KR20240058005A - Separating apparatus, separating system, and separating method - Google Patents

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KR20240058005A
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마사루 혼다
마사토시 카네다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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    • H01L2221/6839Separation by peeling using peeling wedge or knife or bar

Abstract

박리 유인부에 부착한 이물을 제거한다. 본 개시에 따른 박리 장치는, 제 1 유지부와, 제 2 유지부와, 박리 유인부와, 흡인부를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.Remove foreign substances attached to the peeling attractor. The peeling device according to the present disclosure includes a first holding portion, a second holding portion, a peeling inducing portion, and a suction portion. The first holding portion holds the first substrate among the polymerized substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded, and moves the first substrate in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.

Description

박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법 {SEPARATING APPARATUS, SEPARATING SYSTEM, AND SEPARATING METHOD}peeling device, peeling system and peeling method {SEPARATING APPARATUS, SEPARATING SYSTEM, AND SEPARATING METHOD}

본 개시는 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to stripping devices, stripping systems and stripping methods.

최근, 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이며 얇은 반도체 기판은, 반송 시 또는 연마 처리 시에 휨 또는 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 기판에 지지 기판을 붙여 보강한 후에, 반송 및 연마 처리를 행하고, 이 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다.Recently, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers are being reduced in diameter and thinner. Large-diameter, thin semiconductor substrates may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after attaching a support substrate to a semiconductor substrate to reinforce it, conveyance and polishing are performed, and then the support substrate is peeled from the semiconductor substrate.

특허 문헌 1에는, 지지 기판이 피처리 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부를 구비한 박리 장치가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a peeling device provided with a peeling attraction portion that is formed on the side surface of one end of a polymerized substrate as a trigger for peeling the support substrate from the substrate to be processed.

일본특허공개공보 2015-207776호Japanese Patent Publication No. 2015-207776

본 개시는, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for removing foreign substances attached to a peeling attraction portion.

본 개시의 일태양에 따른 박리 장치는, 제 1 유지부와, 제 2 유지부와, 박리 유인부와, 흡인부를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.A peeling device according to one aspect of the present disclosure includes a first holding portion, a second holding portion, a peeling attraction portion, and a suction portion. The first holding portion holds the first substrate among the polymerized substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded, and moves the first substrate in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.

본 개시에 따르면, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있다.According to the present disclosure, foreign substances attached to the peeling attraction portion can be removed.

도 1은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 전달 스테이션의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 3은 제 1 실시 형태에 따른 중합 기판의 모식 단면도이다.
도 4는 제 1 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 5는 제 1 실시 형태에 따른 제 1 유지부의 모식 평면도이다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 모식 측면도이다.
도 7은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 모식 저면도이다.
도 8은 제 1 유지부의 흡착 패드, 제 3 유지부의 흡착 패드 및 상 웨이퍼의 위치 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 9는 제 2 반송 장치의 상측 유지부의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 10은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 11은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 12는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 13은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 14는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 15는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 16은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 17은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 18은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 19는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 20은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 21은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 22는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 23은 제 2 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 24는 제 2 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 흡착 패드, 접촉부 및 상 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 25는 제 3 실시 형태에 따른 상 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 복수의 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 26은 제 3 실시 형태에 따른 박리 후의 상 웨이퍼, 박리 후의 하 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 복수의 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.
도 27은 균열이 있는 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 28은 균열이 있는 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 29는 제 4 실시 형태에 따른 상 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 30은 제 4 실시 형태에 따른 중합 기판, 제 1 유지부의 흡착부 및 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.
도 31은 정상 시의 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 32는 정상 시의 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 33은 박리 동작 중에 상 웨이퍼가 깨진 경우의, 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 34는 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 35는 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 36은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 37은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 38은 제 6 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 39는 제 6 실시 형태에 따른 받이부의 모식 평면도이다.
도 40은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 41은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 42는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 부착물 흡인 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 43은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 44는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 45는 제 8 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 46은 제 9 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 47은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 48은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 49는 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 50은 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
1 is a schematic plan view showing the configuration of a peeling system according to the first embodiment.
Fig. 2 is a schematic side view showing the configuration of a transfer station according to the first embodiment.
Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the polymerization substrate according to the first embodiment.
Fig. 4 is a schematic side view showing the configuration of a peeling device according to the first embodiment.
Fig. 5 is a schematic plan view of the first holding portion according to the first embodiment.
Fig. 6 is a schematic side view of the third holding portion according to the first embodiment.
Fig. 7 is a schematic bottom view of the third holding portion according to the first embodiment.
Fig. 8 is a schematic plan view showing an example of the positional relationship between the suction pad of the first holding portion, the suction pad of the third holding portion, and the image wafer.
Fig. 9 is a schematic plan view showing an example of the configuration of the upper holding portion of the second transport device.
Fig. 10 is a flowchart showing the sequence of processing performed by the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 11 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 12 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 13 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 14 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 15 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 16 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 17 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 18 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 19 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 20 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 21 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 22 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 23 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the second embodiment.
Fig. 24 is a schematic plan view showing the positional relationship between the suction pad, the contact portion, and the image wafer of the third holding portion according to the second embodiment.
Fig. 25 is a schematic plan view showing the positional relationship between the image wafer, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and a plurality of detection portions according to the third embodiment.
Fig. 26 is a schematic side view showing the positional relationship of the upper wafer after peeling, the lower wafer after peeling, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and a plurality of detection portions according to the third embodiment.
Figure 27 is a schematic plan view showing an example of the relationship between a cracked image wafer and a detection unit.
Figure 28 is a schematic plan view showing an example of the relationship between a cracked image wafer and a detection unit.
Fig. 29 is a schematic plan view showing the positional relationship between the image wafer, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and the detection portion according to the fourth embodiment.
Fig. 30 is a schematic side view showing the positional relationship between the polymerization substrate, the adsorption portion of the first holding portion, and the detection portion according to the fourth embodiment.
Figure 31 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit during normal operation.
Figure 32 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit during normal operation.
Figure 33 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit when the image wafer is broken during the peeling operation.
Fig. 34 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 35 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 36 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 37 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 38 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the sixth embodiment.
Fig. 39 is a schematic plan view of a receiving portion according to the sixth embodiment.
Fig. 40 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 41 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 42 is a flowchart showing the procedure of adhesion suction processing of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 43 is a diagram showing an example of operation of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 44 is a diagram showing an example of operation of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 45 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the eighth embodiment.
Fig. 46 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the ninth embodiment.
Fig. 47 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the tenth embodiment.
Fig. 48 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the tenth embodiment.
Fig. 49 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the 11th embodiment.
Fig. 50 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the 11th embodiment.

이하에, 본 개시에 따른 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법을 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form (hereinafter referred to as 'embodiment') for implementing the peeling device, peeling system, and peeling method according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Additionally, the present disclosure is not limited to this embodiment. Additionally, each embodiment can be appropriately combined within the range that does not conflict with the processing content. In addition, in each of the following embodiments, the same parts are given the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직’ 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.Additionally, in the embodiments shown below, expressions such as 'constant', 'orthogonal', 'perpendicular', or 'parallel' may be used, but these expressions are strictly defined as 'constant', 'orthogonal', and 'perpendicular'. ' or 'parallel' is not required. That is, each of the above expressions allows for errors in, for example, manufacturing precision and installation precision.

또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.In addition, in each drawing referred to below, in order to make the explanation easier to understand, the . Additionally, the rotation direction with the vertical axis as the rotation center may be called the θ direction.

최근, 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이며 얇은 반도체 기판은, 반송 시 또는 연마 처리 시에 휨 또는 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 기판에 지지 기판을 붙여 보강한 후에, 반송 및 연마 처리를 행하고, 이 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다.Recently, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers are being reduced in diameter and thinner. Large-diameter, thin semiconductor substrates may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after attaching a support substrate to a semiconductor substrate to reinforce it, conveyance and polishing are performed, and then the support substrate is peeled from the semiconductor substrate.

특허 문헌 1에는, 지지 기판이 피처리 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부를 구비한 박리 장치가 개시되어 있다. 박리 유인부는, 예리 부재(칼날)를 구비하고 있고, 이러한 예리 부재를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 부딪치게 함으로써, 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 박리 개시 부위를 형성한다.Patent Document 1 discloses a peeling device provided with a peeling attraction portion that forms a peeling start site on one end side of a polymerized substrate, which serves as a trigger for peeling the support substrate from the processing target substrate. The peeling attraction portion is provided with a sharpening member (blade), and a peeling start site is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate by causing this sharpening member to hit the side surface of one end of the polymerization substrate.

그러나, 박리 유인부를 이용하여 중합 기판에 박리 개시 부위를 형성할 시에, 예를 들면 박리 유인부의 예리 부재에 이물이 부착하고 있으면, 이 이물이 지지 기판 또는 피처리 기판에 부착하여, 박리 처리에 영향을 미칠 우려가 있다.However, when forming a peeling start site on a polymerized substrate using a peeling attraction portion, for example, if foreign matter adheres to the sharp member of the peeling attracting portion, this foreign matter may adhere to the support substrate or the substrate to be processed, resulting in the peeling process. There are concerns that it may have an impact.

이에, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있는 기술이 기대되고 있다.Accordingly, technology that can remove foreign substances attached to the peeling attraction portion is expected.

(제 1 실시 형태)(First Embodiment)

<박리 시스템의 구성><Configuration of peeling system>

먼저, 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 구성에 대하여, 도 1 ~ 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 구성을 나타내는 모식 평면도이다. 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 전달 스테이션(2)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. 도 3은 제 1 실시 형태에 따른 중합 기판(T)의 모식 단면도이다.First, the configuration of the peeling system 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. Fig. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system 100 according to the first embodiment. Fig. 2 is a schematic side view showing the configuration of the transfer station 2 according to the first embodiment. Fig. 3 is a schematic cross-sectional view of the polymerization substrate T according to the first embodiment.

도 1에 나타내는 박리 시스템(100)은, 예를 들면, 도 3에 나타내는 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)이 접합된 중합 기판(T)으로부터, 제 1 기판(W1)을 박리한다.For example, the peeling system 100 shown in FIG. 1 peels the first substrate W1 from the polymerized substrate T shown in FIG. 3 where the first substrate W1 and the second substrate W2 are bonded. do.

이하에서는, 제 1 기판(W1)을 '상 웨이퍼(W1)'라 기재하고, 제 2 기판(W2)을 '하 웨이퍼(W2)'라 기재한다. 즉, 상 웨이퍼(W1)는 제 1 기판의 일례이며, 하 웨이퍼(W2)는 제 2 기판의 일례이다.Hereinafter, the first substrate W1 will be referred to as the 'upper wafer W1', and the second substrate W2 will be referred to as the 'lower wafer W2'. That is, the upper wafer W1 is an example of the first substrate, and the lower wafer W2 is an example of the second substrate.

또한, 이하에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상 웨이퍼(W1)의 판면 중, 하 웨이퍼(W2)와 접합되는 측의 판면을 '접합면(W1j)'이라 기재하고, 접합면(W1j)과는 반대측의 판면을 '비접합면(W1n)'이라 기재한다. 또한, 하 웨이퍼(W2)의 판면 중, 상 웨이퍼(W1)와 접합되는 측의 판면을 '접합면(W2j)'이라 기재하고, 접합면(W2j)과는 반대측의 판면을 '비접합면(W2n)'이라 기재한다.In addition, hereinafter, as shown in FIG. 3, among the surfaces of the upper wafer W1, the surface on the side that is bonded to the lower wafer W2 is referred to as 'bonding surface W1j', and the bonding surface W1j and The plate surface on the opposite side is described as 'non-bonded surface (W1n)'. In addition, among the surfaces of the lower wafer W2, the surface on the side bonded to the upper wafer W1 is referred to as the 'bonded surface W2j', and the surface on the opposite side to the bonded surface W2j is referred to as the 'non-bonded surface ( Write ‘W2n)’.

상 웨이퍼(W1)는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이다. 또한, 하 웨이퍼(W2)는, 예를 들면 전자 회로가 형성되어 있지 않은 베어 웨이퍼이다. 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 대략 동일 직경을 가진다. 또한, 제 2 기판(W2)에 전자 회로가 형성되어 있어도 된다.The upper wafer W1 is a semiconductor substrate, such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, on which a plurality of electronic circuits are formed. In addition, the lower wafer W2 is, for example, a bare wafer on which no electronic circuit is formed. The upper wafer W1 and the lower wafer W2 have approximately the same diameter. Additionally, an electronic circuit may be formed on the second substrate W2.

상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 예를 들면, 화학적으로 접합되어도 된다. 이 경우, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)는, 플라즈마 처리에 의해 표면(접합면(W1j, W2j))이 개질되고, 또한 개질된 표면이 순수에 의해 친수화된 후, 반데르발스력 및 수소 결합(분자간력)에 의해 접합된다. 또한, 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 접착제에 의해 접합되어도 된다.The upper wafer W1 and the lower wafer W2 may be chemically bonded, for example. In this case, the surfaces of the upper wafer W1 and the lower wafer W2 (joint surfaces W1j, W2j) are modified by plasma treatment, and the modified surfaces are made hydrophilic by pure water, followed by van der Waals They are joined by hydrogen bonding and hydrogen bonding (intermolecular forces). Additionally, the upper wafer W1 and the lower wafer W2 may be bonded together with an adhesive.

도 1에 나타내는 바와 같이, 박리 시스템(100)은 반입반출 스테이션(1)과, 전달 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(1)과, 전달 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)은, Y축 정방향을 따라, 반입반출 스테이션(1), 전달 스테이션(2), 처리 스테이션(3)의 순으로 배열되어 배치된다.As shown in FIG. 1 , the peeling system 100 includes a loading/unloading station 1, a transfer station 2, and a processing station 3. The carrying-out station (1), the transfer station (2), and the processing station (3) are arranged in the following order along the Y-axis positive direction: the carrying-out station (1), the transfer station (2), and the processing station (3). and is placed.

반입반출 스테이션(1)에서는, 중합 기판(T)의 반입, 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 반출 등이 행해진다. 이러한 반입반출 스테이션(1)은 배치부(4)와, 제 1 반송 장치(5)를 구비한다.At the loading/unloading station 1, the polymerization substrate T is loaded, the peeled upper wafer W1 and the lower wafer W2 are loaded, etc. This loading/unloading station (1) is provided with a placement unit (4) and a first transport device (5).

배치부(4)에는, 복수의 카세트 배치대가 마련되어 있고, 각 카세트 배치대에는, 중합 기판(T)이 수용되는 카세트(Ct), 박리 후의 상 웨이퍼(W1)가 수용되는 카세트(C1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)가 수용되는 카세트(C2)가 배치된다.The placement unit 4 is provided with a plurality of cassette placement tables, and each cassette placement table includes a cassette Ct in which the polymerized substrate T is accommodated, a cassette C1 in which the peeled image wafer W1 is accommodated, and a peeled A cassette C2 in which the later lower wafer W2 is accommodated is disposed.

제 1 반송 장치(5)는, 배치부(4)의 Y축 정방향측에 인접하여 배치된다. 제 1 반송 장치(5)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반송을 행한다. 제 1 반송 장치(5)는, 수평 방향으로의 이동, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 암부와, 이 반송 암부의 선단에 장착된 기판 유지부를 구비한다. 제 1 반송 장치(5)는, 기판 반송 장치의 일례이다.The first transport device 5 is disposed adjacent to the Y-axis positive direction side of the placement unit 4. The first transfer device 5 transfers the polymerization substrate T, the peeled upper wafer W1, and the peeled lower wafer W2. The first transfer device 5 includes a transfer arm capable of moving in the horizontal direction, raising and lowering in the vertical direction, and rotating around the vertical direction, and a substrate holding part mounted on the tip of the transfer arm. The first transport device 5 is an example of a substrate transport device.

반입반출 스테이션(1)에서는, 이러한 제 1 반송 장치(5)에 의해, 배치부(4)로부터 전달 스테이션(2)으로 중합 기판(T)을 반송하는 처리, 및 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)를 전달 스테이션(2)으로부터 배치부(4)로 반송하는 처리가 행해진다.At the loading/unloading station 1, a process of transferring the polymerized substrate T from the placement unit 4 to the transfer station 2 by this first transfer device 5, and the image wafer W1 after peeling and A process of transporting the lower wafer W2 from the transfer station 2 to the placement unit 4 is performed.

전달 스테이션(2)에서는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 전달하는 전달 처리가 행해진다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 전달 스테이션(2)은, 예를 들면, 제 1 전달부(25)와, 제 2 전달부(26)와, 반전 기구 부착 전달부(27)와, 얼라이너(28)를 구비한다. 제 1 전달부(25)와, 제 2 전달부(26)와, 반전 기구 부착 전달부(27)와, 얼라이너(28)는, 예를 들면, 연직 상향(Z축 정방향)을 따라 제 1 전달부(25), 제 2 전달부(26), 반전 기구 부착 전달부(27), 얼라이너(28)의 순으로 배치된다.At the transfer station 2, a transfer process is performed to transfer the polymerization substrate T, the peeled upper wafer W1, and the peeled lower wafer W2. As shown in FIG. 2, the delivery station 2 includes, for example, a first delivery unit 25, a second delivery unit 26, a delivery unit with an inversion mechanism 27, and an aligner 28. ) is provided. The first delivery unit 25, the second delivery unit 26, the delivery unit with a reversal mechanism 27, and the aligner 28 are, for example, first along vertically upward (Z-axis positive direction). The delivery unit 25, the second delivery unit 26, the delivery unit with a reversal mechanism 27, and the aligner 28 are arranged in that order.

제 1 전달부(25)에는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 반송된 중합 기판(T)이 배치된다. 제 1 전달부(25)에 배치된 중합 기판(T)은, 후술하는 제 2 반송 장치(6)에 의해 처리 스테이션(3)으로 반송된다.The polymerized substrate T transported from the loading/unloading station 1 is placed in the first delivery unit 25 . The polymerized substrate T placed in the first transfer unit 25 is transferred to the processing station 3 by the second transfer device 6, which will be described later.

제 2 전달부(26)에는, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)가 배치된다. 제 2 전달부(26)에 배치된 박리 후의 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반입반출 스테이션(1)으로 반송된다.The peeled lower wafer W2 is placed in the second transfer unit 26 . The peeled lower wafer W2 disposed in the second transfer unit 26 is transferred to the loading/unloading station 1 by the first transfer device 5 .

