KR20240068056A - Compounds, light-emitting materials and light-emitting devices - Google Patents

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우마마헤쉬 발리자팔리
다쿠야 히가
유타 와타비키
요시타케 스즈키
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Abstract

하기 일반식으로 나타나는 화합물은 발광 재료로서 유용하다. R1~R10은 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타내지만, R1~R10 중 1개 또는 2개는 사이아노기를 나타내고, R1~R10 중 1~4개는 5원환으로 결합하는 도너성기를 나타낸다.
Compounds represented by the following general formula are useful as light-emitting materials. R 1 to R 10 represent a hydrogen atom, a deuterium atom or a substituent, but 1 or 2 of R 1 to R 10 represent a cyano group, and 1 to 4 of R 1 to R 10 are bonded to a 5-membered ring. It represents the donor penis.

Description

화합물, 발광 재료 및 발광 소자Compounds, light-emitting materials and light-emitting devices

본 발명은, 발광 재료로서 유용한 화합물과 그것을 이용한 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to compounds useful as light-emitting materials and light-emitting devices using the same.

유기 일렉트로 루미네선스 소자(유기 EL 소자) 등의 발광 소자의 발광 효율을 높이는 연구가 활발히 행해지고 있다. 특히, 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 구성하는 전자 수송 재료, 홀 수송 재료, 발광 재료 등을 새롭게 개발하여 조합함으로써, 발광 효율을 높이는 연구가 다양하게 이루어져 오고 있다. 그중에는, 지연 형광 재료를 이용한 유기 일렉트로 루미네선스 소자에 관한 연구도 볼 수 있다.Research is being actively conducted to increase the luminous efficiency of light-emitting devices such as organic electroluminescence devices (organic EL devices). In particular, various studies have been conducted to increase luminous efficiency by newly developing and combining electron transport materials, hole transport materials, and light emitting materials that constitute organic electroluminescence devices. Among them, research on organic electroluminescence devices using delayed fluorescent materials can also be seen.

지연 형광 재료는, 여기(勵起) 상태에 있어서, 여기 삼중항 상태로부터 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 발생시킨 후, 그 여기 일중항 상태로부터 기저(基底) 상태로 되돌아갈 때에 형광을 방사하는 재료이다. 이러한 경로에 의한 형광은, 기저 상태로부터 직접 발생한 여기 일중항 상태로부터의 형광(통상의 형광)보다 늦게 관측되기 때문에, 지연 형광이라고 칭해지고 있다. 여기에서, 예를 들면, 발광성 화합물을 캐리어의 주입에 의하여 여기한 경우, 여기 일중항 상태와 여기 삼중항 상태의 발생 확률은 통계적으로 25%:75%이기 때문에, 직접 발생한 여기 일중항 상태로부터의 형광만으로는, 발광 효율의 향상에 한계가 있다. 한편, 지연 형광 재료에서는, 여기 일중항 상태뿐만 아니라, 여기 삼중항 상태도 상기의 역항간 교차를 통한 경로에 의하여 형광 발광에 이용할 수 있기 때문에, 통상의 형광 재료에 비하여 높은 발광 효율이 얻어지게 된다.The delayed fluorescent material generates inverse intersystem crossing from the triplet excited state to the singlet excited state in the excited state, and then emits fluorescence when returning from the singlet excited state to the ground state. It is a material that radiates. Fluorescence by this route is called delayed fluorescence because it is observed later than fluorescence from a singlet excited state (ordinary fluorescence) generated directly from the ground state. Here, for example, when a luminescent compound is excited by injection of a carrier, the probability of occurrence of a singlet excited state and a triplet excited state is statistically 25%:75%, so the There is a limit to improving luminous efficiency using fluorescence alone. On the other hand, in delayed fluorescent materials, not only singlet excited states but also triplet excited states can be used for fluorescence emission through the above-described reverse intersystem crossing path, so higher luminous efficiency is obtained compared to ordinary fluorescent materials. .

이와 같은 원리가 명확해진 이후, 다양한 연구에 의하여 다양한 지연 형광 재료가 발견되기에 이르렀다. 그러나, 지연 형광을 방사하는 재료이면, 즉시 발광 재료로서 유용한 것은 아니다. 지연 형광 재료 중에는, 유기 발광 소자로 했을 때의 내구성이 불량하여 실용성의 점에서 과제가 있는 것이 적지 않다. 또, 유기 일렉트로 루미네선스 소자로 했을 때의 구동 전압이 높거나, 발광 효율이 낮거나 하는 것도 있다. 따라서, 실용성의 점에서 개선의 여지가 있는 지연 형광 재료가 많은 것이 실정이다. 그리고, 지연 형광 재료로서 알려져 있는 프탈로나이트릴계 화합물에 있어서도 과제가 있는 것이 지적되고 있다. 예를 들면, 하기의 구조를 갖는 2CzPN은 지연 형광을 방사하는 재료이지만, 발광 효율이 높지 않고, 내구성이 낮다는 과제를 안고 있다(비특허문헌 1 참조).After this principle became clear, various delayed fluorescent materials were discovered through various research. However, if the material emits delayed fluorescence, it is not useful as an immediate light-emitting material. Among delayed fluorescent materials, many of them have poor durability when used as organic light-emitting devices and pose problems in terms of practicality. In addition, when used as an organic electroluminescence element, the driving voltage may be high or the luminous efficiency may be low. Therefore, the reality is that there are many delayed fluorescent materials that have room for improvement in terms of practicality. In addition, it has been pointed out that problems also exist with phthalonitrile-based compounds known as delayed fluorescent materials. For example, 2CzPN, which has the structure below, is a material that emits delayed fluorescence, but has the problems of low luminous efficiency and low durability (see Non-Patent Document 1).

[화학식 1][Formula 1]

Organic Electronics 14(2013) 2721-2726 Organic Electronics 14(2013) 2721-2726

이와 같은 과제를 안고 있는 것이 지적되고 있는 한편, 지연 형광 재료의 화학 구조와 특성의 관계에 대해서는 충분한 해명이 이루어지고 있다고는 말하기 어렵다. 이 때문에, 발광 재료로서 유용한 화합물의 화학 구조를 일반화하는 것은 현재는 곤란하고, 불명확한 점이 많다.While it has been pointed out that such problems exist, it is difficult to say that a sufficient explanation has been made regarding the relationship between the chemical structure and properties of delayed fluorescent materials. For this reason, it is currently difficult to generalize the chemical structures of compounds useful as light-emitting materials, and many points are unclear.

이와 같은 상황하에 있어서 본 발명자들은, 발광 소자용의 발광 재료로서 보다 유용한 화합물을 제공하는 것을 목적으로 하여 연구를 거듭했다. 그리고, 발광 재료로서 보다 유용한 화합물의 일반식을 도출하여 일반화하는 것을 목적으로 하여 예의 검토를 진행했다.Under such circumstances, the present inventors have conducted research with the aim of providing more useful compounds as light-emitting materials for light-emitting devices. In addition, an intensive study was conducted with the goal of deriving and generalizing the general formulas of compounds more useful as light-emitting materials.

상기의 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 진행한 결과, 본 발명자들은, 사이아노페난트렌 유도체 중, 특정 조건을 충족시키는 구조를 갖는 화합물이 발광 재료로서 유용한 것을 발견했다. 본 발명은, 이러한 지견(知見)에 근거하여 제안된 것이며, 구체적으로, 이하의 구성을 갖는다.As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors discovered that among cyanophenanthrene derivatives, compounds having a structure that satisfies specific conditions are useful as light-emitting materials. The present invention has been proposed based on this knowledge, and specifically has the following configuration.

[1] 하기 일반식 (1)로 나타나는 화합물.[1] A compound represented by the following general formula (1).

[화학식 2][Formula 2]

[일반식 (1)에 있어서, R1~R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, R1~R10 중 1개 또는 2개는 사이아노기를 나타내고, R1~R10 중 1~4개는 5원환으로 결합하는 도너성기를 나타낸다.[In General Formula (1), R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. However, 1 or 2 of R 1 to R 10 represents a cyano group, and 1 to 4 of R 1 to R 10 represents a donor group bonded to a 5-membered ring.

R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.]R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , R 10 and R 1 may be combined with each other to form a cyclic structure.]

[2] 상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환 혹은 무치환의 환 축합 인돌-1-일기인, [1]에 기재된 화합물.[2] The compound according to [1], wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a substituted or unsubstituted ring-condensed indol-1-yl group.

[3] 상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, [1]에 기재된 화합물.[3] The compound according to [1], wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group.

[4] 상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, [1]에 기재된 화합물.[4] The compound according to [1], wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with a substituent.

[5] 상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, [1]에 기재된 화합물.[5] The compound according to [1], wherein the donor group bonded to the five-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with an aryl group or heteroaryl group.

[6] 상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 아릴기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, [1]에 기재된 화합물.[6] The compound according to [1], wherein the donor group bonded to the five-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with an aryl group.

[7] 상기 환 축합 카바졸-9-일기가, 산소 원자, 황 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원자를 환 골격 구성 원자로 하는 환이 축합된 카바졸-9-일기인, [3] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[7] The ring-condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which a ring containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom as a ring skeleton atom is condensed, [3] The compound according to any one of to [6].

[8] 상기 환 축합 카바졸-9-일기가, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원자를 환 골격 구성 원자로 하는 환이 축합된 카바졸-9-일기인, [3] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[8] The ring-condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which a ring is condensed with at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a sulfur atom as a ring skeleton constituent atom, [3] to [6]. ] Compound according to any one of the above.

[9] R1~R10 중 2개가 사이아노기이며, R1~R10 중 2개가 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, [3] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[9] In any one of [3] to [8], where two of R 1 to R 10 are cyano groups and two of R 1 to R 10 are substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl groups. Compounds described.

[10] R1~R10 중 2개가 동일한 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, [3] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[10] The compound according to any one of [3] to [9], wherein two of R 1 to R 10 are the same substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group.

[11] R1~R10 중 2개가 사이아노기이며, R1~R10 중 1개가 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, [3] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[11] In any one of [3] to [10], two of R 1 to R 10 are cyano groups, and one of R 1 to R 10 is a substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group. Compounds described.

[12] R9와 R10이 사이아노기인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[12] The compound according to any one of [1] to [11], wherein R 9 and R 10 are cyano groups.

[13] R2와 R7이 사이아노기인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[13] The compound according to any one of [1] to [11], wherein R 2 and R 7 are cyano groups.

[14] 선대칭 구조를 갖는, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 화합물.[14] The compound according to any one of [1] to [13], which has an axisymmetric structure.

[15] [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 화합물로 이루어지는 발광 재료.[15] A light-emitting material comprising the compound according to any one of [1] to [14].

[16] [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 화합물로 이루어지는 지연 형광체.[16] A delayed phosphor comprising the compound according to any one of [1] to [14].

[17] [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 포함하는 막.[17] A film containing the compound according to any one of [1] to [14].

[18] [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자.[18] An organic semiconductor device containing the compound according to any one of [1] to [14].

[19] [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.[19] An organic light-emitting device containing the compound according to any one of [1] to [14].

[20] 상기 소자가 상기 화합물을 포함하는 층을 갖고 있으며, 상기 층이 호스트 재료도 포함하는, [19]에 기재된 유기 발광 소자.[20] The organic light-emitting device according to [19], wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also contains a host material.

[21] 상기 화합물을 포함하는 층이, 상기 화합물 및 상기 호스트 재료 외에 지연 형광 재료도 포함하며, 상기 지연 형광 재료의 최저 여기 일중항 에너지가 상기 호스트 재료보다 낮고, 상기 화합물보다 높은, [20]에 기재된 유기 발광 소자.[21] The layer containing the compound includes a delayed fluorescent material in addition to the compound and the host material, and the lowest singlet excitation energy of the delayed fluorescent material is lower than that of the host material and higher than that of the compound, [20] The organic light emitting device described in .

[22] 상기 소자가 상기 화합물을 포함하는 층을 갖고 있으며, 상기 층이 상기 화합물과는 상이한 구조를 갖는 발광 재료도 포함하는, [20]에 기재된 유기 발광 소자.[22] The organic light-emitting device according to [20], wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also includes a light-emitting material having a structure different from that of the compound.

[23] 상기 소자에 포함되는 재료 중, 상기 화합물로부터의 발광량이 최대인, [20] 내지 [22] 중 어느 하나에 기재된 유기 발광 소자.[23] The organic light-emitting device according to any one of [20] to [22], wherein the amount of light emitted from the compound is the largest among the materials included in the device.

[24] 상기 발광 재료로부터의 발광량이 상기 화합물로부터의 발광량보다 많은, [22]에 기재된 유기 발광 소자.[24] The organic light-emitting device according to [22], wherein the amount of light emitted from the light-emitting material is greater than the amount of light emitted from the compound.

[25] 유기 일렉트로 루미네선스 소자인, [19] 내지 [24] 중 어느 하나에 기재된 유기 발광 소자.[25] The organic light-emitting device according to any one of [19] to [24], which is an organic electroluminescence device.

[26] 지연 형광을 방사하는, [19] 내지 [24] 중 어느 하나에 기재된 유기 발광 소자.[26] The organic light-emitting device according to any one of [19] to [24], which emits delayed fluorescence.

본 발명의 화합물은, 발광 재료로서 유용하다. 또, 본 발명의 화합물 중에는 지연 형광을 방사하는 화합물이 포함된다. 또, 본 발명의 화합물을 이용한 유기 발광 소자 중에는, 높은 발광 효율을 갖는 소자, 내구성이 높은 소자, 구동 전압이 낮은 소자가 포함된다.The compound of the present invention is useful as a light-emitting material. Additionally, the compounds of the present invention include compounds that emit delayed fluorescence. In addition, organic light-emitting devices using the compounds of the present invention include devices with high luminous efficiency, devices with high durability, and devices with low driving voltage.

도 1은 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 층 구성예를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the layer structure of an organic electroluminescence device.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은, 본 발명의 대표적인 실시형태나 구체예에 근거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태나 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 또, 본 발명에 이용되는 화합물의 분자 내에 존재하는 수소 원자의 일부 또는 전부는 중수소 원자(2H, 듀테리움 D)로 치환할 수 있다. 본 명세서의 화학 구조식에서는, 수소 원자는 H라고 표시하고 있거나, 그 표시를 생략하고 있다. 예를 들면 벤젠환의 환 골격 구성 탄소 원자에 결합되는 원자의 표시가 생략되어 있을 때, 표시가 생략되어 있는 개소에서는 H가 환 골격 구성 탄소 원자에 결합되어 있는 것으로 한다. 본 명세서의 화학 구조식에서는, 중수소 원자는 D라고 표시하고 있다.Below, the contents of the present invention will be described in detail. The description of the structural requirements described below may be based on representative embodiments or specific examples of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments or specific examples. In addition, in this specification, the numerical range indicated using "~" means a range that includes the numerical values written before and after "~" as the lower limit and upper limit. Additionally, some or all of the hydrogen atoms present in the molecule of the compound used in the present invention may be replaced with deuterium atoms ( 2H , deuterium D). In the chemical structural formula of this specification, the hydrogen atom is indicated as H or is omitted. For example, when the indication of the atom bonded to the carbon atom forming the ring skeleton of the benzene ring is omitted, H is assumed to be bonded to the carbon atom forming the ring skeleton at the location where the indication is omitted. In the chemical structural formula of this specification, the deuterium atom is indicated as D.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물][Compound represented by general formula (1)]

[화학식 3][Formula 3]

일반식 (1)에 있어서, R1~R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.In General Formula (1), R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent.

R1~R10 중 1개 또는 2개는 사이아노기를 나타낸다.One or two of R 1 to R 10 represent a cyano group.

본 발명의 일 양태에서는, 사이아노기의 수는 1개이다. 예를 들면, R1만이 사이아노기이다. 예를 들면, R2만이 사이아노기이다. 예를 들면, R3만이 사이아노기이다. 예를 들면, R4만이 사이아노기이다. 예를 들면, R9만이 사이아노기이다.In one aspect of the present invention, the number of cyano groups is one. For example, only R 1 is a cyano group. For example, only R 2 is a cyano group. For example, only R 3 is a cyano group. For example, only R 4 is a cyano group. For example, only R 9 is a cyano group.

본 발명의 일 양태에서는, 사이아노기의 수는 2개이다. 예를 들면, R1~R4 및 R10 중 1개가 사이아노기이고, R5~R9 중 1개가 사이아노기이다. 예를 들면, R1, R2 및 R10 중 1개가 사이아노기이고, R7~R9 중 1개가 사이아노기이다. 예를 들면, R2 및 R10 중 1개가 사이아노기이고, R7 및 R9 중 1개가 사이아노기이다. 예를 들면, R1~R4 중 1개가 사이아노기이고, R5~R8 중 1개가 사이아노기이다. 예를 들면, R1~R3 중 1개가 사이아노기이고, R6~R8 중 1개가 사이아노기이다. 예를 들면, R1과 R8, R2와 R7, R3과 R6, R9와 R10 중 1세트가 사이아노기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R2와 R7이 사이아노기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1과 R8이 사이아노기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R3과 R6이 사이아노기이다.In one aspect of the invention, the number of cyano groups is two. For example, one of R 1 to R 4 and R 10 is a cyano group, and one of R 5 to R 9 is a cyano group. For example, one of R 1 , R 2 and R 10 is a cyano group, and one of R 7 to R 9 is a cyano group. For example, one of R 2 and R 10 is a cyano group, and one of R 7 and R 9 is a cyano group. For example, one of R 1 to R 4 is a cyano group, and one of R 5 to R 8 is a cyano group. For example, one of R 1 to R 3 is a cyano group, and one of R 6 to R 8 is a cyano group. For example, one set of R 1 and R 8 , R 2 and R 7 , R 3 and R 6 , and R 9 and R 10 is a cyano group. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups. In a preferred aspect of the present invention, R 2 and R 7 are cyano groups. In one aspect of the invention, R 1 and R 8 are cyano groups. In one aspect of the present invention, R 3 and R 6 are cyano groups.

일반식 (1)에 있어서, R1~R10 중 1~4개는 5원환으로 결합하는 도너성기를 나타낸다.In General Formula (1), 1 to 4 of R 1 to R 10 represent a donor group bonded to a 5-membered ring.

R1~R10 중 1~3개가 5원환으로 결합하는 도너성기인 것이 바람직하고, R1~R10 중 1개 또는 2개가 5원환으로 결합하는 도너성기인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that 1 to 3 of R 1 to R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring, and it is more preferable that 1 or 2 of R 1 to R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring.

본 발명의 일 양태에서는, R1~R10 중 1개만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R4 및 R5~R8 중 1개만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R1 또는 R8만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2 또는 R7만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R3 또는 R6만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R4 또는 R5만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9 또는 R10만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R4 또는 R5만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R1~R4 중 1개만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R1만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R3만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R4만이 5원환으로 결합하는 도너성기이다.In one aspect of the present invention, only one of R 1 to R 10 is a donor group bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, only one of R 1 to R 4 and R 5 to R 8 is a donor group bonded to a 5-membered ring. For example, only R 1 or R 8 is a donor group that bonds to a 5-membered ring. For example, only R 2 or R 7 is a donor group that bonds to a 5-membered ring. For example, only R 3 or R 6 is a donor group that bonds to a 5-membered ring. For example, only R 4 or R 5 is a donor group that bonds to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, only R 9 or R 10 is a donor group bonded to a 5-membered ring. For example, only R 4 or R 5 is a donor group that bonds to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and only one of R 1 to R 4 is a donor group bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and only R 1 is a donor group bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and only R 2 is a donor group bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and only R 3 is a donor group bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and only R 4 is a donor group bonded to a 5-membered ring.

본 발명의 일 양태에서는, R1~R10 중 2개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 2개의 5원환으로 결합하는 도너성기는 동일하다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R8 중 2개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R4 중 1개와 R5~R8 중 1개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R2 및 R3 중 1개와 R6 및 R7 중 1개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R8 중 1개와 R9 및 R10 중 1개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R1과 R8이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2와 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R3과 R6이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R9와 R10이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R1과 R8이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R3과 R6이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R3이 5원환으로 결합하는 도너성기이다.In one aspect of the present invention, two of R 1 to R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, the donor groups bonded to two 5-membered rings are the same. In one aspect of the present invention, two of R 1 to R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, one of R 1 to R 4 and one of R 5 to R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, one of R 2 and R 3 and one of R 6 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, one of R 1 to R 8 and one of R 9 and R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 1 and R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 2 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 3 and R 6 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 9 and R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 1 and R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 3 and R 6 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 and R 3 are donor groups bonded to a 5-membered ring.

본 발명의 일 양태에서는, R1~R10 중 3개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 3개의 5원환으로 결합하는 도너성기는 동일하다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R8 중 3개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R4 중 3개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R4 중 2개와 R5~R8 중 1개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2와 R3과 R4가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2와 R3과 R6이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2와 R3과 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R3과 R4가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R3과 R6이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R3과 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R10 중 4개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 4개의 5원환으로 결합하는 도너성기는 동일하다. 본 발명의 일 양태에서는, R1~R4 중 2개와 R5~R8 중 2개가 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R2와 R3과 R6과 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 예를 들면, R1과 R3과 R6과 R8이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R2와 R3과 R6과 R7이 5원환으로 결합하는 도너성기이다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 사이아노기이며, R1과 R3과 R6과 R8이 5원환으로 결합하는 도너성기이다.In one aspect of the present invention, three of R 1 to R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, the donor groups bonded to three 5-membered rings are the same. In one aspect of the present invention, three of R 1 to R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, three of R 1 to R 4 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, two of R 1 to R 4 and one of R 5 to R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 2 , R 3 and R 4 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 2 , R 3 and R 6 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 2 , R 3 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 , R 3 and R 4 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 , R 3 and R 6 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 , R 3 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, four of R 1 to R 10 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In a preferred embodiment of the present invention, the donor groups bonded to four 5-membered rings are the same. In one aspect of the present invention, two of R 1 to R 4 and two of R 5 to R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 2 , R 3 , R 6 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. For example, R 1 , R 3 , R 6 and R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 2 and R 3 , R 6 and R 7 are donor groups bonded to a 5-membered ring. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are cyano groups, and R 1 and R 3 , R 6 and R 8 are donor groups bonded to a 5-membered ring.

5원환으로 결합하는 도너성기는, 5원환의 환 골격을 구성하는 5개의 원자 중 어느 하나로 결합하는 기이며, 하메트의 σp값이 음인 기이다. 여기에서, "하메트의 σp값"은, L. P. 하메트에 의하여 제창된 것이며, 파라 치환 벤젠 유도체의 반응 속도 또는 평형에 미치는 치환기의 영향을 정량화한 것이다. 구체적으로는, 파라 치환 벤젠 유도체에 있어서의 치환기와 반응 속도 상수 또는 평형 상수의 사이에 성립하는 하기 식:The donor group bonded to the five-membered ring is a group bonded to any of the five atoms constituting the ring skeleton of the five-membered ring, and is a group with a negative Hammett σp value. Here, “Hamet's σp value” was proposed by L. P. Hammett, and quantifies the influence of a substituent on the reaction rate or equilibrium of a para-substituted benzene derivative. Specifically, the following formula holds between the substituent in the para-substituted benzene derivative and the reaction rate constant or equilibrium constant:

log(k/k0)=ρσplog(k/k 0 )=ρσp

또는or

log(K/K0)=ρσplog(K/K 0 )=ρσp

에 있어서의 치환기에 특유인 상수(σp)이다. 상기 식에 있어서, k0은 치환기를 갖지 않는 벤젠 유도체의 속도 상수, k는 치환기로 치환된 벤젠 유도체의 속도 상수, K0은 치환기를 갖지 않는 벤젠 유도체의 평형 상수, K는 치환기로 치환된 벤젠 유도체의 평형 상수, ρ는 반응의 종류와 조건에 의하여 정해지는 반응 상수를 나타낸다. 본 발명에 있어서의 "하메트의 σp값"에 관한 설명과 각 치환기의 수치에 대해서는, Hansch, C. et. al., Chem. Rev., 91, 165-195(1991)의 σp값에 관한 기재를 참조할 수 있다.It is a constant (σp) specific to the substituent in . In the above formula, k 0 is the rate constant of the benzene derivative without a substituent, k is the rate constant of the benzene derivative substituted with a substituent, K 0 is the equilibrium constant of the benzene derivative without a substituent, and K is the benzene derivative substituted with a substituent. The equilibrium constant of the derivative, ρ, represents the reaction constant determined by the type and conditions of the reaction. For a description of “Hamet's σp value” and the numerical value of each substituent in the present invention, see Hansch, C. et. al., Chem. Please refer to the description regarding the σp value in Rev., 91, 165-195 (1991).

5원환으로 결합하는 도너성기는, 5원환의 환 골격을 구성하는 질소 원자로 결합하는 기인 것이 바람직하다. 5원환은 π 공액되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 5원환의 환 골격 구성 원자로서 질소 원자를 1개 포함하고, 그 질소 원자로 결합하는 π 공액 5원환의 도너성기나, 5원환의 환 골격 구성 원자로서 질소 원자를 2개 포함하며, 그 일방의 질소 원자로 결합하는 π 공액 5원환의 도너성기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 치환 혹은 무치환의 인돌-1-일기, 치환 혹은 무치환의 환 축합 인돌-1-일기, 치환 혹은 무치환의 카바졸-9-일기, 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기, 치환 혹은 무치환의 벤즈이미다졸-1-일기, 치환 혹은 무치환의 환 축합 벤즈이미다졸-1-일기 등을 들 수 있다. 여기에서 말하는 "환 축합"이란, 환이 축합되어 있는 것을 의미한다. 예를 들면 환 축합 카바졸-9-일기이면, 카바졸을 구성하는 2개의 벤젠환 중 적어도 일방에 환이 축합되어 있는 것을 의미한다. 축합되어 있는 환은, 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환, 지방족 탄화 수소환, 지방족 복소환 중 어느 것이어도 되고, 또, 이들이 더 축합된 환이어도 된다. 바람직하게는 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환이다. 방향족 탄화 수소환으로서 치환 혹은 무치환의 벤젠환을 들 수 있다. 벤젠환에는 또 다른 벤젠환이 축합되어 있어도 되고, 피리딘환과 같은 복소환이 축합되어 있어도 된다. 방향족 복소환은, 환 골격 구성 원자로서 헤테로 원자를 포함하는 방향성을 나타내는 환을 의미하며, 5~7원환인 것이 바람직하고, 예를 들면 5원환인 것이나, 6원환인 것을 채용하거나 할 수 있다. 본 발명의 일 양태에서는, 방향족 복소환으로서 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환을 채용할 수 있다. 본 발명의 일 양태에서는, 축합되어 있는 환은, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨란의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 벤조싸이오펜의 싸이오펜환, 치환 혹은 무치환의 인돌의 피롤환이다. 또한, 피롤환의 질소 원자에는, 치환기군 E 중에서 선택한 치환기가 결합되어 있는 것이 바람직하고, 알킬기나 아릴기로 치환되어 있어도 되는 아릴기가 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다.The donor group bonded to the 5-membered ring is preferably a group bonded to the nitrogen atom constituting the ring skeleton of the 5-membered ring. The 5-membered ring is preferably π-conjugated. For example, it contains one nitrogen atom as a ring skeleton constituent atom of a 5-membered ring, a donor group of a π-conjugated 5-membered ring bonded to the nitrogen atom, or a ring skeleton constituent atom of a 5-membered ring that contains two nitrogen atoms, A donor group of a π-conjugated 5-membered ring bonded to one of the nitrogen atoms is included. More specifically, substituted or unsubstituted indol-1-yl group, substituted or unsubstituted ring-condensed indol-1-yl group, substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group, substituted or unsubstituted ring-condensed carbazole. -9-yl group, substituted or unsubstituted benzimidazol-1-yl group, substituted or unsubstituted ring condensed benzimidazol-1-yl group, etc. “Ring condensation” as used herein means that the ring is condensed. For example, if it is a ring-condensed carbazol-9-yl group, it means that the ring is condensed in at least one of the two benzene rings constituting carbazole. The condensed ring may be any of an aromatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring, and an aliphatic heterocycle, or may be a ring in which these are further condensed. Preferably, it is an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle. Examples of aromatic hydrocarbon rings include substituted or unsubstituted benzene rings. Another benzene ring may be condensed with the benzene ring, or a heterocycle such as a pyridine ring may be condensed. The aromatic heterocycle refers to a ring showing aromaticity containing heteroatoms as ring skeleton constituent atoms, and is preferably a 5- to 7-membered ring. For example, a 5-membered ring or a 6-membered ring can be adopted. In one aspect of the present invention, a furan ring, a thiophene ring, and a pyrrole ring can be employed as the aromatic heterocycle. In one aspect of the present invention, the condensed ring is a furan ring of a substituted or unsubstituted benzofuran, a thiophene ring of a substituted or unsubstituted benzothiophene, or a pyrrole ring of a substituted or unsubstituted indole. Furthermore, it is preferable that a substituent selected from substituent group E is bonded to the nitrogen atom of the pyrrole ring, and it is more preferable that an aryl group that may be substituted by an alkyl group or an aryl group is substituted.

