KR20240058005A - Separating apparatus, separating system, and separating method - Google Patents
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Abstract
박리 유인부에 부착한 이물을 제거한다. 본 개시에 따른 박리 장치는, 제 1 유지부와, 제 2 유지부와, 박리 유인부와, 흡인부를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.Remove foreign substances attached to the peeling attractor. The peeling device according to the present disclosure includes a first holding portion, a second holding portion, a peeling inducing portion, and a suction portion. The first holding portion holds the first substrate among the polymerized substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded, and moves the first substrate in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.
Description
본 개시는 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to stripping devices, stripping systems and stripping methods.
최근, 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이며 얇은 반도체 기판은, 반송 시 또는 연마 처리 시에 휨 또는 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 기판에 지지 기판을 붙여 보강한 후에, 반송 및 연마 처리를 행하고, 이 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다.Recently, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers are being reduced in diameter and thinner. Large-diameter, thin semiconductor substrates may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after attaching a support substrate to a semiconductor substrate to reinforce it, conveyance and polishing are performed, and then the support substrate is peeled from the semiconductor substrate.
특허 문헌 1에는, 지지 기판이 피처리 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부를 구비한 박리 장치가 개시되어 있다.
본 개시는, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for removing foreign substances attached to a peeling attraction portion.
본 개시의 일태양에 따른 박리 장치는, 제 1 유지부와, 제 2 유지부와, 박리 유인부와, 흡인부를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.A peeling device according to one aspect of the present disclosure includes a first holding portion, a second holding portion, a peeling attraction portion, and a suction portion. The first holding portion holds the first substrate among the polymerized substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded, and moves the first substrate in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.
본 개시에 따르면, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있다.According to the present disclosure, foreign substances attached to the peeling attraction portion can be removed.
도 1은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성을 나타내는 모식 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 전달 스테이션의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 3은 제 1 실시 형태에 따른 중합 기판의 모식 단면도이다.
도 4는 제 1 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.
도 5는 제 1 실시 형태에 따른 제 1 유지부의 모식 평면도이다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 모식 측면도이다.
도 7은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 모식 저면도이다.
도 8은 제 1 유지부의 흡착 패드, 제 3 유지부의 흡착 패드 및 상 웨이퍼의 위치 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 9는 제 2 반송 장치의 상측 유지부의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 10은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 11은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 12는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 13은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 14는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 15는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 16은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 17은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 18은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 19는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 20은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 21은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 22는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템의 동작예를 나타내는 모식도이다.
도 23은 제 2 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 24는 제 2 실시 형태에 따른 제 3 유지부의 흡착 패드, 접촉부 및 상 웨이퍼의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 25는 제 3 실시 형태에 따른 상 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 복수의 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 26은 제 3 실시 형태에 따른 박리 후의 상 웨이퍼, 박리 후의 하 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 복수의 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.
도 27은 균열이 있는 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 28은 균열이 있는 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.
도 29는 제 4 실시 형태에 따른 상 웨이퍼, 제 1 유지부의 흡착부, 박리 유인부의 칼날부 및 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.
도 30은 제 4 실시 형태에 따른 중합 기판, 제 1 유지부의 흡착부 및 검지부의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.
도 31은 정상 시의 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 32는 정상 시의 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 33은 박리 동작 중에 상 웨이퍼가 깨진 경우의, 상 웨이퍼와, 검지부와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.
도 34는 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 35는 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 36은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 37은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.
도 38은 제 6 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 39는 제 6 실시 형태에 따른 받이부의 모식 평면도이다.
도 40은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 41은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 42는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 부착물 흡인 처리의 순서를 나타내는 순서도이다.
도 43은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 44는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치의 동작예를 나타내는 도이다.
도 45는 제 8 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 46은 제 9 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.
도 47은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 48은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다.
도 49는 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.
도 50은 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다.1 is a schematic plan view showing the configuration of a peeling system according to the first embodiment.
Fig. 2 is a schematic side view showing the configuration of a transfer station according to the first embodiment.
Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the polymerization substrate according to the first embodiment.
Fig. 4 is a schematic side view showing the configuration of a peeling device according to the first embodiment.
Fig. 5 is a schematic plan view of the first holding portion according to the first embodiment.
Fig. 6 is a schematic side view of the third holding portion according to the first embodiment.
Fig. 7 is a schematic bottom view of the third holding portion according to the first embodiment.
Fig. 8 is a schematic plan view showing an example of the positional relationship between the suction pad of the first holding portion, the suction pad of the third holding portion, and the image wafer.
Fig. 9 is a schematic plan view showing an example of the configuration of the upper holding portion of the second transport device.
Fig. 10 is a flowchart showing the sequence of processing performed by the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 11 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 12 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 13 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 14 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 15 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 16 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 17 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 18 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 19 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 20 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 21 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 22 is a schematic diagram showing an example of operation of the peeling system according to the first embodiment.
Fig. 23 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the second embodiment.
Fig. 24 is a schematic plan view showing the positional relationship between the suction pad, the contact portion, and the image wafer of the third holding portion according to the second embodiment.
Fig. 25 is a schematic plan view showing the positional relationship between the image wafer, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and a plurality of detection portions according to the third embodiment.
Fig. 26 is a schematic side view showing the positional relationship of the upper wafer after peeling, the lower wafer after peeling, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and a plurality of detection portions according to the third embodiment.
Figure 27 is a schematic plan view showing an example of the relationship between a cracked image wafer and a detection unit.
Figure 28 is a schematic plan view showing an example of the relationship between a cracked image wafer and a detection unit.
Fig. 29 is a schematic plan view showing the positional relationship between the image wafer, the adsorption portion of the first holding portion, the blade portion of the peeling inducing portion, and the detection portion according to the fourth embodiment.
Fig. 30 is a schematic side view showing the positional relationship between the polymerization substrate, the adsorption portion of the first holding portion, and the detection portion according to the fourth embodiment.
Figure 31 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit during normal operation.
Figure 32 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit during normal operation.
Figure 33 is a schematic side view showing an example of the relationship between the image wafer and the detection unit when the image wafer is broken during the peeling operation.
Fig. 34 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 35 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 36 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 37 is a diagram showing an operational example of recovery processing according to the fifth embodiment.
Fig. 38 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the sixth embodiment.
Fig. 39 is a schematic plan view of a receiving portion according to the sixth embodiment.
Fig. 40 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 41 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 42 is a flowchart showing the procedure of adhesion suction processing of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 43 is a diagram showing an example of operation of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 44 is a diagram showing an example of operation of the peeling device according to the seventh embodiment.
Fig. 45 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the eighth embodiment.
Fig. 46 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the ninth embodiment.
Fig. 47 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the tenth embodiment.
Fig. 48 is a schematic perspective view showing a configuration example of a peeling device according to the tenth embodiment.
Fig. 49 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the 11th embodiment.
Fig. 50 is a schematic side view showing a configuration example of a peeling device according to the 11th embodiment.
이하에, 본 개시에 따른 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법을 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form (hereinafter referred to as 'embodiment') for implementing the peeling device, peeling system, and peeling method according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Additionally, the present disclosure is not limited to this embodiment. Additionally, each embodiment can be appropriately combined within the range that does not conflict with the processing content. In addition, in each of the following embodiments, the same parts are given the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.
또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직’ 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.Additionally, in the embodiments shown below, expressions such as 'constant', 'orthogonal', 'perpendicular', or 'parallel' may be used, but these expressions are strictly defined as 'constant', 'orthogonal', and 'perpendicular'. ' or 'parallel' is not required. That is, each of the above expressions allows for errors in, for example, manufacturing precision and installation precision.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.In addition, in each drawing referred to below, in order to make the explanation easier to understand, the . Additionally, the rotation direction with the vertical axis as the rotation center may be called the θ direction.
최근, 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판의 대구경화 및 박형화가 진행되고 있다. 대구경이며 얇은 반도체 기판은, 반송 시 또는 연마 처리 시에 휨 또는 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 반도체 기판에 지지 기판을 붙여 보강한 후에, 반송 및 연마 처리를 행하고, 이 후, 지지 기판을 반도체 기판으로부터 박리하는 처리가 행해지고 있다.Recently, for example, in the manufacturing process of semiconductor devices, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers are being reduced in diameter and thinner. Large-diameter, thin semiconductor substrates may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after attaching a support substrate to a semiconductor substrate to reinforce it, conveyance and polishing are performed, and then the support substrate is peeled from the semiconductor substrate.
특허 문헌 1에는, 지지 기판이 피처리 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부를 구비한 박리 장치가 개시되어 있다. 박리 유인부는, 예리 부재(칼날)를 구비하고 있고, 이러한 예리 부재를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 부딪치게 함으로써, 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 박리 개시 부위를 형성한다.
그러나, 박리 유인부를 이용하여 중합 기판에 박리 개시 부위를 형성할 시에, 예를 들면 박리 유인부의 예리 부재에 이물이 부착하고 있으면, 이 이물이 지지 기판 또는 피처리 기판에 부착하여, 박리 처리에 영향을 미칠 우려가 있다.However, when forming a peeling start site on a polymerized substrate using a peeling attraction portion, for example, if foreign matter adheres to the sharp member of the peeling attracting portion, this foreign matter may adhere to the support substrate or the substrate to be processed, resulting in the peeling process. There are concerns that it may have an impact.
이에, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있는 기술이 기대되고 있다.Accordingly, technology that can remove foreign substances attached to the peeling attraction portion is expected.
(제 1 실시 형태)(First Embodiment)
<박리 시스템의 구성><Configuration of peeling system>
먼저, 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 구성에 대하여, 도 1 ~ 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 구성을 나타내는 모식 평면도이다. 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 전달 스테이션(2)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다. 도 3은 제 1 실시 형태에 따른 중합 기판(T)의 모식 단면도이다.First, the configuration of the
도 1에 나타내는 박리 시스템(100)은, 예를 들면, 도 3에 나타내는 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)이 접합된 중합 기판(T)으로부터, 제 1 기판(W1)을 박리한다.For example, the
이하에서는, 제 1 기판(W1)을 '상 웨이퍼(W1)'라 기재하고, 제 2 기판(W2)을 '하 웨이퍼(W2)'라 기재한다. 즉, 상 웨이퍼(W1)는 제 1 기판의 일례이며, 하 웨이퍼(W2)는 제 2 기판의 일례이다.Hereinafter, the first substrate W1 will be referred to as the 'upper wafer W1', and the second substrate W2 will be referred to as the 'lower wafer W2'. That is, the upper wafer W1 is an example of the first substrate, and the lower wafer W2 is an example of the second substrate.
또한, 이하에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상 웨이퍼(W1)의 판면 중, 하 웨이퍼(W2)와 접합되는 측의 판면을 '접합면(W1j)'이라 기재하고, 접합면(W1j)과는 반대측의 판면을 '비접합면(W1n)'이라 기재한다. 또한, 하 웨이퍼(W2)의 판면 중, 상 웨이퍼(W1)와 접합되는 측의 판면을 '접합면(W2j)'이라 기재하고, 접합면(W2j)과는 반대측의 판면을 '비접합면(W2n)'이라 기재한다.In addition, hereinafter, as shown in FIG. 3, among the surfaces of the upper wafer W1, the surface on the side that is bonded to the lower wafer W2 is referred to as 'bonding surface W1j', and the bonding surface W1j and The plate surface on the opposite side is described as 'non-bonded surface (W1n)'. In addition, among the surfaces of the lower wafer W2, the surface on the side bonded to the upper wafer W1 is referred to as the 'bonded surface W2j', and the surface on the opposite side to the bonded surface W2j is referred to as the 'non-bonded surface ( Write ‘W2n)’.
상 웨이퍼(W1)는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이다. 또한, 하 웨이퍼(W2)는, 예를 들면 전자 회로가 형성되어 있지 않은 베어 웨이퍼이다. 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 대략 동일 직경을 가진다. 또한, 제 2 기판(W2)에 전자 회로가 형성되어 있어도 된다.The upper wafer W1 is a semiconductor substrate, such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, on which a plurality of electronic circuits are formed. In addition, the lower wafer W2 is, for example, a bare wafer on which no electronic circuit is formed. The upper wafer W1 and the lower wafer W2 have approximately the same diameter. Additionally, an electronic circuit may be formed on the second substrate W2.