반전 기구 부착 전달부(27)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시키는 반전 기구를 구비한다. 반전 기구 부착 전달부(27)에는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)가 배치된다. 반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 반전 기구에 의해 표리가 반전되고, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반입반출 스테이션(1)으로 반송된다.The delivery unit 27 with the inversion mechanism is provided with a inversion mechanism that inverts the front and back of the peeled image wafer W1. The peeled image wafer W1 is placed in the transfer unit 27 with the inversion mechanism. The peeled image wafer W1 disposed on the transfer unit 27 with the inversion mechanism is flipped on its front and back by the inversion mechanism, and is then transported to the loading/unloading station 1 by the first conveying device 5 .

얼라이너(28)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 얼라이먼트 처리를 행한다. 예를 들면, 얼라이너(28)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 흡착 유지하여 회전시키는 유지부와, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 노치부의 위치를 검출하는 검출부를 구비한다.The aligner 28 performs an alignment process on the polymerization substrate T, the peeled upper wafer W1, and the peeled lower wafer W2. For example, the aligner 28 includes a holding portion that adsorbs and rotates the polymerization substrate T, the peeled upper wafer W1 and the peeled lower wafer W2, and the polymerization substrate T and the peeled lower wafer W2. It is provided with a detection unit that detects the positions of the notches of the upper wafer W1 and the peeled lower wafer W2.

얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 중합 기판(T)을 회전시키면서 검출부로 중합 기판(T)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 중합 기판(T)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다. 또한, 얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 회전시키면서 검출부로 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다. 또한, 얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 회전시키면서 검출부로 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다.The aligner 28 detects the position of the notch portion of the polymerized substrate T with a detector while rotating the polymerized substrate T held by adsorption in the holding portion, thereby adjusting the position of the notch portion to level the polymerized substrate T. The direction of direction can be adjusted. In addition, the aligner 28 detects the position of the notch portion of the peeled image wafer W1 with the detection unit while rotating the peeled image wafer W1 adsorbed and held by the holding unit, thereby adjusting the position of the notch portion to remove the peeled image wafer W1. The horizontal direction of the later image wafer W1 can be adjusted. In addition, the aligner 28 detects the position of the notch portion of the peeled lower wafer W2 with the detection unit while rotating the peeled lower wafer W2 adsorbed and held by the holding unit, thereby adjusting the position of the notch portion to remove the peeled lower wafer W2. The horizontal direction of the later lower wafer W2 can be adjusted.

처리 스테이션(3)에서는, 주로 중합 기판(T)을 박리하는 처리가 행해진다. 이러한 처리 스테이션(3)은, 제 2 반송 장치(6)와, 박리 장치(7)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)와, 박리 장치(7)는, X축 정방향을 따라, 제 2 반송 장치(6), 박리 장치(7)의 순으로 배열되어 배치된다.At the processing station 3, a process of peeling the polymerized substrate T is mainly performed. This processing station 3 is provided with a second transfer device 6 and a peeling device 7. The second conveying device 6 and the peeling device 7 are arranged in the order of the second conveying device 6 and the peeling device 7 along the positive X-axis direction.

제 2 반송 장치(6)는, 전달 스테이션(2) 및 박리 장치(7) 간에 있어서의 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반송을 행한다. 제 2 반송 장치(6)는, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 암부(도시하지 않음)와, 반송 암부의 선단에 장착되어, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 흡착 유지하는 상측 유지부(61)(도 9, 도 21 참조)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)는, 또한, 반송 암부의 선단에 장착되어, 중합 기판(T) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 유지하는 하측 유지부(62)(도 18 참조)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)가 구비하는 상측 유지부(61)의 구체적인 구성에 대해서는, 후술한다. 또한, 제 2 반송 장치(6)는, 기판 반송 장치의 일례이다.The second transfer device 6 transfers the polymerized substrate T, the peeled upper wafer W1, and the peeled lower wafer W2 between the transfer station 2 and the peeling device 7. The second transfer device 6 includes a transfer arm (not shown) capable of lifting and lowering in the vertical direction and rotating about the vertical direction, and is mounted on the tip of the transfer arm to adsorb the peeled image wafer W1. It is provided with an upper holding portion 61 (see FIGS. 9 and 21) that holds it. The second transfer device 6 further includes a lower holding part 62 (see FIG. 18) which is mounted on the tip of the transfer arm and holds the polymerized substrate T and the peeled lower wafer W2. The specific configuration of the upper holding portion 61 included in the second conveying device 6 will be described later. Additionally, the second transfer device 6 is an example of a substrate transfer device.

처리 스테이션(3)에서는, 이러한 제 2 반송 장치(6)에 의해, 전달 스테이션(2)으로부터 박리 장치(7)로 중합 기판(T)을 반송하는 처리, 및 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)를 박리 장치(7)로부터 전달 스테이션(2)으로 반송하는 처리가 행해진다.At the processing station 3, the polymerized substrate T is transferred from the transfer station 2 to the peeling device 7 by this second transfer device 6, and the upper and lower wafers W1 after peeling are processed. A process of transporting the wafer W2 from the peeling device 7 to the transfer station 2 is performed.

박리 장치(7)는, 중합 기판(T)을 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)로 박리하는 박리 처리를 행한다. 박리 장치(7)의 구체적인 구성 및 동작에 대해서는, 후술한다.The peeling device 7 performs a peeling process to separate the polymerized substrate T into the upper wafer W1 and the lower wafer W2. The specific configuration and operation of the peeling device 7 will be described later.

또한, 박리 시스템(100)은, 제어 장치(8)를 구비한다. 제어 장치(8)는, 박리 시스템(100)의 동작을 제어한다. 이러한 제어 장치(8)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(81) 및 기억부(82)를 구비한다. 기억부(82)에는, 박리 처리 등의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(81)는, 기억부(82)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행하는 것에 의해 박리 시스템(100)의 동작을 제어한다.Additionally, the peeling system 100 includes a control device 8. The control device 8 controls the operation of the peeling system 100. This control device 8 is, for example, a computer and includes a control unit 81 and a storage unit 82. The storage unit 82 stores a program that controls various processes such as peeling process. The control unit 81 controls the operation of the peeling system 100 by reading and executing the program stored in the storage unit 82.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기록 매체로부터 제어 장치(8)의 기억부(82)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Additionally, such a program may be recorded on a recording medium readable by a computer and may be installed from the recording medium into the storage unit 82 of the control device 8. Examples of computer-readable recording media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

상기와 같이 구성된 박리 시스템(100)에서는, 먼저, 반입반출 스테이션(1)의 제 1 반송 장치(5)가, 배치부(4)에 배치된 카세트(Ct)로부터 중합 기판(T)을 취출하고, 취출한 중합 기판(T)을 전달 스테이션(2)으로 반입하여, 제 1 전달부(25)에 배치한다.In the peeling system 100 configured as described above, first, the first transfer device 5 of the loading/unloading station 1 takes out the polymerized substrate T from the cassette Ct disposed in the placing section 4, , the taken-out polymerized substrate T is brought into the transfer station 2 and placed in the first transfer unit 25.

이어서, 제 1 전달부(25)에 배치된 중합 기판(T)은, 처리 스테이션(3)의 제 2 반송 장치(6)에 의해 제 1 전달부(25)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 얼라이너(28)로 반입된 중합 기판(T)은, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 얼라이너(28)로부터 취출되어 박리 장치(7)로 반입된다. 그리고, 중합 기판(T)은, 박리 장치(7)에 의해 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)로 분리된다.Next, the polymerization substrate T placed in the first transfer unit 25 is taken out from the first transfer unit 25 by the second transfer device 6 of the processing station 3, and placed in the aligner 28. is imported into After the polymerized substrate T brought into the aligner 28 has its horizontal direction adjusted by the aligner 28, it is taken out from the aligner 28 by the second transfer device 6 and placed in the peeling device. It is imported into (7). Then, the polymerization substrate T is separated into an upper wafer W1 and a lower wafer W2 by the peeling device 7.

박리 후의 하 웨이퍼(W2)는, 제 2 반송 장치(6)에 의해 박리 장치(7)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 얼라이너(28)로 반입된 하 웨이퍼(W2)는, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 제 2 전달부(26)에 배치된다.The peeled lower wafer W2 is taken out from the peeling device 7 by the second transfer device 6 and loaded into the aligner 28 . The lower wafer W2 loaded into the aligner 28 is placed in the second transfer unit 26 by the second transfer device 6 after the horizontal direction is adjusted by the aligner 28. .

제 2 전달부(26)에 배치된 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 제 2 전달부(26)로부터 취출되어, 반입반출 스테이션(1)에 배치된 카세트(C2)에 수용된다. 또한, 제 1 반송 장치(5)는, 하 웨이퍼(W2)의 하면측 즉 비접합면(W2n)측을 유지하여 반송한다. 이 후, 카세트(C2)는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 취출되어, 회수된다. 이렇게 하여, 하 웨이퍼(W2)에 대한 처리가 종료된다.The lower wafer W2 placed in the second transfer unit 26 is taken out from the second transfer unit 26 by the first transfer device 5 and the cassette C2 placed in the loading/unloading station 1. is accepted in Additionally, the first transfer device 5 holds and transfers the lower wafer W2, that is, the non-bonded surface W2n side. After this, the cassette C2 is taken out from the loading/unloading station 1 and recovered. In this way, the processing for the lower wafer W2 ends.

한편, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 제 2 반송 장치(6)에 의해 박리 장치(7)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 여기서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 박리 장치(7)의 후술하는 제 3 유지부(30)(도 4 참조)에 의해 상면측 즉 비접합면(W1n)측이 유지된 상태로 되어 있다. 제 2 반송 장치(6)는, 제 3 유지부(30)에 의해 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)측을 상방으로부터 흡착 유지한다. 얼라이너(28)로 반입된 상 웨이퍼(W1)는, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된다.On the other hand, the image wafer W1 after peeling is taken out from the peeling device 7 by the second transfer device 6 and loaded into the aligner 28 . Here, the image wafer W1 after peeling is held on its upper surface side, that is, on the non-bonded surface W1n side, by the third holding portion 30 (see Fig. 4) described later of the peeling device 7. . The second transfer device 6 adsorbs and holds the non-bonded surface W1n side of the peeled image wafer W1 held by the third holding portion 30 from above. The image wafer W1 loaded into the aligner 28 is placed on the transfer unit 27 with a reversal mechanism by the second transfer device 6 after the horizontal direction is adjusted by the aligner 28. do.

반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된 상 웨이퍼(W1)는, 반전 기구에 의해 표리가 반전된다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 접합면(W1j)을 상방으로 향하게 한 상태가 된다. 표리가 반전된 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)로부터 취출되어, 반입반출 스테이션(1)에 배치된 카세트(C1)에 수용된다. 또한, 제 1 반송 장치(5)는, 상 웨이퍼(W1)의 하면측 즉 비접합면(W1n)측을 유지하여 반송한다. 이 후, 카세트(C1)는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 취출되어, 회수된다. 이렇게 하여, 상 웨이퍼(W1)에 대한 처리도 종료된다. 또한, 얼라이너(28)에 의한 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 얼라이먼트 처리는 생략해도 된다.The image wafer W1 placed on the transfer unit 27 with the inversion mechanism is flipped front and back by the inversion mechanism. As a result, the upper wafer W1 is in a state with the bonding surface W1j facing upward. The image wafer W1 with the front and back reversed is taken out from the transfer unit 27 with the inversion mechanism by the first transfer device 5 and stored in the cassette C1 disposed at the loading/unloading station 1 . Additionally, the first transfer device 5 holds and transfers the lower surface side, that is, the non-bonded surface W1n side, of the image wafer W1. After this, the cassette C1 is taken out from the loading/unloading station 1 and recovered. In this way, the processing on the upper wafer W1 also ends. Additionally, the alignment process of the polymerized substrate T, the peeled upper wafer W1, and the peeled lower wafer W2 by the aligner 28 may be omitted.

<박리 장치의 구성><Configuration of peeling device>

다음으로, 처리 스테이션(3)에 마련되는 박리 장치(7)의 구성에 대하여, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 제 1 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.Next, the configuration of the peeling device 7 provided in the processing station 3 will be described with reference to FIG. 4 . Fig. 4 is a schematic side view showing the configuration of the peeling device 7 according to the first embodiment.

박리 장치(7)는 제 1 유지부(10)와, 제 2 유지부(20)와, 제 3 유지부(30)와, 박리 유인부(40)와, 복수(여기서는, 2 개)의 승강 기구(50)와, 지지체(60)를 구비한다.The peeling device 7 includes a first holding portion 10, a second holding portion 20, a third holding portion 30, a peeling inducing portion 40, and a plurality of (here, two) lifting and lowering mechanisms. It is provided with a mechanism (50) and a support body (60).

박리 장치(7)는, 중합 기판(T)의 상 웨이퍼(W1)측을 제 1 유지부(10)에 의해 상방으로부터 흡착 유지하고, 중합 기판(T)의 하 웨이퍼(W2)측을 제 2 유지부(20)에 의해 하방으로부터 흡착 유지한다. 그리고, 박리 장치(7)는, 승강 기구(50)에 의해, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)의 판면으로부터 떨어뜨리는 방향(여기서는, Z축 정방향)으로 이동시킨다.The peeling device 7 suction-holds the upper wafer W1 side of the polymerization substrate T from above by the first holding portion 10, and holds the lower wafer W2 side of the polymerization substrate T by the second holding portion 10. It is adsorbed and held from below by the holding portion 20. Then, the peeling device 7 moves the upper wafer W1 in a direction (here, the positive Z-axis direction) away from the plate surface of the lower wafer W2 by the lifting mechanism 50 .

이에 의해, 제 1 유지부(10)에 유지된 상 웨이퍼(W1)가, 그 일단으로부터 타단을 향해 하 웨이퍼(W2)로부터 연속적으로 박리된다. 이하, 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다.As a result, the upper wafer W1 held by the first holding portion 10 is continuously peeled from the lower wafer W2 from one end to the other end. Hereinafter, each component will be described in detail.

제 1 유지부(10)는, 중합 기판(T) 중 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다. 제 1 유지부(10)는 탄성 부재(11)와, 복수의 흡착부(12)를 구비한다. 탄성 부재(11)는, 박판 형상의 부재이며, 예를 들면 금속판 등의 금속으로 형성된다. 탄성 부재(11)는, 중앙부에 제 3 유지부(30)를 관통시키기 위한 개구부(115)를 가진다. 이러한 탄성 부재(11)는, 상 웨이퍼(W1)의 상방에 있어서 상 웨이퍼(W1)와 대향 배치된다.The first holding portion 10 adsorbs and holds the non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 of the polymerization substrate T. The first holding portion 10 includes an elastic member 11 and a plurality of suction portions 12. The elastic member 11 is a thin plate-shaped member, and is formed of metal such as a metal plate, for example. The elastic member 11 has an opening 115 in the center for allowing the third holding portion 30 to penetrate. This elastic member 11 is disposed above the image wafer W1 to face the image wafer W1.

복수의 흡착부(12)는, 탄성 부재(11)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와의 대향면(여기서는, 하면)에 마련된다. 각 흡착부(12)는, 탄성 부재(11)에 고정되는 본체부(121)와, 이 본체부(121)의 하부에 마련되는 흡착 패드(122)를 구비한다.The plurality of adsorption portions 12 are provided on the surface (here, lower surface) of the elastic member 11 opposite to the upper wafer W1. Each suction portion 12 includes a main body portion 121 fixed to the elastic member 11 and a suction pad 122 provided at a lower portion of the main body portion 121.

각 흡착부(12)는, 흡기관(123)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(124)에 접속된다. 제 1 유지부(10)는, 흡기 장치(124)가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착부(12)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)(도 3 참조)을 흡착한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 유지부(10)에 흡착 유지된다.Each adsorption unit 12 is connected to an intake device 124 such as a vacuum pump via an intake pipe 123. The first holding portion 10 attracts the non-bonded surface W1n (see FIG. 3) of the upper wafer W1 to the plurality of suction portions 12 by the suction force generated by the suction device 124. As a result, the image wafer W1 is adsorbed and held by the first holding portion 10 .

또한, 흡착부(12)가 구비하는 흡착 패드(122)로서는, 변형량이 적은 타입인 것이 바람직하다. 이는, 후술하는 승강 기구(50)가 제 1 유지부(10)를 끌어당겼을 시에 흡착 패드(122)가 크게 변형하면, 이러한 변형에 수반하여 상 웨이퍼(W1)의 피흡착 부분이 크게 변형하여, 상 웨이퍼(W1) 혹은 하 웨이퍼(W2)가 데미지를 받을 우려가 있기 때문이다. 구체적으로, 흡착 패드(122)로서는, 예를 들면, 흡착면에 리브를 가지는 것, 또는 공간의 높이가 0.5 mm 이하인 플랫 패드 등을 이용하는 것이 바람직하다.Additionally, the suction pad 122 included in the suction section 12 is preferably of a type that has a small amount of deformation. This means that if the suction pad 122 is greatly deformed when the lifting mechanism 50, which will be described later, pulls the first holding portion 10, the adsorbed portion of the upper wafer W1 is greatly deformed along with this deformation. This is because there is a risk that the upper wafer (W1) or the lower wafer (W2) may be damaged. Specifically, as the suction pad 122, it is preferable to use, for example, a pad with ribs on the suction surface or a flat pad with a space height of 0.5 mm or less.

여기서, 제 1 유지부(10)의 구성에 대하여 도 5를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 제 1 실시 형태에 따른 제 1 유지부(10)의 모식 평면도이다.Here, the configuration of the first holding portion 10 will be described in more detail with reference to FIG. 5 . Fig. 5 is a schematic plan view of the first holding portion 10 according to the first embodiment.

탄성 부재(11)는 본체부(111)와, 복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)를 구비한다. 본체부(111)는, 중앙부에 제 3 유지부(30)를 관통시키기 위한 개구부(115)를 가진다. 여기서, 본체부(111)의 중앙부란, 본체부(111)의 중심을 포함한 영역이다. 복수의 흡착부(12)는, 이러한 본체부(111)의 하면 즉 중합 기판(T)과의 대향면에 배치된다.The elastic member 11 includes a main body portion 111 and a plurality of (here, two) extension portions 112. The main body 111 has an opening 115 in the center for allowing the third holding part 30 to penetrate. Here, the central part of the main body 111 is an area including the center of the main body 111. The plurality of adsorption units 12 are disposed on the lower surface of the main body 111, that is, on the surface opposite to the polymerization substrate T.

