함하여 구성될 수 있다.The injection member 140 supplies processing liquid to the substrate W during the substrate processing process. For this purpose, the injection member 140 may be configured to include a nozzle supporter 141, a nozzle 142, a second support shaft 143, and a second driver 144.

분사 부재(140)는 한 개 또는 복수 개 제공될 수 있다. 분사 부재(140)가 복수 개 제공되는 경우, 약액, 린스액, 유기용제 등은 서로 상이한 분사 부재(140)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 제1 유체일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나, 이소프로필 알코올 액일 수 있다.One or more injection members 140 may be provided. When a plurality of spraying members 140 are provided, chemicals, rinse liquid, organic solvents, etc. may be provided through different spraying members 140. The rinse liquid may be the first fluid, and the organic solvent may be a mixture of isopropyl alcohol vapor and an inert gas, or may be an isopropyl alcohol liquid.

노즐 지지대(141)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다. 노즐 지지대(141)는 제2 지지축(143)의 길이 방향에 수직이 되는 방향으로 제2 지지축(143)의 일단부에 결합될 수 있다. 제2 구동기(144)는 제2 지지축(143)의 타단부에 결합될 수 있다.The nozzle support 141 may be provided along the second direction 20 in its longitudinal direction. The nozzle support 141 may be coupled to one end of the second support shaft 143 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the second support shaft 143. The second driver 144 may be coupled to the other end of the second support shaft 143.

노즐(142)은 노즐 지지대(141)의 끝단 저면에 설치될 수 있다. 이러한 노즐(142)은 제2 구동기(144)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동될 수 있다. 여기서, 공정 위치는 노즐(142)이 기판(W) 상에 처리액을 토출할 수 있게 하는 지지 부재(120)의 수직 상방 영역을 의미하며, 대기 위치는 지지 부재(120)의 수직 상방 영역을 제외한 영역, 즉 지지 부재(120)의 수직 상방 영역에서 외측으로 벗어난 영역을 의미한다.The nozzle 142 may be installed on the bottom surface of the end of the nozzle support 141. This nozzle 142 can be moved to the process position and the standby position by the second driver 144. Here, the process position refers to an area vertically above the support member 120 that allows the nozzle 142 to discharge the processing liquid on the substrate W, and the standby position refers to an area vertically above the support member 120. This refers to the excluded area, that is, the area deviated outward from the vertically upper area of the support member 120.

제2 지지축(143)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다. 이러한 제2 지지축(143)은 그 하단에서 제2 구동기(144)와 결합될 수 있다.The second support shaft 143 may be provided along the third direction 30 in its longitudinal direction. This second support shaft 143 may be coupled to the second driver 144 at its lower end.

제2 구동기(144)는 제2 지지축(143)을 회전 및 승강 운동시키는 것이다. 이러한 제2 구동기(144)는 제어기(150)와 연결되어, 제어기(150)에 의해 제어될 수 있다.The second driver 144 rotates and lifts the second support shaft 143. This second driver 144 is connected to the controller 150 and can be controlled by the controller 150.

한편, 도 1에서 제어기(150)는 제2 구동기(144)에 연결되는 것으로 도시되어 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제어기(150)는 제2 구동기(144)뿐만 아니라 제1 구동기(133)에도 연결되어, 제1 구동기(133)도 제어할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 1, the controller 150 is shown connected to the second driver 144. However, this embodiment is not limited to this. The controller 150 is connected not only to the second driver 144 but also to the first driver 133 and can control the first driver 133 as well.

분사 부재(140)는 기판(W) 상에 약액을 제공하기 위해 약액 저장 장치(210)와 연결될 수 있다.The injection member 140 may be connected to the chemical liquid storage device 210 to provide chemical liquid on the substrate W.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 저장 장치, 약액 히팅 장치 및 분사 부재 간 연결 관계를 도시한 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.FIG. 2 is a diagram illustrating the connection relationship between a chemical storage device, a chemical heating device, and an injection member that constitute a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 2.

