KR20240054654A - Polyimide-based polymer film, laminate, substrate for display device, circuit board, optical device and electronic device using the same - Google Patents

Polyimide-based polymer film, laminate, substrate for display device, circuit board, optical device and electronic device using the same Download PDF

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KR20240054654A
KR20240054654A KR1020220134897A KR20220134897A KR20240054654A KR 20240054654 A KR20240054654 A KR 20240054654A KR 1020220134897 A KR1020220134897 A KR 1020220134897A KR 20220134897 A KR20220134897 A KR 20220134897A KR 20240054654 A KR20240054654 A KR 20240054654A
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박찬효
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주식회사 엘지화학
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Abstract

본 발명은 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 이상이며, Td 1%가 570 ℃ 이상인, 폴리이미드계 수지 필름 및 이를 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치에 관한 것이다.The present invention has a peeling strength of 0.09 N/cm or more when peeling the polyimide-based resin film at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic layer is laminated on a polyimide-based resin film, and JIS A polyimide resin film with a saturation voltage of 1.18 kV or more as measured under the L 1094 standard measurement conditions, a saturation voltage half-life of 180 seconds or more as measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions, and a Td 1% of 570 ℃ or more, and It relates to laminates, display device substrates, circuit boards, optical devices, and electronic devices using this.

Description

폴리이미드계 수지 필름 및 이를 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치{POLYIMIDE-BASED POLYMER FILM, LAMINATE, SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE, CIRCUIT BOARD, OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}Polyimide resin film and laminates using the same, substrates for display devices, circuit boards, optical devices and electronic devices {POLYIMIDE-BASED POLYMER FILM, LAMINATE, SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE, CIRCUIT BOARD, OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 무기막에 대한 접착성이 개선되며 우수한 절연특성 및 내열성을 구현할 수 있는 폴리이미드계 수지 필름 및 이를 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polyimide-based resin film that has improved adhesion to inorganic films and can realize excellent insulating properties and heat resistance, and a laminate using the same, a substrate for a display device, a circuit board, an optical device, and an electronic device.

표시 장치 시장은 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판디스플레이(Flat Panel Display; FPD) 위주로 급속히 변화하고 있다. 이러한 평판디스플레이에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 또는 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display; EPD) 등이 있다. The display device market is rapidly changing, focusing on flat panel displays (FPDs) that are easy to use in large areas and can be thin and lightweight. Such flat panel displays include liquid crystal displays (LCD), organic light emitting displays (OLED), and electrophoretic displays (EPD).

리지드 타입(rigid type)의 디스플레이는 유리 기판을 기재로 사용하여 제조된다. 플렉시블 타입(flexible type)의 디스플레이는 플라스틱 소재의 기판을 기재로 사용하여 제조된다.Rigid type displays are manufactured using a glass substrate as a substrate. Flexible type displays are manufactured using a plastic substrate as a substrate.

그런데, 플렉시블 타입의 디스플레이에는 플라스틱 소재의 기판이 적용됨에 따라 복원잔상과 같은 문제점이 나타난다. 그리고 플라스틱 소재의 기판은 유리 기판에 비하여 내열성, 열전도도, 및 전기 절연성이 떨어지는 문제가 있다.However, as flexible type displays use plastic substrates, problems such as restoration afterimages appear. Additionally, plastic substrates have problems with poorer heat resistance, thermal conductivity, and electrical insulation compared to glass substrates.

그럼에도 불구하고, 유리 기판을 대체하여 가볍고 유연하며 연속 공정으로 제조 가능한 장점을 갖는 플라스틱 기판을 모바일 폰, 노트북 PC, TV 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.Nevertheless, research is being actively conducted to replace glass substrates by applying plastic substrates, which are light, flexible, and can be manufactured through a continuous process, to mobile phones, laptop PCs, TVs, etc.

폴리이미드 수지는 합성이 용이하고 박막으로 제조할 수 있으며, 고온 공정에 적용 가능한 장점을 가지고 있다. 각종 전자 기기의 경량 및 정밀화 추세와 맞물려, 폴리이미드 수지는 반도체 재료에 집적화 소재로써 많이 적용되고 있다. 특히, 폴리이미드 수지를 가볍고 유연한 성질이 요구되는 플렉시블 플라스틱 디스플레이 기판(flexible plastic display board)에 적용하려는 많은 연구가 진행되고 있다. Polyimide resin is easy to synthesize, can be manufactured into a thin film, and has the advantage of being applicable to high temperature processes. In line with the trend toward lightness and precision in various electronic devices, polyimide resin is widely used as an integration material in semiconductor materials. In particular, much research is being conducted to apply polyimide resin to flexible plastic display boards that require light and flexible properties.

뿐만 아니라, 폴리이미드 수지 등의 기판 재료는 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물인 용액 형태로 공급되고 있는데, 주 용매로 사용되는 메틸피롤리돈 등의 용매가 유해 화합물에 해당하여, 이를 대체할 수 있는 용매를 활용한 조성물에 대한 개발이 지속적으로 요구되고 있다. In addition, substrate materials such as polyimide resin are supplied in solution form, which is a composition containing polyimide resin. Solvents such as methylpyrrolidone used as the main solvent are hazardous compounds, so there is no substitute for them. There is a continuous need for development of compositions utilizing solvents.

본 발명은 무기막에 대한 접착성이 개선되며 우수한 절연특성 및 내열성을 구현할 수 있는 폴리이미드계 수지 필름에 관한 것이다. The present invention relates to a polyimide-based resin film that has improved adhesion to inorganic films and can realize excellent insulating properties and heat resistance.

또한, 본 발명은 상기 폴리이미드계 수지 필름을 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치에 관한 것이다.Additionally, the present invention relates to a laminate, a substrate for a display device, a circuit board, an optical device, and an electronic device using the polyimide resin film.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 명세서에서는, 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 이상이며, Td 1%가 570 ℃ 이상인 폴리이미드계 수지 필름이 제공된다.In order to solve the above problem, in this specification, when peeling the polyimide resin film at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic material layer is laminated on a polyimide resin film, the peeling strength is It is 0.09 N/cm or more, the saturation voltage measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 1.18 kV or more, the saturation voltage half-life measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 180 seconds or more, and Td 1% is 570 ℃. The above polyimide resin film is provided.

본 명세서에서는 또한, 제1 폴리이미드 수지층; 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층; 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층;을 포함하고, 상기 제1 폴리이미드 수지층 또는 제2 폴리이미드 수지층이 상기 폴리이미드계 수지 필름을 포함하는, 적층체가 제공된다.Also in this specification, a first polyimide resin layer; a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer; a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer, wherein the first polyimide resin layer or the second polyimide resin layer includes the polyimide-based resin film.

본 명세서에서는 또한, 상기 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판이 제공된다. Also provided in this specification is a substrate for a display device comprising either the polyimide-based resin film or the laminate.

본 명세서에서는 또한, 상기 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 회로 기판이 제공된다. Also provided in this specification is a circuit board comprising either the polyimide-based resin film or the laminate.

본 명세서에서는 또한, 상기 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 광학 장치가 제공된다. Also provided in this specification is an optical device comprising either the polyimide-based resin film or the laminate.

본 명세서에서는 또한, 상기 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 전자 장치가 제공된다. Also provided in this specification is an electronic device comprising either the polyimide-based resin film or the laminate.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 폴리이미드계 수지 필름 및 이를 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a polyimide-based resin film, a laminate using the same, a substrate for a display device, a circuit board, an optical device, and an electronic device according to specific embodiments of the invention will be described in more detail.

본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.Unless explicitly stated herein, terminology is intended to refer only to specific embodiments and is not intended to limit the invention.

본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. As used herein, singular forms include plural forms unless phrases clearly indicate the contrary.

본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used herein, the meaning of 'comprise' is to specify a specific characteristic, area, integer, step, operation, element and/or component, and to specify another specific property, area, integer, step, operation, element, component and/or group. It does not exclude the existence or addition of .

그리고, 본 명세서에서 '제 1' 및 '제 2'와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.Additionally, in this specification, terms including ordinal numbers such as 'first' and 'second' are used for the purpose of distinguishing one component from another component and are not limited by the ordinal numbers. For example, within the scope of the present invention, a first component may also be referred to as a second component, and similarly, the second component may be referred to as a first component.

본 명세서에서 (공)중합체는 중합체 또는 공중합체를 모두 포함하는 의미이며, 상기 중합체는 단일 반복단위로 이루어진 단독중합체를 의미하고, 공중합체는 2종 이상의 반복단위를 함유한 복합중합체를 의미한다.In this specification, (co)polymer refers to both polymers or copolymers. The polymer refers to a homopolymer composed of a single repeating unit, and the copolymer refers to a complex polymer containing two or more types of repeating units.

본 명세서에서, 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In this specification, examples of substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에서, "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In this specification, the term "substitution" means bonding with another functional group in place of a hydrogen atom in a compound, and the position to be substituted is not limited as long as it is the position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and if two or more substitutions are made, , two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 1차 아미노기; 카르복시기; 술폰산기; 술폰아미드기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알콕시실릴알킬기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to deuterium; halogen group; Cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imide group; amide group; primary amino group; carboxyl group; sulfonic acid group; sulfonamide group; Phosphine oxide group; Alkoxy group; Aryloxy group; Alkylthioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulphoxy group; Aryl sulfoxy group; silyl group; boron group; Alkyl group; Cycloalkyl group; alkenyl group; Aryl group; Aralkyl group; Aralkenyl group; Alkylaryl group; Alkoxysilylalkyl group; Arylphosphine group; or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heterocyclic groups containing one or more of N, O and S atoms, or substituted or unsubstituted with two or more of the above-exemplified substituents linked. . For example, “a substituent group in which two or more substituents are connected” may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, or it may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서, , 또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, 직접결합은 L 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다. In this specification, , or means a bond connected to another substituent, and a direct bond means a case where no separate atom exists in the part indicated by L.

본 명세서에 있어서, 방향족(aromatic)은 휘켈 규칙(Huckels Rule)을 만족하는 특성으로서, 상기 휘켈 규칙에 따라 다음 3가지 조건을 모두 만족하는 경우를 방향족이라고 정의할 수 있다.In the present specification, aromatic is a characteristic that satisfies the Huckels Rule. According to the Huckels Rule, a case that satisfies all of the following three conditions can be defined as aromatic.

1) 비어있는 p-오비탈, 불포화 결합, 홀전자쌍 등에 의하여 완전히 콘주게이션을 이루고 있는 4n+2개의 전자가 존재하여야 한다.1) There must be 4n+2 electrons that are fully conjugated by empty p-orbitals, unsaturated bonds, and unpaired electron pairs.

2) 4n+2개의 전자는 평면 형태 이성질체를 구성하여야 하고, 고리 구조를 이루어야 한다.2) 4n+2 electrons must form a planar isomer and form a ring structure.

3) 고리의 모든 원자가 콘주게이션에 참여할 수 있어야 한다.3) All atoms in the ring must be able to participate in conjugation.

본 명세서에 있어서, 다가 작용기(multivalent functional group)는 임의의 화합물에 결합된 복수의 수소 원자가 제거된 형태의 잔기로 예를 들어 2가 작용기, 3가 작용기, 4가 작용기를 들 수 있다. 일 예로, 사이클로부탄에서 유래한 4가의 작용기는 사이클로부탄에 결합된 임의의 수소 원자 4개가 제거된 형태의 잔기를 의미한다. In the present specification, a multivalent functional group is a residue in which a plurality of hydrogen atoms bonded to any compound have been removed, and examples include a divalent functional group, a trivalent functional group, and a tetravalent functional group. For example, a tetravalent functional group derived from cyclobutane refers to a residue in which any four hydrogen atoms bonded to cyclobutane have been removed.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 알케인(alkane)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 상기 직쇄 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 또한, 상기 분지쇄 알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실, 2,6-디메틸헵탄-4-일 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 상기 알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있으며, 치환되는 경우 치환기의 예시는 상술한 바와 같다.In the present specification, the alkyl group is a monovalent functional group derived from an alkane and may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms of the straight-chain alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. Additionally, the branched chain alkyl group has 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n. -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl- Propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, 2,6-dimethylheptan-4-yl, etc., but are not limited to these. The alkyl group may be substituted or unsubstituted, and when substituted, examples of the substituent are as described above.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 아렌(arene)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있으며, 치환되는 경우 치환기의 예시는 상술한 바와 같다.In the present specification, the aryl group is a monovalent functional group derived from arene, and is not particularly limited, but preferably has 6 to 20 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, biphenyl group, or terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, etc., but is not limited thereto. The aryl group may be substituted or unsubstituted, and when substituted, examples of the substituent are as described above.

본 명세서에서, 직접결합 또는 단일결합은 해당 위치에 어떠한 원자 또는 원자단도 존재하지 않아, 결합선으로 연결되는 것을 의미한다. 구체적으로, 화학식 중 L1, L2로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다.In this specification, a direct bond or single bond means that no atom or atomic group exists at the corresponding position and is connected by a bond line. Specifically, it refers to the case where no separate atoms exist in the portions represented by L 1 and L 2 in the chemical formula.