복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)는, 본체부(111)의 외주부의 일부를 연장시킨 부위이다. 구체적으로, 2 개의 연장부(112) 중 일방은, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 기점측에 위치하는 외주부(Y축 부방향측의 외주부)의 일부를 박리의 진행 방향과는 반대측(Y축 부방향측)을 향해 연장시킨 부위이다. 또한, 2 개의 연장부(112) 중 타방은, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 외주부(Y축 정방향측의 외주부)의 일부를 박리의 진행 방향측(Y축 정방향측)을 향해 연장시킨 부위이다. 이러한 복수의 연장부(112)의 선단에는, 각각 승강 기구(50)의 지주(支柱) 부재(51)가 접속된다.The plurality of extension parts 112 (here, two) are parts of the outer peripheral part of the main body 111 extended. Specifically, one of the two extension parts 112 has a part of the outer peripheral part of the main body 111 located on the most starting point side of peeling (outer peripheral part on the Y-axis negative direction side) in a direction different from the progress direction of peeling. This is a part that extends toward the opposite side (Y-axis negative direction side). In addition, the other of the two extension parts 112 is a part of the outer peripheral part of the main body 111 located on the most end point side of peeling (outer peripheral part on the positive Y-axis direction side) on the side of the peeling progress direction (Y-axis). This is a part that extends toward the forward direction. A support member 51 of the lifting mechanism 50 is connected to the tip of each of these plurality of extension parts 112 .

복수(여기서는, 6 개)의 흡착부(12)는, 본체부(111)의 하면에 배치된다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 6 개의 흡착부(12) 중 3 개는, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 기점측에 위치하는 외주부(Y축 부방향의 외주부)의 주연에 배치된다. 6 개의 흡착부(12) 중 2 개는, 본체부(111)의 개구부(115)의 주변에, 박리의 진행 방향(Y축 정방향)에 대하여 직교하는 방향(X축 방향)으로 배열되어 배치된다. 6 개의 흡착부(12) 중 나머지 1 개는, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 외주부(Y축 정방향의 외주부)에 배치된다. 6 개의 흡착부(12)는, 박리의 진행 방향(Y축 방향)을 따라 3 개의 흡착부(12), 2 개의 흡착부(12) 및 1 개의 흡착부(12)의 순으로 배치된다. 이와 같이, 복수의 흡착부(12)가, 박리의 진행 방향에 맞추어 배치됨으로써, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.A plurality of adsorption units 12 (here, 6) are arranged on the lower surface of the main body 111. As shown in Fig. 5, three of the six adsorption portions 12 are disposed on the periphery of the outer peripheral portion of the main body portion 111 located at the furthest starting point of peeling (outer peripheral portion in the negative Y-axis direction). . Two of the six adsorption units 12 are arranged around the opening 115 of the main body 111 in a direction (X-axis direction) perpendicular to the peeling progress direction (Y-axis positive direction). . The remaining one of the six adsorption portions 12 is disposed on the outer peripheral portion of the main body portion 111 located at the extreme end point of peeling (outer peripheral portion in the positive Y-axis direction). The six adsorption units 12 are arranged in the order of three adsorption units 12, two adsorption units 12, and one adsorption unit 12 along the peeling progress direction (Y-axis direction). In this way, by arranging the plurality of adsorption units 12 in accordance with the direction in which the peeling progresses, the upper wafer W1 can be efficiently peeled from the lower wafer W2.

복수의 흡착부(12) 중, 박리의 가장 기점측(여기서는, Y축 부방향측)에 배치되는 흡착부(12)는, 후술하는 박리 유인부(40)(도 4 참조)의 칼날부(41)(도 3 참조)가 접촉하는 부위에 근접하는 위치에 배치된다. 환언하면, 박리 유인부(40)의 칼날부(41)는, Y축 부방향측에 배치되는 흡착부(12)의 근방에서 중합 기판(T)의 측면에 접촉한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 기점으로서 상 웨이퍼(W1)의 박리를 확실하게 개시시킬 수 있다. 여기서는, 탄성 부재(11)에 대하여 6 개의 흡착부(12)가 마련되는 경우의 예를 나타냈지만, 탄성 부재(11)에 마련되는 흡착부(12)의 개수는, 6 개에 한정되지 않는다.Among the plurality of adsorption units 12, the adsorption unit 12 disposed on the most starting point side of peeling (here, the Y-axis negative direction side) is the blade portion (see FIG. 4) of the peeling attraction unit 40 (see FIG. 4) described later. 41) (see FIG. 3) is placed in a position close to the contact area. In other words, the blade portion 41 of the peeling attraction portion 40 contacts the side surface of the polymerization substrate T in the vicinity of the adsorption portion 12 disposed on the negative Y-axis direction side. As a result, peeling of the upper wafer W1 can be reliably started from the peeling start site that serves as a trigger for peeling of the upper wafer W1 from the lower wafer W2. Here, an example in which six suction portions 12 are provided on the elastic member 11 is shown, but the number of suction portions 12 provided on the elastic member 11 is not limited to six.

도 4로 돌아와, 박리 장치(7)의 그 외의 구성에 대하여 설명한다. 제 2 유지부(20)는, 제 1 유지부(10)의 하방에 배치되어, 중합 기판(T) 중 하 웨이퍼(W2)를 흡착 유지한다. 이러한 제 2 유지부(20)는, 원판 형상의 본체부(21)와, 본체부(21)를 지지하는 지주 부재(22)를 구비한다.Returning to Fig. 4, other configurations of the peeling device 7 will be described. The second holding portion 20 is disposed below the first holding portion 10 and adsorbs and holds the lower wafer W2 of the polymerization substrate T. This second holding portion 20 includes a disc-shaped main body 21 and a support member 22 that supports the main body 21.

본체부(21)는, 예를 들면, 알루미늄 등의 금속 부재로 형성된다. 이러한 본체부(21)의 상면에는, 흡착면(201)이 마련된다. 흡착면(201)은, 하 웨이퍼(W2)와 대략 동일한 직경으로 형성된다. 흡착면(201)은, 다공질체이며, 예를 들면 PCTFE(폴리클로로트리플루오로 에틸렌) 등의 수지 부재로 형성된다.The main body 21 is formed of a metal member such as aluminum, for example. An adsorption surface 201 is provided on the upper surface of this main body portion 21. The adsorption surface 201 is formed to have approximately the same diameter as the lower wafer W2. The adsorption surface 201 is a porous material and is formed of a resin member such as, for example, PCTFE (polychlorotrifluoroethylene).

본체부(21)의 내부에는, 흡착면(201)을 개재하여 외부와 연통하는 흡인 공간(202)이 형성된다. 흡인 공간(202)은, 흡기관(203)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(204)와 접속된다. 이러한 제 2 유지부(20)는, 흡기 장치(204)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)(도 3 참조)을 흡착면(201)에 흡착시키는 것에 의해, 중합 기판(T)을 흡착 유지한다.Inside the main body 21, a suction space 202 is formed that communicates with the outside through the suction surface 201. The suction space 202 is connected to an intake device 204 such as a vacuum pump via an intake pipe 203. This second holding portion 20 uses the negative pressure generated by the intake of the intake device 204 to attach the non-bonded surface W2n (see FIG. 3) of the lower wafer W2 to the adsorption surface 201. By adsorbing, the polymerized substrate (T) is adsorbed and held.

또한, 하 웨이퍼(W2)와의 흡착면에 홈 등의 비흡착부가 형성되어 있으면, 이러한 비흡착부에 있어서 하 웨이퍼(W2)에 크랙이 발생할 우려가 있다. 이에, 본체부(21)의 흡착면(201)은, 홈 등의 비흡착부를 가지지 않는 평탄면으로 했다. 이에 의해, 하 웨이퍼(W2)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Additionally, if a non-adsorption portion such as a groove is formed on the adsorption surface of the lower wafer W2, there is a risk of cracks occurring in the lower wafer W2 in this non-adsorption portion. Accordingly, the adsorption surface 201 of the main body 21 was a flat surface without non-adsorption portions such as grooves. Thereby, it is possible to prevent cracks from occurring in the lower wafer W2.

또한, 흡착면(201)을 PCTFE 등의 수지 부재로 형성하는 것으로 했기 때문에, 하 웨이퍼(W2)에 대한 데미지를 더 억제할 수 있다.Additionally, since the adsorption surface 201 is formed of a resin member such as PCTFE, damage to the lower wafer W2 can be further suppressed.

제 2 유지부(20)는, 지주 부재(22) 및 회전 승강 기구(23)(회전부의 일례)에 의해 지지된다. 회전 승강 기구(23)는, 지주 부재(22)를 연직축 둘레로 회전시키는 것에 의해, 제 2 유지부(20)를 회전시킨다. 또한, 회전 승강 기구(23)는, 지주 부재(22)를 연직 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 2 유지부(20)를 승강시킨다.The second holding portion 20 is supported by the support member 22 and the rotary lifting mechanism 23 (an example of the rotating portion). The rotary lifting mechanism 23 rotates the second holding portion 20 by rotating the support member 22 around the vertical axis. Additionally, the rotary lifting mechanism 23 raises and lowers the second holding portion 20 by moving the support member 22 in the vertical direction.

제 3 유지부(30)는, 제 1 유지부(10)의 상방에 배치되어, 제 1 유지부(10)에 의해 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다. 이러한 제 3 유지부(30)는, 본체부(31)(베이스부의 일례)와, 복수의 흡착 패드(32)와, 복수의 접촉부(33)(도 6 참조)와, 승강 기구(34)를 구비한다.The third holding portion 30 is disposed above the first holding portion 10 to adsorb and hold the non-bonded surface W1n of the peeled image wafer W1 held by the first holding portion 10. do. This third holding portion 30 includes a main body portion 31 (an example of the base portion), a plurality of suction pads 32, a plurality of contact portions 33 (see FIG. 6), and a lifting mechanism 34. Equipped with

본체부(31)는, 예를 들면 원통 형상의 부재이며, 탄성 부재(11)의 개구부(115)에 삽입 관통된다. 본체부(31)는, 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 지지한다. 본체부(31)는, 베이스부의 일례이다. 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)는, 본체부(31)의 하부에 마련된다. 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다. 승강 기구(34)는, 본체부(31)를 연직 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 3 유지부(30)에 지지된 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 승강시킨다. 구체적으로, 승강 기구(34)는, 대기 위치와, 제 1 유지부(10)가 유지하는 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 흡착하는 흡착 위치와, 제 3 유지부(30)가 흡착 유지하는 상 웨이퍼(W1)를 제 2 반송 장치(6)에 전달하는 전달 위치와의 사이에서, 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 승강시킨다. 승강 기구(34)는, 예를 들면 지지체(60)에 지지된다. 지지체(60)는, 수평 방향으로 연장되는 판 형상의 부재이며, 제 1 유지부(10)보다 상방에 배치된다. 승강 기구(34)는, 예를 들면, 지지체(60)의 상부에 고정된다.The main body portion 31 is, for example, a cylindrical member and is inserted into the opening 115 of the elastic member 11. The main body portion 31 supports a plurality of suction pads 32 and a plurality of contact portions 33. The main body portion 31 is an example of the base portion. A plurality of suction pads 32 and a plurality of contact portions 33 are provided in the lower part of the main body portion 31. The specific configuration of the plurality of suction pads 32 and the plurality of contact portions 33 will be described later. The lifting mechanism 34 moves the main body 31 in the vertical direction to raise and lower the plurality of suction pads 32 and the plurality of contact portions 33 supported by the third holding portion 30. Specifically, the lifting mechanism 34 has a standby position, an adsorption position for adsorbing the peeled image wafer W1 held by the first holding part 10, and an adsorbing position for the image held by the third holding part 30. The plurality of suction pads 32 and the plurality of contact portions 33 are raised and lowered between the transfer positions where the wafer W1 is delivered to the second transfer device 6. The lifting mechanism 34 is supported on a support body 60, for example. The support body 60 is a plate-shaped member extending in the horizontal direction and is disposed above the first holding portion 10 . The lifting mechanism 34 is fixed to the upper part of the support body 60, for example.

이러한 제 3 유지부(30)에 의하면, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 1 유지부(10)로부터 수취하고, 수취한 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 제 2 반송 장치(6)로 전달할 수 있다.According to this third holding unit 30, the peeled image wafer W1 can be received from the first holding unit 10, and the received image wafer W1 can be stably transferred to the second transfer device 6. there is.

박리 유인부(40)는, 제 2 유지부(20)의 외방에 배치되어, 상 웨이퍼(W1)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 중합 기판(T)에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다.The peeling attracting portion 40 is disposed on the outside of the second holding portion 20 and marks a peeling start site in the polymerization substrate T that causes the upper wafer W1 to peel off from the lower wafer W2. It is formed on the side of one side.

박리 유인부(40)는 칼날부(41)와, 이동 기구(42)(제 2 이동 기구의 일례)와, 승강 기구(43)를 구비한다. 칼날부(41)는 예리 부재(41a)와, 지지부(41b)를 가진다. 예리 부재(41a)는, 예를 들면 평칼날이며, 칼날 끝이 중합 기판(T)을 향해 수평으로 돌출되도록 지지부(41b)에 지지된다.The peeling attraction portion 40 includes a blade portion 41, a moving mechanism 42 (an example of the second moving mechanism), and a lifting mechanism 43. The blade portion 41 has a sharpening member 41a and a support portion 41b. The sharpening member 41a is, for example, a flat blade, and is supported on the support portion 41b so that the edge of the blade protrudes horizontally toward the polymerization substrate T.

이동 기구(42)는, Y축 방향으로 연장되는 레일을 따라 칼날부(41)를 이동시킨다. 승강 기구(43)는, 예를 들면 지지체(60)에 고정되어, 이동 기구(42)를 연직 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 칼날부(41)의 높이 위치, 즉, 중합 기판(T)의 측면에 대한 접촉 위치가 조절된다.The moving mechanism 42 moves the blade portion 41 along a rail extending in the Y-axis direction. The lifting mechanism 43 is fixed to the support body 60, for example, and moves the moving mechanism 42 in the vertical direction. As a result, the height position of the blade portion 41, that is, the contact position with respect to the side surface of the polymerization substrate T, is adjusted.

이러한 박리 유인부(40)는, 승강 기구(43)를 이용하여 칼날부(41)의 높이 위치를 조절한 후, 이동 기구(42)를 이용하여 칼날부(41)를 수평 방향(여기서는, Y축 정방향)으로 이동시킨다. 또한 박리 유인부(40)는, 칼날부(41)의 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)의 측면에 노출되는 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 접촉시킨다. 이에 의해, 중합 기판(T)에, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 박리하는 계기가 되는 박리 개시 부위가 형성된다.This peeling attraction portion 40 adjusts the height position of the blade portion 41 using the lifting mechanism 43, and then uses the moving mechanism 42 to move the blade portion 41 in the horizontal direction (here, Y (axis forward direction) Additionally, the peeling attracting portion 40 brings the sharpening member 41a of the blade portion 41 into contact with the joint between the upper wafer W1 and the lower wafer W2 exposed on the side surface of the polymerization substrate T. As a result, a peeling start site that serves as a trigger for peeling the upper wafer W1 from the lower wafer W2 is formed in the polymerization substrate T.

복수(여기서는, 2 개)의 승강 기구(50)는, 제 1 유지부(10)를 승강시킨다. 복수의 승강 기구(50)는, 탄성 부재(11)의 복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)에 1대 1로 대응하여 마련된다. 승강 기구(50)는 지주 부재(51)와, 이동 기구(52)와, 로드 셀(53)을 구비한다.A plurality of (here, two) lifting mechanisms 50 raise and lower the first holding portion 10 . The plurality of lifting mechanisms 50 are provided in one-to-one correspondence with the plurality (here, two) extension portions 112 of the elastic member 11. The lifting mechanism 50 includes a support member 51, a moving mechanism 52, and a load cell 53.

지주 부재(51)는, 연직 방향(Z축 방향)으로 연장되는 부재이며, 일단부가 탄성 부재(11)의 연장부(112)(도 5 참조)에 접속되고, 타단부가 지지체(60)를 개재하여 이동 기구(52)에 접속된다.The support member 51 is a member extending in the vertical direction (Z-axis direction), one end of which is connected to the extension portion 112 (see FIG. 5) of the elastic member 11, and the other end of which connects the support body 60. It is connected to the moving mechanism 52 interposedly.

이동 기구(52)는, 지지체(60)의 상부에 고정되어, 하부에 접속되는 지주 부재(51)를 연직 방향으로 이동시킨다. 로드 셀(53)은, 지주 부재(51)에 걸리는 부하를 검출한다.The moving mechanism 52 is fixed to the upper part of the support body 60 and moves the support member 51 connected to the lower part in the vertical direction. The load cell 53 detects the load applied to the support member 51.

이러한 승강 기구(50)는, 이동 기구(52)를 이용하여 지주 부재(51)를 연직 상방으로 이동시키는 것에 의해, 지주 부재(51)에 접속된 제 1 유지부(10)를 끌어올린다. 이 때, 승강 기구(50)는, 로드 셀(53)에 의한 검출 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)에 걸리는 힘을 제어하면서, 제 1 유지부(10)를 끌어당길 수 있다.This lifting mechanism 50 moves the holding member 51 vertically upward using the moving mechanism 52, thereby raising the first holding portion 10 connected to the holding member 51. At this time, the lifting mechanism 50 can pull the first holding portion 10 while controlling the force applied to the image wafer W1 based on the detection result by the load cell 53.

여기서, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 인상의 역점이 되는 지주 부재(51) 즉 Y축 부방향측에 배치되는 지주 부재(51)는, 인상의 지점이 되는 흡착부(12) 즉 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(12)보다 박리의 진행 방향의 반대측에 배치된다.Here, as shown in Figures 4 and 5, the holding member 51, which is the point of pulling, that is, the holding member 51 disposed on the negative Y-axis direction, is the adsorption portion 12, which is the point of pulling, that is, peeling. It is disposed on the opposite side of the direction in which peeling progresses from the adsorption portion 12 disposed on the furthest starting point side.

따라서, 인상의 작용점이 되는 중합 기판(T)의 측면(박리의 기점이 되는 부위)에는, 도 3에 있어서 시계 방향의 회전력(모멘트)이 발생한다. 이에 의해, 승강 기구(50)는, 상 웨이퍼(W1)를 그 외연부로부터 젖히도록 하여 끌어당길 수 있어, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.Accordingly, a clockwise rotational force (moment) is generated on the side surface of the polymerized substrate T that serves as the point of action for pulling (the portion that becomes the starting point of peeling) as shown in FIG. 3 . As a result, the lifting mechanism 50 can pull the upper wafer W1 by tilting it from its outer edge, thereby efficiently peeling the upper wafer W1 from the lower wafer W2.