상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 예를 들면, 화학적으로 접합되어도 된다. 이 경우, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)는, 플라즈마 처리에 의해 표면(접합면(W1j, W2j))이 개질되고, 또한 개질된 표면이 순수에 의해 친수화된 후, 반데르발스력 및 수소 결합(분자간력)에 의해 접합된다. 또한, 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)는, 접착제에 의해 접합되어도 된다.The upper wafer W1 and the lower wafer W2 may be chemically bonded, for example. In this case, the surfaces of the upper wafer W1 and the lower wafer W2 (joint surfaces W1j, W2j) are modified by plasma treatment, and the modified surfaces are made hydrophilic by pure water, followed by van der Waals They are joined by hydrogen bonding and hydrogen bonding (intermolecular forces). Additionally, the upper wafer W1 and the lower wafer W2 may be bonded together with an adhesive.
도 1에 나타내는 바와 같이, 박리 시스템(100)은 반입반출 스테이션(1)과, 전달 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(1)과, 전달 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)은, Y축 정방향을 따라, 반입반출 스테이션(1), 전달 스테이션(2), 처리 스테이션(3)의 순으로 배열되어 배치된다.As shown in FIG. 1 , the
반입반출 스테이션(1)에서는, 중합 기판(T)의 반입, 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 반출 등이 행해진다. 이러한 반입반출 스테이션(1)은 배치부(4)와, 제 1 반송 장치(5)를 구비한다.At the loading/
배치부(4)에는, 복수의 카세트 배치대가 마련되어 있고, 각 카세트 배치대에는, 중합 기판(T)이 수용되는 카세트(Ct), 박리 후의 상 웨이퍼(W1)가 수용되는 카세트(C1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)가 수용되는 카세트(C2)가 배치된다.The
제 1 반송 장치(5)는, 배치부(4)의 Y축 정방향측에 인접하여 배치된다. 제 1 반송 장치(5)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반송을 행한다. 제 1 반송 장치(5)는, 수평 방향으로의 이동, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 암부와, 이 반송 암부의 선단에 장착된 기판 유지부를 구비한다. 제 1 반송 장치(5)는, 기판 반송 장치의 일례이다.The
반입반출 스테이션(1)에서는, 이러한 제 1 반송 장치(5)에 의해, 배치부(4)로부터 전달 스테이션(2)으로 중합 기판(T)을 반송하는 처리, 및 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)를 전달 스테이션(2)으로부터 배치부(4)로 반송하는 처리가 행해진다.At the loading/
전달 스테이션(2)에서는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 전달하는 전달 처리가 행해진다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 전달 스테이션(2)은, 예를 들면, 제 1 전달부(25)와, 제 2 전달부(26)와, 반전 기구 부착 전달부(27)와, 얼라이너(28)를 구비한다. 제 1 전달부(25)와, 제 2 전달부(26)와, 반전 기구 부착 전달부(27)와, 얼라이너(28)는, 예를 들면, 연직 상향(Z축 정방향)을 따라 제 1 전달부(25), 제 2 전달부(26), 반전 기구 부착 전달부(27), 얼라이너(28)의 순으로 배치된다.At the
제 1 전달부(25)에는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 반송된 중합 기판(T)이 배치된다. 제 1 전달부(25)에 배치된 중합 기판(T)은, 후술하는 제 2 반송 장치(6)에 의해 처리 스테이션(3)으로 반송된다.The polymerized substrate T transported from the loading/
제 2 전달부(26)에는, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)가 배치된다. 제 2 전달부(26)에 배치된 박리 후의 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반입반출 스테이션(1)으로 반송된다.The peeled lower wafer W2 is placed in the
반전 기구 부착 전달부(27)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시키는 반전 기구를 구비한다. 반전 기구 부착 전달부(27)에는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)가 배치된다. 반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 반전 기구에 의해 표리가 반전되고, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반입반출 스테이션(1)으로 반송된다.The
얼라이너(28)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 얼라이먼트 처리를 행한다. 예를 들면, 얼라이너(28)는, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 흡착 유지하여 회전시키는 유지부와, 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 노치부의 위치를 검출하는 검출부를 구비한다.The
얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 중합 기판(T)을 회전시키면서 검출부로 중합 기판(T)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 중합 기판(T)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다. 또한, 얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 회전시키면서 검출부로 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다. 또한, 얼라이너(28)는, 유지부에 흡착 유지된 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 회전시키면서 검출부로 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 수평 방향의 방향을 조절할 수 있다.The
처리 스테이션(3)에서는, 주로 중합 기판(T)을 박리하는 처리가 행해진다. 이러한 처리 스테이션(3)은, 제 2 반송 장치(6)와, 박리 장치(7)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)와, 박리 장치(7)는, X축 정방향을 따라, 제 2 반송 장치(6), 박리 장치(7)의 순으로 배열되어 배치된다.At the
제 2 반송 장치(6)는, 전달 스테이션(2) 및 박리 장치(7) 간에 있어서의 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반송을 행한다. 제 2 반송 장치(6)는, 연직 방향으로의 승강 및 연직 방향을 중심으로 하는 선회가 가능한 반송 암부(도시하지 않음)와, 반송 암부의 선단에 장착되어, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 흡착 유지하는 상측 유지부(61)(도 9, 도 21 참조)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)는, 또한, 반송 암부의 선단에 장착되어, 중합 기판(T) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 유지하는 하측 유지부(62)(도 18 참조)를 구비한다. 제 2 반송 장치(6)가 구비하는 상측 유지부(61)의 구체적인 구성에 대해서는, 후술한다. 또한, 제 2 반송 장치(6)는, 기판 반송 장치의 일례이다.The
처리 스테이션(3)에서는, 이러한 제 2 반송 장치(6)에 의해, 전달 스테이션(2)으로부터 박리 장치(7)로 중합 기판(T)을 반송하는 처리, 및 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)를 박리 장치(7)로부터 전달 스테이션(2)으로 반송하는 처리가 행해진다.At the
박리 장치(7)는, 중합 기판(T)을 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)로 박리하는 박리 처리를 행한다. 박리 장치(7)의 구체적인 구성 및 동작에 대해서는, 후술한다.The
또한, 박리 시스템(100)은, 제어 장치(8)를 구비한다. 제어 장치(8)는, 박리 시스템(100)의 동작을 제어한다. 이러한 제어 장치(8)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(81) 및 기억부(82)를 구비한다. 기억부(82)에는, 박리 처리 등의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(81)는, 기억부(82)에 기억된 프로그램을 읽어내 실행하는 것에 의해 박리 시스템(100)의 동작을 제어한다.Additionally, the
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기록 매체로부터 제어 장치(8)의 기억부(82)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Additionally, such a program may be recorded on a recording medium readable by a computer and may be installed from the recording medium into the
상기와 같이 구성된 박리 시스템(100)에서는, 먼저, 반입반출 스테이션(1)의 제 1 반송 장치(5)가, 배치부(4)에 배치된 카세트(Ct)로부터 중합 기판(T)을 취출하고, 취출한 중합 기판(T)을 전달 스테이션(2)으로 반입하여, 제 1 전달부(25)에 배치한다.In the
이어서, 제 1 전달부(25)에 배치된 중합 기판(T)은, 처리 스테이션(3)의 제 2 반송 장치(6)에 의해 제 1 전달부(25)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 얼라이너(28)로 반입된 중합 기판(T)은, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 얼라이너(28)로부터 취출되어 박리 장치(7)로 반입된다. 그리고, 중합 기판(T)은, 박리 장치(7)에 의해 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)로 분리된다.Next, the polymerization substrate T placed in the
박리 후의 하 웨이퍼(W2)는, 제 2 반송 장치(6)에 의해 박리 장치(7)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 얼라이너(28)로 반입된 하 웨이퍼(W2)는, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 제 2 전달부(26)에 배치된다.The peeled lower wafer W2 is taken out from the
제 2 전달부(26)에 배치된 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 제 2 전달부(26)로부터 취출되어, 반입반출 스테이션(1)에 배치된 카세트(C2)에 수용된다. 또한, 제 1 반송 장치(5)는, 하 웨이퍼(W2)의 하면측 즉 비접합면(W2n)측을 유지하여 반송한다. 이 후, 카세트(C2)는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 취출되어, 회수된다. 이렇게 하여, 하 웨이퍼(W2)에 대한 처리가 종료된다.The lower wafer W2 placed in the
한편, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 제 2 반송 장치(6)에 의해 박리 장치(7)로부터 취출되어, 얼라이너(28)로 반입된다. 여기서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 박리 장치(7)의 후술하는 제 3 유지부(30)(도 4 참조)에 의해 상면측 즉 비접합면(W1n)측이 유지된 상태로 되어 있다. 제 2 반송 장치(6)는, 제 3 유지부(30)에 의해 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)측을 상방으로부터 흡착 유지한다. 얼라이너(28)로 반입된 상 웨이퍼(W1)는, 얼라이너(28)에 의해 수평 방향의 방향이 조절된 후, 제 2 반송 장치(6)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된다.On the other hand, the image wafer W1 after peeling is taken out from the
반전 기구 부착 전달부(27)에 배치된 상 웨이퍼(W1)는, 반전 기구에 의해 표리가 반전된다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 접합면(W1j)을 상방으로 향하게 한 상태가 된다. 표리가 반전된 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)로부터 취출되어, 반입반출 스테이션(1)에 배치된 카세트(C1)에 수용된다. 또한, 제 1 반송 장치(5)는, 상 웨이퍼(W1)의 하면측 즉 비접합면(W1n)측을 유지하여 반송한다. 이 후, 카세트(C1)는, 반입반출 스테이션(1)으로부터 취출되어, 회수된다. 이렇게 하여, 상 웨이퍼(W1)에 대한 처리도 종료된다. 또한, 얼라이너(28)에 의한 중합 기판(T), 박리 후의 상 웨이퍼(W1) 및 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 얼라이먼트 처리는 생략해도 된다.The image wafer W1 placed on the
<박리 장치의 구성><Configuration of peeling device>
다음으로, 처리 스테이션(3)에 마련되는 박리 장치(7)의 구성에 대하여, 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 제 1 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성을 나타내는 모식 측면도이다.Next, the configuration of the
박리 장치(7)는 제 1 유지부(10)와, 제 2 유지부(20)와, 제 3 유지부(30)와, 박리 유인부(40)와, 복수(여기서는, 2 개)의 승강 기구(50)와, 지지체(60)를 구비한다.The
박리 장치(7)는, 중합 기판(T)의 상 웨이퍼(W1)측을 제 1 유지부(10)에 의해 상방으로부터 흡착 유지하고, 중합 기판(T)의 하 웨이퍼(W2)측을 제 2 유지부(20)에 의해 하방으로부터 흡착 유지한다. 그리고, 박리 장치(7)는, 승강 기구(50)에 의해, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)의 판면으로부터 떨어뜨리는 방향(여기서는, Z축 정방향)으로 이동시킨다.The
이에 의해, 제 1 유지부(10)에 유지된 상 웨이퍼(W1)가, 그 일단으로부터 타단을 향해 하 웨이퍼(W2)로부터 연속적으로 박리된다. 이하, 각 구성 요소에 대하여 구체적으로 설명한다.As a result, the upper wafer W1 held by the first holding
제 1 유지부(10)는, 중합 기판(T) 중 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다. 제 1 유지부(10)는 탄성 부재(11)와, 복수의 흡착부(12)를 구비한다. 탄성 부재(11)는, 박판 형상의 부재이며, 예를 들면 금속판 등의 금속으로 형성된다. 탄성 부재(11)는, 중앙부에 제 3 유지부(30)를 관통시키기 위한 개구부(115)를 가진다. 이러한 탄성 부재(11)는, 상 웨이퍼(W1)의 상방에 있어서 상 웨이퍼(W1)와 대향 배치된다.The
복수의 흡착부(12)는, 탄성 부재(11)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와의 대향면(여기서는, 하면)에 마련된다. 각 흡착부(12)는, 탄성 부재(11)에 고정되는 본체부(121)와, 이 본체부(121)의 하부에 마련되는 흡착 패드(122)를 구비한다.The plurality of