본 명세서에서, 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는, 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기(Refractive Index Detector) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는 온도 조건, 용매, flow rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예를 들면, Polymer Laboratories PLgel MIX-B 300mm 길이 칼럼을 이용하여 Waters PL-GPC220 기기를 이용하여, 평가 온도는 160 ℃이며, 1,2,4-트리클로로벤젠을 용매로서 사용하였으며 유속은 1mL/min의 속도로, 샘플은 10mg/10mL의 농도로 조제한 다음, 200 μL 의 양으로 공급하며, 폴리스티렌 표준을 이용하여 형성된 검정 곡선을 이용하여 Mw 의 값을 구할 수 있다. 폴리스티렌 표준품의 분자량은 2,000 / 10,000 / 30,000 / 70,000 / 200,000 / 700,000 / 2,000,000 / 4,000,000 / 10,000,000의 9종을 사용하였다.In this specification, the weight average molecular weight means the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC method. In the process of measuring the weight average molecular weight of polystyrene equivalent measured by the GPC method, commonly known analysis devices, detectors such as differential refractive index detectors, and analytical columns can be used, and the commonly applied temperature Conditions, solvent, and flow rate can be applied. For a specific example of the above measurement conditions, a Waters PL-GPC220 instrument was used using a Polymer Laboratories PLgel MIX-B 300 mm long column, the evaluation temperature was 160°C, and 1,2,4-trichlorobenzene was used as a solvent. The flow rate is 1 mL/min, the sample is prepared at a concentration of 10 mg/10 mL, and then supplied in an amount of 200 μL. The value of Mw can be obtained using a calibration curve formed using a polystyrene standard. Nine types of molecular weights of polystyrene standards were used: 2,000 / 10,000 / 30,000 / 70,000 / 200,000 / 700,000 / 2,000,000 / 4,000,000 / 10,000,000.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

1. 폴리이미드계 수지 필름1. Polyimide resin film

발명의 일 구현예에 따르면, 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 이상이며, Td 1%가 570 ℃ 이상인 폴리이미드계 수지 필름이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the invention, when the polyimide-based resin film is peeled at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic material layer is laminated on a polyimide-based resin film, the peeling strength is 0.09 N/ cm or more, the saturation voltage measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 1.18 kV or more, the saturation voltage half-life measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 180 seconds or more, and a Td 1% of 570 ℃ or more. A resin film may be provided.

본 발명자들은 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름과 같이 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 이상을 만족하게 되면, 무기막에 대한 접착력이 높아짐에 따라 무기막과 폴리이미드계 수지 필름의 적층체에서 내구성이 향상될 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다. The present inventors peeled the polyimide-based resin film at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic material layer was laminated on a polyimide-based resin film, such as the polyimide-based resin film of the above embodiment. The invention was completed after confirming through experiments that when the peel strength satisfies 0.09 N/cm or more, durability can be improved in a laminate of an inorganic film and a polyimide resin film as the adhesion to the inorganic film increases. .

또한, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름과 같이 JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 이상이고, JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 이상을 만족하게 되면, 정전기 감쇠 특성이 느려지면서 폴리이미드계 수지 필름이 높은 표면 고저항 특성을 가져 절연특성이 향상될 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다. In addition, like the polyimide resin film of the above embodiment, the saturation voltage measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 1.18 kV or more, and the saturation voltage half-life measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions satisfies 180 seconds or more. When this is done, it was confirmed through experiments that the static electricity attenuation characteristics slow down and the polyimide-based resin film has high surface resistance characteristics and thus the insulation characteristics can be improved, and the invention was completed.

뿐만 아니라, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 Td 1%가 570 ℃ 이상으로 나타나, 400 ℃ 이상의 고온이 적용되는 공정, 특히 디스플레이 장치용 기판의 제조 공정에서도 광학 특성의 저하나 형태의 변형이 크지 않으며, 더욱이 표면 저항이 높아서 디스플레이 패널에서의 잔상 및 패널부 오작동이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 고품질의 광학 장치를 제공할 수 있다. In addition, the polyimide-based resin film of the above-mentioned embodiment has a Td of 1% of 570°C or higher, so that deterioration of optical properties or deformation of shape occurs even in processes where high temperatures of 400°C or higher are applied, especially in the manufacturing process of a substrate for a display device. It is not large, and the surface resistance is high, so it is possible to prevent afterimages on the display panel and malfunction of the panel unit from occurring, thereby providing a high-quality optical device.

이러한 접착내구성, 절연성, 내열성이 동시에 향상되는 점에서 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 기술적 장점이 있다.The polyimide-based resin film of one embodiment has a technical advantage in that adhesion durability, insulation, and heat resistance are simultaneously improved.

구체적으로, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도의 수치 하한이 0.09 N/cm 이상, 또는 0.10 N/cm 이상, 또는 0.25 N/cm 이상, 0.30 N/cm 이상, 0.35 N/cm 이상, 0.40 N/cm 이상일 수 있다. 또한 상기 박리강도의 수치 상한이 0.55 N/m 이하, 0.50 N/cm 이하, 0.45 N/cm 이하일 수 있다. 또한, 상기 상한 수치범위와 하한 수치범위를 조합하여 상기 하한과 상한 사이의 수치범위도 만족할 수 있다. 상기 하한과 상한 사이의 수치범위의 일례를 들면 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 내지 0.55 N/m일 수 있다.Specifically, the polyimide-based resin film of one embodiment is peeled when the polyimide-based resin film is peeled off at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees with respect to a sample in which an inorganic material layer is laminated on the polyimide-based resin film. The lower numerical limit of strength may be greater than or equal to 0.09 N/cm, or greater than or equal to 0.10 N/cm, or greater than or equal to 0.25 N/cm, greater than or equal to 0.30 N/cm, greater than or equal to 0.35 N/cm, or greater than or equal to 0.40 N/cm. Additionally, the upper numerical limit of the peel strength may be 0.55 N/m or less, 0.50 N/cm or less, and 0.45 N/cm or less. In addition, the numerical range between the lower limit and the upper limit can also be satisfied by combining the upper and lower numerical ranges. As an example of the numerical range between the lower limit and the upper limit, the polyimide-based resin film of one embodiment is peeled off at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic material layer is laminated on a polyimide-based resin film. When peeling the polyimide-based resin film, the peeling strength may be 0.09 N/cm to 0.55 N/m.

이에 따라, 무기막에 대한 접착력이 높아짐에 따라 무기막과 폴리이미드계 수지 필름의 적층체에서 내구성이 향상될 수 있다.Accordingly, as the adhesion to the inorganic film increases, the durability of the laminate of the inorganic film and the polyimide-based resin film can be improved.

상기 박리강도를 측정하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 Texture analyzer(TA-XP plus/SMS) 장비를 이용하여 50mm/min의 peel speed, 박리방향 90도 조건으로 폴리이미드계 수지 필름을 박리할 수 있다.The example of the method of measuring the peel strength is not greatly limited, but for example, using a texture analyzer (TA-XP plus/SMS) equipment, a polyimide resin film is measured under the conditions of a peel speed of 50 mm/min and a peeling direction of 90 degrees. can be peeled off.

상기 무기물층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 및 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 무기물층로 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 사용할 수 있다.The inorganic material layer includes one or more inorganic materials selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO), and aluminum oxynitride (AlON). can do. More specifically, silicon dioxide (SiO 2 ) may be used as the inorganic layer.

상기 무기물층의 두께는 크게 한정되지 않으며, 1000 Å 내지 7000 Å의 범위내에서 제한없이 적용할 수 있다. 다만, 제한적인 일례로서, 상기 제1 무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 400 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 400 ㎚ 내지 700 ㎚의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the inorganic layer is not greatly limited and can be applied without limitation within the range of 1000 Å to 7000 Å. However, as a limited example, the first inorganic layer may have a thickness of 100 nm or more, or 400 nm or more, or 700 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 400 nm to 700 nm.

상기 무기물층의 형성에는 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다.For the formation of the inorganic layer, conventional inorganic film formation methods in the technical field to which the present invention pertains, such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not greatly limited, but for example, plasma chemical vapor deposition (PECVD) or high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) can be applied.

상기 박리강도 측정에 사용된 폴리이미드계 수지 필름 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛ 두께의 필름을 사용할 수 있다.The thickness of the polyimide resin film used to measure the peel strength is not greatly limited, but for example, a film with a thickness of 10 ㎛, or 9 ㎛ to 11 ㎛ can be used.

상기 폴리이미드계 수지 필름은 상술한 무기물층에 대한 박리강도가 0.09 N/cm 미만으로 지나치게 감소하게 되면, 무기막에 대한 접착력이 감소하여 무기막과 폴리이미드계 수지 필름의 적층체에서 내구성이 불량할 수 있다.When the peel strength of the polyimide-based resin film from the above-mentioned inorganic layer is excessively reduced to less than 0.09 N/cm, the adhesion to the inorganic layer decreases, resulting in poor durability in the laminate of the inorganic layer and the polyimide-based resin film. can do.

또한, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 수치 하한이 1.18 kV 이상, 1.2 kV 이상, 1.21 kV 이상, 1.22 kV 이상, 1.23 kV 이상일 수 있다. 또한 상기 포화대전압 수치 상한이 1.5 kV 이하, 1.4 kV 이하, 1.3 kV 이하, 1.25 kV 이하일 수 있다. 또한, 상기 상한 수치범위와 하한 수치범위를 조합하여 상기 하한과 상한 사이의 수치범위도 만족할 수 있다. 상기 하한과 상한 사이의 수치범위의 일례를 들면 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 내지 1.5 kV 일 수 있다.In addition, the polyimide-based resin film of one embodiment may have a lower limit of the saturation voltage voltage measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions of 1.18 kV or more, 1.2 kV or more, 1.21 kV or more, 1.22 kV or more, and 1.23 kV or more. Additionally, the upper limit of the saturation voltage may be 1.5 kV or less, 1.4 kV or less, 1.3 kV or less, and 1.25 kV or less. In addition, the numerical range between the lower limit and the upper limit can also be satisfied by combining the upper and lower numerical ranges. As an example of the numerical range between the lower limit and the upper limit, the polyimide-based resin film of one embodiment may have a saturation voltage of 1.18 kV to 1.5 kV as measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions.

또한, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기 수치 하한이 180초 이상, 190초 이상, 200초 이상, 210초 이상, 220초 이상일 수 있다. 또한 상기 포화대전압 반감기 수치 상한이 250초 이하, 240초 이하, 230초 이하일 수 있다. 또한, 상기 상한 수치범위와 하한 수치범위를 조합하여 상기 하한과 상한 사이의 수치범위도 만족할 수 있다. 상기 하한과 상한 사이의 수치범위의 일례를 들면 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 내지 250초일 수 있다.In addition, the polyimide-based resin film of the above embodiment may have a numerical lower limit of the saturation voltage half-life measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions of 180 seconds or more, 190 seconds or more, 200 seconds or more, 210 seconds or more, or 220 seconds or more. Additionally, the upper limit of the saturation voltage half-life may be 250 seconds or less, 240 seconds or less, or 230 seconds or less. In addition, the numerical range between the lower limit and the upper limit can also be satisfied by combining the upper and lower numerical ranges. As an example of the numerical range between the lower limit and the upper limit, the polyimide-based resin film of one embodiment may have a saturation voltage half-life of 180 to 250 seconds as measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions.

상기 포화대전압 반감기는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 폴리이미드계 수지 필름 시편에 대하여, Honestmeter 장치를 이용하여 JIS L 1094 표준하에 측정할 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지 필름의 포화대전압 반감기가 180초 미만으로 감소하게 되면, 저유전 특성을 구현하기 어렵다.The saturation voltage half-life can be measured under the JIS L 1094 standard using a Honestmeter device on polyimide-based resin film specimens with a thickness of 5 ㎛ to 15 ㎛, or 5 ㎛ to 10 ㎛. If the saturation voltage half-life of the polyimide resin film decreases to less than 180 seconds, it is difficult to implement low dielectric properties.

구체적으로, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 코로나 방전을 이용한 대전방전법을 이용하여 측정된 포화대전압이 1.18 kV 이상이고, 반감기 시간이 180초 이상을 만족함으로써, 절연 특성이 현저히 향상된 플렉서블 기판을 제공할 수 있다.Specifically, the polyimide-based resin film of one embodiment has a saturation voltage of 1.18 kV or more and a half-life time of 180 seconds or more, as measured using a charging discharge method using corona discharge, so that the insulation properties are significantly improved. A substrate can be provided.

고분자 기판재료의 경우, 고분자 물질의 분자구조 및 제조시 혼입되는 불순물의 존재 등으로 인하여 고분자 내에서 Carrier의 형성으로 인가된 전기장에 의해서 표면 전하 축적현상이 발생하게 되며, 이렇게 발생된 표면 전하에 의해서 유출전류가 발생하여 TFT 소자의 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다. 본 발명은 표면 전하 축적에 의한 표면 전하 밀도를 증가시킴으로써 이러한 유출전류에 의한 영향을 최소화함으로써, TFT소자가 안정적인 구동을 할 수 있다In the case of polymer substrate materials, surface charge accumulation occurs due to the electric field applied due to the formation of a carrier within the polymer due to the molecular structure of the polymer material and the presence of impurities mixed during manufacturing. Leakage current may occur and affect the electrical characteristics of the TFT device. The present invention minimizes the influence of this outflow current by increasing the surface charge density due to surface charge accumulation, thereby enabling stable operation of the TFT device.