또한, 제 1 유지부(10)는, 승강 기구(50)에 의해 지지되고, 승강 기구(50)는, 지지체(60)에 의해 지지된다. 지지체(60)는, 박리 장치(7)의 천장부에 장착된 고정 부재(도시하지 않음)에 의해 지지된다.Additionally, the first holding portion 10 is supported by the lifting mechanism 50 , and the lifting mechanism 50 is supported by the support body 60 . The support body 60 is supported by a fixing member (not shown) mounted on the ceiling of the peeling device 7.

박리 장치(7)는, 또한, 중합 기판(T) 또는 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 지지하는 복수의 승강 핀(29)(도 18 참조)을 구비한다. 복수의 승강 핀(29)은, 제 2 유지부(20)를 관통하여 형성된 관통 홀(도시하지 않음)에 삽입 관통되어 있고, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 복수의 승강 핀(29)은, 중합 기판(T)의 반입, 또는 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반출 시에 일시적으로 중합 기판(T) 또는 하 웨이퍼(W2)를 지지하기 위하여 이용된다.The peeling device 7 further includes a plurality of lifting pins 29 (see FIG. 18) that support the polymerization substrate T or the peeled lower wafer W2. The plurality of lifting pins 29 are inserted into through holes (not shown) formed to penetrate the second holding portion 20, and are configured to be capable of being raised and lowered by a lifting mechanism (not shown). The plurality of lifting pins 29 are used to temporarily support the polymerization substrate T or the lower wafer W2 when loading the polymerization substrate T or unloading the lower wafer W2 after peeling.

<제 3 유지부의 구성><Configuration of the 3rd maintenance section>

다음으로, 제 3 유지부(30)의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 6은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 모식 측면도이다. 도 7은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 모식 저면도이다.Next, the configuration of the third holding portion 30 will be described in more detail with reference to FIGS. 6 and 7. Fig. 6 is a schematic side view of the third holding portion 30 according to the first embodiment. Fig. 7 is a schematic bottom view of the third holding portion 30 according to the first embodiment.

도 6에 나타내는 바와 같이, 제 3 유지부(30)의 복수(여기서는, 3 개)의 흡착 패드(32)는, 본체부(31)의 하면에 마련되어 있다. 흡착 패드(32)는, 예를 들면 고무제의 패드이다. 구체적으로, 흡착 패드(32)는, 벨로우즈 형상을 가지고 있다. 이에 의해, 흡착 패드(32)는, 연직 방향으로의 신축성을 가지고 또한 수평 방향으로의 가요성을 가진다. 즉, 흡착 패드(32)는, 연직 방향 및 수평 방향으로 변위할 수 있다. 이 때문에, 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 연직 방향 및 수평 방향의 변위에 추종할 수 있다. 이러한 흡착 패드(32)를 가지는 제 3 유지부(30)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지할 수 있다.As shown in FIG. 6 , a plurality of suction pads 32 (here, three) of the third holding portion 30 are provided on the lower surface of the main body portion 31 . The suction pad 32 is, for example, a rubber pad. Specifically, the suction pad 32 has a bellows shape. As a result, the suction pad 32 has elasticity in the vertical direction and flexibility in the horizontal direction. That is, the suction pad 32 can be displaced in the vertical and horizontal directions. For this reason, the suction pad 32 can follow the displacement of the image wafer W1 in the vertical and horizontal directions. The third holding portion 30 having such a suction pad 32 can stably hold the image wafer W1 after peeling.

복수의 흡착 패드(32)는, 흡기관(321)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(324)에 접속된다. 제 3 유지부(30)는, 흡기 장치(324)가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착 패드(32)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)에 흡착 유지된다. 또한, 흡기관(321)에는, 제 3 유지부(30)에 의한 상 웨이퍼(W1)의 흡착을 검지하는 흡착 검지부(322)가 마련된다. 흡착 검지부(322)는, 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로 상 웨이퍼(W1)를 바꿔 들 때에, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 상 웨이퍼(W1)를 정상적으로 흡착하고 있는지 여부를 확인하기 위하여 이용된다. 예를 들면, 흡착 검지부(322)는, 진공 센서여도 된다. 이 경우, 흡착 검지부(322)는, 흡기압(흡기관(321) 내의 부압)을 검출한다.The plurality of suction pads 32 are connected to an intake device 324 such as a vacuum pump via an intake pipe 321. The third holding portion 30 attracts the non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 to the plurality of suction pads 32 by the suction force generated by the suction device 324. As a result, the image wafer W1 is adsorbed and held by the third holding portion 30 . Additionally, the intake pipe 321 is provided with an adsorption detection unit 322 that detects adsorption of the image wafer W1 by the third holding unit 30. The adsorption detection unit 322 detects that when the image wafer W1 is transferred from the first holding unit 10 to the third holding unit 30, the suction pad 32 of the third holding unit 30 touches the image wafer ( It is used to check whether W1) is being adsorbed normally. For example, the adsorption detection unit 322 may be a vacuum sensor. In this case, the adsorption detection unit 322 detects the intake pressure (negative pressure within the intake pipe 321).

도 7에 나타내는 바와 같이, 복수(여기서는, 3 개)의 흡착 패드(32)는, 평면에서 봤을 때, 동심원 형상으로 배치된다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)를 흡착 유지하고 있는 상태에 있어서, 상 웨이퍼(W1)를 수평으로 유지하기 쉽다. 또한, 가령, 복수의 흡착 패드(32) 중 어느 하나가 상 웨이퍼(W1)를 흡착할 수 없는 경우에도, 다른 흡착 패드(32)로 흡착을 유지할 수 있기 때문에, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 보다 안정적으로 유지할 수 있다.As shown in FIG. 7 , a plurality of suction pads 32 (here, three) are arranged in a concentric circle shape when viewed from the top. According to this configuration, it is easy to hold the image wafer W1 horizontally while the image wafer W1 is being held by suction. In addition, even if one of the plurality of suction pads 32 cannot adsorb the image wafer W1, adsorption can be maintained with the other suction pads 32, so that the image wafer W1 after peeling can be maintained. It can be maintained more stably.

복수(여기서는, 3 개)의 접촉부(33)는, 본체부(31)의 하면에 마련되어 있다. 복수의 접촉부(33)는, 복수의 흡착 패드(32)에 의해 흡착된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 접촉한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수(여기서는, 3 개)의 접촉부(33)는, 평면에서 봤을 때, 동심원 형상으로 배치된다. 이러한 구성에 의하면, 진동 및 덜컹거림을 방지하여, 상 웨이퍼(W1)를 수평으로 유지할 수 있다.A plurality of (here, three) contact portions 33 are provided on the lower surface of the main body portion 31. The plurality of contact portions 33 contact the non-bonded surface W1n of the image wafer W1 adsorbed by the plurality of suction pads 32. As shown in FIG. 7 , a plurality of contact portions 33 (here, three) are arranged in a concentric circle shape when viewed from the top. According to this configuration, vibration and rattling can be prevented, and the upper wafer W1 can be maintained horizontally.

도 6에 나타내는 바와 같이, 접촉부(33)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)과 접촉하는 단부는 반구 형상이다. 이러한 구성에 의하면, 접촉부(33)와 상 웨이퍼(W1)와의 접촉 면적을 줄일 수 있기 때문에, 상 웨이퍼(W1)에 대한 부하를 줄일 수 있다.As shown in FIG. 6, the end of the contact portion 33 that contacts the non-bonded surface W1n of the image wafer W1 is hemispherical. According to this configuration, the contact area between the contact portion 33 and the upper wafer W1 can be reduced, so the load on the upper wafer W1 can be reduced.

접촉부(33)는 조정부(331)를 구비한다. 조정부(331)는, 본체부(31)로부터 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)으로의 접촉부(33)의 돌출량을 조정한다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)의 위치에 따라, 접촉부(33)의 높이를 변화시킬 수 있다.The contact portion 33 includes an adjusting portion 331 . The adjustment unit 331 adjusts the amount of protrusion of the contact portion 33 from the main body 31 to the non-bonded surface W1n of the image wafer W1. According to this configuration, the height of the contact portion 33 can be changed depending on the position of the upper wafer W1.

다음으로, 제 1 유지부(10)가 구비하는 흡착 패드(122) 및 제 3 유지부(30)가 구비하는 흡착 패드(32)의 배치 등에 대하여 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.Next, the arrangement of the suction pad 122 provided in the first holding portion 10 and the suction pad 32 provided in the third holding portion 30 will be described with reference to FIG. 8 . FIG. 8 is a schematic plan view showing an example of the positional relationship between the suction pad 122 of the first holding portion 10, the suction pad 32 of the third holding portion 30, and the image wafer W1.

도 8에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부(10)가 구비하는 복수의 흡착 패드(122)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부 이외의 영역을 흡착한다. 여기서, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부란, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)의 중심을 포함한 영역이다. 한편, 제 3 유지부(30)가 구비하는 복수의 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부를 흡착한다. 이러한 구성에 의하면, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 3 유지부(30)에 의해 수평으로 흡착 유지할 수 있다.As shown in FIG. 8 , the plurality of suction pads 122 included in the first holding portion 10 adsorb areas other than the central portion of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1. Here, the central portion of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1 is an area including the center of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1. On the other hand, the plurality of suction pads 32 included in the third holding portion 30 suction the central portion of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1. According to this configuration, the peeled image wafer W1 can be horizontally adsorbed and held by the third holding portion 30.

또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)보다 흡착 면적이 작게 형성된다. 이는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 접속되는 흡기 장치(324)의 소비량을 감소시켜, 흡착 패드(32)에 의한 흡착 시간을 길게 하기 위함이다.Moreover, as shown in FIG. 7, the suction pad 32 of the third holding part 30 is formed to have a smaller suction area than the suction pad 122 of the first holding part 10. This is to reduce the consumption of the suction device 324 connected to the suction pad 32 of the third holding portion 30 and to lengthen the suction time by the suction pad 32.

다음으로, 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)의 구성, 및, 상측 유지부(61), 제 3 유지부(30) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.Next, the configuration of the upper holding portion 61 of the second transfer device 6 and the positional relationship between the upper holding portion 61, the third holding portion 30, and the upper wafer W1 are shown in FIG. 9 It is explained with reference to . FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the configuration of the upper holding portion 61 of the second conveying device 6.

상측 유지부(61)는, 하면측에 복수의 흡착부(611)가 마련된다. 복수의 흡착부(611)는, 1 개의 흡인관(612)으로 접속되어 있고, 흡인관(612)에는, 흡기 장치(도시하지 않음)가 접속된다. 상측 유지부(61)는, 흡기 장치가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착부(611)로 상 웨이퍼(W1)를 비접합면(W1n)(상면측)으로부터 흡착 유지한다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)의 접합면(W1j)과 상측 유지부(61)가 접촉할 가능성을 저감시킬 수 있다.The upper holding portion 61 is provided with a plurality of adsorption portions 611 on the lower side. The plurality of suction units 611 are connected by one suction pipe 612, and an suction device (not shown) is connected to the suction pipe 612. The upper holding portion 61 adsorbs and holds the upper wafer W1 from the non-bonded surface W1n (upper surface side) with a plurality of suction portions 611 by the suction force generated by the suction device. According to this configuration, the possibility of contact between the bonding surface W1j of the upper wafer W1 and the upper holding portion 61 can be reduced.

또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 상측 유지부(61)는, 평면에서 봤을 때 제 3 유지부(30)와 겹치지 않도록 위치하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 제 3 유지부(30)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한 채로, 상측 유지부(61)가 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지할 수 있기 때문에, 상 웨이퍼(W1)의 전달을 순조롭게 행할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 9 , the upper holding portion 61 is positioned so as not to overlap the third holding portion 30 when viewed from the top. According to this configuration, the non-bonded surface W1n of the image wafer W1 is adsorbed and held by the third holding part 30, and the upper holding part 61 holds the non-bonded surface W1n of the image wafer W1. Since the wafer W1 can be adsorbed and held, the upper wafer W1 can be delivered smoothly.

다음으로, 박리 시스템(100)의 동작의 일례에 대하여 도 10을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 10은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 11 ~ 도 22는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 동작예를 나타내는 모식도이다. 또한, 도 10에 나타내는 각 처리 순서는, 제어 장치(8)에 의한 제어에 따라 실행된다.Next, an example of the operation of the peeling system 100 will be described in detail with reference to FIG. 10. Fig. 10 is a flowchart showing the sequence of processing performed by the peeling system 100 according to the first embodiment. 11 to 22 are schematic diagrams showing an example of operation of the peeling system 100 according to the first embodiment. Additionally, each processing sequence shown in FIG. 10 is executed under control by the control device 8.

먼저, 중합 기판(T)의 반입 처리가 행해진다(단계(S101)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 중합 기판(T)을 제 1 전달부(25)로부터 박리 장치(7)로 반송한다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 2 유지부(20)의 흡착면(201)으로부터 돌출된 상태로 되어 있는 복수의 승강 핀(29)(도 18 참조)의 위에 중합 기판(T)을 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 복수의 승강 핀(29)을 강하시켜, 중합 기판(T)을 흡착면(201)에 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)(도 3 참조)을 흡착면(201)에 흡착시키는 것에 의해, 중합 기판(T)을 흡착 유지한다(도 11 참조).First, the polymerization substrate T is loaded (step S101). Specifically, the control unit 81 controls the second transfer device 6 to transfer the polymerized substrate T from the first transfer unit 25 to the peeling device 7. After this, the control unit 81 controls the second transfer device 6 to lift the plurality of lifting pins 29 protruding from the suction surface 201 of the second holding unit 20 (FIG. 18). Refer to) and place the polymerization substrate (T) on top. After this, the control unit 81 lowers the plurality of lifting pins 29 to place the polymerization substrate T on the adsorption surface 201. Afterwards, the control unit 81 adsorbs and holds the polymerized substrate T by adsorbing the non-bonded surface W2n (see FIG. 3) of the lower wafer W2 to the suction surface 201 (FIG. 11 reference).

이어서, 박리 유인 처리가 행해진다(단계(S102)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 유지부(20)의 본체부(21)를 박리 위치까지 상승시킨다(도 12 참조). 이 후, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)를 제어하여, 칼날부(41)를 수평 방향(Y축 정방향)으로 이동시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)를 제어하여, 중합 기판(T)의 측면에 칼날부(41)가 구비하는 예리 부재(41a)를 눌러, 이러한 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 예리 부재(41a)를 삽입한다. 즉, 제어부(81)는, Y축 부방향측에 배치되는 흡착부(12)의 근방에 위치하는 중합 기판(T)의 측면에 예리 부재(41a)를 누른다. 이 때, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)의 누름 처리와 병행하여, 제 2 유지부(20)의 본체부(21)를 강하시킨다(도 13 참조).Next, peeling inducement processing is performed (step S102). Specifically, the control unit 81 raises the main body portion 21 of the second holding portion 20 to the peeling position (see Fig. 12). After this, the control unit 81 controls the peeling attracting part 40 to move the blade part 41 in the horizontal direction (Y-axis positive direction). After this, the control unit 81 controls the peeling attracting portion 40 to press the sharpening member 41a provided by the blade portion 41 on the side surface of the polymerization substrate T to The sharpening member 41a is inserted into the joint between the upper wafer W1 and the lower wafer W2. That is, the control unit 81 presses the sharpening member 41a against the side surface of the polymerization substrate T located near the adsorption unit 12 disposed on the Y-axis negative direction side. At this time, the control unit 81 lowers the main body 21 of the second holding unit 20 in parallel with the pressing process of the sharpening member 41a (see Fig. 13).

이어서, 박리 처리가 행해진다(단계(S103)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)를 상 웨이퍼(W1)의 근방까지 강하시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)에 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착시킨다(도 14 참조). 이 후, 제어부(81)는, 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 외주부의 일부, 구체적으로, Y축 부방향측에 위치하는 연장부(112)를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다(도 15 참조). 이에 의해, 예리 부재(41a)를 삽입한 부위의 근방에 배치되는 흡착부(12)가 상방으로 끌어당겨져, 칼날부(41)가 삽입된 부위를 기점으로서 상 웨이퍼(W1)가 중합 기판(T)으로부터 박리되기 시작한다.Next, a peeling process is performed (step S103). Specifically, the control unit 81 lowers the suction pad 122 of the first holding unit 10 to the vicinity of the upper wafer W1. After this, the control unit 81 causes the non-bonded surface W1n of the image wafer W1 to be adsorbed to the suction pad 122 of the first holding unit 10 (see FIG. 14). After this, the control unit 81 controls the lifting mechanism 50 to hold a part of the outer peripheral part of the first holding part 10, specifically, the extension part 112 located on the Y-axis negative direction side to the second holding part. It is moved in a direction away from the part 20 (see Figure 15). As a result, the adsorption portion 12 disposed near the portion where the cutting member 41a is inserted is pulled upward, and the upper wafer W1 is moved to the polymerization substrate T using the portion where the cutting member 41 is inserted as a starting point. ) begins to peel off.

이 후, 제어부(81)는, 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 탄성 부재(11)의 Y축 정방향측에 위치하는 연장부(112)를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다(도 16 참조). 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)에 있어서의 Y축 부방향측의 단부로부터 Y축 정방향측의 단부를 향해 박리가 연속적으로 진행되어, 최종적으로는, 상 웨이퍼(W1)가 중합 기판(T)으로부터 박리된다(도 17 참조). 이에 의해, 일련의 박리 처리가 종료된다.After this, the control unit 81 controls the lifting mechanism 50 to move the extension portion 112 located on the Y-axis positive direction side of the elastic member 11 of the first holding portion 10 to the second holding portion ( 20) and move it in the direction away from (see FIG. 16). As a result, peeling progresses continuously from the end on the Y-axis negative direction side of the image wafer W1 toward the end on the Y-axis positive direction side, and ultimately, the image wafer W1 is separated from the polymerization substrate T. It peels off (see Figure 17). This ends the series of peeling processes.