5원환으로 결합하는 도너성기는, 하기 일반식 (2)로 나타나는 기인 것이 바람직하다.The donor group bonded to the 5-membered ring is preferably a group represented by the following general formula (2).

[화학식 4][Formula 4]

일반식 (2)에 있어서, Z1은 C-R11 또는 N을 나타내고, Z2는 C-R12 또는 N을 나타내며, Z3은 C-R13 또는 N을 나타내고, Z4는 C-R14 또는 N을 나타낸다. Z5는 C 또는 N을 나타내고, Ar은 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화 수소환, 또는 치환 혹은 무치환의 방향족 복소환을 나타낸다. R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14는 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.In general formula (2), Z 1 represents CR 11 or N, Z 2 represents CR 12 or N, Z 3 represents CR 13 or N, and Z 4 represents CR 14 or N. Z 5 represents C or N, and Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle. R 11 and R 12 , R 12 and R 13 , and R 13 and R 14 may be bonded to each other to form a cyclic structure.

Z1~Z4 중, N인 것의 수는 0~3인 것이 바람직하고, 0~2인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 일 양태에서는, Z1~Z4 중, N인 것의 수는 1이다. 본 발명의 일 양태에서는, Z1~Z4 중, N인 것의 수는 0이다.Among Z 1 to Z 4 , the number of N is preferably 0 to 3, and more preferably 0 to 2. In one aspect of the present invention, among Z 1 to Z 4 , the number of N is 1. In one aspect of the present invention, among Z 1 to Z 4 , the number of N is 0.

R11~R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.R 11 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent.

치환기는, 예를 들면 치환기군 A 중에서 선택해도 되고, 치환기군 B 중에서 선택해도 되며, 치환기군 C 중에서 선택해도 되고, 치환기군 D 중에서 선택해도 되며, 치환기군 E 중에서 선택해도 된다. R11~R14 중 2개 이상이 치환기를 나타낼 때, 그들 2개 이상의 치환기는 동일해도 되고 상이해도 된다. R11~R14 중 0~2개는 치환기인 것이 바람직하고, 예를 들면 1개가 치환기여도 되며, 0개가 치환기(R11~R14가 수소 원자 또는 중수소 원자)여도 된다.For example, the substituent may be selected from substituent group A, substituent group B, substituent group C, substituent group D, or substituent group E. When two or more of R 11 to R 14 represent a substituent, the two or more substituents may be the same or different. It is preferable that 0 to 2 of R 11 to R 14 are substituents, for example, 1 may be a substituent, and 0 may be a substituent (R 11 to R 14 may be a hydrogen atom or a deuterium atom).

R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14는 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다. 환상 구조는, 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환, 지방족 탄화 수소환, 지방족 복소환 중 어느 것이어도 되고, 또, 이들이 축합된 환이어도 된다. 바람직하게는 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환이다. 방향족 탄화 수소환으로서 치환 혹은 무치환의 벤젠환을 들 수 있다. 벤젠환에는 또 다른 벤젠환이 축합되어 있어도 되고, 피리딘환과 같은 복소환이 축합되어 있어도 된다. 방향족 복소환은, 환 골격 구성 원자로서 헤테로 원자를 포함하는 방향성을 나타내는 환을 의미하며, 5~7원환인 것이 바람직하고, 예를 들면 5원환인 것이나, 6원환인 것을 채용하거나 할 수 있다. 본 발명의 일 양태에서는, 방향족 복소환으로서 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환을 채용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 환상 구조는, 치환 혹은 무치환의 벤조퓨란의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 벤조싸이오펜의 싸이오펜환, 치환 혹은 무치환의 인돌의 피롤환이다. 여기에서 말하는 벤조퓨란, 벤조싸이오펜, 인돌은 무치환이어도 되고, 치환기군 A로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 B로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 C로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 D로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 E로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 된다. 인돌의 피롤환을 구성하는 질소 원자에는 치환 혹은 무치환의 아릴기가 결합되어 있는 것이 바람직하고, 그 치환기로서는 예를 들면 치환기군 A~E 중 어느 하나의 군으로부터 선택되는 치환기를 들 수 있다. 환상 구조는, 치환 혹은 무치환의 사이클로펜타다이엔환이어도 된다. 본 발명의 일 양태에서는, R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14 중 1세트가 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있다. 본 발명의 일 양태에서는, R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14는, 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다.R 11 and R 12 , R 12 and R 13 , and R 13 and R 14 may be bonded to each other to form a cyclic structure. The cyclic structure may be any of an aromatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring, and an aliphatic heterocycle, or may be a ring in which these are condensed. Preferably they are aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles. Examples of aromatic hydrocarbon rings include substituted or unsubstituted benzene rings. Another benzene ring may be condensed with the benzene ring, or a heterocycle such as a pyridine ring may be condensed. The aromatic heterocycle refers to a ring showing aromaticity containing heteroatoms as ring skeleton constituent atoms, and is preferably a 5- to 7-membered ring. For example, a 5-membered ring or a 6-membered ring can be adopted. In one aspect of the present invention, a furan ring, a thiophene ring, and a pyrrole ring can be employed as the aromatic heterocycle. In a preferred embodiment of the present invention, the cyclic structure is a furan ring of a substituted or unsubstituted benzofuran, a thiophene ring of a substituted or unsubstituted benzothiophene, or a pyrrole ring of a substituted or unsubstituted indole. The benzofuran, benzothiophene, and indole referred to herein may be unsubstituted, may be substituted with a substituent selected from substituent group A, may be substituted with a substituent selected from substituent group B, or may be substituted with a substituent selected from substituent group C. may be substituted, may be substituted with a substituent selected from substituent group D, or may be substituted with a substituent selected from substituent group E. It is preferable that a substituted or unsubstituted aryl group is bonded to the nitrogen atom constituting the pyrrole ring of indole, and examples of the substituent include a substituent selected from any one of substituent groups A to E. The cyclic structure may be a substituted or unsubstituted cyclopentadiene ring. In one aspect of the present invention, one set of R 11 and R 12 , R 12 and R 13 , and R 13 and R 14 are bonded to each other to form a cyclic structure. In one aspect of the present invention, R 11 and R 12 , R 12 and R 13 , and R 13 and R 14 are not bonded to each other to form a cyclic structure.

일반식 (2)에 있어서, Z5는 C 또는 N을 나타내고, Ar은 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화 수소환, 또는 치환 혹은 무치환의 방향족 복소환을 나타낸다. 본 발명의 일 양태에서는, Z5는 C이며, Ar은 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화 수소환, 또는 치환 혹은 무치환의 방향족 복소환이다. 본 발명의 일 양태에서는, Z5는 N이며, Ar은 치환 혹은 무치환의 방향족 복소환이다.In general formula (2), Z 5 represents C or N, and Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle. In one aspect of the present invention, Z 5 is C, and Ar is a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle. In one aspect of the present invention, Z 5 is N, and Ar is a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle.

Ar이 채용할 수 있는 방향족 탄화 수소환으로서 벤젠환을 들 수 있다. 벤젠환에는 또 다른 벤젠환이 축합되어 있어도 되고, 피리딘환과 같은 복소환이 축합되어 있어도 된다. Ar이 채용할 수 있는 방향족 복소환은 5~7원환인 것이 바람직하고, 예를 들면 5원환인 것이나, 6원환인 것을 채용하거나 할 수 있다. 본 발명의 일 양태에서는, 방향족 복소환으로서 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환, 이미다졸환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환을 채용할 수 있다. 본 발명의 일 양태에서는, Z5가 C이며, 방향족 복소환이 치환 혹은 무치환의 벤조퓨란의 퓨란환, 치환 혹은 무치환의 벤조싸이오펜의 싸이오펜환, 치환 혹은 무치환의 퀴놀린의 피리딘환, 또는 치환 혹은 무치환의 아이소퀴놀린의 피리딘환이다. 본 발명의 일 양태에서는, Z5가 N이며, 방향족 복소환이 치환 혹은 무치환의 인돌의 피롤환, 또는 치환 혹은 무치환의 벤즈이미다졸의 이미다졸환이다. 여기에서 말하는 벤조퓨란, 벤조싸이오펜, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 인돌린, 벤즈이미다졸은 무치환이어도 되고, 치환기군 A로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 B로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 C로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 D로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 E로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 된다.An example of an aromatic hydrocarbon ring that can be adopted by Ar is a benzene ring. Another benzene ring may be condensed with the benzene ring, or a heterocycle such as a pyridine ring may be condensed. The aromatic heterocycle that Ar can adopt is preferably a 5- to 7-membered ring, for example, a 5-membered ring or a 6-membered ring can be adopted. In one aspect of the present invention, a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, and a pyrazine ring can be employed as the aromatic heterocycle. In one aspect of the present invention, Z 5 is C, and the aromatic heterocycle is a furan ring of substituted or unsubstituted benzofuran, a thiophene ring of substituted or unsubstituted benzothiophene, or a pyridine ring of substituted or unsubstituted quinoline. , or a pyridine ring of substituted or unsubstituted isoquinoline. In one aspect of the present invention, Z 5 is N, and the aromatic heterocycle is the pyrrole ring of substituted or unsubstituted indole, or the imidazole ring of substituted or unsubstituted benzimidazole. The benzofuran, benzothiophene, quinoline, isoquinoline, indoline, and benzimidazole mentioned herein may be unsubstituted, may be substituted with a substituent selected from substituent group A, or may be substituted with a substituent selected from substituent group B. may be present, may be substituted with a substituent selected from substituent group C, may be substituted with a substituent selected from substituent group D, or may be substituted with a substituent selected from substituent group E.

일반식 (2)에 있어서의 Z5가 C일 때, 하기 일반식 (3)으로 나타나는 기인 것이 바람직하다.When Z 5 in General Formula (2) is C, it is preferably a group represented by the following General Formula (3).

[화학식 5][Formula 5]

일반식 (3)에 있어서, Z1은 C-R11 또는 N을 나타내고, Z2는 C-R12 또는 N을 나타내며, Z3은 C-R13 또는 N을 나타내고, Z4는 C-R14 또는 N을 나타내며, Z6은 C-R16 또는 N을 나타내고, Z7은 C-R17 또는 N을 나타내며, Z8은 C-R18 또는 N을 나타내고, Z9는 C-R19 또는 N을 나타낸다. R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19는 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.In general formula (3), Z 1 represents CR 11 or N, Z 2 represents CR 12 or N, Z 3 represents CR 13 or N, Z 4 represents CR 14 or N, and Z 6 represents CR 16 or N, Z 7 represents CR 17 or N, Z 8 represents CR 18 or N, and Z 9 represents CR 19 or N. R 11 and R 12 , R 12 and R 13 , R 13 and R 14 , R 16 and R 17 , R 17 and R 18 , and R 18 and R 19 may be combined with each other to form a cyclic structure.

일반식 (3)에 있어서의 Z1~Z4, R11~R14에 대해서는, 일반식 (2)의 대응하는 설명을 참조할 수 있다. 일반식 (3)에 있어서의 Z6~Z9, R16~R19는, 일반식 (2)의 Z1~Z4, R11~R14에 순서대로 대응하고 있으며, 이들 내용에 대해서는 일반식 (2)의 Z1~Z4, R11~R14의 설명을 참조할 수 있다.For Z 1 to Z 4 and R 11 to R 14 in General Formula (3), reference may be made to the corresponding explanation of General Formula (2). Z 6 to Z 9 and R 16 to R 19 in general formula (3) correspond in that order to Z 1 to Z 4 and R 11 to R 14 in general formula (2), and these details can be found in the general You can refer to the explanations of Z 1 to Z 4 and R 11 to R 14 in equation (2).

본 발명의 일 양태에서는, Z1~Z4, Z6~Z9 중, N인 것의 수는 0~2인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 바람직하다. 본 발명의 일 양태에서는, Z1~Z4, Z6~Z9 중, N인 것의 수는 1이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, Z1~Z4, Z6~Z9 중, N인 것의 수는 0이다. 0일 때, 치환 혹은 무치환의 카바졸-9-일기를 나타낸다. 카바졸-9-일기는, 무치환이어도 되고, 치환기군 A로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 B로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 C로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 D로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 E로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 된다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 5원환으로 결합하는 도너성기는, 적어도 1개의 치환 혹은 무치환의 아릴기를 포함하는 기로 치환된 카바졸-9-일기이며, 예를 들면, 적어도 1개의 치환 혹은 무치환의 아릴기로 치환된 카바졸-9-일기이다. 본 발명의 일 양태에서는, 2위 및 7위 중 적어도 일방이 치환 혹은 무치환의 아릴기이다. 본 발명의 일 양태에서는, 3위 및 6위 중 적어도 일방이 치환 혹은 무치환의 아릴기이다. 여기에서 말하는 아릴기는, 무치환이어도 되고, 치환기군 A로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 B로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 C로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되며, 치환기군 D로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 되고, 치환기군 E로부터 선택되는 치환기로 치환되어 있어도 된다.In one aspect of the present invention, the number of N among Z 1 to Z 4 and Z 6 to Z 9 is preferably 0 to 2, and is preferably 0 or 1. In one aspect of the present invention, among Z 1 to Z 4 and Z 6 to Z 9 , the number of N is 1. In a preferred embodiment of the present invention, among Z 1 to Z 4 and Z 6 to Z 9 , the number of N is 0. When 0, it represents a substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group. The carbazol-9-yl group may be unsubstituted, may be substituted with a substituent selected from substituent group A, may be substituted with a substituent selected from substituent group B, or may be substituted with a substituent selected from substituent group C. It may be substituted with a substituent selected from substituent group D, or may be substituted with a substituent selected from substituent group E. In a preferred embodiment of the present invention, the donor group bonded to the 5-membered ring is a carbazol-9-yl group substituted with a group containing at least one substituted or unsubstituted aryl group, for example, a group containing at least one substituted or unsubstituted aryl group. It is a carbazol-9-yl group substituted with a substituted aryl group. In one aspect of the present invention, at least one of the 2nd and 7th positions is a substituted or unsubstituted aryl group. In one aspect of the present invention, at least one of the 3rd and 6th positions is a substituted or unsubstituted aryl group. The aryl group referred to herein may be unsubstituted, may be substituted with a substituent selected from substituent group A, may be substituted with a substituent selected from substituent group B, or may be substituted with a substituent selected from substituent group C, It may be substituted with a substituent selected from substituent group D, or may be substituted with a substituent selected from substituent group E.

5원환으로 결합하는 도너성기는, 치환 혹은 무치환의 인돌-1-일기이며, 그 인돌-1-일기를 구성하는 인돌환에는 환이 축합되어 있고, 그로써 환수가 4 이상인 축합환을 형성하고 있는 것이어도 된다. 이후, 본 명세서에 있어서는, 이 조건을 충족시키는 기를 "환 축합 인돌-1-일기"라고 칭한다.The donor group bonded to the 5-membered ring is a substituted or unsubstituted indole-1-yl group, and the ring is fused to the indole ring constituting the indole-1-yl group, thereby forming a condensed ring with a ring number of 4 or more. It's okay. Hereafter, in this specification, a group that satisfies this condition is referred to as a “ring-condensed indol-1-yl group.”

환 축합 인돌-1-일기는, 인돌-1-일기를 구성하는 벤젠환이나 피롤환에 축합되는 환이 1개인 다환이어도 되고, 2개 이상인 다환 또는 단환이어도 된다. 예를 들면 2개가 축합되는 경우는, 1개가 벤젠환에 축합되고, 1개가 피롤환에 축합되어 있는 것인 것이 바람직하다. 축합되어 있는 2개의 환은 동일해도 되고, 상이해도 된다. 인돌환에 환이 축합됨으로써, 환수가 4 이상, 5 이상, 6 이상인 축합환을 형성하고 있어도 되고, 환수가 5 이상인 축합환을 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 환수가 4인 축합환을 형성하고 있는 화합물, 환수가 5인 축합환을 형성하고 있는 화합물, 환수가 6인 축합환을 형성하고 있는 화합물, 환수가 8인 축합환을 형성하고 있는 화합물을 채용해도 된다.The ring-condensed indol-1-yl group may be polycyclic with one ring condensed to the benzene ring or pyrrole ring constituting the indole-1-yl group, or may be polycyclic or monocyclic with two or more rings. For example, when two are condensed, it is preferable that one is condensed with a benzene ring and one is condensed with a pyrrole ring. The two condensed rings may be the same or different. By condensing the ring to the indole ring, a condensed ring having a ring number of 4 or more, 5 or more, or 6 or more may be formed, and it is preferable to form a condensed ring with a ring number of 5 or more. For example, a compound forming a condensed ring with a ring number of 4, a compound forming a condensed ring with a ring number of 5, a compound forming a condensed ring with a ring number of 6, a compound forming a condensed ring with a ring number of 8, A compound may be employed.

환은, 인돌환의 2, 3위 (b)에만 축합되어 있어도 되고, 4, 5위 (e)에만 축합되어 있어도 되며, 5, 6위 (f)에만 축합되어 있어도 되고, 6, 7위 (g)에만 축합되어 있어도 되며, 4, 5위 (e)와 6, 7위 (g)의 양방에 축합되어 있어도 된다. 또, 4, 5위 (e)와 5, 6위 (f)와 6, 7위 (g) 중 어느 하나와, 2, 3위 (b)에 축합되어 있어도 된다(하기 식 참조, *는 결합 위치를 나타낸다).The ring may be condensed only at the 2nd and 3rd positions (b), 4th and 5th positions (e), 5th and 6th positions (f), and 6th and 7th positions (g) of the indole ring. It may be condensed only, or may be condensed at both the 4th and 5th positions (e) and the 6th and 7th positions (g). In addition, it may be condensed with any one of the 4th and 5th positions (e), the 5th and 6th positions (f), and the 6th and 7th positions (g), and the 2nd and 3rd positions (b) (see the formula below, * is a bond indicates location).

[화학식 6][Formula 6]

인돌-1-일기를 구성하는 벤젠환이나 피롤환에 직접 축합되는 환(축합되는 것이 다환인 경우는, 그 다환을 구성하는 환 중 직접 축합되는 환만을 가리킨다)은, 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환, 지방족 탄화 수소환, 지방족 복소환 중 어느 것이어도 된다. 바람직한 것은, 벤젠환 및 방향족 복소환으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 환이 직접 축합되는 경우이다.The ring directly condensed to the benzene ring or pyrrole ring constituting the indole-1-yl group (if the condensed ring is polycyclic, refers to only the directly condensed ring among the rings constituting the polycycle) is an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic polycyclic ring. It may be any of small, aliphatic hydrocarbon rings, and aliphatic heterocycles. Preferred is the case where one or more rings selected from the group consisting of a benzene ring and an aromatic heterocycle are directly condensed.

여기에서 말하는 복소환은, 헤테로 원자를 포함하는 환이다. 헤테로 원자는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 것이 바람직하고, 산소 원자, 황 원자 및 질소 원자로부터 선택되는 것이 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 산소 원자이다. 다른 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 황 원자이다. 또 다른 바람직한 일 양태에서는, 헤테로 원자는 질소 원자이다. 복소환의 환 골격 구성 원자로서 포함되어 있는 헤테로 원자의 수는 1개 이상이며, 1~3개가 바람직하고, 1 또는 2개가 보다 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는 헤테로 원자의 수는 1개이다. 헤테로 원자의 수가 2개 이상일 때, 그들은 동일종의 헤테로 원자인 것이 바람직하지만, 이종(異種)의 헤테로 원자로 구성되어 있어도 된다. 예를 들면, 2개 이상의 헤테로 원자가 모두 질소 원자여도 된다. 헤테로 원자 이외의 환 골격 구성 원자는 탄소 원자이다. 인돌-1-일기를 구성하는 벤젠환에 직접 축합되어 있는 복소환을 구성하는 환 골격 구성 원자수는, 4~8인 것이 바람직하고, 5~7인 것이 보다 바람직하며, 5 또는 6인 것이 더 바람직하다. 바람직한 일 양태에서는, 복소환을 구성하는 환 골격 구성 원자수는 5이다. 복소환에는 공액 이중 결합이 2개 이상 존재하고 있는 것이 바람직하고, 복소환이 축합됨으로써, 인돌환의 공액계가 확장되는 것인 것이 바람직하다(즉 방향족성을 갖는 것이 바람직하다). 복소환의 바람직한 예로서, 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환을 들 수 있다.The heterocycle referred to here is a ring containing a hetero atom. The heteroatom is preferably selected from an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom, and a silicon atom, and is more preferably selected from an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. In one preferred embodiment, the heteroatom is an oxygen atom. In another preferred embodiment, the heteroatom is a sulfur atom. In another preferred embodiment, the heteroatom is a nitrogen atom. The number of heteroatoms contained as ring skeleton constituent atoms of the heterocycle is 1 or more, preferably 1 to 3, and more preferably 1 or 2. In a preferred embodiment, the number of heteroatoms is 1. When the number of heteroatoms is two or more, they are preferably heteroatoms of the same type, but may be composed of heteroatoms of different types. For example, two or more heteroatoms may all be nitrogen atoms. Ring skeleton constituent atoms other than heteroatoms are carbon atoms. The number of atoms in the ring skeleton constituting the heterocycle directly condensed to the benzene ring constituting the indole-1-yl group is preferably 4 to 8, more preferably 5 to 7, and even more preferably 5 or 6. desirable. In a preferred embodiment, the number of atoms constituting the ring skeleton constituting the heterocycle is 5. It is preferable that two or more conjugated double bonds exist in the heterocycle, and it is preferable that the conjugated system of the indole ring is expanded by condensing the heterocycle (that is, it is preferable that it has aromaticity). Preferred examples of heterocycles include furan rings, thiophene rings, and pyrrole rings.

인돌-1-일기를 구성하는 벤젠환이나 피롤환에 직접 축합되어 있는 환에는, 또 다른 환이 축합되어 있어도 된다. 또, 축합되는 환은 단환이어도 되고 축합환이어도 된다. 축합되는 환으로서는, 방향족 탄화 수소환, 방향족 복소환, 지방족 탄화 수소환, 지방족 복소환을 들 수 있다.Another ring may be condensed to the ring directly condensed to the benzene ring or pyrrole ring constituting the indole-1-yl group. Moreover, the ring to be condensed may be a single ring or a condensed ring. Examples of the condensed ring include an aromatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring, and an aliphatic heterocycle.

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 인돌-1-일기를 구성하는 벤젠환이나 피롤환에는, 적어도 1개의 복소환이 직접 축합되어 있다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 환 축합 인돌-1-일기를 구성하는 축합환은, 2개 이상의 복소환을 포함한다. 예를 들면 2개의 복소환을 포함하는 경우나, 3개의 복소환을 포함하는 경우를 예시할 수 있다.In a preferred embodiment of the present invention, at least one heterocycle is directly condensed with the benzene ring or pyrrole ring constituting the indol-1-yl group. In a preferred aspect of the present invention, the condensed ring constituting the ring-condensed indol-1-yl group contains two or more heterocycles. For example, a case containing two heterocycles or a case containing three heterocycles can be exemplified.

본 명세서에 있어서의 방향족 탄화 수소환으로서는 벤젠환을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서는, 퓨란환, 싸이오펜환, 피롤환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 트라이아진환, 피라졸환, 이미다졸환을 들 수 있다. 지방족 탄화 수소환으로서는, 사이클로펜테인환, 사이클로헥세인환, 사이클로헵테인환을 들 수 있다. 지방족 복소환으로서는, 피페리딘환, 피롤리딘환, 이미다졸린환을 들 수 있다. 축합환의 구체예로서, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 피란환, 테트라센환, 인돌환, 아이소인돌환, 벤즈이미다졸환, 벤조트라이아졸환, 퀴놀린환, 아이소퀴놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 신놀린환을 들 수 있다.Examples of aromatic hydrocarbon rings in this specification include benzene rings. Examples of the aromatic heterocycle include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, a pyrazole ring, and an imidazole ring. Examples of aliphatic hydrocarbon rings include cyclopentane rings, cyclohexane rings, and cycloheptane rings. Examples of aliphatic heterocycles include piperidine ring, pyrrolidine ring, and imidazoline ring. Specific examples of condensed rings include naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyran ring, tetracene ring, indole ring, isoindole ring, benzimidazole ring, benzotriazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, Quinoxaline pills and cinnoline pills can be mentioned.

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 환 축합 인돌-1-일기는, 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기, 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기, 인돌 축합 인돌-1-일기, 또는 실라인덴 축합 인돌-1-일기이다. 본 발명의 보다 바람직한 일 양태에서는, 인돌-1-일기는, 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기, 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기, 또는 인돌 축합 인돌-1-일기이다.In a preferred embodiment of the present invention, the ring-condensed indol-1-yl group is a benzofuran-condensed indol-1-yl group, a benzothiophene-condensed indol-1-yl group, an indole-condensed indol-1-yl group, or a siladenene-condensed indole. -1-This is a diary. In a more preferred aspect of the present invention, the indol-1-yl group is a benzofuran-condensed indol-1-yl group, a benzothiophene-condensed indol-1-yl group, or an indole-condensed indol-1-yl group.

본 발명에서는, 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-e]인돌-1-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-e]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted benzofluor[2,3-e]indol-1-yl group can be employed as the benzofuran condensed indol-1-yl group. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-e]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[2,3-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[2,3-g]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-g]indole-1-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

본 발명에서는, 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조플로[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted benzofluo[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed as the benzofuran condensed indol-1-yl group. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[2,3-c]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzofluo[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

바람직한 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기로서, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기를 들 수 있으며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 예를 들면 페닐기 등의 아릴기로 치환되어 있거나, 카바졸환의 3위가 치환되어 있거나 하는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 또, 하기 구조 중의 벤젠환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 환이 축합되어 있지 않아도 된다. 파선은 결합 위치를 나타낸다.Preferred benzofuran condensed indol-1-yl groups include groups having any of the structures below, and the hydrogen atom in the structures below may or may not be substituted. For example, it is preferably substituted by an aryl group such as a phenyl group, or the 3rd position of the carbazole ring is substituted. In addition, in the benzene ring in the structure below, the ring may be further condensed, or the ring may not be condensed. Dashed lines indicate binding sites.

[화학식 7][Formula 7]

벤조퓨란환이 2, 3위에서 2개 축합되어 있는 카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 또, 하기 구조 중의 벤젠환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 환이 축합되어 있지 않아도 된다.A carbazole-9-yl group in which two benzofuran rings are condensed at the 2nd and 3rd positions can also be used. Specifically, it is a group having one of the structures below, and the hydrogen atom in the structure below may or may not be substituted. In addition, in the benzene ring in the structure below, the ring may be further condensed, or the ring may not be condensed.

[화학식 8][Formula 8]

본 발명에서는, 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-e]인돌-1-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-e]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-e]indol-1-yl group can be employed as the benzothiophene condensed indol-1-yl group. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-e]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-g]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-g]indole-1-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

본 발명에서는, 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 벤조티에노[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed as the benzothiophene condensed indol-1-yl group. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-a]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-b]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-b]carbazol-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[2,3-c]carbazol-9-yl group may be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted benzothieno[3,2-c]carbazol-9-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

바람직한 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기로서, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기를 들 수 있으며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 예를 들면 페닐기 등의 아릴기로 치환되어 있거나, 카바졸환의 3위가 치환되어 있거나 하는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 또, 하기 구조 중의 벤젠환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 환이 축합되어 있지 않아도 된다.Preferred benzothiophene condensed indol-1-yl groups include groups having any of the structures below, and the hydrogen atom in the structures below may or may not be substituted. For example, it is preferably substituted by an aryl group such as a phenyl group, or the 3rd position of the carbazole ring is substituted. In addition, in the benzene ring in the structure below, the ring may be further condensed, or the ring may not be condensed.

[화학식 9][Formula 9]

벤조싸이오펜환이 2, 3위에서 2개 축합되어 있는 카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 구체적으로는, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기이며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 또, 하기 구조 중의 벤젠환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 환이 축합되어 있지 않아도 된다.A carbazole-9-yl group in which two benzothiophene rings are condensed at the 2nd and 3rd positions can also be used. Specifically, it is a group having one of the structures below, and the hydrogen atom in the structure below may or may not be substituted. In addition, in the benzene ring in the structure below, the ring may be further condensed, or the ring may not be condensed.