약액 저장 장치(210)는 기판(W)을 세정하는 데에 이용되는 약액(예를 들어, IPA, 유기용매 등)을 저장하는 것이다. 이러한 약액 저장 장치(210)는 분사 부재(140)로 약액을 공급하기 위해 소정 길이의 배관을 통해 분사 부재(140)와 연결될 수 있다.The chemical storage device 210 stores a chemical solution (eg, IPA, organic solvent, etc.) used to clean the substrate W. This chemical liquid storage device 210 may be connected to the injection member 140 through a pipe of a predetermined length in order to supply chemical liquid to the injection member 140.

약액 히팅 장치(220)는 약액을 히팅시키는 것이다. 약액 히팅 장치(220)는 약액 저장 장치(210)에서 분사 부재(140)로 이동하는 약액을 히팅시킬 수 있다. 약액 히팅 장치(220)는 이를 위해 약액 저장 장치(210)와 분사 부재(140)를 연결하는 배관 상에 설치될 수 있다.The chemical heating device 220 heats the chemical liquid. The chemical heating device 220 may heat the chemical liquid moving from the chemical liquid storage device 210 to the spray member 140. For this purpose, the chemical heating device 220 may be installed on a pipe connecting the chemical liquid storage device 210 and the injection member 140.

약액 히팅 장치(220)는 광자 여기 방식을 이용하여 약액을 히팅시킬 수 있다. 약액 히팅 장치(220)는 이를 통해 고청정 약액 히터로 구현될 수 있다. 이하에서는 약액 히팅 장치(220)의 구조에 대하여 자세하게 설명하기로 한다.The chemical heating device 220 can heat the chemical solution using a photon excitation method. Through this, the chemical heating device 220 can be implemented as a highly clean chemical heater. Hereinafter, the structure of the chemical heating device 220 will be described in detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 내부 구조를 도시한 평면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view showing the internal structure of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing the internal structure of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. This is a floor plan showing the internal structure.

도 3 및 도 4에 따르면, 약액 히팅 장치(220)는 광원(310), 커버 부재(320) 및 발열체(Heating Element; 330)를 포함하여 구성될 수 있다.According to FIGS. 3 and 4 , the chemical heating device 220 may include a light source 310, a cover member 320, and a heating element (330).

광원(310)은 광을 조사하는 것이다. 이러한 광원(310)은 발열체(330)의 주변에 배치되어 발열체(330)를 향하여 광을 조사할 수 있다.The light source 310 irradiates light. This light source 310 may be disposed around the heating element 330 and irradiate light toward the heating element 330.

발열체(330)는 커버 부재(320)의 내부에 삽입될 수 있다. 광원(310)은 이러한 구조를 참작하여 커버 부재(320)의 외측 전부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이때, 광원(310)은 커버 부재(320)의 외측에 접촉되지 않게 배치될 수 있다.The heating element 330 may be inserted into the cover member 320. The light source 310 may be arranged to surround the entire outside of the cover member 320 in consideration of this structure. At this time, the light source 310 may be placed on the outside of the cover member 320 without contacting it.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 광원(310)은 도 5에 도시된 바와 같이 커버 부재(320)의 외측 일부만을 둘러싸도록 배치되는 것도 가능하다. 이 경우, 광원(310)은 커버 부재(320) 내 발열체(330)의 위치를 고려하여 커버 부재(320)의 외측 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 광원의 다양한 배치 구조를 설명하기 위한 예시도이다.However, this embodiment is not limited to this. The light source 310 can also be arranged to surround only an outer part of the cover member 320, as shown in FIG. 5. In this case, the light source 310 may be arranged to surround a portion of the outer side of the cover member 320 in consideration of the position of the heating element 330 within the cover member 320. FIG. 5 is an example diagram for explaining various arrangement structures of light sources constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.

다시 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.This will be described again with reference to FIGS. 3 and 4.

광원(310)은 발열체(330)에 광을 조사하기 위해 LED 소스(LED Source)나 LD 소스(LD Source)로 구현될 수 있다. 본 실시예에서 광원(310)은 발열체(330)에 광을 조사하여 발열체(330)를 발열시킬 수 있다면 그 어떠한 소스로 구현되어도 무방하다. 광원(310)은 예를 들어, UV 소스나 할로겐 램프로 구현되는 것도 가능하다.The light source 310 may be implemented as an LED source or an LD source to irradiate light to the heating element 330. In this embodiment, the light source 310 may be implemented as any source as long as it can generate heat by irradiating light to the heating element 330. The light source 310 may also be implemented as, for example, a UV source or a halogen lamp.