상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 중합 기판(T)을 제 1 유지부(10) 및 제 2 유지부(20)로 유지하고, 승강 기구(50)를 제어하여 제 1 유지부(10)가 유지하는 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 이러한 처리에 의해, 중합 기판(T)으로부터 상 웨이퍼(W1)를 박리할 수 있다.As described above, the control unit 81 holds the polymerization substrate T with the first holding part 10 and the second holding part 20, and controls the lifting mechanism 50 to hold the first holding part 10. ) moves the upper wafer (W1) held by it in a direction away from the lower wafer (W2). Through this treatment, the upper wafer W1 can be peeled from the polymerization substrate T.

이어서, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반출 처리가 행해진다(단계(S104)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 유지부(20)에 의한 흡착 유지를 해제하여, 하 웨이퍼(W2)를 지지하는 복수의 승강 핀(29)을 전달 위치까지 상승시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)(도 1 참조)를 제어하여, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 박리 장치(7)로부터 반출하여, 전달 스테이션(2)의 제 2 전달부(26)(도 2 참조)로 반송한다. 이 때, 제 2 반송 장치(6)의 하측 유지부(62)는, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)을 흡착 유지한다. 이 후, 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 제 2 전달부(26)로부터 반출되어, 반입반출 스테이션(1)의 카세트(C2)(도 1 참조)에 수용된다.Next, the peeled lower wafer W2 is carried out (step S104). Specifically, the control unit 81 releases the suction holding by the second holding unit 20 and raises the plurality of lifting pins 29 supporting the lower wafer W2 to the delivery position. After this, the control unit 81 controls the second transfer device 6 (see FIG. 1 ) to unload the peeled lower wafer W2 from the peeling device 7 and transfer it to the second transfer station 2. It is conveyed to the delivery unit 26 (see FIG. 2). At this time, the lower holding portion 62 of the second transfer device 6 attracts and holds the non-bonded surface W2n of the lower wafer W2. Afterwards, the lower wafer W2 is transported from the second transfer unit 26 by the first transport device 5 and stored in the cassette C2 (see FIG. 1 ) of the loading/unloading station 1 .

이어서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 바꿔 들기 처리가 행해진다(단계(S105)). 구체적으로, 제어부(81)는, 승강 기구(34)를 제어하여, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)를 상 웨이퍼(W1)의 근방까지 강하시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착시킨다(도 19 참조).Next, a lifting process is performed on the peeled image wafer W1 (step S105). Specifically, the control unit 81 controls the lifting mechanism 34 to lower the suction pad 32 of the third holding unit 30 to the vicinity of the upper wafer W1. After this, the control unit 81 causes the non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 to be adsorbed to the suction pad 32 of the third holding unit 30 (see FIG. 19).

이어서, 바꿔 들기가 완료되었는지 여부의 판정 처리가 행해진다(단계(S106)). 구체적으로, 제어부(81)는, 흡착 검지부(322)로부터 입력된 전기 신호에 기초하여, 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로의 상 웨이퍼(W1)의 바꿔 들기가 완료되었는지 여부를 판정한다. 구체적으로, 제어부(81)는, 흡착 검지부(322)에 의해 검지된 흡기압이 임계치를 초과하고 있는 경우에, 바꿔 들기가 완료되었다고 판정한다. 제어부(81)는, 바꿔 들기가 완료되었다고 판정한 경우(단계(S106), Yes), 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)에 의한 상 웨이퍼(W1)의 흡착을 해제한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 흡착 유지된 상태가 된다. 이 후, 제어부(81)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)를 제 2 반송 장치(6)의 전달 위치까지 하강시킨다(도 20 참조). 한편, 제어부(81)는, 바꿔 들기가 완료되어 있지 않은 경우에는(단계(S106), No), 처리를 단계(S105)로 되돌린다.Next, a determination process is performed as to whether the swapping has been completed (step S106). Specifically, the control unit 81 determines whether switching of the image wafer W1 from the first holding unit 10 to the third holding unit 30 is completed based on the electric signal input from the adsorption detection unit 322. Determine whether or not Specifically, the control unit 81 determines that switching is complete when the intake pressure detected by the suction detection unit 322 exceeds the threshold. When the control unit 81 determines that the replacement has been completed (step S106: Yes), the control unit 81 releases the adsorption of the upper wafer W1 by the suction pad 122 of the first holding unit 10. As a result, the image wafer W1 is held by adsorption on the suction pad 32 of the third holding portion 30. After this, the control unit 81 lowers the suction pad 32 of the third holding unit 30 to the delivery position of the second conveying device 6 (see Fig. 20). On the other hand, if the switching is not completed (step S106, No), the control unit 81 returns the process to step S105.

이어서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 반출 처리가 행해진다(단계(S107)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 박리 장치(7)로부터 반출한다. 여기서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)에 의해 비접합면(W1n)측이 유지된 상태로 되어 있어, 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다(도 9, 도 21 참조). 이와 같이, 제 3 유지부(30)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 2 반송 장치(6)로 전달하는 전달부로서도 기능한다. 제 1 실시 형태에서는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 상 웨이퍼(W1)의 중앙부 부근을 흡착하는 것으로 했기 때문에, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지해 둘 수 있다.Next, the peeled image wafer W1 is carried out (step S107). Specifically, the control unit 81 controls the second transfer device 6 to transfer the peeled image wafer W1 from the peeling device 7 . Here, the image wafer W1 after peeling is held on the non-bonded surface W1n side by the third holding portion 30, and the upper holding portion 61 of the second transfer device 6 is , the non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 is adsorbed and held (see FIGS. 9 and 21). In this way, the third holding unit 30 also functions as a delivery unit that transfers the peeled image wafer W1 to the second transfer device 6. In the first embodiment, the suction pad 32 of the third holding portion 30 adsorbs the vicinity of the central portion of the image wafer W1, so that the image wafer W1 after peeling can be held stably.

이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 박리 장치(7)로부터 반출하여 전달 스테이션(2)의 반전 기구 부착 전달부(27)로 반송한다. 이 후, 제어부(81)는, 반전 기구를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다. 이에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 접합면(W1j)이 상방을 향한 상태가 된다. 이 후, 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)로부터 반출되어, 반입반출 스테이션(1)의 카세트(C1)(도 1 참조)에 수용된다. 또한, 제어부(81)는, 승강 기구(34)를 제어하여 본체부(31)를 상승시키는 것에 의해, 제 3 유지부(30)를 초기 위치로 되돌린다(도 22).After this, the control unit 81 controls the second transfer device 6 to transfer the peeled image wafer W1 from the peeling device 7 to the transfer unit 27 with the inversion mechanism of the transfer station 2. send it back to After this, the control unit 81 controls the inversion mechanism to invert the front and back of the peeled image wafer W1. As a result, the bonding surface W1j of the image wafer W1 after peeling is facing upward. After this, the image wafer W1 is transported from the transfer unit 27 with a reversal mechanism by the first transport device 5 and stored in the cassette C1 (see Fig. 1) of the loading/unloading station 1. . Additionally, the control unit 81 controls the lifting mechanism 34 to raise the main body 31, thereby returning the third holding unit 30 to its initial position (FIG. 22).

상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 승강 기구(34, 50)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로 바꿔 든 후, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 3 유지부(30)에 유지된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)에 흡착 유지시킨다. 이러한 처리에 의해, 상 웨이퍼(W1)의 수평을 유지할 수 있다.As described above, the control unit 81 controls the lifting mechanisms 34 and 50 to lift the peeled image wafer W1 from the first holding unit 10 to the third holding unit 30, The second transfer device 6 is controlled to adsorb the non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 held on the third holding unit 30 to the upper holding unit 61 of the second transfer device 6. Maintain it. Through this process, the level of the upper wafer W1 can be maintained.

(제 2 실시 형태)(Second Embodiment)

상술한 제 1 실시 형태에서는, 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지하기 위한 접촉부(33)를 제 3 유지부(30)가 구비하는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 지지체(60)에 접촉부(33)가 마련되어 있어도 된다. 도 23은 제 2 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 24는 제 2 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32), 접촉부(33) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.In the above-described first embodiment, an example in which the third holding portion 30 is provided with a contact portion 33 for stably holding the image wafer W1 has been described. It is not limited to this, and the support body 60 may be provided with a contact portion 33. Fig. 23 is a schematic side view showing a configuration example of the peeling device 7 according to the second embodiment. Fig. 24 is a schematic plan view showing the positional relationship between the suction pad 32, the contact portion 33, and the image wafer W1 of the third holding portion 30 according to the second embodiment.

제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)는, 본체부(31)의 하부에 마련된다. 도 24에 나타내는 바와 같이, 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중심을 흡착한다.The suction pad 32 of the third holding part 30 is provided in the lower part of the main body part 31. As shown in FIG. 24, the suction pad 32 suctions the center of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1.

복수(여기서는, 4 개)의 접촉부(33)는, 지지체(60)의 하부에 마련된다. 복수의 접촉부(33)는, 평면에서 봤을 때 동심원 형상으로 배치되고, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 외주부에 접촉한다.A plurality of (here, four) contact portions 33 are provided at the lower part of the support body 60 . The plurality of contact portions 33 are arranged in a concentric circle shape in plan view, and contact the outer peripheral portion of the non-bonded surface W1n of the image wafer W1.

이러한 구성에 의하면, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 1 개여도, 복수의 접촉부(33)가 상 웨이퍼(W1)의 외주부에 배치되는 것에 의해 진동 및 덜컹거림을 방지하여, 상 웨이퍼(W1)의 수평을 유지할 수 있다.According to this configuration, even if the third holding portion 30 has only one suction pad 32, the plurality of contact portions 33 are disposed on the outer periphery of the image wafer W1 to prevent vibration and rattling, The horizontality of the upper wafer W1 can be maintained.

(제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에 있어서의 변형예)(Modifications in the first and second embodiments)

상술한 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에서는, 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 각각 흡기관(123, 321)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(124, 324)에 접속되는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)의 흡기 경로에는, 진공 버퍼 탱크가 마련되어 있어도 된다. 이러한 진공 버퍼 탱크는, 예를 들면 정전 등의 비상 사태가 발생했을 때에 활용할 수 있어, 공장의 안정성을 향상시킬 수 있다.In the above-described first and second embodiments, the suction portion 12 of the first holding portion 10 and the suction pad 32 of the third holding portion 30 attach the intake pipes 123 and 321, respectively. An example of connection to the intake devices 124 and 324, such as a vacuum pump, has been described. It is not limited to this, and a vacuum buffer tank may be provided in the intake path of the suction part 12 of the first holding part 10 and the suction pad 32 of the third holding part 30. Such a vacuum buffer tank can be used, for example, when an emergency such as a power outage occurs, thereby improving the stability of the factory.

또한, 상술한 실시 형태에서는, 박리 시스템(100)이 반전 기구 부착 전달부(27)를 구비하고 있고, 반전 기구를 이용하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시키는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 제 2 반송 장치(6)가 반전 기구를 구비하고 있어도 된다. 제 2 반송 장치(6)의 반전 기구는, 상측 유지부(61)를 반전시키는 것에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다.In addition, in the above-described embodiment, an example has been described in which the peeling system 100 is provided with a delivery unit 27 with a flipping mechanism, and the front and back of the peeled image wafer W1 is flipped using the flipping mechanism. It is not limited to this, and the second transfer device 6 may be provided with a reversal mechanism. The inversion mechanism of the second transfer device 6 inverts the upper holding portion 61 to invert the front and back of the peeled upper wafer W1.

이 경우, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 반출 처리(도 10의 단계(S106, S107))에 있어서, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 3 유지부(30)에 유지된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 상측 유지부(61)에 흡착 유지시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)의 반전 기구를 제어하여, 상측 유지부(61)를 반전시키는 것에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다.In this case, in the unloading process of the peeled image wafer W1 (steps S106 and S107 in FIG. 10 ), the control unit 81 controls the second transfer device 6 to hold the third holding unit 30 ) The non-bonded surface W1n of the upper wafer W1 held is adsorbed and held by the upper holding portion 61. After this, the control unit 81 controls the inversion mechanism of the second transfer device 6 to invert the upper holding part 61, thereby inverting the front and back of the peeled image wafer W1.

(제 3 실시 형태)(Third Embodiment)

박리 장치(7)는, 상 웨이퍼(W1)를 검지하는 검지부를 구비하고 있어도 된다. 그리고, 박리 장치(7)는, 이러한 검지부를 이용하여 박리 처리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하도록 해도 된다.The peeling device 7 may be provided with a detection unit that detects the image wafer W1. In addition, the peeling device 7 may detect cracks in the image wafer W1 after the peeling process using this detection unit.

이하, 상술한 검지부의 구성예에 대하여 도 25 및 도 26을 이용하여 설명한다. 도 25는 제 3 실시 형태에 따른 상 웨이퍼(W1), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 도 26은 제 3 실시 형태에 따른 박리 후의 상 웨이퍼(W1), 박리 후의 하 웨이퍼(W2), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.Hereinafter, an example of the configuration of the above-described detection unit will be described using FIGS. 25 and 26. 25 shows the image wafer W1 according to the third embodiment, the adsorption portion 12 of the first holding portion 10, the blade portion 41 of the peeling attracting portion 40, and a plurality of detection portions 70A to 70C. This is a schematic floor plan showing the positional relationship. 26 shows the upper wafer W1 after peeling, the lower wafer W2 after peeling, the adsorption portion 12 of the first holding portion 10, and the blade portion 41 of the peeling attracting portion 40 according to the third embodiment. ) and a schematic side view showing the positional relationship of the plurality of detection units 70A to 70C.

검지부(70A ~ 70C)는, 예를 들면 광전 센서이다. 도 25 및 도 26에 나타내는 바와 같이, 검지부(70A ~ 70C)는 각각, 광을 투광하는 투광부(71)와, 투광부(71)로부터의 광을 수광하는 수광부(72)를 구비한다. 또한, 도 25 및 도 26에 있어서는, 투광부(71)로부터 투광되는 광의 광축을 일점 쇄선으로 나타내고 있다. 여기서는, 검지부(70A ~ 70C)가 투과형의 광전 센서인 경우의 예를 나타내고 있지만, 검지부(70A ~ 70C)는, 반사형의 광전 센서여도 된다. 이 경우, 검지부(70A ~ 70C)는, 광을 투광 및 수광하는 센서와, 당해 센서로부터 투광된 광을 반사하는 반사부를 구비하고 있으면 된다.The detection units 70A to 70C are, for example, photoelectric sensors. As shown in FIGS. 25 and 26, the detection units 70A to 70C each include a light transmitting unit 71 that transmits light and a light receiving unit 72 that receives light from the light transmitting unit 71. 25 and 26, the optical axis of the light transmitted from the light transmitting portion 71 is indicated by a dashed line. Here, an example is shown where the detection units 70A to 70C are transmissive photoelectric sensors, but the detection units 70A to 70C may be reflective photoelectric sensors. In this case, the detection units 70A to 70C need only be provided with a sensor that transmits and receives light, and a reflection unit that reflects the light emitted from the sensor.

투광부(71) 및 수광부(72) 중 일방은, 상 웨이퍼(W1)보다 상방에 배치되고, 타방은 상 웨이퍼(W1)보다 하방에 배치된다. 예를 들면, 도 26에 나타내는 바와 같이, 투광부(71)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 상방에 배치되고, 수광부(72)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치된다.One of the light transmitting portion 71 and the light receiving portion 72 is disposed above the upper wafer W1, and the other is disposed below the upper wafer W1. For example, as shown in FIG. 26, the light transmitting portion 71 is disposed above the upper wafer W1 and the lower wafer W2, and the light receiving portion 72 is disposed above the upper wafer W1 and the lower wafer (W2). It is placed below W2).

투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 외주부를 향해 광을 투광한다. 구체적으로, 검지부(70A)의 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 외주부(P1)를 향해 광을 투광한다. 외주부(P1)는, 도 25에 나타내는 평면에서 봤을 때, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 칼날부(41)가 접촉하는 부위(박리 개시 부위)와 상 웨이퍼(W1)의 중심을 사이에 두고 정반대에 위치하는 부위이다. 환언하면, 도 25에 나타내는 평면에서 봤을 때, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 가장 Y축 부방향측에 위치하는 부위가 박리 개시 부위이며, 가장 Y축 정방향측에 위치하는 부위가 외주부(P1)이다.The light transmitting portion 71 transmits light toward the outer peripheral portion of the peeled image wafer W1 located at the end point of peeling (the Y-axis positive direction side). Specifically, the light transmitting portion 71 of the detection portion 70A transmits light toward the outer peripheral portion P1 located on the outermost peripheral portion of the peeled image wafer W1 at the end of peeling (the Y-axis positive direction side). . The outer peripheral portion P1 is located between the center of the upper wafer W1 and the portion where the blade portion 41 contacts (peeling start portion) among the outer peripheral portions of the upper wafer W1 when viewed from the plane shown in FIG. 25 . It is an area located on the exact opposite side. In other words, when viewed from the plane shown in FIG. 25, of the outer peripheral portion of the image wafer W1, the portion located most on the negative Y-axis direction side is the peeling start site, and the portion located most on the positive Y-axis direction side is the outer peripheral portion (P1). )am.

검지부(70B)의 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측에 위치하는 외주부(P2)를 향해 광을 투광한다. 또한, 검지부(70C)의 투광부(71)도, 검지부(70B)의 투광부(71)와 마찬가지로, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측에 위치하는 외주부(P3)를 향해 광을 투광한다. 이와 같이, 검지부(70A ~ 70C)가 구비하는 각 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되는 방향으로 광을 투광한다. 구체적으로, 각 투광부(71)는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S103)의 박리 처리가 종료된 시점(도 17 참조)에 있어서의 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되는 방향으로 광을 투광한다.The light transmitting portion 71 of the detection portion 70B is directed toward the outer peripheral portion P2 located on the positive Y-axis direction side than the adsorbing portion 12 located at the end point of peeling among the outer peripheral portions of the image wafer W1 after peeling. Transmits light. In addition, like the light transmitting part 71 of the detection part 70B, the light transmitting part 71 of the detection part 70C also has an adsorption part 12 located at the end point of peeling among the outer periphery of the image wafer W1 after peeling. ) Light is projected toward the outer peripheral portion (P3) located on the positive Y-axis direction side. In this way, each light transmitting portion 71 included in the detection portions 70A to 70C transmits light in a direction blocked by the peeled image wafer W1. Specifically, each light transmitting portion 71, for example, has a direction blocked by the image wafer W1 after peeling at the end of the peeling process in step S103 shown in FIG. 10 (see FIG. 17). emits light.