[화학식 10][Formula 10]

본 발명에서는, 인돌 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-e]인돌-1-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-e]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-f]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-g]인돌-1-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-e]indol-1-yl group can be employed as the indole condensed indole-1-yl group. Additionally, substituted or unsubstituted indolo[3,2-e]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, substituted or unsubstituted indolo[2,3-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, substituted or unsubstituted indolo[3,2-f]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, substituted or unsubstituted indolo[2,3-g]indole-1-yl group can also be employed. Additionally, substituted or unsubstituted indolo[3,2-g]indole-1-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

본 발명에서는, 인돌 축합 인돌-1-일기로서, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-a]카바졸-9-일기를 채용할 수 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-a]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-b]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[2,3-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 또, 치환 혹은 무치환의 인돌로[3,2-c]카바졸-9-일기를 채용할 수도 있다. 이들 기를 구성하는 축합환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 축합되어 있지 않아도 된다.In the present invention, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-a]carbazol-9-yl group can be employed as the indole condensed indole-1-yl group. Additionally, a substituted or unsubstituted indolo[3,2-a]carbazole-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-b]carbazole-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted indolo[3,2-b]carbazole-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted indolo[2,3-c]carbazole-9-yl group can also be employed. Additionally, a substituted or unsubstituted indolo[3,2-c]carbazole-9-yl group can also be employed. In the condensed rings constituting these groups, the rings may be further condensed or may not be condensed.

바람직한 인돌 축합 인돌-1-일기로서, 하기 중 어느 하나의 구조를 갖는 기를 들 수 있으며, 하기 구조 중의 수소 원자는 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다. 예를 들면 페닐기 등의 아릴기로 치환되어 있거나, 카바졸환의 3위가 치환되어 있거나 하는 것을 바람직하게 예시할 수 있다. 또, 하기 구조 중의 벤젠환에는, 환이 더 축합되어 있어도 되고, 환이 축합되어 있지 않아도 된다.Preferred indole condensation indole-1-yl groups include groups having any of the following structures, and the hydrogen atom in the following structures may be substituted or may be unsubstituted. For example, it is preferably substituted by an aryl group such as a phenyl group, or the 3rd position of the carbazole ring is substituted. In addition, in the benzene ring in the structure below, the ring may be further condensed, or the ring may not be condensed.

[화학식 11][Formula 11]

본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기, 벤조싸이오펜 축합 인돌-1-일기, 인돌 축합 인돌-1-일기, 및 실라인덴 축합 인돌-1-일기는, 치환 혹은 무치환의 아릴기로 치환되어 있다. 바람직하게는 치환 혹은 무치환의 페닐기로 치환되어 있다. 여기에서 말하는 아릴기나 페닐기의 치환기로서는 치환기군 A~E 중 어느 하나의 군으로부터 선택되는 기를 선택하는 것이 가능하고, 치환기군 E로부터 바람직하게 선택할 수 있다. 또, 여기에서 말하는 아릴기나 페닐기는 무치환인 것도 바람직하다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 환 축합 인돌-1-일기는, 치환 혹은 무치환의 아릴기로 치환된 벤조퓨란 축합 인돌-1-일기이다.In a preferred embodiment of the present invention, the benzofuran condensed indol-1-yl group, the benzothiophene condensed indol-1-yl group, the indole condensed indol-1-yl group, and the siladenene condensed indol-1-yl group are substituted or unsubstituted. It is substituted with a substituted aryl group. Preferably, it is substituted with a substituted or unsubstituted phenyl group. As the substituent for the aryl group or phenyl group herein, it is possible to select a group selected from any one of substituent groups A to E, and can preferably be selected from substituent group E. Moreover, it is also preferable that the aryl group or phenyl group referred to here is unsubstituted. In a preferred embodiment of the present invention, the ring-condensed indol-1-yl group is a benzofuran-condensed indol-1-yl group substituted with a substituted or unsubstituted aryl group.

이하에 있어서, 일반식 (1)에 채용할 수 있는 5원환으로 결합하는 도너성기의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명에서 채용할 수 있는 5원환으로 결합하는 도너성기는, 이하의 구체예에 의하여 한정적으로 해석되는 경우는 없다. 또한, 이하의 구체예에 있어서, Ph는 페닐기를 나타내고, D는 중수소 원자를 나타내며, *는 결합 위치를 나타낸다. 또, 메틸기는 표시를 생략하고 있다. 이 때문에, 예를 들면 D2는 3-메틸카바졸-9-일기를 나타낸다.Below, specific examples of the donor group bonded to a 5-membered ring that can be adopted in General Formula (1) are shown. However, the donor group bonded to a 5-membered ring that can be employed in the present invention is not limited to the following specific examples. Additionally, in the following specific examples, Ph represents a phenyl group, D represents a deuterium atom, and * represents a bonding position. Additionally, methyl groups are omitted. For this reason, for example, D2 represents 3-methylcarbazol-9-yl group.

[화학식 12-1][Formula 12-1]

[화학식 12-2][Formula 12-2]

[화학식 12-3][Formula 12-3]

[화학식 12-4][Formula 12-4]

[화학식 12-5][Formula 12-5]

[화학식 12-6][Formula 12-6]

[화학식 12-7][Formula 12-7]

[화학식 12-8][Formula 12-8]

[화학식 12-9][Formula 12-9]

[화학식 12-10][Formula 12-10]

[화학식 12-11][Formula 12-11]

[화학식 12-12][Formula 12-12]

[화학식 12-13][Formula 12-13]

[화학식 12-14][Formula 12-14]

[화학식 12-15][Formula 12-15]

[화학식 12-16][Formula 12-16]

[화학식 12-17][Formula 12-17]

일반식 (1)에 있어서의 R1~R10 중, 사이아노기도 아니고, 5원환으로 결합하는 도너성기도 아닌 경우(이하에서는 "나머지 R1~R10"이라고 칭한다)는, 수소 원자, 중수소 원자, 또는 사이아노기도 아니며 5원환으로 결합하는 도너성기도 아닌 치환기(이하에서는 "나머지 치환기"라고 칭한다)이다.Among R 1 to R 10 in General Formula (1), when they are neither a cyano group nor a donor group bonded to a 5-membered ring (hereinafter referred to as "remaining R 1 to R 10 "), they are hydrogen atoms or deuterium. It is a substituent that is neither an atom nor a cyano group nor a donor group bonded to a 5-membered ring (hereinafter referred to as the “remaining substituents”).

나머지 R1~R10은, 모두가 수소 원자 또는 중수소 원자여도 되고, 예를 들면 모두가 수소 원자여도 되며, 예를 들면 모두 중수소 원자여도 된다. 나머지 R1~R10 중, 나머지 치환기인 것의 수는 0~6인 것이 바람직하고, 예를 들면 0~4의 범위 내여도 되며, 0~3의 범위 내여도 되고, 0~2의 범위 내여도 된다.The remaining R 1 to R 10 may all be hydrogen atoms or deuterium atoms, for example, all may be hydrogen atoms, or may all be deuterium atoms. Among the remaining R 1 to R 10 , the number of remaining substituents is preferably 0 to 6, for example, may be within the range of 0 to 4, may be within the range of 0 to 3, or may be within the range of 0 to 2. do.

나머지 치환기는, 하기 치환기군 A로부터 선택되는 것이어도 되고, 하기 치환기군 B로부터 선택되는 것이어도 되며, 하기 치환기군 C로부터 선택되는 것이어도 되고, 하기 치환기군 D로부터 선택되는 것이어도 되며, 하기 치환기군 E로부터 선택되는 것이어도 된다. 본 발명의 일 양태에서는, 다른 치환기는 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 헤테로아릴기이다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 다른 치환기는 치환 혹은 무치환의 아릴기이며, 예를 들면 알킬기나 아릴기로 치환되어 있어도 되는 페닐기이다.The remaining substituents may be selected from the following substituent group A, may be selected from the following substituent group B, may be selected from the following substituent group C, may be selected from the following substituent group D, and may be selected from the following substituents: It may be selected from group E. In one aspect of the present invention, the other substituent is a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. In a preferred embodiment of the present invention, the other substituent is a substituted or unsubstituted aryl group, for example, a phenyl group which may be substituted with an alkyl group or an aryl group.

"아릴기" 및 "헤테로아릴기"는, 단환이어도 되고, 2개 이상의 환이 축합된 축합환이어도 된다. 축합환인 경우, 축합되어 있는 환의 수는 2~6인 것이 바람직하고, 예를 들면 2~4 중에서 선택할 수 있다. 환의 구체예로서, 벤젠환, 피리딘환, 피리미딘환, 트라이아진환, 나프탈렌환, 안트라센환, 페난트렌환, 트라이페닐렌환, 퀴놀린환, 피라진환, 퀴녹살린환, 나프티리딘환을 들 수 있다. 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기의 구체예로서, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라센일기, 2-안트라센일기, 9-안트라센일기, 2-피리딜기, 3-피리딜기, 4-피리딜기를 들 수 있다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 치환기로서는, 하기 치환기군 A로부터 선택되는 것이어도 되고, 하기 치환기군 B로부터 선택되는 것이어도 되며, 하기 치환기군 C로부터 선택되는 것이어도 되고, 하기 치환기군 D로부터 선택되는 것이어도 되며, 하기 치환기군 E로부터 선택되는 것이어도 된다.The “aryl group” and “heteroaryl group” may be a single ring or a condensed ring in which two or more rings are condensed. In the case of a condensed ring, the number of condensed rings is preferably 2 to 6, and can be selected from, for example, 2 to 4. Specific examples of rings include benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, triazine ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, triphenylene ring, quinoline ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, and naphthyridine ring. . Specific examples of the arylene group or heteroarylene group include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 2-pyridyl group, 3-pyridyl group, 4- A pyridyl group can be mentioned. The substituents of the aryl group and the heteroaryl group may be selected from substituent group A below, may be selected from substituent group B below, may be selected from substituent group C below, or may be selected from substituent group D below. may be selected from the substituent group E below.

일반식 (1)에 있어서, R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다. 여기에서 말하는 환상 구조의 설명과 구체예에 대해서는, 상기의 "환 축합"의 설명에 있어서의 축합되어 있는 환의 설명과 구체예를 참조할 수 있다.In general formula (1), R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , and R 10 and R 1 may be bonded to each other to form a cyclic structure. For the description and specific examples of the cyclic structure mentioned here, reference can be made to the description and specific examples of the condensed ring in the description of “ring condensation” above.

본 발명의 일 양태에서는, R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R9와 R10 중 적어도 1세트가 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있다. 본 발명의 일 양태에서는, R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8 중 적어도 1세트가 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있다. 본 발명의 일 양태에서는, R9와 R10이 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있다. 본 발명의 일 양태에서는, R4와 R5, R8과 R9, R10과 R1은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다. 본 발명의 일 양태에서는, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다. 본 발명의 일 양태에서는, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다. 본 발명의 일 양태에서는, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다. 본 발명의 일 양태에서는, R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R8과 R9, R10과 R1은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다. 본 발명의 일 양태에서는, R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 모두 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있지 않다.In one aspect of the invention, at least one of R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 One set is combined with each other to form a ring structure. In one aspect of the present invention, at least one set of R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , and R 7 and R 8 are combined with each other It forms a circular structure. In one aspect of the present invention, R 9 and R 10 are bonded to each other to form a cyclic structure. In one aspect of the present invention, R 4 and R 5 , R 8 and R 9 , and R 10 and R 1 are not combined with each other to form a cyclic structure. In one aspect of the present invention, R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , and R 10 and R 1 are not bonded to each other to form a cyclic structure. In one aspect of the present invention, R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , and R 5 and R 6 are not bonded to each other to form a cyclic structure. In one aspect of the invention, R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , R 10 and R 1 are all combined with each other to form a cyclic structure. not forming In one aspect of the invention, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 , R 9 , R 10 and R 1 are not combined with each other to form a cyclic structure. In one aspect of the invention, R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , and R 10 and R 1 are not combined with each other to form a ring structure.

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 금속 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하고, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 본 발명의 바람직한 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성된다. 또, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 수소 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다. 또한, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 수소 원자를 포함하지 않고, 중수소 원자를 포함하는 화합물이어도 된다. 예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 탄소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 화합물이어도 된다.The compound represented by General Formula (1) preferably does not contain a metal atom, and may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. In a preferred embodiment of the present invention, the compound represented by general formula (1) is composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms. In addition, the compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, and sulfur atoms. The compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, and nitrogen atoms. The compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, and nitrogen atoms. Additionally, the compound represented by General Formula (1) may not contain a hydrogen atom but may be a compound containing a deuterium atom. For example, the compound represented by General Formula (1) may be a compound composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms.

본 발명의 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 대칭 구조를 갖는다. 예를 들면 선대칭 구조를 갖고 있어도 된다. 선대칭 구조를 가질 때, 일반식 (1)의 R1과 R8은 동일하고, R2와 R7은 동일하며, R3과 R6은 동일하고, R4와 R5는 동일하며, R9와 R10은 동일하다. 본 발명의 일 양태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 비대칭 구조를 갖는다.In one aspect of the present invention, the compound represented by general formula (1) has a symmetric structure. For example, it may have an axisymmetric structure. When having an axisymmetric structure, R 1 and R 8 in General Formula (1) are the same, R 2 and R 7 are the same, R 3 and R 6 are the same, R 4 and R 5 are the same, and R 9 and R 10 are the same. In one aspect of the present invention, the compound represented by general formula (1) has an asymmetric structure.

본 명세서에 있어서 "치환기군 A"란, 하이드록실기, 할로젠 원자(예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자), 알킬기(예를 들면 탄소수 1~40), 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~40), 알킬싸이오기(예를 들면 탄소수 1~40), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~30), 아릴옥시기(예를 들면 탄소수 6~30), 아릴싸이오기(예를 들면 탄소수 6~30), 헤테로아릴기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~30), 헤테로아릴옥시기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~30), 헤테로아릴싸이오기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~30), 아실기(예를 들면 탄소수 1~40), 알켄일기(예를 들면 탄소수 1~40), 알카인일기(예를 들면 탄소수 1~40), 알콕시카보닐기(예를 들면 탄소수 1~40), 아릴옥시카보닐기(예를 들면 탄소수 1~40), 헤테로아릴옥시카보닐기(예를 들면 탄소수 1~40), 실릴기(예를 들면 탄소수 1~40의 트라이알킬실릴기) 및 나이트로기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 기 또는 2개 이상을 조합한 기를 의미한다.As used herein, “substituent group A” refers to a hydroxyl group, a halogen atom (e.g. a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), an alkyl group (e.g. carbon atoms 1 to 40), an alkoxy group. (e.g., carbon number 1 to 40), alkylthio group (e.g., carbon number 1 to 40), aryl group (e.g., carbon number 6 to 30), aryloxy group (e.g., carbon number 6 to 30), aryl thi group group (e.g., 6 to 30 carbon atoms), heteroaryl group (e.g., 5 to 30 ring atoms), heteroaryloxy group (e.g., 5 to 30 ring atoms), heteroarylthio group (e.g., number of ring skeleton atoms 5 to 30), acyl group (e.g., 1 to 40 carbon atoms), alkenyl group (e.g., 1 to 40 carbon atoms), alkynyl group (e.g., 1 to 40 carbon atoms) , alkoxycarbonyl group (e.g., carbon number 1 to 40), aryloxycarbonyl group (e.g., carbon number 1 to 40), heteroaryloxycarbonyl group (e.g., carbon number 1 to 40), silyl group (e.g., carbon number It means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of trialkylsilyl groups of 1 to 40) and nitro groups.

본 명세서에 있어서 "치환기군 B"란, 알킬기(예를 들면 탄소수 1~40), 알콕시기(예를 들면 탄소수 1~40), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~30), 아릴옥시기(예를 들면 탄소수 6~30), 헤테로아릴기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~30), 헤테로아릴옥시기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~30), 다이아릴아미노기(예를 들면 탄소 원자수 0~20)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 기 또는 2개 이상을 조합한 기를 의미한다.In this specification, “substituent group B” refers to an alkyl group (for example, 1 to 40 carbon atoms), an alkoxy group (for example, 1 to 40 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 30 carbon atoms), or an aryloxy group ( For example, 6 to 30 carbon atoms), heteroaryl group (for example, 5 to 30 ring atoms), heteroaryloxy group (for example, 5 to 30 ring atoms), diarylamino group (for example, 5 to 30 ring atoms), For example, it means one group selected from the group consisting of 0 to 20 carbon atoms, or a combination of two or more groups.

본 명세서에 있어서 "치환기군 C"란, 알킬기(예를 들면 탄소수 1~20), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~22), 헤테로아릴기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~20), 다이아릴아미노기(예를 들면 탄소 원자수 12~20)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 기 또는 2개 이상을 조합한 기를 의미한다.In this specification, “substituent group C” refers to an alkyl group (for example, 1 to 20 carbon atoms), an aryl group (for example, 6 to 22 carbon atoms), or a heteroaryl group (for example, 5 to 20 carbon atoms in the ring skeleton). , means one group selected from the group consisting of diarylamino groups (for example, having 12 to 20 carbon atoms), or a group of two or more groups combined.

본 명세서에 있어서 "치환기군 D"란, 알킬기(예를 들면 탄소수 1~20), 아릴기(예를 들면 탄소수 6~22) 및 헤테로아릴기(예를 들면 환 골격 구성 원자수 5~20)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 기 또는 2개 이상을 조합한 기를 의미한다.In this specification, “substituent group D” refers to an alkyl group (e.g., 1 to 20 carbon atoms), an aryl group (e.g., 6 to 22 carbon atoms), and a heteroaryl group (e.g., 5 to 20 ring skeleton atoms). It means one group or a combination of two or more groups selected from the group consisting of.

본 명세서에 있어서 "치환기군 E"란, 알킬기(예를 들면 탄소수 1~20) 및 아릴기(예를 들면 탄소수 6~22)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 기 또는 2개 이상을 조합한 기를 의미한다.As used herein, “substituent group E” refers to one group selected from the group consisting of an alkyl group (e.g., having 1 to 20 carbon atoms) and an aryl group (e.g., having 6 to 22 carbon atoms), or a combination of two or more groups. it means.

본 명세서에 있어서 "치환기"나 "치환 혹은 무치환의"라고 기재되어 있는 경우의 치환기는, 예를 들면 치환기군 A 중에서 선택해도 되고, 치환기군 B 중에서 선택해도 되며, 치환기군 C 중에서 선택해도 되고, 치환기군 D 중에서 선택해도 되며, 치환기군 E 중에서 선택해도 된다.In this specification, the substituent when described as "substituent" or "substituted or unsubstituted" may be selected from, for example, substituent group A, substituent group B, or substituent group C. , may be selected from substituent group D, and may be selected from substituent group E.

이하에 있어서, 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 구체예를 예시한다. 단, 본 발명에 있어서 이용할 수 있는 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 이들 구체예에 의하여 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.Below, specific examples of compounds represented by general formula (1) are given. However, the compound represented by General Formula (1) that can be used in the present invention should not be interpreted limitedly by these specific examples.

표 1에서는, 일반식 (1)의 R1~R10을 화합물마다 각각 특정함으로써 화합물 1~30의 구조를 개별적으로 나타내고 있다. 표 2에서는 각 단마다 복수의 화합물의 R1~R10을 통틀어 표시함으로써, 화합물 1~1008962의 구조를 나타내고 있다. 예를 들면, 표 2의 화합물 1~447이면, R1, R3~R8은 H(수소 원자)에 고정되어 있고, R9 및 R10은 CN(사이아노기)에 고정되어 있다. 그리고, R2가 D1~D447인 것을, 순서대로 화합물 1~447로 하고 있다. 화합물 448~894이면, R1, R2, R4~R8은 H(수소 원자)에 고정되어 있고, R9 및 R10은 CN(사이아노기)에 고정되어 있다. 그리고, R3이 D1~D447인 것을, 순서대로 화합물 448~894로 하고 있다. 동일하게, 화합물 895~1788, 화합물 806025~806918도 특정하고 있다. 화합물 1789~201597은, R1, R3~R6, R8은 H(수소 원자)에 고정되어 있고, R9 및 R10은 CN(사이아노기)에 고정되어 있다. 그리고, R2가 D1이며, R7이 D1~D447인 것을, 순서대로 화합물 1789~2235로 하고, R2가 D2이며, R7이 D1~D447인 것을, 순서대로 화합물 2236~2681로 하고, R2가 D3이며, R7이 D1~D447인 것을, 순서대로 화합물 2682~3128로 하는 요령으로 화합물 번호를 붙여 가, 마지막에 R2가 D447이고, R7이 D1~D447인 것을 순서대로 화합물 201151~201597로 하고 있다. 동일하게 하여 화합물 201598~806024, 화합물 806919~1006727도 특정하고 있다. 화합물 1006728~1007174는, R2와 R3과 R4가 동일하며, 이들이 순서대로 D1~D447인 것을 화합물 1006728~1007174로 하고 있다. 동일하게 하여, 화합물 1007175~1008962도 특정하고 있다. 여기에서, 화합물 1007175~1007621에서는 R2와 R3과 R7이 동일하고, 화합물 1007622~1008068에서는 R2와 R3과 R6이 동일하며, 화합물 1008069~1008515에서는 R2와 R3과 R6과 R7이 동일하고, 화합물 1008516~1008962에서는 R1과 R3과 R6과 R8이 동일하다.In Table 1, the structures of compounds 1 to 30 are individually shown by specifying R 1 to R 10 in the general formula (1) for each compound. Table 2 shows the structures of compounds 1 to 1008962 by collectively indicating R 1 to R 10 of a plurality of compounds in each column. For example, in compounds 1 to 447 in Table 2, R 1 , R 3 to R 8 are fixed to H (hydrogen atom), and R 9 and R 10 are fixed to CN (cyano group). And those where R 2 is D1 to D447 are designated as compounds 1 to 447 in that order. In compounds 448 to 894, R 1 , R 2 , R 4 to R 8 are fixed to H (hydrogen atom), and R 9 and R 10 are fixed to CN (cyano group). And, those where R 3 is D1 to D447 are designated as compounds 448 to 894 in that order. Similarly, compounds 895 to 1788 and compounds 806025 to 806918 are also specified. In compounds 1789 to 201597, R 1 , R 3 to R 6 , and R 8 are fixed to H (hydrogen atom), and R 9 and R 10 are fixed to CN (cyano group). And, those where R 2 is D1 and R 7 are D1 to D447 are designated as compounds 1789 to 2235 in that order, and those where R 2 is D2 and R 7 are D1 to D447 are designated as compounds 2236 to 2681 in that order; Number the compounds in the order that R 2 is D3 and R 7 are D1 to D447 as compounds 2682 to 3128, and finally, compound numbers in that order where R 2 is D447 and R 7 are D1 to D447. It is from 201151 to 201597. In the same manner, compounds 201598 to 806024 and compounds 806919 to 1006727 are also specified. In compounds 1006728 to 1007174, R 2 , R 3 and R 4 are the same, and they are D1 to D447 in that order. Similarly, compounds 1007175 to 1008962 are also specified. Here, in compounds 1007175~1007621, R 2 , R 3 , and R 7 are the same, in compounds 1007622~1008068, R 2 , R 3 , and R 6 are the same, and in compounds 1008069~1008515, R 2 , R 3 , and R 6 and R 7 are the same, and in compounds 1008516 to 1008962, R 1 and R 3 and R 6 and R 8 are the same.

표 1 및 표 2에서, 화합물 1~1008962는 개별적으로 구조가 특정되며, 본 명세서에서 구체적으로 개시되어 있다. 또한, 화합물 1~30에 대해서는, 표 1과 표 2의 양방에서 특정되어 있다.In Tables 1 and 2, compounds 1 to 1008962 have individually specified structures and are specifically disclosed in this specification. In addition, compounds 1 to 30 are specified in both Tables 1 and 2.

[표 1][Table 1]

[표 2][Table 2]

상기 화합물 1~1008962의 분자 내에 존재하는 수소 원자를 모두 중수소 원자로 치환한 것을 화합물 1(D)~1008962(D)로서 개시한다. 또한, 일반식 (1)로 나타나는 화합물 중 회전 이성체가 존재하는 경우는, 회전 이성체의 혼합물과, 분리한 각 회전 이성체도, 본 명세서에 개시되어 있는 것으로 한다.Compounds 1 to 1008962 in which all hydrogen atoms present in the molecule are replaced with deuterium atoms are disclosed as Compounds 1(D) to 1008962(D). In addition, when rotational isomers exist among the compounds represented by General Formula (1), the mixture of rotational isomers and each separated rotational isomer are also disclosed in this specification.

본 발명에서는, 표 2의 각 단에 기재되는 화합물을 각각 군으로서 선택할 수 있다. 예를 들면, 화합물 1~447을 1개의 군으로서 선택하고, 화합물 448~894를 다른 군으로서 선택한다는 요령으로, 합계 18개의 군을 각각 개별적으로 선택할 수 있다.In the present invention, the compounds listed in each column of Table 2 can be selected as a group. For example, a total of 18 groups can be individually selected by selecting compounds 1 to 447 as one group and compounds 448 to 894 as another group.

일반식 (1)로 나타나는 화합물의 분자량은, 예를 들면 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 유기층을 증착법에 의하여 제막하여 이용하는 것을 의도하는 경우에는, 1500 이하인 것이 바람직하고, 1200 이하인 것이 보다 바람직하며, 1000 이하인 것이 더 바람직하고, 900 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 분자량의 하한값은, 일반식 (1)로 나타나는 최소 화합물의 분자량이다.The molecular weight of the compound represented by General Formula (1) is preferably 1500 or less, and more preferably 1200 or less, for example, when it is intended to form and use an organic layer containing the compound represented by General Formula (1) by vapor deposition. It is preferable, it is more preferable that it is 1000 or less, and it is even more preferable that it is 900 or less. The lower limit of molecular weight is the molecular weight of the minimum compound represented by General Formula (1).

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 분자량에 관계없이 도포법으로 성막해도 된다. 도포법을 이용하면, 분자량이 비교적 큰 화합물이여도 성막하는 것이 가능하다. 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 유기 용매에 용해되기 쉽다는 이점이 있다. 이 때문에, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 도포법을 적용하기 쉽고, 정제하여 순도를 높이기 쉽다.The compound represented by General Formula (1) may be formed into a film by a coating method regardless of molecular weight. Using the coating method, it is possible to form a film even if it is a compound with a relatively large molecular weight. The compound represented by General Formula (1) has the advantage of being easily soluble in organic solvents. For this reason, the compound represented by General Formula (1) is easy to apply a coating method and is easy to purify to increase purity.

본 발명을 응용하여, 분자 내에 일반식 (1)로 나타나는 구조를 복수 개 포함하는 화합물을, 발광 재료로서 이용하는 것도 생각된다.It is also conceivable to apply the present invention to use a compound containing a plurality of structures represented by the general formula (1) in the molecule as a light-emitting material.

예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 구조 중에 미리 중합성기를 존재시켜 두고, 그 중합성기를 중합시킴으로써 얻어지는 중합체를, 발광 재료로서 이용하는 것이 생각된다. 예를 들면, 일반식 (1) 중 어느 하나의 부위에 중합성 관능기를 포함하는 모노머를 준비하고, 이것을 단독으로 중합시키거나, 다른 모노머와 함께 공중합시킴으로써, 반복 단위를 갖는 중합체를 얻어, 그 중합체를 발광 재료로서 이용하는 것이 생각된다. 혹은, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 화합물끼리를 커플링시킴으로써, 이량체나 삼량체를 얻어, 그들을 발광 재료로서 이용하는 것도 생각된다.For example, it is conceivable to use a polymer obtained by pre-existing a polymerizable group in the structure represented by General Formula (1) and polymerizing the polymerizable group as a light-emitting material. For example, prepare a monomer containing a polymerizable functional group at any site in the general formula (1), polymerize it alone or copolymerize it with another monomer to obtain a polymer having a repeating unit, and then polymerize the monomer. It is conceivable to use it as a light-emitting material. Alternatively, it is also conceivable to obtain dimers or trimers by coupling compounds having the structure represented by General Formula (1), and to use them as a light-emitting material.

일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체의 예로서, 하기 2개의 일반식 중 어느 하나로 나타나는 구조를 포함하는 중합체를 들 수 있다.Examples of polymers having a repeating unit containing a structure represented by General Formula (1) include polymers containing a structure represented by either of the following two general formulas.

[화학식 13][Formula 13]

위의 일반식에 있어서, Q는 일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 기를 나타내고, L1 및 L2는 연결기를 나타낸다. 연결기의 탄소수는, 바람직하게는 0~20이고, 보다 바람직하게는 1~15이며, 더 바람직하게는 2~10이다. 연결기는 -X11-L11-로 나타나는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 여기에서, X11은 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자인 것이 바람직하다. L11은 연결기를 나타내며, 치환 혹은 무치환의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 아릴렌기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~10의 치환 혹은 무치환의 알킬렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 페닐렌기인 것이 보다 바람직하다.In the above general formula, Q represents a group containing the structure represented by general formula (1), and L 1 and L 2 represent a linking group. The number of carbon atoms of the linking group is preferably 0 to 20, more preferably 1 to 15, and still more preferably 2 to 10. The linking group preferably has a structure represented by -X 11 -L 11 -. Here, X 11 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and is preferably an oxygen atom. L 11 represents a linking group, and is preferably a substituted or unsubstituted alkylene group, or a substituted or unsubstituted arylene group, and is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenylene group. It is more preferable.