각 흡착부(12)는, 흡기관(123)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(124)에 접속된다. 제 1 유지부(10)는, 흡기 장치(124)가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착부(12)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)(도 3 참조)을 흡착한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 유지부(10)에 흡착 유지된다.Each
또한, 흡착부(12)가 구비하는 흡착 패드(122)로서는, 변형량이 적은 타입인 것이 바람직하다. 이는, 후술하는 승강 기구(50)가 제 1 유지부(10)를 끌어당겼을 시에 흡착 패드(122)가 크게 변형하면, 이러한 변형에 수반하여 상 웨이퍼(W1)의 피흡착 부분이 크게 변형하여, 상 웨이퍼(W1) 혹은 하 웨이퍼(W2)가 데미지를 받을 우려가 있기 때문이다. 구체적으로, 흡착 패드(122)로서는, 예를 들면, 흡착면에 리브를 가지는 것, 또는 공간의 높이가 0.5 mm 이하인 플랫 패드 등을 이용하는 것이 바람직하다.Additionally, the
여기서, 제 1 유지부(10)의 구성에 대하여 도 5를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 5는 제 1 실시 형태에 따른 제 1 유지부(10)의 모식 평면도이다.Here, the configuration of the first holding
탄성 부재(11)는 본체부(111)와, 복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)를 구비한다. 본체부(111)는, 중앙부에 제 3 유지부(30)를 관통시키기 위한 개구부(115)를 가진다. 여기서, 본체부(111)의 중앙부란, 본체부(111)의 중심을 포함한 영역이다. 복수의 흡착부(12)는, 이러한 본체부(111)의 하면 즉 중합 기판(T)과의 대향면에 배치된다.The
복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)는, 본체부(111)의 외주부의 일부를 연장시킨 부위이다. 구체적으로, 2 개의 연장부(112) 중 일방은, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 기점측에 위치하는 외주부(Y축 부방향측의 외주부)의 일부를 박리의 진행 방향과는 반대측(Y축 부방향측)을 향해 연장시킨 부위이다. 또한, 2 개의 연장부(112) 중 타방은, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 외주부(Y축 정방향측의 외주부)의 일부를 박리의 진행 방향측(Y축 정방향측)을 향해 연장시킨 부위이다. 이러한 복수의 연장부(112)의 선단에는, 각각 승강 기구(50)의 지주(支柱) 부재(51)가 접속된다.The plurality of extension parts 112 (here, two) are parts of the outer peripheral part of the
복수(여기서는, 6 개)의 흡착부(12)는, 본체부(111)의 하면에 배치된다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 6 개의 흡착부(12) 중 3 개는, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 기점측에 위치하는 외주부(Y축 부방향의 외주부)의 주연에 배치된다. 6 개의 흡착부(12) 중 2 개는, 본체부(111)의 개구부(115)의 주변에, 박리의 진행 방향(Y축 정방향)에 대하여 직교하는 방향(X축 방향)으로 배열되어 배치된다. 6 개의 흡착부(12) 중 나머지 1 개는, 본체부(111)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 외주부(Y축 정방향의 외주부)에 배치된다. 6 개의 흡착부(12)는, 박리의 진행 방향(Y축 방향)을 따라 3 개의 흡착부(12), 2 개의 흡착부(12) 및 1 개의 흡착부(12)의 순으로 배치된다. 이와 같이, 복수의 흡착부(12)가, 박리의 진행 방향에 맞추어 배치됨으로써, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.A plurality of adsorption units 12 (here, 6) are arranged on the lower surface of the
복수의 흡착부(12) 중, 박리의 가장 기점측(여기서는, Y축 부방향측)에 배치되는 흡착부(12)는, 후술하는 박리 유인부(40)(도 4 참조)의 칼날부(41)(도 3 참조)가 접촉하는 부위에 근접하는 위치에 배치된다. 환언하면, 박리 유인부(40)의 칼날부(41)는, Y축 부방향측에 배치되는 흡착부(12)의 근방에서 중합 기판(T)의 측면에 접촉한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 기점으로서 상 웨이퍼(W1)의 박리를 확실하게 개시시킬 수 있다. 여기서는, 탄성 부재(11)에 대하여 6 개의 흡착부(12)가 마련되는 경우의 예를 나타냈지만, 탄성 부재(11)에 마련되는 흡착부(12)의 개수는, 6 개에 한정되지 않는다.Among the plurality of
도 4로 돌아와, 박리 장치(7)의 그 외의 구성에 대하여 설명한다. 제 2 유지부(20)는, 제 1 유지부(10)의 하방에 배치되어, 중합 기판(T) 중 하 웨이퍼(W2)를 흡착 유지한다. 이러한 제 2 유지부(20)는, 원판 형상의 본체부(21)와, 본체부(21)를 지지하는 지주 부재(22)를 구비한다.Returning to Fig. 4, other configurations of the
본체부(21)는, 예를 들면, 알루미늄 등의 금속 부재로 형성된다. 이러한 본체부(21)의 상면에는, 흡착면(201)이 마련된다. 흡착면(201)은, 하 웨이퍼(W2)와 대략 동일한 직경으로 형성된다. 흡착면(201)은, 다공질체이며, 예를 들면 PCTFE(폴리클로로트리플루오로 에틸렌) 등의 수지 부재로 형성된다.The
본체부(21)의 내부에는, 흡착면(201)을 개재하여 외부와 연통하는 흡인 공간(202)이 형성된다. 흡인 공간(202)은, 흡기관(203)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(204)와 접속된다. 이러한 제 2 유지부(20)는, 흡기 장치(204)의 흡기에 의해 발생하는 부압을 이용하여, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)(도 3 참조)을 흡착면(201)에 흡착시키는 것에 의해, 중합 기판(T)을 흡착 유지한다.Inside the
또한, 하 웨이퍼(W2)와의 흡착면에 홈 등의 비흡착부가 형성되어 있으면, 이러한 비흡착부에 있어서 하 웨이퍼(W2)에 크랙이 발생할 우려가 있다. 이에, 본체부(21)의 흡착면(201)은, 홈 등의 비흡착부를 가지지 않는 평탄면으로 했다. 이에 의해, 하 웨이퍼(W2)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Additionally, if a non-adsorption portion such as a groove is formed on the adsorption surface of the lower wafer W2, there is a risk of cracks occurring in the lower wafer W2 in this non-adsorption portion. Accordingly, the
또한, 흡착면(201)을 PCTFE 등의 수지 부재로 형성하는 것으로 했기 때문에, 하 웨이퍼(W2)에 대한 데미지를 더 억제할 수 있다.Additionally, since the
제 2 유지부(20)는, 지주 부재(22) 및 회전 승강 기구(23)(회전부의 일례)에 의해 지지된다. 회전 승강 기구(23)는, 지주 부재(22)를 연직축 둘레로 회전시키는 것에 의해, 제 2 유지부(20)를 회전시킨다. 또한, 회전 승강 기구(23)는, 지주 부재(22)를 연직 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 2 유지부(20)를 승강시킨다.The
제 3 유지부(30)는, 제 1 유지부(10)의 상방에 배치되어, 제 1 유지부(10)에 의해 유지된 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다. 이러한 제 3 유지부(30)는, 본체부(31)(베이스부의 일례)와, 복수의 흡착 패드(32)와, 복수의 접촉부(33)(도 6 참조)와, 승강 기구(34)를 구비한다.The
본체부(31)는, 예를 들면 원통 형상의 부재이며, 탄성 부재(11)의 개구부(115)에 삽입 관통된다. 본체부(31)는, 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 지지한다. 본체부(31)는, 베이스부의 일례이다. 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)는, 본체부(31)의 하부에 마련된다. 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)의 구체적인 구성에 대해서는 후술한다. 승강 기구(34)는, 본체부(31)를 연직 방향으로 이동시키는 것에 의해, 제 3 유지부(30)에 지지된 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 승강시킨다. 구체적으로, 승강 기구(34)는, 대기 위치와, 제 1 유지부(10)가 유지하는 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 흡착하는 흡착 위치와, 제 3 유지부(30)가 흡착 유지하는 상 웨이퍼(W1)를 제 2 반송 장치(6)에 전달하는 전달 위치와의 사이에서, 복수의 흡착 패드(32) 및 복수의 접촉부(33)를 승강시킨다. 승강 기구(34)는, 예를 들면 지지체(60)에 지지된다. 지지체(60)는, 수평 방향으로 연장되는 판 형상의 부재이며, 제 1 유지부(10)보다 상방에 배치된다. 승강 기구(34)는, 예를 들면, 지지체(60)의 상부에 고정된다.The
이러한 제 3 유지부(30)에 의하면, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 1 유지부(10)로부터 수취하고, 수취한 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 제 2 반송 장치(6)로 전달할 수 있다.According to this third holding
박리 유인부(40)는, 제 2 유지부(20)의 외방에 배치되어, 상 웨이퍼(W1)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리되는 계기가 되는 박리 개시 부위를 중합 기판(T)에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다.The
박리 유인부(40)는 칼날부(41)와, 이동 기구(42)(제 2 이동 기구의 일례)와, 승강 기구(43)를 구비한다. 칼날부(41)는 예리 부재(41a)와, 지지부(41b)를 가진다. 예리 부재(41a)는, 예를 들면 평칼날이며, 칼날 끝이 중합 기판(T)을 향해 수평으로 돌출되도록 지지부(41b)에 지지된다.The peeling
이동 기구(42)는, Y축 방향으로 연장되는 레일을 따라 칼날부(41)를 이동시킨다. 승강 기구(43)는, 예를 들면 지지체(60)에 고정되어, 이동 기구(42)를 연직 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 칼날부(41)의 높이 위치, 즉, 중합 기판(T)의 측면에 대한 접촉 위치가 조절된다.The moving
이러한 박리 유인부(40)는, 승강 기구(43)를 이용하여 칼날부(41)의 높이 위치를 조절한 후, 이동 기구(42)를 이용하여 칼날부(41)를 수평 방향(여기서는, Y축 정방향)으로 이동시킨다. 또한 박리 유인부(40)는, 칼날부(41)의 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)의 측면에 노출되는 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 접촉시킨다. 이에 의해, 중합 기판(T)에, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 박리하는 계기가 되는 박리 개시 부위가 형성된다.This
복수(여기서는, 2 개)의 승강 기구(50)는, 제 1 유지부(10)를 승강시킨다. 복수의 승강 기구(50)는, 탄성 부재(11)의 복수(여기서는, 2 개)의 연장부(112)에 1대 1로 대응하여 마련된다. 승강 기구(50)는 지주 부재(51)와, 이동 기구(52)와, 로드 셀(53)을 구비한다.A plurality of (here, two) lifting
지주 부재(51)는, 연직 방향(Z축 방향)으로 연장되는 부재이며, 일단부가 탄성 부재(11)의 연장부(112)(도 5 참조)에 접속되고, 타단부가 지지체(60)를 개재하여 이동 기구(52)에 접속된다.The
이동 기구(52)는, 지지체(60)의 상부에 고정되어, 하부에 접속되는 지주 부재(51)를 연직 방향으로 이동시킨다. 로드 셀(53)은, 지주 부재(51)에 걸리는 부하를 검출한다.The moving
이러한 승강 기구(50)는, 이동 기구(52)를 이용하여 지주 부재(51)를 연직 상방으로 이동시키는 것에 의해, 지주 부재(51)에 접속된 제 1 유지부(10)를 끌어올린다. 이 때, 승강 기구(50)는, 로드 셀(53)에 의한 검출 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)에 걸리는 힘을 제어하면서, 제 1 유지부(10)를 끌어당길 수 있다.This
여기서, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 인상의 역점이 되는 지주 부재(51) 즉 Y축 부방향측에 배치되는 지주 부재(51)는, 인상의 지점이 되는 흡착부(12) 즉 박리의 가장 기점측에 배치되는 흡착부(12)보다 박리의 진행 방향의 반대측에 배치된다.Here, as shown in Figures 4 and 5, the holding
따라서, 인상의 작용점이 되는 중합 기판(T)의 측면(박리의 기점이 되는 부위)에는, 도 3에 있어서 시계 방향의 회전력(모멘트)이 발생한다. 이에 의해, 승강 기구(50)는, 상 웨이퍼(W1)를 그 외연부로부터 젖히도록 하여 끌어당길 수 있어, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 효율적으로 박리시킬 수 있다.Accordingly, a clockwise rotational force (moment) is generated on the side surface of the polymerized substrate T that serves as the point of action for pulling (the portion that becomes the starting point of peeling) as shown in FIG. 3 . As a result, the
또한, 제 1 유지부(10)는, 승강 기구(50)에 의해 지지되고, 승강 기구(50)는, 지지체(60)에 의해 지지된다. 지지체(60)는, 박리 장치(7)의 천장부에 장착된 고정 부재(도시하지 않음)에 의해 지지된다.Additionally, the first holding
박리 장치(7)는, 또한, 중합 기판(T) 또는 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 지지하는 복수의 승강 핀(29)(도 18 참조)을 구비한다. 복수의 승강 핀(29)은, 제 2 유지부(20)를 관통하여 형성된 관통 홀(도시하지 않음)에 삽입 관통되어 있고, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 복수의 승강 핀(29)은, 중합 기판(T)의 반입, 또는 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반출 시에 일시적으로 중합 기판(T) 또는 하 웨이퍼(W2)를 지지하기 위하여 이용된다.The
<제 3 유지부의 구성><Configuration of the 3rd maintenance section>
다음으로, 제 3 유지부(30)의 구성에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 6은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 모식 측면도이다. 도 7은 제 1 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 모식 저면도이다.Next, the configuration of the third holding
도 6에 나타내는 바와 같이, 제 3 유지부(30)의 복수(여기서는, 3 개)의 흡착 패드(32)는, 본체부(31)의 하면에 마련되어 있다. 흡착 패드(32)는, 예를 들면 고무제의 패드이다. 구체적으로, 흡착 패드(32)는, 벨로우즈 형상을 가지고 있다. 이에 의해, 흡착 패드(32)는, 연직 방향으로의 신축성을 가지고 또한 수평 방향으로의 가요성을 가진다. 즉, 흡착 패드(32)는, 연직 방향 및 수평 방향으로 변위할 수 있다. 이 때문에, 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 연직 방향 및 수평 방향의 변위에 추종할 수 있다. 이러한 흡착 패드(32)를 가지는 제 3 유지부(30)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지할 수 있다.As shown in FIG. 6 , a plurality of suction pads 32 (here, three) of the third holding