도 26에 나타내는 바와 같이, 수광부(72)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치된다. 수광부(72)는, 투광부(71)로부터 광을 수광한 경우, 수광한 것을 나타내는 신호를 제어 장치(8)로 송신한다. 또한, 투광부(71) 및 수광부(72)의 배치는 반대여도 된다. 즉, 투광부(71)가 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치되고, 수광부(72)가 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 상방에 배치되어 있어도 된다.As shown in FIG. 26, the light receiving unit 72 is disposed below the upper wafer W1 and the lower wafer W2. When the light receiving unit 72 receives light from the light projecting unit 71, it transmits a signal indicating light reception to the control device 8. Additionally, the arrangement of the light transmitting portion 71 and the light receiving portion 72 may be reversed. That is, the light transmitting portion 71 may be disposed below the upper wafer W1 and the lower wafer W2, and the light receiving portion 72 may be disposed above the upper wafer W1 and the lower wafer W2.

투광부(71)로부터 수광부(72)로 향하는 광의 광축은, 상 웨이퍼(W1)의 판면에 대하여 경사져 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 검지부(70A ~ 70C)를 이용하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다.The optical axis of the light heading from the light transmitting unit 71 to the light receiving unit 72 is inclined with respect to the plate surface of the image wafer W1. Thereby, as will be described later, the peeling device 7 can detect cracks in the image wafer W1 after peeling using the detection units 70A to 70C.

이어서, 제어부(81)가 상술한 검지부(70A ~ 70C)를 이용하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 처리에 대하여 도 27 및 도 28을 참조하여 설명한다. 도 27 및 도 28은 균열이 있는 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70A ~ 70C)와의 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 또한, 도 27 및 도 28에서는, 투광부(71)로부터 투광되는 광을 실선으로 나타내고 있다.Next, the process by which the control unit 81 detects cracks in the peeled image wafer W1 using the above-described detection units 70A to 70C will be described with reference to FIGS. 27 and 28. 27 and 28 are schematic plan views showing the relationship between the cracked image wafer W1 and the detection units 70A to 70C. 27 and 28, the light transmitted from the light transmitting portion 71 is indicated by a solid line.

상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 처리가 완료된 후(도 10의 단계(S103) 후)에 행해진다. 제어부(81)는, 검지부(70A ~ 70C)의 검지 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다. 구체적으로, 제어부(81)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 수광부(72) 중 어느 하나의 수광부(72)로 광이 수광된 경우(도 27, 도 28 참조)에는, 상 웨이퍼(W1)의 균열이 있다고 판정한다. 한편, 제어부(81)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 수광부(72) 전부에서 광이 수광되지 않는 경우, 상 웨이퍼(W1)의 균열이 없다고 판정한다. 이와 같이, 제어부(81)는, 박리 동작 후에 있어서, 투광부(71)로부터 투광된 광이 수광부(72)에 의해 수광된 경우에, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다.The crack detection process of the upper wafer W1 is performed after the peeling process is completed (after step S103 in FIG. 10). The control unit 81 detects cracks in the upper wafer W1 based on the detection results of the detection units 70A to 70C. Specifically, when light is received by any one of the light receiving units 72 of the plurality of detection units 70A to 70C (see FIGS. 27 and 28), the control unit 81 detects the upper wafer W1 ) is determined to have a crack. On the other hand, the control unit 81 determines that there is no crack in the image wafer W1 when light is not received by all of the light receiving units 72 of the plurality of detection units 70A to 70C. In this way, the control unit 81 detects cracks in the upper wafer W1 when the light transmitted from the light transmitting unit 71 is received by the light receiving unit 72 after the peeling operation.

예를 들면, 도 27에 나타내는 예에 있어서, 검지부(70B) 및 검지부(70C)의 투광부(71)로부터 투광된 광은, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되어 있다. 한편, 검지부(70A)의 투광부(71)로부터 투광된 광은, 검지부(70A)의 수광부(72)에 의해 수광되어 있다. 이 경우, 제어부(81)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부(P1)(도 25 참조)가 깨져 있다고 판정한다.For example, in the example shown in FIG. 27, the light transmitted from the light-transmitting portion 71 of the detection portion 70B and the detection portion 70C is blocked by the peeled image wafer W1. On the other hand, the light transmitted from the light transmitting part 71 of the detection part 70A is received by the light receiving part 72 of the detection part 70A. In this case, the control unit 81 determines that the outer peripheral portion P1 (see Fig. 25) of the peeled image wafer W1 is cracked.

또한, 도 28에 나타내는 예에서는, 검지부(70A ~ 70C)의 투광부(71)로부터 투광된 광 전부가, 대응하는 수광부(72)에 의해 수광되어 있다. 이 경우, 제어부(81)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부(P1 ~ P3)가 깨져 있다고 판정한다. 이와 같이, 박리 장치(7)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)를 구비함으로써, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 생긴 균열의 규모를 추정할 수 있다.In addition, in the example shown in FIG. 28, all of the light transmitted from the light transmitting portion 71 of the detection portions 70A to 70C is received by the corresponding light receiving portion 72. In this case, the control unit 81 determines that the outer peripheral portions P1 to P3 of the peeled image wafer W1 are cracked. In this way, the peeling device 7 is provided with a plurality of detection units 70A to 70C, so that it is possible to estimate the scale of the crack that appears in the image wafer W1 after peeling.

상술한 바와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 검지부(70A ~ 70C)에 의하면, 박리 동작 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다. 또한, 도 27 및 도 28에 나타내는 바와 같이, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측의 외주부가 깨진 경우라도, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다. 환언하면, 상 웨이퍼(W1)의 타단부의 균열을 검지할 수 있다.As described above, according to the detection units 70A to 70C according to the third embodiment, cracks in the upper wafer W1 after the peeling operation can be detected. Additionally, as shown in FIGS. 27 and 28 , when the outer peripheral portion of the image wafer W1 on the Y-axis positive direction side is cracked more than the adsorption portion 12 located on the extreme end point side of peeling (Y-axis positive direction side). Even so, cracks in the upper wafer W1 can be detected. In other words, cracks at the other end of the upper wafer W1 can be detected.

또한, 여기서는 박리 장치(7)에 대하여 3 개의 검지부(70A ~ 70C)가 마련되는 경우의 예를 나타냈지만, 박리 장치(7)에 마련되는 검지부의 개수는, 3 개에 한정되지 않는다. 제 3 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는, 적어도 1 개의 검지부를 구비하고 있으면 된다.In addition, although an example of the case where three detection parts 70A to 70C are provided in the peeling device 7 is shown here, the number of detection parts provided in the peeling device 7 is not limited to three. The peeling device 7 according to the third embodiment may be provided with at least one detection unit.

(제 4 실시 형태)(Fourth Embodiment)

상술한 제 3 실시 형태에서는, 박리 처리 후에 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 박리 처리 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 것으로 해도 된다.In the third embodiment described above, an example of detecting cracks in the upper wafer W1 after the peeling process was explained. It is not limited to this, and cracks in the upper wafer W1 may be detected during the peeling process.

이하, 박리 처리 중에 상 웨이퍼(W1)를 검지하는 검지부의 구성예에 대하여 도 29 및 도 30을 이용하여 설명한다. 도 29는 제 4 실시 형태에 따른 상 웨이퍼(W1), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 검지부(70D)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 도 30은 제 4 실시 형태에 따른 중합 기판(T), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12) 및 검지부(70D)의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.Hereinafter, an example of the configuration of the detection unit that detects the image wafer W1 during the peeling process will be described using FIGS. 29 and 30. Figure 29 shows the positional relationship between the image wafer W1, the adsorption portion 12 of the first holding portion 10, the blade portion 41 of the peeling attracting portion 40, and the detection portion 70D according to the fourth embodiment. This is a schematic floor plan. Fig. 30 is a schematic side view showing the positional relationship between the polymerization substrate T, the adsorption portion 12 of the first holding portion 10, and the detection portion 70D according to the fourth embodiment.

검지부(70D)는, 예를 들면 광전 센서이다. 도 29 및 도 30에 나타내는 바와 같이, 검지부(70D)는 각각, 광을 투수광하는 투수광부(73)와, 투수광부(73)로부터의 광을 반사하는 반사부(74)를 구비한다. 또한, 도 29 및 도 30에 있어서는, 투수광부(73)가 투광한 광을 일점 쇄선으로 나타내고 있다. 여기서는, 검지부(70D)가 반사형의 광전 센서인 경우의 예를 나타내고 있지만, 검지부(70D)는, 투과형의 광전 센서여도 된다. 이 경우, 검지부(70D)는, 광을 투광하는 투광부와, 투광부에 의해 투광된 광을 수광하는 수광부를 구비하고 있으면 된다.The detection unit 70D is, for example, a photoelectric sensor. As shown in FIGS. 29 and 30 , the detection unit 70D is provided with a transmitting/light transmitting portion 73 that transmits and transmits light, and a reflecting portion 74 that reflects light from the transmitting/light transmitting portion 73, respectively. 29 and 30, the light transmitted by the light transmitting and transmitting portion 73 is indicated by a dashed line. Here, an example is shown where the detection unit 70D is a reflective photoelectric sensor, but the detection unit 70D may be a transmissive photoelectric sensor. In this case, the detection unit 70D need only be provided with a light transmitting part that transmits light and a light receiving part that receives the light transmitted by the light projecting part.

도 30에 나타내는 바와 같이, 투수광부(73) 및 반사부(74)는, 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)측의 판면보다 제 1 유지부(10)에 의해 상 웨이퍼(W1)가 이동하는 방향(X축 정방향)으로 어긋난 위치에 배치되어 있다. 투수광부(73)는, 중합 기판(T)의 일단측에 배치된다. 투수광부(73)는, 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합면에 대하여 평행하게 광을 투광하고, 반사부(74)로부터 반사된 광을 수광한다. 반사부(74)는, 중합 기판(T)의 타단측에 배치된다. 반사부(74)는, 투수광부(73)로부터 투광된 광을 반사한다.As shown in FIG. 30, the light transmitting portion 73 and the reflecting portion 74 are held by the first holding portion 10 to hold the image wafer W1 higher than the plate surface on the polymerization substrate T on the side of the image wafer W1. ) is placed in a position that is offset from the moving direction (X-axis positive direction). The light transmitting portion 73 is disposed on one end side of the polymerization substrate T. The light transmitting section 73 transmits light in parallel to the bonding surface of the upper wafer W1 and the lower wafer W2 in the polymerization substrate T, and receives the light reflected from the reflecting section 74. . The reflection portion 74 is disposed on the other end side of the polymerization substrate T. The reflection portion 74 reflects the light transmitted from the light transmitting portion 73.

여기서는, 중합 기판(T)의 일단측에 투수광부(73)가 배치되고, 타단측에 반사부(74)가 배치되는 경우의 예를 나타냈다. 이에 한정되지 않고, 중합 기판(T)의 일단측에 반사부(74)가 배치되고, 타단측에 투수광부(73)가 배치되어도 된다.Here, an example is shown where the light transmitting portion 73 is disposed on one end of the polymerization substrate T and the reflecting portion 74 is disposed on the other end. It is not limited to this, and the reflection portion 74 may be disposed on one end of the polymerization substrate T, and the light transmitting portion 73 may be disposed on the other end.

이어서, 제어부(81)가 상술한 검지부(70D)를 이용하여, 박리 처리 중의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 처리에 대하여 도 31 ~ 도 33을 참조하여 설명한다. 도 31 및 도 32는 정상 시의 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70D)와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다. 도 33은 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)가 깨진 경우의, 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70D)와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.Next, a process in which the control unit 81 detects cracks in the image wafer W1 during the peeling process using the above-described detection unit 70D will be described with reference to FIGS. 31 to 33. 31 and 32 are schematic side views showing an example of the relationship between the image wafer W1 and the detection unit 70D in a normal state. Fig. 33 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer W1 and the detection unit 70D when the image wafer W1 is broken during the peeling operation.

상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 처리(도 10의 단계(S103))와 병행하여 행해진다. 환언하면, 상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 동작 중에 행해진다. 제어부(81)는, 검지부(70D)의 검지 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다. 구체적으로, 먼저, 박리 처리 개시 전에 있어서, 투수광부(73)가 투광한 광을 투광한 경우, 반사부(74)가 투수광부(73)로부터의 광을 반사하여, 투수광부(73)가 반사한 광을 수취하고, 제어부(81)로 수광한 것을 나타내는 신호를 송신한다. 이 후, 제어부(81)가 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 외주부의 일부를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 박리 처리를 개시하면, 박리 중의 상 웨이퍼(W1)에 의해 투수광부(73)로부터의 광이 차단되고, 반사부(74)가 투수광부(73)에 광을 반사하지 못하여, 투수광부(73)는 수광하고 있지 않은 것을 나타내는 신호를 제어부(81)로 송신한다(도 31 참조). 이 후, 박리 처리가 완료되면, 투수광부(73)가 광을 투광한 경우, 반사부(74)가 투수광부(73)로부터의 광을 반사하여, 투수광부(73)가 반사한 광을 수취하고, 제어부(81)로 수광한 것을 나타내는 신호를 송신한다(도 32 참조).The crack detection process of the upper wafer W1 is performed in parallel with the peeling process (step S103 in FIG. 10). In other words, the crack detection process of the upper wafer W1 is performed during the peeling operation. The control unit 81 detects cracks in the upper wafer W1 based on the detection result of the detection unit 70D. Specifically, first, before the peeling process starts, when the light transmitted by the light transmitting and transmitting portion 73 is transmitted, the reflecting portion 74 reflects the light from the transmitting and light transmitting portion 73, and the light transmitting and light transmitting portion 73 reflects the light. Light is received, and a signal indicating light reception is transmitted to the control unit 81. After this, when the control unit 81 controls the lifting mechanism 50 and starts a peeling process in which a part of the outer peripheral part of the first holding part 10 is moved in a direction away from the second holding part 20, the peeling occurs. Light from the light transmitting and transmitting portion 73 is blocked by the image wafer W1 in the middle, and the reflecting portion 74 cannot reflect light to the transmitting and light transmitting portion 73, indicating that the transmitting and light transmitting portion 73 is not receiving light. A signal is transmitted to the control unit 81 (see FIG. 31). Afterwards, when the peeling process is completed, when the light transmitting and transmitting portion 73 transmits light, the reflecting portion 74 reflects the light from the transmitting and light transmitting portion 73 and receives the light reflected by the transmitting and light transmitting portion 73. and transmits a signal indicating light reception to the control unit 81 (see FIG. 32).

즉, 제어부(81)는, 박리 동작이 개시되어 투수광부(73)로부터 광을 수광하고 있지 않은 것을 나타내는 신호를 수신하고 나서, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래할 때까지의 사이, 투수광부(73)로부터 광을 수광한 것을 나타내는 신호를 수신하지 않았을 경우, 상 웨이퍼(W1)에 균열이 없다고 판정한다.That is, the control unit 81 controls the period between when the peeling operation is started and receiving a signal indicating that light is not being received from the transmitting/light emitting unit 73, and until a predetermined timing arrives as the timing at which the peeling operation is completed. , when a signal indicating that light has been received from the transparent and light transmitting portion 73 is not received, it is determined that there is no crack in the upper wafer W1.

한편, 도 33에 나타내는 바와 같이, 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열이 생겼다고 한다. 이하에서는, 편의 상, 깨진 상 웨이퍼(W1) 중 하 웨이퍼(W2)로부터 박리된 부위를 '상 웨이퍼(W1a)'라 호칭하고, 아직 하 웨이퍼(W2)와 접합되어 있는 부위를 '상 웨이퍼(W1b)'라 호칭한다. 또한, 상 웨이퍼(W1b)가 잔존한 중합 기판을 '중합 기판(T')'이라 호칭한다.On the other hand, as shown in FIG. 33, it is said that a crack occurred in the upper wafer W1 during the peeling operation. Hereinafter, for convenience, the part of the broken upper wafer W1 that has been peeled off from the lower wafer W2 is called the 'upper wafer (W1a)', and the part that is still bonded to the lower wafer W2 is called the 'upper wafer (W2)'. It is called ‘W1b)’. In addition, the polymerization substrate on which the upper wafer W1b remains is called 'polymerization substrate T'.

도 33에 나타내는 바와 같이, 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열이 생긴 경우, 검지부(70D)의 투수광부(73)로부터 투광된 광은, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에 반사부(74)에 도달하게 된다. 즉, 검지부(70D)의 투수광부(73)는, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에, 반사부(74)에 의해 반사된 광을 수광하게 된다.As shown in FIG. 33, when a crack occurs in the upper wafer W1 during the peeling operation, the light emitted from the transparent and light-emitting portion 73 of the detection unit 70D reaches a predetermined timing as the timing at which the peeling operation is completed. It reaches the reflector 74 before. That is, the light-transmitting part 73 of the detection part 70D receives the light reflected by the reflecting part 74 before the predetermined timing at which the peeling operation is completed arrives.

이와 같이, 박리 동작이 개시되어 투수광부(73)로부터의 광이 투수광부(73)에 의해 수광되지 않게 된 후, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에, 투수광부(73)에 의해 광이 수광된 경우, 제어부(81)는, 상 웨이퍼(W1)에 균열이 생겼다고 판정한다. 이에 의해, 제 4 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는, 박리 동작 중에 있어서의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다.In this way, after the peeling operation is started and the light from the light transmitting/light transmitting unit 73 is no longer received by the transmitting/light transmitting unit 73, before the predetermined timing for completion of the peeling operation arrives, the light transmitting/light transmitting unit 73 When light is received, the control unit 81 determines that a crack has occurred in the upper wafer W1. Thereby, the peeling device 7 according to the fourth embodiment can detect cracks in the upper wafer W1 during the peeling operation.

박리 장치(7)는, 제 3 실시 형태에 따른 검지부(70A ~ 70C) 및 제 4 실시 형태에 따른 검지부(70D)의 양방을 구비하고 있어도 된다.The peeling device 7 may be provided with both detection units 70A to 70C according to the third embodiment and detection units 70D according to the fourth embodiment.

(제 5 실시 형태)(Fifth Embodiment)

제 5 실시 형태에서는, 상술한 제 3 실시 형태 및 제 4 실시 형태에 있어서의, 깨진 상 웨이퍼(W1)의 회수 처리에 대하여 도 34 ~ 도 37을 참조하여 설명한다. 도 34 ~ 도 37은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.In the fifth embodiment, the recovery process for the broken image wafer W1 in the third and fourth embodiments described above will be described with reference to FIGS. 34 to 37. 34 to 37 are diagrams showing operational examples of recovery processing according to the fifth embodiment.

