KR20240059868A - 전지 불량 고속 검사 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전지 불량 고속 검사 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 복수의 모노셀이 적층되어 형성되는 전지의 퇴화 특성을 예측하여 전지의 불량을 단시간 내에 판단하는 전지 불량 고속 검사 방법을 제공하기 위한 것이다.
Description
본 발명은 전지 불량 고속 검사 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 복수의 모노셀이 적층되어 형성되는 전지의 퇴화 특성을 예측하여 전지의 불량을 단시간 내에 판단하는 전지 불량 고속 검사 방법에 관한 것이다.
복수의 모노셀이 적층되어 있는 중대형 전지의 경우, 내부의 일부의 모노셀이 원인을 알 수 없는 저전압 불량 현상(특정 모노셀의 전위가 감소하는 현상)을 나타내고, 전체 셀의 용량이 퇴화하는 불량현상이 발생하는 문제가 있다.
저전압 불량 셀이 출하되어 장착된 ESS, 차량 배터리 등의 제품은 장기적으로 성능에 현저한 불안정성을 나타내고, 제품에 대한 신뢰도를 감소시킬 수 있다.
종래에는 전지 출하 단계에서 저전압 불량 전지를 검출하기 위한 전지 전압 추적을 수행하였다. 전지 전압 추적의 경우 일반적으로 2주 이상의 장시간이 소요되었다. 더하여, 저전압 불량의 주요 원인을 분리막의 접힘 현상으로 간주하여 수행하는 HPCD(high pressure current detection) 검사법이 있지만, HPCD 검사법으로는 검출 불가능한 한계가 존재하였다.
따라서, 기존의 검사법들로 저전압 불량 셀을 검출하는 동시에 단시간에 전수 조사 가능한 검사법이 필요하다
본 발명은 전지 불량 고속 검사 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 복수의 모노셀이 적층되어 형성되는 전지의 퇴화 특성을 예측하여 전지의 불량을 단시간 내에 판단하는 전지 불량 고속 검사 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은,
분석 대상 전지에 설정 주파수의 교류 전류를 인가하여 상기 분석 대상 전지 임피던스인 분석 대상 임피던스를 획득하는 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30);
상기 분석 대상 임피던스에서 실수부 값을 실수부 저항으로 추출하는 실수부 저항 추출 단계(s40); 및
상기 실수부 저항을 근거로 상기 분석 대상 전지의 불량을 판단하는 불량 판단 단계(s50)를 포함하고,
상기 설정 주파수는 상기 분석 대상 임피던스의 허수부 값인 허수부 저항이 0보다 클 때의 주파수 중에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에서, 상기 설정 주파수는 10-2kHz 내지 7MHz인 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에서, 상기 분석 대상 전지는 복수의 모노셀을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은,
상기 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30) 이전에,
기준 전지에 주파수를 가변하면서 교류 전류를 인가하여 복수의 주파수에 대한 복수의 기준 임피던스를 획득하는 기준 임피던스 측정 단계(s10);
상기 복수의 기준 임피던스를 근거로 상기 설정 주파수를 산출하는 설정 주파수 산출 단계(s20)를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에서, 상기 기준 전지는 dOCV가 300mV 이상 또는 3 sigma 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에서, 상기 설정 주파수 산출 단계(s20)는, 상기 복수의 기준 임피던스를 실수부 값인 ZSR와 허수부 값인 ZSI로 분리하는 변수 분리 단계(s21)와, 상기 ZSR와 상기 ZSI에 대한 관계식 f를 획득하는 함수 피팅 단계(s22)와, 상기 관계식을 근거로 상기 설정 주파수를 획득하는 설정 주파수 획득 단계(s23)를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 상기 함수 피팅 단계(s22)에서, 상기 관계식 f는 하기의 수학식 1로 피팅되는 것일 수 있다.
[수학식 1]
.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 상기 설정 주파수 획득 단계(s23)에서, 상기 설정 주파수는 상기 ZSI가 0보다 큰 값을 가지는 구간에 대해서 하기 수학식 2를 만족하는 주파수 중에서 선택되는 것일 수 있다.