폴리머 필름의 전기 절연성이 증가할수록 상기 포화대전압 및 반감기가 증가하는 특징을 이용하여 시료의 정전기적 성질을 측정하는 것이 가능하다.It is possible to measure the electrostatic properties of a sample using the characteristic that the saturation voltage and half-life increase as the electrical insulation of the polymer film increases.

이때, 반감기는 전력이 차단된 이후 포화대전압의 1/2이 되는 시점에서의 시간을 의미하는 것이며, 이는 시료의 정전기 감쇠 특성을 나타내는 지표로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 정전기 감쇠특성은 포화대전압이 클수록, 반감기 시간이 길수록 느리다고 정의할 수 있으며, 정전기 감쇠특성이 느린 재료일수록 더 높은 표면 절연 특성을 나타낼 수 있다.At this time, the half-life refers to the time at which the saturation voltage becomes 1/2 after the power is cut off, and this can be used as an indicator of the electrostatic attenuation characteristics of the sample. For example, static electricity attenuation characteristics can be defined as being slower as the saturation voltage is greater and the half-life time is longer, and materials with slower static electricity attenuation characteristics can exhibit higher surface insulation characteristics.

상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름의 포화대전압 및 반감기 시간의 측정은, 대전방전 측정기를 이용하여 측정될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 코로나 방전에 의한 대전시 직류전압은 5 kV 내지 20 kV일 수 있으며, 예를 들면, 8 kV 내지 15 kV, 또는 8 kV 내지 12 kV, 또는 9 kV 내지 11 kV의 직류전압을 인가하여 코로나 방전을 발생시킬 수 있다.The saturation charge voltage and half-life time of the polyimide-based resin film of the above embodiment can be measured using a charge-discharge meter. According to one embodiment, the direct current voltage during charging by the corona discharge may be 5 kV to 20 kV, for example, 8 kV to 15 kV, or 8 kV to 12 kV, or 9 kV to 11 kV. Corona discharge can be generated by applying .

폴리이미드계 수지 필름에 코로나 방전의 형태로 직류전압을 인가하면 검출된 전압 값이 특정 전압에서 더 이상 변화가 없는 포화 값에 도달하게 되는데 이때 전압을 차단한다. 이 포화 전압을 "포화대전압"이라 한다. 전압을 차단한 이후 필름의 전위 감쇠상태를 연속적으로 검출하며, 이때, 검출된 전위가 상기 포화대전압의 1/2이 되는 시점을 "반감기"로 정의한다.When direct current voltage is applied to the polyimide resin film in the form of corona discharge, the detected voltage value reaches a saturation value where there is no further change at a certain voltage, and at this point, the voltage is cut off. This saturation voltage is called “saturation voltage.” After the voltage is cut off, the potential attenuation state of the film is continuously detected, and the point at which the detected potential becomes 1/2 of the saturation voltage is defined as “half-life.”

반감기가 길수록 대전시 폴리이미드계 수지 필름에 축적된 정전하의 감쇠가 늦게 일어나는 것을 의미하며, 이는 폴리이미드계 수지 필름이 높은 절연특성을 갖는 것을 의미할 수 있다.A longer half-life means that the attenuation of the static charge accumulated in the polyimide-based resin film occurs more slowly during charging, which may mean that the polyimide-based resin film has high insulating properties.

포화대전압이 큰 폴리이미드계 수지 필름의 경우 대전시 정전하 축적양이 증가하여 대전 후 정전하 감쇠가 늦게 나타나며, 따라서, 반감기가 증가한다. 반면, 표면이 저저항인 폴리이미드계 수지 필름의 경우에는 대전시 정전하의 감쇠가 발생하며, 이로 인해 대전 후 정전하 감쇠가 빠르게 나타나 반감기가 감소하게 된다.In the case of a polyimide-based resin film with a large saturation voltage, the amount of static charge accumulation increases during charging, resulting in delayed static charge attenuation after charging, and thus the half-life increases. On the other hand, in the case of a polyimide-based resin film with a low surface resistance, static charge attenuation occurs during charging, which causes static charge attenuation to occur quickly after charging, thereby reducing the half-life.

또한, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름은 Td(Decomposition Tempterature, 열분해온도) 1%가 570 ℃ 이상, 또는 574 ℃ 이상, 또는 650 ℃ 이하, 또는 600 ℃ 이하, 또는 570 ℃ 내지 650 ℃, 574 ℃ 내지 650 ℃, 570 ℃ 내지 600 ℃, 574 ℃ 내지 600 ℃일 수 있다. In addition, the polyimide resin film of the above embodiment has a Td (Decomposition Temperature) of 1% of 570°C or higher, or 574°C or higher, or 650°C or lower, or 600°C or lower, or 570°C to 650°C, 574°C. It may be ℃ to 650 ℃, 570 ℃ to 600 ℃, 574 ℃ to 600 ℃.

상기 Td 1%는 100 ℃에서 시료의 질량을 기준으로 중량 감소율이 1 %일 때의 온도(℃)를 의미할 수 있다. 상기 Td 1%의 측정 방법은 크게 제한되지 않으나, 예를 들어 TGA 장비를 이용하여 측정될 수 있다. 보다 구체적으로, TA instruments사의 Discovery TGA 장비를 이용하여 측정될 수 있다. The Td 1% may refer to the temperature (°C) at which the weight loss rate is 1% based on the mass of the sample at 100°C. The method of measuring Td 1% is not greatly limited, but may be measured using, for example, TGA equipment. More specifically, it can be measured using Discovery TGA equipment from TA instruments.

상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름의 Td 1%가 570 ℃ 이상임에 따라, 우수한 내열성을 나타내어, 고온에서도 변형되지 않고 기계적 물성 및 치수 안정성을 확보할 수 있다. 구체적으로, 플렉서블 디스플레이 제조시 430 ℃ 이상 고온의 공정을 거치더라도 수지층의 변형 및 변성이 현저하게 줄어들 수 있다. As the Td of the polyimide resin film of the above embodiment is 570°C or higher, it exhibits excellent heat resistance and is not deformed even at high temperatures, ensuring mechanical properties and dimensional stability. Specifically, when manufacturing a flexible display, the deformation and denaturation of the resin layer can be significantly reduced even if it goes through a process at a high temperature of 430°C or higher.

상기 Td 1% 측정에 사용된 폴리이미드계 수지 필름 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 10 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛ 두께의 필름을 사용할 수 있다.The thickness of the polyimide resin film used to measure Td 1% is not greatly limited, but for example, a film with a thickness of 10 ㎛, or 9 ㎛ to 11 ㎛ can be used.

상기 폴리이미드계 수지 필름의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하 범위내에서 자유롭게 조절 가능하다. 상기 폴리이미드계 수지 필름의 두께가 특정 수치만큼 증가하거나 감소하는 경우 폴리이미드계 수지 필름에서 측정되는 물성 또한 일정 수치만큼 변화할 수 있다.The thickness of the polyimide-based resin film is not greatly limited, but can be freely adjusted, for example, within the range of 0.01 ㎛ or more and 1000 ㎛ or less. When the thickness of the polyimide-based resin film increases or decreases by a certain amount, the physical properties measured from the polyimide-based resin film may also change by a certain amount.

상기 폴리이미드계 수지 필름은 상술한 고분자 수지 조성물로부터 제조되며, 후술하는 폴리이미드계 수지 필름의 제조방법에 따라 제조될 수 있다. The polyimide-based resin film is manufactured from the polymer resin composition described above, and can be manufactured according to the polyimide-based resin film manufacturing method described later.

구체적으로, 상기 고분자 수지 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계(단계 1); 상기 도막을 건조하는 단계(단계 2); 상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계(단계 3)를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름의 제조 방법을 통해 상기 폴리이미드계 수지 필름을 제조할 수 있다.Specifically, forming a coating film by applying the polymer resin composition to a substrate (step 1); Drying the coating film (step 2); The polyimide-based resin film can be manufactured through a method for manufacturing a polyimide-based resin film, which includes curing the dried coating film by heat treatment (step 3).

보다 구체적으로 상기 단계 1은, 상술한 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계이다. 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물을 기판에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 등의 방법이 이용될 수 있다.More specifically, Step 1 is a step of forming a coating film by applying a resin composition containing the above-described polyimide resin to a substrate. The method of applying the resin composition containing the polyimide resin to the substrate is not particularly limited, and for example, methods such as screen printing, offset printing, flexographic printing, and inkjet can be used.

그리고, 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물은 유기 용매에 용해 또는 분산시킨 것일 수 있다. 이러한 형태를 갖는 경우, 예를 들어 폴리이미드계 수지를 유기 용매 중에서 합성한 경우에는, 용액은 얻어지는 반응 용액 그 자체여도 되고, 또 이 반응 용액을 다른 용매로 희석한 것이어도 된다. 또, 폴리이미드계 수지를 분말로서 얻은 경우에는, 이것을 유기 용매에 용해시켜 용액으로 한 것이어도 된다. Additionally, the resin composition containing the polyimide resin may be dissolved or dispersed in an organic solvent. When it has this form, for example, when a polyimide resin is synthesized in an organic solvent, the solution may be the obtained reaction solution itself, or this reaction solution may be diluted with another solvent. Additionally, when the polyimide resin is obtained as a powder, it may be dissolved in an organic solvent to form a solution.

상기 유기 용매는 상술한 바와 같이 상기 수학식 1을 만족하는 용매를 사용할 수 있다.The organic solvent may be a solvent that satisfies Equation 1 as described above.

상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물은 필름 형성 공정시의 도포성 등의 공정성을 고려하여 적절한 점도를 갖도록 하는 양으로 고형분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전체 수지의 함량이 5 중량% 이상 25 중량% 이하가 되도록 조성물의 함량을 조절할 수 있으며, 또는 5 중량% 이상 20 중량% 이하, 또는 5 중량% 이상 15 중량% 이하로 조절할 수 있다.The resin composition containing the polyimide resin may contain solid content in an amount to have an appropriate viscosity in consideration of processability such as applicability during the film forming process. For example, the content of the composition can be adjusted so that the total resin content is 5% by weight or more and 25% by weight or less, or 5% by weight or more and 20% by weight or less, or 5% by weight or more and 15% by weight or less. .

또한, 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물은 유기 용매 외에 다른 성분을 추가로 포함할 수 있다. 비제한적인 예로, 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물이 도포되었을 때, 막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키거나, 혹은 기판과의 밀착성을 향상시키거나, 혹은 유전율이나 도전성을 변화시키거나, 혹은 치밀성을 증가시킬 수 있는 화합물이 추가로 포함될 수 있다. 이러한 화합물로는 계면 활성제, 실란계 화합물, 유전체 또는 가교성 화합물 등이 예시될 수 있다.Additionally, the resin composition containing the polyimide resin may further include other components in addition to the organic solvent. As a non-limiting example, when the resin composition containing the polyimide resin is applied, it improves the uniformity of film thickness or surface smoothness, improves adhesion to the substrate, or changes dielectric constant or conductivity. Alternatively, compounds that can increase density may be additionally included. Examples of such compounds may include surfactants, silane-based compounds, dielectrics, or crosslinking compounds.

상기 단계 2는, 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물을 기판에 도포하여 형성된 도막을 건조하는 단계이다. Step 2 is a step of drying the coating film formed by applying the resin composition containing the polyimide resin to the substrate.

상기 도막의 건조 단계는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 50 ℃ 이상 150 ℃ 이하, 또는 50 ℃ 이상 100 ℃이하 온도로 수행할 수 있다.The drying step of the coating film may be performed by a heating means such as a hot plate, hot air circulation furnace, or infrared furnace, and may be performed at a temperature of 50°C or more and 150°C or less, or 50°C or more and 100°C or less.

상기 단계 3은, 상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계이다. 이때, 상기 열처리는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 200 ℃ 이상, 또는 200 ℃ 이상 300 ℃ 이하의 온도로 수행할 수 있다.Step 3 is a step of curing the dried coating film by heat treatment. At this time, the heat treatment may be performed by a heating means such as a hot plate, a hot air circulation furnace, or an infrared furnace, and may be performed at a temperature of 200 ℃ or higher, or 200 ℃ or higher and 300 ℃ or lower.

한편, 상기 고분자 수지 조성물은 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지는 폴리이미드, 그리고 이의 전구체 중합체인 폴리아믹산, 폴리아믹산 에스테르를 모두 포함한 것을 의미한다. 즉, 상기 폴리이미드계 고분자는 폴리아믹산 반복단위, 폴리아믹산에스테르 반복단위, 및 폴리이미드 반복단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드계 고분자는 폴리아믹산 반복단위 1종, 폴리아믹산에스테르 반복단위 1종, 폴리이미드 반복단위 1종, 또는 이들의 2종 이상의 반복단위가 혼합된 공중합체를 포함할 수 있다.Meanwhile, the polymer resin composition may include polyimide-based resin. The polyimide-based resin means that it includes both polyimide and its precursor polymers, polyamic acid and polyamic acid ester. That is, the polyimide-based polymer may include one or more types selected from the group consisting of polyamic acid repeating units, polyamic acid ester repeating units, and polyimide repeating units. That is, the polyimide-based polymer may include one type of polyamic acid repeating unit, one type of polyamic acid ester repeating unit, one type of polyimide repeating unit, or a copolymer in which two or more types of these repeating units are mixed.