커버 부재(320)는 약액(Chemical Liquid; CL)의 이동 경로를 제공하는 것이다. 커버 부재(320)는 이를 위해 그 내부를 관통하는 유로(340)를 구비할 수 있다.The cover member 320 provides a movement path for chemical liquid (CL). For this purpose, the cover member 320 may be provided with a flow path 340 penetrating its interior.

커버 부재(320)는 광원(310)에 의해 발열되는 발열체(330)를 내장할 수 있다. 이때, 발열체(330)는 약액(CL)이 이동하는 유로(340)를 둘러싸도록 커버 부재(320)에 내장될 수 있다.The cover member 320 may contain a heating element 330 that generates heat by the light source 310. At this time, the heating element 330 may be built into the cover member 320 to surround the passage 340 through which the chemical liquid CL moves.

커버 부재(320)는 광원(310)에 의해 조사되는 광이 발열체(330)에 도달될 수 있도록 광을 투과시킬 수 있는 소재로 제조될 수 있다. 커버 부재(320)는 예를 들어, 석영(Quartz)을 소재로 하여 제조될 수 있다.The cover member 320 may be made of a material that can transmit light so that the light irradiated by the light source 310 can reach the heating element 330. The cover member 320 may be manufactured using, for example, quartz.

발열체(330)는 광원(310)에 의해 조사되는 광을 이용하여 발열하는 것이다. 발열체(330)는 유로(340)를 통해 약액(CL)이 이동할 때, 발열에 의해 생성된 열 에너지를 약액(CL)에 전달할 수 있다.The heating element 330 generates heat using light irradiated by the light source 310. The heating element 330 may transfer heat energy generated by heat generation to the chemical liquid CL when it moves through the flow path 340.

발열체(330)는 앞서 설명한 바와 같이 커버 부재(320)에 내장될 수 있다. 이때, 발열체(330)에 의해 유로(340)가 제공될 수 있다면(예를 들어, 발열체(330)가 유로(340)를 둘러싸도록 형성된다면), 약액 히팅 장치(220)는 커버 부재(320)를 구비하지 않아도 무방하다.The heating element 330 may be built into the cover member 320 as described above. At this time, if the flow path 340 can be provided by the heating element 330 (for example, if the heating element 330 is formed to surround the flow path 340), the chemical heating device 220 may use the cover member 320. You do not need to provide a .

발열체(330)는 상측에서 바라볼 때(Top-View), 십자 모양으로 커버 부재(320)의 내부에 삽입될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 발열체(330)는 약액(CL)에 열 에너지를 전달하기 위해 유로(340)에 근접하여 설치될 수 있다면, 그 어떠한 형태로 형성되어도 무방하다. 발열체(330)는 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이 상측에서 바라볼 때 링 모양으로 커버 부재(320)의 내부에 삽입되는 것도 가능하다. 도 6은 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 발열체의 다양한 형상을 설명하기 위한 제1 예시도이다.The heating element 330 may be inserted into the cover member 320 in a cross shape when viewed from the top (top view). However, this embodiment is not limited to this. The heating element 330 may be formed in any shape as long as it can be installed close to the flow path 340 to transfer heat energy to the chemical liquid CL. For example, the heating element 330 may be inserted into the cover member 320 in a ring shape when viewed from above, as shown in FIG. 6 . FIG. 6 is a first example diagram for explaining various shapes of heating elements constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.

