KR20240067406A - Loadlock module and substrate processing system having the same - Google Patents

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KR20240067406A
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Abstract

본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 하나 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 냉각시키기 위한 기판냉각부(230)와; 상기 기판냉각부(230)와 상하 간격을 두고 대향하며 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 히팅하기 위한 기판히팅부(240)를 포함하는 로드락모듈(200)을 개시한다.
The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.
The present invention includes a load lock chamber (210) forming an internal space (S) and having at least one gate (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); a substrate cooling unit 230 for cooling the substrate (G) introduced into the internal space (S); Disclosed is a load lock module 200 that faces the substrate cooling unit 230 at a vertical distance and includes a substrate heating unit 240 for heating a substrate (G) introduced into the internal space (S).

Figure P1020220148344
Figure P1020220148344

Description

로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템{Loadlock module and substrate processing system having the same}Loadlock module and substrate processing system including the same {Loadlock module and substrate processing system having the same}

본 발명은 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a load lock module and a substrate processing system including the same.

화학기상증착 공정 등을 수행하는 반도체 기판처리장치는 일반적으로, 기판처리공정을 수행하는 복수 개의 프로세스 챔버(Process Chamber)와, 해당 프로세스 챔버로 기판이 진입되기 전에 기판이 프로세스 챔버로 진입할 수 있도록 환경을 조성하는 로드락챔버(Load lock Chamber)와, 프로세스 챔버와 로드락챔버를 연결하며 로드락챔버 내의 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하거나 해당 프로세스 챔버 내의 기판을 로드락챔버로 이송하는 로봇 아암이 설치되는 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)를 포함한다.A semiconductor substrate processing device that performs a chemical vapor deposition process generally includes a plurality of process chambers that perform a substrate processing process and a device that allows the substrate to enter the process chamber before the substrate enters the process chamber. There is a load lock chamber that creates an environment, and a robot arm that connects the process chamber and the load lock chamber and transfers the substrates in the load lock chamber to the corresponding process chamber or transfers the substrates in the process chamber to the load lock chamber. Includes an installed transfer chamber.

프로세스 챔버는, 일반적으로 고온 및 진공에 가까운 공정압 상태에서 기판처리공정을 진행한다. 이 때 대기압 상태에 있는 기판을 고온 및 공정압 상태인 프로세스 챔버로 진입시키는 과정이 어려움이 있기 때문에, 기판을 해당 프로세스 챔버로 이송하기 전에 프로세스 챔버와 동일한 환경을 조성해 주어야 하는데, 이러한 역할을 담당하는 것이 로드락챔버다. The process chamber generally performs a substrate processing process at high temperature and process pressure close to vacuum. At this time, because it is difficult to enter the substrate at atmospheric pressure into the process chamber at high temperature and process pressure, it is necessary to create the same environment as the process chamber before transferring the substrate to the process chamber. This is the load lock chamber.

즉, 로드락챔버는 외부로부터 기판이 프로세스 챔버로 인입되기 전 또는 프로세스 챔버로부터 기판이 외부로 인출되기 전에 프로세스 챔버의 환경 또는 외부의 환경과 실질적으로 동일한 상태로 기판을 수용하는 챔버를 가리킨다.That is, the load lock chamber refers to a chamber that receives a substrate in a state substantially the same as the environment of the process chamber or the external environment before the substrate is introduced into the process chamber from the outside or before the substrate is taken out from the process chamber.

종래의 기판처리장치의 경우, 프로세스 챔버에서의 병목현상(bottle neck)을 제거하여 생산성을 향상시키기 위하여 프로세스 챔버의 갯수를 늘이는 등의 방법을 통하여 노력을 기울이고 있다. In the case of conventional substrate processing equipment, efforts are being made to improve productivity by eliminating bottlenecks in the process chamber by increasing the number of process chambers.

어떠한 방법이 되었든 프로세스 챔버에서의 병목현상이 해소된다면, 그 다음은 로드락챔버의 생산성이 시스템 전체의 병목지점이 된다.Regardless of the method, if the bottleneck in the process chamber is resolved, the productivity of the load lock chamber becomes the bottleneck of the entire system.

한편, 로드락챔버 내에서의 기판 처리라 함은 단시간에 진행되는 트랜스퍼 챔버로부터의 기판 반입 게이트 열림, 기판 반입, 기판 반입 게이트 닫힘, 벤팅 가스 주입, 대기 반송으로의 기판 반출 게이트 열림, 기판 반출, 기판 반출 게이트 닫힘으로 이어지는 일련의 과정을 말한다.Meanwhile, substrate processing in the load lock chamber involves opening the substrate loading gate from the transfer chamber, loading the substrate, closing the substrate loading gate, injecting venting gas, opening the substrate loading gate to atmospheric transfer, substrate loading, etc., which is carried out in a short period of time. It refers to a series of processes leading to the closing of the substrate unloading gate.

이를 위해, 로드락챔버의 기판 반입 게이트 및 기판 반출 게이트에는 게이트 개폐를 위한 게이트밸브가 결합될 수 있다.For this purpose, a gate valve for opening and closing the gate may be coupled to the substrate loading gate and substrate loading gate of the load lock chamber.

기판처리공정을 진행하기 위하여 기판은 프로세스 챔버에서 가열 및 공정이 이루어 질 수 있는데, 이때 공정 조건을 맞추기 위하여 기판을 가열하기 위해 많은 시간이 필요할 수 있고 이는 전체 기판처리시스템의 생산성을 저하시키는 요인이 될 수 있다.In order to proceed with the substrate processing process, the substrate may be heated and processed in a process chamber. At this time, a lot of time may be required to heat the substrate to meet the process conditions, which is a factor that reduces the productivity of the entire substrate processing system. It can be.

공정이 완료되어 로드락모듈을 통해 대기로 이동하게 되는 고열의 기판이 충분히 냉각되지 못하고 대기로 방출하게 되면 급격한 온도 변화에 의하여 기판이 손상이 될 가능성이 있다. 이를 방지하기 위하여 적정 온도까지 빠르게 식혀줄 필요가 있다.If the high-temperature substrate, which moves into the atmosphere through the load lock module after the process is completed, is not cooled sufficiently and is released into the atmosphere, there is a possibility that the substrate may be damaged due to rapid temperature changes. To prevent this, it is necessary to quickly cool it to the appropriate temperature.

프로세스 챔버에서 기판처리공정 후 충분히 냉각되지 못한 기판을 트랜스퍼하는 동안 열손상(Thermal damage)의 영향을 받은 부재들은 가공 형태가 변형되거나 멜팅(melting)되어 본래 기능을 수행하기 어렵게 되거나 기판 상에 흔적을 묻힘으로써 칩을 제조하는데 파티클(오염물)로 작용하여 반도체 제품의 불량을 야기시킬 수 있는 요인이 될 수 있다.While transferring a substrate that was not sufficiently cooled after the substrate processing process in the process chamber, members affected by thermal damage become deformed or melted, making it difficult to perform their original function or leaving traces on the substrate. When buried, it acts as a particle (contaminant) in chip manufacturing and can become a factor that can cause defects in semiconductor products.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점 및 필요성을 인식하여, 기판을 미리 히팅하여 프로세스모듈로 전달함으로써 기판 히팅에 소요되는 시간을 감소시켜 공정 시간을 줄이고 생산성을 높일 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.The purpose of the present invention is to recognize the above problems and needs, and to reduce the time required for heating the substrate by pre-heating the substrate and delivering it to the process module, thereby reducing the process time and increasing productivity, including a load lock module and the same. The purpose is to provide a substrate processing system that

또한, 본 발명의 목적은 로드락모듈에 기판 히팅을 위한 기판히팅부와 쿨링을 위한 기판냉각부를 모두 설치하여 기판 냉각을 위한 별도의 버퍼공간 없이 로드락모듈에서 공정이 완료된 기판을 냉각시켜 배출할 수 있는 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.In addition, the purpose of the present invention is to install both a substrate heating unit for substrate heating and a substrate cooling unit for cooling in the load lock module, so that substrates that have completed the process can be cooled and discharged from the load lock module without a separate buffer space for substrate cooling. The aim is to provide a load lock module and a substrate processing system including the same.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 하나 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 냉각시키기 위한 기판냉각부(230)와; 상기 기판냉각부(230)와 상하 간격을 두고 대향하며 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 히팅하기 위한 기판히팅부(240)를 포함하는 로드락모듈(200)을 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and includes a load lock chamber (210) forming an internal space (S) and having at least one gate (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); a substrate cooling unit 230 for cooling the substrate (G) introduced into the internal space (S); Disclosed is a load lock module 200 that faces the substrate cooling unit 230 at a vertical distance and includes a substrate heating unit 240 for heating a substrate (G) introduced into the internal space (S).

상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이에 위치되는 기판지지브라켓(222)과, 상기 기판지지브라켓(222)에 결합되며 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 기판안착부(224)와, 상기 기판지지브라켓(222)의 승하강을 구동하는 승강구동부(226)를 포함할 수 있다.The substrate support unit 220 is coupled to the substrate support bracket 222, which is located between the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240, and the substrate G. It may include a substrate seating portion 224 that forms a seating surface on which the substrate is seated, and a lifting drive portion 226 that drives the substrate support bracket 222 to rise and fall.

상기 기판안착부(224)는 상하 간격을 두고 설치되는 제1기판안착부(224a) 및 제2기판안착부(224b)를 포함할 수 있다.The substrate seating portion 224 may include a first substrate seating portion 224a and a second substrate seating portion 224b installed at vertical intervals.

상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이의 단열을 위하여 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b) 사이에 설치되는 단열부(228)를 포함할 수 있다.The substrate support portion 220 is installed between the first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b for thermal insulation between the substrate cooling portion 230 and the substrate heating portion 240. It may include an insulating part 228.

상기 기판냉각부(230)는 상기 내부공간(S)의 하측에 설치될 수 있다.The substrate cooling unit 230 may be installed on the lower side of the internal space (S).