상기 폴리아믹산 반복단위, 폴리아믹산에스테르 반복단위, 및 폴리이미드 반복단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반복단위는 상기 폴리이미드계 고분자의 주쇄를 형성할 수 있다.One or more repeating units selected from the group consisting of polyamic acid repeating units, polyamic acid ester repeating units, and polyimide repeating units may form the main chain of the polyimide-based polymer.

상기 폴리이미드계 수지 필름은 폴리이미드계 수지의 경화물을 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지의 경화물은 상기 폴리이미드계 수지의 경화공정을 거쳐 얻어지는 생성물을 의미한다.The polyimide-based resin film may include a cured product of polyimide-based resin. The cured product of the polyimide resin refers to a product obtained through a curing process of the polyimide resin.

구체적으로, 상기 폴리이미드계 수지 필름은 방향족 이미드 반복 단위를 포함한 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있다. Specifically, the polyimide-based resin film may include a polyimide-based resin containing an aromatic imide repeating unit.

상기 방향족 이미드 반복 단위는 폴리이미드계 수지 합성에 단량체로 이용되는 테트라카르복실산 또는 이의 무수물 및 디아민 화합물에 있어서, 테트라카르복실산 또는 이의 무수물이 방향족 그룹을 포함하거나, 디아민 화합물을 방향족 그룹을 포함하거나, 테트라카르복실산 또는 이의 무수물이 및 디아민 화합물 모두 방향족 그룹을 포함함에 따라 구현될 수 있다. The aromatic imide repeating unit refers to tetracarboxylic acid or its anhydride and diamine compound used as monomers in polyimide resin synthesis, where tetracarboxylic acid or its anhydride contains an aromatic group, or the diamine compound contains an aromatic group. Alternatively, both tetracarboxylic acid or its anhydride and diamine compound may be implemented as including an aromatic group.

보다 구체적으로, 상기 폴리이미드계 수지 필름은 방향족 이미드 반복 단위를 포함한 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있다. More specifically, the polyimide-based resin film may include a polyimide-based resin containing an aromatic imide repeating unit.

상기 방향족 이미드 반복 단위는 폴리이미드계 수지 합성에 단량체로 이용되는 테트라카르복실산 또는 이의 무수물 및 디아민 화합물에 있어서, 테트라카르복실산 또는 이의 무수물이 방향족 그룹을 포함하거나, 디아민 화합물을 방향족 그룹을 포함하거나, 테트라카르복실산 또는 이의 무수물이 및 디아민 화합물 모두 방향족 그룹을 포함함에 따라 구현될 수 있다. The aromatic imide repeating unit refers to tetracarboxylic acid or its anhydride and diamine compound used as monomers in polyimide resin synthesis, where tetracarboxylic acid or its anhydride contains an aromatic group, or the diamine compound contains an aromatic group. Alternatively, both tetracarboxylic acid or its anhydride and diamine compound may be implemented as including an aromatic group.

특히, 상기 폴리이미드계 수지는 하기 화학식1로 표시되는 폴리이미드 반복단위를 포함할 수 있다.In particular, the polyimide-based resin may include a polyimide repeating unit represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식1에서, X1은 방향족 4가 작용기이며, Y1은 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기이다.In Formula 1, X 1 is an aromatic tetravalent functional group, and Y 1 is an aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms.

상기 화학식1에서, X1은 방향족 4가 작용기이며, 상기 X1은 폴리이미드계 수지 합성에 사용되는 테트라카르복시산 이무수물 화합물로부터 유도된 작용기이다.In Formula 1, X 1 is an aromatic tetravalent functional group, and X 1 is a functional group derived from a tetracarboxylic dianhydride compound used in polyimide resin synthesis.

보다 구체적으로, 상기 X1 4가의 작용기는 하기 화학식2로 표시되는 4가의 작용기를 포함할 수 있다.More specifically, the X 1 tetravalent functional group may include a tetravalent functional group represented by the following formula (2).

[화학식2][Formula 2]

상기 화학식2로 표시되는 작용기의 구체적인 예로는 비페닐테트라카르복실산 이무수물 (3,3,4,4 -Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA)로부터 유래한 하기 화학식2-1로 표시되는 작용기를 들 수 있다.Specific examples of the functional group represented by Formula 2 include a functional group represented by Formula 2-1 below derived from biphenyltetracarboxylic dianhydride (3,3,4,4-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA).

[화학식2-1][Formula 2-1]

한편, 상기 화학식1에서, Y1은 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기이고, 상기 Y1은 폴리아믹산, 폴리아믹산에스테르, 또는 폴리이미드 합성시 사용되는 디아민 화합물로부터 유래한 작용기일 수 있다.Meanwhile, in Formula 1, Y 1 is an aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms, and Y 1 may be a functional group derived from polyamic acid, polyamic acid ester, or a diamine compound used in polyimide synthesis.

상기 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기는 페닐렌기를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 Y1의 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기는 하기 화학식3으로 표시되는 작용기를 포함할 수 있다.The aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms may include a phenylene group. More specifically, the aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms of Y 1 may include a functional group represented by Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

하기 화학식3으로 표시되는 작용기의 구체적인 예로는 p-페닐렌디아민 (1,4-phenylenediamine, p-PDA)로부터 유래한 하기 화학식 3-1로 표시되는 작용기를 들 수 있다.Specific examples of the functional group represented by the following formula (3) include a functional group represented by the following formula (3-1) derived from p-phenylenediamine (1,4-phenylenediamine, p-PDA).

[화학식 3-1][Formula 3-1]

. .

상기 화학식 3-1로 표시되는 작용기를 상기 Y1에 포함하게 되면, 선형 형태로 분자 배열된 영역이 형성되어, 폴리이미드계 수지의 강직성을 증가시키고, 우수한 열정 안정성을 구현할 수 있다. When the functional group represented by Formula 3-1 is included in Y 1 , a region in which molecules are arranged in a linear form is formed, thereby increasing the rigidity of the polyimide resin and realizing excellent thermal stability.

상기 폴리이미드계 수지는 함유한 방향족 테트라카르복시산 이무수물 및 탄소수 6 내지 10의 방향족 디아민의 결합물을 포함할 수 있다.The polyimide-based resin may include a combination of aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine having 6 to 10 carbon atoms.

상기 방향족 테트라카르복시산 이무수물은 상술한 방향족 4가 작용기의 양말단에 무수물기(-OC-O-CO-)가 도입된 화합물로서, 방향족 4가 작용기에 대한 설명은 상술한 바와 같다.The aromatic tetracarboxylic dianhydride is a compound in which an anhydride group (-OC-O-CO-) is introduced at both ends of the aromatic tetravalent functional group described above, and the description of the aromatic tetravalent functional group is as described above.

상기 방향족 테트라카르복시산 이무수물의 구체적인 예로는 3,3,4,4 -비페닐테트라카르복실산 이무수물 (3,3,4,4 -Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA)를 들 수 있다.Specific examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride include 3,3,4,4-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA).

상기 탄소수 6 내지 10의 방향족 디아민은 상술한 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기의 양말단에 아미노기(-NH2)가 도입된 화합물로서, 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기에 대한 설명은 상술한 바와 같다.The aromatic diamine having 6 to 10 carbon atoms is a compound in which an amino group (-NH 2 ) is introduced at both ends of the aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms. The description of the aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms is described above. It is the same as what was said.

상기 탄소수 6 내지 10의 방향족 디아민의 구체적인 예로는 p-페닐렌디아민 (1,4-phenylenediamine, p-PDA)을 들 수 있다.Specific examples of the aromatic diamine having 6 to 10 carbon atoms include p-phenylenediamine (1,4-phenylenediamine, p-PDA).

보다 구체적으로, 상기 폴리이미드계 수지는 상기 방향족 테트라카르복시산 이무수물의 말단 무수물기(-OC-O-CO-)와, 탄소수 6 내지 10의 방향족 디아민의 말단 아미노기(-NH2)의 반응으로 아미노기의 질소원자와 무수물기의 탄소원자간 결합이 형성될 수 있다.More specifically, the polyimide resin is an amino group formed through a reaction between the terminal anhydride group (-OC-O-CO-) of the aromatic tetracarboxylic dianhydride and the terminal amino group (-NH 2 ) of the aromatic diamine having 6 to 10 carbon atoms. A bond may be formed between the nitrogen atom and the carbon atom of the anhydride group.

상기 폴리이미드계 수지의 중량평균 분자량(GPC측정)이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 1000 g/mol 이상 200000 g/mol 이하, 또는 10000 g/mol 이상 200000 g/mol 이하일 수 있다.The weight average molecular weight (GPC measurement) of the polyimide resin is not greatly limited, but may be, for example, 1000 g/mol or more and 200,000 g/mol or less, or 10,000 g/mol or more and 200,000 g/mol or less.

본 발명에 따른 폴리이미드계 수지는 강직한 구조에 의한 내열성, 기계적 강도 등의 특성을 그대로 유지하면서, 우수한 무색 투명한 특성을 나타낼 수 있어, 소자용 기판, 디스플레이용 커버기판, 광학 필름(optical film), IC(integrated circuit) 패키지, 전착 필름(adhesive film), 다층 FRC(flexible printed circuit), 테이프, 터치패널, 광디스크용 보호필름 등과 같은 다양한 분야에 사용될 수 있으며, 특히 디스플레이용 커버기판에 적합할 수 있다.The polyimide resin according to the present invention can exhibit excellent colorless and transparent properties while maintaining properties such as heat resistance and mechanical strength due to its rigid structure, and can be used as a substrate for devices, cover substrates for displays, and optical films. It can be used in various fields such as IC (integrated circuit) package, adhesive film, multi-layer FRC (flexible printed circuit), tape, touch panel, protective film for optical disk, etc. It can be especially suitable for display cover substrate. there is.

한편, 상기 폴리이미드계 수지 필름은, 폴리이미드계 수지, 및 하기 수학식 1을 만족하는 용매를 포함한 고분자 수지 조성물의 경화물을 포함할 수 있다. 상기 고분자 수지 조성물의 경화물은 상기 고분자 수지 조성물의 경화공정을 거쳐 얻어지는 생성물을 의미한다. 상기 폴리이미드계 수지는 상술한 방향족 이미드 반복 단위를 포함한 폴리이미드계 수지와 동일하다.Meanwhile, the polyimide-based resin film may include a cured product of a polymer resin composition containing a polyimide-based resin and a solvent that satisfies the following equation (1). The cured product of the polymer resin composition refers to a product obtained through a curing process of the polymer resin composition. The polyimide-based resin is the same as the polyimide-based resin containing the aromatic imide repeating unit described above.

[수학식1][Equation 1]

Log P > 0Log P > 0

상기 수학식 1에서, P는 상기 용매의 25 ℃에서의 분배계수이다.In Equation 1, P is the partition coefficient of the solvent at 25°C.

즉, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름에서, Log P 값이 양수인 용매를 사용함에 따라, 내열성을 유지하면서 무기막 접착성과 절연특성이 향상될 수 있다.That is, in the polyimide-based resin film of the above embodiment, by using a solvent with a positive Log P value, inorganic film adhesion and insulating properties can be improved while maintaining heat resistance.

구체적으로, 상기 용매는 하기 수학식 2을 만족할 수 있다.Specifically, the solvent may satisfy Equation 2 below.

[수학식2][Equation 2]

0.001 ≤ Log P < 5.0000.001 ≤ Log P < 5.000

상기 수학식 2에서, P는 상기 용매의 25 ℃에서의 분배계수이다.In Equation 2, P is the partition coefficient of the solvent at 25°C.

보다 구체적으로, 상기 수학식 1, 2에서 용매의 Log P는 0.001 이상, 0.05 이상, 0.1 이상, 0.15 이상, 0.2 이상, 0.25 이상, 5.000 미만, 0.32 이하, 0.3 이하, 0.25 이하, 0.2 이하일 수 있다. More specifically, in Equations 1 and 2, the Log P of the solvent may be 0.001 or more, 0.05 or more, 0.1 or more, 0.15 or more, 0.2 or more, 0.25 or more, less than 5.000, 0.32 or less, 0.3 or less, 0.25 or less, and 0.2 or less. .

상기 분배계수는, 예를 들어 ACD/Labs사의 ACD/Percepta platform의 ACD/LogP module을 사용하여 계산할 수 있으며, ACD/LogP module은 분자의 2D 구조를 이용하여 QSPR(Quantitative Structure-Property Relationship) 방법론 기반의 알고리즘을 이용한다.The distribution coefficient can be calculated, for example, using the ACD/LogP module of ACD/Labs' ACD/Percepta platform, and the ACD/LogP module is based on QSPR (Quantitative Structure-Property Relationship) methodology using the 2D structure of the molecule. uses the algorithm.

상기 수학식 1의 Log P 값을 만족하는 용매는 소수성 용매임을 의미할 수 있다. A solvent that satisfies the Log P value of Equation 1 above may mean that it is a hydrophobic solvent.