상기 일반식에 있어서, R101, R102, R103 및 R104는, 각각 독립적으로 치환기를 나타낸다. 바람직하게는, 탄소수 1~6의 치환 혹은 무치환의 알킬기, 탄소수 1~6의 치환 혹은 무치환의 알콕시기, 할로젠 원자이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1~3의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~3의 무치환의 알콕시기, 불소 원자, 염소 원자이며, 더 바람직하게는 탄소수 1~3의 무치환의 알킬기, 탄소수 1~3의 무치환의 알콕시기이다.In the above general formula, R 101 , R 102 , R 103 and R 104 each independently represent a substituent. Preferably, it is a substituted or unsubstituted alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms, or a halogen atom, and more preferably, it is an unsubstituted alkyl group with 1 to 3 carbon atoms, or a halogen atom. It is an unsubstituted alkoxy group, a fluorine atom, or a chlorine atom, and more preferably an unsubstituted alkyl group with 1 to 3 carbon atoms, or an unsubstituted alkoxy group with 1 to 3 carbon atoms.

L1 및 L2로 나타나는 연결기는, Q를 구성하는 일반식 (1) 중 어느 하나의 부위에 결합할 수 있다. 1개의 Q에 대하여 연결기가 2개 이상 연결하여 가교 구조나 그물코 구조를 형성하고 있어도 된다.The linking group represented by L 1 and L 2 can be bonded to any site in the general formula (1) constituting Q. Two or more linking groups may be connected to one Q to form a cross-linked structure or network structure.

반복 단위의 구체적인 구조예로서, 하기 식으로 나타나는 구조를 들 수 있다.As a specific structural example of a repeating unit, a structure represented by the following formula can be given.

[화학식 14][Formula 14]

이들 식을 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체는, 일반식 (1) 중 어느 하나의 부위에 하이드록시기를 도입해 두고, 그것을 링커로서 하기 화합물을 반응시켜 중합성기를 도입하며, 그 중합성기를 중합시킴으로써 합성할 수 있다.A polymer having a repeating unit containing these formulas is obtained by introducing a hydroxy group into any portion of the general formula (1), reacting it with the following compound as a linker to introduce a polymerizable group, and polymerizing the polymerizable group. It can be synthesized.

[화학식 15][Formula 15]

분자 내에 일반식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 중합체는, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 반복 단위만으로 이루어지는 중합체여도 되고, 그 이외의 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체여도 된다. 또, 중합체 중에 포함되는 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 반복 단위는, 단일종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖지 않는 반복 단위로서는, 통상의 공중합에 이용되는 모노머로부터 유도되는 것을 들 수 있다. 예를 들면, 에틸렌, 스타이렌 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로부터 유도되는 반복 단위를 들 수 있다.The polymer containing the structure represented by the general formula (1) in the molecule may be a polymer composed only of repeating units having the structure represented by the general formula (1), or may be a polymer containing repeating units having a structure other than that. In addition, the repeating unit having a structure represented by General Formula (1) contained in the polymer may be a single type or two or more types. Examples of repeating units that do not have the structure represented by General Formula (1) include those derived from monomers used in normal copolymerization. For example, repeating units derived from monomers having ethylenically unsaturated bonds such as ethylene and styrene can be mentioned.

어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은 발광 재료이다.In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) is a light-emitting material.

어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 지연 형광을 발할 수 있는 화합물이다.In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) is a compound capable of emitting delayed fluorescence.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, UV 영역, 가시 스펙트럼 중 청색, 녹색, 황색, 오렌지색, 적색 영역(예를 들면 약 420nm~약 500nm, 약 500nm~약 600nm 또는 약 600nm~약 700nm) 또는 근적외선 영역에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by the general formula (1), when excited by thermal or electronic means, appears in the UV region, blue, green, yellow, orange, and red regions of the visible spectrum (e.g., from about 420 nm to It can emit light in the (about 500 nm, about 500 nm to about 600 nm, or about 600 nm to about 700 nm) or near-infrared region.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 적색 또는 오렌지색 영역(예를 들면 약 620nm~약 780nm, 약 650nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by general formula (1) emits light in the red or orange region of the visible spectrum (e.g., about 620 nm to about 780 nm, about 650 nm) when excited by thermal or electronic means. It can be released.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 오렌지색 또는 황색 영역(예를 들면 약 570nm~약 620nm, 약 590nm, 약 570nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by general formula (1), when excited by thermal or electronic means, is in the orange or yellow region of the visible spectrum (e.g., about 570 nm to about 620 nm, about 590 nm, about 570 nm). It can shine in.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 녹색 영역(예를 들면 약 490nm~약 575nm, 약 510nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by general formula (1), when excited by thermal or electronic means, can emit light in the green region of the visible spectrum (e.g., about 490 nm to about 575 nm, about 510 nm). there is.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 가시 스펙트럼 중 청색 영역(예를 들면 약 400nm~약 490nm, 약 475nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by general formula (1) can emit light in the blue region of the visible spectrum (e.g., about 400 nm to about 490 nm, about 475 nm) when excited by thermal or electronic means. there is.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 자외 스펙트럼 영역(예를 들면 280~400nm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by General Formula (1) can emit light in the ultraviolet spectrum region (for example, 280 to 400 nm) when excited by thermal or electronic means.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 적외 스펙트럼 영역(예를 들면 780nm~2μm)에서 광을 발할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, the compound represented by General Formula (1) can emit light in the infrared spectrum region (for example, 780 nm to 2 μm) when excited by thermal or electronic means.

본 개시의 바람직한 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 열적 또는 전자적 수단으로 여기될 때, 520nm 이상의 영역에서 광을 발한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서는, 녹색 영역 중에서도 특히 520nm 이상 560nm 미만의 광을 발한다. 또, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 560nm~640nm의 광을 발한다.In a preferred embodiment of the present disclosure, the compound represented by general formula (1) emits light in a region of 520 nm or more when excited by thermal or electronic means. In a preferred embodiment of the present invention, light is emitted especially in the green region, 520 nm to 560 nm. Additionally, in another preferred embodiment of the present invention, light of 560 nm to 640 nm is emitted.

본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용한 유기 반도체 소자를 제작할 수 있다. 여기에서 말하는 유기 반도체 소자는, 광이 개재하는 유기 광 소자여도 되고, 광이 개재하지 않는 유기 소자여도 된다. 유기 광 소자는, 소자가 광을 방사하는 유기 발광 소자여도 되고, 광을 받는 유기 수광 소자여도 되며, 소자 내에서 광에 의한 에너지 이동을 발생시키는 소자여도 된다. 본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자나 고체 촬상 소자(예를 들면 CMOS 이미지 센서) 등의 유기 광 소자를 제작할 수 있다. 본 개시의 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용한 CMOS(상보형 금속 산화막 반도체) 등을 제작할 수 있다.In one embodiment of the present disclosure, an organic semiconductor device can be manufactured using a compound represented by General Formula (1). The organic semiconductor element referred to here may be an organic optical element in which light interposes, or may be an organic element in which light does not interpose. The organic light element may be an organic light-emitting element that emits light, may be an organic light-receiving element that receives light, or may be an element that generates energy transfer by light within the element. In one embodiment of the present disclosure, an organic optical device such as an organic electroluminescence device or a solid-state imaging device (for example, a CMOS image sensor) can be manufactured using the compound represented by General Formula (1). In one embodiment of the present disclosure, a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) or the like can be manufactured using a compound represented by General Formula (1).

소분자의 화학 물질 라이브러리의 전자적 특성은, 공지의 ab initio에 의한 양자 화학 계산을 이용하여 산출할 수 있다. 예를 들면, 기저로서, 6-31G*, 및 베케의 3 파라미터, Lee-Yang-Parr 하이브리드 범함수로서 알려져 있는 함수군을 이용한 시간 의존적인 밀도 범함수 이론을 사용하여 Hartree-Fock 방정식 (TD-DFT/B3LYP/6-31G*)을 해석하여, 특정 임곗값 이상의 HOMO 및 특정 임곗값 이하의 LUMO를 갖는 분자 단편(부분)을 스크리닝할 수 있다.The electronic properties of a small molecule chemical library can be calculated using known ab initio quantum chemical calculations. For example, the Hartree-Fock equation (TD- By analyzing DFT/B3LYP/6-31G*), molecular fragments (parts) having HOMO above a certain threshold and LUMO below a certain threshold can be screened.

그로써, 예를 들면 -6.5eV 이상의 HOMO 에너지(예를 들면 이온화 퍼텐셜)가 있을 때는, 공여체 부분("D")을 선발할 수 있다. 또 예를 들면, -0.5eV 이하의 LUMO 에너지(예를 들면 전자 친화력)가 있을 때는, 수용체 부분("A")을 선발할 수 있다. 브리지 부분("B")은, 예를 들면 수용체와 공여체 부분을 특이적인 입체 구성으로 엄격하게 제한할 수 있는 강한 공액계임으로써, 공여체 및 수용체 부분의 π 공액계 사이의 중복이 발생하는 것을 방지한다.As a result, for example, when there is a HOMO energy (for example, ionization potential) of -6.5 eV or more, the donor moiety (“D”) can be selected. Also, for example, when there is a LUMO energy (e.g., electron affinity) of -0.5 eV or less, the acceptor portion ("A") can be selected. The bridge moiety (“B”) is a strong conjugation system that can, for example, strictly constrain the acceptor and donor moieties into specific conformations, thereby preventing overlap between the π conjugation systems of the donor and acceptor moieties. .

어느 실시형태에서는, 화합물 라이브러리는, 이하의 특성 중 하나 이상을 이용하여 선별된다.In one embodiment, the compound library is screened using one or more of the following characteristics.

1. 특정 파장 부근에 있어서의 발광1. Light emission near a specific wavelength

2. 산출된, 특정 에너지 준위보다 위의 삼중항 상태2. Calculated triplet state above a certain energy level

3. 특정 값보다 아래의 ΔEST3. ΔE ST value below a certain value

4. 특정 값보다 위의 양자 수율4. Quantum yield above a certain value

5. HOMO 준위5. HOMO level

6. LUMO 준위6. LUMO level

일 실시형태에서는, 77K에 있어서의 최저의 여기 일중항 상태와 최저의 여기 삼중항 상태의 차(ΔEST)는, 약 0.5eV 미만, 약 0.4eV 미만, 약 0.3eV 미만, 약 0.2eV 미만 또는 약 0.1eV 미만이다. 일 실시형태에서는 ΔEST값은, 약 0.09eV 미만, 약 0.08eV 미만, 약 0.07eV 미만, 약 0.06eV 미만, 약 0.05eV 미만, 약 0.04eV 미만, 약 0.03eV 미만, 약 0.02eV 미만 또는 약 0.01eV 미만이다.In one embodiment, the difference (ΔE ST ) between the lowest singlet excited state and the lowest triplet excited state at 77 K is less than about 0.5 eV, less than about 0.4 eV, less than about 0.3 eV, less than about 0.2 eV, or It is less than about 0.1eV. In one embodiment, the ΔE ST value is less than about 0.09 eV, less than about 0.08 eV, less than about 0.07 eV, less than about 0.06 eV, less than about 0.05 eV, less than about 0.04 eV, less than about 0.03 eV, less than about 0.02 eV, or about It is less than 0.01eV.

어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 25% 초과의, 예를 들면 약 30%, 약 35%, 약 40%, 약 45%, 약 50%, 약 55%, 약 60%, 약 65%, 약 70%, 약 75%, 약 80%, 약 85%, 약 90%, 약 95% 또는 그 이상의 양자 수율을 나타낸다.In some embodiments, the compound represented by general formula (1) is more than 25%, for example, about 30%, about 35%, about 40%, about 45%, about 50%, about 55%, about 60%. , represents a quantum yield of about 65%, about 70%, about 75%, about 80%, about 85%, about 90%, about 95% or more.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물의 합성 방법][Method for synthesizing compounds represented by General Formula (1)]

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 신규 화합물을 포함한다.Compounds represented by General Formula (1) include novel compounds.

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 이미 알려진 반응을 조합함으로써 합성할 수 있다. 예를 들면, 사이아노기와 할로젠 원자를 갖는 페난트렌을, 치환 혹은 무치환의 카바졸과 반응시킴으로써, 치환 혹은 무치환의 카바졸-9-일기로 치환된 사이아노페난트렌을 합성할 수 있다. 반응 조건의 상세에 대해서는, 후술하는 합성예를 참고로 할 수 있다.Compounds represented by general formula (1) can be synthesized by combining already known reactions. For example, cyanophenanthrene substituted with a substituted or unsubstituted carbazol-9-yl group can be synthesized by reacting phenanthrene having a cyano group and a halogen atom with substituted or unsubstituted carbazole. . For details of reaction conditions, reference may be made to the synthesis example described later.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용한 구성물][Composition using a compound represented by General Formula (1)]

어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물과 조합하고, 동일 화합물을 분산시켜, 동일 화합물과 공유 결합하여, 동일 화합물을 코팅하며, 동일 화합물을 담지하거나, 혹은 동일 화합물과 회합하는 1개 이상의 재료(예를 들면 소분자, 폴리머, 금속, 금속 착체 등)와 함께 이용하여, 고체상의 필름 또는 층을 형성시킨다. 예를 들면, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 전기 활성 재료와 조합하여 필름을 형성할 수 있다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 정공 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 전자 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 정공 수송 폴리머 및 전자 수송 폴리머와 조합해도 된다. 몇 개의 경우, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을, 정공 수송부와 전자 수송부의 양방을 갖는 코폴리머와 조합해도 된다. 이상과 같은 실시형태에 의하여, 고체상의 필름 또는 층 내에 형성되는 전자 및/또는 정공을, 일반식 (1)로 나타나는 화합물과 상호 작용시킬 수 있다.In one embodiment, one compound is combined with a compound represented by general formula (1), disperses the same compound, covalently bonds with the same compound, coats the same compound, supports the same compound, or associates with the same compound. When used with the above materials (eg, small molecules, polymers, metals, metal complexes, etc.), a solid film or layer is formed. For example, a film can be formed by combining the compound represented by General Formula (1) with an electroactive material. In some cases, the compound represented by General Formula (1) may be combined with a hole transport polymer. In some cases, the compound represented by General Formula (1) may be combined with an electron transport polymer. In some cases, the compound represented by General Formula (1) may be combined with a hole transport polymer and an electron transport polymer. In some cases, the compound represented by General Formula (1) may be combined with a copolymer having both a hole transport part and an electron transport part. According to the above embodiment, electrons and/or holes formed in a solid film or layer can be made to interact with the compound represented by General Formula (1).

[필름의 형성][Formation of film]

어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하는 필름은, 습식 공정에서 형성할 수 있다. 습식 공정에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 조성물을 용해한 용액을 면에 도포하여, 용매의 제거 후에 필름을 형성한다. 습식 공정으로서, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 잉크젯법(스프레이법), 그라비어 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 플렉소 인쇄법을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 습식 공정에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 조성물을 용해할 수 있는 적절한 유기 용매를 선택하여 이용한다. 어느 실시형태에서는, 조성물에 포함되는 화합물에, 유기 용매에 대한 용해성을 높이는 치환기(예를 들면 알킬기)를 도입할 수 있다.In one embodiment, a film containing the compound represented by General Formula (1) can be formed in a wet process. In the wet process, a solution containing a composition containing the compound of the present invention is applied to a surface to form a film after removal of the solvent. Wet processes include, but are not limited to, spin coating, slit coating, inkjet (spray), gravure printing, offset printing, and flexo printing. In the wet process, an appropriate organic solvent capable of dissolving the composition containing the compound of the present invention is selected and used. In one embodiment, a substituent (for example, an alkyl group) that increases solubility in organic solvents can be introduced into the compound contained in the composition.

어느 실시형태에서는, 본 발명의 화합물을 포함하는 필름은, 건식 공정에서 형성할 수 있다. 어느 실시형태에서는, 건식 공정으로서 진공 증착법을 채용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 진공 증착법을 채용하는 경우는, 필름을 구성하는 화합물을 개별의 증착원으로부터 공증착시켜도 되고, 화합물을 혼합한 단일의 증착원으로부터 공증착시켜도 된다. 단일의 증착원을 이용하는 경우는, 화합물의 분말을 혼합한 혼합 분말을 이용해도 되고, 그 혼합 분말을 압축한 압축 성형체를 이용해도 되며, 각 화합물을 가열 용융하여 냉각한 혼합물을 이용해도 된다. 어느 실시형태에서는, 단일의 증착원에 포함되는 복수의 화합물의 증착 속도(중량 감소 속도)가 일치 내지 대략 일치하는 조건에서 공증착을 행함으로써, 증착원에 포함되는 복수의 화합물의 조성비에 대응하는 조성비의 필름을 형성할 수 있다. 형성되는 필름의 조성비와 동일한 조성비로 복수의 화합물을 혼합하여 증착원으로 하면, 원하는 조성비를 갖는 필름을 간편하게 형성할 수 있다. 어느 실시형태에서는, 공증착되는 각 화합물이 동일한 중량 감소율이 되는 온도를 특정하여, 그 온도를 공증착 시의 온도로서 채용할 수 있다.In one embodiment, a film containing the compound of the present invention can be formed in a dry process. In some embodiments, a vacuum deposition method may be employed as a dry process, but is not limited thereto. When employing a vacuum deposition method, the compounds constituting the film may be co-deposited from individual deposition sources, or may be co-deposited from a single deposition source in which the compounds are mixed. When using a single deposition source, a mixed powder obtained by mixing the powders of the compounds may be used, a compression molded body obtained by compressing the mixed powder may be used, or a mixture obtained by heating and melting each compound and cooling may be used. In one embodiment, co-deposition is performed under conditions where the deposition rate (weight loss rate) of a plurality of compounds contained in a single deposition source matches or approximately matches, so that the composition ratio of the plurality of compounds contained in the deposition source corresponds to the composition ratio. A film of any composition ratio can be formed. By mixing a plurality of compounds in the same composition ratio as that of the film to be formed as a deposition source, a film having a desired composition ratio can be easily formed. In one embodiment, the temperature at which each compound to be co-deposited achieves the same weight loss rate can be specified, and that temperature can be adopted as the temperature at the time of co-deposition.

[일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용의 예][Examples of use of compounds represented by General Formula (1)]

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 유기 발광 소자의 재료로서 유용하다. 특히 유기 발광 다이오드 등에 바람직하게 이용된다.Compounds represented by General Formula (1) are useful as materials for organic light-emitting devices. In particular, it is preferably used for organic light emitting diodes and the like.

유기 발광 다이오드:Organic light emitting diode:

본 발명의 일 양태는, 유기 발광 소자의 발광 재료로서의, 본 발명의 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용에 관한 것이다. 어느 실시형태에서는, 본 발명의 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 유기 발광 소자의 발광층에 있어서의 발광 재료로서 효과적으로 사용할 수 있다. 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 지연 형광을 발하는 지연 형광(지연 형광체)을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 지연 형광체를 제공한다. 어느 실시형태에서는, 본 발명은 지연 형광체로서의 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 사용에 관한 것이다. 어느 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 호스트 재료로서 사용할 수 있고, 또한, 1개 이상의 발광 재료와 함께 사용할 수 있으며, 발광 재료는 형광 재료, 인광 재료 또는 TADF여도 된다. 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 정공 수송 재료로서 사용할 수도 있다. 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 전자 수송 재료로서 사용할 수 있다. 어느 실시형태에서는, 본 발명은 일반식 (1)로 나타나는 화합물로부터 지연 형광을 발생시키는 방법에 관한 것이다. 어느 실시형태에서는, 화합물을 발광 재료로서 포함하는 유기 발광 소자는, 지연 형광을 발하여, 높은 광 방사 효율을 나타낸다.One aspect of the present invention relates to the use of a compound represented by the general formula (1) of the present invention as a light-emitting material for an organic light-emitting device. In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) of the present invention can be effectively used as a light-emitting material in the light-emitting layer of an organic light-emitting device. In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) includes delayed fluorescence (delayed phosphor) that emits delayed fluorescence. In one embodiment, the present invention provides a delayed phosphor having a structure represented by General Formula (1). In one embodiment, the present invention relates to the use of a compound represented by general formula (1) as a delayed phosphor. In one embodiment of the present invention, the compound represented by General Formula (1) can be used as a host material and can be used together with one or more light-emitting materials, and the light-emitting material may be a fluorescent material, a phosphorescent material, or TADF. . In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) can also be used as a hole transport material. In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) can be used as an electron transport material. In one embodiment, the present invention relates to a method of generating delayed fluorescence from a compound represented by general formula (1). In one embodiment, an organic light-emitting device containing a compound as a light-emitting material emits delayed fluorescence and exhibits high light emission efficiency.

어느 실시형태에서는, 발광층은 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함하며, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 기재와 평행하게 배향된다. 어느 실시형태에서는, 기재는 필름 형성 표면이다. 어느 실시형태에서는, 필름 형성 표면에 대한 일반식 (1)로 나타나는 화합물의 배향은, 정렬시키는 화합물에 의하여 발해지는 광의 전파 방향으로 영향을 주거나, 혹은, 당해 방향을 결정짓는다. 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물에 의하여 발해지는 광의 전파 방향을 정렬시킴으로써, 발광층으로부터의 광추출 효율이 개선된다.In one embodiment, the light-emitting layer contains a compound represented by General Formula (1), and the compound represented by General Formula (1) is oriented parallel to the substrate. In some embodiments, the substrate is a film forming surface. In some embodiments, the orientation of the compound represented by general formula (1) with respect to the film forming surface affects or determines the propagation direction of light emitted by the aligning compound. In one embodiment, the light extraction efficiency from the light emitting layer is improved by aligning the propagation direction of light emitted by the compound represented by General Formula (1).

본 발명의 일 양태는, 유기 발광 소자에 관한 것이다. 어느 실시형태에서는, 유기 발광 소자는 발광층을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 발광층은 발광 재료로서 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 유기 발광 소자는 유기 광 루미네선스 소자(유기 PL 소자)이다. 어느 실시형태에서는, 유기 발광 소자는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자(유기 EL 소자)이다. 어느 실시형태에서는, 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 발광층에 포함되는 다른 발광 재료의 광 방사를(이른바 어시스트 도펀트로서) 보조한다. 어느 실시형태에서는, 발광층에 포함되는 일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 그 최저의 여기 일중항 에너지 준위에 있으며, 발광층에 포함되는 호스트 재료의 최저 여기 일중항 에너지 준위와 발광층에 포함되는 다른 발광 재료의 최저 여기 일중항 에너지 준위의 사이에 포함된다.One aspect of the present invention relates to an organic light emitting device. In some embodiments, the organic light emitting device includes a light emitting layer. In one embodiment, the light-emitting layer contains a compound represented by General Formula (1) as a light-emitting material. In one embodiment, the organic light-emitting device is an organic light luminescence device (organic PL device). In one embodiment, the organic light-emitting device is an organic electroluminescence device (organic EL device). In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) assists light emission of other light-emitting materials included in the light-emitting layer (as a so-called assist dopant). In one embodiment, the compound represented by General Formula (1) contained in the light-emitting layer is at its lowest singlet excitation energy level, and the lowest singlet excitation energy level of the host material contained in the light-emitting layer is different from the light emitting layer contained in the light-emitting layer. The material's lowest excitation is contained between the singlet energy levels.

어느 실시형태에서는, 유기 광 루미네선스 소자는, 적어도 하나의 발광층을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자는, 적어도 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극의 사이의 유기층을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 유기층은, 적어도 발광층을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 유기층은, 발광층만을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 유기층은, 발광층에 더하여 1개 이상의 유기층을 포함한다. 유기층의 예로서는, 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 장벽층, 정공 장벽층, 전자 주입층, 전자 수송층 및 여기자 장벽층을 들 수 있다. 어느 실시형태에서는, 정공 수송층은, 정공 주입 기능을 갖는 정공 주입 수송층이어도 되고, 전자 수송층은, 전자 주입 기능을 갖는 전자 주입 수송층이어도 된다. 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 예를 도 1에 나타낸다.In one embodiment, the organic light luminescence element includes at least one light-emitting layer. In one embodiment, the organic electroluminescence element includes at least an anode, a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode. In one embodiment, the organic layer includes at least a light emitting layer. In one embodiment, the organic layer includes only the light-emitting layer. In one embodiment, the organic layer includes one or more organic layers in addition to the light emitting layer. Examples of the organic layer include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron barrier layer, a hole barrier layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and an exciton barrier layer. In one embodiment, the hole transport layer may be a hole injection transport layer with a hole injection function, and the electron transport layer may be an electron injection transport layer with an electron injection function. An example of an organic electroluminescence device is shown in Figure 1.

발광층:Emissive layer:

어느 실시형태에서는, 발광층은, 양극 및 음극으로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 재결합하여 여기자를 형성하는 층이다. 어느 실시형태에서는, 층은 광을 발한다.In one embodiment, the light-emitting layer is a layer in which holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively, recombine to form excitons. In some embodiments, the layer emits light.

어느 실시형태에서는, 발광 재료만이 발광층으로서 이용된다. 어느 실시형태에서는, 발광층은 발광 재료와 호스트 재료를 포함한다. 어느 실시형태에서는, 발광 재료는, 일반식 (1)로 나타나는 1개 이상의 화합물이다. 어느 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 유기 광 루미네선스 소자의 광 방사 효율을 향상시키기 위하여, 발광 재료에 있어서 발생하는 일중항 여기자 및 삼중항 여기자를, 발광 재료 내에 구속시킨다. 어느 실시형태에서는, 발광층 중에 발광 재료에 더하여 호스트 재료를 이용한다. 어느 실시형태에서는, 호스트 재료는 유기 화합물이다. 어느 실시형태에서는, 유기 화합물은 여기 일중항 에너지 및 여기 삼중항 에너지를 갖고, 그 적어도 하나는, 본 발명의 발광 재료의 그들보다 높다. 어느 실시형태에서는, 본 발명의 발광 재료 중에서 발생하는 일중항 여기자 및 삼중항 여기자는, 본 발명의 발광 재료의 분자 중에 구속된다. 어느 실시형태에서는, 일중항 및 삼중항의 여기자는, 광 방사 효율을 향상시키기 위하여 충분히 구속된다. 어느 실시형태에서는, 높은 광 방사 효율이 아직 얻어짐에도 불구하고, 일중항 여기자 및 삼중항 여기자는 충분히 구속되지 않아, 즉, 높은 광 방사 효율을 달성할 수 있는 호스트 재료는, 특별히 한정되지 않고 본 발명에서 사용될 수 있다. 어느 실시형태에서는, 본 발명의 소자의 발광층 중의 발광 재료에 있어서, 광 방사가 발생한다. 어느 실시형태에서는, 방사광은 형광 및 지연 형광의 양방을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 방사광은, 호스트 재료로부터의 방사광을 포함한다. 어느 실시형태에서는, 방사광은, 호스트 재료로부터의 방사광으로 이루어진다. 어느 실시형태에서는, 방사광은, 일반식 (1)로 나타나는 화합물로부터의 방사광과, 호스트 재료로부터의 방사광을 포함한다. 어느 실시형태에서는, TADF 분자와 호스트 재료가 이용된다. 어느 실시형태에서는, TADF는 어시스트 도펀트이며, 발광층 중의 호스트 재료보다 여기 일중항 에너지가 낮고, 발광층 중의 발광 재료보다 여기 일중항 에너지가 높다.In some embodiments, only light-emitting materials are used as the light-emitting layer. In one embodiment, the light-emitting layer includes a light-emitting material and a host material. In one embodiment, the light-emitting material is one or more compounds represented by General Formula (1). In one embodiment, in order to improve the light emission efficiency of the organic electroluminescence device and the organic light luminescence device, singlet excitons and triplet excitons generated in the light-emitting material are confined within the light-emitting material. In one embodiment, a host material is used in the light-emitting layer in addition to the light-emitting material. In some embodiments, the host material is an organic compound. In one embodiment, the organic compound has a singlet excitation energy and a triplet excitation energy, at least one of which is higher than that of the light-emitting material of the present invention. In one embodiment, the singlet exciton and triplet exciton generated in the light-emitting material of the present invention are confined in the molecules of the light-emitting material of the present invention. In one embodiment, singlet and triplet excitons are sufficiently restrained to improve light emission efficiency. In some embodiments, although high light emission efficiency is still obtained, singlet excitons and triplet excitons are not sufficiently confined, that is, the host material capable of achieving high light emission efficiency is not particularly limited and is not limited to the present invention. It can be used in inventions. In one embodiment, light emission occurs in the light-emitting material in the light-emitting layer of the device of the present invention. In some embodiments, the synchronized light includes both fluorescence and delayed fluorescence. In one embodiment, the synchronized light includes synchronized light from the host material. In one embodiment, the synchronized light consists of synchronized light from a host material. In one embodiment, the synchronized light includes synchronized light from the compound represented by General Formula (1) and synchronized light from the host material. In some embodiments, TADF molecules and host materials are used. In one embodiment, TADF is an assist dopant and has a lower singlet excitation energy than the host material in the light-emitting layer and a higher singlet excitation energy than the light-emitting material in the light-emitting layer.