발열체(330)는 커버 부재(320) 내에서 유로(340) 전부를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 발열체(330)는 도 7에 도시된 바와 같이 커버 부재(320) 내에서 유로(340) 일부를 둘러싸도록 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 커버 부재(320) 내에 유로(340)의 나머지 부분을 덮는 측벽 부재(350)가 추가될 수 있다. 측벽 부재(350)는 약액(CL)과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 형성될 수 있다. 도 7은 도 3 및 도 4에 도시된 약액 히팅 장치를 구성하는 발열체의 다양한 형상을 설명하기 위한 제2 예시도이다.The heating element 330 may be formed to surround the entire flow path 340 within the cover member 320. However, this embodiment is not limited to this. The heating element 330 may be formed to surround a portion of the flow path 340 within the cover member 320 as shown in FIG. 7 . In this case, a side wall member 350 that covers the remaining portion of the flow path 340 may be added to the cover member 320. The side wall member 350 may be formed of a material that does not react with the chemical liquid (CL). FIG. 7 is a second example diagram for explaining various shapes of heating elements constituting the chemical heating device shown in FIGS. 3 and 4.

발열체(330)는 광원(310)에 의해 조사되는 광을 이용하여 발열하기 위해, 광을 흡수할 수 있는 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다. 또한, 발열체(330)는 약액(CL)과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다. 발열체(330)가 이와 같이 광을 흡수할 수 있으며 약액(CL)과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 제조되면, 파티클(Particle)을 생성하지 않고 약액(CL)을 효율적으로 가열시키는 효과를 얻을 수 있다.The heating element 330 may be manufactured using a material that can absorb light in order to generate heat using light irradiated by the light source 310. Additionally, the heating element 330 may be manufactured using a material that does not react with the chemical liquid (CL). If the heating element 330 is manufactured from a material that can absorb light in this way and does not react with the chemical liquid (CL), it can achieve the effect of efficiently heating the chemical liquid (CL) without generating particles. there is.

발열체(330)는 상기와 같은 효과를 얻기 위해 실리콘(Si) 성분을 포함하여 제조될 수 있다. 발열체(330)는 예를 들어, 단결정 실리콘으로 제조되거나, 실리콘 카바이드(SiC; Silicon Carbide), 실리콘 다이옥사이드(SiO2; Silicon Dioxide) 등의 성분을 포함하여 제조될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 발열체(330)는 알루미늄 나이트라이드(AlN; Aluminium Nitride) 성분을 포함하여 제조되는 것도 가능하다.The heating element 330 may be manufactured including a silicon (Si) component to achieve the above effects. For example, the heating element 330 may be made of single crystal silicon or may be made of components such as silicon carbide (SiC) or silicon dioxide (SiO2). However, this embodiment is not limited to this. The heating element 330 can also be manufactured including aluminum nitride (AlN).

발열체(330)는 실리콘 성분을 소재로 하여 제조되는 경우, Si의 광흡수율(Intensity)에 의해 열이 발생하는 기전으로 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 발열체(330)는 약액이 유로(340)를 통과하기 전에 미리 기준 온도까지 승온될 수 있다.When the heating element 330 is manufactured using a silicon component, it can be provided as a mechanism for generating heat by the light absorption rate (Intensity) of Si. In this embodiment, the heating element 330 may be heated to a reference temperature in advance before the chemical liquid passes through the flow path 340.

한편, 발열체(330)는 광원(310)에 의해 조사되는 광을 이용하여 발열되기 때문에, 그 자체를 영구적인 히팅 엘리먼트(Permanent Heating Element)로 사용하는 것이 가능해지는 효과도 얻을 수 있다.Meanwhile, since the heating element 330 generates heat using light irradiated by the light source 310, it can also achieve the effect of being able to use itself as a permanent heating element.

한편, 발열체(330)의 승온 여부를 확인하기 위해 약액(CL)의 온도를 측정하는 경우, 유로(340)의 배출구(Outlet)에 온도 센서를 연결하여 약액(CL)의 온도를 측정할 수 있다.Meanwhile, when measuring the temperature of the chemical liquid (CL) to check whether the temperature of the heating element 330 has risen, the temperature of the chemical liquid (CL) can be measured by connecting a temperature sensor to the outlet of the flow path 340. .