이하의 처리는, 제 3 실시 형태 및 제 4 실시 형태의 균열 검지 처리에 있어서, 제어부(81)가, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한 경우에 행해진다.The following processing is performed when the control unit 81 detects a crack in the upper wafer W1 in the crack detection processing of the third and fourth embodiments.

먼저, 중합 기판(T)의 회전 처리가 행해진다. 구체적으로, 제어부(81)는, 회전 승강 기구(23)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)가 잔존하는 중합 기판(T')의 타단측(Y축 정방향측)의 측면이 박리 유인부(40)와 대향하도록 중합 기판(T')을 회전시킨다(도 34 참조).First, rotation processing of the polymerization substrate T is performed. Specifically, the control unit 81 controls the rotation lifting mechanism 23 so that the side of the other end side (the Y-axis positive direction side) of the polymerization substrate T' on which the image wafer W1 remains is formed by the peeling attracting portion 40. ) is rotated to face the polymerization substrate (T') (see Figure 34).

이어서, 박리 유인 처리가 행해진다. 제어부(81)는, 도 10의 단계(S102)와 동일한 처리를 행한다(도 35, 도 36 참조). 이에 의해, 중합 기판(T')에, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 박리하는 계기가 되는 박리 개시 부위가 형성된다.Next, a peeling inducement treatment is performed. The control unit 81 performs the same processing as step S102 in FIG. 10 (see FIGS. 35 and 36). As a result, a peeling start site that serves as a trigger for peeling the upper wafer W1 from the lower wafer W2 is formed in the polymerization substrate T'.

이어서, 박리 처리가 행해진다. 제어부(81)는, 도 10의 단계(S103)와 동일한 처리를 행한다(도 37 참조). 이에 의해, 중합 기판(T')에 잔존하는 상 웨이퍼(W1b)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리된다.Next, a peeling treatment is performed. The control unit 81 performs the same processing as step S103 in Fig. 10 (see Fig. 37). As a result, the upper wafer W1b remaining on the polymerization substrate T' is peeled off from the lower wafer W2.

상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 상 웨이퍼(W1)의 타단부의 균열을 검지한 경우에, 회전 승강 기구(23)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)의 타단부가 잔존하는 중합 기판(T')의 타단측(Y축 정방향측)의 측면이 박리 유인부(40)와 대향하도록 중합 기판(T')을 회전시킨 후, 박리 유인부(40)를 제어하여, 박리 개시 부위를 중합 기판(T')의 타단측의 측면에 형성하고, 이 후, 제 1 유지부(10)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)의 타단부를 하 웨이퍼(W2)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다.As described above, when a crack in the other end of the image wafer W1 is detected, the control unit 81 controls the rotary lifting mechanism 23 to remove the remaining polymerized substrate from the other end of the image wafer W1. After rotating the polymerized substrate (T') so that the side of the other end side (Y-axis positive direction side) of (T') faces the peeling attracting portion 40, the peeling attracting portion 40 is controlled to select the peeling start site. It is formed on the side surface of the other end of the polymerization substrate T', and then the first holding portion 10 is controlled to move the other end of the upper wafer W1 in a direction away from the lower wafer W2. .

이러한 처리에 의하면, 박리 동작 중 또는 박리 동작 후에 상 웨이퍼(W1)가 깨져 있다고 판정된 경우에, 중합 기판(T')으로부터 중합 기판(T')에 잔존하는 상 웨이퍼(W1b)를 회수할 수 있다. 또한, 하 웨이퍼(W2)로부터 상 웨이퍼(W1b)를 제거할 수 있기 때문에, 하 웨이퍼(W2)의 재이용이 용이하다.According to this process, when it is determined that the image wafer W1 is broken during or after the peeling operation, the image wafer W1b remaining in the polymerization substrate T' can be recovered from the polymerization substrate T'. there is. Additionally, since the upper wafer W1b can be removed from the lower wafer W2, it is easy to reuse the lower wafer W2.

(제 6 실시 형태)(6th embodiment)

도 38은 제 6 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 39는 제 6 실시 형태에 따른 받이부(75)의 모식 평면도이다. 도 38 및 도 39에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받는 받이부(75)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 38 is a schematic side view showing a configuration example of the peeling device 7 according to the sixth embodiment. Fig. 39 is a schematic plan view of the receiving portion 75 according to the sixth embodiment. As shown in FIGS. 38 and 39 , the peeling device 7 may be provided with a receiving portion 75 that receives fragments of the image wafer W1.

받이부(75)는, 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받는 용기이다. 받이부(75)는, 예를 들면 제 1 유지부(10)의 하방에 위치한다. 도 38 및 도 39에 나타내는 바와 같이, 받이부(75)는, 제 2 유지부(20)의 외주부를 따라 마련되어도 된다. 받이부(35)는, 박리 동작 중 또는 박리 동작 후에 상 웨이퍼(W1)가 깨진 경우에, 이러한 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받을 수 있다. 받이부(75)는, 예를 들면 제 2 유지부(20)에 대하여 착탈 가능해도 된다. 이 경우, 상 웨이퍼(W1)의 파편의 회수가 용이하다.The receiving portion 75 is a container that receives fragments of the upper wafer W1. The receiving portion 75 is located below the first holding portion 10, for example. As shown in FIGS. 38 and 39 , the receiving portion 75 may be provided along the outer peripheral portion of the second holding portion 20 . The receiving portion 35 may receive fragments of the image wafer W1 when the image wafer W1 is broken during or after the peeling operation. The receiving portion 75 may be detachable from the second holding portion 20, for example. In this case, recovery of fragments of the upper wafer W1 is easy.

또한, 받이부(75)가 마련되는 위치는, 도 38 및 도 39에 나타내는 위치에 한정되지 않는다. 예를 들면, 받이부(75)는, 제 2 유지부(20)보다 하방에 마련되어 있어도 된다.Additionally, the position where the receiving portion 75 is provided is not limited to the position shown in FIGS. 38 and 39. For example, the receiving part 75 may be provided below the second holding part 20.

(제 7 실시 형태)(7th embodiment)

도 40은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 41은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다. 도 40 및 도 41에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 부착물을 흡인하는 흡인부(83)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 40 is a schematic side view showing a configuration example of the peeling device 7 according to the seventh embodiment. Fig. 41 is a schematic perspective view showing a configuration example of the peeling device 7 according to the seventh embodiment. As shown in FIGS. 40 and 41 , the peeling device 7 may be provided with a suction portion 83 for sucking the adhered matter of the peeling attracting portion 40 .

흡인부(83)는, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 흡인부(83)는 흡인관(831)과, 흡기 장치(832)를 구비하고 있다. 흡인관(831)은, 일단이 후술하는 받이부(84)에 접속되어 있고, 타단이 흡기 장치(832)와 접속되어 있다. 흡인부(83)는, 흡기 장치(832)가 발생시키는 흡인력에 의해, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 이에 의해, 흡인부(83)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 부착한 부착물을 제거할 수 있다.The suction part 83 sucks the atmosphere surrounding the peeling attraction part 40. The suction unit 83 is provided with a suction pipe 831 and an intake device 832. The suction pipe 831 has one end connected to a receiving portion 84 to be described later, and the other end is connected to the suction device 832. The suction part 83 sucks the atmosphere surrounding the peeling attraction part 40 by the suction force generated by the suction device 832. Thereby, the suction part 83 can remove the deposit adhering to the sharp member 41a of the peeling attraction part 40.

도 41에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는 또한 받이부(84), 촬상부(85) 및 조사부(86)를 구비하고 있어도 된다. 받이부(84)는, 박리 유인부(40)의 하방에 배치되어, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 부착한 부착물을 받는다. 받이부(84)는, 상방에 개구(842)와, 받이부(84)의 일부를 덮는 덮개부(843)를 가진다. 받이부(84)의 측면에는, 흡인관(831)과 접속하는 접속부(841)가 마련되어 있다. 받이부(84)는, 흡인관(831)을 개재하여 흡기 장치(832)에 접속된다. 흡인부(83)는, 받이부(84)를 개재하여, 흡기 장치(832)가 발생시키는 흡인력에 의해, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 이에 의해, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 부착물이 흡인된다. 즉, 받이부(84)의 개구(842)는 흡인부(83)의 흡인구로서도 기능하고, 덮개부(843)는 흡인부(83)의 흡인 범위 및 흡인 위치를 조정하는 조정부로서도 기능한다.As shown in FIG. 41, the peeling device 7 may further include a receiving portion 84, an imaging portion 85, and an irradiation portion 86. The receiving portion 84 is disposed below the peeling inducing portion 40 and receives the adhered material attached to the sharp member 41a of the peeling inducing portion 40. The receiving portion 84 has an opening 842 at the upper portion and a cover portion 843 that covers a portion of the receiving portion 84. On the side of the receiving portion 84, a connecting portion 841 for connecting to the suction pipe 831 is provided. The receiving portion 84 is connected to the suction device 832 via a suction pipe 831. The suction part 83 sucks the atmosphere around the peeling attraction part 40 via the receiving part 84 by the suction force generated by the suction device 832. As a result, the adhering matter of the sharp member 41a of the peeling attracting portion 40 is attracted. That is, the opening 842 of the receiving part 84 also functions as a suction port of the suction part 83, and the cover part 843 also functions as an adjustment part for adjusting the suction range and suction position of the suction part 83.

촬상부(85)는, 박리 유인부(40)의 하방에 배치되어, 박리 유인부(40)가 구비하는 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상한다. 제어부(81)는, 촬상부(85)로부터의 촬상 데이터에 기초하여, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상태를 확인한다. 조사부(86)는, 예를 들면 LED 라이트이며, 촬상부(85)의 촬상 대상(여기서는, 박리 유인부(40))에 광을 조사한다. 조사부(86)는, 박리 유인부(40)의 상방에 배치된다.The imaging unit 85 is disposed below the peeling inducing part 40 and captures an image of the edge of the sharpening member 41a included in the peeling inducing part 40. The control unit 81 confirms the state of the sharpening member 41a of the peeling attraction unit 40 based on the imaging data from the imaging unit 85. The irradiation unit 86 is, for example, an LED light, and irradiates light to the imaging target of the imaging unit 85 (here, the peeling attraction unit 40). The irradiation section 86 is disposed above the peeling inducing section 40 .

이하, 흡인부(83)를 이용한 부착물 흡인 처리의 구체적인 순서에 대하여 도 42 ~ 도 44를 이용하여 설명한다. 도 42는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 부착물 흡인 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 도 43 및 도 44는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 동작예를 나타내는 도이다. 또한, 도 42에 나타내는 처리 순서는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S107)의 후에, 즉, 박리 장치(7)로부터 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)가 반출된 후에 실행된다.Hereinafter, the specific procedure of the adhesion suction process using the suction unit 83 will be explained using FIGS. 42 to 44. Fig. 42 is a flowchart showing the procedure of adhesion suction processing of the peeling device 7 according to the seventh embodiment. 43 and 44 are diagrams showing an operation example of the peeling device 7 according to the seventh embodiment. In addition, the processing sequence shown in FIG. 42 is performed, for example, after step S107 shown in FIG. 10, that is, after the upper wafer W1 and the lower wafer W2 are unloaded from the peeling device 7. .

도 43에 나타내는 바와 같이, 제어부(81)는, 칼날 끝 확인 처리를 행한다(단계(S201)). 구체적으로, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)의 이동 기구(42)를 제어하여, 촬상부(85)의 직상(直上)에 예리 부재(41a)의 칼날 끝이 위치하는 제 1 위치에 박리 유인부(40)를 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 촬상부(85)를 이용하여, 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상시키고, 칼날 끝의 상태(예를 들면, 이 빠짐의 유무 등)를 확인한다(도 43 참조).As shown in Fig. 43, the control unit 81 performs a blade tip confirmation process (step S201). Specifically, the control unit 81 controls the moving mechanism 42 of the peeling attracting unit 40 to set the first position where the blade tip of the sharpening member 41a is located directly above the imaging unit 85. The peeling attraction portion 40 is placed on the. After this, the control unit 81 uses the imaging unit 85 to capture an image of the blade tip of the sharpening member 41a and confirms the state of the blade tip (e.g., presence or absence of teeth, etc.) (Figure 43).

이어서, 제어부(81)는, 이물 회수 처리를 행한다(단계(S202)). 구체적으로, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)의 이동 기구(42)를 제어하여, 칼날부(41)를 수평 방향(여기서는, Y축 부방향)으로 이동시키고, 받이부(84)에 있어서의 개구(842)(도 44 참조)의 직상에 예리 부재(41a)가 위치하는 제 2 위치에 박리 유인부(40)를 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인시킨다.Next, the control unit 81 performs a foreign matter recovery process (step S202). Specifically, the control unit 81 controls the moving mechanism 42 of the peeling attracting part 40 to move the blade part 41 in the horizontal direction (here, the Y-axis negative direction), and the receiving part 84 The peeling attracting portion 40 is disposed at the second position where the sharpening member 41a is located directly above the opening 842 (see Fig. 44). After this, the control unit 81 controls the suction unit 83 to suction the atmosphere surrounding the peeling attraction unit 40.

상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 제 1 위치에 예리 부재(41a)를 배치시킨 상태에서, 촬상부(85)를 제어하여 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상시키고, 이동 기구(42)를 제어하여, 제 2 위치에 예리 부재(41a)를 배치시킨 상태에서, 흡인부(83)를 제어하여 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인시킨다. 이러한 처리에 의하면, 예리 부재(41a)의 부착물을 제거할 수 있다.As described above, the control unit 81 controls the moving mechanism 42 to place the sharpening member 41a at the first position and controls the imaging unit 85 to sharpen the cutting edge of the sharpening member 41a. The tip is captured, the moving mechanism 42 is controlled, and the sharpening member 41a is placed in the second position, and the suction part 83 is controlled to suck the atmosphere around the peeling attracting part 40. . According to this treatment, adhesion to the sharpening member 41a can be removed.

(제 8 실시 형태)(Eighth Embodiment)

도 45는 제 8 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다. 도 45에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 대하여 기체를 분출하는 분출부(87)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 45 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the eighth embodiment. As shown in FIG. 45 , the peeling device 7 may be provided with a blowing portion 87 that blows gas toward the sharpening member 41a of the peeling attracting portion 40.

분출부(87)는, 박리 유인부(40)를 향해 공기 및 불활성 가스 등의 기체를 분출한다. 도 45에 나타내는 바와 같이, 분출부(87)에는, 공급로(871)를 개재하여, 기체 공급원(873)과, 밸브(872)가 접속된다. 제어부(81)가, 분출부(87)로부터 기체를 분출시키는 것에 의해, 예리 부재(41a)의 부착물이 하방으로 낙하한다. 하방으로 낙하한 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.The blowing part 87 blows out gas such as air and inert gas towards the peeling attracting part 40. As shown in FIG. 45 , a gas supply source 873 and a valve 872 are connected to the blowing portion 87 via a supply passage 871. When the control unit 81 ejects gas from the ejection unit 87, the adhered matter on the sharpening member 41a falls downward. The adhered matter that has fallen downward is received by the receiving portion (84) and sucked by the suction portion (83).

이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the peeling attraction portion 40 can be removed.

(제 9 실시 형태)(9th embodiment)

도 46은 제 9 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다. 도 46에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 부착물을 제거하는 제거부(88)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 46 is a schematic plan view showing a configuration example of the peeling device 7 according to the ninth embodiment. As shown in FIG. 46 , the peeling device 7 may be provided with a removal portion 88 that removes adhesion to the sharpening member 41a of the peeling attracting portion 40.

제거부(88)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 대하여 물리적으로 접촉하는 것에 의해 부착물을 제거한다. 예를 들면, 제거부(88)는 롤러(881)와, 이동 기구(882)를 구비하고 있어도 된다. 롤러(881)는, 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 연장 방향(X축 방향)과 직교하는 방향(Y축 방향)으로 연장되는 회전축 둘레로 회전 가능하다. 롤러(881)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면에 접촉하는 접촉부이다. 이동 기구(882)는, 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 연장 방향(X축 방향)을 따라 롤러(881)를 이동시킨다.The removal unit 88 removes the deposit by physically contacting the sharpening member 41a of the peeling attraction unit 40. For example, the removal unit 88 may be provided with a roller 881 and a moving mechanism 882. The roller 881 is rotatable around a rotation axis extending in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the extension direction (X-axis direction) of the edge of the sharpening member 41a. The roller 881 is a contact portion that contacts the upper surface of the sharpening member 41a of the peeling attracting portion 40. The moving mechanism 882 moves the roller 881 along the extending direction (X-axis direction) of the cutting edge of the sharpening member 41a.

이하, 제거부(88)를 이용한 부착물 제거 처리에 대하여 설명한다. 제어부(81)는, 이동 기구(882)를 제어하여, 롤러(881)를 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면을 수평 방향(여기서는, X축 방향)으로 이동시킨다. 이에 의해, 예리 부재(41a)의 상면의 부착물은, 롤러(881)와 접촉하여, 롤러(881)로 밀어내지고, 하방으로 떨어진다. 하방으로 떨어진 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.Hereinafter, the attachment removal process using the removal unit 88 will be described. The control unit 81 controls the moving mechanism 882 to move the roller 881 on the upper surface of the sharpening member 41a of the peeling attracting portion 40 in the horizontal direction (here, the X-axis direction). As a result, the adhered matter on the upper surface of the sharpening member 41a comes into contact with the roller 881, is pushed out by the roller 881, and falls downward. Adhesion that has fallen downward is received by the receiving portion (84) and sucked by the suction portion (83).

이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the peeling attraction portion 40 can be removed.

(제 10 실시 형태)(10th embodiment)

도 47 및 도 48은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다. 도 47에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)는, 포렴 형상의 접촉부이며, 예를 들면, 받이부(84)의 개구(842)의 직상에 마련된다. 도 48에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)의 하부는, 예리 부재(41a)의 상면과 접촉한다.47 and 48 are schematic perspective views showing a configuration example of the peeling device 7 according to the tenth embodiment. As shown in FIG. 47 , the removal portion 89 is a noreme-shaped contact portion, and is provided, for example, directly above the opening 842 of the receiving portion 84. As shown in FIG. 48, the lower part of the removal part 89 contacts the upper surface of the sharpening member 41a.