복수의 흡착 패드(32)는, 흡기관(321)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(324)에 접속된다. 제 3 유지부(30)는, 흡기 장치(324)가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착 패드(32)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)에 흡착 유지된다. 또한, 흡기관(321)에는, 제 3 유지부(30)에 의한 상 웨이퍼(W1)의 흡착을 검지하는 흡착 검지부(322)가 마련된다. 흡착 검지부(322)는, 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로 상 웨이퍼(W1)를 바꿔 들 때에, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 상 웨이퍼(W1)를 정상적으로 흡착하고 있는지 여부를 확인하기 위하여 이용된다. 예를 들면, 흡착 검지부(322)는, 진공 센서여도 된다. 이 경우, 흡착 검지부(322)는, 흡기압(흡기관(321) 내의 부압)을 검출한다.The plurality of
도 7에 나타내는 바와 같이, 복수(여기서는, 3 개)의 흡착 패드(32)는, 평면에서 봤을 때, 동심원 형상으로 배치된다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)를 흡착 유지하고 있는 상태에 있어서, 상 웨이퍼(W1)를 수평으로 유지하기 쉽다. 또한, 가령, 복수의 흡착 패드(32) 중 어느 하나가 상 웨이퍼(W1)를 흡착할 수 없는 경우에도, 다른 흡착 패드(32)로 흡착을 유지할 수 있기 때문에, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 보다 안정적으로 유지할 수 있다.As shown in FIG. 7 , a plurality of suction pads 32 (here, three) are arranged in a concentric circle shape when viewed from the top. According to this configuration, it is easy to hold the image wafer W1 horizontally while the image wafer W1 is being held by suction. In addition, even if one of the plurality of
복수(여기서는, 3 개)의 접촉부(33)는, 본체부(31)의 하면에 마련되어 있다. 복수의 접촉부(33)는, 복수의 흡착 패드(32)에 의해 흡착된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 접촉한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수(여기서는, 3 개)의 접촉부(33)는, 평면에서 봤을 때, 동심원 형상으로 배치된다. 이러한 구성에 의하면, 진동 및 덜컹거림을 방지하여, 상 웨이퍼(W1)를 수평으로 유지할 수 있다.A plurality of (here, three)
도 6에 나타내는 바와 같이, 접촉부(33)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)과 접촉하는 단부는 반구 형상이다. 이러한 구성에 의하면, 접촉부(33)와 상 웨이퍼(W1)와의 접촉 면적을 줄일 수 있기 때문에, 상 웨이퍼(W1)에 대한 부하를 줄일 수 있다.As shown in FIG. 6, the end of the
접촉부(33)는 조정부(331)를 구비한다. 조정부(331)는, 본체부(31)로부터 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)으로의 접촉부(33)의 돌출량을 조정한다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)의 위치에 따라, 접촉부(33)의 높이를 변화시킬 수 있다.The
다음으로, 제 1 유지부(10)가 구비하는 흡착 패드(122) 및 제 3 유지부(30)가 구비하는 흡착 패드(32)의 배치 등에 대하여 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계의 일례를 나타내는 모식 평면도이다.Next, the arrangement of the
도 8에 나타내는 바와 같이, 제 1 유지부(10)가 구비하는 복수의 흡착 패드(122)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부 이외의 영역을 흡착한다. 여기서, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부란, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)의 중심을 포함한 영역이다. 한편, 제 3 유지부(30)가 구비하는 복수의 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중앙부를 흡착한다. 이러한 구성에 의하면, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 3 유지부(30)에 의해 수평으로 흡착 유지할 수 있다.As shown in FIG. 8 , the plurality of
또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)보다 흡착 면적이 작게 형성된다. 이는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 접속되는 흡기 장치(324)의 소비량을 감소시켜, 흡착 패드(32)에 의한 흡착 시간을 길게 하기 위함이다.Moreover, as shown in FIG. 7, the
다음으로, 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)의 구성, 및, 상측 유지부(61), 제 3 유지부(30) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다.Next, the configuration of the upper holding
상측 유지부(61)는, 하면측에 복수의 흡착부(611)가 마련된다. 복수의 흡착부(611)는, 1 개의 흡인관(612)으로 접속되어 있고, 흡인관(612)에는, 흡기 장치(도시하지 않음)가 접속된다. 상측 유지부(61)는, 흡기 장치가 발생시키는 흡인력에 의해, 복수의 흡착부(611)로 상 웨이퍼(W1)를 비접합면(W1n)(상면측)으로부터 흡착 유지한다. 이러한 구성에 의하면, 상 웨이퍼(W1)의 접합면(W1j)과 상측 유지부(61)가 접촉할 가능성을 저감시킬 수 있다.The
또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 상측 유지부(61)는, 평면에서 봤을 때 제 3 유지부(30)와 겹치지 않도록 위치하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 제 3 유지부(30)로 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한 채로, 상측 유지부(61)가 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지할 수 있기 때문에, 상 웨이퍼(W1)의 전달을 순조롭게 행할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 9 , the upper holding
다음으로, 박리 시스템(100)의 동작의 일례에 대하여 도 10을 참조하여 구체적으로 설명한다. 도 10은 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)이 실행하는 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 또한, 도 11 ~ 도 22는 제 1 실시 형태에 따른 박리 시스템(100)의 동작예를 나타내는 모식도이다. 또한, 도 10에 나타내는 각 처리 순서는, 제어 장치(8)에 의한 제어에 따라 실행된다.Next, an example of the operation of the
먼저, 중합 기판(T)의 반입 처리가 행해진다(단계(S101)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 중합 기판(T)을 제 1 전달부(25)로부터 박리 장치(7)로 반송한다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 2 유지부(20)의 흡착면(201)으로부터 돌출된 상태로 되어 있는 복수의 승강 핀(29)(도 18 참조)의 위에 중합 기판(T)을 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 복수의 승강 핀(29)을 강하시켜, 중합 기판(T)을 흡착면(201)에 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)(도 3 참조)을 흡착면(201)에 흡착시키는 것에 의해, 중합 기판(T)을 흡착 유지한다(도 11 참조).First, the polymerization substrate T is loaded (step S101). Specifically, the
이어서, 박리 유인 처리가 행해진다(단계(S102)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 유지부(20)의 본체부(21)를 박리 위치까지 상승시킨다(도 12 참조). 이 후, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)를 제어하여, 칼날부(41)를 수평 방향(Y축 정방향)으로 이동시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)를 제어하여, 중합 기판(T)의 측면에 칼날부(41)가 구비하는 예리 부재(41a)를 눌러, 이러한 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 예리 부재(41a)를 삽입한다. 즉, 제어부(81)는, Y축 부방향측에 배치되는 흡착부(12)의 근방에 위치하는 중합 기판(T)의 측면에 예리 부재(41a)를 누른다. 이 때, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)의 누름 처리와 병행하여, 제 2 유지부(20)의 본체부(21)를 강하시킨다(도 13 참조).Next, peeling inducement processing is performed (step S102). Specifically, the
이어서, 박리 처리가 행해진다(단계(S103)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)를 상 웨이퍼(W1)의 근방까지 강하시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)에 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착시킨다(도 14 참조). 이 후, 제어부(81)는, 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 외주부의 일부, 구체적으로, Y축 부방향측에 위치하는 연장부(112)를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다(도 15 참조). 이에 의해, 예리 부재(41a)를 삽입한 부위의 근방에 배치되는 흡착부(12)가 상방으로 끌어당겨져, 칼날부(41)가 삽입된 부위를 기점으로서 상 웨이퍼(W1)가 중합 기판(T)으로부터 박리되기 시작한다.Next, a peeling process is performed (step S103). Specifically, the
이 후, 제어부(81)는, 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 탄성 부재(11)의 Y축 정방향측에 위치하는 연장부(112)를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다(도 16 참조). 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)에 있어서의 Y축 부방향측의 단부로부터 Y축 정방향측의 단부를 향해 박리가 연속적으로 진행되어, 최종적으로는, 상 웨이퍼(W1)가 중합 기판(T)으로부터 박리된다(도 17 참조). 이에 의해, 일련의 박리 처리가 종료된다.After this, the
상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 중합 기판(T)을 제 1 유지부(10) 및 제 2 유지부(20)로 유지하고, 승강 기구(50)를 제어하여 제 1 유지부(10)가 유지하는 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 이러한 처리에 의해, 중합 기판(T)으로부터 상 웨이퍼(W1)를 박리할 수 있다.As described above, the
이어서, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)의 반출 처리가 행해진다(단계(S104)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 유지부(20)에 의한 흡착 유지를 해제하여, 하 웨이퍼(W2)를 지지하는 복수의 승강 핀(29)을 전달 위치까지 상승시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)(도 1 참조)를 제어하여, 박리 후의 하 웨이퍼(W2)를 박리 장치(7)로부터 반출하여, 전달 스테이션(2)의 제 2 전달부(26)(도 2 참조)로 반송한다. 이 때, 제 2 반송 장치(6)의 하측 유지부(62)는, 하 웨이퍼(W2)의 비접합면(W2n)을 흡착 유지한다. 이 후, 하 웨이퍼(W2)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 제 2 전달부(26)로부터 반출되어, 반입반출 스테이션(1)의 카세트(C2)(도 1 참조)에 수용된다.Next, the peeled lower wafer W2 is carried out (step S104). Specifically, the
이어서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 바꿔 들기 처리가 행해진다(단계(S105)). 구체적으로, 제어부(81)는, 승강 기구(34)를 제어하여, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)를 상 웨이퍼(W1)의 근방까지 강하시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착시킨다(도 19 참조).Next, a lifting process is performed on the peeled image wafer W1 (step S105). Specifically, the
이어서, 바꿔 들기가 완료되었는지 여부의 판정 처리가 행해진다(단계(S106)). 구체적으로, 제어부(81)는, 흡착 검지부(322)로부터 입력된 전기 신호에 기초하여, 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로의 상 웨이퍼(W1)의 바꿔 들기가 완료되었는지 여부를 판정한다. 구체적으로, 제어부(81)는, 흡착 검지부(322)에 의해 검지된 흡기압이 임계치를 초과하고 있는 경우에, 바꿔 들기가 완료되었다고 판정한다. 제어부(81)는, 바꿔 들기가 완료되었다고 판정한 경우(단계(S106), Yes), 제 1 유지부(10)의 흡착 패드(122)에 의한 상 웨이퍼(W1)의 흡착을 해제한다. 이에 의해, 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)에 흡착 유지된 상태가 된다. 이 후, 제어부(81)는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)를 제 2 반송 장치(6)의 전달 위치까지 하강시킨다(도 20 참조). 한편, 제어부(81)는, 바꿔 들기가 완료되어 있지 않은 경우에는(단계(S106), No), 처리를 단계(S105)로 되돌린다.Next, a determination process is performed as to whether the swapping has been completed (step S106). Specifically, the
이어서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 반출 처리가 행해진다(단계(S107)). 구체적으로, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 박리 장치(7)로부터 반출한다. 여기서, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 제 3 유지부(30)에 의해 비접합면(W1n)측이 유지된 상태로 되어 있어, 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 흡착 유지한다(도 9, 도 21 참조). 이와 같이, 제 3 유지부(30)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 2 반송 장치(6)로 전달하는 전달부로서도 기능한다. 제 1 실시 형태에서는, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 상 웨이퍼(W1)의 중앙부 부근을 흡착하는 것으로 했기 때문에, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지해 둘 수 있다.Next, the peeled image wafer W1 is carried out (step S107). Specifically, the