상기 기판히팅부(240)는, 상기 내부공간(S)의 상측에 설치될 수 있다.The substrate heating unit 240 may be installed on the upper side of the internal space (S).

상기 기판히팅부(240)는, 할로겐 램프히터일 수 있다.The substrate heating unit 240 may be a halogen lamp heater.

상기 로드락챔버(210)는 상기 내부공간(S)을 상부의 제1공간(S1)과 하부의 제2공간(S2)으로 구획하는 구획벽(212a)을 포함할 수 있다.The load lock chamber 210 may include a partition wall 212a that divides the internal space S into an upper first space S1 and a lower second space S2.

상기 기판지지부(220)는, 상기 로드락챔버(210)의 상부벽(214)을 통해 상기 제1공간(S1)에 설치되는 제1기판지지부(220a)와 상기 로드락챔버(210)의 하부벽(216)을 통해 상기 제2공간(S2)에 설치되는 제2기판지지부(220b)를 포함할 수 있다.The substrate support portion 220 includes a first substrate support portion 220a installed in the first space S1 through the upper wall 214 of the load lock chamber 210 and a lower portion of the load lock chamber 210. It may include a second substrate support portion 220b installed in the second space S2 through the wall 216.

상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)는 상기 기판지지부(220)에 안착되는 기판(G)과 상하 중첩되도록 설치될 수 있다.The substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 may be installed to vertically overlap the substrate G seated on the substrate support unit 220.

상기 승강구동부(226)는 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)의 외측에서 상기 기판지지브라켓(222)와 결합될 수 있다.The lifting unit 226 may be coupled to the substrate support bracket 222 on the outside of the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240.

상기 기판지지부(220)는, 상기 기판안착부(224)에 안착된 기판(G)의 수평을 유지하기 위한 수평조정부재(229)를 추가로 포함할 수 있다.The substrate support portion 220 may further include a horizontal adjustment member 229 for maintaining the level of the substrate G mounted on the substrate seating portion 224.

상기 수평조정부재(229)는 상기 기판지지브라켓(222)과 상기 기판안착부(224) 사이의 결합면에 개재될 수 있다.The horizontal adjustment member 229 may be interposed on the coupling surface between the substrate support bracket 222 and the substrate seating portion 224.

상기 기판지지브라켓(222)은 안착되는 기판(G)이 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)와 대향하도록 중앙부가 개방된 링 형상으로 형성될 수 있다.The substrate support bracket 222 may be formed in a ring shape with an open center so that the substrate G on which it is seated faces the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240.

상기 제1기판안착부(224a) 및 제2기판안착부(224b)는, 상기 기판지지브라켓(222)의 둘레를 따라 배치되며 내측으로 돌출되어 상기 안착면을 형성하는 복수의 지지부재(SP)들을 포함할 수 있다.The first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b include a plurality of support members (SP) disposed along the circumference of the substrate support bracket 222 and protruding inward to form the seating surface. may include.

상기 로드락모듈(200)은, 상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(250)와, 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(260)를 더 포함할 수 있다.The load lock module 200 further includes a gas injection unit 250 for injecting an inert gas into the internal space (S) and a gas exhaust unit 260 for exhausting gas from the internal space (S). It can be included.

다른 측면에서 본 발명은 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과; 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과; 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템을 개시한다.In another aspect, the present invention includes one or more process modules 100 that perform substrate processing on a substrate G under a preset process pressure; a load lock module (200) that transfers the substrate (G) between the process module (100) and the outside at atmospheric pressure; Disclosed is a substrate processing system comprising a transfer module 300 that transfers a substrate G between the process module 100 and the load lock module 200.

본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 로드락모듈에 기판히팅부를 설치하여 기판을 미리 히팅하여 프로세스모듈로 전달함으로써 기판 히팅에 소요되는 시간을 감소시켜 공정 시간을 줄이고 생산성을 높일 수 있는 이점이 있다.The load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention install a substrate heating unit in the load lock module to heat the substrate in advance and deliver it to the process module, thereby reducing the time required for substrate heating, thereby reducing process time and increasing productivity. There are benefits to increasing it.

또한, 본 발명에 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은 로드락모듈에 기판 히팅을 위한 기판히팅부와 쿨링을 위한 기판냉각부를 모두 설치하여 기판 냉각을 위한 별도의 버퍼공간 없이 로드락모듈에서 공정이 완료된 기판을 냉각시켜 배출할 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same in the present invention install both a substrate heating unit for substrate heating and a substrate cooling unit for cooling in the load lock module, without a separate buffer space for substrate cooling. There is an advantage in that the processed substrate can be cooled and discharged.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 복사열을 이용한 기판히팅부와 기판냉각부 사이에 발생할 수 있는 열간섭을 방지하기 위해 복사열을 차단하는 방열판을 설치하고, 이로써 동시에 기판 가열과 냉각이 가능하여 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention install a heat sink that blocks radiant heat to prevent thermal interference that may occur between the substrate heating unit and the substrate cooling unit using radiant heat, thereby simultaneously It has the advantage of improving productivity by enabling substrate heating and cooling.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은 로드락모듈 내에서 기판을 지지하는 기판지지부가 상하로 구동함으로써 기판 출입 시 이송로봇의 엔드이펙터의 위치를 일정하게 할 수 있고 결과적으로 이송로봇의 Z축 방향 이송량을 최소화 줄임으로써 이송로봇 비용절감 및 안정성을 크게 개선할 수 있고, 기판출입을 위한 게이트밸브의 개구부의 크기 및 내부 체적을 감소시킬 수 있는 측면에서 풋프린트 감소와 생산성 향상에 기여할 수 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention can keep the position of the end effector of the transfer robot constant when entering and exiting the substrate by driving the substrate supporter that supports the substrate within the load lock module up and down, and the resulting By minimizing the transfer amount in the Z-axis direction of the transfer robot, cost reduction and stability of the transfer robot can be greatly improved, and footprint reduction and productivity can be achieved by reducing the size of the opening and internal volume of the gate valve for board entry and exit. It can contribute to improvement.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 로드락모듈 내에서 기판이 기판히팅부 및 기판냉각부에 수평을 유지하며 대향하도록 지지될 수 있도록 함으로써 기판에 대한 균일한 히팅 및 냉각이 가능한 이점이 있다.In addition, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention ensure uniform heating of the substrate by allowing the substrate to be supported facing the substrate heating unit and the substrate cooling unit horizontally within the load lock module. and has the advantage of being capable of cooling.

도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템을 보여주는 평면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리시스템의 로드락모듈의 측면도이다.
도 3은, 도 2의 로드락모듈의 챔버본체를 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 2의 로드락모듈에 설치되는 기판지지부의 일부 구성을 확대하여 보여주는 사시도이다.
도 5는, 도 4의 기판지지부의 구성 일부를 확대한 단면을 보여주는 확대 단면도이다.
도 6은, 도 2의 로드락모듈에 설치되는 기판지지부가 자중에 의해 처지는 현상을 보여주는 측면도이다.
도 7은, 도 6의 기판지지부에 설치되는 수평조정부재를 보여주는 분해사시도이다.
1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a side view of the load lock module of the substrate processing system of FIG. 1.
Figure 3 is a perspective view showing the chamber main body of the load lock module of Figure 2.
FIG. 4 is an enlarged perspective view showing a partial configuration of a substrate support portion installed in the load lock module of FIG. 2.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged cross-section of a portion of the substrate support portion of FIG. 4.
Figure 6 is a side view showing the phenomenon of the substrate support installed in the load lock module of Figure 2 sagging due to its own weight.
Figure 7 is an exploded perspective view showing the horizontal adjustment member installed on the substrate support part of Figure 6.

이하 본 발명에 따른 로드락모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the load lock module and the substrate processing system including the same according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 적어도 하나 이상의 공정모듈(100)과, 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 로드락모듈(200)과, 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 7, the substrate processing system according to the present invention includes at least one process module 100 that performs substrate processing on the substrate G at a preset process pressure, and a process module 100 at atmospheric pressure. A load lock module 200 that transfers the substrate (G) between the outside and the process module 100, and a transport that transfers the substrate (G) between the process module 100 and the load lock module 200. It may include a module 300.

상기 기판처리시스템은, 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나 이상의 공정을 수행하는 복수의 개별챔버(101,102)로 된 공정모듈(100)와, 복수의 개별 챔버(101,102)로 이루어진 공정모듈(100)을 공통으로 연결하는 반송모듈(300)을 포함하여 클러스터(cluster) 타입으로 구성 수 있으나, 이는 본 발명에 따른 로드락모듈(200)이 적용될 수 있는 하나의 시스템 레이아웃일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 1, the substrate processing system includes a process module 100 consisting of a plurality of individual chambers 101 and 102 that perform at least one process, and a process module 100 consisting of a plurality of individual chambers 101 and 102. ) can be configured as a cluster type including a transport module 300 that commonly connects, but this is only one system layout to which the load lock module 200 according to the present invention can be applied, and the present invention It is not limited.

상기 반송모듈(300)와 각 개별챔버(101,102) 사이에는 제어부(미도시)의 제어에 의해 개폐 동작되는 게이트밸브가 설치될 수 있다.A gate valve that is opened and closed under the control of a control unit (not shown) may be installed between the transfer module 300 and each individual chamber 101 and 102.

또한, 상기 반송모듈(300)에는, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키도록 하는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.In addition, the transfer module 300 may be equipped with a substrate transfer robot 310 that withdraws the substrate G from the load lock module 200 and transfers it to a required predetermined location.

상기 공정모듈(100)은, 플라즈마 반응 또는 화학기상방법을 이용한 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 각종 공정이 진행되는 곳으로, 공정이 진행되기 전에 예비 동작으로 진공 펌프(미도시)에 의한 펌핑에 의해 진공 상태를 갖도록 설정한 후, 실제 공정이 수행될 경우 진공압을 조절하기 위한 압력조절밸브를 포함할 수 있다.The process module 100 is a place where various processes such as an etching process or a deposition process using a plasma reaction or chemical vapor method are performed. Before the process proceeds, the process module 100 is pumped by a vacuum pump (not shown) as a preliminary operation. After being set to have a vacuum state, a pressure control valve may be included to control the vacuum pressure when the actual process is performed.