[수학식 2]
,
상기 ε은 0.0 내지 0.2이다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 상기 설정 주파수 단계에서, 상기 ε은 0인 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 상기 불량 판단 단계(s50)에서, 상기 실수부 저항이 상기 수학식 2를 만족하는 ZSI 값에 대해서 30% 이상일 때의 상기 분석 대상 전지는 불량 전지로 판단하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 활성화 방법은,
조립 공정을 통해 활성화 대상 전지를 준비하는 활성화 전지 준비 단계;
상기 활성화 대상 전지를 충전 또는 방전하는 충방전 단계;
상기 설정 온도 및 설정 습도에서 상기 활성화 대상 전지를 일정시간 보관하여 상기 활성화 대상 전지를 안정화시키는 안정화 단계; 및
상기 활성화 대상 전지를 상기 분석 대상 전지로 하여 제1항의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 최종적으로 불량 전지를 선별하는 불량 선별 단계를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 활성화 방법은,
상기 활성화 전지 준비 단계와 상기 충방전 단계 사이에,
상기 활성화 대상 전지를 분석 대상 전지로 하여 제1항의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 상기 활성화 대상 전지를 사전 검사하는 사전 검사 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은 단시간에 저전압 불량 전지를 검출해낼 수 있는 것으로, 초당 수천에서 수만 개의 전지에 대해 검사가 가능한 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은 완성된 전지에 대해서 비파괴 검사가 가능한 것으로, 양산 라인의 전지 및 기 생산된 전지에 적용 가능한 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은 종래의 방법 대비, 검사 시간이 획기적으로 줄어들며, 미검되었던 전지들에 대해서도 불량을 판단할 수 있는 것일 수 있다.
도 1은 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 나타내는 블록도이다.
도 2는 일반적인 나이퀴스트 선도를 나타내는 그래프이다.
도 3은 정상 전지와 불량 전지의 임피던스 값을 비교한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 다른 실시 양태를 나타내는 블록도이다.
도 5는 설정 주파수 단계를 나타내는 블록도이다.
도 2는 일반적인 나이퀴스트 선도를 나타내는 그래프이다.
도 3은 정상 전지와 불량 전지의 임피던스 값을 비교한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 다른 실시 양태를 나타내는 블록도이다.
도 5는 설정 주파수 단계를 나타내는 블록도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
도 1은 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 나타내는 블록도이다. 도 2는 일반적인 나이퀴스트 선도를 나타내는 그래프이다. 도 3은 정상 전지와 불량 전지의 임피던스 값을 비교한 그래프이다. 도 4는 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법의 다른 실시 양태를 나타내는 블록도이다. 도 5는 설정 주파수 단계를 나타내는 블록도이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에 대해서 상세히 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은,
분석 대상 전지에 설정 주파수의 교류 전류를 인가하여 상기 분석 대상 전지 임피던스인 분석 대상 임피던스를 획득하는 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30);
상기 분석 대상 임피던스에서 실수부 값을 실수부 저항으로 추출하는 실수부 저항 추출 단계(s40); 및
상기 실수부 저항을 근거로 상기 분석 대상 전지의 불량을 판단하는 불량 판단 단계(s50)를 포함하고,
상기 설정 주파수는 상기 분석 대상 임피던스의 허수부 값인 허수부 저항이 0보다 클 때의 주파수 중에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법에서 분석 대상 전지는 복수의 모노셀을 포함하는 것일 수 있다.
상기 모노셀은, 1개 이상의 양극과 1개 이상의 음극이 분리막을 사이에 두고 적층되어 전극 조립체를 형성할 때, 최 외각의 양면에 위치한 전극의 종류가 다른 유닛셀일 수 있다. 예를 들어, 모노셀은 양극-분리막-음극 순으로 적층되는 구조의 전극 조립체를 가지는 유닛셀일 수 있다. 다른 예를 들어, 모노셀은 양극-분리막-음극-분리막-양극-분리막-음극 순으로 적층되는 구조의 전극 조립체를 가지는 유닛셀일 수 있다.
양극은 양극 집전체에 양극 활물질이 도포된 것일 수 있다.
음극은 음극 집전체에 음극 활물질이 도포된 것일 수 있다.
분리막은 이온이 통과 가능한 절연체일 수 있다.
분석 대상 임피던스 측정 단계(s30)에서 상기 설정 주파수는 10-2kHz 내지 7MHz인 것일 수 있다. 저전압 불량 전지의 경우, 고주파 주파수에서 정상 전지와 다른 임피던스 값을 가지며, 특히, 임피던스 값 중 실수 성분에서 차이를 보인다.