약액 히팅 장치(220)는 이상 설명한 바와 같이, 광자 여기 방식에 따라 광자(Photon) 흡수 유도되는(Absorption-Induced) 발열체(330)를 이용하여 약액(CL)을 히팅시키는 이머전(Immersion) 방식의 히터로 구현될 수 있다. 약액 히팅 장치(220)는 이와 같은 구조를 통해 파티클 소스를 원천 차단할 수 있으며, 이에 따라 반도체 제조 효율을 증가시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 약액 히팅 장치(220)는 발광에 의한 히팅 방식으로 잠열 발생이 없어서 안정성이 우수하며, 열전도도 등의 손실이 적은 고효율 고신뢰성 히터로 구현될 수 있다.As described above, the chemical heating device 220 is an immersion type heater that heats the chemical liquid (CL) using the photon absorption-induced heating element 330 according to the photon excitation method. It can be implemented as: Through this structure, the chemical heating device 220 can block the particle source at its source, thereby increasing semiconductor manufacturing efficiency. In addition, the chemical heating device 220 is a heating method using light emission and does not generate latent heat, so it has excellent stability and can be implemented as a high-efficiency, high-reliability heater with little loss in thermal conductivity and the like.

종래의 약액 히팅 장치는 저항체를 이용하여 약액을 히팅시킬 수 있다. 이러한 종래의 약액 히팅 장치는 메탈 파티클(Metal Particle) 발생을 차단하기 위해 니켈-크롬(Ni-Cr) 합금을 소재로 하여 제조되는 히트 엘리먼트(Heat Element)에 테프론 성분을 코팅한다(Teflon-Coated Ni-Cr).A conventional chemical heating device can heat a chemical solution using a resistor. This conventional chemical heating device coats the heat element made of nickel-chromium (Ni-Cr) alloy with Teflon to block the generation of metal particles (Teflon-Coated Ni). -Cr).

그런데, 종래의 약액 히팅 장치의 경우, 히트 엘리먼트에 코팅된 테프론 재질(PTFE)이 고온에서 파티클을 용출할 수 있다. 또한, PFA(튜브), PTFE, O-Ring(Viton + FEP) 등의 접액부에 오 링이 적용되어 있어 파티클 소스를 제공할 수 있다. 따라서 종래의 약액 히팅 장치는 IPA, DI 등의 약액을 이용하여 기판을 세정하는 경우, 파티클 증가로 인해 수율이 저하될 수 있다.However, in the case of a conventional chemical heating device, the Teflon material (PTFE) coated on the heat element can elute particles at high temperatures. In addition, O-rings are applied to liquid contact parts such as PFA (tube), PTFE, and O-Ring (Viton + FEP), so they can provide a particle source. Therefore, when a conventional chemical heating device cleans a substrate using a chemical solution such as IPA or DI, the yield may decrease due to an increase in particles.

본 실시예에 따른 약액 히팅 장치(220)는 도 3 내지 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이 LED 소스, LD 소스 등을 Si에 조사하여 광자 흡수(Photon Absorption)에 의한 열 발생으로 Si을 가열할 수 있다. 약액 히팅 장치(220)는 약액(예를 들어, IPA)과 반응하지 않는 단결정 Si을 Heat Source로 적용할 수 있으며, LED 턴 오프(Turn Off)시 잠열이 발생하지 않아 IPA 기화 및 방폭 리스크도 최소화할 수 있다.The chemical heating device 220 according to this embodiment can heat Si by generating heat by photon absorption by irradiating an LED source, LD source, etc. to Si, as described with reference to FIGS. 3 to 7. there is. The chemical heating device 220 can use single crystal Si, which does not react with the chemical (e.g., IPA), as a heat source, and no latent heat is generated when the LED turns off, minimizing the risk of IPA vaporization and explosion. can do.

또한, 본 실시예에 따른 약액 히팅 장치(220)는 PFA, 커버 부재(320)(예를 들어, Quartz), 발열체(330)(예를 들어, Si) 등으로 접액부를 구성할 수 있으며, 이에 따라 접액부에서 파티클 소스를 제공하는 오 링, PTFE 등을 제거할 수 있다.In addition, the chemical heating device 220 according to this embodiment may constitute a liquid contact portion with PFA, a cover member 320 (e.g., Quartz), a heating element 330 (e.g., Si), etc. Accordingly, O-rings, PTFE, etc. that provide particle sources from the liquid contact area can be removed.