구체적으로, 상기 공정모듈(100)은, 기판처리가 이루어지는 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체(미도시)와, 기판(G)을 지지하는 기판지지부(미도시)와, 공정가스를 분사하는 공정가스 분사부(미도시)와, 공정모듈(100)의 온도를 제어하는 가열재킷(미도시)을 포함할 수 있다.Specifically, the process module 100 includes a chamber body (not shown) that forms a closed processing space in which substrate processing is performed, a substrate supporter (not shown) that supports the substrate (G), and a device that sprays process gas. It may include a process gas injection unit (not shown) and a heating jacket (not shown) that controls the temperature of the process module 100.

한편, 상기 공정모듈(100)은, 복수의 개별챔버(101, 102)를 포함하여 기판 증착, 기판 식각 등의 기판처리가 이루어지는 기판처리공간을 복수개 구비할 수 있다.Meanwhile, the process module 100 may be provided with a plurality of substrate processing spaces, including a plurality of individual chambers 101 and 102, where substrate processing such as substrate deposition and substrate etching is performed.

상기 복수의 개별챔버(101, 102)는, 나란히 배치되어 반송모듈(300)과 연결되는 복수개의 기판처리공간이 나란히 붙어서 배치될 수 있다.The plurality of individual chambers 101 and 102 may be arranged side by side, and a plurality of substrate processing spaces connected to the transfer module 300 may be arranged side by side.

여기서, 상기 공정모듈(100)은, 복수개의 기판 처리 공간을 구현하기 위하여 복수개의 개별 챔버(101,102)로서 이루어질 수 있지만, 하나의 챔버 내에 각각 독립된 2개의 기판 처리 공간을 가질 수 있으며, 이와 달리, 하나의 공정모듈(100)이 하나의 기판(S)을 처리하도록 구성될 수도 있음은 물론이다.Here, the process module 100 may be composed of a plurality of individual chambers 101 and 102 to implement a plurality of substrate processing spaces, but may have two independent substrate processing spaces within one chamber. In contrast, Of course, one process module 100 may be configured to process one substrate (S).

상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에 위치하여 공정모듈(100)의 각 기판처리공간으로 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The transfer module 300 is located between the load lock module 200 and the process module 100 and transports the substrate G to each substrate processing space of the process module 100. Various configurations are possible.

상기 반송모듈(300)은, 기판(G)이 통과되는 복수개의 게이트가 형성되며, 로드락모듈(200)과 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)이 이송되는 공간을 형성하는 챔버본체를 포함할 수 있다.The transfer module 300 is a chamber body that has a plurality of gates through which the substrate G passes and forms a space through which the substrate G is transferred between the load lock module 200 and the process module 100. It can be included.

상기 반송모듈(300)은, 기판 처리를 위하여 로드락모듈(200)로부터 이송되는 기판(G)을 공정모듈(100)로 이송하며, 반대로 기판 처리가 완료되어 공정모듈(100)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송할 수 있다.The transfer module 300 transfers the substrate (G) transferred from the load lock module 200 to the process module 100 for substrate processing, and conversely, the substrate G transferred from the process module 100 after substrate processing is completed. The substrate (G) can be transferred to the load lock module (200).

구체적으로, 상기 반송모듈(300)은, 로드락모듈(200)로부터 기판(G)을 인출하여 요구되는 소정 위치로 이송시키고, 공정모듈(100)로부터 기판(G)을 인출하여 로드락모듈(200)로 이송시키는 기판이송로봇(310)이 구비될 수 있다.Specifically, the transfer module 300 pulls out the substrate (G) from the load lock module 200 and transfers it to a required predetermined position, and pulls out the substrate (G) from the process module 100 to load the load lock module ( A substrate transfer robot 310 may be provided to transfer the substrate to 200).

상기 기판이송로봇(310)은, 반송모듈(300)에 마련되며, 복수의 게이트를 통해 각 공정모듈(100)과 반송모듈(300)간에 기판(G)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer robot 310 is provided in the transfer module 300, and can be configured in various configurations to transfer the substrate (G) between each process module 100 and the transfer module 300 through a plurality of gates. .

상기 기판이송로봇(310)은, 로드락모듈(30)로부터 이송되는 기판(G)을 게이트를 통하여 각 개별챔버(101,102)로 이송시키며, 게이트를 통해 공정모듈(100)의 각 개별챔버(101,102)로부터 이송되어 오는 기판(G)을 로드락모듈(200)로 이송한다.The substrate transfer robot 310 transfers the substrate G transferred from the load lock module 30 to each individual chamber 101 and 102 through the gate, and each individual chamber 101 and 102 of the process module 100 through the gate. ) The substrate (G) transferred from ) is transferred to the load lock module (200).

상기 반송모듈(300)는, 항상 진공에 가까운 공정압상태를 유지할 수 있다.The transfer module 300 can always maintain a process pressure close to vacuum.

다만, 상기 공정모듈(100)에서 반송모듈(200)로 또는 반송모듈(200)에서 공정모듈(100)로 기판(G) 이송 시에 공정모듈(100) 내부의 파티클이 반송모듈(300)로 인입되는 것을 최소화하기 위하여 반송모듈(300)의 내부 압력은 공정모듈(100)의 압력보다 상대적으로 높은 상태(저진공)로 형성될 수 있다.However, when transferring the substrate (G) from the process module 100 to the transfer module 200 or from the transfer module 200 to the process module 100, particles inside the process module 100 are transferred to the transfer module 300. In order to minimize intrusion, the internal pressure of the transfer module 300 may be set to be relatively higher (low vacuum) than the pressure of the process module 100.

상기 로드락모듈(200)(load lock module)는, 반송모듈(200) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 반송모듈(200) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The load lock module 200 is configured to allow access to environmental conditions close to those within the transfer module 200 and to block the environmental conditions within the transfer module 200 from being influenced by the outside. Various configurations are possible.

즉, 상기 로드락모듈(200)은, 진공에 가까운 공정압상태에서 대기압상태로, 또는 대기압상태에서 공정압상태로 변화 가능하다.That is, the load lock module 200 can change from a process pressure state close to vacuum to an atmospheric pressure state, or from an atmospheric pressure state to a process pressure state.

또한 상기 로드락모듈(200)은, 대기압 상태의 외부, 예로서, 기판보관용기(FOUP)에 연결된 로더부(400)로부터 기판(G)을 제공받을 수 있다.Additionally, the load lock module 200 may receive the substrate G from the outside at atmospheric pressure, for example, from the loader unit 400 connected to a substrate storage container (FOUP).

상기 로드락모듈(200)의 일면은 로더부(400)와 결합되며 다른 일면은 반송모듈(300)와 결합될 수 있다.One side of the load lock module 200 may be coupled to the loader unit 400 and the other side may be coupled to the transfer module 300.

상기 로더부(400)를 통해 기판(G)이 대기 상태에서 기판 보관용기(FOUP)로부터 이송되어 온 후에는 로드락모듈(200)의 내부는 반송모듈(300)와 마찬가지의 진공에 가까운 공정압상태로 변화된다.After the substrate (G) is transferred from the substrate storage container (FOUP) in a standby state through the loader unit 400, the inside of the load lock module 200 is subjected to a process pressure close to vacuum, similar to that of the transfer module 300. changes to the state.

또한 상기 공정모듈(100)에서 처리된 기판(G)이 반송모듈(300)을 거쳐 로드락모듈(200)로 이송되어 오면, 로더부 (400)를 거쳐서 외부의 기판 보관 용기(FOUP)로 기판(G)이 이송되기 위하여 로드락모듈(200) 내부가 대기압상태로 변화된다.In addition, when the substrate (G) processed in the process module 100 is transferred to the load lock module 200 through the transfer module 300, the substrate is transferred to the external substrate storage container (FOUP) through the loader unit 400. In order to transfer (G), the inside of the load lock module 200 changes to atmospheric pressure.

구체적으로, 상기 로드락모듈(200)은, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 하나 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와, 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와, 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 냉각시키기 위한 기판냉각부(230)와; 상기 기판냉각부(230)와 상하 간격을 두고 대향하며 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 히팅하기 위한 기판히팅부(240)를 포함할 수 있다.Specifically, the load lock module 200 includes a load lock chamber 210 that forms a sealed internal space (S) and has at least one gate (T) for entering and exiting a substrate, and the load lock chamber (210). ) and a substrate support unit 220 for supporting the substrate G introduced into the internal space S, and a substrate cooling unit 230 for cooling the substrate G introduced into the internal space S. and; It may include a substrate heating unit 240 that faces the substrate cooling unit 230 at a vertical distance and is configured to heat the substrate G introduced into the internal space S.

상기 로드락모듈(200)은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 좌우 한 쌍으로 구성될 수 있고, 한 쌍의 로드락모듈(200)은 반송모듈(300)의 일 측면에 나란히 배치될 수 있다.The load lock module 200 may be composed of a left and right pair, as shown in FIGS. 1 to 3, and the pair of load lock modules 200 are arranged side by side on one side of the transfer module 300. It can be.

상기 로드락챔버(210)는, 밀폐된 내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 하나 이상의 게이트(T)를 구비하는 하우징으로 다양한 구성이 가능하다.The load lock chamber 210 is a housing that forms a sealed internal space (S) and has at least one gate (T) for entering and exiting a substrate, and can be configured in various ways.

상기 게이트(T)는 한 쌍으로 구비되며, 기판(G)의 기판이송방향(도 1 기준 화살표 방향)을 따라서 형성될 수 있고 각각 기판 반입 및 반출을 위한 게이트일 수 있다.The gates T are provided as a pair, and may be formed along the substrate transfer direction of the substrate G (the arrow direction in FIG. 1) and may be gates for loading and unloading the substrate, respectively.