일반식 (1)로 나타나는 화합물을 어시스트 도펀트로서 이용할 때, 발광 재료(바람직하게는 형광 재료)로서 다양한 화합물을 채용하는 것이 가능하다. 그와 같은 발광 재료로서는, 안트라센 유도체, 테트라센 유도체, 나프타센 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 크리센 유도체, 루브렌 유도체, 쿠마린 유도체, 피란 유도체, 스틸벤 유도체, 플루오렌 유도체, 안트릴 유도체, 피로메텐 유도체, 터페닐 유도체, 터페닐렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 아민 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 말로노나이트릴 유도체, 카바졸 유도체, 줄롤리딘 유도체, 싸이아졸 유도체, 금속(Al, Zn)을 갖는 유도체 등을 이용하는 것이 가능하다. 이들의 예시 골격에는 치환기를 가져도 되고, 치환기를 갖고 있지 않아도 된다. 또, 이들의 예시 골격끼리를 조합해도 된다.When using the compound represented by General Formula (1) as an assist dopant, it is possible to employ various compounds as a light-emitting material (preferably a fluorescent material). Such luminescent materials include anthracene derivatives, tetracene derivatives, naphthacene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, chrysene derivatives, rubrene derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives, stilbene derivatives, fluorene derivatives, and anthryl derivatives. , pyromethene derivatives, terphenyl derivatives, terphenylene derivatives, fluoranthene derivatives, amine derivatives, quinacridone derivatives, oxadiazole derivatives, malononitrile derivatives, carbazole derivatives, zulolidine derivatives, thiazole derivatives , it is possible to use derivatives containing metals (Al, Zn), etc. These example skeletons may have substituents or may not have substituents. Additionally, these example skeletons may be combined.

이하에 있어서, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 어시스트 도펀트와 조합하여 이용할 수 있는 발광 재료를 예시한다.Below, light emitting materials that can be used in combination with an assist dopant having a structure represented by General Formula (1) are exemplified.

[화학식 16-1][Formula 16-1]

[화학식 16-2][Formula 16-2]

[화학식 16-3][Formula 16-3]

또, WO2015/022974호의 단락 0220~0239에 기재된 화합물도, 일반식 (1)로 나타나는 구조를 갖는 어시스트 도펀트와 함께 이용하는 발광 재료로서, 특히 바람직하게 채용할 수 있다.In addition, the compounds described in paragraphs 0220 to 0239 of WO2015/022974 can also be particularly preferably employed as a light-emitting material used with an assist dopant having a structure represented by General Formula (1).

어느 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 0.1중량% 이상이다. 어느 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 1중량% 이상이다. 어느 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 50중량% 이하이다. 어느 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 20중량% 이하이다. 어느 실시형태에서는, 호스트 재료를 이용할 때, 발광층에 포함되는 발광 재료로서의 본 발명의 화합물의 양은, 10중량% 이하이다.In one embodiment, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as a light-emitting material contained in the light-emitting layer is 0.1% by weight or more. In one embodiment, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as a light-emitting material contained in the light-emitting layer is 1% by weight or more. In one embodiment, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as a light-emitting material contained in the light-emitting layer is 50% by weight or less. In one embodiment, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as a light-emitting material contained in the light-emitting layer is 20% by weight or less. In one embodiment, when a host material is used, the amount of the compound of the present invention as a light-emitting material contained in the light-emitting layer is 10% by weight or less.

어느 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 정공 수송 기능 및 전자 수송 기능을 갖는 유기 화합물이다. 어느 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 방사광의 파장이 증가하는 것을 방지하는 유기 화합물이다. 어느 실시형태에서는, 발광층의 호스트 재료는, 높은 유리 전이 온도를 갖는 유기 화합물이다.In one embodiment, the host material of the light-emitting layer is an organic compound having a hole transport function and an electron transport function. In one embodiment, the host material of the light emitting layer is an organic compound that prevents the wavelength of radiated light from increasing. In one embodiment, the host material of the light-emitting layer is an organic compound with a high glass transition temperature.

몇 개의 실시형태에서는, 호스트 재료는 이하로 이루어지는 군으로부터 선택된다:In some embodiments, the host material is selected from the group consisting of:

[화학식 17-1][Formula 17-1]

[화학식 17-2][Formula 17-2]

어느 실시형태에서는, 발광층은 2종류 이상의 구조가 상이한 TADF 분자를 포함한다. 예를 들면, 여기 일중항 에너지 준위가 호스트 재료, 제1 TADF 분자, 제2 TADF 분자의 순서로 높은, 이들 3종의 재료를 포함하는 발광층으로 할 수 있다. 이때, 제1 TADF 분자와 제2 TADF 분자는, 모두 최저 여기 일중항 에너지 준위와 77K의 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 차 ΔEST가 0.3eV 이하인 것이 바람직하고, 0.25eV 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.2eV 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.15eV 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.1eV 이하인 것이 더 바람직하고, 0.07eV 이하인 것이 보다 더 바람직하며, 0.05eV 이하인 것이 한층 더 바람직하고, 0.03eV 이하인 것이 더욱 더 바람직하며, 0.01eV 이하인 것이 특히 바람직하다. 발광층에 있어서의 제1 TADF 분자의 농도는, 제2 TADF 분자의 농도보다 큰 것이 바람직하다. 또, 발광층에 있어서의 호스트 재료의 농도는, 제2 TADF 분자의 농도보다 큰 것이 바람직하다. 발광층에 있어서의 제1 TADF 분자의 농도는, 호스트 재료의 농도보다 커도 되고, 작아도 되며, 동일해도 된다. 어느 실시형태에서는, 발광층 내의 조성을, 호스트 재료를 10~70중량%, 제1 TADF 분자를 10~80중량%, 제2 TADF 분자를 0.1~30중량%로 해도 된다. 어느 실시형태에서는, 발광층 내의 조성을, 호스트 재료를 20~45중량%, 제1 TADF 분자를 50~75중량%, 제2 TADF 분자를 5~20중량%로 해도 된다. 어느 실시형태에서는, 제1 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제1 TADF 분자의 농도=A중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL1(A)와, 제2 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제2 TADF 분자의 농도=A중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(A)가, φPL1(A)>φPL2(A)의 관계식을 충족시킨다. 어느 실시형태에서는, 제2 TADF 분자와 호스트 재료의 공증착막(이 공증착막에 있어서의 제2 TADF 분자의 농도=B중량%)의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(B)와, 제2 TADF 분자의 단독막의 광 여기에 의한 발광 양자 수율 φPL2(100)가, φPL2(B)>φPL2(100)의 관계식을 충족시킨다. 어느 실시형태에서는, 발광층은 3종류의 구조가 상이한 TADF 분자를 포함할 수 있다. 본 발명의 화합물은, 발광층에 포함되는 복수의 TADF 화합물 중 어느 것이어도 된다.In one embodiment, the light-emitting layer includes two or more types of TADF molecules with different structures. For example, the light-emitting layer can be made of three types of materials with higher singlet excitation energy levels in that order: the host material, the first TADF molecule, and the second TADF molecule. At this time, the difference ΔE ST between the lowest singlet excitation energy level and the lowest triplet excitation energy level of 77K for both the first TADF molecule and the second TADF molecule is preferably 0.3 eV or less, more preferably 0.25 eV or less, and 0.2 It is more preferably eV or less, more preferably 0.15 eV or less, more preferably 0.1 eV or less, even more preferably 0.07 eV or less, even more preferably 0.05 eV or less, even more preferably 0.03 eV or less, It is particularly preferable that it is 0.01 eV or less. The concentration of the first TADF molecules in the light emitting layer is preferably greater than the concentration of the second TADF molecules. Additionally, the concentration of the host material in the light-emitting layer is preferably greater than the concentration of the second TADF molecule. The concentration of the first TADF molecules in the light emitting layer may be larger, smaller, or the same as the concentration of the host material. In one embodiment, the composition in the light emitting layer may be 10 to 70% by weight of the host material, 10 to 80% by weight of the first TADF molecule, and 0.1 to 30% by weight of the second TADF molecule. In one embodiment, the composition in the light-emitting layer may be 20 to 45% by weight of the host material, 50 to 75% by weight of the first TADF molecule, and 5 to 20% by weight of the second TADF molecule. In one embodiment, the luminescence quantum yield ϕPL1(A) due to optical excitation of the co-deposited film of the first TADF molecule and the host material (concentration of the first TADF molecule in this co-deposited film = A% by weight) and the second TADF The luminescence quantum yield ϕPL2(A) due to optical excitation of the co-deposited film of the molecule and the host material (concentration of the second TADF molecule in this co-deposited film = A% by weight) is determined by the relational expression ϕPL1(A) > ϕPL2(A) satisfies. In one embodiment, the luminescence quantum yield ϕPL2(B) due to light excitation of the co-deposited film of the second TADF molecule and the host material (concentration of the second TADF molecule in this co-deposited film = B% by weight), and the second TADF The luminescence quantum yield ϕPL2(100) due to optical excitation of a single molecule film satisfies the relational expression ϕPL2(B)>ϕPL2(100). In some embodiments, the light-emitting layer may include three types of TADF molecules with different structures. The compound of the present invention may be any of a plurality of TADF compounds included in the light-emitting layer.

어느 실시형태에서는, 발광층은, 호스트 재료, 어시스트 도펀트, 및 발광 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 재료로 구성할 수 있다. 어느 실시형태에서는, 발광층은 금속 원소를 포함하지 않는다. 어느 실시형태에서는, 발광층은 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수 있다. 혹은, 발광층은, 탄소 원자, 수소 원자, 중수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수도 있다. 혹은, 발광층은, 탄소 원자, 수소 원자, 질소 원자 및 산소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원자만으로 구성되는 재료로 구성할 수도 있다.In one embodiment, the light-emitting layer can be made of a material selected from the group consisting of a host material, an assist dopant, and a light-emitting material. In some embodiments, the light-emitting layer does not include metallic elements. In one embodiment, the light-emitting layer may be made of a material composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms. Alternatively, the light-emitting layer may be made of a material composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, deuterium atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms. Alternatively, the light-emitting layer may be made of a material composed only of atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, nitrogen atoms, and oxygen atoms.

발광층이 본 발명의 화합물 이외의 TADF 재료를 포함할 때, 그 TADF 재료는 공지의 지연 형광 재료여도 된다. 바람직한 지연 형광 재료로서, WO2013/154064호의 단락 0008~0048 및 0095~0133, WO2013/011954호의 단락 0007~0047 및 0073~0085, WO2013/011955호의 단락 0007~0033 및 0059~0066, WO2013/081088호의 단락 0008~0071 및 0118~0133, 일본 공개특허공보 2013-256490호의 단락 0009~0046 및 0093~0134, 일본 공개특허공보 2013-116975호의 단락 0008~0020 및 0038~0040, WO2013/133359호의 단락 0007~0032 및 0079~0084, WO2013/161437호의 단락 0008~0054 및 0101~0121, 일본 공개특허공보 2014-9352호의 단락 0007~0041 및 0060~0069, 일본 공개특허공보 2014-9224호의 단락 0008~0048 및 0067~0076, 일본 공개특허공보 2017-119663호의 단락 0013~0025, 일본 공개특허공보 2017-119664호의 단락 0013~0026, 일본 공개특허공보 2017-222623호의 단락 0012~0025, 일본 공개특허공보 2017-226838호의 단락 0010~0050, 일본 공개특허공보 2018-100411호의 단락 0012~0043, WO2018/047853호의 단락 0016~0044에 기재되는 일반식에 포함되는 화합물, 특히 예시 화합물이며, 지연 형광을 방사할 수 있는 것이 포함된다. 또, 여기에서는, 일본 공개특허공보 2013-253121호, WO2013/133359호, WO2014/034535호, WO2014/115743호, WO2014/122895호, WO2014/126200호, WO2014/136758호, WO2014/133121호, WO2014/136860호, WO2014/196585호, WO2014/189122호, WO2014/168101호, WO2015/008580호, WO2014/203840호, WO2015/002213호, WO2015/016200호, WO2015/019725호, WO2015/072470호, WO2015/108049호, WO2015/080182호, WO2015/072537호, WO2015/080183호, 일본 공개특허공보 2015-129240호, WO2015/129714호, WO2015/129715호, WO2015/133501호, WO2015/136880호, WO2015/137244호, WO2015/137202호, WO2015/137136호, WO2015/146541호, WO2015/159541호에 기재되는 발광 재료이며, 지연 형광을 방사할 수 있는 것을 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, 이 단락에 기재되는 상기의 공보는, 본 명세서의 일부로서 여기에 인용한다.When the light-emitting layer contains a TADF material other than the compound of the present invention, the TADF material may be a known delayed fluorescent material. As preferred delayed fluorescent materials, paragraphs 0008 to 0048 and 0095 to 0133 of WO2013/154064, paragraphs 0007 to 0047 and 0073 to 0085 of WO2013/011954, paragraphs 0007 to 0033 and 0059 to 0066 of WO2013/011955, Paragraph of No. 2013/081088 0008-0071 and 0118-0133, paragraphs 0009-0046 and 0093-0134 of Japanese Patent Publication No. 2013-256490, paragraphs 0008-0020 and 0038-0040 of Japanese Patent Publication No. 2013-116975, WO2013/133359 Paragraph 0007~0032 and 0079 to 0084, paragraphs 0008 to 0054 and 0101 to 0121 of WO2013/161437, paragraphs 0007 to 0041 and 0060 to 0069 of Japanese Patent Application Publication No. 2014-9352, and paragraphs 0008 to 0048 and 0 of Japanese Patent Application Publication No. 2014-9224. 067~ 0076, the paragraph of the short paragraph 0013 ~ 0025, the short paragraph 0013 ~ 0026 of the Japanese Patent Patent Publication No. 2017-119664, the paragraph of the Japanese Patent Patent No. 2017-222623 0010 to 0050, paragraphs 0012 to 0043 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-100411, and paragraphs 0016 to 0044 of WO2018/047853, compounds included in the general formula, particularly exemplary compounds, and include those capable of emitting delayed fluorescence. . In addition, herein, Japanese Patent Publication No. 2013-253121, WO2013/133359, WO2014/034535, WO2014/115743, WO2014/122895, WO2014/126200, WO2014/136758, WO2014/1 No. 33121, WO2014 /No. 136860, WO2014/196585, WO2014/189122, WO2014/168101, WO2015/008580, WO2014/203840, WO2015/002213, WO2015/016200, No. 9725, WO2015/072470, WO2015 /108049, WO2015/080182, WO2015/072537, WO2015/080183, Japanese Patent Publication No. 2015-129240, WO2015/129714, WO2015/129715, WO2015/133501, No. 15/136880, WO2015/ These are light-emitting materials described in No. 137244, WO2015/137202, WO2015/137136, WO2015/146541, and WO2015/159541, and those capable of emitting delayed fluorescence can be preferably employed. In addition, the above-mentioned publication described in this paragraph is incorporated herein as part of this specification.

이하에 있어서, 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 각 부재 및 발광층 이외의 각층(各層)에 대하여 설명한다.Below, each member of the organic electroluminescence element and each layer other than the light-emitting layer are explained.

기재:write:

몇 개의 실시형태에서는, 본 발명의 유기 일렉트로 루미네선스 소자는 기재에 의하여 지지되며, 당해 기재는 특별히 한정되지 않고, 유기 일렉트로 루미네선스 소자에서 일반적으로 이용되는, 예를 들면 유리, 투명 플라스틱, 쿼츠 및 실리콘에 의하여 형성된 어느 하나의 재료를 이용하면 된다.In some embodiments, the organic electroluminescence device of the present invention is supported by a substrate, and the substrate is not particularly limited, and includes materials commonly used in organic electroluminescence devices, such as glass, transparent plastic, Any material formed by quartz or silicon may be used.

양극:anode:

몇 개의 실시형태에서는, 유기 일렉트로 루미네선스 장치의 양극은, 금속, 합금, 도전성 화합물 또는 그들의 조합으로 제조된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기의 금속, 합금 또는 도전성 화합물은 높은 일 함수(4eV 이상)를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 금속은 Au이다. 몇 개의 실시형태에서는, 도전성의 투명 재료는, CuI, 산화 인듐·주석(ITO), SnO2 및 ZnO로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, IDIXO(In2O3-ZnO) 등의, 투명한 도전성 필름을 형성할 수 있는 어모퍼스 재료를 사용한다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 양극은 박막이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 박막은 증착 또는 스퍼터링에 의하여 제작된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 필름은 포토리소그래피 방법에 의하여 패턴화된다. 몇 개의 실시형태에서는, 패턴이 고정밀도일 필요가 없는(예를 들면 약 100μm 이상) 경우, 당해 패턴은, 전극 재료로의 증착 또는 스퍼터링에 적합한 형상의 마스크를 이용하여 형성해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 유기 도전성 화합물 등의 코팅 재료를 도포할 수 있을 때, 프린트법이나 코팅법 등의 습식 필름 형성 방법이 이용된다. 몇 개의 실시형태에서는, 방사광이 양극을 통과할 때, 양극은 10% 초과의 투과도를 갖고, 당해 양극은, 단위 면적당 수백 옴 이하의 시트 저항을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 10~1,000nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 10~200nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 양극의 두께는 이용하는 재료에 따라 변동된다.In some embodiments, the anode of the organic electroluminescence device is made of a metal, alloy, conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the metal, alloy or conductive compound has a high work function (4 eV or greater). In some embodiments, the metal is Au. In some embodiments, the conductive transparent material is selected from CuI, indium-tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO. In some embodiments, an amorphous material capable of forming a transparent conductive film, such as IDIXO (In 2 O 3 -ZnO), is used. In some embodiments, the anode is a thin film. In some embodiments, the thin film is fabricated by vapor deposition or sputtering. In some embodiments, the film is patterned by photolithographic methods. In some embodiments, when the pattern does not need to be high precision (for example, about 100 μm or more), the pattern may be formed using a mask of a shape suitable for deposition or sputtering as an electrode material. In some embodiments, when a coating material such as an organic conductive compound can be applied, a wet film forming method such as a printing method or a coating method is used. In some embodiments, when synchronized light passes through the anode, the anode has a transmission of greater than 10% and the anode has a sheet resistance of less than a few hundred ohms per unit area. In some embodiments, the thickness of the anode is between 10 and 1,000 nm. In some embodiments, the thickness of the anode is 10-200 nm. In some embodiments, the thickness of the anode varies depending on the material used.

음극:cathode:

몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극은, 낮은 일 함수를 갖는 금속(4eV 이하)(전자 주입 금속이라고 칭해진다), 합금, 도전성 화합물 또는 그 조합 등의 전극 재료로 제작된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 전극 재료는, 나트륨, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘, 리튬, 마그네슘-구리 혼합물, 마그네슘-은 혼합물, 마그네슘-알루미늄 혼합물, 마그네슘-인듐 혼합물, 알루미늄-산화 알루미늄(Al2O3) 혼합물, 인듐, 리튬-알루미늄 혼합물 및 희토류 원소로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 주입 금속과, 전자 주입 금속보다 높은 일 함수를 갖는 안정적인 금속인 제2 금속의 혼합물이 이용된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 혼합물은, 마그네슘-은 혼합물, 마그네슘-알루미늄 혼합물, 마그네슘-인듐 혼합물, 알루미늄-산화 알루미늄(Al2O3) 혼합물, 리튬-알루미늄 혼합물 및 알루미늄으로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 혼합물은 전자 주입 특성 및 산화에 대한 내성을 향상시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 음극은, 증착 또는 스퍼터링에 의하여 전극 재료를 박막으로 하여 형성시킴으로써 제조된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극은 단위 면적당 수백 옴 이하의 시트 저항을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극의 두께는 10nm~5μm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극의 두께는 50~200nm이다. 몇 개의 실시형태에서는, 방사광을 투과시키기 위하여, 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 양극 및 음극 중 어느 하나는 투명 또는 반투명이다. 몇 개의 실시형태에서는, 투명 또는 반투명의 일렉트로 루미네선스 소자는 광 방사 휘도를 향상시킨다.In some embodiments, the cathode is made of an electrode material such as a metal with a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injection metal), an alloy, a conductive compound, or a combination thereof. In some embodiments, the electrode material is sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium-copper mixture, magnesium-silver mixture, magnesium-aluminum mixture, magnesium-indium mixture, aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is selected from mixtures, indium, lithium-aluminum mixtures and rare earth elements. In some embodiments, a mixture of an electron injecting metal and a second metal that is a stable metal with a higher work function than the electron injecting metal is used. In some embodiments, the mixture is selected from a magnesium-silver mixture, a magnesium-aluminum mixture, a magnesium-indium mixture, an aluminum-aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium-aluminum mixture, and aluminum. In some embodiments, the mixture improves electron injection properties and resistance to oxidation. In some embodiments, the cathode is manufactured by forming the electrode material into a thin film by vapor deposition or sputtering. In some embodiments, the cathode has a sheet resistance of less than a few hundred ohms per unit area. In some embodiments, the thickness of the cathode is between 10 nm and 5 μm. In some embodiments, the thickness of the cathode is 50-200 nm. In some embodiments, either the anode or cathode of the organic electroluminescence device is transparent or translucent to transmit synchronized light. In some embodiments, transparent or translucent electroluminescence elements enhance light emission brightness.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 음극을, 상기 양극에 관하여 상술한 도전성의 투명한 재료로 형성됨으로써, 투명 또는 반투명의 음극이 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 소자는 양극과 음극을 포함하지만, 모두 투명 또는 반투명이다.In some embodiments, the cathode is formed of the conductive transparent material described above with respect to the anode, thereby forming a transparent or translucent cathode. In some embodiments, the device includes an anode and a cathode, but both are transparent or translucent.

주입층:Injection layer:

주입층은, 전극과 유기층의 사이의 층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 주입층은 구동 전압을 감소시켜, 광 방사 휘도를 증강시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 주입층은, 정공 주입층과 전자 주입층을 포함한다. 상기 주입층은, 양극과 발광층 또는 정공 수송층의 사이, 및 음극과 발광층 또는 전자 수송층의 사이에 배치할 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 주입층이 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 주입층이 존재하지 않는다.The injection layer is a layer between the electrode and the organic layer. In some embodiments, the injection layer reduces the driving voltage, thereby enhancing the optical radiation brightness. In some embodiments, the injection layer includes a hole injection layer and an electron injection layer. The injection layer can be disposed between the anode and the light-emitting layer or the hole transport layer, and between the cathode and the light-emitting layer or the electron transport layer. In some embodiments, an injection layer is present. In some embodiments, no injection layer is present.

이하에, 정공 주입 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Below, examples of preferred compounds that can be used as hole injection materials are given.

[화학식 18][Formula 18]

다음으로, 전자 주입 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Next, examples of preferred compounds that can be used as electron injection materials are given.

[화학식 19][Formula 19]

장벽층:Barrier layer:

장벽층은, 발광층에 존재하는 전하(전자 또는 정공) 및/또는 여기자가, 발광층의 외측으로 확산되는 것을 저지할 수 있는 층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층은, 발광층과 정공 수송층의 사이에 존재하고, 전자가 발광층을 통과하여 정공 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 장벽층은, 발광층과 전자 수송층의 사이에 존재하고, 정공이 발광층을 통과하여 전자 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 여기자가 발광층의 외측으로 확산되는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층 및 정공 장벽층은 여기자 장벽층을 구성한다. 본 명세서에서 이용하는 용어 "전자 장벽층" 또는 "여기자 장벽층"에는, 전자 장벽층의, 및 여기자 장벽층의 기능의 양방을 갖는 층이 포함된다.The barrier layer is a layer that can prevent charges (electrons or holes) and/or excitons present in the light-emitting layer from diffusing to the outside of the light-emitting layer. In some embodiments, the electron barrier layer exists between the light-emitting layer and the hole transport layer and prevents electrons from passing through the light-emitting layer and reaching the hole transport layer. In some embodiments, the hole barrier layer exists between the light-emitting layer and the electron transport layer and prevents holes from passing through the light-emitting layer and reaching the electron transport layer. In some embodiments, the barrier layer prevents excitons from diffusing outside the light-emitting layer. In some embodiments, the electron barrier layer and the hole barrier layer constitute an exciton barrier layer. The term “electron barrier layer” or “exciton barrier layer” used in this specification includes a layer that has both the functions of an electron barrier layer and an exciton barrier layer.

정공 장벽층:Hole barrier layer:

정공 장벽층은, 전자 수송층으로서 기능한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자의 수송 동안, 정공 장벽층은 정공이 전자 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 장벽층은, 발광층에 있어서의 전자와 정공의 재결합의 확률을 높인다. 정공 장벽층에 이용하는 재료는, 전자 수송층에 대하여 상술한 것과 동일한 재료여도 된다.The hole barrier layer functions as an electron transport layer. In some embodiments, during transport of electrons, the hole barrier layer prevents holes from reaching the electron transport layer. In some embodiments, the hole barrier layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light emitting layer. The material used for the hole barrier layer may be the same material as described above for the electron transport layer.

이하에, 정공 장벽층에 이용할 수 있는 바람직한 화합물예를 든다.Below, examples of preferred compounds that can be used in the hole barrier layer are given.

[화학식 20][Formula 20]

전자 장벽층:Electronic barrier layer:

전자 장벽층은, 정공을 수송한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공의 수송 동안, 전자 장벽층은 전자가 정공 수송층에 도달하는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 장벽층은, 발광층에 있어서의 전자와 정공의 재결합의 확률을 높인다. 전자 장벽층에 이용하는 재료는, 정공 수송층에 대하여 상술한 것과 동일한 재료여도 된다.The electron barrier layer transports holes. In some embodiments, during transport of holes, the electron barrier layer prevents electrons from reaching the hole transport layer. In some embodiments, the electron barrier layer increases the probability of recombination of electrons and holes in the light emitting layer. The material used for the electron barrier layer may be the same material as described above for the hole transport layer.

이하에 전자 장벽 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.Specific examples of preferred compounds that can be used as electronic barrier materials are given below.

[화학식 21][Formula 21]

여기자 장벽층:Exciton barrier layer:

여기자 장벽층은, 발광층에 있어서의 정공과 전자의 재결합을 통하여 발생한 여기자가 전자 수송층까지 확산되는 것을 저지한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 발광층에 있어서의 여기자의 유효한 구속(confinement)을 가능하게 한다. 몇 개의 실시형태에서는, 장치의 광 방사 효율이 향상된다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 양극 측과 음극 측 중 어느 하나에서, 및 그 양측의 발광층에 인접한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층이 양극 측에 존재할 때, 당해 층은, 정공 수송층과 발광층의 사이에 존재하고, 당해 발광층에 인접해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층이 음극 측에 존재할 때, 당해 층은, 발광층과 음극의 사이에 존재하고, 당해 발광층에 인접해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 주입층, 전자 장벽층 또는 동일한 층은, 양극과, 양극 측의 발광층에 인접하는 여기자 장벽층의 사이에 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 주입층, 전자 장벽층, 정공 장벽층 또는 동일한 층은, 음극과, 음극 측의 발광층에 인접하는 여기자 장벽층의 사이에 존재한다. 몇 개의 실시형태에서는, 여기자 장벽층은, 여기 일중항 에너지와 여기 삼중항 에너지를 포함하고, 그 적어도 하나가, 각각, 발광 재료의 여기 일중항 에너지와 여기 삼중항 에너지보다 높다.The exciton barrier layer prevents excitons generated through recombination of holes and electrons in the light-emitting layer from diffusing to the electron transport layer. In some embodiments, the exciton barrier layer enables effective confinement of excitons in the light-emitting layer. In some embodiments, the light emission efficiency of the device is improved. In some embodiments, the exciton barrier layer is adjacent to the light emitting layer on either the anode side or the cathode side and on both sides. In some embodiments, when the exciton barrier layer is present on the anode side, the layer may be present between the hole transport layer and the light-emitting layer and adjacent to the light-emitting layer. In some embodiments, when the exciton barrier layer is present on the cathode side, the layer may be present between the light-emitting layer and the cathode and adjacent to the light-emitting layer. In some embodiments, the hole injection layer, the electron barrier layer, or the same layer exists between the anode and the exciton barrier layer adjacent to the light emitting layer on the anode side. In some embodiments, the hole injection layer, the electron barrier layer, the hole barrier layer, or the same layer exists between the cathode and the exciton barrier layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. In some embodiments, the exciton barrier layer includes singlet excitation energy and triplet excitation energy, at least one of which is higher than the singlet excitation energy and triplet excitation energy, respectively, of the luminescent material.