또한, 약액 히팅 장치(220)는 Quartz 소재의 약액 Bath 적용으로 파티클 소스를 제거하면서 동시에 광 투과율을 유지하는 효과도 얻을 수 있다.In addition, the chemical heating device 220 can achieve the effect of maintaining light transmittance while removing particle sources by applying a chemical bath made of quartz material.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 평가하기 위한 제1 시험 셋업 구조도이다.Figure 8 is a structural diagram of a first test setup for evaluating the performance of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 약액 히팅 장치(220)에 대하여 약액 승온 시험을 통한 타당성을 평가하기 위해, 유리 기판(Glass; 410) 상에 발열체(Si Wafer; 420)를 배치시키고, 그 상부에서 광원(LED Array; 430)을 이용하여 발열체(420)를 가열하여 보았다.In order to evaluate the feasibility of the chemical heating device 220 according to this embodiment through a chemical temperature increase test, a heating element (Si Wafer; 420) is placed on a glass substrate (Glass; 410), and a light source (LED) is installed on the upper part. The heating element 420 was heated using Array;

유리 기판(410)으로는 두께(t)가 7mm인 Ø300 Glass Bath를 사용하였으며, 발열체(420)로는 Ø200 Si Wafer를 사용하였다. 또한, 광원(430)으로는 Ø300 LED Array 히터를 사용하였다.A Ø300 Glass Bath with a thickness (t) of 7 mm was used as the glass substrate 410, and a Ø200 Si Wafer was used as the heating element 420. Additionally, a Ø300 LED Array heater was used as the light source 430.

그 외 시험 조건은 다음과 같다.Other test conditions are as follows.

- 발열체(420)와 광원(430) 간 거리: 30mm- Distance between heating element (420) and light source (430): 30mm

- 사용 약액: 물 3L- Chemical solution used: 3L of water

- 히팅 시간: 5분 ~ 10분- Heating time: 5 to 10 minutes

히팅 시간이 경과한 후, 발열체(420)의 상부 표면에 대하여 온도를 측정하여 보았다. 시험 결과, 발열체(420)의 상부 표면은 5분만에 약 50도 상승하였으며, 표면 기준으로 9분 후 약 75도까지 상승하였다. IPA를 약액으로 사용하여 평가할 경우, 발열체(420)의 더 빠른 승온이 예상될 수 있다.After the heating time had elapsed, the temperature was measured on the upper surface of the heating element 420. As a result of the test, the upper surface of the heating element 420 rose by about 50 degrees in 5 minutes, and rose to about 75 degrees after 9 minutes based on the surface. When evaluating using IPA as a chemical solution, a faster temperature increase of the heating element 420 can be expected.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 평가하기 위한 제2 시험 셋업 구조도이다.Figure 9 is a structural diagram of a second test setup for evaluating the performance of a chemical heating device constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 시험 셋업 구조에 따라 LED 히터를 이용한 Si 승온에 대하여 평가하여 보았다. 몸체(121)(예를 들어, 척(Chuck)) 상에 광원으로 복수 개의 LED(510)를 배치하였으며, 복수 개의 LED(510)를 커버하도록 그 상부에 덮개 형태의 쿼츠 윈도우(Quartz Window; 520)를 구성하였다. 그리고, 서포트 핀(122) 및 가이드 핀(123)을 이용하여 그 상부에 기판(W)이 위치하도록 구성하였다.Si temperature increase using an LED heater was evaluated according to the test setup structure shown in FIG. 9. A plurality of LEDs 510 are placed as light sources on the body 121 (e.g., a chuck), and a quartz window 520 in the form of a cover is placed on top to cover the plurality of LEDs 510. ) was composed. And, the substrate W was configured to be positioned on top of the support pin 122 and the guide pin 123.