전지에 대해서 임피던스 분광법(EIS)을 수행하면 도 2와 같은 복소평면 상의 그래프를 획득할 수 있다. 구체적으로, 각 주파수에 해당하는 임피던스의 값에서, 허수부에 (-)를 곱한 값과 실수부 값을 좌표로 표시하여 도 2와 같은 나이퀴스트 선도를 획득할 수 있다. 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은 도 2의 그래프 중 2사분면 상의 실수부 값을 근거로 전지의 저전압 불량을 고속으로 판별할 수 있는 것일 수 있다.
도 3은 15개의 전지에 대한 임피던스 분광법 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 도 3에서 A_1, A_2, A_3, A_4 및 A_5의 5개의 그래프는 정상 전지에 대한 그래프이고, E_1, E_2, E_3, E_4 및 E_5의 5개의 그래프는 E 등급 불량 전지에 대한 그래프이며, L_1, L_2, L_3, L_4 및 L_5의 5개의 그래프는 L 등급 불량 전지에 대한 그래프이다. E 등급 불량 전지는 절대적 OCV 감소를 나타내는 불량 전지일 수 있다. L 등급 불량 전지는 상대적 OCV 감소를 나타내는 불량 전지일 수 있다. 도 3에서 불량 등급에 상관없이 저전압 불량 전지(E 등급 불량 전지 및 L 등급 불량 전지)들의 EIS 측정 값들에 대한 그래프들은 서로 오버랩되는 것을 볼 수 있지만, 정상 전지의 그래프는 불량 전지들의 그래프와 다른 거동을 나타낸다. 구체적으로, 약 10kHz의 측정된 임피던스 값에서 정상 전지의 경우 A영역에 나타나고, E 등급 불량 전지 및 L 등급 불량 전지의 경우 B영역에서 나타난다. E 등급 불량 전지 및 L 등급 불량 전지의 경우 B영역에서 실수부 값에 대해서 극대값을 가짐을 볼 수 있다. 따라서, 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30)에서 상기 설정 주파수는 10-2kHz 내지 7MHz 중에서 선택되는 주파수일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 설정 주파수는 10-1kHz 내지 102kHz 중에서 선택되는 주파수일 수 있다. 10-2kHz 내지 7MHz의 주파수 영역대에서 저전압 불량 전지는 실수부 저항 값이 비정상적으로 증가하고, 이를 이용하여 저전압 불량 전지임을 판별할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은, 상기 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30) 이전에,
기준 전지에 주파수를 가변하면서 교류 전류를 인가하여 복수의 주파수에 대한 복수의 기준 임피던스를 획득하는 기준 임피던스 측정 단계(s10);
상기 복수의 기준 임피던스를 근거로 상기 설정 주파수를 산출하는 설정 주파수 산출 단계(s20)를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법은 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30) 이전에 기준 임피던스 측정 단계(s10) 및 설정 주파수 산출 단계(s20)를 수행함으로써, 저전압 불량 전지 정확하게 검출할 수 있는 최적의 설정 주파수를 획득할 수 있다.
상기 기준 임피던스 측정 단계(s10)에서, 저전압 불량 전지로서, 상기 기준 전지는 dOCV(delta open circuit voltage)가 300mV 이상 또는 3 sigma 이상인 것일 수 있다. 저전압 불량 전지인 기준 전지는 양산 과정에서 불량 전지로 검사된 전지 또는 전극 접힘, 활물질 도포 영역 불량 등과 같은 불량 조건을 인가한 전지로서 획득될 수 있다.
상기 기준 임피던스 측정 단계(s10)는 임피던스 분광법(EIS)으로 수행될 수 있다. 따라서, 복수의 주파수 값 각각에 해당하는 기준 임피던스 값을 획득할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 설정 주파수 산출 단계(s20)는, 상기 복수의 기준 임피던스를 실수부 값인 ZSR와 허수부 값인 ZSI로 분리하는 변수 분리 단계(s21)와, 상기 ZSR와 상기 ZSI에 대한 관계식 f를 획득하는 함수 피팅 단계(s22)와, 상기 관계식을 근거로 상기 설정 주파수를 획득하는 설정 주파수 획득 단계(s23)를 포함하는 것일 수 있다.
상기 함수 피팅 단계(s22)에서, 상기 관계식 f는 하기의 수학식 1로 피팅되는 것일 수 있다.