정공 수송층:Hole transport layer:

정공 수송층은, 정공 수송 재료를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송층은 단층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송층은 복수의 층을 갖는다.The hole transport layer contains a hole transport material. In some embodiments, the hole transport layer is a single layer. In some embodiments, the hole transport layer has multiple layers.

몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는, 정공의 주입 또는 수송 특성 및 전자의 장벽 특성 중 하나의 특성을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 유기 재료이다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 무기 재료이다. 본 발명에서 사용할 수 있는 공지의 정공 수송 재료의 예로서는, 한정되지 않지만, 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 카바졸 유도체, 인돌로카바졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 알릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 아닐린 코폴리머 및 도전성 폴리머 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머), 또는 그 조합을 들 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 포피린 화합물, 방향족 3급 아민 화합물 및 스타이릴아민 화합물로부터 선택된다. 몇 개의 실시형태에서는, 정공 수송 재료는 방향족 3급 아민 화합물이다. 이하에 정공 수송 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.In some embodiments, the hole transport material has one of hole injection or transport properties and electron barrier properties. In some embodiments, the hole transport material is an organic material. In some embodiments, the hole transport material is an inorganic material. Examples of known hole transport materials that can be used in the present invention include, but are not limited to, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, and pyrazoline derivatives. , pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, allylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers. and conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers), or combinations thereof. In some embodiments, the hole transport material is selected from porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds. In some embodiments, the hole transport material is an aromatic tertiary amine compound. Specific examples of preferred compounds that can be used as hole transport materials are given below.

[화학식 22][Formula 22]

전자 수송층:Electron transport layer:

전자 수송층은, 전자 수송 재료를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송층은 단층이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송층은 복수의 층을 갖는다.The electron transport layer contains an electron transport material. In some embodiments, the electron transport layer is a single layer. In some embodiments, the electron transport layer has multiple layers.

몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는, 음극으로부터 주입된 전자를 발광층에 수송하는 기능만 있으면 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 또, 정공 장벽 재료로서도 기능한다. 본 발명에서 사용할 수 있는 전자 수송층의 예로서는, 한정되지 않지만, 나이트로 치환 플루오렌 유도체, 다이페닐퀴논 유도체, 싸이오피란다이옥사이드 유도체, 카보다이이미드, 플루오렌일리덴메테인 유도체, 안트라퀴노다이메테인, 안트론 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 아졸 유도체, 아진 유도체 또는 그 조합, 또는 그 폴리머를 들 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 싸이아다이아졸 유도체 또는 퀴녹살린 유도체이다. 몇 개의 실시형태에서는, 전자 수송 재료는 폴리머 재료이다. 이하에 전자 수송 재료로서 이용할 수 있는 바람직한 화합물의 구체예를 든다.In some embodiments, the electron transport material only needs to have the function of transporting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. In some embodiments, the electron transport material also functions as a hole barrier material. Examples of the electron transport layer that can be used in the present invention include, but are not limited to, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide, fluoreneylidenemethane derivatives, and anthraquinodimethane. , anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, azole derivatives, azine derivatives or combinations thereof, or polymers thereof. In some embodiments, the electron transport material is a thiadiazole derivative or quinoxaline derivative. In some embodiments, the electron transport material is a polymeric material. Specific examples of preferred compounds that can be used as electron transport materials are given below.

[화학식 23][Formula 23]

또한, 각 유기층에 첨가 가능한 재료로서 바람직한 화합물예를 든다. 예를 들면, 안정화 재료로서 첨가하는 것 등이 생각된다.Additionally, examples of compounds preferred as materials that can be added to each organic layer are given. For example, adding it as a stabilizing material is considered.

[화학식 24][Formula 24]

유기 일렉트로 루미네선스 소자에 이용할 수 있는 바람직한 재료를 구체적으로 예시했지만, 본 발명에 있어서 이용할 수 있는 재료는, 이하의 예시 화합물에 의하여 한정적으로 해석되는 경우는 없다. 또, 특정 기능을 갖는 재료로서 예시한 화합물이어도, 그 외의 기능을 갖는 재료로서 전용(轉用)하는 것도 가능하다.Although preferred materials that can be used in organic electroluminescence devices have been specifically exemplified, the materials that can be used in the present invention are not limited to the following exemplary compounds. Moreover, even if a compound is exemplified as a material with a specific function, it is also possible to divert it as a material with other functions.

디바이스:device:

몇 개의 실시형태에서는, 발광층은 디바이스 중에 포함된다. 예를 들면, 디바이스에는, OLED 밸브, OLED 램프, 텔레비전용 디스플레이, 컴퓨터용 모니터, 휴대 전화 및 태블릿이 포함되지만, 이들에 한정되지 않는다.In some embodiments, a light emitting layer is included in the device. For example, devices include, but are not limited to, OLED valves, OLED lamps, displays for televisions, monitors for computers, mobile phones, and tablets.

몇 개의 실시형태에서는, 전자 디바이스는, 양극, 음극, 및 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 갖는 OLED를 포함한다.In some embodiments, the electronic device includes an OLED having at least one organic layer comprising an anode, a cathode, and a light-emitting layer between the anode and the cathode.

몇 개의 실시형태에서는, 본원 명세서에 기재된 구성물은, OLED 또는 광전자 디바이스 등의, 다양한 감광성 또는 광활성화 디바이스에 포함될 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 구성물은 디바이스 내의 전하 이동 또는 에너지 이동의 촉진에, 및/또는 정공 수송 재료로서 유용할 수 있다. 상기 디바이스로서는, 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회선(OIC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터(O-TFT), 유기 발광 트랜지스터(O-LET), 유기 태양 전지(O-SC), 유기 광학 검출 장치, 유기 광 수용체, 유기 자장 ??칭(field-quench) 장치(O-FQD), 발광 연료 전지(LEC) 또는 유기 레이저 다이오드(O-레이저)를 들 수 있다.In some embodiments, the compositions described herein can be incorporated into various photosensitive or photoactivated devices, such as OLEDs or optoelectronic devices. In some embodiments, the constructs may be useful in facilitating charge transfer or energy transfer within a device, and/or as a hole transport material. Examples of the device include organic light-emitting diodes (OLEDs), organic integrated circuits (OICs), organic field-effect transistors (O-FETs), organic thin-film transistors (O-TFTs), organic light-emitting transistors (O-LETs), and organic light-emitting diodes (OLEDs). solar cells (O-SC), organic optical detection devices, organic photoreceptors, organic field-quench devices (O-FQDs), light-emitting fuel cells (LECs) or organic laser diodes (O-lasers). I can hear it.

밸브 또는 램프:Valve or lamp:

몇 개의 실시형태에서는, 전자 디바이스는, 양극, 음극, 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 OLED를 포함한다.In some embodiments, the electronic device includes an OLED comprising at least one organic layer comprising an anode, a cathode, and a light emitting layer between the anode and the cathode.

몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는 색채가 상이한 OLED를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는 OLED의 조합을 포함하는 어레이를 포함한다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 3색의 조합(예를 들면 RGB)이다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 적색도 녹색도 청색도 아닌 색(예를 들면 오렌지색 및 황녹색)의 조합이다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED의 상기 조합은, 2색, 4색 또는 그 이상의 색의 조합이다.In some embodiments, the device includes OLEDs with different colors. In some embodiments, the device includes an array comprising a combination of OLEDs. In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of three colors (e.g., RGB). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of colors that are neither red, green, nor blue (e.g., orange and yellow-green). In some embodiments, the combination of OLEDs is a combination of two, four, or more colors.

몇 개의 실시형태에서는, 디바이스는,In some embodiments, the device may:

장착면을 갖는 제1 면과 그와 반대의 제2 면을 갖고, 적어도 하나의 개구부를 획정(劃定)하는 회로 기판과,a circuit board having a first side having a mounting surface and a second side opposite thereto, and defining at least one opening;

상기 장착면 상의 적어도 하나의 OLED이며, 당해 적어도 하나의 OLED가, 양극, 음극, 및 당해 양극과 당해 음극의 사이의 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층을 포함하는, 발광하는 구성을 갖는 적어도 하나의 OLED와,At least one OLED on the mounting surface, wherein the at least one OLED has a light-emitting structure including at least one organic layer including an anode, a cathode, and a light-emitting layer between the anode and the cathode. With OLED,

회로 기판용의 하우징과,A housing for a circuit board,

상기 하우징의 단부(端部)에 배치된 적어도 하나의 커넥터이며, 상기 하우징 및 상기 커넥터가 조명 설비로의 장착에 적합한 패키지를 획정하는, 적어도 하나의 커넥터를 구비하는 OLED 라이트이다.An OLED light having at least one connector disposed at an end of the housing, wherein the housing and the connector define a package suitable for mounting into a lighting fixture.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 OLED 라이트는, 복수의 방향으로 광이 방사되도록 회로 기판에 장착된 복수의 OLED를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 제1 방향으로 발해진 일부의 광은 편광되어 제2 방향으로 방사된다. 몇 개의 실시형태에서는, 반사기를 이용하여 제1 방향으로 발해진 광을 편광한다.In some embodiments, the OLED light has multiple OLEDs mounted on a circuit board so that light radiates in multiple directions. In some embodiments, some of the light emitted in the first direction is polarized and radiated in the second direction. In some embodiments, a reflector is used to polarize light emitted in the first direction.

디스플레이 또는 스크린:Display or screen:

몇 개의 실시형태에서는, 본 발명의 발광층은 스크린 또는 디스플레이에 있어서 사용할 수 있다. 몇 개의 실시형태에서는, 본 발명에 관한 화합물은, 한정되지 않지만 진공 증발, 퇴적, 증착 또는 화학 증착(CVD) 등의 공정을 이용하여 기재 상으로 퇴적시킨다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 기재는, 독특한 애스펙트비의 픽셀을 제공하는 2면 에칭에 있어서 유용한 포토 플레이트 구조이다. 상기 스크린(또한 마스크라고도 불린다)은, OLED 디스플레이의 제조 공정에서 이용된다. 대응하는 아트 워크 패턴의 설계에 의하여, 수직 방향에서는 픽셀의 사이의 매우 가파르고 좁은 타이 바의, 및 수평 방향에서는 큰 광범위의 사각(斜角) 개구부의 배치를 가능하게 한다. 이로써, TFT 백 플레인 상으로의 화학 증착을 최적화하면서, 고해상도 디스플레이에 필요해지는 픽셀의 미세한 패턴 구성이 가능해진다.In some embodiments, the light emitting layer of the present invention can be used in screens or displays. In some embodiments, the compounds of the present invention are deposited onto a substrate using processes such as, but not limited to, vacuum evaporation, deposition, vapor deposition, or chemical vapor deposition (CVD). In some embodiments, the substrate is a photo plate structure useful in two-sided etching to provide pixels of unique aspect ratios. The screen (also called a mask) is used in the manufacturing process of OLED displays. The design of the corresponding artwork pattern makes it possible to place very steep and narrow tie bars between pixels in the vertical direction and large, wide rectangular openings in the horizontal direction. This allows for the fine patterning of pixels required for high-resolution displays while optimizing chemical vapor deposition on the TFT backplane.

픽셀의 내부 패터닝에 의하여, 수평 및 수직 방향에서의 다양한 애스펙트비의 3차원 픽셀 개구부를 구성하는 것이 가능해진다. 또한, 픽셀 영역 중 화상화된 "스트라이프" 또는 하프톤 원(圓)의 사용은, 이들 특정 패턴을 언더 컷하여 기재로부터 제거될 때까지, 특정 영역에 있어서의 에칭이 보호된다. 그때, 모든 픽셀 영역은 동일한 에칭 속도로 처리되지만, 그 깊이는 하프톤 패턴에 의하여 변화한다. 하프톤 패턴의 사이즈 및 간격을 변경함으로써, 픽셀 내에서의 보호율이 다양한 상이한 에칭이 가능해져, 가파른 수직 사각을 형성하는 데 필요한 국재화(局在化)된 깊은 에칭이 가능해진다.By internal patterning of pixels, it becomes possible to construct three-dimensional pixel openings of various aspect ratios in the horizontal and vertical directions. Additionally, the use of imaged "stripes" or halftone circles in pixel areas undercuts these specific patterns and protects them from etching in certain areas until they are removed from the substrate. Then, all pixel areas are processed at the same etch rate, but their depth varies by the halftone pattern. By varying the size and spacing of the halftone pattern, different etchings with varying degrees of protection within a pixel are possible, allowing for the localized deep etching needed to form steep vertical squares.

증착 마스크용의 바람직한 재료는 인바(invar)이다. 인바는, 제철소에서 긴 박형 시트상으로 냉연(冷延)된 금속 합금이다. 인바는, 니켈 마스크로서 스핀 맨드릴 상으로 전착할 수 없다. 증착용 마스크 내에 개구 영역을 형성하기 위한 적절하고 또한 저비용의 방법은, 습식 화학 에칭에 의한 방법이다.A preferred material for the deposition mask is invar. Invar is a metal alloy cold rolled into a long thin sheet at a steel mill. Invar cannot be electrodeposited onto a spin mandrel as a nickel mask. An appropriate and low-cost method for forming an opening region in a deposition mask is a method by wet chemical etching.

몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 기재 상의 픽셀 매트릭스이다. 몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 리소그래피(예를 들면 포토리소그래피 및 e빔 리소그래피)를 사용하여 가공된다. 몇 개의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 습식 화학 에칭을 사용하여 가공된다. 가일층의 실시형태에서는, 스크린 또는 디스플레이 패턴은, 플라즈마 에칭을 사용하여 가공된다.In some embodiments, the screen or display pattern is a matrix of pixels on a substrate. In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using lithography (eg, photolithography and e-beam lithography). In some embodiments, the screen or display pattern is fabricated using wet chemical etching. In a further embodiment, the screen or display pattern is processed using plasma etching.

디바이스의 제조 방법:Method of manufacturing the device:

OLED 디스플레이는, 일반적으로는, 대형의 마더 패널을 형성하고, 다음으로 당해 마더 패널을 셀 패널 단위로 절단함으로써 제조된다. 통상은, 마더 패널 상의 각 셀 패널은, 베이스 기재 상에, 활성층과 소스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하고, 상기 TFT에 평탄화 필름을 도포하여, 픽셀 전극, 발광층, 상대 전극 및 캡슐화층을 순서대로 경시적으로 형성하며, 상기 마더 패널로부터 절단함으로써 형성된다.OLED displays are generally manufactured by forming a large mother panel and then cutting the mother panel into cell panel units. Typically, for each cell panel on the mother panel, a thin film transistor (TFT) having an active layer and source/drain electrodes is formed on a base material, and a planarization film is applied to the TFT to form a pixel electrode, a light emitting layer, a counter electrode, and The encapsulation layer is formed sequentially over time and is formed by cutting from the mother panel.

본 발명의 다른 양태에서는, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이의 제조 방법을 제공하며, 당해 방법은,In another aspect of the present invention, a method for manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display is provided, the method comprising:

마더 패널의 베이스 기재 상에 장벽층을 형성하는 공정과,A process of forming a barrier layer on the base substrate of the mother panel,

상기 장벽층 상에, 셀 패널 단위로 복수의 디스플레이 유닛을 형성하는 공정과,A process of forming a plurality of display units on a cell panel basis on the barrier layer;

상기 셀 패널의 디스플레이 유닛의 각각의 위에 캡슐화층을 형성하는 공정과,A process of forming an encapsulation layer on each display unit of the cell panel;

상기 셀 패널 간의 인터페이스부에 유기 필름을 도포하는 공정을 포함한다.It includes a process of applying an organic film to the interface between the cell panels.

몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 예를 들면 SiNx로 형성된 무기 필름이며, 장벽층의 단부는 폴리이미드 또는 아크릴로 형성된 유기 필름으로 피복된다. 몇 개의 실시형태에서는, 유기 필름은, 마더 패널이 셀 패널 단위로 부드럽게 절단되도록 보조한다.In some embodiments, the barrier layer is an inorganic film formed, for example, of SiNx, and the ends of the barrier layer are covered with an organic film formed of polyimide or acrylic. In some embodiments, the organic film assists in smoothly cutting the mother panel into cell panel units.

몇 개의 실시형태에서는, 박막 트랜지스터(TFT)층은, 발광층과, 게이트 전극과, 소스/드레인 전극을 갖는다. 복수의 디스플레이 유닛의 각각은, 박막 트랜지스터(TFT)층과, TFT층 상에 형성된 평탄화 필름과, 평탄화 필름 상에 형성된 발광 유닛을 가져도 되고, 상기 인터페이스부에 도포된 유기 필름은, 상기 평탄화 필름의 재료와 동일한 재료로 형성되어, 상기 평탄화 필름의 형성과 동시에 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 발광 유닛은, 부동태화층과, 그 사이의 평탄화 필름과, 발광 유닛을 피복하여 보호하는 캡슐화층에 의하여 TFT층과 연결된다. 상기 제조 방법 중 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 디스플레이 유닛에도 캡슐화층에도 연결되지 않는다.In some embodiments, a thin film transistor (TFT) layer has a light emitting layer, a gate electrode, and source/drain electrodes. Each of the plurality of display units may have a thin film transistor (TFT) layer, a planarization film formed on the TFT layer, and a light emitting unit formed on the planarization film, and the organic film applied to the interface portion may be the planarization film. It is formed of the same material as the material of and is formed simultaneously with the formation of the flattening film. In some embodiments, the light emitting unit is connected to the TFT layer by a passivation layer, a planarizing film therebetween, and an encapsulation layer that covers and protects the light emitting unit. In some embodiments of the above manufacturing methods, the organic film is connected to neither the display unit nor the encapsulation layer.

상기 유기 필름과 평탄화 필름의 각각은, 폴리이미드 및 아크릴 중 어느 하나를 포함해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 장벽층은 무기 필름이어도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 베이스 기재는 폴리이미드로 형성되어도 된다. 상기 방법은 또한, 폴리이미드로 형성된 베이스 기재의 하나의 표면에 장벽층을 형성하기 전에, 당해 베이스 기재의 또 하나의 표면에 유리 재료로 형성된 캐리어 기재를 장착하는 공정과, 인터페이스부를 따른 절단 전에, 상기 캐리어 기재를 베이스 기재로부터 분리하는 공정을 포함해도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 OLED 디스플레이는 플렉시블한 디스플레이이다.Each of the organic film and the flattening film may contain either polyimide or acrylic. In some embodiments, the barrier layer may be an inorganic film. In some embodiments, the base substrate may be formed of polyimide. The method also includes the steps of mounting a carrier substrate formed of a glass material on another surface of the base substrate before forming a barrier layer on one surface of the base substrate formed of polyimide, and prior to cutting along the interface portion, A step of separating the carrier substrate from the base substrate may be included. In some embodiments, the OLED display is a flexible display.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 부동태화층은, TFT층의 피복을 위하여 TFT층 상에 배치된 유기 필름이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 평탄화 필름은, 부동태화층 상에 형성된 유기 필름이다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 평탄화 필름은, 장벽층의 단부에 형성된 유기 필름과 동일하게, 폴리이미드 또는 아크릴로 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, OLED 디스플레이의 제조 시, 상기 평탄화 필름 및 유기 필름은 동시에 형성된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 장벽층의 단부에 형성되어도 되고, 그로써, 당해 유기 필름의 일부가 직접 베이스 기재와 접촉하며, 당해 유기 필름의 나머지 부분이, 장벽층의 단부를 둘러싸면서, 장벽층과 접촉한다.In some embodiments, the passivation layer is an organic film disposed on the TFT layer to cover the TFT layer. In some embodiments, the planarizing film is an organic film formed on a passivation layer. In some embodiments, the planarizing film is formed of polyimide or acrylic, just like the organic film formed at the end of the barrier layer. In some embodiments, when manufacturing an OLED display, the planarization film and the organic film are formed simultaneously. In some embodiments, the organic film may be formed at an end of the barrier layer, such that a portion of the organic film is in direct contact with the base substrate and the remaining portion of the organic film surrounds the end of the barrier layer. , in contact with the barrier layer.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 발광층은, 픽셀 전극과, 상대 전극과, 당해 픽셀 전극과 당해 상대 전극의 사이에 배치된 유기 발광층을 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 픽셀 전극은, TFT층의 소스/드레인 전극에 연결되어 있다.In some embodiments, the light-emitting layer has a pixel electrode, a counter electrode, and an organic light-emitting layer disposed between the pixel electrode and the counter electrode. In some embodiments, the pixel electrode is connected to the source/drain electrode of the TFT layer.

몇 개의 실시형태에서는, TFT층을 통하여 픽셀 전극에 전압이 인가될 때, 픽셀 전극과 상대 전극의 사이에 적절한 전압이 형성되며, 그로써 유기 발광층이 광을 방사하여, 그로써 화상이 형성된다. 이하, TFT층과 발광 유닛을 갖는 화상 형성 유닛을, 디스플레이 유닛이라고 칭한다.In some embodiments, when a voltage is applied to the pixel electrode through the TFT layer, an appropriate voltage is formed between the pixel electrode and the counter electrode, thereby causing the organic light emitting layer to emit light, thereby forming an image. Hereinafter, the image forming unit having a TFT layer and a light emitting unit is referred to as a display unit.

몇 개의 실시형태에서는, 디스플레이 유닛을 피복하여, 외부의 수분의 침투를 방지하는 캡슐화층은, 유기 필름과 무기 필름이 교대로 적층되는 박막상의 캡슐화 구조로 형성되어도 된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 캡슐화층은, 복수의 박막이 적층된 박막상 캡슐화 구조를 갖는다. 몇 개의 실시형태에서는, 인터페이스부에 도포되는 유기 필름은, 복수의 디스플레이 유닛의 각각과 간격을 두고 배치된다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 유기 필름은, 일부의 유기 필름이 직접 베이스 기재와 접촉하며, 유기 필름의 나머지 부분이 장벽층의 단부를 둘러싸는 한편 장벽층과 접촉하는 양태로 형성된다.In some embodiments, the encapsulation layer that covers the display unit and prevents penetration of external moisture may be formed as a thin film-like encapsulation structure in which organic films and inorganic films are alternately laminated. In some embodiments, the encapsulation layer has a thin film-like encapsulation structure in which a plurality of thin films are stacked. In some embodiments, the organic film applied to the interface portion is arranged at intervals from each of the plurality of display units. In some embodiments, the organic film is formed such that a portion of the organic film is directly in contact with the base substrate and the remaining portion of the organic film is in contact with the barrier layer while surrounding an end of the barrier layer.

일 실시형태에서는, OLED 디스플레이는 플렉시블이며, 폴리이미드로 형성된 유연한 베이스 기재를 사용한다. 몇 개의 실시형태에서는, 상기 베이스 기재는 유리 재료로 형성된 캐리어 기재 상에 형성되고, 다음으로 당해 캐리어 기재가 분리된다.In one embodiment, the OLED display is flexible and uses a flexible base substrate formed of polyimide. In some embodiments, the base substrate is formed on a carrier substrate formed of a glass material, and the carrier substrate is then separated.

몇 개의 실시형태에서는, 장벽층은, 캐리어 기재의 반대 측의 베이스 기재의 표면에 형성된다. 일 실시형태에서는, 상기 장벽층은, 각 셀 패널의 사이즈에 따라 패턴화된다. 예를 들면, 베이스 기재가 마더 패널의 모든 표면 상에 형성되는 한편, 장벽층이 각 셀 패널의 사이즈에 따라 형성되고, 그로써, 셀 패널의 장벽층의 사이의 인터페이스부에 홈이 형성된다. 각 셀 패널은, 상기 홈을 따라 절단할 수 있다.In some embodiments, the barrier layer is formed on the surface of the base substrate opposite the carrier substrate. In one embodiment, the barrier layer is patterned according to the size of each cell panel. For example, a base substrate is formed on all surfaces of the mother panel, while a barrier layer is formed according to the size of each cell panel, thereby forming a groove at the interface between the barrier layers of the cell panels. Each cell panel can be cut along the groove.

몇 개의 실시형태에서는, 상기의 제조 방법은, 추가로 인터페이스부를 따라 절단하는 공정을 포함하고, 거기에는 홈이 장벽층에 형성되며, 적어도 일부의 유기 필름이 홈에서 형성되어, 당해 홈이 베이스 기재에 침투하지 않는다. 몇 개의 실시형태에서는, 각 셀 패널의 TFT층이 형성되며, 무기 필름인 부동태화층과 유기 필름인 평탄화 필름이, TFT층 상에 배치되어, TFT층을 피복한다. 예를 들면 폴리이미드 또는 아크릴제의 평탄화 필름이 형성됨과 동시에, 인터페이스부의 홈은, 예를 들면 폴리이미드 또는 아크릴제의 유기 필름으로 피복된다. 이것은, 각 셀 패널이 인터페이스부에서 홈을 따라 절단될 때, 발생한 충격을 유기 필름에 흡수시킴으로써 금이 발생하는 것을 방지한다. 즉, 모든 장벽층이 유기 필름 없이 완전히 노출되어 있는 경우, 각 셀 패널이 인터페이스부에서 홈을 따라 절단될 때, 발생한 충격이 장벽층에 전달되며, 그로써 금이 발생하는 리스크가 증가한다. 그러나, 일 실시형태에서는, 장벽층 간의 인터페이스부의 홈이 유기 필름으로 피복되어, 유기 필름이 없으면 장벽층에 전달될 수 있는 충격을 흡수하기 위하여, 각 셀 패널을 소프트하게 절단하여, 장벽층에서 금이 발생하는 것을 방지해도 된다. 일 실시형태에서는, 인터페이스부의 홈을 피복하는 유기 필름 및 평탄화 필름은, 서로 간격을 두고 배치된다. 예를 들면, 유기 필름 및 평탄화 필름이 하나의 층으로서 서로 접속되어 있는 경우에는, 평탄화 필름과 유기 필름이 남아 있는 부분을 통하여 디스플레이 유닛에 외부의 수분이 침입할 우려가 있기 때문에, 유기 필름 및 평탄화 필름은, 유기 필름이 디스플레이 유닛으로부터 간격을 두고 배치되도록, 서로 간격을 두고 배치된다.In some embodiments, the above manufacturing method further includes a step of cutting along the interface portion, wherein a groove is formed in the barrier layer, at least a portion of the organic film is formed in the groove, and the groove is formed in the base substrate. does not penetrate into In some embodiments, the TFT layer of each cell panel is formed, and a passivation layer, which is an inorganic film, and a planarizing film, which is an organic film, are disposed on the TFT layer and cover the TFT layer. At the same time that a flattening film made of, for example, polyimide or acrylic is formed, the groove of the interface portion is covered with an organic film, for example, made of polyimide or acrylic. This prevents cracks from occurring by allowing the organic film to absorb the impact generated when each cell panel is cut along the groove at the interface portion. That is, when all barrier layers are completely exposed without organic films, the impact generated when each cell panel is cut along the groove at the interface portion is transmitted to the barrier layer, thereby increasing the risk of cracks occurring. However, in one embodiment, the grooves of the interface portion between the barrier layers are covered with an organic film, and in order to absorb the shock that would be transmitted to the barrier layer without the organic film, each cell panel is gently cut to form a crack in the barrier layer. You can prevent this from happening. In one embodiment, the organic film and the planarization film covering the groove of the interface portion are arranged at intervals from each other. For example, when the organic film and the planarizing film are connected to each other as one layer, there is a risk of external moisture entering the display unit through the remaining portion of the organic film and the planarizing film. The films are spaced apart from each other such that the organic films are spaced apart from the display unit.

몇 개의 실시형태에서는, 디스플레이 유닛은, 발광 유닛의 형성에 의하여 형성되며, 캡슐화층은, 디스플레이 유닛을 피복하기 위하여 디스플레이 유닛 상에 배치된다. 이로써, 마더 패널이 완전히 제조된 후, 베이스 기재를 담지하는 캐리어 기재가 베이스 기재로부터 분리된다. 몇 개의 실시형태에서는, 레이저 광선이 캐리어 기재로 방사되면, 캐리어 기재는, 캐리어 기재와 베이스 기재의 사이의 열팽창률의 상위(相違)에 의하여, 베이스 기재로부터 분리된다.In some embodiments, the display unit is formed by forming a light emitting unit, and an encapsulation layer is disposed on the display unit to cover the display unit. Accordingly, after the mother panel is completely manufactured, the carrier substrate supporting the base substrate is separated from the base substrate. In some embodiments, when a laser beam is irradiated to the carrier substrate, the carrier substrate is separated from the base substrate due to a difference in thermal expansion coefficient between the carrier substrate and the base substrate.

몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널은, 셀 패널 단위로 절단된다. 몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널은, 커터를 이용하여 셀 패널 간의 인터페이스부를 따라 절단된다. 몇 개의 실시형태에서는, 마더 패널이 따라 절단되는 인터페이스부의 홈이 유기 필름으로 피복되어 있기 때문에, 절단 동안, 당해 유기 필름이 충격을 흡수한다. 몇 개의 실시형태에서는, 절단 동안, 장벽층에서 금이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In some embodiments, the mother panel is cut in cell panel units. In some embodiments, the mother panel is cut along the interface between cell panels using a cutter. In some embodiments, the groove of the interface portion along which the mother panel is cut is covered with an organic film, so that the organic film absorbs shock during cutting. In some embodiments, cracking can be prevented in the barrier layer during cutting.

몇 개의 실시형태에서는, 상기 방법은 제품의 불량률을 감소시켜, 그 품질을 안정시킨다.In some embodiments, the method reduces the defect rate of the product and stabilizes its quality.

다른 양태는, 베이스 기재 상에 형성된 장벽층과, 장벽층 상에 형성된 디스플레이 유닛과, 디스플레이 유닛 상에 형성된 캡슐화층과, 장벽층의 단부에 도포된 유기 필름을 갖는 OLED 디스플레이이다.Another aspect is an OLED display having a barrier layer formed on a base substrate, a display unit formed on the barrier layer, an encapsulation layer formed on the display unit, and an organic film applied to an end of the barrier layer.

실시예Example

이하에 합성예와 실시예를 들어 본 발명의 특징을 더 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 재료, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의하여 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다. 또한, 발광 특성의 평가는, 소스 미터(키슬리사제: 2400시리즈), 반도체 파라미터·애널라이저(애질런트·테크놀로지사제: E5273A), 광 파워미터 측정 장치(뉴 포트사제: 1930C), 광학 분광기(오션 옵틱스사제: USB2000), 분광 방사계(톱콘사제: SR-3) 및 스트리크 카메라(하마마쓰 포토닉스(주)제 C4334형)를 이용하여 행했다. 또, HOMO와 LUMO의 에너지의 측정은 대기 중 광전자 분광법(리켄 게키사제 AC-3 등)에 의하여 행했다.The features of the present invention will be described in more detail below with reference to synthesis examples and examples. The materials, processing contents, processing procedures, etc. shown below can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the scope of the present invention should not be construed as limited by the specific examples shown below. In addition, evaluation of luminescence characteristics was performed using a source meter (2400 series, manufactured by Keithley), a semiconductor parameter analyzer (E5273A, manufactured by Agilent Technologies), an optical power meter measurement device (1930C, manufactured by Newport), and an optical spectrometer (Ocean Optics). This was carried out using a spectroradiometer (SR-3 manufactured by Topcon) and a streak camera (C4334 type manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.). In addition, the energy of HOMO and LUMO was measured by photoelectron spectroscopy (AC-3, manufactured by Riken Geki, etc.) in air.

이하의 합성예에 있어서, 일반식 (1)에 포함되는 화합물을 합성했다.In the following synthesis examples, compounds included in general formula (1) were synthesized.

(합성예 1)(Synthesis Example 1)

[화학식 25][Formula 25]

중간체 aintermediate a

질소 기류하, 2-플루오로-9,10-페난트렌퀴논(3.85g, 17.0mmol)과 사이안화 칼륨(0.055g, 0.85mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(10mL)을 30분간 교반하고, 트라이메틸실릴사이아나이드(6.4mL, 51.0mmol)를 더하여, 실온하, 3시간 교반했다. 그 후, 드라이아세토나이트릴(60mL) 및 삼브로민화 인(2.4mL, 25.5mmol)을 더하고, 50℃로 승온하여, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 암모니아수를 더하여 ??칭하며, 다이클로로메테인에 의하여 추출, 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하여, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 a(2.10g, 8.6mmol, 수율 51%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (10 mL) of 2-fluoro-9,10-phenanthrenequinone (3.85 g, 17.0 mmol) and potassium cyanide (0.055 g, 0.85 mmol) was stirred for 30 minutes, and then stirred for 30 minutes. Methylsilyl cyanide (6.4 mL, 51.0 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After that, dry acetonitrile (60 mL) and phosphorus tribromide (2.4 mL, 25.5 mmol) were added, the temperature was raised to 50°C, and the mixture was stirred overnight. This mixture was returned to room temperature, aqueous ammonia was added, quenched, extracted with dichloromethane, and dried with anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate a (2.10 g, 8.6 mmol, yield 51%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.77(dd, J=9.6, 4.8Hz, 1H), 8.69(d, J=8.4, 1H), 8.40(d, J=7.6Hz, 1H), 8.04(dd, J=8.4, 2.0Hz, 1H), 7.96-7.92(m, 1H), 7.87-7.83(m, 1H), 7.69-7.64(m, 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.77(dd, J=9.6, 4.8Hz, 1H), 8.69(d, J=8.4, 1H), 8.40(d, J=7.6Hz, 1H), 8.04( dd, J=8.4, 2.0Hz, 1H), 7.96-7.92(m, 1H), 7.87-7.83(m, 1H), 7.69-7.64(m, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 246.06, 관측값 247.98.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 246.06, observed value 247.98.

화합물 15Compound 15

질소 기류하, 5H-벤조플로[3,2-c]카바졸(1.01g, 4.0mmol)과 탄산 칼륨(0.69g, 5.0mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(40mL)에, 중간체 a(0.5g, 2.0mmol)를 더하여, 150℃ 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 15(0.42g, 0.86mmol, 수율 43%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, intermediate a (0.5 g) was added to a dimethylformamide solution (40 mL) of 5H-benzofluo[3,2-c]carbazole (1.01 g, 4.0 mmol) and potassium carbonate (0.69 g, 5.0 mmol). , 2.0 mmol) was added and stirred at 150°C overnight. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 15 (0.42 g, 0.86 mmol, yield 43%).

1H NMR(400MHz,CDCl3)δ9.00(d, J=8.8Hz, 1H), 8.82(d, J=8.4Hz, 1H), 8.68(d, J=2.0Hz, 1H), 8.61-8.59(m, 1H), 8.46(d, J=8.4Hz, 1H), 8.21(dd, J=9.6, 2.0Hz, 1H), 8.03-7.90(m, 4H), 7.75(d, J=8.4Hz, 1H), 7.56-7.45(m, 5H), 7.40(t, J=7.6Hz, 1H). 1H NMR(400MHz, CDCl 3 )δ9.00(d, J=8.8Hz, 1H), 8.82(d, J=8.4Hz, 1H), 8.68(d, J=2.0Hz, 1H), 8.61-8.59 (m, 1H), 8.46(d, J=8.4Hz, 1H), 8.21(dd, J=9.6, 2.0Hz, 1H), 8.03-7.90(m, 4H), 7.75(d, J=8.4Hz, 1H), 7.56-7.45(m, 5H), 7.40(t, J=7.6Hz, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 483.14, 관측값 484.13.ASAP mass spectral analysis: theoretical 483.14, observed 484.13.

화합물 185Compound 185

질소 기류하, 7H-비스벤조플로[3,2-c:2',3'-g]카바졸(0.83g, 2.4mmol)과 탄산 칼륨(0.55g, 4.0mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(50mL)에, 중간체 a(0.5g, 2.0mmol)를 더하여, 150℃, 5시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 185(0.76g, 1.3mmol, 수율 67%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution of 7H-bisbenzoflu[3,2-c:2',3'-g]carbazole (0.83 g, 2.4 mmol) and potassium carbonate (0.55 g, 4.0 mmol) ( 50 mL), intermediate a (0.5 g, 2.0 mmol) was added, and the mixture was stirred at 150°C for 5 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 185 (0.76 g, 1.3 mmol, yield 67%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ9.06(d, J=8.8Hz, 1H), 8.86(d, J=8.0Hz, 1H), 8.75(d, J=2.4Hz, 1H), 8.49(dd, J=8.4, 2.0Hz, 1H), 8.25(dd, J=8.8, 2.0Hz, 1H), 8.06-8.02(m, 5H), 7.97-7.93(m, 3H), 7.55-7.41(m, 6H). 1H NMR (400MHz, DMSO) δ9.06(d, J=8.8Hz, 1H), 8.86(d, J=8.0Hz, 1H), 8.75(d, J=2.4Hz, 1H), 8.49(dd, J=8.4, 2.0Hz, 1H), 8.25(dd, J=8.8, 2.0Hz, 1H), 8.06-8.02(m, 5H), 7.97-7.93(m, 3H), 7.55-7.41(m, 6H) .

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 573.15, 관측값 574.26ASAP mass spectral analysis: theoretical value 573.15, observed value 574.26

(합성예 2)(Synthesis Example 2)

[화학식 26][Formula 26]

중간체 bintermediate b

질소 기류하, 3-플루오로-9,10-페난트렌퀴논(2.19g, 9.7mmol)과 사이안화 칼륨(0.031g, 0.48mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(5mL)을 30분간 교반하고, 트라이메틸실릴사이아나이드(3.6mL, 29.1mmol)를 더하여, 실온하, 3시간 교반했다. 그 후, 드라이아세토나이트릴(30mL) 및 삼브로민화 인(1.4mL, 14.5mmol)을 더하고, 50℃로 승온하여, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 암모니아수를 더하여 ??칭하며, 다이클로로메테인에 의하여 추출, 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하고, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 b(0.88g, 3.6mmol, 수율 37%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (5 mL) of 3-fluoro-9,10-phenanthrenequinone (2.19 g, 9.7 mmol) and potassium cyanide (0.031 g, 0.48 mmol) was stirred for 30 minutes, and then stirred for 30 minutes. Methylsilyl cyanide (3.6 mL, 29.1 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After that, dry acetonitrile (30 mL) and phosphorus tribromide (1.4 mL, 14.5 mmol) were added, the temperature was raised to 50°C, and the mixture was stirred overnight. This mixture was returned to room temperature, aqueous ammonia was added, quenched, extracted with dichloromethane, and dried with anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate b (0.88 g, 3.6 mmol, yield 37%).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 246.06, 관측값 247.76.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 246.06, observed value 247.76.

화합물 632Compound 632

질소 기류하, 7H-비스벤조플로[3,2-c:2',3'-g]카바졸(1.0g, 2.8mmol)과 탄산 칼륨(0.67g, 4.8mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(50mL)에, 중간체 b(0.6g, 2.4mmol)를 더하여, 150℃, 5시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 632(0.77g, 1.3mmol, 수율 55%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution of 7H-bisbenzoflu[3,2-c:2',3'-g]carbazole (1.0 g, 2.8 mmol) and potassium carbonate (0.67 g, 4.8 mmol) ( 50 mL), intermediate b (0.6 g, 2.4 mmol) was added, and stirred at 150°C for 5 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 632 (0.77 g, 1.3 mmol, yield 55%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ9.43(d, J=9.2Hz, 1H), 9.21(d, J=8.0Hz, 1H), 8.58(d, J=2.0Hz, 1H), 8.44(dd, J=9.2, 2.4Hz, 1H), 8.37(dd, J=8.4, 1.2Hz, 1H), 8.28(d, J=8.4Hz, 2H), 8.22-8.21(m, 2H), 8.15-8.11(m, 1H), 8.07-8.04(m, 1H), 7.99-7.96(m, 2H), 7.64-7.54(m, 4H), 7.48-7.44(m, 2H). 1H NMR (400MHz, DMSO) δ9.43(d, J=9.2Hz, 1H), 9.21(d, J=8.0Hz, 1H), 8.58(d, J=2.0Hz, 1H), 8.44(dd, J=9.2, 2.4Hz, 1H), 8.37(dd, J=8.4, 1.2Hz, 1H), 8.28(d, J=8.4Hz, 2H), 8.22-8.21(m, 2H), 8.15-8.11(m) , 1H), 8.07-8.04(m, 1H), 7.99-7.96(m, 2H), 7.64-7.54(m, 4H), 7.48-7.44(m, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 573.15, 관측값 574.24ASAP mass spectral analysis: theoretical value 573.15, observed value 574.24

화합물 894Compound 894

질소 기류하, 10,15-다이하이드로-15-페닐-벤조플로[3,2-a]인돌로[3,2-c]카바졸(0.55g, 1.32mmol)과 탄산 칼륨(0.31g, 2.2mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(50mL)에, 중간체 b(0.28g, 1.1mmol)를 더하여, 150℃, 6시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 894(0.26g, 0.41mmol, 수율 37%)를 얻었다.Under nitrogen flow, 10,15-dihydro-15-phenyl-benzofluo[3,2-a]indolo[3,2-c]carbazole (0.55 g, 1.32 mmol) and potassium carbonate (0.31 g, 2.2 mmol) mmol), intermediate b (0.28 g, 1.1 mmol) was added to the dimethylformamide solution (50 mL), and the mixture was stirred at 150°C for 6 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 894 (0.26 g, 0.41 mmol, yield 37%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ9.20(d, J=2.0Hz, 1H), 8.60-8.58(m, 1H), 8.35-8.15(m, 5H), 7.95-7.93(m, 1H), 7.87-7.82(m, 2H), 7.74-7.67(m, 5H), 7.63-7.59(m, 2H), 7.48-7.39(m, 3H), 7.28(d, J=8.4Hz, 1H), 7.07-7.03(m, 1H), 6.82-6.78(m, 1H), 6.23(d, J=8.4Hz, 1H). 1H NMR (400MHz, DMSO) δ9.20(d, J=2.0Hz, 1H), 8.60-8.58(m, 1H), 8.35-8.15(m, 5H), 7.95-7.93(m, 1H), 7.87 -7.82(m, 2H), 7.74-7.67(m, 5H), 7.63-7.59(m, 2H), 7.48-7.39(m, 3H), 7.28(d, J=8.4Hz, 1H), 7.07-7.03 (m, 1H), 6.82-6.78(m, 1H), 6.23(d, J=8.4Hz, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 648.20, 관측값 649.64ASAP mass spectral analysis: theoretical value 648.20, observed value 649.64

(합성예 3)(Synthesis Example 3)

[화학식 27][Formula 27]

중간체 cintermediate c

질소 기류하, 2,7-플루오로-9,10-페난트렌퀴논(3.1g, 12.7mmol)과 사이안화 칼륨(0.04g, 0.63mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(12mL)을 30분간 교반하고, 트라이메틸실릴사이아나이드(4.77mL, 38.1mmol)를 더하여, 실온하, 3시간 교반했다. 그 후, 드라이아세토나이트릴(72mL) 및 삼브로민화 인(1.5mL, 15.2mmol)을 더하고, 50℃로 승온하여, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 암모니아수를 더하여 ??칭하며, 다이클로로메테인에 의하여 추출하여 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하고, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 c(0.71g, 2.68mmol, 수율 21%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (12 mL) of 2,7-fluoro-9,10-phenanthrenequinone (3.1 g, 12.7 mmol) and potassium cyanide (0.04 g, 0.63 mmol) was stirred for 30 minutes. , trimethylsilyl cyanide (4.77 mL, 38.1 mmol) was added, and stirred at room temperature for 3 hours. After that, dry acetonitrile (72 mL) and phosphorus tribromide (1.5 mL, 15.2 mmol) were added, the temperature was raised to 50°C, and the mixture was stirred overnight. This mixture was returned to room temperature, aqueous ammonia was added, quenched, extracted with dichloromethane, and dried over anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate c (0.71 g, 2.68 mmol, yield 21%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.70(dd, J=9.2, 4.8Hz, 2H), 8.05(dd, J=8.8, 2.8Hz, 2H), 7.71-7.67(m, 2H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.70(dd, J=9.2, 4.8Hz, 2H), 8.05(dd, J=8.8, 2.8Hz, 2H), 7.71-7.67(m, 2H)

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 246.05, 관측값 264.02.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 246.05, observed value 264.02.

화합물 21949Compound 21949

질소 기류하, 12H-[1]벤조티에노[2,3-a]카바졸(1.0g, 3.78mmol)과 탄산 칼륨(1.04g, 7.55mmol)의 나이트로벤젠 용액(16mL)에, 중간체 c(0.4g, 1.51mmol)를 더하여, 195℃, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 헥세인을 더하여, 석출한 고체를 여과하여, 헥세인 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 21949(0.12g, 0.16mmol, 수율 11%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, intermediate c was added to a nitrobenzene solution (16 mL) of 12H-[1]benzothieno[2,3-a]carbazole (1.0 g, 3.78 mmol) and potassium carbonate (1.04 g, 7.55 mmol). (0.4g, 1.51mmol) was added and stirred at 195°C overnight. This mixture was returned to room temperature, hexane was added, and the precipitated solid was filtered and washed with hexane. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 21949 (0.12 g, 0.16 mmol, yield 11%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ9.19(d, J=8.8Hz, 2H), 8.76(d, J=2.0Hz, 2H), 8.37-8.25(m, 8H), 8.53-7.46(m, 5H), 8.45-7.40(m, 5H), 7.17-7.14(m, 4H). 1H NMR (400MHz, DMSO) δ9.19(d, J=8.8Hz, 2H), 8.76(d, J=2.0Hz, 2H), 8.37-8.25(m, 8H), 8.53-7.46(m, 5H) ), 8.45-7.40(m, 5H), 7.17-7.14(m, 4H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 770.16, 관측값 771.42.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 770.16, observed value 771.42.

화합물 34941Compound 34941

질소 기류하, 5,12-다이하이드로-12-페닐인돌로[3,2-a]카바졸(3.1g, 9.46mmol)과 탄산 세슘(6.0g, 18.5mmol)의 나이트로벤젠 용액(40mL)에, 중간체 c(1.0g, 3.7mmol)를 더하여, 195℃, 1시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 헥세인을 더하여, 석출한 고체를 여과하여, 헥세인 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 34941(0.77g, 0.86mmol, 수율 23%)을 얻었다.Nitrobenzene solution (40 mL) of 5,12-dihydro-12-phenylindolo[3,2-a]carbazole (3.1 g, 9.46 mmol) and cesium carbonate (6.0 g, 18.5 mmol) under nitrogen flow. Intermediate c (1.0 g, 3.7 mmol) was added and stirred at 195°C for 1 hour. This mixture was returned to room temperature, hexane was added, and the precipitated solid was filtered and washed with hexane. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 34941 (0.77 g, 0.86 mmol, yield 23%).

1H NMR(400MHz,DMSO)δ9.49(d, J=9.2Hz, 2H), 8.50(d, J=2.0Hz, 2H), 8.41(dd, J=8.4, 1.6Hz, 2H), 8.34(d, J=8.4Hz, 2H), 8.23(d, J=7.6Hz, 2H), 7.74-7.66(m, 10H), 7.51-7.47(m, 4H), 7.38-7.23(m, 8H), 6.79(t, J=4.4Hz, 2H), 5.87(d, J=8.4Hz, 2H). 1 H NMR (400MHz, DMSO) δ9.49(d, J=9.2Hz, 2H), 8.50(d, J=2.0Hz, 2H), 8.41(dd, J=8.4, 1.6Hz, 2H), 8.34( d, J=8.4Hz, 2H), 8.23(d, J=7.6Hz, 2H), 7.74-7.66(m, 10H), 7.51-7.47(m, 4H), 7.38-7.23(m, 8H), 6.79 (t, J=4.4Hz, 2H), 5.87(d, J=8.4Hz, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 888.30, 관측값 890.40.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 888.30, observed value 890.40.

화합물 35837Compound 35837

질소 기류하, 5,7-다이하이드로-5-페닐인돌로[2,3-b]카바졸(0.2g, 0.6mmol)과 탄산 칼륨(0.19g, 1.35mmol)의 나이트로벤젠 용액(3mL)에, 중간체 c(0.072g, 0.27mmol)를 더하여, 195℃, 1시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 헥세인을 더하여, 석출한 고체를 여과하여, 헥세인 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 35837(0.11g, 0.12mmol, 수율 45%)을 얻었다.Nitrobenzene solution (3 mL) of 5,7-dihydro-5-phenylindolo[2,3-b]carbazole (0.2 g, 0.6 mmol) and potassium carbonate (0.19 g, 1.35 mmol) under nitrogen stream. Intermediate c (0.072 g, 0.27 mmol) was added and stirred at 195°C for 1 hour. This mixture was returned to room temperature, hexane was added, and the precipitated solid was filtered and washed with hexane. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 35837 (0.11 g, 0.12 mmol, yield 45%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ8.83-8.80(m, 4H), 8.69(d, J=2.0Hz, 2H), 8.25(d, J=7.6Hz, 4H), 8.18(dd, J=8.8, 2.0Hz, 2H), 7.67-7.60(m, 8H), 7.51-7.31 1 H NMR (400MHz, DMSO) δ8.83-8.80 (m, 4H), 8.69 (d, J = 2.0Hz, 2H), 8.25 (d, J = 7.6Hz, 4H), 8.18 (dd, J = 8.8 , 2.0Hz, 2H), 7.67-7.60(m, 8H), 7.51-7.31

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 888.30, 관측값 889.56.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 888.30, observed value 889.56.

화합물 8061Compound 8061

질소 기류하, 5H-벤조플로[3,2-c]카바졸(0.285g, 1.2mmol)과 탄산 칼륨(0.15g, 1.2mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(10mL)에, 중간체 c(0.1g, 0.37mmol)를 더하여, 150℃, 2시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 8061(0.14g, 0.19mmol, 수율 51%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, intermediate c (0.1 g) was added to a dimethylformamide solution (10 mL) of 5H-benzofluo[3,2-c]carbazole (0.285 g, 1.2 mmol) and potassium carbonate (0.15 g, 1.2 mmol). , 0.37 mmol) was added and stirred at 150°C for 2 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 8061 (0.14 g, 0.19 mmol, yield 51%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ9.36(d, J=8.0Hz, 1H), 9.28(s, 1H), 8.49-8.39(m, 4H), 8.21-8.15(m, 4H), 8.05-8.03(m, 2H), 8.87-7.85(m, 2H), 7.66-7.43(m, 12H). 1H NMR (400MHz, DMSO) δ9.36(d, J=8.0Hz, 1H), 9.28(s, 1H), 8.49-8.39(m, 4H), 8.21-8.15(m, 4H), 8.05-8.03 (m, 2H), 8.87-7.85(m, 2H), 7.66-7.43(m, 12H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 738.21, 관측값 739.25ASAP mass spectral analysis: theoretical value 738.21, observed value 739.25

(합성예 4)(Synthesis Example 4)

[화학식 28][Formula 28]

중간체 dintermediate d

질소 기류하, 2-플루오로-5-폼일벤조나이트릴(4.3g, 19.0mmol), 구리 분말(2.9g, 47.5mmol), 2-싸이오펜카복실산 구리(I)(0.9g, 4.75mmol)의 다이메틸설폭사이드 용액(100mL)을 50℃, 밤새 교반했다. 그 후, 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 아세트산 에틸에 의하여 추출, 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하고, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 d(2.36g, 7.7mmol, 수율 82%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, 2-fluoro-5-formylbenzonitrile (4.3g, 19.0mmol), copper powder (2.9g, 47.5mmol), and copper(I) 2-thiophenecarboxylic acid (0.9g, 4.75mmol) Dimethyl sulfoxide solution (100 mL) was stirred at 50°C overnight. Afterwards, the mixture was returned to room temperature, water was added, quenched, extracted with ethyl acetate, and dried over anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate d (2.36 g, 7.7 mmol, yield 82%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.76(s, 2H), 8.26(d, J=6.4Hz, 2H), 7.16(d, J=8.8Hz, 2H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.76(s, 2H), 8.26(d, J=6.4Hz, 2H), 7.16(d, J=8.8Hz, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 296.04, 관측값 297.18.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 296.04, observed value 297.18.

중간체 eintermediate e

질소 기류하, 중간체 d(2.3g, 7.7mmol)와 p-톨루엔설폰일하이드라자이드(2.9g, 15.8mmol)의 톨루엔 용액(70mL)을 60℃, 30분 교반하고, 톨루엔(150mL)을 더하여 실온으로 되돌렸다. 그 후, 이 반응물에 4ÅMS(2.3g), 리튬 tert-뷰톡사이드(1.8g, 23.1mmol), 로듐(II) 아세테이트(다이머)(0.05g, 0.11mmol), 톨루엔(180mL)을 더하여 90℃, 2시간 교반했다. 그 후, 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 실리카젤에 의한 쇼트 칼럼(아세트산 에틸)을 행하여, 조(粗) 생성물을 얻었다. 이것을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 e(1.84g, 6.97mmol, 수율 91%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a toluene solution (70 mL) of intermediate d (2.3 g, 7.7 mmol) and p-toluenesulfonylhydrazide (2.9 g, 15.8 mmol) was stirred at 60°C for 30 minutes, and toluene (150 mL) was added. Returned to room temperature. Afterwards, 4ÅMS (2.3g), lithium tert-butoxide (1.8g, 23.1mmol), rhodium(II) acetate (dimer) (0.05g, 0.11mmol), and toluene (180mL) were added to this reaction, and incubated at 90°C. Stirred for 2 hours. Afterwards, this mixture was returned to room temperature, and a short column using silica gel (ethyl acetate) was performed to obtain a crude product. This was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate e (1.84 g, 6.97 mmol, yield 91%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.30-8.27(m, 4H), 7.81(s, 2H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.30-8.27(m, 4H), 7.81(s, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 264.05, 관측값 265.02.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 264.05, observed value 265.02.

화합물 434559Compound 434559

질소 기류하, 5,12-다이하이드로-12-페닐인돌로[3,2-a]카바졸(1.4g, 4.18mmol)과 탄산 칼륨(0.78g, 5.7mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(50mL)에, 중간체 e(0.5g, 1.9mmol)를 더하여, 150℃, 1시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 434559(1.57g, 1.76mmol, 수율 92%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (50 mL) of 5,12-dihydro-12-phenylindolo[3,2-a]carbazole (1.4 g, 4.18 mmol) and potassium carbonate (0.78 g, 5.7 mmol) ), intermediate e (0.5 g, 1.9 mmol) was added, and stirred at 150°C for 1 hour. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 434559 (1.57 g, 1.76 mmol, yield 92%).

1H NMR(400MHz, DMSO)δ8.74(s, 2H), 8.64(s, 2H), 8.14-8.06(m, 6H), 7.64-7.53(m, 10H), 7.34-7.27(m, 6H), 7.18-7.13(m, 2H), 7.08-7.04(m, 4H), 6.78-6.74(m, 2H), 5.86(d, J=8.4Hz, 2H). 1 H NMR (400 MHz, DMSO) δ8.74 (s, 2H), 8.64 (s, 2H), 8.14-8.06 (m, 6H), 7.64-7.53 (m, 10H), 7.34-7.27 (m, 6H) , 7.18-7.13(m, 2H), 7.08-7.04(m, 4H), 6.78-6.74(m, 2H), 5.86(d, J=8.4Hz, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 888.30, 관측값 889.75ASAP mass spectral analysis: theoretical value 888.30, observed value 889.75

(합성예 5)(Synthesis Example 5)

[화학식 29][Formula 29]

중간체 fintermediate f

질소 기류하, 2-브로모-4,5-다이플루오로벤즈알데하이드(6.6g, 44.0mmol), 2-폼일페닐보론산(8.8g, 40.0mmol), 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.31g, 2.0mmol), 탄산 칼륨(11.0g, 80.0mmol)의 혼합물에, 미리 탈기시킨 테트라하이드로퓨란(225mL)/물(75mL)의 혼합 용액을 더하고, 80℃로 승온하여 밤샘 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각하고 물을 더하여 여과 및 추출을 행했다. 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제하여, 4,5-다이플루오로-[1,1'-바이페닐]-2,2'다이카복시알데하이드 f(9.30g, 수율 94.5%)를 얻었다.Under nitrogen stream, 2-bromo-4,5-difluorobenzaldehyde (6.6g, 44.0mmol), 2-formylphenylboronic acid (8.8g, 40.0mmol), tetrakistriphenylphosphinepalladium (2.31g) , 2.0 mmol) and potassium carbonate (11.0 g, 80.0 mmol), a previously degassed mixed solution of tetrahydrofuran (225 mL)/water (75 mL) was added, the temperature was raised to 80°C, and the reaction was allowed to occur overnight. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, water was added, and filtration and extraction were performed. The resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain 4,5-difluoro-[1,1'-biphenyl]-2,2'dicarboxyaldehyde f (9.30 g, yield 94.5%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.76(s, 1H), 9.53(d, J=4.0Hz, 1H), 7.98(d, J=8.0Hz, 1H), 7.93(t, J=8.0Hz, 1H), 7.67(m, 3H), 7.41(d, J=8.0Hz, 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.76(s, 1H), 9.53(d, J=4.0Hz, 1H), 7.98(d, J=8.0Hz, 1H), 7.93(t, J=8.0Hz) , 1H), 7.67(m, 3H), 7.41(d, J=8.0Hz, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 246.21, 관측값 246.94.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 246.21, observed value 246.94.