도 9에 도시된 시험 셋업 구조에 따라 열화상 카메라(530)를 이용하여 기판(W)의 표면 온도에 대하여 측정하였더니, 도 10에 도시된 바와 같이 라이징 타임(Rising Time; 640)이 경과한 후 기판(W)의 각 영역(1 Point(610), 2 Point(620), 3 Point(630))에서 일정 온도까지 승온됨을 확인할 수 있었다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 보여주는 제1 시험 결과이다. 상기에서, 1 Point(610)는 기판(W)의 센터 영역(Center Zone)에서의 한 점을 의미하고, 2 Point(620)는 기판(W)의 미들 영역(Middle Zone)에서의 한 점을 의미하며, 3 Point(630)는 기판(W)의 에지 영역(Edge Zone)에서의 한 점을 의미한다.The surface temperature of the substrate W was measured using the thermal imaging camera 530 according to the test setup structure shown in FIG. 9, and as shown in FIG. 10, the rising time (Rising Time) 640 elapsed. Afterwards, it was confirmed that the temperature increased to a certain temperature in each area (1 Point (610), 2 Point (620), and 3 Point (630)) of the substrate (W). Figure 10 is a first test result showing the performance of a chemical heating device that constitutes a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. In the above, 1 Point (610) refers to a point in the center zone of the substrate (W), and 2 Point (620) refers to a point in the middle zone of the substrate (W). 3 Point (630) means one point in the edge zone of the substrate (W).

한편, 도 11에 도시된 바와 같이 상기의 시험으로부터 Center-Edge 간 V자 모양 레시피(V Shape Recipe)로 제어가 가능해짐도 확인할 수 있었다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 약액 히팅 장치의 성능을 보여주는 제2 시험 결과이다.Meanwhile, as shown in FIG. 11, it was confirmed from the above test that control was possible with a V-shaped recipe between Center and Edge. Figure 11 is a second test result showing the performance of the chemical heating device constituting the substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the attached drawings, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

100: 기판 처리 시스템 110: 컵
111: 내부 회수통 112: 중간 회수통
113: 외부 회수통 120: 지지 부재
121: 몸체 122: 서포트 핀
123: 가이드 핀 124: 제1 지지축
130: 승강 유닛 140: 분사 부재
150: 제어기 210: 약액 저장 장치
220: 약액 히팅 장치 310: 광원
320: 커버 부재 330: 발열체
340: 유로 350: 측벽 부재
410: 유리 기판 510: LED
520: 쿼츠 윈도우 530: 열화상 카메라
100: substrate processing system 110: cup
111: internal recovery bin 112: middle recovery bin
113: external recovery bin 120: support member
121: body 122: support pin
123: Guide pin 124: First support shaft
130: lifting unit 140: spray member
150: Controller 210: Chemical storage device
220: Chemical heating device 310: Light source
320: cover member 330: heating element
340: Euro 350: Side wall member
410: Glass substrate 510: LED
520: Quartz window 530: Thermal imaging camera

Claims (14)