즉, 함수 피팅 단계(s22)에서, 관계식 f는 실수부 값인 ZSR을 종속변수로 하고, 허수부 값인 ZSI을 독립변수로 하는 함수형태로 획득될 수 있다.
상기 설정 주파수 획득 단계(s23)에서, 상기 설정 주파수는 상기 ZSI가 0보다 큰 값을 가지는 구간에 대해서 하기 수학식 2를 만족하는 주파수 중에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 ε은 0.0 내지 0.2의 실수이다. 예를 들어, ε은 기준 전지의 규격, 용량, 전극재의 소재, 구조 등이 가지는 공차를 고려하여 결정될 수 있다. 다른 예를 들어, ε은 복수의 기준 전지에 대해서 획득되는 기준 임피던스 값의 편차 값을 고려하여 결정될 수 있다.
상기 설정 주파수 단계에서, 상기 ε은 0인 것일 수 있다. 즉, 관계식 f을 ZSI로 미분한 값이 0일 때의 주파수를 설정 주파수로 획득할 수 있다. 더 구체적으로, 관계식 f가 극대값을 가질 때의 주파수 값을 설정 주파수로 획득할 수 있다.
상기 불량 판단 단계(s50)에서, 상기 실수부 저항이 상기 수학식 2를 만족하는 ZSI 값에 대해서 30% 이상일 때의 상기 분석 대상 전지는 불량 전지로 판단하는 것일 수 있다. 저전압 불량 전지를 상술한 바와 같이, 관계식 f는 설정 주파수에 대해서 극대값을 가지면서, 실수부 저항 값이 비정상적으로 큰 값을 가질 수 있다. 후술되는 실험예에 의하면, 설정 주파수에서 저전압 불량 전지의 실수부 저항 값은 정상 불량 전지의 실수부 저항 값보다 2배 이상 큰 것을 볼 수 있다. 따라서, 상기 실수부 저항이 상기 수학식 2를 만족하는 ZSI 값에 대해서 30% 이상 또는 50% 이상일 때, 분석 대상 전지는 저전압 불량 전지로 판별될 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 적용하는 전지 활성화 방법은,
조립 공정을 통해 활성화 대상 전지를 준비하는 활성화 전지 준비 단계;
상기 활성화 대상 전지를 충전 또는 방전하는 충방전 단계;
상기 설정 온도 및 설정 습도에서 상기 활성화 대상 전지를 일정시간 보관하여 상기 활성화 대상 전지를 안정화시키는 안정화 단계; 및
상기 활성화 대상 전지를 상기 분석 대상 전지로 하여 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 최종적으로 불량 전지를 선별하는 불량 선별 단계를 포함하는 것일 수 있다.
활성화 전지 분비 단계에서 준비되는 활성화 대상 전지는 패키징 공정까지 완료된 전지일 수 있다.
본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 전지 활성화 공정에 적용하여, 전지가 출하 전에 불량 검사로 소요되는 시간을 대폭 감소시킬 수 있다.
본 발명의 전지 활성화 방법은 상기 활성화 전지 준비 단계와 상기 충방전 단계 사이에, 상기 활성화 대상 전지를 분석 대상 전지로 하여 본 발명의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 상기 활성화 대상 전지를 사전 검사하는 사전 검사 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 전지 활성화 방법은 충방전 공정 및 에이징 공정 전에 불량 전지를 1차로 선별하여, 불량 전지에 대해서 충방전 공정 및 에이징 공정이 수행되는 것을 방지할 수 있고, 에이징 공정 이후에 2차로 불량 전지를 선별하여, SEI 층 형성 과정 등에서 발생할 수 있는 불량 전지를 다시 제거할 수 있다.
실험예
활성화 공정이 완료된 100Ah급 전지 15개를 준비하였다. 이들 중 5개는 정상 전지이고, 5개는 E 등급 불량 전지이며, 5개는 L 등급 불량 전지이다.
15개의 전지에 대해서 EIS를 수행하였으며, 도 3과 같은 결과를 획득하였다.
정상 전지 5개는 설정 주파수에 해당하는 10kHz의 주파수에서 실수부 저항 값이 각각 500μΩ, 480μΩ, 470μΩ, 490μΩ 및 520μΩ으로 측정되었고, E 등급 불량 전지 5개는 설정 주파수에 해당하는 10kHz의 주파수에서 실수부 저항 값이 각각 1160μΩ, 1140μΩ, 1110μΩ, 1130μΩ 및 1110μΩ으로 측정되었으며, L 등급 불량 전지 5개는 설정 주파수에 해당하는 10kHz의 주파수에서 실수부 저항 값이 각각 1120μΩ, 1070μΩ, 1150μΩ, 1140μΩ 및 1170μΩ으로 측정되었다.