상기 게이트(T)는, 후술하는 게이트밸브에 의해 개폐되는 개구로서, 로더부(400) 측에 대응되는 제1게이트(T) 및 반송모듈(300) 측에 대응되는 제2게이트(T)를 포함할 수 있다.The gate (T) is an opening that is opened and closed by a gate valve, which will be described later, and includes a first gate (T) corresponding to the loader unit 400 side and a second gate (T) corresponding to the transfer module 300 side. It can be included.

상기 로드락챔버(210)가 육면체 형상으로 형성되는 경우, 상기 한 쌍의 게이트(T)는 로드락챔버(210)의 대향하는 한 쌍의 측벽에 구비될 수 있다.When the load lock chamber 210 is formed in a hexahedral shape, the pair of gates T may be provided on a pair of opposing side walls of the load lock chamber 210.

상기 로드락챔버(210)가 독립된 복수의 내부공간(S1, S2)을 형성하는 경우, 상기 게이트(T) 또한 각 내부공간(S1, S2)에 대응되어 복수로 형성될 수 있음은 물론이다. 예로서, 도 1 내지 도 10에 도시된 로드락챔버(210)는, 상하 두 개의 독립된 내부공간(S1, S2)을 형성함에 따라 상하 간격을 두고 두 쌍의 게이트(T)가 형성된 실시예를 도시한 것이다.Of course, when the load lock chamber 210 forms a plurality of independent internal spaces (S1, S2), the gate (T) can also be formed in plurality to correspond to each internal space (S1, S2). As an example, the load lock chamber 210 shown in FIGS. 1 to 10 has an embodiment in which two pairs of gates T are formed at upper and lower intervals by forming two independent internal spaces S1 and S2 at the top and bottom. It is shown.

상기 로드락챔버(210)는, 육면체 형상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The load lock chamber 210 may have a hexahedral shape, but is not limited thereto.

이때, 상기 로드락챔버(210)는, 복수의 공정모듈(100)에 대응되어 복수의 독립적인 기판처리영역을 형성하거나 또는 하나의 기판처리영역에서 복수의 기판(G)들을 처리하도록 구성될 수 있다.At this time, the load lock chamber 210 may be configured to form a plurality of independent substrate processing areas corresponding to a plurality of process modules 100 or to process a plurality of substrates G in one substrate processing area. there is.

상기 로드락챔버(210)는, 상면이 개방된 챔버본체(212)와 상기 챔버본체(212)의 상면에 결합되어 내부공간(S)을 형성하는 상부리드(214)를 포함할 수 있다.The load lock chamber 210 may include a chamber body 212 with an open upper surface and an upper lid 214 coupled to the upper surface of the chamber body 212 to form an internal space (S).

상기 챔버본체(212)는, 단일부재로 일체로 형성될 수 있다.The chamber body 212 may be integrally formed as a single member.

상기 챔버본체(212)의 저면이 개방된 경우, 상기 로드락챔버(210)는 챔버본체(212)의 저면에 결합되는 하부리드(216)를 추가로 포함할 수 있다.When the bottom of the chamber body 212 is open, the load lock chamber 210 may additionally include a lower lid 216 coupled to the bottom of the chamber body 212.

이때, 상기 챔버본체(212)는, 내부공간(S)을 상하로 구획하여 제1공간(S1)과 제2공간(S2)을 형성하는 구획벽(212a)을 포함할 수 있다.At this time, the chamber body 212 may include a partition wall 212a that divides the internal space S up and down to form a first space S1 and a second space S2.

상기 제1공간(S1)은 내부공간(S)의 상부 공간이고, 상기 제2공간(S2)은 내부공간(S)의 하부 공간일 수 있다.The first space (S1) may be an upper space of the internal space (S), and the second space (S2) may be a lower space of the internal space (S).

상기 제1공간(S1) 및 상기 제2공간(S2)은 서로 분리된 기판 처리공간을 형성하며, 그에 따라 로드락모듈(200)은 상하 2단의 기판처리시스템을 구성할 수 있다.The first space (S1) and the second space (S2) form separate substrate processing spaces, and accordingly, the load lock module 200 can configure an upper and lower two-stage substrate processing system.

상기 로드락모듈(200)의 게이트(T)에는 개폐를 위한 게이트밸브가 설치될 수 있다.A gate valve for opening and closing may be installed on the gate (T) of the load lock module 200.

상기 게이트밸브는, 게이트(T)를 개폐하기 위한 밸브로서, 로드락모듈(200)의 구성 일부이며, 게이트밸브의 하우징은 로드락챔버(210)와 일체로 형성될 수 있다.The gate valve is a valve for opening and closing the gate (T) and is a part of the load lock module 200, and the housing of the gate valve may be formed integrally with the load lock chamber 210.

예로서, 상기 게이트밸브는, 게이트(T)의 가장자리 둘레를 형성하는 밸브시트에 밀착되거나 이격되도록 이동가능하게 설치되는 밸브블레이드, 밸브블레이드에 결합되는 밸브로드, 및 밸브로드에 연결되어 밸브블레이드를 구동하는 밸브구동부를 포함할 수 있다.For example, the gate valve includes a valve blade that is movably installed to be in close contact with or spaced apart from the valve seat forming the edge of the gate (T), a valve rod coupled to the valve blade, and a valve blade connected to the valve rod. It may include a valve driving part that operates.

한편, 상기 로드락모듈(200)은, 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(250)와, 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(260)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the load lock module 200 further includes a gas injection unit 250 for injecting inert gas into the internal space (S) and a gas exhaust unit 260 for exhausting gas from the internal space (S). It can be included.

상기 가스주입부(250)는, 챔버본체(212)에 설치되며, 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입함으로써 내부공간(S)을 공정압상태에서 대기압상태로 변화시킬 수 있고, 기판(G)을 냉각시키는 냉각기능도 수행할 수 있다.The gas injection unit 250 is installed in the chamber main body 212, and can change the internal space (S) from a process pressure state to an atmospheric pressure state by injecting an inert gas into the internal space (S), and injects an inert gas into the internal space (S). ) can also perform a cooling function.

상기 불활성가스는, 내부공간(S)을 벤팅하기 위한 벤팅가스로, 예로서, N2가스일 수 있다.The inert gas is a venting gas for venting the internal space (S), and may be, for example, N2 gas.

상기 불활성가스는, 로드락챔버(210)의 내부공간의 압력변화를 목적으로 하나 이와 함께 공정모듈(100)에서 도입되어 가열된 기판(G)이 그대로 배출되는 경우 발생할 수 있는 부재들의 열손상(thermal damage) 등을 방지하기 위하여 기판(G)을 미리 설정된 온도까지 냉각시키는 목적도 가질 수 있다.The inert gas is intended to change the pressure of the internal space of the load lock chamber 210, but at the same time, it is introduced from the process module 100 and causes heat damage to the members that may occur when the heated substrate (G) is discharged as is ( It may also have the purpose of cooling the substrate G to a preset temperature in order to prevent thermal damage, etc.

예로서, 상기 가스주입부(250)는, 내부에 가스유로를 구비하는 밸브블럭과, 상기 가스유로를 개폐하기 위하여 상기 밸브블럭에 설치되는 적어도 하나 이상의 가스밸브와, 상기 가스유로와 연통되어 불활성가스를 공급받아 상기 내부공간(S)으로 가스를 분사하는 디퓨저를 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 250 includes a valve block having a gas flow path therein, at least one gas valve installed on the valve block to open and close the gas flow path, and communicating with the gas flow path to make it inert. It may include a diffuser that receives gas and sprays the gas into the internal space (S).

로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)으로 구획되는 경우, 상기 디퓨저는 각 공간(S1, S2) 마다 대응되어 설치될 수 있고, 각각 독립적으로 불활성가스 분사가 제어될 수 있다.When the internal space (S) of the load lock chamber 210 is divided into a first space (S1) and a second space (S2), the diffuser may be installed correspondingly to each space (S1, S2), respectively. Inert gas injection can be controlled independently.

상기 디퓨저는, 내부에 가스확산공간이 형성되며, 길이를 가지는 바 형상으로, 각형, 원통형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 디퓨저의 외주면에는 내부 가스확산공간으로부터 가스가 분사되도록 복수의 가스분사공들이 형성될 수 있다.The diffuser has a gas diffusion space formed therein, and may be formed in various shapes such as a long bar shape, square shape, or cylindrical shape. Additionally, a plurality of gas injection holes may be formed on the outer peripheral surface of the diffuser to spray gas from the internal gas diffusion space.

상기 챔버본체(212)가 육면체 형상으로 형성되는 경우, 상기 디퓨저는 게이트(T)가 구비된 측면에 이웃하는 측면에 설치될 수 있다.When the chamber body 212 is formed in a hexahedral shape, the diffuser may be installed on a side adjacent to the side where the gate T is provided.

상기 가스배기부(260)는, 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하며, 내부공간(S)을 대기압상태에서 공정압상태로 변화시키기 위하여 내부공간에 가스를 배기할 수 있다.The gas exhaust unit 260 is configured to exhaust gas from the internal space (S) and can be configured in various ways, and exhausts gas into the internal space to change the internal space (S) from atmospheric pressure to process pressure. can do.

상기 가스배기부(260)는, 로드락챔버(210)에 결합되는 가스배기라인(262)과, 상기 가스배기라인(262)에 연결되는 진공펌프(264)를 포함할 수 있다.The gas exhaust unit 260 may include a gas exhaust line 262 coupled to the load lock chamber 210 and a vacuum pump 264 connected to the gas exhaust line 262.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판처리시스템이 나란히 배치되는 한 쌍의 로드락모듈(200)을 포함하는 경우, 상기 가스배기부(260)는 한 쌍의 로드락모듈(200)을 하나의 진공펌프(264)를 이용해 배기하기 위한 공통배기라인을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, when the substrate processing system includes a pair of load lock modules 200 arranged side by side, the gas exhaust unit 260 connects the pair of load lock modules 200 to one vacuum. It may include a common exhaust line for exhaust using the pump 264.

상기 기판냉각부(230)는, 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 냉각시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate cooling unit 230 is configured to cool the substrate (G) introduced into the internal space (S) and can have various configurations.