구체적으로, 상기 Log P이 양수인 경우, 용매의 수분 흡수성이 낮아 폴리이미드계 수지와의 친화성이 높다. 반대로, 상기 Log P이 음수인 경우 용매의 수분 흡수성이 높고 폴리이미드계 수지와의 친화성이 낮게 나타난다. Specifically, when the Log P is a positive number, the water absorption of the solvent is low and the affinity with the polyimide resin is high. Conversely, when Log P is a negative number, the water absorption of the solvent is high and the affinity with the polyimide resin is low.

따라서, 상기 수학식 1을 만족하는 특정 용매를 사용함에 따라, 폴리아믹산 용액의 수분유입을 억제시킬 수 있으며, 다량의 용매 희석공정을 적용시에도 용액내 수분을 통한 폴리아믹산 고분자의 가역반응을 일으키지 않게 할 수 있어 수분유입으로 발생하는 폴리아믹산 고분자의 분해를 억제할 수 있다.Therefore, by using a specific solvent that satisfies Equation 1 above, the inflow of moisture into the polyamic acid solution can be suppressed, and even when applying a large amount of solvent dilution process, it does not cause a reversible reaction of the polyamic acid polymer through moisture in the solution. It is possible to suppress the decomposition of polyamic acid polymers that occurs due to moisture inflow.

또한, 폴리이미드계 수지 조성물에 극성을 갖는 미세 이물질이 유입되는 경우, 분배계수 Log P가 음수인 극성 용매를 포함하는 폴리이미드계 수지 조성물에서는 상기 극성 이물질에 의해 이물질의 위치를 기준으로 산발적인 코팅의 균열 또는 두께 변화가 일어날 수 있으나, 분배계수 Log P가 양수인 소수성 용매를 사용하는 경우에는 극성을 갖는 미세 이물질이 유입되는 경우에도 코팅의 균열로 인한 두께 변화 등의 발생이 감소되거나 억제될 수 있다.In addition, when polar fine foreign substances are introduced into the polyimide-based resin composition, in the polyimide-based resin composition containing a polar solvent with a negative distribution coefficient Log P, sporadic coating is caused by the polar foreign substances based on the location of the foreign substances. Cracks or changes in thickness may occur, but when using a hydrophobic solvent with a positive partition coefficient Log P, the occurrence of thickness changes due to cracks in the coating can be reduced or suppressed even when polar fine foreign substances are introduced. .

구체적으로, 상기 용매는 분자내 탄소수 2 이상, 또는 2 내지 5의 알킬기 적어도 1이상이 질소에 결합한 3차 아민 작용기를 포함할 수 있다. 상기 3차 아민은 1개의 질소원자에 3개의 유기작용기(수소 제외)가 결합한 구조를 의미한다. 즉, 3차 아민의 질소원자에 결합한 3개의 유기작용기중 적어도 1개 이상은 탄소수 2 이상, 또는 2 내지 5의 알킬기이다.Specifically, the solvent may include a tertiary amine functional group in which at least one alkyl group of 2 or more carbon atoms or 2 to 5 carbon atoms in the molecule is bonded to nitrogen. The tertiary amine refers to a structure in which three organic functional groups (excluding hydrogen) are bonded to one nitrogen atom. That is, at least one of the three organic functional groups bonded to the nitrogen atom of the tertiary amine is an alkyl group having 2 or more carbon atoms, or 2 to 5 carbon atoms.

상기 탄소수 2 이상의 알킬기는 탄소수 2 내지 5의 알킬기일 수 있고, 보다 구체적으로 에틸기일 수 있다. 상기 탄소수 2 이상의 알킬기가 적어도 1이상이 질소에 결합함에 따라, 탄소수가 1인 알킬기인 경우와 비교하여 양수인 LogP값이 커지는 효과를 구현할 수 있다.The alkyl group having 2 or more carbon atoms may be an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms, and more specifically, may be an ethyl group. As at least 1 or more of the alkyl group having 2 or more carbon atoms is bonded to nitrogen, the effect of increasing the positive LogP value can be achieved compared to the case of an alkyl group having 1 carbon number.

또한, 상기 3차 아민 작용기는 선형 3차 아민 작용기 또는 고리형 3차 아민 작용기를 포함할 수 있다.Additionally, the tertiary amine functional group may include a linear tertiary amine functional group or a cyclic tertiary amine functional group.

상기 선형 3차 아민 작용기가 함유된 용매 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. The solvent compound containing the linear tertiary amine functional group may include a compound represented by the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 4에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 2 이상, 또는 2 내지 5의 알킬기이다. 상기 화학식4로 표시되는 화합물의 구체적인 예를 들면, N,N-디에틸포름아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드를 들 수 있다.In Formula 4, R 1 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 and R 3 are each independently an alkyl group having 2 or more carbon atoms or 2 to 5 carbon atoms. Specific examples of the compound represented by Formula 4 include N,N-diethylformamide and N,N-diethylacetamide.

상기 고리형 3차 아민 작용기가 함유된 용매 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. The solvent compound containing the cyclic tertiary amine functional group may include a compound represented by the following formula (5).

[화학식 5] [Formula 5]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 5에서 R4는 탄소수 2 이상, 또는 2 내지 5의 알킬기이고, n은 1 이상 3 이하의 정수이다. 상기 화학식5로 표시되는 화합물의 구체적인 예를 들면, N-에틸피롤리돈를 들 수 있다.In Formula 5, R 4 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms or 2 to 5 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 3. Specific examples of the compound represented by Formula 5 include N-ethylpyrrolidone.

즉, 상기 용매는 N,N-디에틸포름아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드, 및 N-에틸피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 즉, 상기 용매는 N,N-디에틸포름아마이드 1종, N,N-디에틸아세트아마이드 1종, N-에틸피롤리돈 1종, 또는 이들의 2종 이상 혼합물을 포함할 수 있다.That is, the solvent may include one or more compounds selected from the group consisting of N,N-diethylformamide, N,N-diethylacetamide, and N-ethylpyrrolidone. That is, the solvent may include one type of N,N-diethylformamide, one type of N,N-diethylacetamide, one type of N-ethylpyrrolidone, or a mixture of two or more types thereof.

한편, 상기 고분자 수지 조성물은 락톤계 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 락톤계 화합물은 하기 화학식6으로 표시되는 화합물일 수 있다.Meanwhile, the polymer resin composition may further include a lactone-based compound. The lactone-based compound may be a compound represented by the following formula (6).

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 6에서 R5는 탄소수 1 내지 10 이하의 알킬기이고, m은 0 이상 3 이하의 정수이다. In Formula 6, R 5 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and m is an integer from 0 to 3.

상기 용매 및 상기 락톤계 화합물은 끓는점이 150 ℃ 이상일 수 있다. 즉, 상기 용매 및 상기 락톤계 화합물은 20 ℃ 이상 30 ℃ 이하의 상온에서 액체 상태로 존재하며, 상기 구현예의 고분자 수지 조성물에 용매 형태로 포함될 수 있다. The solvent and the lactone-based compound may have a boiling point of 150°C or higher. That is, the solvent and the lactone-based compound exist in a liquid state at room temperature between 20°C and 30°C and may be included in the polymer resin composition of the above embodiment in the form of a solvent.

보다 구체적으로, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 6-1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. More specifically, the compound represented by Formula 6 may include a compound represented by Formula 6-1 below.

[화학식 6-1][Formula 6-1]

. .

상기 용매 및 락톤계 화합물은 국내 규제 사항(NCIS)에서 기존 화학물질로 등재되어 있음에 따라, 이를 포함하는 상기 구현예의 고분자 수지 조성물이 종래의 고분자 수지 조성물과 달리 N- 유해화학물질로 지정되어 있는 메틸피롤리돈(NMP) 대체 가능 할 수 있는 고분자 수지 조성물이 제공될 수 있다. As the solvent and lactone-based compound are listed as existing chemical substances in national regulations (NCIS), the polymer resin composition of the above embodiment containing them is designated as an N-hazardous chemical substance, unlike the conventional polymer resin composition. A polymer resin composition that can replace methylpyrrolidone (NMP) may be provided.

한편, 상기 고분자 수지 조성물은 상기 용매 및 상기 락톤계 화합물을 동시에 포함할 수 있다. Meanwhile, the polymer resin composition may simultaneously include the solvent and the lactone-based compound.

구체적으로, 상기 고분자 수지 조성물은 상기 용매 100 중량부에 대하여, 상기 락톤계 화합물을 99 중량부 이하, 50 중량부 이상 99 중량부 이하, 50 중량부 이상 90 중량부 이하, 50 중량부 이상 80 중량부 이하, 50 중량부 이상 75 중량부 이하, 60 중량부 이상 75 중량부 이하, 60 중량부 이상 70 중량부 이하로 포함할 수 있다. Specifically, the polymer resin composition contains 99 parts by weight or less, 50 to 99 parts by weight, 50 to 90 parts by weight, or 50 to 80 parts by weight, based on 100 parts by weight of the solvent. It may contain 50 parts by weight or more and 75 parts by weight or less, 60 parts by weight or more and 75 parts by weight or less, and 60 parts by weight or more and 70 parts by weight or less.

상기 고분자 수지 조성물이 상기 용매 100 중량부에 대하여, 상기 락톤계 화합물을 99 중량부 초과로 포함하는 경우 중합도 저하로 인해 고분자 형성이 저하될 수 있다. If the polymer resin composition contains more than 99 parts by weight of the lactone-based compound based on 100 parts by weight of the solvent, polymer formation may be reduced due to a decrease in the degree of polymerization.

한편, 상기 고분자 수지 조성물은 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물은 고분자 수지 조성물에 포함되어 폴리이미드계 수지의 이미드화를 촉진하는 촉매로 작용하여, 용매가 휘발되기 전 고분자 수지 조성물 내 폴리이미드계 수지의 고분자 정렬 및 수분 제거가 효과적으로 일어남에 따라 최종 제조되는 광학 장치에서 고분자 수지 필름의 막 들뜸 현상을 최소화할 수 있다. Meanwhile, the polymer resin composition may further include a nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms. The nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms is included in the polymer resin composition and acts as a catalyst to promote imidization of the polyimide resin, thereby aligning the polymer and removing moisture of the polyimide resin in the polymer resin composition before the solvent is volatilized. As this occurs effectively, the film lifting phenomenon of the polymer resin film in the final manufactured optical device can be minimized.

상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물의 종류는 크게 제한되지 않으나, 예를 들어 탄소수 5 이상의 질소 함유 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 헤테로 고리 화합물은 이종원자로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함한 고리 화합물을 의미한다. 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 헤테로 고리 화합물은 예를 들어 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane(DABCO) 또는 레피딘 (Lepidine, 4-methylquinoline)를 포함할 수 있다. The type of the nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms is not greatly limited, but may include, for example, a nitrogen-containing heterocyclic compound having 5 or more carbon atoms. In the present specification, a heterocyclic compound refers to a ring compound containing one or more of O, N, Si, and S as heteroatoms. The nitrogen-containing heterocyclic compound having 5 or more carbon atoms may include, for example, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane (DABCO) or Lepidine (4-methylquinoline).

보다 구체적으로, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물은 탄소수 5 이상의 질소 함유 헤테로 고리 방향족 화합물을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 헤테로 고리 방향족 화합물은 이종원자로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함한 고리 방향족 화합물을 의미한다. 헤테로 고리 방향족 화합물의 예로는 티오펜, 퓨란, 피롤, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 트리아졸, 피리딜기, 비피리딘, 피리미딘, 트리아진, 아크리딘 피리다진, 피라진, 퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 프탈라진, 피리도 피리미딘, 피리도 피라진, 피라지노 피라진, 이소퀴놀린, 인돌, 카바졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티아졸, 벤조카바졸, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린 (phenanthroline), 이소옥사졸, 티아디아졸, 페노티아진 및 디벤조퓨란 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로 고리 방향족 화합물은 치혼 또는 비치환 될 수 있다. More specifically, the nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms may include a nitrogen-containing heterocyclic aromatic compound having 5 or more carbon atoms. In the present specification, a heterocyclic aromatic compound refers to a ring aromatic compound containing one or more of O, N, Si, and S as a heteroatom. Examples of heterocyclic aromatic compounds include thiophene, furan, pyrrole, imidazole, thiazole, oxazole, oxadiazole, triazole, pyridyl group, bipyridine, pyrimidine, triazine, acridine, pyridazine, pyrazine, Quinoline, quinazoline, quinoxaline, phthalazine, pyrido pyrimidine, pyrido pyrazine, pyrazino pyrazine, isoquinoline, indole, carbazole, benzooxazole, benzoimidazole, benzothiazole, benzocarbazole, benzoyl Thiophene, dibenzothiophene, benzofuranyl group, phenanthroline, isoxazole, thiadiazole, phenothiazine, and dibenzofuran, etc., but are not limited to these. The heterocyclic aromatic compound may be substituted or unsubstituted.

상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 헤테로 고리 방향족 화합물은 예를 들어 4-메틸퀴놀린(4-methylquinoline, Lepidine)을 포함할 수 있다. The nitrogen-containing heterocyclic aromatic compound having 5 or more carbon atoms may include, for example, 4-methylquinoline (Lepidine).