이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 박리 장치(7)로부터 반출하여 전달 스테이션(2)의 반전 기구 부착 전달부(27)로 반송한다. 이 후, 제어부(81)는, 반전 기구를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다. 이에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)는, 접합면(W1j)이 상방을 향한 상태가 된다. 이 후, 상 웨이퍼(W1)는, 제 1 반송 장치(5)에 의해 반전 기구 부착 전달부(27)로부터 반출되어, 반입반출 스테이션(1)의 카세트(C1)(도 1 참조)에 수용된다. 또한, 제어부(81)는, 승강 기구(34)를 제어하여 본체부(31)를 상승시키는 것에 의해, 제 3 유지부(30)를 초기 위치로 되돌린다(도 22).After this, the
상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 승강 기구(34, 50)를 제어하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)를 제 1 유지부(10)로부터 제 3 유지부(30)로 바꿔 든 후, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 3 유지부(30)에 유지된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 제 2 반송 장치(6)의 상측 유지부(61)에 흡착 유지시킨다. 이러한 처리에 의해, 상 웨이퍼(W1)의 수평을 유지할 수 있다.As described above, the
(제 2 실시 형태)(Second Embodiment)
상술한 제 1 실시 형태에서는, 상 웨이퍼(W1)를 안정적으로 유지하기 위한 접촉부(33)를 제 3 유지부(30)가 구비하는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 지지체(60)에 접촉부(33)가 마련되어 있어도 된다. 도 23은 제 2 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 24는 제 2 실시 형태에 따른 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32), 접촉부(33) 및 상 웨이퍼(W1)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다.In the above-described first embodiment, an example in which the third holding
제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)는, 본체부(31)의 하부에 마련된다. 도 24에 나타내는 바와 같이, 흡착 패드(32)는, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 중심을 흡착한다.The
복수(여기서는, 4 개)의 접촉부(33)는, 지지체(60)의 하부에 마련된다. 복수의 접촉부(33)는, 평면에서 봤을 때 동심원 형상으로 배치되고, 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)에 있어서의 외주부에 접촉한다.A plurality of (here, four)
이러한 구성에 의하면, 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 1 개여도, 복수의 접촉부(33)가 상 웨이퍼(W1)의 외주부에 배치되는 것에 의해 진동 및 덜컹거림을 방지하여, 상 웨이퍼(W1)의 수평을 유지할 수 있다.According to this configuration, even if the third holding
(제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에 있어서의 변형예)(Modifications in the first and second embodiments)
상술한 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태에서는, 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)가 각각 흡기관(123, 321)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡기 장치(124, 324)에 접속되는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 제 3 유지부(30)의 흡착 패드(32)의 흡기 경로에는, 진공 버퍼 탱크가 마련되어 있어도 된다. 이러한 진공 버퍼 탱크는, 예를 들면 정전 등의 비상 사태가 발생했을 때에 활용할 수 있어, 공장의 안정성을 향상시킬 수 있다.In the above-described first and second embodiments, the
또한, 상술한 실시 형태에서는, 박리 시스템(100)이 반전 기구 부착 전달부(27)를 구비하고 있고, 반전 기구를 이용하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시키는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 제 2 반송 장치(6)가 반전 기구를 구비하고 있어도 된다. 제 2 반송 장치(6)의 반전 기구는, 상측 유지부(61)를 반전시키는 것에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다.In addition, in the above-described embodiment, an example has been described in which the
이 경우, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 반출 처리(도 10의 단계(S106, S107))에 있어서, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)를 제어하여, 제 3 유지부(30)에 유지된 상 웨이퍼(W1)의 비접합면(W1n)을 상측 유지부(61)에 흡착 유지시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 제 2 반송 장치(6)의 반전 기구를 제어하여, 상측 유지부(61)를 반전시키는 것에 의해, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 표리를 반전시킨다.In this case, in the unloading process of the peeled image wafer W1 (steps S106 and S107 in FIG. 10 ), the
(제 3 실시 형태)(Third Embodiment)
박리 장치(7)는, 상 웨이퍼(W1)를 검지하는 검지부를 구비하고 있어도 된다. 그리고, 박리 장치(7)는, 이러한 검지부를 이용하여 박리 처리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하도록 해도 된다.The
이하, 상술한 검지부의 구성예에 대하여 도 25 및 도 26을 이용하여 설명한다. 도 25는 제 3 실시 형태에 따른 상 웨이퍼(W1), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 도 26은 제 3 실시 형태에 따른 박리 후의 상 웨이퍼(W1), 박리 후의 하 웨이퍼(W2), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.Hereinafter, an example of the configuration of the above-described detection unit will be described using FIGS. 25 and 26. 25 shows the image wafer W1 according to the third embodiment, the
검지부(70A ~ 70C)는, 예를 들면 광전 센서이다. 도 25 및 도 26에 나타내는 바와 같이, 검지부(70A ~ 70C)는 각각, 광을 투광하는 투광부(71)와, 투광부(71)로부터의 광을 수광하는 수광부(72)를 구비한다. 또한, 도 25 및 도 26에 있어서는, 투광부(71)로부터 투광되는 광의 광축을 일점 쇄선으로 나타내고 있다. 여기서는, 검지부(70A ~ 70C)가 투과형의 광전 센서인 경우의 예를 나타내고 있지만, 검지부(70A ~ 70C)는, 반사형의 광전 센서여도 된다. 이 경우, 검지부(70A ~ 70C)는, 광을 투광 및 수광하는 센서와, 당해 센서로부터 투광된 광을 반사하는 반사부를 구비하고 있으면 된다.The
투광부(71) 및 수광부(72) 중 일방은, 상 웨이퍼(W1)보다 상방에 배치되고, 타방은 상 웨이퍼(W1)보다 하방에 배치된다. 예를 들면, 도 26에 나타내는 바와 같이, 투광부(71)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 상방에 배치되고, 수광부(72)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치된다.One of the
투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 외주부를 향해 광을 투광한다. 구체적으로, 검지부(70A)의 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 외주부(P1)를 향해 광을 투광한다. 외주부(P1)는, 도 25에 나타내는 평면에서 봤을 때, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 칼날부(41)가 접촉하는 부위(박리 개시 부위)와 상 웨이퍼(W1)의 중심을 사이에 두고 정반대에 위치하는 부위이다. 환언하면, 도 25에 나타내는 평면에서 봤을 때, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 가장 Y축 부방향측에 위치하는 부위가 박리 개시 부위이며, 가장 Y축 정방향측에 위치하는 부위가 외주부(P1)이다.The
검지부(70B)의 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측에 위치하는 외주부(P2)를 향해 광을 투광한다. 또한, 검지부(70C)의 투광부(71)도, 검지부(70B)의 투광부(71)와 마찬가지로, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측에 위치하는 외주부(P3)를 향해 광을 투광한다. 이와 같이, 검지부(70A ~ 70C)가 구비하는 각 투광부(71)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되는 방향으로 광을 투광한다. 구체적으로, 각 투광부(71)는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S103)의 박리 처리가 종료된 시점(도 17 참조)에 있어서의 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되는 방향으로 광을 투광한다.The
도 26에 나타내는 바와 같이, 수광부(72)는, 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치된다. 수광부(72)는, 투광부(71)로부터 광을 수광한 경우, 수광한 것을 나타내는 신호를 제어 장치(8)로 송신한다. 또한, 투광부(71) 및 수광부(72)의 배치는 반대여도 된다. 즉, 투광부(71)가 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 하방에 배치되고, 수광부(72)가 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)의 상방에 배치되어 있어도 된다.As shown in FIG. 26, the
투광부(71)로부터 수광부(72)로 향하는 광의 광축은, 상 웨이퍼(W1)의 판면에 대하여 경사져 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 검지부(70A ~ 70C)를 이용하여 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다.The optical axis of the light heading from the
이어서, 제어부(81)가 상술한 검지부(70A ~ 70C)를 이용하여, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 처리에 대하여 도 27 및 도 28을 참조하여 설명한다. 도 27 및 도 28은 균열이 있는 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70A ~ 70C)와의 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 또한, 도 27 및 도 28에서는, 투광부(71)로부터 투광되는 광을 실선으로 나타내고 있다.Next, the process by which the
상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 처리가 완료된 후(도 10의 단계(S103) 후)에 행해진다. 제어부(81)는, 검지부(70A ~ 70C)의 검지 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다. 구체적으로, 제어부(81)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 수광부(72) 중 어느 하나의 수광부(72)로 광이 수광된 경우(도 27, 도 28 참조)에는, 상 웨이퍼(W1)의 균열이 있다고 판정한다. 한편, 제어부(81)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)의 수광부(72) 전부에서 광이 수광되지 않는 경우, 상 웨이퍼(W1)의 균열이 없다고 판정한다. 이와 같이, 제어부(81)는, 박리 동작 후에 있어서, 투광부(71)로부터 투광된 광이 수광부(72)에 의해 수광된 경우에, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다.The crack detection process of the upper wafer W1 is performed after the peeling process is completed (after step S103 in FIG. 10). The
예를 들면, 도 27에 나타내는 예에 있어서, 검지부(70B) 및 검지부(70C)의 투광부(71)로부터 투광된 광은, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 의해 차단되어 있다. 한편, 검지부(70A)의 투광부(71)로부터 투광된 광은, 검지부(70A)의 수광부(72)에 의해 수광되어 있다. 이 경우, 제어부(81)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부(P1)(도 25 참조)가 깨져 있다고 판정한다.For example, in the example shown in FIG. 27, the light transmitted from the light-transmitting
또한, 도 28에 나타내는 예에서는, 검지부(70A ~ 70C)의 투광부(71)로부터 투광된 광 전부가, 대응하는 수광부(72)에 의해 수광되어 있다. 이 경우, 제어부(81)는, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)의 외주부(P1 ~ P3)가 깨져 있다고 판정한다. 이와 같이, 박리 장치(7)는, 복수의 검지부(70A ~ 70C)를 구비함으로써, 박리 후의 상 웨이퍼(W1)에 생긴 균열의 규모를 추정할 수 있다.In addition, in the example shown in FIG. 28, all of the light transmitted from the
상술한 바와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 검지부(70A ~ 70C)에 의하면, 박리 동작 후의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다. 또한, 도 27 및 도 28에 나타내는 바와 같이, 상 웨이퍼(W1)의 외주부 중, 박리의 가장 종점측(Y축 정방향측)에 위치하는 흡착부(12)보다 Y축 정방향측의 외주부가 깨진 경우라도, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다. 환언하면, 상 웨이퍼(W1)의 타단부의 균열을 검지할 수 있다.As described above, according to the
또한, 여기서는 박리 장치(7)에 대하여 3 개의 검지부(70A ~ 70C)가 마련되는 경우의 예를 나타냈지만, 박리 장치(7)에 마련되는 검지부의 개수는, 3 개에 한정되지 않는다. 제 3 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는, 적어도 1 개의 검지부를 구비하고 있으면 된다.In addition, although an example of the case where three
(제 4 실시 형태)(Fourth Embodiment)
상술한 제 3 실시 형태에서는, 박리 처리 후에 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 예에 대하여 설명했다. 이에 한정되지 않고, 박리 처리 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 것으로 해도 된다.In the third embodiment described above, an example of detecting cracks in the upper wafer W1 after the peeling process was explained. It is not limited to this, and cracks in the upper wafer W1 may be detected during the peeling process.