상기 로드락챔버(210)의 내부공간(S)이 제1공간(S1)과 제2공간(S2)으로 상하 구획된 경우, 상기 기판냉각부(230)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1공간(S1) 및 상기 제2공간(S2)에 각각 구비될 수 있다.When the internal space (S) of the load lock chamber 210 is divided up and down into a first space (S1) and a second space (S2), the substrate cooling unit 230, as shown in FIG. 3, It may be provided in the first space (S1) and the second space (S2), respectively.

예로서, 상기 기판냉각부(230)는, 냉각플레이트와, 냉각플레이트 내부에 매립되며 외부로부터 공급된 냉매가 흐르는 냉매유로와, 상기 냉매유로로의 냉매공급/배출을 위한 냉매포트를 포함하는 수냉식 냉각부일 수 있으나, 기판냉각부(230)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the substrate cooling unit 230 is a water-cooled type that includes a cooling plate, a refrigerant passage embedded inside the cooling plate through which refrigerant supplied from the outside flows, and a refrigerant port for supplying/discharging refrigerant to the refrigerant passage. It may be a cooling unit, but the configuration of the substrate cooling unit 230 is not limited to this.

상기 냉각플레이트는, 기판(G)과 대응되는 평면형상으로 형성될 수 있으며, 예로서 원판 또는 사각 형상으로 형성되는 열전도플레이트일 수 있다.The cooling plate may be formed in a planar shape corresponding to the substrate G, and may be, for example, a heat-conducting plate formed in a disk or square shape.

상기 기판지지부(220)의 상하운동에 의해 기판지지부(220)에 지지된 기판(G)과 냉각플레이트 사이의 거리가 가변될 수 있다.The distance between the substrate G supported on the substrate support 220 and the cooling plate may vary due to the vertical movement of the substrate support 220.

상기 냉각플레이트에는 기판(G)이 안착되는 안착면이 형성될 수 있다.A seating surface on which the substrate G is seated may be formed on the cooling plate.

상기 냉매유로는 냉각플레이트 내부에 형성되는 유로로서, 냉매유로를 따라 냉매가 흐르며 기판(G)을 냉각시킬 수 있다.The coolant flow path is a flow path formed inside the cooling plate, and the coolant flows along the coolant flow path to cool the substrate G.

상기 냉매포트는 냉매유로로 냉매를 공급하기 위한 유입포트와 냉매유로를 따라 흘러나오는 냉매를 배출하기 위한 배출포트를 포함할 수 있다.The refrigerant port may include an inlet port for supplying refrigerant to the refrigerant passage and an discharge port for discharging the refrigerant flowing out along the refrigerant passage.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판냉각부(230)가 상기 제1공간(S1) 및 상기 제2공간(S2)에 각각 구비되는 경우, 제1공간(S1)에 설치되는 기판냉각부(230)와 제2공간(S2)에 설치되는 기판냉각부(230)의 냉매포트는 서로 평면 상 간섭되지 않는 영역에 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 3, when the substrate cooling unit 230 is provided in the first space (S1) and the second space (S2), the substrate cooling installed in the first space (S1) The refrigerant ports of the unit 230 and the substrate cooling unit 230 installed in the second space S2 may be formed in areas where they do not interfere with each other on a plane.

상기 기판냉각부(230)는 내부공간(S)의 하측에 설치되며, 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)에 설치되는 경우 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)의 하부에 설치될 수 있다.The substrate cooling unit 230 is installed on the lower side of the internal space (S), and when installed in the first space (S1) and the second space (S2), the substrate cooling unit 230 is installed in the first space (S1) and the second space (S2). It can be installed at the bottom.

구체적으로, 상기 제1공간(S1)에 설치되는 기판냉각부(230)는 로드락챔버(210)의 격벽부(212a) 상측면에 설치되고, 제2공간(S2)에 설치되는 기판냉각부(230)는 로드락챔버(210)의 하부리드(216)에 설치될 수 있다.Specifically, the substrate cooling unit 230 installed in the first space (S1) is installed on the upper side of the partition wall portion 212a of the load lock chamber 210, and the substrate cooling unit installed in the second space (S2) (230) may be installed on the lower lid 216 of the load lock chamber 210.

상기 기판냉각부(230)는 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)의 저면에 결합되어 상측에 대향하도록 지지되는 기판(G)을 냉각할 수 있다.The substrate cooling unit 230 is coupled to the bottom of the first space (S1) and the second space (S2) and can cool the substrate (G) supported to face the upper side.

상기 기판히팅부(240)는, 기판냉각부(230)와 상하 간격을 두고 대향하며 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 히팅하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate heating unit 240 faces the substrate cooling unit 230 at a vertical distance and is configured to heat the substrate G introduced into the internal space S, and can be configured in various ways.

상기 기판히팅부(240)는 복사열을 이용한 히터일 수 있고, 예로서 할로겐 램프 히터일 수 있다.The substrate heating unit 240 may be a heater using radiant heat, for example, a halogen lamp heater.

할로겐 램프 히터는 열선 방식에 비하여 빠른 시간에 가열되고 냉각되는 특성을 가지고 짧은 시간 동안 기판(G)을 가열하여 다음 공정으로 이송할 수 있으므로, 로드락모듈(200)에서의 병목현상을 크게 감소시킬 수 있다.The halogen lamp heater has the characteristic of heating and cooling faster than the heating wire method and can heat the substrate (G) for a short period of time and transfer it to the next process, greatly reducing the bottleneck phenomenon in the load lock module 200. You can.

상기 기판히팅부(240)는, 상기 내부공간(S)의 상측에 설치되며, 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)에 설치되는 경우 제1공간(S1) 및 제2공간(S2)의 상부에 설치될 수 있다.The substrate heating unit 240 is installed on the upper side of the internal space (S), and when installed in the first space (S1) and the second space (S2), the substrate heating unit 240 is installed in the first space (S1) and the second space (S2). ) can be installed at the top.

구체적으로, 상기 제1공간(S1)에 설치되는 기판히팅부(240)는 로드락챔버(210)의 상부리드(214)에 설치되고, 제2공간(S2)에 설치되는 기판냉각부(230)는 격벽부(212a) 하측면에 설치될 수 있다.Specifically, the substrate heating unit 240 installed in the first space (S1) is installed on the upper lid 214 of the load lock chamber 210, and the substrate cooling unit 230 installed in the second space (S2) ) may be installed on the lower side of the partition wall portion 212a.

상기 기판히팅부(240)는 복수의 할로겐히터들을 포함하며 복수의 할로겐히터들은 균일한 히팅을 위해 다양한 형상 및 패턴으로 배치될 수 있다.The substrate heating unit 240 includes a plurality of halogen heaters, and the plurality of halogen heaters may be arranged in various shapes and patterns for uniform heating.

상기 기판지지부(220)는 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support portion 220 is installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S) and can be configured in various configurations.

상기 기판지지부(220)는, 로드락챔버(210)의 내부공간이 독립된 복수의 공간(S1, S2)으로 구획된 경우, 각 공간(S1, S2)에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.When the internal space of the load lock chamber 210 is divided into a plurality of independent spaces S1 and S2, a plurality of substrate supports 220 may be provided corresponding to each space S1 and S2.

예로서, 상기 기판지지부(220)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 로드락챔버(210)의 상부벽(214)을 통해 상기 제1공간(S1)에 설치되는 제1기판지지부(220a)와 상기 로드락챔버(210)의 하부벽(216)을 통해 상기 제2공간(S2)에 설치되는 제2기판지지부(220b)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, the substrate support 220 is a first substrate support 220a installed in the first space S1 through the upper wall 214 of the load lock chamber 210. ) and a second substrate support portion 220b installed in the second space S2 through the lower wall 216 of the load lock chamber 210.

상기 제1기판지지부(220a) 및 상기 제2기판지지부(220b)는 설치위치를 제외하고는 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다.The first substrate support portion 220a and the second substrate support portion 220b may be configured the same or similar except for the installation location.

상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이에 위치되는 기판지지브라켓(222)과, 상기 기판지지브라켓(222)에 결합되며 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 기판안착부(224)와, 상기 기판지지브라켓(222)의 승하강을 구동하는 승강구동부(226)를 포함The substrate support unit 220 is coupled to the substrate support bracket 222, which is located between the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240, and the substrate G. It includes a substrate seating part 224 that forms a seating surface, and a lifting drive unit 226 that drives the lifting and lowering of the substrate support bracket 222.

상기 기판지지브라켓(222)은 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이에 위치되는 브라켓으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support bracket 222 is a bracket located between the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 and can be configured in various ways.

상기 기판지지브라켓(222)은 도 3에 도시된 바와 같이, 중앙부가 개구된 링형상으로 형성된 바디부를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the substrate support bracket 222 may include a body portion formed in a ring shape with an open central portion.

상기 중앙부 개구는 지지대상이 되는 기판(G)의 평면 형상과 대응되며 지지대상이 되는 기판(G) 보다 큰 크기로 형성될 수 있다.The central opening corresponds to the planar shape of the substrate (G) to be supported and may be formed to have a size larger than the substrate (G) to be supported.

상기 기판지지브라켓(222)의 개구는 상기 기판냉각부(230) 및 기판히팅부(240)와 대향하는 위치에 형성될 수 있다.The opening of the substrate support bracket 222 may be formed at a position opposite to the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240.

상기 기판지지브라켓(222)의 개구에 기판(G)이 위치됨에 따라 안착되는 기판(G)이 기판냉각부(230) 및 기판히팅부(240)와 상하 대향할 수 있다.As the substrate G is positioned in the opening of the substrate support bracket 222, the mounted substrate G may face the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 upward and downward.

상기 기판안착부(224)는 기판지지브라켓(222)에 결합되며 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 서포트부재로 다양한 구성이 가능하다.The substrate mounting portion 224 is a support member that is coupled to the substrate support bracket 222 and forms a seating surface on which the substrate G is mounted, and can be configured in various ways.

상기 기판안착부(224)는 상하 간격을 두고 설치되는 제1기판안착부(224a) 및 제2기판안착부(224b)를 포함할 수 있다.The substrate seating portion 224 may include a first substrate seating portion 224a and a second substrate seating portion 224b installed at vertical intervals.