중간체 gintermediate g

4,5-다이플루오로-[1,1'-바이페닐]-2,2'다이카복시알데하이드 f(9.30g, 38.0mmol), 염화 구리(I)(0.375g, 3.8mmol)의 혼합물에 다이메틸설폭사이드(200mL)를 더했다. 이 용액에 70% tert-뷰틸하이드로퍼옥사이드 용액(26mL, 189mmol)을 적하하여 더하면서, 10분간 실온하에서 교반했다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각하고 물을 더하여 여과 및 추출을 행했다. 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제 후, 재결정함으로써 2,3-다이플루오로-9,10-페난트렌퀴논 g(6.1g, 수율 66%)를 얻었다.4,5-difluoro-[1,1'-biphenyl]-2,2'dicarboxialdehyde f (9.30 g, 38.0 mmol) and copper(I) chloride (0.375 g, 3.8 mmol). Methyl sulfoxide (200 mL) was added. A 70% tert-butylhydroperoxide solution (26 mL, 189 mmol) was added dropwise to this solution and stirred at room temperature for 10 minutes. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, water was added, and filtration and extraction were performed. The obtained mixture was purified by silica gel column chromatography and then recrystallized to obtain g (6.1 g, yield 66%) of 2,3-difluoro-9,10-phenanthrenequinone.

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.20(d, J=8.0Hz, 1H), 7.99(t, J=8.0Hz, 1H), 7.79(m, 3H), 7.51(t, J=8.0Hz, 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.20(d, J=8.0Hz, 1H), 7.99(t, J=8.0Hz, 1H), 7.79(m, 3H), 7.51(t, J=8.0Hz) , 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 244.20, 관측값 244.99.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 244.20, observed value 244.99.

중간체 hintermediate h

질소 기류하, 2,3-다이플루오로-9,10-페난트렌퀴논 g(3.0g, 12.29mmol)와 사이안화 칼륨(0.080g, 1.23mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(30mL)을 30분간 교반하고, 트라이메틸실릴사이아나이드(4.6mL, 36.9mmol)를 더하여, 실온하, 3시간 교반했다. 그 후, 드라이아세토나이트릴(200mL) 및 삼브로민화 인(3.5mL, 36.9mmol)을 더하고, 70℃로 승온하여, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 암모니아수를 더하여 ??칭하며, 다이클로로메테인에 의하여 추출, 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하고, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 h(1.64g, 6.2mmol, 수율 50%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (30 mL) of 2,3-difluoro-9,10-phenanthrenequinone g (3.0 g, 12.29 mmol) and potassium cyanide (0.080 g, 1.23 mmol) was reacted for 30 minutes. After stirring, trimethylsilyl cyanide (4.6 mL, 36.9 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After that, dry acetonitrile (200 mL) and phosphorus tribromide (3.5 mL, 36.9 mmol) were added, the temperature was raised to 70°C, and the mixture was stirred overnight. This mixture was returned to room temperature, aqueous ammonia was added, quenched, extracted with dichloromethane, and dried with anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate h (1.64 g, 6.2 mmol, yield 50%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.59(d, J=7.8Hz, 1H), 8.52(dd, J=11.5, 7.3Hz 1H), 8.43(dd, J=9.2, 0.9Hz, 1H), 8.19(dd, J=10.1, 7.8Hz, 1H), 7.98(td, J=7.3, 1.4Hz 1H), 7.91(td, J=7.3, 1.4Hz 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.59(d, J=7.8Hz, 1H), 8.52(dd, J=11.5, 7.3Hz 1H), 8.43(dd, J=9.2, 0.9Hz, 1H), 8.19(dd, J=10.1, 7.8Hz, 1H), 7.98(td, J=7.3, 1.4Hz 1H), 7.91(td, J=7.3, 1.4Hz 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 264.23, 관측값 265.10.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 264.23, observed value 265.10.

화합물 806951Compound 806951

질소 기류하, 5H-2-페닐벤조플로[3,2-c]카바졸(2.52g, 7.57mmol)과 탄산 칼륨(1.25g, 9.08mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(100mL)에, 중간체 h(0.800g, 3.03mmol)를 더하여, 140℃, 4시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 806951(1.72g, 1.92mmol, 수율 64%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, intermediate h was added to a dimethylformamide solution (100 mL) of 5H-2-phenylbenzofluo[3,2-c]carbazole (2.52 g, 7.57 mmol) and potassium carbonate (1.25 g, 9.08 mmol). (0.800 g, 3.03 mmol) was added and stirred at 140°C for 4 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 806951 (1.72 g, 1.92 mmol, yield 64%).

1H NMR(400MHz,CDCl3)δ9.33(d, J=2.8Hz, 1H), 8.97(dd, J=3.7, 1.4Hz, 1H), 8.75(t, J=6.0Hz, 1H), 8.50(d, J=8.2, 1H), 8.43(d, J=6.4, 2H), 8.02-7.92(m, 2H), 7.86(d, J=7.8, 1H), 7.82(dd, J=7.3, 3.2Hz, 1H), 7.69-7.52(m, 8H), 7.46-7.22(m, 15H). 1H NMR(400MHz, CDCl 3 )δ9.33(d, J=2.8Hz, 1H), 8.97(dd, J=3.7, 1.4Hz, 1H), 8.75(t, J=6.0Hz, 1H), 8.50 (d, J=8.2, 1H), 8.43(d, J=6.4, 2H), 8.02-7.92(m, 2H), 7.86(d, J=7.8, 1H), 7.82(dd, J=7.3, 3.2 Hz, 1H), 7.69-7.52(m, 8H), 7.46-7.22(m, 15H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 891.00, 관측값 891.59ASAP mass spectral analysis: theoretical value 891.00, observed value 891.59

화합물 806993Compound 806993

질소 기류하, 5,12-다이하이드로-12-페닐인돌로[3,2-a]카바졸(2.45g, 7.38mmol)과 탄산 칼륨(1.43g, 10.3mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(100mL)에, 중간체 h(0.780g, 2.95mmol)를 더하여, 150℃, 9시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 806993(0.598g, 0.675mmol, 수율 22.9%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (100 mL) of 5,12-dihydro-12-phenylindolo[3,2-a]carbazole (2.45 g, 7.38 mmol) and potassium carbonate (1.43 g, 10.3 mmol) ), intermediate h (0.780 g, 2.95 mmol) was added, and stirred at 150°C for 9 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 806993 (0.598 g, 0.675 mmol, yield 22.9%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.32(d, J=4.6Hz, 1H), 8.97(d, J=3.7Hz, 1H), 8.52-8.46(m, 1H), 8.03-7.89(m, 4H), 7.76-7.7.69(m, 2H), 7.66-7.51(m, 3H), 7.39-7.21(m, 9H), 7.19-7.11(m, 3H), 7.02-6.96(m, 1H), 6.82-6.75(m, 1H), 6.72-6.62(m, 3H), 6.61-6.54(m, 1H), 6.61-6.54(m, 1H), 6.51-6.39(m, 2H), 5.86(d, J=8.2Hz, 1H), 5.61-5.48(m, 2H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.32(d, J=4.6Hz, 1H), 8.97(d, J=3.7Hz, 1H), 8.52-8.46(m, 1H), 8.03-7.89(m, 4H), 7.76-7.7.69(m, 2H), 7.66-7.51(m, 3H), 7.39-7.21(m, 9H), 7.19-7.11(m, 3H), 7.02-6.96(m, 1H), 6.82-6.75(m, 1H), 6.72-6.62(m, 3H), 6.61-6.54(m, 1H), 6.61-6.54(m, 1H), 6.51-6.39(m, 2H), 5.86(d, J =8.2Hz, 1H), 5.61-5.48(m, 2H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 889.03, 관측값 889.68ASAP mass spectral analysis: theoretical value 889.03, observed value 889.68

(합성예 5)(Synthesis Example 5)

[화학식 30][Formula 30]

중간체 iintermediate i

질소 기류하, 3,4,5-트라이플루오로벤즈알데하이드(25.0g, 156mmol), N-브로모석신이미드(27.8g, 156mmol), 아세트산 팔라듐(II)(7.01g, 31.2mmol), 2-아미노-4-나이트로벤조산(14.2g, 78.1mmol), 트라이플루오로아세트산 은(3.45g, 15.6mmol), p-톨루엔설폰산 일수화물(29.7g, 156mmol)의 혼합물에, 다이클로로메테인(500mL)/트라이플루오로아세트산(500mL)의 혼합 용액을 더하고, 90℃로 승온하여 밤샘 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각하여, 여과 및 추출을 행했다. 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제하여, 중간체 i(13.0g, 수율 34.8%)를 얻었다.Under nitrogen flow, 3,4,5-trifluorobenzaldehyde (25.0 g, 156 mmol), N-bromosuccinimide (27.8 g, 156 mmol), palladium(II) acetate (7.01 g, 31.2 mmol), 2 -Dichloromethane in a mixture of amino-4-nitrobenzoic acid (14.2 g, 78.1 mmol), silver trifluoroacetate (3.45 g, 15.6 mmol), and p-toluenesulfonic acid monohydrate (29.7 g, 156 mmol). A mixed solution of (500 mL)/trifluoroacetic acid (500 mL) was added, the temperature was raised to 90°C, and the reaction was allowed to occur overnight. After completion of the reaction, it was cooled to room temperature, and filtration and extraction were performed. The obtained mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate i (13.0 g, yield 34.8%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ10.25(s, 1H), 7.64(t, J=8.8Hz, 1H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ10.25(s, 1H), 7.64(t, J=8.8Hz, 1H)

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 237.94, 관측값 239.07.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 237.94, observed value 239.07.

중간체 jintermediate j

질소 기류하, 중간체 i(13.0g, 54.4mmol), 2-폼일페닐보론산(8.97g, 59.8mmol), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II) 다이클로라이드(1.91g, 2.72mmol), 탄산 칼륨(15.0g, 109mmol)의 혼합물에, 톨루엔(540mL)/에탄올(360mL)/물(180mL)의 혼합 용액을 더하고, 90℃로 승온하여 밤샘 반응시켰다. 반응 종료 후, 실온까지 냉각하고 물을 더하여 여과 및 추출을 행했다. 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피에 의하여 정제하여, 중간체 j(3.94g, 수율 27.4%)를 얻었다.Under nitrogen stream, intermediate i (13.0 g, 54.4 mmol), 2-formylphenylboronic acid (8.97 g, 59.8 mmol), bis(triphenylphosphine)palladium(II) dichloride (1.91 g, 2.72 mmol), carbonic acid To the mixture of potassium (15.0 g, 109 mmol), a mixed solution of toluene (540 mL)/ethanol (360 mL)/water (180 mL) was added, the temperature was raised to 90°C, and the reaction was allowed to occur overnight. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, water was added, and filtration and extraction were performed. The obtained mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate j (3.94 g, yield 27.4%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.94(s, 1H), 9.58(d, J=3.2Hz, 1H), 8.08-8.04(m, 1H), 7.76-7.67(m, 3H), 7.35(dd, J=9.4, 5.7Hz, 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.94(s, 1H), 9.58(d, J=3.2Hz, 1H), 8.08-8.04(m, 1H), 7.76-7.67(m, 3H), 7.35( dd, J=9.4, 5.7Hz, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 264.04, 관측값 265.06.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 264.04, observed value 265.06.

중간체 kintermediate k

중간체 j(3.94g, 14.9mmol), 염화 구리(I)(0.295g, 2.98mmol)의 혼합물에 다이메틸설폭사이드(150mL)를 더했다. 이 용액에 70% tert-뷰틸하이드로퍼옥사이드 용액(6.13mL, 44.7mmol)을 적하하여 더하고, 실온하에서 16시간 교반했다. 반응 종료 후, 물을 더하여 여과 및 추출을 행했다. 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피에 의한 정제 후, 재결정함으로써 중간체 k(0.97g, 수율 25%)를 얻었다.Dimethyl sulfoxide (150 mL) was added to a mixture of intermediate j (3.94 g, 14.9 mmol) and copper(I) chloride (0.295 g, 2.98 mmol). A 70% tert-butylhydroperoxide solution (6.13 mL, 44.7 mmol) was added dropwise to this solution, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. After completion of the reaction, water was added and filtration and extraction were performed. The obtained mixture was purified by silica gel column chromatography and then recrystallized to obtain intermediate k (0.97 g, yield 25%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.39(d, J=8.2Hz, 1H), 8.26(d, J=7.8Hz, 1H), 7.91(t, 8.2Hz, 1H), 7.78(t, 7.8Hz, 1H), 7.56(t, J=7.6Hz, 1H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ8.39(d, J=8.2Hz, 1H), 8.26(d, J=7.8Hz, 1H), 7.91(t, 8.2Hz, 1H), 7.78(t, 7.8 Hz, 1H), 7.56(t, J=7.6Hz, 1H)

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 262.02, 관측값 263.01.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 262.02, observed value 263.01.

중간체 mintermediate m

질소 기류하, 중간체 k(1.55g, 5.91mmol)와 사이안화 칼륨(0.038g, 0.59mmol)의 다이메틸폼아마이드 용액(7mL)을 30분간 교반하고, 트라이메틸실릴사이아나이드(2.22mL, 17.7mmol)를 더하여, 실온하, 3시간 교반했다. 그 후, 드라이아세토나이트릴(42mL) 및 삼브로민화 인(1.68mL, 17.7mmol)을 더하고, 80℃로 승온하여, 밤새 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 암모니아수를 더하여 ??칭하며, 다이클로로메테인에 의하여 추출, 무수 황산 마그네슘에 의하여 건조시켰다. 이것을 감압 농축하고, 얻어진 혼합물을 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 중간체 m(0.18g, 0.64mmol, 수율 10%)을 얻었다.Under a nitrogen stream, a dimethylformamide solution (7 mL) of intermediate k (1.55 g, 5.91 mmol) and potassium cyanide (0.038 g, 0.59 mmol) was stirred for 30 minutes, and trimethylsilyl cyanide (2.22 mL, 17.7 mmol) was added. ) was added and stirred at room temperature for 3 hours. After that, dry acetonitrile (42 mL) and phosphorus tribromide (1.68 mL, 17.7 mmol) were added, the temperature was raised to 80°C, and the mixture was stirred overnight. This mixture was returned to room temperature, aqueous ammonia was added, quenched, extracted with dichloromethane, and dried with anhydrous magnesium sulfate. This was concentrated under reduced pressure, and the resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate m (0.18 g, 0.64 mmol, yield 10%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.15-9.12(m, 1H), 8.48(dd, J=8.2, 1.4Hz, 1H), 8.12-8.07(m, 1H), 8.04-7.99(m, 1H), 7.95(td, J=7.6, 1.2Hz, 1H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.15-9.12(m, 1H), 8.48(dd, J=8.2, 1.4Hz, 1H), 8.12-8.07(m, 1H), 8.04-7.99(m, 1H) ), 7.95(td, J=7.6, 1.2Hz, 1H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 282.04, 관측값 283.11.ASAP mass spectral analysis: theoretical value 282.04, observed value 283.11.

화합물 1006742Compound 1006742

질소 기류하, 5H-벤조플로[3,2-C]카바졸(0.42g, 1.6mmol)과 탄산 칼륨(0.25g, 1.8mmol)의 나이트로벤젠 용액(16mL)에, 중간체 m(0.13g, 0.46mmol)을 더하여, 190℃, 16시간 교반했다. 이 혼합물을 실온으로 되돌리고, 물을 더하여 ??칭하며, 석출한 고체를 여과하여, 메탄올 세정했다. 이 얻어진 고체를 실리카젤 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 1006742(0.060g, 0.060mmol, 수율 13%)를 얻었다.Under a nitrogen stream, intermediate m (0.13 g, 0.46 mmol) was added and stirred at 190°C for 16 hours. This mixture was returned to room temperature, water was added, and the precipitated solid was filtered and washed with methanol. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 1006742 (0.060 g, 0.060 mmol, yield 13%).

1H NMR(400MHz, CDCl3)δ9.11(t, J=1.8Hz, 1H), 8.43(d, J=8.2Hz, 1H), 8.23-8.15(m, 2H), 7.87-7.57(m, 7H), 7.52-7.28(m, 9H), 7.24-6.78(m, 15H). 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ9.11(t, J=1.8Hz, 1H), 8.43(d, J=8.2Hz, 1H), 8.23-8.15(m, 2H), 7.87-7.57(m, 7H), 7.52-7.28(m, 9H), 7.24-6.78(m, 15H).

ASAP 매스 스펙트럼 분석: 이론값 993.27, 관측값 994.65ASAP mass spectral analysis: theoretical value 993.27, observed value 994.65

(실시예 1) 박막의 제작과 평가(Example 1) Production and evaluation of thin films

석영 기판 상에 진공 증착법으로, 진공도 1×10-3Pa 미만의 조건에서 화합물 15와 mCBP를 상이한 증착원으로부터 증착하고, 화합물 15의 농도가 20중량%인 박막을 100nm의 두께로 형성했다.By vacuum deposition on a quartz substrate, Compound 15 and mCBP were deposited from different deposition sources under vacuum conditions of less than 1×10 -3 Pa, and a thin film with a concentration of Compound 15 of 20% by weight was formed with a thickness of 100 nm.

화합물 15 대신에, 화합물 185, 632, 894, 21949, 34941, 35837, 8061, 434559, 806951을 각각 이용하여, 동일하게 하여 박막을 형성했다.Instead of compound 15, compounds 185, 632, 894, 21949, 34941, 35837, 8061, 434559, and 806951 were used, respectively, and a thin film was formed in the same manner.

형성한 각 박막에 300nm의 여기광을 조사했을 때의 발광 최대 파장(λmax)과 포토 루미네선스 양자 수율(PLQY)을 측정했다. 또, HOMO의 에너지와 LUMO의 에너지도 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.The maximum emission wavelength (λmax) and photoluminescence quantum yield (PLQY) when 300 nm excitation light was irradiated on each formed thin film were measured. In addition, the energy of HOMO and LUMO were measured. The results are shown in Table 3.

[표 3][Table 3]

(실시예 2) 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 제작과 평가(Example 2) Fabrication and evaluation of organic electroluminescence device

막두께 50nm의 인듐·주석 산화물(ITO)로 이루어지는 양극이 형성된 유리 기판 상에, 각 박막을 진공 증착법으로, 진공도 5.0×10-5Pa로 적층했다. 먼저, ITO 상에 HAT-CN을 10nm의 두께로 형성하고, 그 위에, NPD를 30nm의 두께로 형성했다. 다음으로 Tris-PCz를 10nm의 두께로 형성하고, 또한 EBL1을 5nm의 두께로 형성했다. 다음으로, EBL1과 화합물 15를 상이한 증착원으로부터 공증착하여, 40nm의 두께의 층을 형성하여 발광층으로 했다. 발광층에 있어서의 화합물 15의 농도는 40질량%로 했다. 다음으로, SF3-TRZ를 10nm의 두께로 형성한 후, Liq와 SF3-TRZ를 상이한 증착원으로부터 공증착하여, 30nm의 두께의 층을 형성했다. 이 층에 있어서의 Liq와 SF3-TRZ의 농도는 각각 30질량%와 70질량%였다. 또한 Liq를 2nm의 두께로 형성하고, 이어서 알루미늄(Al)을 100nm의 두께로 증착함으로써 음극을 형성하여, 유기 일렉트로 루미네선스 소자로 했다.Each thin film was laminated by vacuum deposition at a vacuum degree of 5.0 x 10 -5 Pa on a glass substrate on which an anode made of indium tin oxide (ITO) with a film thickness of 50 nm was formed. First, HAT-CN was formed on ITO to a thickness of 10 nm, and NPD was formed on it to a thickness of 30 nm. Next, Tris-PCz was formed to a thickness of 10 nm, and EBL1 was formed to a thickness of 5 nm. Next, EBL1 and Compound 15 were co-deposited from different deposition sources to form a layer with a thickness of 40 nm, which was used as a light-emitting layer. The concentration of compound 15 in the light emitting layer was 40% by mass. Next, SF3-TRZ was formed to a thickness of 10 nm, and then Liq and SF3-TRZ were co-deposited from different deposition sources to form a layer with a thickness of 30 nm. The concentrations of Liq and SF3-TRZ in this layer were 30 mass% and 70 mass%, respectively. Additionally, Liq was formed to a thickness of 2 nm, and then aluminum (Al) was deposited to a thickness of 100 nm to form a cathode, thereby forming an organic electroluminescence device.

화합물 15 대신에, 185, 632, 806951, 806993, 8061을 각각 이용하여, 동일한 수순에 의하여 유기 일렉트로 루미네선스 소자를 제작했다.Instead of compound 15, 185, 632, 806951, 806993, and 8061 were used, respectively, to produce an organic electroluminescence device using the same procedure.

제작한 각 유기 일렉트로 루미네선스 소자의 2mA/cm2에 있어서의 구동 전압, 최대 외부 양자 효율(EQE), 5.5mA/cm2로 연속 통전하여 발광했을 때에 발광 강도가 개시 시의 95%까지 저하되는 데 필요로 한 시간(LT95)을 각각 측정했다. 결과를 표 4에 나타낸다. LT95는 화합물 632를 1로 했을 때의 상댓값으로서 표시되어 있다.When each fabricated organic electroluminescence device is continuously energized and emits light at a driving voltage of 2 mA/cm 2 , maximum external quantum efficiency (EQE), and 5.5 mA/cm 2 , the luminescence intensity decreases to 95% of the initial value. The time (LT95) required to complete each test was measured. The results are shown in Table 4. LT95 is expressed as a relative value when compound 632 is set to 1.

[표 4][Table 4]

화합물 8061을 이용한 유기 일렉트로 루미네선스 소자도, 9.7%의 높은 EQE를 나타냈다.An organic electroluminescence device using compound 8061 also showed a high EQE of 9.7%.

일반식 (1)로 나타나는 화합물은, 포토 루미네선스 양자 수율이 높아, 발광 재료로서 우수하다. 또, 일반식 (1)로 나타나는 화합물을 이용한 유기 일렉트로 루미네선스 소자는 발광 효율이 높고, 구동 전압이 낮으며, 수명이 길다.The compound represented by General Formula (1) has a high photoluminescence quantum yield and is excellent as a light-emitting material. Additionally, an organic electroluminescence device using a compound represented by General Formula (1) has high luminous efficiency, low driving voltage, and long lifespan.

[화학식 31][Formula 31]

1 기재
2 양극
3 정공 주입층
4 정공 수송층
5 발광층
6 전자 수송층
7 음극
1 listing
2 anode
3 hole injection layer
4 hole transport layer
5 emitting layer
6 electron transport layer
7 cathode

Claims (26)

하기 일반식 (1)로 나타나는 화합물.
[화학식 1]

[일반식 (1)에 있어서, R1~R10은, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 단, R1~R10 중 1개 또는 2개는 사이아노기를 나타내고, R1~R10 중 1~4개는 5원환으로 결합하는 도너성기를 나타낸다.
R1과 R2, R2와 R3, R3과 R4, R4와 R5, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8, R8과 R9, R9와 R10, R10과 R1은 서로 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.]
A compound represented by the following general formula (1).
[Formula 1]

[In General Formula (1), R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, or a substituent. However, 1 or 2 of R 1 to R 10 represents a cyano group, and 1 to 4 of R 1 to R 10 represents a donor group bonded to a 5-membered ring.
R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , R 4 and R 5 , R 5 and R 6 , R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 8 and R 9 , R 9 and R 10 , R 10 and R 1 may be combined with each other to form a cyclic structure.]
청구항 1에 있어서,
상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환 혹은 무치환의 환 축합 인돌-1-일기인, 화합물.
In claim 1,
A compound in which the donor group bonded to the 5-membered ring is a substituted or unsubstituted ring-condensed indol-1-yl group.
청구항 1에 있어서,
상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group.
청구항 1에 있어서,
상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 치환기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with a substituent.
청구항 1에 있어서,
상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with an aryl group or heteroaryl group.
청구항 1에 있어서,
상기 5원환으로 결합하는 도너성기가, 아릴기로 치환된 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein the donor group bonded to the 5-membered ring is a ring-condensed carbazol-9-yl group substituted with an aryl group.
청구항 3에 있어서,
상기 환 축합 카바졸-9-일기가, 산소 원자, 황 원자 및 질소 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원자를 환 골격 구성 원자로 하는 환이 축합된 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 3,
The ring-condensed carbazol-9-yl group is a carbazol-9-yl group in which a ring is condensed with one or more atoms selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom as ring skeleton constituent atoms.
청구항 3에 있어서,
상기 환 축합 카바졸-9-일기가, 산소 원자 및 황 원자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 원자를 환 골격 구성 원자로 하는 환이 축합된 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 3,
A compound in which the ring-condensed carbazol-9-yl group is a ring-condensed carbazol-9-yl group containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a sulfur atom as a ring skeleton constituent atom.
청구항 3에 있어서,
R1~R10 중 2개가 사이아노기이며, R1~R10 중 2개가 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 3,
A compound in which two of R 1 to R 10 are cyano groups, and two of R 1 to R 10 are substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl groups.
청구항 3에 있어서,
R1~R10 중 2개가 동일한 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 3,
A compound in which two of R 1 to R 10 are the same substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group.
청구항 3에 있어서,
R1~R10 중 2개가 사이아노기이며, R1~R10 중 1개가 치환 혹은 무치환의 환 축합 카바졸-9-일기인, 화합물.
In claim 3,
A compound in which two of R 1 to R 10 are cyano groups and one of R 1 to R 10 is a substituted or unsubstituted ring-condensed carbazol-9-yl group.
청구항 1에 있어서,
R9와 R10이 사이아노기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein R 9 and R 10 are cyano groups.
청구항 1에 있어서,
R2와 R7이 사이아노기인, 화합물.
In claim 1,
A compound wherein R 2 and R 7 are cyano groups.
청구항 1에 있어서,
선대칭 구조를 갖는, 화합물.
In claim 1,
A compound having an axisymmetric structure.
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 화합물로 이루어지는 발광 재료.A light-emitting material comprising the compound according to any one of claims 1 to 14. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 화합물로 이루어지는 지연 형광체.A delayed phosphor comprising the compound according to any one of claims 1 to 14. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 막.A membrane comprising the compound according to any one of claims 1 to 14. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 반도체 소자.An organic semiconductor device comprising the compound according to any one of claims 1 to 14. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.An organic light-emitting device comprising the compound according to any one of claims 1 to 14. 청구항 19에 있어서,
상기 소자가 상기 화합물을 포함하는 층을 갖고 있으며, 상기 층이 호스트 재료도 포함하는, 유기 발광 소자.
In claim 19,
An organic light-emitting device, wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also includes a host material.
청구항 20에 있어서,
상기 화합물을 포함하는 층이, 상기 화합물 및 상기 호스트 재료 외에 지연 형광 재료도 포함하며, 상기 지연 형광 재료의 최저 여기 일중항 에너지가 상기 호스트 재료보다 낮고, 상기 화합물보다 높은, 유기 발광 소자.
In claim 20,
An organic light-emitting device, wherein the layer containing the compound also contains a delayed fluorescent material in addition to the compound and the host material, and the lowest singlet excitation energy of the delayed fluorescent material is lower than that of the host material and higher than that of the compound.
청구항 20에 있어서,
상기 소자가 상기 화합물을 포함하는 층을 갖고 있으며, 상기 층이 상기 화합물과는 상이한 구조를 갖는 발광 재료도 포함하는, 유기 발광 소자.
In claim 20,
An organic light-emitting device, wherein the device has a layer containing the compound, and the layer also includes a light-emitting material having a structure different from that of the compound.
청구항 20에 있어서,
상기 소자에 포함되는 재료 중, 상기 화합물로부터의 발광량이 최대인, 유기 발광 소자.
In claim 20,
An organic light-emitting device in which the amount of light emitted from the compound is greatest among the materials included in the device.
청구항 22에 있어서,
상기 발광 재료로부터의 발광량이 상기 화합물로부터의 발광량보다 많은, 유기 발광 소자.
In claim 22,
An organic light-emitting device in which the amount of light emitted from the light-emitting material is greater than the amount of light emitted from the compound.
청구항 19 내지 청구항 24 중 어느 한 항에 있어서,
유기 일렉트로 루미네선스 소자인, 유기 발광 소자.
The method of any one of claims 19 to 24,
An organic electroluminescence device, an organic light-emitting device.
청구항 19 내지 청구항 24 중 어느 한 항에 있어서,
지연 형광을 방사하는, 유기 발광 소자.
The method of any one of claims 19 to 24,
An organic light-emitting device that emits delayed fluorescence.
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