이하, 박리 처리 중에 상 웨이퍼(W1)를 검지하는 검지부의 구성예에 대하여 도 29 및 도 30을 이용하여 설명한다. 도 29는 제 4 실시 형태에 따른 상 웨이퍼(W1), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12), 박리 유인부(40)의 칼날부(41) 및 검지부(70D)의 위치 관계를 나타내는 모식 평면도이다. 도 30은 제 4 실시 형태에 따른 중합 기판(T), 제 1 유지부(10)의 흡착부(12) 및 검지부(70D)의 위치 관계를 나타내는 모식 측면도이다.Hereinafter, an example of the configuration of the detection unit that detects the image wafer W1 during the peeling process will be described using FIGS. 29 and 30. Figure 29 shows the positional relationship between the image wafer W1, the
검지부(70D)는, 예를 들면 광전 센서이다. 도 29 및 도 30에 나타내는 바와 같이, 검지부(70D)는 각각, 광을 투수광하는 투수광부(73)와, 투수광부(73)로부터의 광을 반사하는 반사부(74)를 구비한다. 또한, 도 29 및 도 30에 있어서는, 투수광부(73)가 투광한 광을 일점 쇄선으로 나타내고 있다. 여기서는, 검지부(70D)가 반사형의 광전 센서인 경우의 예를 나타내고 있지만, 검지부(70D)는, 투과형의 광전 센서여도 된다. 이 경우, 검지부(70D)는, 광을 투광하는 투광부와, 투광부에 의해 투광된 광을 수광하는 수광부를 구비하고 있으면 된다.The
도 30에 나타내는 바와 같이, 투수광부(73) 및 반사부(74)는, 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)측의 판면보다 제 1 유지부(10)에 의해 상 웨이퍼(W1)가 이동하는 방향(X축 정방향)으로 어긋난 위치에 배치되어 있다. 투수광부(73)는, 중합 기판(T)의 일단측에 배치된다. 투수광부(73)는, 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합면에 대하여 평행하게 광을 투광하고, 반사부(74)로부터 반사된 광을 수광한다. 반사부(74)는, 중합 기판(T)의 타단측에 배치된다. 반사부(74)는, 투수광부(73)로부터 투광된 광을 반사한다.As shown in FIG. 30, the
여기서는, 중합 기판(T)의 일단측에 투수광부(73)가 배치되고, 타단측에 반사부(74)가 배치되는 경우의 예를 나타냈다. 이에 한정되지 않고, 중합 기판(T)의 일단측에 반사부(74)가 배치되고, 타단측에 투수광부(73)가 배치되어도 된다.Here, an example is shown where the
이어서, 제어부(81)가 상술한 검지부(70D)를 이용하여, 박리 처리 중의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지하는 처리에 대하여 도 31 ~ 도 33을 참조하여 설명한다. 도 31 및 도 32는 정상 시의 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70D)와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다. 도 33은 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)가 깨진 경우의, 상 웨이퍼(W1)와, 검지부(70D)와의 관계의 일례를 나타내는 모식 측면도이다.Next, a process in which the
상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 처리(도 10의 단계(S103))와 병행하여 행해진다. 환언하면, 상 웨이퍼(W1)의 균열 검지 처리는, 박리 동작 중에 행해진다. 제어부(81)는, 검지부(70D)의 검지 결과에 기초하여, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한다. 구체적으로, 먼저, 박리 처리 개시 전에 있어서, 투수광부(73)가 투광한 광을 투광한 경우, 반사부(74)가 투수광부(73)로부터의 광을 반사하여, 투수광부(73)가 반사한 광을 수취하고, 제어부(81)로 수광한 것을 나타내는 신호를 송신한다. 이 후, 제어부(81)가 승강 기구(50)를 제어하여, 제 1 유지부(10)의 외주부의 일부를 제 2 유지부(20)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 박리 처리를 개시하면, 박리 중의 상 웨이퍼(W1)에 의해 투수광부(73)로부터의 광이 차단되고, 반사부(74)가 투수광부(73)에 광을 반사하지 못하여, 투수광부(73)는 수광하고 있지 않은 것을 나타내는 신호를 제어부(81)로 송신한다(도 31 참조). 이 후, 박리 처리가 완료되면, 투수광부(73)가 광을 투광한 경우, 반사부(74)가 투수광부(73)로부터의 광을 반사하여, 투수광부(73)가 반사한 광을 수취하고, 제어부(81)로 수광한 것을 나타내는 신호를 송신한다(도 32 참조).The crack detection process of the upper wafer W1 is performed in parallel with the peeling process (step S103 in FIG. 10). In other words, the crack detection process of the upper wafer W1 is performed during the peeling operation. The
즉, 제어부(81)는, 박리 동작이 개시되어 투수광부(73)로부터 광을 수광하고 있지 않은 것을 나타내는 신호를 수신하고 나서, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래할 때까지의 사이, 투수광부(73)로부터 광을 수광한 것을 나타내는 신호를 수신하지 않았을 경우, 상 웨이퍼(W1)에 균열이 없다고 판정한다.That is, the
한편, 도 33에 나타내는 바와 같이, 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열이 생겼다고 한다. 이하에서는, 편의 상, 깨진 상 웨이퍼(W1) 중 하 웨이퍼(W2)로부터 박리된 부위를 '상 웨이퍼(W1a)'라 호칭하고, 아직 하 웨이퍼(W2)와 접합되어 있는 부위를 '상 웨이퍼(W1b)'라 호칭한다. 또한, 상 웨이퍼(W1b)가 잔존한 중합 기판을 '중합 기판(T')'이라 호칭한다.On the other hand, as shown in FIG. 33, it is said that a crack occurred in the upper wafer W1 during the peeling operation. Hereinafter, for convenience, the part of the broken upper wafer W1 that has been peeled off from the lower wafer W2 is called the 'upper wafer (W1a)', and the part that is still bonded to the lower wafer W2 is called the 'upper wafer (W2)'. It is called ‘W1b)’. In addition, the polymerization substrate on which the upper wafer W1b remains is called 'polymerization substrate T'.
도 33에 나타내는 바와 같이, 박리 동작 중에 상 웨이퍼(W1)의 균열이 생긴 경우, 검지부(70D)의 투수광부(73)로부터 투광된 광은, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에 반사부(74)에 도달하게 된다. 즉, 검지부(70D)의 투수광부(73)는, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에, 반사부(74)에 의해 반사된 광을 수광하게 된다.As shown in FIG. 33, when a crack occurs in the upper wafer W1 during the peeling operation, the light emitted from the transparent and light-emitting
이와 같이, 박리 동작이 개시되어 투수광부(73)로부터의 광이 투수광부(73)에 의해 수광되지 않게 된 후, 박리 동작이 완료되는 타이밍으로서 미리 정해진 타이밍이 도래하기 전에, 투수광부(73)에 의해 광이 수광된 경우, 제어부(81)는, 상 웨이퍼(W1)에 균열이 생겼다고 판정한다. 이에 의해, 제 4 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는, 박리 동작 중에 있어서의 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지할 수 있다.In this way, after the peeling operation is started and the light from the light transmitting/
박리 장치(7)는, 제 3 실시 형태에 따른 검지부(70A ~ 70C) 및 제 4 실시 형태에 따른 검지부(70D)의 양방을 구비하고 있어도 된다.The
(제 5 실시 형태)(Fifth Embodiment)
제 5 실시 형태에서는, 상술한 제 3 실시 형태 및 제 4 실시 형태에 있어서의, 깨진 상 웨이퍼(W1)의 회수 처리에 대하여 도 34 ~ 도 37을 참조하여 설명한다. 도 34 ~ 도 37은 제 5 실시 형태에 따른 회수 처리의 동작예를 나타내는 도이다.In the fifth embodiment, the recovery process for the broken image wafer W1 in the third and fourth embodiments described above will be described with reference to FIGS. 34 to 37. 34 to 37 are diagrams showing operational examples of recovery processing according to the fifth embodiment.
이하의 처리는, 제 3 실시 형태 및 제 4 실시 형태의 균열 검지 처리에 있어서, 제어부(81)가, 상 웨이퍼(W1)의 균열을 검지한 경우에 행해진다.The following processing is performed when the
먼저, 중합 기판(T)의 회전 처리가 행해진다. 구체적으로, 제어부(81)는, 회전 승강 기구(23)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)가 잔존하는 중합 기판(T')의 타단측(Y축 정방향측)의 측면이 박리 유인부(40)와 대향하도록 중합 기판(T')을 회전시킨다(도 34 참조).First, rotation processing of the polymerization substrate T is performed. Specifically, the
이어서, 박리 유인 처리가 행해진다. 제어부(81)는, 도 10의 단계(S102)와 동일한 처리를 행한다(도 35, 도 36 참조). 이에 의해, 중합 기판(T')에, 상 웨이퍼(W1)를 하 웨이퍼(W2)로부터 박리하는 계기가 되는 박리 개시 부위가 형성된다.Next, a peeling inducement treatment is performed. The
이어서, 박리 처리가 행해진다. 제어부(81)는, 도 10의 단계(S103)와 동일한 처리를 행한다(도 37 참조). 이에 의해, 중합 기판(T')에 잔존하는 상 웨이퍼(W1b)가 하 웨이퍼(W2)로부터 박리된다.Next, a peeling treatment is performed. The
상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 상 웨이퍼(W1)의 타단부의 균열을 검지한 경우에, 회전 승강 기구(23)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)의 타단부가 잔존하는 중합 기판(T')의 타단측(Y축 정방향측)의 측면이 박리 유인부(40)와 대향하도록 중합 기판(T')을 회전시킨 후, 박리 유인부(40)를 제어하여, 박리 개시 부위를 중합 기판(T')의 타단측의 측면에 형성하고, 이 후, 제 1 유지부(10)를 제어하여, 상 웨이퍼(W1)의 타단부를 하 웨이퍼(W2)로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다.As described above, when a crack in the other end of the image wafer W1 is detected, the
이러한 처리에 의하면, 박리 동작 중 또는 박리 동작 후에 상 웨이퍼(W1)가 깨져 있다고 판정된 경우에, 중합 기판(T')으로부터 중합 기판(T')에 잔존하는 상 웨이퍼(W1b)를 회수할 수 있다. 또한, 하 웨이퍼(W2)로부터 상 웨이퍼(W1b)를 제거할 수 있기 때문에, 하 웨이퍼(W2)의 재이용이 용이하다.According to this process, when it is determined that the image wafer W1 is broken during or after the peeling operation, the image wafer W1b remaining in the polymerization substrate T' can be recovered from the polymerization substrate T'. there is. Additionally, since the upper wafer W1b can be removed from the lower wafer W2, it is easy to reuse the lower wafer W2.