상기 제1기판안착부(224a)는 상대적으로 상측에 위치되며 제1기판안착부(224a)에 안착되는 기판(G)은 상기 기판히팅부(240)와 직접적으로 대향할 수 있다.The first substrate seating portion 224a is located relatively above, and the substrate G mounted on the first substrate seating portion 224a may directly face the substrate heating portion 240.

상기 제2기판안착부(224b)는 제1기판안착부(224a) 하측에 간격을 두고 위치되며 상기 제2기판안착부(224b)에 안착되는 기판(G)은 상기 기판냉각부(230)와 직접적으로 대향할 수 있다.The second substrate seating portion 224b is positioned at an interval below the first substrate seating portion 224a, and the substrate G mounted on the second substrate seating portion 224b is connected to the substrate cooling unit 230 and the substrate cooling unit 230. can be confronted directly.

즉, 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)는 상기 기판지지부(220)에 안착되는 기판(G)과 상하 중첩되도록 설치될 수 있다.That is, the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 may be installed to vertically overlap the substrate G seated on the substrate support unit 220.

상기 제1기판안착부(224a)는, 상기 기판지지브라켓(222)의 둘레를 따라 배치되며 내측으로 돌출되어 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 복수의 지지부재(SP)들을 포함할 수 있다.The first substrate seating portion 224a may include a plurality of support members (SP) disposed along the circumference of the substrate support bracket 222 and protruding inward to form a seating surface on which the substrate G is seated. You can.

상기 지지부재(SP)는 기판(G)을 안정적으로 지지하기 위해 적어도 2개 이상의 개수로 구비될 수 있다.The support members SP may be provided in numbers of at least two or more to stably support the substrate G.

도 7을 참조하면, 상기 지지부재(SP)는 기판지지브라켓(222)의 중앙부 개구 측으로 돌출된 부분의 일면에 단차가 형성되고 단차를 통해 기판(G)의 저면과 접촉하여 기판(G)을 지지할 수 있다.Referring to FIG. 7, the support member SP has a step formed on one surface of the portion protruding toward the central opening of the substrate support bracket 222, and contacts the bottom surface of the substrate G through the step to support the substrate G. I can support it.

상기 복수의 지지부재(SP)는 상기 기판지지브라켓(222)의 중앙부 개구를 중심으로 대칭으로 배치될 수 있다.The plurality of support members SP may be symmetrically arranged around the central opening of the substrate support bracket 222.

상기 지지부재(SP)는 기판지지브라켓(222)에 직접 결합되거나 또는 별도의 지지블록(SB)을 통해 결합될 수 있다.The support member (SP) may be coupled directly to the substrate support bracket 222 or through a separate support block (SB).

상기 지지부재(SP)와 기판지지브라켓(222) 사이에 지지블록(SB)이 배치되어 지지부재(SP)와 기판지지브라켓(222) 사이에 간격을 형성하며 볼트부재를 통해 결합되도록 할 수 있다.A support block (SB) is disposed between the support member (SP) and the substrate support bracket 222 to form a gap between the support member (SP) and the substrate support bracket 222 and can be coupled through a bolt member. .

상기 지지부재(SP)는 원형의 기판(G)의 저면 가장자리를 효과적으로 지지하기 위하여 대응되는 원호 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The support member SP may be formed in a corresponding arc shape to effectively support the bottom edge of the circular substrate G, but is not limited thereto.

상기 제2기판안착부(224b)는, 제1기판안착부(224a)와 유사하게 상기 기판지지브라켓(222)의 둘레를 따라 배치되며 내측으로 돌출되어 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 복수의 지지부재(SP)들을 포함할 수 있다.The second substrate seating portion 224b is disposed along the circumference of the substrate support bracket 222 similarly to the first substrate seating portion 224a and protrudes inward to form a seating surface on which the substrate G is seated. It may include a plurality of support members (SP).

다만, 상기 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP)는 기판지지브라켓(222)에 직접결합되는 것이 아니라 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP)에 결합되는 방식으로 기판지지브라켓(222)에 고정결합될 수 있다.However, the support member (SP) of the second substrate mounting portion 224b is not directly coupled to the substrate support bracket 222, but is coupled to the support member (SP) of the first substrate mounting portion 224a. It can be fixedly coupled to the support bracket (222).

상기 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP)는 상기 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있고, 개수 또한 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP)와 동일한 수로 구비될 수 있다.The support members (SP) of the second substrate seating portion 224b may be configured the same as or similar to the support members (SP) of the first substrate seating portion 224a, and may also be configured in number as the first substrate seating portion 224a. ) may be provided in the same number as the support members (SP).

상기 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP)와 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP) 사이에는 제1기판안착부(224a)와 제2기판안착부(224b) 사이의 상하 간격을 형성하면서 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP)가 기판지지브라켓(222)에 결합되도록 하는 지지블록(SB)이 설치될 수 있다.Between the support member SP of the second substrate seating portion 224b and the support member SP of the first substrate seating portion 224a, there is a space between the first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b. A support block (SB) may be installed to couple the support member (SP) of the second substrate seating portion 224b to the substrate support bracket 222 while forming an upper and lower gap of .

상기 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP)와 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP)는 유사하거나 동일한 형상으로 형성되어 상하 중첩되게 배치될 수 있다.The support member SP of the second substrate seating portion 224b and the support member SP of the first substrate seating portion 224a may be formed to have similar or identical shapes and may be arranged to overlap vertically.

상기 승강구동부(226)는 상기 기판지지브라켓(222)의 승하강을 구동하는 구동원으로 다양한 구성이 가능하다.The lifting drive unit 226 is a driving source that drives the lifting and lowering of the substrate support bracket 222 and can be configured in various ways.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 승강구동부(226)는, 기판지지브라켓(222)에 결합되는 샤프트(226a)와, 상기 샤프트(226a)를 수용하고 상하 이동 가능한 공간을 형성하는 하우징(226b)과, 상기 샤프트(226a)의 상하이동을 구동하는 구동원을 포함할 수 있다.Referring to Figures 4 to 6, the lifting drive unit 226 includes a shaft 226a coupled to the substrate support bracket 222, and a housing 226b that accommodates the shaft 226a and forms a space that can move up and down. ) and a driving source that drives the vertical movement of the shaft 226a.

상기 구동원은 샤프트(226a)의 상하이동을 구동할 수 있다면 다양한 구동원이 가능하고, 예로서 상기 샤프트(226a)의 단부에 구비되는 피스톤부재를 공압에 의해 운동시키는 공압원일 수 있다.The driving source may be a variety of driving sources as long as it can drive the up and down movement of the shaft 226a. For example, it may be a pneumatic source that moves the piston member provided at the end of the shaft 226a by pneumatic pressure.

이때, 상기 하우징(226b)에는 피스톤부재가 공압에 의해 구동될 수 있도록 피스톤을 수용하는 압력실린더가 형성될 수 있다.At this time, a pressure cylinder that accommodates the piston may be formed in the housing 226b so that the piston member can be driven by pneumatic pressure.

또한, 상기 승강구동부(226)는 상기 샤프트(226a)의 상하운동만 가능하게 하고 샤프트(226a)의 축방향을 중심으로 하는 회전을 방지하기 위한 회전방지부를 포함할 수 있다.Additionally, the lifting drive unit 226 enables only the vertical movement of the shaft 226a and may include a rotation prevention unit to prevent rotation around the axial direction of the shaft 226a.

상기 회전방지부는 샤프트(226a)의 축을 중심으로 하는 회전을 방지할 수 있다면 다양한 구성이 가능하며, 예로서 상기 하우징(22b)에 설치되어 샤프트(226a)의 상하방향 이동경로를 가이드하는 LM가이드(226c)일 수 있다.The rotation prevention unit can be configured in various ways as long as it can prevent rotation around the axis of the shaft 226a. For example, the LM guide is installed on the housing 22b and guides the vertical movement path of the shaft 226a ( 226c).

상기 하우징(226b)와 로드락챔버(210) 사이에는 상기 샤프트(226a)의 외측 둘레를 따라 벨로우즈(V)가 설치되어 내부공간(S)의 기밀을 유지할 수 있다.A bellows (V) is installed along the outer circumference of the shaft (226a) between the housing (226b) and the load lock chamber (210) to maintain the airtightness of the internal space (S).

상기 샤프트(226a)는 일단에서 기판지지브라켓(222)과 고정결합될 수 있다.The shaft 226a may be fixedly coupled to the substrate support bracket 222 at one end.

예로서, 상기 기판지지브라켓(222)을 관통한 볼팅부재(B)를 샤프트(226a) 일단에 결합시킴으로써 샤프트(226a)와 기판지지브라켓(222)이 고정결합될 수 있다.For example, the shaft 226a and the substrate support bracket 222 can be fixedly coupled by coupling the bolting member B that penetrates the substrate support bracket 222 to one end of the shaft 226a.

상기 승강구동부(226)는 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)의 외측에서 상기 기판지지브라켓(222)와 결합될 수 있는데, 보다 구체적으로 샤프트(226a)는 기판지지브라켓(222)의 가장자리에 결합될 수 있다.The lifting drive unit 226 may be coupled to the substrate support bracket 222 on the outside of the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240. More specifically, the shaft 226a is connected to the substrate support bracket ( 222).

상기 기판지지브라켓(222)은 중앙부가 개구에서 기판(G)이 안착되어 지지되도록 링 형상으로 형성되므로, 샤프트(226a)는 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)를 벗어난 외측인 기판지지브라켓(222)의 가장자리에서 기판지지브라켓(222)과 결합될 수 있다.Since the substrate support bracket 222 is formed in a ring shape so that the substrate G is seated and supported in the opening at the central portion, the shaft 226a is located outside the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240. It may be coupled to the substrate support bracket 222 at the edge of the substrate support bracket 222.