상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물은 전체 고분자 수지 조성물 중량에 대하여 0.1 중량% 이상 10 중량% 이하로 포함될 수 있다. The nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms may be included in an amount of 0.1% by weight or more and 10% by weight or less based on the total weight of the polymer resin composition.

상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 전체 고분자 수지 조성물 중량에 대하여 1 중량% 미만으로 포함될 경우, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 충분히 포함되지 않아 경화 과정에서의 막들뜸 등 기술적 문제가 발생할 수 있으며, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 전체 고분자 수지 조성물 중량에 대하여 10 중량% 초과로 포함될 경우, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 지나치게 과량 포함되어 고분자의 내열 및 광학 특성이 저하되는 기술적 문제가 발생할 수 있다. If the nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms is included in less than 1% by weight based on the total weight of the polymer resin composition, the nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms is not sufficiently contained, and technical problems such as film detachment during the curing process may occur. When the nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms is included in an amount of more than 10% by weight based on the total weight of the polymer resin composition, the nitrogen-containing multi-ring compound having 5 or more carbon atoms is included in an excessive amount, thereby deteriorating the heat resistance and optical properties of the polymer. Technical problems may arise.

또한, 상기 고분자 수지 조성물은 폴리이미드계 수지 고형분 100 중량부에 대하여 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물을 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하, 1 중량부 이상 20 중량부 이하, 3 중량부 이상 20 중량부 이하, 5 중량부 이상 20 중량부 이하로 포함할 수 있다. In addition, the polymer resin composition contains 0.1 to 20 parts by weight, 1 to 20 parts by weight, or 3 to 20 parts by weight of the nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms, based on 100 parts by weight of polyimide resin solid content. It may contain less than or equal to 5 parts by weight and less than or equal to 20 parts by weight.

상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 폴리이미드계 수지 고형분 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 미만으로 포함될 경우, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 충분히 포함되지 않아 무기막에서의 막이 들뜨는 기술적 문제가 발생할 수 있으며, 20 중량부 초과로 포함될 경우, 상기 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물이 지나치게 과량 포함되어 전체적으로 고분자 물성을 저하시키는 기술적 문제가 발생할 수 있다. When the nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms is included in less than 0.1 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content of the polyimide resin, the nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms is not sufficiently contained, causing a technical problem in that the film in the inorganic film is lifted. may occur, and if it is included in excess of 20 parts by weight, the nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms may be included in excessive amounts, which may cause a technical problem of deteriorating the overall polymer properties.

2. 적층체2. Laminate

발명의 다른 구현예에 따르면, 제1 폴리이미드 수지층; 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층; 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층;을 포함하고, 상기 제1 폴리이미드 수지층 또는 제2 폴리이미드 수지층이 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름을 포함하는 적층체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the invention, a first polyimide resin layer; a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer; a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer, wherein the first polyimide resin layer or the second polyimide resin layer includes the polyimide-based resin film of the embodiment. It can be.

본 발명자들은, 폴리이미드층을 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 이중층으로 구성하고, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 제1무기물층을 삽입하고, 제2 폴리이미드 수지층 상에도 제2 무기물층을 도입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 삽입된 제1무기물층과, 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층은 유리보다 투습도 및 흡습성이 강한 폴리이미드 수지층의 봉지능력을 강화시키기 위한 용도로 사용되며, 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층은 디스플레이 TFT구조에서 상기 제2 폴리이미드 수지층 위에 적용된 절연막으로 작용하여, 제2 폴리이미드 수지층에 대한 전기적 영향성을 줄일 수 있다.The present inventors composed the polyimide layer as a double layer of a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer, inserted a first inorganic layer between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, A second inorganic layer is also introduced on the second polyimide resin layer, so that the first inorganic layer is inserted between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, and the second layer is formed on the second polyimide resin layer. The inorganic material layer is used to strengthen the encapsulation ability of the polyimide resin layer, which has stronger moisture permeability and hygroscopicity than glass, and the second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer serves as the second polyimide water in the display TFT structure. By acting as an insulating film applied on the ground layer, electrical influence on the second polyimide resin layer can be reduced.

상기 적층체는 제1 폴리이미드 수지층을 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층을 포함함에 따라, 제1 폴리이미드 수지층의 넓은 고분자 사슬간격으로 인하여 고저항 특성이 구현되어, 전기적 영향성이 줄어들어 디스플레이 장치 또는 플렉서블 디스플레이 장치에 기판으로 적용시 잔상 개선에 도움이 될 수 있다.The laminate may include a first polyimide resin layer. By including the first polyimide resin layer, high resistance characteristics are realized due to the wide polymer chain spacing of the first polyimide resin layer, and the electrical influence is reduced, improving afterimage when applied as a substrate to a display device or flexible display device. It can be helpful.

또한, 상기 적층체는 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기물층은 상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층 사이에 위치하여, 공기 및 수분을 차단하여, 우수한 소자 안정성을 갖는 적층체를 제공할 수 있다. Additionally, the laminate may include a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer. The first inorganic material layer is located between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer to block air and moisture, thereby providing a laminate with excellent device stability.

상기 제1 무기물층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 및 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 제1 무기물층로 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 사용할 수 있다.The first inorganic material layer is one or more inorganic materials selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO), and aluminum oxynitride (AlON). may include. More specifically, silicon dioxide (SiO 2 ) may be used as the first inorganic layer.

상기 제1 무기물층의 두께는 크게 한정되지 않으며, 1000 Å 내지 7000 Å의 범위내에서 제한없이 적용할 수 있다. 다만, 제한적인 일례로서, 상기 제1 무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 400 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 400 ㎚ 내지 700 ㎚의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the first inorganic material layer is not greatly limited and can be applied without limitation within the range of 1000 Å to 7000 Å. However, as a limited example, the first inorganic layer may have a thickness of 100 nm or more, or 400 nm or more, or 700 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 400 nm to 700 nm.

상기 제1 무기물층의 형성에는 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다.For the formation of the first inorganic layer, conventional inorganic film formation methods in the technical field to which the present invention pertains, such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not greatly limited, but for example, plasma chemical vapor deposition (PECVD) or high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) can be applied.

또한, 상기 적층체는 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층을 포함할 수 있다. 상기 제2 폴리이미드 수지층의 조성에 대한 내용은, 상기 제1 폴리이미드 수지층과 동일하다. Additionally, the laminate may include a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer. The composition of the second polyimide resin layer is the same as that of the first polyimide resin layer.

한편, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께가 제2 폴리이미드 수지층의 두께 보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.7 ㎛일 수 있다. 이에 따라, 두께에 의한 물리적 강도 측면에서 적층시 구조 안정성이 향상되며, 투습방지성 또한 향상될 수 있다. 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 미만으로 지나치게 감소하면, 제2 폴리이미드 수지층에 의한 구조 안정성 및 투습방지성이 충분히 구현되기 어렵고, 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.7 ㎛ 초과로 지나치게 증가하게 되면, 폴리이미드 수지층 두께 증가로 인해 투과도 저하 및 막들뜸이 증가하는 문제가 발생할 수 있다.Meanwhile, the thickness of the first polyimide resin layer may be greater than the thickness of the second polyimide resin layer. Specifically, based on the thickness of 1 ㎛ of the first polyimide resin layer, the thickness ratio of the second polyimide resin layer may be 0.3 ㎛ to 0.7 ㎛. Accordingly, structural stability during lamination is improved in terms of physical strength due to thickness, and moisture permeation prevention can also be improved. If the thickness ratio of the second polyimide resin layer is excessively reduced to less than 0.3 ㎛ based on the thickness of 1 ㎛ of the first polyimide resin layer, the structural stability and moisture resistance by the second polyimide resin layer cannot be sufficiently implemented. It is difficult, and if the thickness ratio of the second polyimide resin layer is excessively increased to more than 0.7 ㎛ based on the thickness of 1 ㎛ of the first polyimide resin layer, the permeability decreases and membrane detachment increases due to the increase in the thickness of the polyimide resin layer. problems may arise.

예를 들어, 상기 일 구현예에서 상기 제1 폴리이미드 수지층은 1 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 2 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 6 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 10 ㎛, 또는 2 ㎛ 내지 10 ㎛, 또는 6 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 갖고, 상기 제2 폴리이미드 수지층은 0.5 ㎛ 내지 6 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 6㎛, 또는 3 ㎛ 내지 6㎛의 두께를 가질 수 있다. For example, in the above embodiment, the first polyimide resin layer has a thickness of 1 ㎛ to 15 ㎛, or 2 ㎛ to 15 ㎛, or 6 ㎛ to 15 ㎛, or 1 ㎛ to 10 ㎛, or 2 ㎛ to 10 ㎛. , or has a thickness of 6 ㎛ to 10 ㎛, and the second polyimide resin layer may have a thickness of 0.5 ㎛ to 6 ㎛, or 1 ㎛ to 6 ㎛, or 3 ㎛ to 6 ㎛.

또한, 상기 적층체는 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기물층은 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 위치하여, 공기 및 수분을 차단하여, 우수한 소자 안정성을 구현할 수 있으며, 박막 트랜지스터에 의한 전기적 영향을 최소화함에 따라 고품질의 디스플레이 장치용 또는 플렉서블 디스플레이 장치용 장치에 적합한 적층체를 제공할 수 있다.Additionally, the laminate may include a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer. The second inorganic material layer is located on the second polyimide resin layer to block air and moisture, thereby realizing excellent device stability, and by minimizing the electrical effect caused by the thin film transistor, it can be used as a high-quality display device or flexible device. A laminate suitable for a display device can be provided.

즉, 상기 제2 무기물층은 디스플레이 TFT구조에서 상기 제2 폴리이미드 수지층 위에 적용된 절연막으로 작용하여, 제2 폴리이미드 수지층에 대한 전기적 영향성을 줄일 수 있다.That is, the second inorganic layer acts as an insulating film applied over the second polyimide resin layer in the display TFT structure, thereby reducing electrical influence on the second polyimide resin layer.

상기 제2 무기물층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 및 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 제2 무기물층로 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 사용할 수 있다.The second inorganic material layer is one or more inorganic materials selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO), and aluminum oxynitride (AlON). may include. More specifically, silicon dioxide (SiO 2 ) may be used as the second inorganic layer.

상기 제2 무기물층의 형성에는 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다.For the formation of the second inorganic layer, conventional inorganic film formation methods in the technical field to which the present invention pertains, such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not greatly limited, but for example, plasma chemical vapor deposition (PECVD) or high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) can be applied.

상기 제2 무기물층의 두께는 크게 한정되지 않으며, 1000 Å 내지 7000 Å의 범위내에서 제한없이 적용할 수 있다. 다만, 제한적인 일례로서, 상기 제1 무기물층의 두께가 제2 무기물층의 두께 보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 무기물층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 무기물층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.9 ㎛일 수 있다. 이는, 상기 제1 무기물층은 상기 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 적층되는 구조이고, 제2 무기물층은 제2 폴리이미드 수지층 상에만 적층되는 구조상에 차이에 기인한 것이다.The thickness of the second inorganic layer is not greatly limited and can be applied without limitation within the range of 1000 Å to 7000 Å. However, as a limited example, the thickness of the first inorganic material layer may be greater than the thickness of the second inorganic material layer. Specifically, based on the thickness of 1 ㎛ of the first inorganic material layer, the thickness ratio of the second inorganic material layer may be 0.3 ㎛ to 0.9 ㎛. This is due to differences in the structure in which the first inorganic material layer is laminated between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, and the second inorganic material layer is laminated only on the second polyimide resin layer. will be.

예를 들어, 상기 제1 무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 400 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 400 ㎚ 내지 700 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 600 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 100 ㎚ 내지 600 ㎚의 두께를 가질 수 있다. For example, the first inorganic layer may have a thickness of 100 nm or more, or 400 nm or more, or 700 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 400 nm to 700 nm. Additionally, the second inorganic layer may have a thickness of 100 nm or more, or 700 nm or less, or 600 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 100 nm to 600 nm.

본 발명에 따른 적층체는 강직한 구조에 의한 내열성, 기계적 강도 등의 특성을 그대로 유지하면서, 우수한 무색 투명한 특성을 나타낼 수 있어, 소자용 기판, 디스플레이용 커버기판, 광학 필름(optical film), 회로 기판, IC(integrated circuit) 패키지, 전착 필름(adhesive film), 다층 FRC(flexible printed circuit), 테이프, 터치패널, 광디스크용 보호필름 등과 같은 다양한 분야에 사용될 수 있다.The laminate according to the present invention can exhibit excellent colorless and transparent properties while maintaining the properties such as heat resistance and mechanical strength due to the rigid structure, and can be used for device substrates, display cover substrates, optical films, and circuits. It can be used in various fields such as substrates, integrated circuit (IC) packages, adhesive films, multi-layer flexible printed circuits (FRCs), tapes, touch panels, and protective films for optical disks.

한편, 상기 적층체는 기재층을 더 포함할 수 있다. 상기 기재층은 대면적 플렉시블 디스플레이의 지지기판층으로 사용될 수 있다. 이를 위해 상기 기재층은 0.01 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하의 다양한 두께를 가질 수 있다. Meanwhile, the laminate may further include a base layer. The base layer can be used as a support substrate layer for a large-area flexible display. To this end, the base layer may have various thicknesses ranging from 0.01 ㎛ to 1000 ㎛.