(제 6 실시 형태)(6th embodiment)
도 38은 제 6 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 39는 제 6 실시 형태에 따른 받이부(75)의 모식 평면도이다. 도 38 및 도 39에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받는 받이부(75)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 38 is a schematic side view showing a configuration example of the
받이부(75)는, 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받는 용기이다. 받이부(75)는, 예를 들면 제 1 유지부(10)의 하방에 위치한다. 도 38 및 도 39에 나타내는 바와 같이, 받이부(75)는, 제 2 유지부(20)의 외주부를 따라 마련되어도 된다. 받이부(35)는, 박리 동작 중 또는 박리 동작 후에 상 웨이퍼(W1)가 깨진 경우에, 이러한 상 웨이퍼(W1)의 파편을 받을 수 있다. 받이부(75)는, 예를 들면 제 2 유지부(20)에 대하여 착탈 가능해도 된다. 이 경우, 상 웨이퍼(W1)의 파편의 회수가 용이하다.The receiving
또한, 받이부(75)가 마련되는 위치는, 도 38 및 도 39에 나타내는 위치에 한정되지 않는다. 예를 들면, 받이부(75)는, 제 2 유지부(20)보다 하방에 마련되어 있어도 된다.Additionally, the position where the receiving
(제 7 실시 형태)(7th embodiment)
도 40은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 41은 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다. 도 40 및 도 41에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 부착물을 흡인하는 흡인부(83)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 40 is a schematic side view showing a configuration example of the
흡인부(83)는, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 흡인부(83)는 흡인관(831)과, 흡기 장치(832)를 구비하고 있다. 흡인관(831)은, 일단이 후술하는 받이부(84)에 접속되어 있고, 타단이 흡기 장치(832)와 접속되어 있다. 흡인부(83)는, 흡기 장치(832)가 발생시키는 흡인력에 의해, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 이에 의해, 흡인부(83)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 부착한 부착물을 제거할 수 있다.The
도 41에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는 또한 받이부(84), 촬상부(85) 및 조사부(86)를 구비하고 있어도 된다. 받이부(84)는, 박리 유인부(40)의 하방에 배치되어, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 부착한 부착물을 받는다. 받이부(84)는, 상방에 개구(842)와, 받이부(84)의 일부를 덮는 덮개부(843)를 가진다. 받이부(84)의 측면에는, 흡인관(831)과 접속하는 접속부(841)가 마련되어 있다. 받이부(84)는, 흡인관(831)을 개재하여 흡기 장치(832)에 접속된다. 흡인부(83)는, 받이부(84)를 개재하여, 흡기 장치(832)가 발생시키는 흡인력에 의해, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인한다. 이에 의해, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 부착물이 흡인된다. 즉, 받이부(84)의 개구(842)는 흡인부(83)의 흡인구로서도 기능하고, 덮개부(843)는 흡인부(83)의 흡인 범위 및 흡인 위치를 조정하는 조정부로서도 기능한다.As shown in FIG. 41, the
촬상부(85)는, 박리 유인부(40)의 하방에 배치되어, 박리 유인부(40)가 구비하는 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상한다. 제어부(81)는, 촬상부(85)로부터의 촬상 데이터에 기초하여, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상태를 확인한다. 조사부(86)는, 예를 들면 LED 라이트이며, 촬상부(85)의 촬상 대상(여기서는, 박리 유인부(40))에 광을 조사한다. 조사부(86)는, 박리 유인부(40)의 상방에 배치된다.The
이하, 흡인부(83)를 이용한 부착물 흡인 처리의 구체적인 순서에 대하여 도 42 ~ 도 44를 이용하여 설명한다. 도 42는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 부착물 흡인 처리의 순서를 나타내는 순서도이다. 도 43 및 도 44는 제 7 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 동작예를 나타내는 도이다. 또한, 도 42에 나타내는 처리 순서는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S107)의 후에, 즉, 박리 장치(7)로부터 상 웨이퍼(W1) 및 하 웨이퍼(W2)가 반출된 후에 실행된다.Hereinafter, the specific procedure of the adhesion suction process using the
도 43에 나타내는 바와 같이, 제어부(81)는, 칼날 끝 확인 처리를 행한다(단계(S201)). 구체적으로, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)의 이동 기구(42)를 제어하여, 촬상부(85)의 직상(直上)에 예리 부재(41a)의 칼날 끝이 위치하는 제 1 위치에 박리 유인부(40)를 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 촬상부(85)를 이용하여, 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상시키고, 칼날 끝의 상태(예를 들면, 이 빠짐의 유무 등)를 확인한다(도 43 참조).As shown in Fig. 43, the
이어서, 제어부(81)는, 이물 회수 처리를 행한다(단계(S202)). 구체적으로, 제어부(81)는, 박리 유인부(40)의 이동 기구(42)를 제어하여, 칼날부(41)를 수평 방향(여기서는, Y축 부방향)으로 이동시키고, 받이부(84)에 있어서의 개구(842)(도 44 참조)의 직상에 예리 부재(41a)가 위치하는 제 2 위치에 박리 유인부(40)를 배치시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인시킨다.Next, the
상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 제 1 위치에 예리 부재(41a)를 배치시킨 상태에서, 촬상부(85)를 제어하여 예리 부재(41a)의 칼날 끝을 촬상시키고, 이동 기구(42)를 제어하여, 제 2 위치에 예리 부재(41a)를 배치시킨 상태에서, 흡인부(83)를 제어하여 박리 유인부(40)의 주변의 분위기를 흡인시킨다. 이러한 처리에 의하면, 예리 부재(41a)의 부착물을 제거할 수 있다.As described above, the
(제 8 실시 형태)(Eighth Embodiment)
도 45는 제 8 실시 형태에 따른 박리 장치의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다. 도 45에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 대하여 기체를 분출하는 분출부(87)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 45 is a schematic plan view showing a configuration example of a peeling device according to the eighth embodiment. As shown in FIG. 45 , the
분출부(87)는, 박리 유인부(40)를 향해 공기 및 불활성 가스 등의 기체를 분출한다. 도 45에 나타내는 바와 같이, 분출부(87)에는, 공급로(871)를 개재하여, 기체 공급원(873)과, 밸브(872)가 접속된다. 제어부(81)가, 분출부(87)로부터 기체를 분출시키는 것에 의해, 예리 부재(41a)의 부착물이 하방으로 낙하한다. 하방으로 낙하한 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.The blowing
이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the
(제 9 실시 형태)(9th embodiment)
도 46은 제 9 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 평면도이다. 도 46에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 부착물을 제거하는 제거부(88)를 구비하고 있어도 된다.Fig. 46 is a schematic plan view showing a configuration example of the
제거부(88)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)에 대하여 물리적으로 접촉하는 것에 의해 부착물을 제거한다. 예를 들면, 제거부(88)는 롤러(881)와, 이동 기구(882)를 구비하고 있어도 된다. 롤러(881)는, 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 연장 방향(X축 방향)과 직교하는 방향(Y축 방향)으로 연장되는 회전축 둘레로 회전 가능하다. 롤러(881)는, 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면에 접촉하는 접촉부이다. 이동 기구(882)는, 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 연장 방향(X축 방향)을 따라 롤러(881)를 이동시킨다.The
이하, 제거부(88)를 이용한 부착물 제거 처리에 대하여 설명한다. 제어부(81)는, 이동 기구(882)를 제어하여, 롤러(881)를 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면을 수평 방향(여기서는, X축 방향)으로 이동시킨다. 이에 의해, 예리 부재(41a)의 상면의 부착물은, 롤러(881)와 접촉하여, 롤러(881)로 밀어내지고, 하방으로 떨어진다. 하방으로 떨어진 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.Hereinafter, the attachment removal process using the
이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the
(제 10 실시 형태)(10th embodiment)
도 47 및 도 48은 제 10 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 사시도이다. 도 47에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)는, 포렴 형상의 접촉부이며, 예를 들면, 받이부(84)의 개구(842)의 직상에 마련된다. 도 48에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)의 하부는, 예리 부재(41a)의 상면과 접촉한다.47 and 48 are schematic perspective views showing a configuration example of the
이하, 제거부(89)를 이용한 부착물 제거 처리에 대하여 도 47 및 도 48을 참조하여 설명한다. 부착물 제거 처리는, 도 47에 나타내는 바와 같이, 제거부(89)의 하부가 박리 유인부(40)의 예리 부재(41a)의 상면에 접촉하고 있는 상태에서 개시된다.Hereinafter, the attachment removal process using the
제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 칼날부(41)를 Y축 부방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 칼날부(41)의 예리 부재(41a)의 상면의 부착물은 제거부(89)에 의해 모인다. 이 후, 칼날부(41)가 Y축 부방향으로 더 이동하고, 예리 부재(41a)가 제거부(89)로부터 멀어지면(도 48 참조), 제거부(89)에 의해 막힌 부착물은 하방으로 떨어진다. 하방으로 떨어진 부착물은, 받이부(84)에 의해 받아져, 흡인부(83)에 의해 흡인된다.The
이러한 구성에 의하면, 박리 유인부(40)의 부착물을 제거할 수 있다.According to this configuration, adhesion to the
(제 11 실시 형태)(Eleventh Embodiment)
도 49 및 도 50은 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치(7)의 구성예를 나타내는 모식 측면도이다. 도 49 및 도 50에 나타내는 바와 같이, 박리 장치(7)는, 받이부(84)를 수평 방향(Y축 방향)으로 이동시키는 이동 기구(844)(제 1 이동 기구의 일례)를 구비하고 있어도 된다.49 and 50 are schematic side views showing a configuration example of the
제 11 실시 형태에 있어서, 제 2 유지부(20a)는, 하 웨이퍼(W2)의 직경보다 작은 직경으로 형성되어도 된다. 이 경우, 제 2 유지부(20a)는, 하 웨이퍼(W2)의 하면 중 외주부를 제외한 영역을 흡착 유지한다.In the eleventh embodiment, the
이하, 이동 기구(844)를 이용한 받이부 이동 처리의 구체적인 순서에 대하여 도 49, 도 50을 이용하여 설명한다. 또한, 이러한 처리 순서는, 예를 들면, 도 10에 나타내는 단계(S102)와 동시에, 즉, 박리 유인 처리와 동시에 실행된다.Hereinafter, a specific procedure for moving the receiving unit using the moving
먼저, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)에 가까워지는 방향(Y축 정방향)으로 이동시킬 시에, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 하방으로 이동시킨다. 환언하면, 제어부(81)는, 이동 기구(42)에 의한 예리 부재(41a)의 Y축 정방향의 이동과 연동하여, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시킨다. 구체적으로, 예리 부재(41a)의 직하(直下)에 받이부(84)에 있어서의 개구(842)(도 41 참조)가 위치하도록, 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시킨다(도 49 참조). 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기의 흡인을 개시한다.First, the
다음으로, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 중합 기판(T)의 측면에 예리 부재(41a)를 눌러, 이러한 중합 기판(T)에 있어서의 상 웨이퍼(W1)와 하 웨이퍼(W2)와의 접합부에 예리 부재(41a)를 삽입한다. 이 경우도 마찬가지로 제어부(81)는, 이동 기구(844)를 제어하여, 이동 기구(42)에 의한 예리 부재(41a)의 이동과 연동하여, 받이부(84)를 Y축 정방향으로 이동시켜도 된다. 상술한 바와 같이, 제 2 유지부(20a)가 하 웨이퍼(W2)의 직경보다 작은 직경으로 형성되기 때문에, 예리 부재(41a)를 접합부에 삽입하는 경우에도, 받이부(84)는 이러한 움직임과 연동하여 Y축 정방향으로 이동할 수 있다.Next, the
다음으로, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여, 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향(Y축 부방향)으로 이동 개시시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 이동 기구(844)를 제어하여, 받이부(84)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향(Y축 부방향)으로 이동 개시시킨다. 구체적으로, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)의 Y축 부방향으로의 이동 개시부터 일정 시간이 경과한 경우, 또는, 예리 부재(41a)가 미리 정해진 위치에 도달한 경우에, 받이부(84)를 Y축 부방향으로 이동 개시시킨다. 이 후, 제어부(81)는, 예리 부재(41a) 및 받이부(84)가 중합 기판(T)으로부터 떨어진 대기 위치에 도달하면, 예리 부재(41a) 및 받이부(84)의 이동을 정지한다. 이 후, 제어부(81)는, 흡인부(83)를 제어하여, 박리 유인부(40)의 주변의 분위기의 흡인을 정지한다.Next, the
상술한 바와 같이, 제 11 실시 형태에 따른 박리 장치(7)는 받이부(84)를 이동시키는 이동 기구(844)를 구비한다. 이러한 구성에 의하면, 예리 부재(41a)의 이동에 수반하여 받이부(84)를 이동시킬 수 있기 때문에, 예리 부재(41a)의 이동 시에 있어서 발생하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.As described above, the
또한, 상술한 바와 같이, 제어부(81)는, 이동 기구(42)를 제어하여 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)에 가까워지는 방향으로 이동시킬 시에, 이동 기구(844)를 제어하여 받이부(84)를 예리 부재(41a)의 칼날 끝의 하방으로 이동시킨다. 이러한 처리에 의하면, 박리 유인 처리 시에 있어서 발생하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.In addition, as described above, the
또한, 상술한 바와 같이, 박리 유인 처리 후, 제어부(81)는, 예리 부재(41a)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시킨 후에, 받이부(84)를 중합 기판(T)으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시킨다. 이러한 처리에 의하면, 중합 기판(T)과 예리 부재(41a)가 떨어졌을 때에 낙하하는 파티클을 받이부(84)에 의해 받을 수 있다.In addition, as described above, after the peeling attraction treatment, the
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 박리 장치(일례로서, 박리 장치(7))는, 제 1 유지부(일례로서, 제 1 유지부(10))와, 제 2 유지부(일례로서, 제 2 유지부(20))와, 박리 유인부(일례로서, 박리 유인부(40))와, 흡인부(일례로서, 흡인부(83))를 구비한다. 제 1 유지부는, 제 1 기판(일례로서, 상 웨이퍼(W1))과 제 2 기판(일례로서, 하 웨이퍼(W2))이 접합된 중합 기판(일례로서, 중합 기판(T)) 중 제 1 기판을 유지하고, 제 1 기판을 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시킨다. 제 2 유지부는, 중합 기판 중 제 2 기판을 유지한다. 박리 유인부는, 제 1 기판이 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성한다. 흡인부는, 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인한다.As described above, the peeling device (as an example, the peeling device 7) according to the embodiment includes a first holding portion (as an example, the first holding portion 10) and a second holding portion (as an example, the first holding portion 10). 2. It is provided with a holding part 20), a peeling attraction part (as an example, a peeling attraction part 40), and a suction part (as an example, a suction part 83). The first holding portion is the first of the polymerization substrates (as an example, the polymerization substrate T) to which a first substrate (as an example, an upper wafer W1) and a second substrate (as an example, a lower wafer W2) are bonded. The substrate is held and the first substrate is moved in a direction away from the second substrate. The second holding portion holds the second substrate among the polymerization substrates. The peeling attraction portion is formed on the side surface of one end of the polymerization substrate at a portion that causes the first substrate to peel off from the second substrate. The suction portion absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction portion.