상기 기판지지브라켓(222) 중 상기 샤프트(226a)와 결합되는 영역은 샤프트(226a)와의 결합이 용이하도록 외측으로 돌출형성될 수 있고, 결과적으로 평면 상 일측이 외측으로 돌출된 물방울 형태로 형성될 수 있다.The area of the substrate support bracket 222 coupled to the shaft 226a may be formed to protrude outward to facilitate coupling with the shaft 226a, and as a result, one side may be formed in the shape of a water drop protruding outward on a plane. You can.

상기 샤프트(226a)가 기판지지브라켓(222)의 중앙에 결합되는 것이 아니라, 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)의 외측에서 상기 기판지지브라켓(222)와 결합되므로, 안착되는 기판(G)은 간섭되는 구조물 없이 기판냉각부(230) 및 기판히팅부(240)와 상하 대향할 수 있고, 결과적으로 기판(G)에 대한 냉각 이나 히팅이 균일하고 효과적으로 이루어질 수 있다.Since the shaft 226a is not coupled to the center of the substrate support bracket 222, but is coupled to the substrate support bracket 222 from the outside of the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240, it is seated. The substrate G can be vertically opposed to the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 without interfering structures, and as a result, cooling or heating of the substrate G can be performed uniformly and effectively.

이때, 상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이의 단열을 위하여 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b) 사이에 설치되는 단열부(228)를 포함할 수 있다.At this time, the substrate support portion 220 is located between the first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b for insulation between the substrate cooling portion 230 and the substrate heating portion 240. It may include an insulation unit 228 installed in.

상기 단열부(228)는 기판히팅부(240)로부터 전달되는 복사열을 차단하는 단열플레이트로 다양한 구성이 가능하다.The insulation unit 228 is an insulation plate that blocks radiant heat transmitted from the substrate heating unit 240 and can be configured in various ways.

상기 단열부(228)는 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b) 사이에 설치되어 기판히팅부(240)의 복사열이 제2기판안착부(224b)에 안착되는 기판(G)에 전달되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.The insulation unit 228 is installed between the first substrate seating unit 224a and the second substrate seating unit 224b so that the radiant heat of the substrate heating unit 240 is seated on the second substrate seating unit 224b. Transfer to the substrate (G) can be effectively prevented.

상기 단열부(228)는 기판지지브라켓(222)에 설치될 수 있으며 보다 구체적으로 기판지지브라켓(222)의 중앙부 개구를 막도록 설치될 수 있다.The insulation portion 228 may be installed on the substrate support bracket 222, and more specifically, may be installed to block the central opening of the substrate support bracket 222.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 단열부(228)는 상기 제1기판안착부(224a)의 지지부재(SP)와 제2기판안착부(224b)의 지지부재(SP) 사이에 설치될 수 있다.As shown in FIG. 3, the insulation portion 228 may be installed between the support member SP of the first substrate seating portion 224a and the support member SP of the second substrate seating portion 224b. there is.

결과적으로, 본 발명에 따른 로드락모듈(200)은 하나의 내부공간(S)(제1공간(S1) 또는 제2공간(S2))에 기판냉각부(230)와 기판히팅부(240)가 모두 설치되고 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b) 사이에 설치되는 단열부(228)를 구비함으로써, 제1기판안착부(224a)에 안착된 기판(G)에 대한 히팅과 제2기판안착부(224b)에 안착된 기판(G)에 대한 쿨링을 동시에 수행하여 처리시간을 크게 단축하고 설비의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As a result, the load lock module 200 according to the present invention includes a substrate cooling unit 230 and a substrate heating unit 240 in one internal space S (first space S1 or second space S2). are all installed and have an insulating portion 228 installed between the first substrate mounting portion 224a and the second substrate mounting portion 224b, so that the substrate (G) mounted on the first substrate mounting portion 224a There is an advantage in that the processing time can be greatly shortened and the productivity of the equipment can be improved by simultaneously performing heating for the substrate (G) and cooling for the substrate (G) seated on the second substrate seating portion 224b.

더욱이, 하나의 로드락챔버(210) 내에서 다수의 기판(G)에 대한 히팅 및 냉각을 함께 수행하는 것이므로, 전체 풋프린트가 감소하고 공정시간이 단축되며 기판이송 과정에서 발생될 수 있는 공정불량 요인도 제거할 수 있으므로, 공간의 효율적인 활용이 가능하고 수율 및 생산성이 크게 향상될 수 있다.Moreover, since heating and cooling for multiple substrates (G) are performed together within one load lock chamber 210, the overall footprint is reduced, the process time is shortened, and process defects that may occur during substrate transfer are reduced. Since factors can also be eliminated, efficient use of space is possible and yield and productivity can be greatly improved.

또한, 본 발명에 따른 로드락모듈(200)은 기판지지부(220)가 내부공간(S)에서 상하 이동가능하게 설치되므로, 로드락모듈(200)로 투입되는 기판(G) 또는 배출되는 기판(G)의 높이를 고정할 수 있고, 결과적으로 기판(G)을 이송하는 이송로봇의 Z축 변위량을 줄일 수 있다. In addition, in the load lock module 200 according to the present invention, the substrate support portion 220 is installed to be movable up and down in the internal space (S), so the substrate (G) input or discharged from the load lock module 200 ( The height of G can be fixed, and as a result, the Z-axis displacement of the transfer robot transporting the substrate G can be reduced.

이송로봇의 Z축 변위량이 크지 않다는 것은 이송로봇에 소요되는 비용을 절감할 수 있고 이송로봇의 동작 안정성을 크게 향상시킬 수 있음을 의미하는 것이므로, 설비 전체의 성능을 향상시키는 이점을 가진다.The fact that the Z-axis displacement of the transfer robot is not large means that the cost required for the transfer robot can be reduced and the operational stability of the transfer robot can be greatly improved, which has the advantage of improving the performance of the entire facility.

한편, 상기 기판지지부(220)는, 상기 기판안착부(224)에 안착된 기판(G)의 수평을 유지하기 위한 수평조정부재(229)를 추가로 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate support unit 220 may further include a horizontal adjustment member 229 for maintaining the level of the substrate G mounted on the substrate seating unit 224.

도 6을 참조하면, 상기 기판지지부(220)의 샤프트(226a)는 기판지지브라켓(222)의 중앙에 결합되는 것이 아니고, 일측 가장자리에 치우쳐 결합되므로, 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b)를 구성하는 복수의 지지부재(SP)들과 샤프트(226b) 사이의 거리는 일정하지 않다.Referring to FIG. 6, the shaft 226a of the substrate support portion 220 is not coupled to the center of the substrate support bracket 222, but is biased toward one edge, so that the first substrate mounting portion 224a and the The distance between the shaft 226b and the plurality of support members SP constituting the second substrate mounting portion 224b is not constant.

샤프트(226a)에서 멀리 떨어진 지지부재(SP)는 상대적으로 가까이 위치한 지지부재(SP) 보다 자중에 의해 하방으로 처지게 되고, 이는 기판(G)과 기판냉각부(230) 또는 기판히팅부(240) 사이의 간격이 위치에 따라 불균일하게 되는 요인이 된다.The support member (SP) located further away from the shaft 226a sags downward due to its own weight than the support member (SP) located relatively close, which causes the substrate (G) and the substrate cooling unit 230 or the substrate heating unit 240 ) becomes a factor in that the spacing between them becomes uneven depending on the location.

기판(G)과 기판냉각부(230) 사이 간격 또는 기판(G)과 기판히팅부(240) 사이 간격이 불균일한 경우, 기판(G)의 냉각 또는 히팅도 균일하게 이루이지 않아 수율에 영향을 미치거나 냉각 또는 히팅에 소요되는 시간을 증가시켜 생산성을 저하시키는 요인이 될 수 있다.If the gap between the substrate (G) and the substrate cooling unit 230 or the gap between the substrate (G) and the substrate heating unit 240 is uneven, the cooling or heating of the substrate (G) is not uniform, affecting yield. This can be a factor that reduces productivity by increasing the time required for cooling or heating.

도 6의 경우, 기판지지부(220)의 처짐현상을 설명하기 위한 도면으로, 기판지지부(220)에 구비되는 단열부(228)의 도시는 생략하였다.In the case of Figure 6, it is a drawing to explain the sagging phenomenon of the substrate support part 220, and the heat insulating part 228 provided in the substrate support part 220 is omitted.

상기 수평조정부재(229)는 위치에 따른 기판(G)의 높이차를 보상하여 지지부재(SP)들에 안착된 기판(G)의 수평을 유지할 수 있도록 한다면 다양한 구성이 가능하다.The horizontal adjustment member 229 can be configured in various ways as long as it compensates for the difference in height of the substrate G depending on the position and maintains the horizontality of the substrate G mounted on the support members SP.

예로서, 상기 수평조정부재(229)는 상기 기판지지브라켓(222)과 상기 기판안착부(224) 사이의 결합면에 개재되는 끼움부재일 수 있다.For example, the horizontal adjustment member 229 may be a fitting member interposed on the coupling surface between the substrate support bracket 222 and the substrate seating portion 224.

보다 구체적으로, 상기 수평조정부재(229)는, 높이차 보상이 필요한 지지부재(SP)와 기판지지브라켓(222) 사이에 설치되는 끼움링(Shim ring)일 수 있으며, 조정이 필요한 높이에 따라 치수가 설계되거나 설치되는 수평조정부재(229)의 개수가 가변될 수 있다.More specifically, the horizontal adjustment member 229 may be a shim ring installed between the support member (SP) requiring height difference compensation and the substrate support bracket 222, depending on the height requiring adjustment. The dimensions of the designed or installed horizontal adjustment members 229 may vary.

도 6을 참조하면, 제1공간(S1)에 설치되는 기판지지부(220)에서, 샤프트(226a)에 가까이 위치되는 지지부재(SP)는 상대적으로 샤프트(226a)에서 멀게 위치되는 지지부재(SP) 보다 하방으로 처지는 정도가 덜하므로, 샤프트(226a)에 가까이 위치되는 지지부재(SP)를 보다 하측에 위치시키기 위해 샤프트(226a)에 가까이 위치되는 지지부재(SP)와 기판지지브라켓(222) 사이에 적어도 하나의 수평조정부재(229)가 설치될 수 있다.Referring to FIG. 6, in the substrate support 220 installed in the first space S1, the support member SP located close to the shaft 226a is the support member SP located relatively far from the shaft 226a. ), the support member (SP) located close to the shaft 226a and the substrate support bracket 222 are used to position the support member (SP) located close to the shaft 226a lower than because the degree of sagging downward is less. At least one horizontal adjustment member 229 may be installed therebetween.