즉, 저전압 불량 전지는 설정 주파수에서 정상 전지와 비교하여 두배 이상 큰 값의 실수부 저항 값이 측정됨을 볼 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
Claims (12)
- 분석 대상 전지에 설정 주파수의 교류 전류를 인가하여 상기 분석 대상 전지 임피던스인 분석 대상 임피던스를 획득하는 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30);
상기 분석 대상 임피던스에서 실수부 값을 실수부 저항으로 추출하는 실수부 저항 추출 단계(s40); 및
상기 실수부 저항을 근거로 상기 분석 대상 전지의 불량을 판단하는 불량 판단 단계(s50)를 포함하고,
상기 설정 주파수는 상기 분석 대상 임피던스의 허수부 값인 허수부 저항이 0보다 클 때의 주파수 중에서 선택되는 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제1항에 있어서,
상기 설정 주파수는 10-2kHz 내지 7MHz인 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분석 대상 전지는 복수의 모노셀을 포함하는 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제1항에 있어서,
상기 분석 대상 임피던스 측정 단계(s30) 이전에,
기준 전지에 주파수를 가변하면서 교류 전류를 인가하여 복수의 주파수에 대한 복수의 기준 임피던스를 획득하는 기준 임피던스 측정 단계(s10);
상기 복수의 기준 임피던스를 근거로 상기 설정 주파수를 산출하는 설정 주파수 산출 단계(s20)를 더 포함하는 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제4항에 있어서,
상기 기준 전지는 dOCV가 300mV 이상 또는 3 sigma 이상인 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제4항에 있어서,
상기 설정 주파수 산출 단계(s20)는,
상기 복수의 기준 임피던스를 실수부 값인 ZSR와 허수부 값인 ZSI로 분리하는 변수 분리 단계(s21)와,
상기 ZSR와 상기 ZSI에 대한 관계식 f를 획득하는 함수 피팅 단계(s22)와,
상기 관계식을 근거로 상기 설정 주파수를 획득하는 설정 주파수 획득 단계(s23)를 포함하는 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제6항에 있어서,
상기 함수 피팅 단계(s22)에서,
상기 관계식 f는 하기의 수학식 1로 피팅되는 것인 전지 불량 고속 검사 방법:
[수학식 1]
. - 제7항에 있어서,
상기 설정 주파수 획득 단계(s23)에서,
상기 설정 주파수는 상기 ZSI가 0보다 큰 값을 가지는 구간에 대해서 하기 수학식 2를 만족하는 주파수 중에서 선택되는 것인 전지 불량 고속 검사 방법:
[수학식 2]
,
상기 ε은 0.0 내지 0.2이다. - 제8항에 있어서,
상기 설정 주파수 단계에서,
상기 ε은 0인 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 제9항에 있어서,
상기 불량 판단 단계(s50)에서,
상기 실수부 저항이 상기 수학식 2를 만족하는 ZSI 값에 대해서 30% 이상일 때의 상기 분석 대상 전지는 불량 전지로 판단하는 것인 전지 불량 고속 검사 방법. - 조립 공정을 통해 활성화 대상 전지를 준비하는 활성화 전지 준비 단계;
상기 활성화 대상 전지를 충전 또는 방전하는 충방전 단계;
상기 설정 온도 및 설정 습도에서 상기 활성화 대상 전지를 일정시간 보관하여 상기 활성화 대상 전지를 안정화시키는 안정화 단계; 및
상기 활성화 대상 전지를 상기 분석 대상 전지로 하여 제1항의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 최종적으로 불량 전지를 선별하는 불량 선별 단계를 포함하는 것인 전지 활성화 방법. - 제11항에 있어서,
상기 활성화 전지 준비 단계와 상기 충방전 단계 사이에,
상기 활성화 대상 전지를 분석 대상 전지로 하여 제1항의 전지 불량 고속 검사 방법을 수행하여 상기 활성화 대상 전지를 사전 검사하는 사전 검사 단계를 더 포함하는 것인 전지 활성화 방법.
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