따라서, 실시 형태에 따른 박리 장치에 의하면, 박리 유인부에 부착한 이물을 제거할 수 있다.Therefore, according to the peeling device according to the embodiment, foreign matter adhering to the peeling attraction portion can be removed.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.The embodiment disclosed this time should be considered in all respects as an example and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be implemented in various forms. In addition, the above-described embodiments may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
Claims (13)
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부와,
상기 제 1 기판이 상기 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부와,
상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 흡인부
를 구비하는, 박리 장치.A first holding portion that holds the first substrate among the polymerization substrates to which the first substrate and the second substrate are bonded and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
a second holding portion holding the second substrate among the polymerization substrates;
a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of the polymerization substrate to provide a trigger for peeling the first substrate from the second substrate;
A suction part that absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction part.
A peeling device comprising:
상기 박리 유인부의 하방에 배치되어, 상기 박리 유인부의 부착물을 받는 받이부를 구비하고,
상기 흡인부는, 상기 받이부를 개재하여 상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는, 박리 장치.According to claim 1,
a receiving portion disposed below the peeling attracting portion and receiving the attachment of the peeling attracting portion;
A peeling device, wherein the suction part sucks the atmosphere surrounding the peeling attracting part via the receiving part.
상기 받이부의 일부를 덮는 덮개부를 구비하는, 박리 장치.According to claim 2,
A peeling device comprising a cover portion that covers a portion of the receiving portion.
상기 박리 유인부에 접촉하여 상기 박리 유인부의 부착물을 제거하는 제거부를 구비하는, 박리 장치.According to claim 1,
A peeling device comprising a removal portion that contacts the peeling attracting portion and removes adhesion to the peeling attracting portion.
상기 박리 유인부에 대하여 기체를 분출하는 분출부를 구비하는, 박리 장치.According to claim 1,
A peeling device comprising a blowing portion that blows gas toward the peeling attracting portion.
상기 박리 유인부의 하방에 배치되어, 상기 박리 유인부를 촬상하는 촬상부와,
상기 박리 유인부, 상기 촬상부 및 상기 흡인부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 박리 유인부는,
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재와,
상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 이동 기구를 제어하여, 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝이 상기 촬상부의 상방에 위치하는 제 1 위치에 상기 예리 부재를 배치시킨 상태에서, 상기 촬상부를 제어하여 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝을 촬상시키고, 상기 이동 기구를 제어하여, 상기 예리 부재의 상기 칼날 끝이 상기 받이부의 상방에 위치하는 제 2 위치에 상기 예리 부재를 배치시킨 상태에서, 상기 흡인부를 제어하여 상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인시키는, 박리 장치.According to claim 2,
an imaging unit disposed below the peeling attracting portion and capturing an image of the peeling attracting portion;
A control unit for controlling the peeling attracting unit, the imaging unit, and the suction unit,
The peeling attractor,
a sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate;
A moving mechanism that moves the sharpening member in the horizontal direction
Equipped with
The control unit controls the moving mechanism to place the sharpening member in a first position where the tip of the cutting edge of the sharpening member is positioned above the imaging part, and controls the imaging unit to move the cutting edge of the sharpening member. The tip is captured and the moving mechanism is controlled to place the sharpening member in a second position where the blade tip of the sharpening member is located above the receiving portion, and the suction portion is controlled to move around the peeling attraction portion. A peeling device that absorbs the atmosphere.
상기 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구를 구비하는, 박리 장치.According to claim 2,
A peeling device comprising a moving mechanism that moves the receiving portion in a horizontal direction.
상기 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 이동 기구와,
상기 박리 유인부 및 상기 제 1 이동 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 박리 유인부는,
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재와,
상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 제 2 이동 기구
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 예리 부재를 상기 중합 기판에 가까워지는 방향으로 이동시킬 시에, 상기 제 1 이동 기구를 제어하여 상기 받이부를 상기 칼날 끝의 하방으로 이동시키는, 박리 장치.According to claim 2,
a first moving mechanism that moves the receiving portion in a horizontal direction;
It has a control unit that controls the peeling attractor and the first moving mechanism,
The peeling attractor,
a sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate;
A second moving mechanism that moves the sharpening member in a horizontal direction
Equipped with
The control unit controls the first movement mechanism to move the receiving portion below the tip of the blade when the control unit controls the second movement mechanism to move the sharpening member in a direction closer to the polymerization substrate. Device.
상기 제어부는, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 중합 기판에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 접합부에 상기 예리 부재를 삽입하고, 이 후, 상기 제 2 이동 기구를 제어하여 상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키고, 이 후, 상기 제 1 이동 기구를 제어하여 상기 받이부를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는, 박리 장치.According to claim 8,
The control unit controls the second moving mechanism to insert the sharpening member into the joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate, and then controls the second moving mechanism to insert the sharpening member into the joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate. A peeling device in which the sharpening member is started to move in a direction away from the polymerization substrate, and then the first movement mechanism is controlled to start moving the receiving portion in a direction away from the polymerization substrate.
상기 반입반출 스테이션에 배치된 상기 중합 기판을 반송하는 기판 반송 장치와,
상기 기판 반송 장치에 의해 반송된 상기 중합 기판을 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판으로 박리하는 박리 장치
를 구비하고,
상기 박리 장치는,
상기 중합 기판 중 상기 제 1 기판을 유지하고, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 제 1 유지부와,
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부와,
상기 제 1 기판이 상기 제 2 기판으로부터 박리되는 계기가 되는 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 박리 유인부와,
상기 박리 유인부의 주변의 분위기를 흡인하는 흡인부
를 구비하는, 박리 시스템.A loading/unloading station where a polymerized substrate in which a first substrate and a second substrate are bonded is placed,
a substrate transport device for transporting the polymerized substrate disposed at the loading/unloading station;
A peeling device that peels the polymerized substrate transported by the substrate transfer device into the first substrate and the second substrate.
Equipped with
The peeling device is,
a first holding portion that holds the first substrate among the polymerization substrates and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
a second holding portion holding the second substrate among the polymerization substrates;
a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of the polymerization substrate to provide a trigger for peeling the first substrate from the second substrate;
A suction part that absorbs the atmosphere surrounding the peeling attraction part.
A peeling system comprising:
상기 박리 유인부를 이용하여, 상기 부위를 상기 중합 기판에 있어서의 일단측의 측면에 형성하는 공정과,
상기 제 1 기판을 유지하고, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 제 1 유지부를 이용하여, 상기 제 1 기판을 유지하는 공정과,
상기 중합 기판 중 상기 제 2 기판을 유지하는 제 2 유지부를 이용하여, 상기 제 2 기판을 유지하는 공정과,
상기 제 1 유지부를 이용하여, 상기 제 1 기판을 상기 제 2 기판으로부터 떨어뜨리는 방향으로 이동시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.An atmosphere surrounding a peeling attraction portion formed on a side surface of one end of a polymerized substrate to which a first substrate and a second substrate are bonded, a portion that causes the first substrate to peel from the second substrate. A step of suctioning the atmosphere surrounding the peeling attraction portion using a suction portion for suction;
A step of forming the portion on a side surface of one end of the polymerization substrate using the peeling attraction portion;
A process of holding the first substrate using a first holding portion that holds the first substrate and moves the first substrate in a direction away from the second substrate;
A step of holding the second substrate among the polymerization substrates using a second holding portion that holds the second substrate,
A process of moving the first substrate away from the second substrate using the first holding unit.
Including, a peeling method.
칼날 끝이 상기 중합 기판을 향해 돌출되는 예리 부재를 수평 방향으로 이동시키는 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 예리 부재를 수평 방향으로 이동시킬 시에, 상기 박리 유인부의 하방에 배치되고, 상기 박리 유인부의 부착물을 받는 받이부를 수평 방향으로 이동시키는 제 1 이동 기구를 이용하여, 상기 받이부를 상기 칼날 끝의 하방으로 이동시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.According to claim 11,
When moving the sharpening member in the horizontal direction using a second moving mechanism that moves the sharpening member whose blade tip protrudes toward the polymerization substrate in the horizontal direction, it is disposed below the peeling attracting portion, and the peeling attracting portion is disposed below the peeling attracting portion. A process of moving the receiving portion below the tip of the blade using a first moving mechanism that moves the receiving portion that receives the attachment of the blade in the horizontal direction.
Including, a peeling method.
상기 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 중합 기판에 있어서의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판과의 접합부에 상기 예리 부재를 삽입하는 공정과,
상기 예리 부재를 삽입하는 공정의 후에, 상기 제 2 이동 기구를 이용하여, 상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는 공정과,
상기 예리 부재를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동시키는 공정의 후에, 상기 제 1 이동 기구를 이용하여, 상기 받이부를 상기 중합 기판으로부터 멀어지는 방향으로 이동 개시시키는 공정
을 포함하는, 박리 방법.According to claim 12,
A step of inserting the sharpening member into a joint between the first substrate and the second substrate in the polymerization substrate using the second moving mechanism;
After the step of inserting the sharpening member, a step of starting to move the sharpening member in a direction away from the polymerization substrate using the second moving mechanism;
After the step of moving the sharpening member in a direction away from the polymerization substrate, a step of starting to move the receiving portion in a direction away from the polymerization substrate using the first moving mechanism.
Including, a peeling method.
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