이하, 제거부(89)를 이용한 부착물 제거 처리에 대하여 도 47 및 도 48을 참조하여 설명한다. 부착물 제거 처리는, 도 47에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)의 하부가 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면에 접촉하고 있는 상태에서 개시된다.Hereinafter, the attachment removal process using the removal unit 89 will be described with reference to FIGS. 47 and 48. As shown in FIG. 47 , the adhesion removal process is started with the lower part of the removal part 89 in contact with the upper surface of the sharpening member 41a of the peeling attracting part 40.

제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 칼날부(41)를 Y축 부방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 칼날부(41)의 예리 부재(41a)의 상면의 부착물은 제거부(89)에 의해 모인다. 이 후, 칼날부(41)가 Y축 부방향으로 더 이동하고, 예리 부재(41a)가 제거부(89)로부터 멀어지면(도 48 참조), 제거부(89)에 의해 막힌 부착물은 하방으로 떨어진다. 하방으로 떨어진 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.The control unit 81 controls the moving mechanism 42 to move the blade portion 41 of the peeling attraction portion 40 in the negative Y-axis direction. As a result, the adhering matter on the upper surface of the sharpening member 41a of the blade portion 41 is collected by the removal portion 89. After this, when the blade portion 41 moves further in the negative Y-axis direction and the sharpening member 41a moves away from the removal portion 89 (see Fig. 48), the attachment blocked by the removal portion 89 moves downward. It falls. Adhesion that has fallen downward is received by the receiving portion (84) and sucked by the suction portion (83).

이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the peeling attraction portion 40 can be removed.

(제 11 실시 형태)(Eleventh Embodiment)

도 49 및 도 50은 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 49 및 도 50에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 받이부(84)를 수평 방향(Y축 방향)으로 이동시키는 이동 기구(844)(제 1 이동 기구의 일례)를 구비하고 있어도 된다.49 and 50 are schematic side views showing a configuration example of the peeling device 7 according to the 11th embodiment. As shown in FIGS. 49 and 50 , the peeling device 7 is provided with a moving mechanism 844 (an example of the first moving mechanism) that moves the receiving portion 84 in the horizontal direction (Y-axis direction). do.

제 11 실시 형태에 있어서, 제 2 유지부(20a)는, 하 웨이퍼(W2)의 직경보다 작은 직경으로 형성되어도 된다. 이 경우, 제 2 유지부(20a)는, 하 웨이퍼(W2)의 하면 중 외주부를 제외한 영역을 흡착 유지한다.In the eleventh embodiment, the second holding portion 20a may be formed to have a diameter smaller than the diameter of the lower wafer W2. In this case, the second holding portion 20a adsorbs and holds the lower surface of the lower wafer W2 excluding the outer peripheral portion.

이하, 이동 기구(844)를 이용한 받이부 이동 처리의 구체적인 순서에 대하여 도 49, 도 50을 이용하여 설명한다. 또한, 이러한 처리 순서는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S102)와 동시에, 즉, 박리 유인 처리와 동시에 실행된다.Hereinafter, a specific procedure for moving the receiving unit using the moving mechanism 844 will be described using FIGS. 49 and 50. In addition, this processing sequence is executed simultaneously with step S102 shown in FIG. 10, that is, simultaneously with the peeling inducement process, for example.

먼저, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)에 가까워지는 방향(Y축 정방향)으로 이동시킬 시에, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 하방으로 이동시킨다. 환언하면, 제어부(81)는, 이동 기구(42)에 의한 예리 부재(41a)의 Y축 정방향의 이동과 연동하여, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시킨다. 구체적으로, 예리 부재(41a)의 직하(直下)에 받이부(84)에 있어서의 개구(842)(도 41 참조)가 위치하도록, 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시킨다(도 49 참조). 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기의 흡인을 개시한다.First, the control unit 81 controls the moving mechanism 844 when controlling the moving mechanism 42 to move the sharpening member 41a in a direction (positive Y-axis direction) closer to the polymerization substrate T. The receiving portion 84 is moved below the blade tip of the sharpening member 41a. In other words, the control unit 81 controls the movement mechanism 844 to move the receiving portion 84 in the Y-axis positive direction in conjunction with the movement of the sharpening member 41a in the Y-axis positive direction by the movement mechanism 42. Let's do it. Specifically, the receiving portion 84 is moved in the positive Y-axis direction so that the opening 842 (see Fig. 41) in the receiving portion 84 is located directly below the sharpening member 41a ( Fig. 49 reference). After this, the control unit 81 controls the suction unit 83 to start suction of the atmosphere surrounding the peeling attraction unit 40.

다음으로, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 중합 기판(T)의 측면에 예리 부재(41a)를 눌러, 이러한 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 예리 부재(41a)를 삽입한다. 이 경우도 마찬가지로 제어부(81)는, 이동 기구(844)를 제어하여, 이동 기구(42)에 의한 예리 부재(41a)의 이동과 연동하여, 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시켜도 된다. 상술한 바와 같이, 제 2 유지부(20a)가 하 웨이퍼(W2)의 직경보다 작은 직경으로 형성되기 때문에, 예리 부재(41a)를 접합부에 삽입하는 경우에도, 받이부(84)는 이러한 움직임과 연동하여 Y축 정방향으로 이동할 수 있다.Next, the control unit 81 controls the moving mechanism 42 to press the sharpening member 41a against the side surface of the polymerization substrate T to separate the upper and lower wafers W1 from the polymerization substrate T. The sharpening member 41a is inserted into the joint with the wafer W2. In this case as well, the control unit 81 may control the moving mechanism 844 to move the receiving unit 84 in the positive Y-axis direction in conjunction with the movement of the sharpening member 41a by the moving mechanism 42. . As described above, since the second holding portion 20a is formed to have a smaller diameter than the diameter of the lower wafer W2, even when the sharpening member 41a is inserted into the joint, the receiving portion 84 is subject to this movement. It can be linked to move in the Y-axis forward direction.

다음으로, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향(Y축 부방향)으로 이동 개시시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 이동 기구(844)를 제어하여, 받이부(84)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향(Y축 부방향)으로 이동 개시시킨다. 구체적으로, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)의 Y축 부방향으로의 이동 개시부터 일정 시간이 경과한 경우, 또는, 예리 부재(41a)가 미리 정해진 위치에 도달한 경우에, 받이부(84)를 Y축 부방향으로 이동 개시시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 예리 부재(41a) 및 받이부(84)가 중합 기판(T)으로부터 떨어진 대기 위치에 도달하면, 예리 부재(41a) 및 받이부(84)의 이동을 정지한다. 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기의 흡인을 정지한다.Next, the control unit 81 controls the moving mechanism 42 to start moving the sharpening member 41a in a direction away from the polymerization substrate T (negative Y-axis direction). After this, the control unit 81 controls the moving mechanism 844 to start moving the receiving unit 84 in a direction away from the polymerization substrate T (negative Y-axis direction). Specifically, the control unit 81 operates the receiving unit when a certain period of time has elapsed since the start of movement of the sharpening member 41a in the Y-axis negative direction, or when the sharpening member 41a has reached a predetermined position. (84) is started to move in the negative Y-axis direction. After this, the control unit 81 stops the movement of the sharpening member 41a and the receiving portion 84 when the sharpening member 41a and the receiving portion 84 reach the standby position away from the polymerization substrate T. . After this, the control unit 81 controls the suction unit 83 to stop suction of the atmosphere surrounding the peeling attraction unit 40.

상술한 바와 같이, 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는 받이부(84)를 이동시키는 이동 기구(844)를 구비한다. 이러한 구성에 의하면, 예리 부재(41a)의 이동에 수반하여 받이부(84)를 이동시킬 수 있기 때문에, 예리 부재(41a)의 이동 시에 있어서 발생하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.As described above, the peeling device 7 according to the 11th embodiment is provided with a moving mechanism 844 that moves the receiving portion 84. According to this configuration, the receiving portion 84 can be moved along with the movement of the sharpening member 41a, so that particles generated when the sharpening member 41a moves can be received by the receiving portion 84. there is.

또한, 상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)에 가까워지는 방향으로 이동시킬 시에, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 하방으로 이동시킨다. 이러한 처리에 의하면, 박리 유인 처리 시에 있어서 발생하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.In addition, as described above, the control unit 81 controls the moving mechanism 844 when controlling the moving mechanism 42 to move the sharpening member 41a in a direction closer to the polymerization substrate T. The receiving portion 84 is moved below the blade tip of the sharpening member 41a. According to this process, the particles generated during the peeling attraction process can be received by the receiving unit 84.

또한, 상술한 바와 같이, 박리 유인 처리 후, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시킨 후에, 받이부(84)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시킨다. 이러한 처리에 의하면, 중합 기판(T)과 예리 부재(41a)가 떨어졌을 때에 낙하하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.In addition, as described above, after the peeling attraction treatment, the control unit 81 starts moving the sharpening member 41a in a direction away from the polymerization substrate T, and then moves the receiving portion 84 away from the polymerization substrate T. Start moving in the direction away from you. According to this process, the falling particles when the polymerization substrate T and the sharpening member 41a are separated can be received by the receiving portion 84.

상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 박리 장치(일례로서, 박리 장치(7))는, 제 1 유지부(일례로서, 제 1 유지부(10))와, 제 2 유지부(일례로서, 제 2 유지부(20))와, 박리 유인부(일례로서, 박리 유인부(40))와, 흡인부(일례로서, 흡인부(83))를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판(일례로서, 상 웨이퍼(W1))과 제 2 기판(일례로서, 하 웨이퍼(W2))이 접합된 중합 기판(일례로서, 중합 기판(T)) 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.As described above, the peeling device (as an example, the peeling device 7) according to the embodiment includes a first holding portion (as an example, the first holding portion 10) and a second holding portion (as an example, the first holding portion 10). 2. It is provided with a holding part 20), a peeling attraction part (as an example, a peeling attraction part 40), and a suction part (as an example, a suction part 83). The first holding portion is the first of the polymerization substrates (as an example, the polymerization substrate T) to which a first substrate (as an example, an upper wafer W1) and a second substrate (as an example, a lower wafer W2) are bonded. The substrate is held and the first substrate is moved in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.

따라서, 실시 형태에 따른 박리 장치에 의하면, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있다.Therefore, according to the peeling device according to the embodiment, foreign matter adhering to the peeling attraction portion can be removed.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.The embodiment disclosed this time should be considered in all respects as an example and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be implemented in various forms. In addition, the above-described embodiments may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

Claims (13)

제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제 1 기판을 유지하고, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 제 1 유지부와,
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부와,
상기 제 1 기판이 상기 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부와,
상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 흡인부
를 구비하는, 박리 장치.
A first holding portion that holds the first substrate among the polymerization substrates to which the first substrate and the second substrate are bonded and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
a second holding portion holding the second substrate among the polymerization substrates;
a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of the polymerization substrate to provide a trigger for peeling the first substrate from the second substrate;
A suction part that absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction part.
A peeling device comprising:
제 1 항에 있어서,
상기 박리 유인부의 하방에 배치되어, 상기 박리 유인부의 부착물을 받는 받이부를 구비하고,
상기 흡인부는, 상기 받이부를 개재하여 상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는, 박리 장치.
According to claim 1,
a receiving portion disposed below the peeling attracting portion and receiving the attachment of the peeling attracting portion;
A peeling device, wherein the suction part sucks the atmosphere surrounding the peeling attracting part via the receiving part.
제 2 항에 있어서,
상기 받이부의 일부를 덮는 덮개부를 구비하는, 박리 장치.
According to claim 2,
A peeling device comprising a cover portion that covers a portion of the receiving portion.
제 1 항에 있어서,
상기 박리 유인부에 접촉하여 상기 박리 유인부의 부착물을 제거하는 제거부를 구비하는, 박리 장치.
According to claim 1,
A peeling device comprising a removal portion that contacts the peeling attracting portion and removes adhesion to the peeling attracting portion.
제 1 항에 있어서,
상기 박리 유인부에 대하여 기체를 분출하는 분출부를 구비하는, 박리 장치.
According to claim 1,
A peeling device comprising a blowing portion that blows gas toward the peeling attracting portion.
제 2 항에 있어서,
상기 박리 유인부의 하방에 배치되어, 상기 박리 유인부를 촬상하는 촬상부와,
상기 박리 유인부, 상기 촬상부 및 상기 흡인부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 박리 유인부는,
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재와,
상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 이동 기구를 제어하여, 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝이 상기 촬상부의 상방에 위치하는 제 1 위치에 상기 예리 부재를 배치시킨 상태에서, 상기 촬상부를 제어하여 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝을 촬상시키고, 상기 이동 기구를 제어하여, 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝이 상기 받이부의 상방에 위치하는 제 2 위치에 상기 예리 부재를 배치시킨 상태에서, 상기 흡인부를 제어하여 상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인시키는, 박리 장치.
According to claim 2,
an imaging unit disposed below the peeling attracting portion and capturing an image of the peeling attracting portion;
A control unit for controlling the peeling attracting unit, the imaging unit, and the suction unit,
The peeling attractor,
a sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate;
A moving mechanism that moves the sharpening member in the horizontal direction
Equipped with
The control unit controls the moving mechanism to place the sharpening member in a first position where the tip of the cutting edge of the sharpening member is positioned above the imaging part, and controls the imaging unit to move the cutting edge of the sharpening member. The tip is captured and the moving mechanism is controlled to place the sharpening member in a second position where the blade tip of the sharpening member is located above the receiving portion, and the suction portion is controlled to move around the peeling attraction portion. A peeling device that absorbs the atmosphere.
제 2 항에 있어서,
상기 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 구비하는, 박리 장치.
According to claim 2,
A peeling device comprising a moving mechanism that moves the receiving portion in a horizontal direction.
제 2 항에 있어서,
상기 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 이동 기구와,
상기 박리 유인부 및 상기 제 1 이동 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 박리 유인부는,
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재와,
상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 제 2 이동 기구
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 예리 부재를 상기 중합 기판에 가까워지는 방향으로 이동시킬 시에, 상기 제 1 이동 기구를 제어하여 상기 받이부를 상기 칼날 끝의 하방으로 이동시키는, 박리 장치.
According to claim 2,
a first moving mechanism that moves the receiving portion in a horizontal direction;
It has a control unit that controls the peeling attractor and the first moving mechanism,
The peeling attractor,
a sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate;
A second moving mechanism that moves the sharpening member in a horizontal direction
Equipped with
The control unit controls the first movement mechanism to move the receiving portion below the tip of the blade when the control unit controls the second movement mechanism to move the sharpening member in a direction closer to the polymerization substrate. Device.
제 8 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 중합 기판에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 접합부에 상기 예리 부재를 삽입하고, 이 후, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키고, 이 후, 상기 제 1 이동 기구를 제어하여 상기 받이부를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는, 박리 장치.
According to claim 8,
The control unit controls the second moving mechanism to insert the sharpening member into the joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate, and then controls the second moving mechanism to insert the sharpening member into the joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate. A peeling device in which the sharpening member is started to move in a direction away from the polymerization substrate, and then the first movement mechanism is controlled to start moving the receiving portion in a direction away from the polymerization substrate.
제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판이 배치되는 반입반출 스테이션과,
상기 반입반출 스테이션에 배치된 상기 중합 기판을 반송하는 기판 반송 장치와,
상기 기판 반송 장치에 의해 반송된 상기 중합 기판을 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판으로 박리하는 박리 장치
를 구비하고,
상기 박리 장치는,
상기 중합 기판 중 상기 제 1 기판을 유지하고, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 제 1 유지부와,
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부와,
상기 제 1 기판이 상기 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부와,
상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 흡인부
를 구비하는, 박리 시스템.
A loading/unloading station where a polymerized substrate in which a first substrate and a second substrate are bonded is placed,
a substrate transport device for transporting the polymerized substrate disposed at the loading/unloading station;
A peeling device that peels the polymerized substrate transported by the substrate transfer device into the first substrate and the second substrate.
Equipped with
The peeling device is,
a first holding portion that holds the first substrate among the polymerization substrates and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
a second holding portion holding the second substrate among the polymerization substrates;
a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of the polymerization substrate to provide a trigger for peeling the first substrate from the second substrate;
A suction part that absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction part.
A peeling system comprising:
제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 상기 제 1 기판이 상기 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 흡인부를 이용하여, 상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 공정과,
상기 박리 유인부를 이용하여, 상기 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 공정과,
상기 제 1 기판을 유지하고, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 제 1 유지부를 이용하여, 상기 제 1 기판을 유지하는 공정과,
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부를 이용하여, 상기 제 2 기판을 유지하는 공정과,
상기 제 1 유지부를 이용하여, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.
An atmosphere surrounding a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of a polymerized substrate to which a first substrate and a second substrate are bonded, a portion that causes the first substrate to peel from the second substrate. A step of suctioning the atmosphere surrounding the peeling attraction portion using a suction portion for suction;
A step of forming the portion on a side surface of one end of the polymerization substrate using the peeling attraction portion;
A process of holding the first substrate using a first holding portion that holds the first substrate and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
A step of holding the second substrate among the polymerization substrates using a second holding portion that holds the second substrate,
A process of moving the first substrate away from the second substrate using the first holding unit.
Including, a peeling method.
제 11 항에 있어서,
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시킬 시에, 상기 박리 유인부의 하방에 배치되고, 상기 박리 유인부의 부착물을 받는 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 이동 기구를 이용하여, 상기 받이부를 상기 칼날 끝의 하방으로 이동시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.
According to claim 11,
When moving the sharpening member in the horizontal direction using a second moving mechanism that moves the sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate in the horizontal direction, it is disposed below the peeling attracting portion, and the peeling attracting portion is disposed below the peeling attracting portion. A process of moving the receiving portion below the tip of the blade using a first moving mechanism that moves the receiving portion that receives the attachment of the blade in the horizontal direction.
Including, a peeling method.
제 12 항에 있어서,
상기 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 중합 기판에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 접합부에 상기 예리 부재를 삽입하는 공정과,
상기 예리 부재를 삽입하는 공정의 후에, 상기 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는 공정과,
상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 공정의 후에, 상기 제 1 이동 기구를 이용하여, 상기 받이부를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.
According to claim 12,
A step of inserting the sharpening member into a joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate using the second moving mechanism;
After the step of inserting the sharpening member, a step of starting to move the sharpening member in a direction away from the polymerization substrate using the second moving mechanism;
After the step of moving the sharpening member in a direction away from the polymerization substrate, a step of starting to move the receiving portion in a direction away from the polymerization substrate using the first moving mechanism.
Including, a peeling method.
KR1020230138664A 2022-10-25 2023-10-17 Separating apparatus, separating system, and separating method KR20240058005A (en)

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