반대로, 제2공간(S2)에 설치되는 기판지지부(220)에서, 샤프트(226a)에 가까이 위치되는 지지부재(SP)는 상대적으로 샤프트(226a)에서 멀게 위치되는 지지부재(SP) 보다 하방으로 처지는 정도가 덜하므로, 샤프트(226a)에 멀리 위치되는 지지부재(SP)를 보다 상측에 위치시키기 위해 샤프트(226a)에 멀리 위치되는 지지부재(SP)와 기판지지브라켓(222) 사이에 적어도 하나의 수평조정부재(229)가 설치될 수 있다.Conversely, in the substrate support unit 220 installed in the second space S2, the support member SP located closer to the shaft 226a moves downward than the support member SP located relatively further from the shaft 226a. Since the degree of sagging is less, at least one is provided between the support member (SP) located far from the shaft 226a and the substrate support bracket 222 in order to position the support member (SP) located far from the shaft 226a more upwardly. The horizontal adjustment member 229 may be installed.

결과적으로, 상기 기판지지부(220)는 기판(G)이 안착된 상태에서 기판지지브라켓(222)의 처짐을 반영한 상태에서 기판(G)이 수평상태로 위치될 수 있고, 기판(G)과 기판냉각부(230) 사이 간격 또는 기판(G)과 기판히팅부(240) 사이 간격이 균일해질 수 있다.As a result, the substrate support 220 can be positioned in a horizontal state with the substrate G in a state that reflects the deflection of the substrate support bracket 222 in a state in which the substrate G is seated, and the substrate G and the substrate The gap between the cooling units 230 or the gap between the substrate G and the substrate heating unit 240 may be made uniform.

다른 예로서, 도시하지는 않았으나, 상기 기판지지부(220)에 기판(G)이 안착된 상태에서 기판지지브라켓(222)의 처짐 정도를 예측하고, 그에 대응되도록 기판냉각부(230)와 기판히팅부(240)에 경사를 형성함으로써, 기판(G)과 기판냉각부(230) 사이 간격 또는 기판(G)과 기판히팅부(240) 사이 간격을 균일하게 할 수 있다.As another example, although not shown, the degree of deflection of the substrate support bracket 222 is predicted when the substrate G is seated on the substrate support portion 220, and the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit are installed to correspond thereto. By forming an inclination at 240, the distance between the substrate G and the substrate cooling unit 230 or the distance between the substrate G and the substrate heating unit 240 can be made uniform.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. The above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, and therefore, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention as described above should not be construed. Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

100: 공정모듈
200: 로드락모듈
300: 반송모듈
100: Process module
200: Load lock module
300: Return module

Claims (10)

내부공간(S)을 형성하며 기판출입을 위한 적어도 하나 이상의 게이트(T)를 구비하는 로드락챔버(210)와; 상기 로드락챔버(210)에 설치되어 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 지지하는 기판지지부(220)와; 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 냉각시키기 위한 기판냉각부(230)와; 상기 기판냉각부(230)와 상하 간격을 두고 대향하며 상기 내부공간(S)에 도입된 기판(G)을 히팅하기 위한 기판히팅부(240)를 포함하며,
상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이에 위치되는 기판지지브라켓(222)과, 상기 기판지지브라켓(222)에 결합되며 기판(G)이 안착되는 안착면을 형성하는 기판안착부(224)와, 상기 기판지지브라켓(222)의 승하강을 구동하는 승강구동부(226)를 포함하며,
상기 기판안착부(224)는 상하 간격을 두고 설치되는 제1기판안착부(224a) 및 제2기판안착부(224b)를 포함하며,
상기 기판지지부(220)는, 상기 기판냉각부(230)와 상기 기판히팅부(240) 사이의 단열을 위하여 상기 제1기판안착부(224a) 및 상기 제2기판안착부(224b) 사이에 설치되는 단열부(228)를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
A load lock chamber (210) forming an internal space (S) and having at least one gate (T) for entering and exiting a substrate; a substrate support portion 220 installed in the load lock chamber 210 to support the substrate (G) introduced into the internal space (S); a substrate cooling unit 230 for cooling the substrate (G) introduced into the internal space (S); It faces the substrate cooling unit 230 at a vertical distance and includes a substrate heating unit 240 for heating the substrate (G) introduced into the internal space (S),
The substrate support unit 220 is coupled to the substrate support bracket 222, which is located between the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240, and the substrate G. It includes a substrate seating portion 224 that forms a seating surface to be seated, and a lifting drive portion 226 that drives the lifting and lowering of the substrate support bracket 222,
The substrate seating portion 224 includes a first substrate seating portion 224a and a second substrate seating portion 224b installed at vertical intervals,
The substrate support portion 220 is installed between the first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b for thermal insulation between the substrate cooling portion 230 and the substrate heating portion 240. A load lock module (200) characterized in that it includes an insulation portion (228).
청구항 1에 있어서,
상기 기판냉각부(230)는 상기 내부공간(S)의 하측에 설치되고,
상기 기판히팅부(240)는, 상기 내부공간(S)의 상측에 설치되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The substrate cooling unit 230 is installed on the lower side of the internal space (S),
The load lock module 200 is characterized in that the substrate heating unit 240 is installed on the upper side of the internal space (S).
청구항 1에 있어서,
상기 기판히팅부(240)는, 할로겐 램프히터인 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The load lock module 200 is characterized in that the substrate heating unit 240 is a halogen lamp heater.
청구항 1에 있어서,
상기 로드락챔버(210)는 상기 내부공간(S)을 상부의 제1공간(S1)과 하부의 제2공간(S2)으로 구획하는 구획벽(212a)을 포함하며,
상기 기판지지부(220)는, 상기 로드락챔버(210)의 상부벽(214)을 통해 상기 제1공간(S1)에 설치되는 제1기판지지부(220a)와 상기 로드락챔버(210)의 하부벽(216)을 통해 상기 제2공간(S2)에 설치되는 제2기판지지부(220b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The load lock chamber 210 includes a partition wall 212a that divides the internal space S into an upper first space S1 and a lower second space S2,
The substrate support portion 220 includes a first substrate support portion 220a installed in the first space S1 through the upper wall 214 of the load lock chamber 210 and a lower portion of the load lock chamber 210. A load lock module (200) comprising a second substrate support portion (220b) installed in the second space (S2) through the wall (216).
청구항 1에 있어서,
상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)는 상기 기판지지부(220)에 안착되는 기판(G)과 상하 중첩되도록 설치되며,
상기 승강구동부(226)는 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)의 외측에서 상기 기판지지브라켓(222)와 결합되는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
The substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240 are installed to overlap vertically with the substrate G mounted on the substrate support unit 220,
The load lock module (200) is characterized in that the lifting drive unit (226) is coupled to the substrate support bracket (222) on the outside of the substrate cooling unit (230) and the substrate heating unit (240).
청구항 5에 있어서,
상기 기판지지부(220)는, 상기 기판안착부(224)에 안착된 기판(G)의 수평을 유지하기 위한 수평조정부재(229)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 5,
The substrate support unit 220 is a load lock module 200 characterized in that it further includes a horizontal adjustment member 229 for maintaining the level of the substrate G mounted on the substrate seating unit 224.
청구항 6에 있어서,
상기 수평조정부재(229)는 상기 기판지지브라켓(222)과 상기 기판안착부(224) 사이의 결합면에 개재되는 끼움부재인 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 6,
The load lock module 200 is characterized in that the horizontal adjustment member 229 is a fitting member interposed on the coupling surface between the substrate support bracket 222 and the substrate seating portion 224.
청구항 5에 있어서,
상기 기판지지브라켓(222)은 안착되는 기판(G)이 상기 기판냉각부(230) 및 상기 기판히팅부(240)와 대향하도록 중앙부가 개방된 링 형상으로 형성되며,
상기 제1기판안착부(224a) 및 제2기판안착부(224b)는, 상기 기판지지브라켓(222)의 둘레를 따라 배치되며 내측으로 돌출되어 상기 안착면을 형성하는 복수의 지지부재(SP)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 5,
The substrate support bracket 222 is formed in a ring shape with an open center so that the substrate G on which it is seated faces the substrate cooling unit 230 and the substrate heating unit 240,
The first substrate seating portion 224a and the second substrate seating portion 224b include a plurality of support members (SP) disposed along the circumference of the substrate support bracket 222 and protruding inward to form the seating surface. A load lock module (200) comprising:
청구항 1에 있어서,
상기 내부공간(S)으로 불활성가스를 주입하기 위한 가스주입부(250)와, 상기 내부공간(S)의 기체를 배기하기 위한 가스배기부(260)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락모듈(200).
In claim 1,
A load lock module further comprising a gas injection unit 250 for injecting an inert gas into the internal space (S), and a gas exhaust unit 260 for exhausting gas from the internal space (S). (200).
미리 설정된 공정압상태에서 기판(G)에 대한 기판처리를 수행하는 하나 이상의 공정모듈(100)과; 대기압상태의 외부 및 상기 공정모듈(100) 사이에서 기판(G)을 전달하는 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 따른 로드락모듈(200)과; 상기 공정모듈(100) 및 상기 로드락모듈(200)를 사이에서 기판(G)을 반송하는 반송모듈(300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.One or more process modules (100) that perform substrate processing on the substrate (G) under a preset process pressure state; A load lock module (200) according to any one of claims 1 to 9, which transfers the substrate (G) between the outside and the process module (100) under atmospheric pressure; A substrate processing system comprising a transfer module (300) that transfers the substrate (G) between the process module (100) and the load lock module (200).
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