상기 기재층은 제1 폴리이미드 수지층 하에 형성될 수 있다. 즉, 상기 기재층, 제1 폴리이미드 수지층, 제1 무기물층, 제2 폴리이미드 수지층, 제2 무기물층 순으로 적층될 수 있다.The base layer may be formed under the first polyimide resin layer. That is, the base layer, the first polyimide resin layer, the first inorganic material layer, the second polyimide resin layer, and the second inorganic material layer may be laminated in that order.

상기 기재층의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 유리기판, 웨이퍼기판, 가요성기판 또는 이들의 혼합물 등이 제한없이 사용될 수 있다. 상기 가요성 기판으로는 통상 가요성 소자의 기판 등에 적용가능한 것으로 알려진 폴리머라면 특별한 한정없이 포함할 수 있다. 구체적인 예로는, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리에스테르, 폴리에테르 아마이드 이미드, 폴리에스테르 아마이드 이미드 및 폴리아릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있으며 폴리이미드의 종류는 특별히 제한되지 않는다. Examples of the base layer are not greatly limited, and glass substrates, wafer substrates, flexible substrates, or mixtures thereof may be used without limitation. The flexible substrate may include any polymer known to be generally applicable to substrates of flexible devices, etc., without any particular limitation. Specific examples include polyethersulfone, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyester, polyetheramide imide, polyester amide imide, and polyarylate. It may contain one or more types of polymer resin selected from, and more preferably, it may contain a polyimide-based resin, and the type of polyimide is not particularly limited.

3. 디스플레이 장치용 기판3. Substrate for display device

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체 중 어느 하나를 포함하는 디스플레이 장치용 기판이 제공될 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지 필름에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다. 상기 적층체에 관한 내용은 상기 다른 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the invention, a substrate for a display device including either the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be provided. Content regarding the polyimide-based resin film may include all of the information described above in the embodiment. The content regarding the laminate may include all of the content described above in the other embodiments.

상기 기판을 포함하는 디스플레이 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display device, LCD), 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED), 플렉서블 디스플레이(Flexible Display), 또는 감김 가능 디스플레이 장치(rollable display or foldable display) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The display device including the substrate may be a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a flexible display, or a rollable display or foldable display. ), etc., but are not limited thereto.

상기 디스플레이 장치는 적용 분야 및 구체적인 형태 등에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 커버 플라스틱 윈도우, 터치 패널, 편광판, 배리어 필름, 발광 소자(OLED 소자 등), 투명 기판 등을 포함하는 구조일 수 있다.The display device may have various structures depending on the field of application and specific form, etc., and may include, for example, a cover plastic window, a touch panel, a polarizer, a barrier film, a light-emitting device (OLED device, etc.), a transparent substrate, etc. there is.

상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체는 이러한 다양한 디스플레이 장치에서 기판, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판으로 적용될 수 있다.The polyimide resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be used for various purposes such as a substrate, external protective film, or cover window in various display devices, and more specifically, may be applied as a substrate.

예를 들면, 상기 디스플레이 장치용 기판은 소자보호층, 투명 전극층, 실리콘 산화물층, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체, 실리콘 산화물층 및 하드 코팅층이 순차적으로 적층된 구조를 구비할 수 있다.For example, the substrate for the display device has a structure in which a device protection layer, a transparent electrode layer, a silicon oxide layer, a polyimide resin film of the above embodiment or a laminate of the other embodiment, a silicon oxide layer, and a hard coating layer are sequentially stacked. can be provided.

상기 투명 폴리이미드 기판은 내용제성 내지 수분투과성 및 광학적 특성을 보다 향상시킬 수 있는 측면에서 투명 폴리이미드계 수지 필름과 경화층 사이에 형성된, 실리콘산화물층을 포함할 수 있으며, 상기 실리콘산화물층은 폴리실라잔을 경화시켜 생성되는 것일 수 있다.The transparent polyimide substrate may include a silicon oxide layer formed between the transparent polyimide-based resin film and the cured layer in terms of improving solvent resistance, moisture permeability, and optical properties, and the silicon oxide layer is poly. It may be produced by curing silazane.

구체적으로, 상기 실리콘산화물층은 상기 투명 폴리이미드계 수지 필름의 적어도 일면상에 코팅층을 형성하는 단계 이전에 폴리실라잔을 포함하는 용액을 코팅 및 건조한 후 상기 코팅된 폴리실라잔을 경화시켜 형성되는 것일 수 있다.Specifically, the silicon oxide layer is formed by coating and drying a solution containing polysilazane before forming a coating layer on at least one surface of the transparent polyimide-based resin film and then curing the coated polysilazane. It could be.

본 발명에 따른 디스플레이 장치용 기판은 상술한 소자보호층을 포함함으로써 우수한 휨특성 및 내충격성을 가지면서, 내용제성, 광학특성, 수분투과도 및 내스크래치성을 갖는 투명 폴리이미드 커버기판을 제공할 수 있다.The substrate for a display device according to the present invention can provide a transparent polyimide cover substrate having excellent bending properties and impact resistance, solvent resistance, optical properties, moisture permeability, and scratch resistance by including the above-described device protection layer. there is.

4. 회로 기판4. Circuit board

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체 중 어느 하나를 포함하는 회로 기판이 제공될 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지 필름에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다. 상기 적층체에 관한 내용은 상기 다른 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다. Meanwhile, according to another embodiment of the invention, a circuit board including either the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be provided. The content regarding the polyimide resin film may include all of the content described above in the embodiment. Content regarding the laminate may include all of the content described above in the other embodiments.

상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체는 다양한 전자 장치에서 기판, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판으로 적용될 수 있다.The polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be used for various purposes such as a substrate, external protective film, or cover window in various electronic devices, and more specifically, may be applied as a substrate.

예를 들면, 상기 회로 기판 내에서 회로 기판용 보호 필름,회로 기판의 베이스 필름,회로 기판의 층간 절연막 등의 절연 재료로서 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체가 제한없이 적용할 수 있다.For example, the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be applied as an insulating material such as a protective film for a circuit board, a base film of a circuit board, or an interlayer insulating film of a circuit board within the circuit board, without limitation. can do.

상기 회로 기판의 구성 및 제조 방법은 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체를 상술한 용도로 사용하는 점을 제외하고는 당 기술 분야에 알려진 기술을 이용할 수 있다.The configuration and manufacturing method of the circuit board may utilize techniques known in the art, except that the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of the other embodiment is used for the above-described purpose.

5. 광학 장치5. Optics

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체 중 어느 하나를 포함하는 광학 장치가 제공될 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지 필름에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다. 상기 적층체에 관한 내용은 상기 다른 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the invention, an optical device including either the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be provided. Content regarding the polyimide-based resin film may include all of the information described above in the embodiment. Content regarding the laminate may include all of the content described above in the other embodiments.

상기 광학 장치는 빛에 의해 구현되는 성질을 이용한 각종 장치가 모두 포함될 수 있으며, 예를 들어, 디스플레이 장치를 들 수 있다. 상기 디스플레이 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(liquid crystal display device, LCD), 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED), 플렉서블 디스플레이(Flexible Display), 또는 감김 가능 디스플레이 장치(rollable display or foldable display) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The optical device may include all kinds of devices that utilize properties realized by light, and may include, for example, a display device. Specific examples of the display device include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a flexible display, or a rollable display or foldable display. These may include, but are not limited to these.

상기 광학 장치는 적용 분야 및 구체적인 형태 등에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 커버 플라스틱 윈도우, 터치 패널, 편광판, 배리어 필름, 발광 소자(OLED 소자 등), 투명 기판 등을 포함하는 구조일 수 있다.The optical device may have various structures depending on the field of application and specific form, and may include, for example, a cover plastic window, a touch panel, a polarizer, a barrier film, a light-emitting device (OLED device, etc.), a transparent substrate, etc. there is.

상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체는 이러한 다양한 광학 장치에서 기판, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판에 적용될 수 있다.The polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be used for various purposes such as a substrate, external protective film, or cover window in various optical devices, and more specifically, may be applied to a substrate.

6. 전자 장치6. Electronic devices

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체 중 어느 하나를 포함하는 전자 장치가 제공될 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지 필름에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다. 상기 적층체에 관한 내용은 상기 다른 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the invention, an electronic device including either the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be provided. Content regarding the polyimide-based resin film may include all of the information described above in the embodiment. The content regarding the laminate may include all of the content described above in the other embodiments.

상기 전자 장치는 전기적 신호에 의해 구현되는 성질을 이용한 각종 장치가 모두 포함될 수 있으며, 예를 들어, 반도체 장치, 휴대 전화 등의 통신장비, 조명 장치 등을 들 수 있다. 특히, 상기 전자장치의 바람직한 예로는 고주파 고속 통신을 실현할 수 있는 고속 전속용 전자기기를 들 수 있다. 상기 고속 전속용 전자기기의 구체적인 예를 들면, 5G 안테나를 들 수 있다.The electronic device may include all kinds of devices that utilize properties implemented by electrical signals, and examples include semiconductor devices, communication equipment such as mobile phones, and lighting devices. In particular, a preferred example of the electronic device is a high-speed electronic device capable of realizing high-frequency, high-speed communication. Specific examples of the high-speed electronic devices include 5G antennas.

상기 전자 장치 내에서 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체는 기판, 층간 절연막, 솔더 레지스트, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 상기 전자 장치의 구성 및 제조 방법은 상기 일 구현예의 폴리이미드계 수지 필름 또는 상기 다른 구현예의 적층체가 상술한 용도로 사용하는 점을 제외하고는 당 기술 분야에 알려진 기술을 이용할 수 있다.In the electronic device, the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of another embodiment may be used for various purposes, such as a substrate, an interlayer insulating film, a solder resist, an external protective film, or a cover window, and may be used in the configuration of the electronic device. And the manufacturing method may use techniques known in the art, except that the polyimide-based resin film of one embodiment or the laminate of the other embodiment is used for the above-described purpose.

본 발명에 따르면, 무기막에 대한 접착성이 개선되며 우수한 절연특성 및 내열성을 구현할 수 있는 폴리이미드계 수지 필름 및 이를 이용한 적층체, 디스플레이 장치용 기판, 회로 기판, 광학 장치 및 전자 장치가 제공될 수 있다. According to the present invention, a polyimide resin film capable of improving adhesion to inorganic films and realizing excellent insulation properties and heat resistance, and a laminate using the same, a substrate for a display device, a circuit board, an optical device, and an electronic device will be provided. You can.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is explained in more detail in the following examples. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

<실시예: 폴리이미드 필름의 제조><Example: Production of polyimide film>

실시예1Example 1

질소 기류가 흐르는 교반기 내에 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 154.8 g 를 채운 후, 반응기의 온도를 25 ℃로 유지한 상태에서 p-페닐렌디아민 (1,4-phenylenediamine, p-PDA)을 같은 온도에서 첨가하여 용해시켰다. 상기 용액에 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복시산이무수물(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA)을 같은 온도에서 첨가하여 24시간동안 교반하였다. 이때, 제조된 폴리이미드 전구체 조성물 총 180 g 중 폴리이미드 고형분은 25 g으로 나타났다. After filling 154.8 g of N,N-diethylformamide (DEF) in a stirrer with a nitrogen stream, p-phenylenediamine (1,4- phenylenediamine (p-PDA) was added and dissolved at the same temperature. 3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added to the solution at the same temperature and stirred for 24 hours. At this time, the polyimide solid content was 25 g out of a total of 180 g of the prepared polyimide precursor composition.

이후, 레피딘 (Lepidine, 4-methylquinoline)를 전체 고형분 함량에 대하여 5 중량%, 1.26 g 첨가하고 교반하여 폴리이미드 전구체 조성물을 제조하였다.Afterwards, 5% by weight of 1.26 g of Lepidine (4-methylquinoline) based on the total solid content was added and stirred to prepare a polyimide precursor composition.

상기 폴리이미드 전구체 조성물을 유리기판 상에 스핀 코팅하였다. 폴리이미드 전구체 조성물이 도포된 유리 기판을 80 ℃에서 10분 내지 30분, 460 ℃에서 60분을 유지하여 경화 공정을 진행하여, 유리 기판 상에 두께가 10 ㎛(±1 ㎛ 오차 포함)인 폴리이미드 필름을 제조하였다. 경화공정 완료 후에, 유리 기판을 물에 담구어 유리 기판 위에 형성된 필름을 떼어내어 오븐에서 100 ℃로 건조하여, 두께가 10 ㎛(±1 ㎛ 오차 포함)인 폴리이미드 필름을 제조하였다.The polyimide precursor composition was spin-coated on a glass substrate. A curing process is carried out by maintaining the glass substrate coated with the polyimide precursor composition at 80°C for 10 to 30 minutes and 60 minutes at 460°C, thereby forming polyimide with a thickness of 10 ㎛ (including ±1 ㎛ error) on the glass substrate. A mid film was prepared. After completing the curing process, the glass substrate was immersed in water, the film formed on the glass substrate was removed, and dried in an oven at 100°C to prepare a polyimide film with a thickness of 10 ㎛ (including ±1 ㎛ error).