기판을 처리하는 데에 이용되는 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로;
상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 및
상기 발열체에 광을 조사하는 광원을 포함하며,
상기 발열체는 상기 광을 흡수하고 상기 약액과 반응을 하지 않으며, 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되어 상기 약액을 가열하는 약액 히팅 장치.
A flow path provided as a path through which the chemical solution used to treat the substrate passes;
a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; and
It includes a light source that irradiates light to the heating element,
The heating element absorbs the light, does not react with the chemical solution, and generates heat using photon excitation to heat the chemical solution.
제 1 항에 있어서,
내부에 상기 유로를 포함하는 커버 부재를 더 포함하며,
상기 발열체는 상기 커버 부재의 내부에 삽입되고,
상기 광원은 상기 커버 부재의 외부에 상기 커버 부재와 이격되어 설치되고,
상기 광원은 상기 커버 부재 내 상기 발열체의 위치에 따라 상기 커버 부재의 일부 또는 전체를 둘러싸도록 배치되는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
It further includes a cover member including the flow passage therein,
The heating element is inserted into the interior of the cover member,
The light source is installed outside the cover member and spaced apart from the cover member,
The light source is a chemical heating device arranged to surround part or all of the cover member depending on the position of the heating element within the cover member.
제 2 항에 있어서,
상기 커버 부재는 상기 광을 투과시키는 약액 히팅 장치.
According to claim 2,
The cover member is a chemical heating device that transmits the light.
제 3 항에 있어서,
상기 커버 부재는 쿼츠(Quartz)를 포함하여 제조되는 약액 히팅 장치.
According to claim 3,
The cover member is a chemical heating device manufactured including quartz.
제 1 항에 있어서,
상기 발열체는 상기 약액이 상기 유로를 통과하기 전에 미리 정해진 온도까지 승온되는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
A chemical heating device in which the heating element is heated to a predetermined temperature before the chemical liquid passes through the flow path.
제 1 항에 있어서,
상기 발열체는 단결정 실리콘으로 제조되는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
A chemical heating device in which the heating element is made of single crystal silicon.
제 1 항에 있어서,
상기 발열체는 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 다이옥사이드(SiO2) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 중 적어도 하나의 성분을 포함하여 제조되는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
The heating element is a chemical heating device manufactured by including at least one of silicon (Si), silicon carbide (SiC), silicon dioxide (SiO2), and aluminum nitride (AlN).
제 1 항에 있어서,
상기 발열체는 폭 방향으로 십자 형태 및 링 형태 중 어느 하나의 형태를 가지는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
The heating element is a chemical heating device having either a cross shape or a ring shape in the width direction.
제 1 항에 있어서,
상기 유로의 배출구에 연결되어 상기 약액의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하며,
상기 약액의 측정 온도를 기초로 상기 발열체의 승온 여부를 확인하는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
It further includes a temperature sensor connected to the outlet of the flow path to measure the temperature of the chemical solution,
A chemical heating device that checks whether the temperature of the heating element is raised based on the measured temperature of the chemical liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 광원은 LED 소스 및 LD 소스 중 적어도 하나의 소스를 포함하는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
The light source is a chemical heating device including at least one of an LED source and an LD source.
제 1 항에 있어서,
상기 발열체가 상기 유로의 일부를 둘러싸도록 배치되는 경우, 상기 나머지 부분을 둘러싸도록 배치되는 측벽 부재를 더 포함하는 약액 히팅 장치.
According to claim 1,
When the heating element is disposed to surround a portion of the flow path, the chemical heating device further includes a side wall member disposed to surround the remaining portion.
제 11 항에 있어서,
상기 측벽 부재는 상기 약액과 반응하지 않는 물질을 소재로 하여 제조되는 약액 히팅 장치.
According to claim 11,
A chemical heating device in which the side wall member is made of a material that does not react with the chemical liquid.
기판을 처리하는 데에 이용되는 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로;
상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체;
상기 발열체에 광을 조사하는 광원; 및
내부에 상기 유로를 포함하는 커버 부재를 포함하며,
상기 발열체는 상기 광을 흡수하고 상기 약액과 반응을 하지 않으며, 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되어 상기 약액을 가열하고, 상기 유로를 부분적으로 둘러싸는 약액 히팅 장치.
A flow path provided as a path through which the chemical solution used to treat the substrate passes;
a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path;
a light source that irradiates light to the heating element; and
It includes a cover member including the flow passage therein,
The heating element absorbs the light and does not react with the chemical solution, generates heat using photon excitation to heat the chemical solution, and partially surrounds the flow path.
기판을 처리하는 데에 이용되는 약액을 저장하는 약액 저장 장치;
상기 기판에 상기 약액을 분사하여 상기 기판이 처리되도록 하는 분사 부재; 및
상기 약액이 상기 약액 저장 장치에서 상기 분사 부재로 이동하는 경로 상에 설치되는 약액 히팅 장치를 포함하며,
상기 약액 히팅 장치는,
상기 약액이 통과하는 경로로 제공되는 유로;
상기 유로의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치되는 발열체; 및
상기 발열체에 광을 조사하는 광원을 포함하며,
상기 발열체는 상기 광을 흡수하고 상기 약액과 반응을 하지 않으며, 광자 여기(Photon Excitation)를 이용하여 발열되어 상기 약액을 가열하는 기판 처리 시스템.
a chemical liquid storage device that stores a chemical liquid used to process a substrate;
a spray member that sprays the chemical solution onto the substrate to treat the substrate; and
It includes a chemical heating device installed on a path along which the chemical liquid moves from the chemical liquid storage device to the spray member,
The chemical heating device,
A flow path provided as a path through which the chemical solution passes;
a heating element disposed to surround at least a portion of the flow path; and
It includes a light source that irradiates light to the heating element,
The heating element absorbs the light, does not react with the chemical solution, and generates heat using photon excitation to heat the chemical solution.
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