실시예2Example 2

상기 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 대신 N,N-디에틸아세트아마이드(N,N-diethylacetamide, DEAc)를 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.The same method as Example 1, except that N,N-diethylacetamide (DEAc) was added instead of N,N-diethylformamide (DEF). A polyimide film was manufactured.

실시예3Example 3

상기 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 대신 N-에틸피롤리돈(N-ethyl-2-pyrrolidone, NEP)를 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.The same method as Example 1, except that N-ethyl-2-pyrrolidone (NEP) was added instead of N,N-diethylformamide (DEF). A polyimide film was manufactured.

<비교예: 폴리이미드 필름의 제조><Comparative example: production of polyimide film>

비교예1Comparative Example 1

상기 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 대신 N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP)를 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.The same method as Example 1, except that N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added instead of N,N-diethylformamide (DEF). A polyimide film was manufactured.

비교예2Comparative example 2

상기 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 대신 디메틸아세트아미드(Dimethylacetamide, DMAc)를 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.A polyimide film was prepared in the same manner as Example 1, except that dimethylacetamide (DMAc) was added instead of N,N-diethylformamide (DEF).

비교예3Comparative example 3

상기 N,N-디에틸포름아마이드(N,N-diethylformamide, DEF) 대신 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아마이드(3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, DMPA)를 첨가한 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 폴리이미드 필름을 제조하였다.Except that 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide (DMPA) was added instead of N,N-diethylformamide (DEF). , a polyimide film was manufactured in the same manner as in Example 1.

<실험예: 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드 필름의 물성 측정><Experimental Example: Measurement of physical properties of polyimide films obtained in Examples and Comparative Examples>

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드 필름으로부터 물성을 하기 방법으로 측정하였으며, 그 결과를 표1에 나타내었다. The physical properties of the polyimide films obtained in the above examples and comparative examples were measured by the following method, and the results are shown in Table 1.

1. 접착력1. Adhesion

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리이미드 필름을 이용하여 길이 100mm, 폭 10mm로 절단하고, 폴리이미드 필름상에 플라즈마 화학 기상 증착법으로 무기막층(a-Si, 두께 5,000 Å)을 형성하여 시료를 제조하였다.The polyimide film prepared in the above examples and comparative examples was cut to 100 mm in length and 10 mm in width, and an inorganic layer (a-Si, thickness 5,000 Å) was formed on the polyimide film by plasma chemical vapor deposition to prepare a sample. Manufactured.

이후, 양면 테이프를 이용하여 시료의 하부를 고정하고, 시료의 한쪽 끝을 테이프를 이용하여 폴리이미드 필름을 박리시킨 후 측정용 상부 grip에 90도 각도가 되도록 고정시켰다. 고정된 시료가 팽팽해지도록 수동으로 잡아당겨 준 다음 Texture analyzer(TA-XP plus/SMS) 장비를 이용하여 50mm/min의 peel speed, 박리방향 90도 조건으로 폴리이미드 필름을 박리하면서, 박리강도를 측정하고, 이를 접착력으로 평가하였다.Afterwards, the lower part of the sample was fixed using double-sided tape, and one end of the sample was peeled off from the polyimide film using tape and then fixed to the upper grip for measurement at a 90-degree angle. After manually pulling the fixed sample to make it taut, the polyimide film was peeled using a texture analyzer (TA-XP plus/SMS) at a peel speed of 50 mm/min and a peeling direction of 90 degrees, and the peel strength was measured. It was measured and evaluated as adhesion.

2. 포화대전압 및 반감기 2. Saturation voltage and half-life

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 폴리이미드 필름을 이용하여 두께가 6㎛ 인 폴리이미드 필름 시료를 제조하였다. 이후, 포화대전압 및 반감기 측정을 위해서 SHISHIDO ELECTROSTATIC 사의 H-0110 Honestmeter를 이용하여 JIS L 1094 표준측정법에 의거하여 측정온도 25℃, 습도 40~50% 조건에서 측정하였다. A polyimide film sample with a thickness of 6㎛ was prepared using the polyimide film prepared in the above examples and comparative examples. Afterwards, to measure the saturation voltage and half-life, SHISHIDO ELECTROSTATIC's H-0110 Honestmeter was used to measure the saturation voltage and half-life under the conditions of a measurement temperature of 25°C and humidity of 40-50% according to the JIS L 1094 standard measurement method.

구체적으로, 제조된 각각의 폴리이미드 필름에 인가전압을 10kV로 하고, 인가부의 침전극의 선단으로부터 회전반의 면까지의 거리를 20mm, 수전부의 전극판에서 회전반의 면까지 거리를 15mm 로 조절하였다. 회전반을 회전시키면서 10kV의 인가전압을 개시하여 100초 후 인가를 끝내고 포화치에 도달하면 포화대전압을 측정하였다.Specifically, the applied voltage to each manufactured polyimide film was 10 kV, the distance from the tip of the needle electrode of the application unit to the surface of the rotating table was 20 mm, and the distance from the electrode plate of the power receiving unit to the surface of the rotating table was 15 mm. Adjusted. An applied voltage of 10 kV was started while rotating the rotating table, and the application was completed after 100 seconds. When the saturation value was reached, the saturation voltage was measured.

이후, 고압 인가를 차단하고, 회전반을 회전시키면서 고압 인가를 차단한 시점부터 전위의 값이 상기 포화대전압 값의 50% 만큼 감소하였을때의 시간을 측정하여 반감기를 얻었다. Afterwards, the application of high pressure was cut off, and the half-life was obtained by rotating the rotary plate and measuring the time from when the high pressure application was cut off until the potential value decreased by 50% of the saturation voltage value.

3. 내열성 (Td 1%, ℃)3. Heat resistance (Td 1%, ℃)

TA instruments사의 Discovery TGA 장비를 이용하여 질소 분위기 하에서 폴리이미드 수지층 시편의 중량 감소율이 1 %일 때의 온도(℃)를 측정하였다.The temperature (°C) when the weight loss rate of the polyimide resin layer specimen was 1% was measured under a nitrogen atmosphere using Discovery TGA equipment from TA Instruments.

구체적으로, 50 ℃ 에서 5분 간 등온 유지하고, 200 ℃까지 승온 후 30분 등온 유지하였다. 이후 50 ℃ 로 냉각하여 안정화시킨 후 10 ℃/분의 속도로 600 ℃까지 승온하였다. 안정화 이후 100 ℃ 에서의 질량을 기준으로 중량 감소율이 1 %일 때의 온도를 계산하였다. Specifically, the temperature was maintained isothermally at 50°C for 5 minutes, then raised to 200°C and then maintained isothermally for 30 minutes. Afterwards, it was stabilized by cooling to 50°C, and then the temperature was raised to 600°C at a rate of 10°C/min. After stabilization, the temperature at which the weight loss rate was 1% was calculated based on the mass at 100°C.

실시예 및 비교예의 실험예 측정 결과Experimental measurement results of examples and comparative examples 구분division 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative example 2 비교예3Comparative Example 3 용매(분배계수[logP] @ 25℃)Solvent (partition coefficient [logP] @ 25℃) DEF
(0.05)
DEF
(0.05)
DEAc
(0.32)
DEAc
(0.32)
NEP
(0.22)
NEP
(0.22)
NMP
(-0.28)
NMP
(-0.28)
DMAc
(-0.75)
DMAc
(-0.75)
DMF
(-1.01)
DMF
(-1.01)
디아민 몰비율(%)Diamine molar ratio (%) 100(p-PDA)100(p-PDA) 100(p-PDA)100(p-PDA) 100(p-PDA)100(p-PDA) 100(p-PDA)100(p-PDA) 100(p-PDA)100(p-PDA) 100(p-PDA)100(p-PDA) 무수물 몰비율(%)Anhydride molar ratio (%) 100(BPDA)100(BPDA) 100(BPDA)100(BPDA) 100(BPDA)100(BPDA) 100(BPDA)100(BPDA) 100(BPDA)100(BPDA) 100(BPDA)100(BPDA) 접착력 (N/cm)Adhesion (N/cm) 0.410.41 0.100.10 0.090.09 0.090.09 0.080.08 0.090.09 포화대전압(Kv)Saturation voltage (Kv) 1.231.23 1.211.21 1.191.19 1.151.15 1.161.16 1.171.17 반감기 (초)Half-life (seconds) 220220 200200 180180 170170 168168 180180 Td 1% (℃)Td 1% (℃) 574574 574574 570570 573573 572572 568568

상기 표 1에 나타난 바와 같이, 실시예의 폴리이미드 필름은 비교예의 폴리이미드 필름과 비교하여 우수한 접착성, 절연성, 및 내열성을 나타냄을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, it was confirmed that the polyimide film of the example exhibited excellent adhesion, insulation, and heat resistance compared to the polyimide film of the comparative example.

Claims (19)

폴리이미드계 수지 필름 상에 무기물층이 적층된 시료에 대해 50mm/분의 박리속도, 90도의 박리각도로 상기 폴리이미드계 수지 필름을 박리시 박리강도가 0.09 N/cm 이상이고,
JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압이 1.18 kV 이상이고,
JIS L 1094 표준 측정법 조건에서 측정한 포화대전압 반감기가 180초 이상이며,
Td 1%가 570 ℃ 이상인, 폴리이미드계 수지 필름.
When peeling the polyimide-based resin film at a peeling speed of 50 mm/min and a peeling angle of 90 degrees for a sample in which an inorganic layer is laminated on a polyimide-based resin film, the peeling strength is 0.09 N/cm or more,
The saturation voltage measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is 1.18 kV or more,
The saturation voltage half-life measured under the JIS L 1094 standard measurement conditions is more than 180 seconds,
A polyimide-based resin film with Td 1% of 570°C or higher.
제1항에 있어서,
상기 폴리이미드계 수지 필름은 방향족 이미드 반복 단위를 포함한 폴리이미드계 수지를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름.
According to paragraph 1,
The polyimide-based resin film is a polyimide-based resin film comprising a polyimide-based resin containing an aromatic imide repeating unit.
제2항에 있어서,
상기 폴리이미드계 수지는,
하기 화학식1로 표시되는 폴리이미드 반복단위를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[화학식 1]

상기 화학식1에서,
X1은 방향족 4가 작용기이며,
Y1은 탄소수 6 내지 10의 방향족 2가 작용기이다.
According to paragraph 2,
The polyimide resin is,
A polyimide-based resin film comprising a polyimide repeating unit represented by the following formula (1):
[Formula 1]

In Formula 1 above,
X 1 is an aromatic tetravalent functional group,
Y 1 is an aromatic divalent functional group having 6 to 10 carbon atoms.
제3항에 있어서,
상기 X1은 하기 화학식2로 표시되는 4가의 작용기를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[화학식2]
.
According to paragraph 3,
Wherein X 1 is a polyimide-based resin film comprising a tetravalent functional group represented by the following formula (2):
[Formula 2]
.
제3항에 있어서,
상기 Y1은 하기 화학식3으로 표시되는 2가의 작용기를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[화학식3]
.
According to paragraph 3,
The Y 1 is a polyimide-based resin film containing a divalent functional group represented by the following formula (3):
[Formula 3]
.
제1항에 있어서,
상기 폴리이미드계 수지 필름은,
폴리이미드계 수지, 및 하기 수학식 1을 만족하는 용매를 포함한 고분자 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[수학식1]
Log P > 0
상기 수학식 1에서, P는 상기 용매의 25 ℃에서의 분배계수이다.
According to paragraph 1,
The polyimide-based resin film,
A polyimide-based resin film comprising a cured product of a polymer resin composition containing a polyimide-based resin and a solvent that satisfies Equation 1 below:
[Equation 1]
Log P > 0
In Equation 1, P is the partition coefficient of the solvent at 25°C.
제6항에 있어서,
상기 용매는 하기 수학식 2을 만족하는 폴리이미드계 수지 필름:
[수학식2]
0.001 ≤ Log P < 5.000
상기 수학식 2에서, P는 상기 용매의 25 ℃에서의 분배계수이다.
According to clause 6,
The solvent is a polyimide-based resin film that satisfies the following equation 2:
[Equation 2]
0.001 ≤ Log P < 5.000
In Equation 2, P is the partition coefficient of the solvent at 25°C.
제6항에 있어서,
상기 용매는 분자내 탄소수 2 이상의 알킬기 적어도 1이상이 질소에 결합한 3차 아민 작용기를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름.
According to clause 6,
The solvent is a polyimide-based resin film containing a tertiary amine functional group in which at least one alkyl group having 2 or more carbon atoms in the molecule is bonded to nitrogen.
제8항에 있어서,
상기 탄소수 2 이상의 알킬기는 탄소수 2 내지 5의 알킬기인, 폴리이미드계 수지 필름.
According to clause 8,
The polyimide-based resin film wherein the alkyl group having 2 or more carbon atoms is an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms.
제8항에 있어서,
상기 3차 아민 작용기는 선형 3차 아민 작용기 또는 고리형 3차 아민 작용기를 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름.
According to clause 8,
A polyimide-based resin film, wherein the tertiary amine functional group includes a linear tertiary amine functional group or a cyclic tertiary amine functional group.
제10항에 있어서,
상기 선형 3차 아민 작용기가 함유된 용매 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[화학식 4]
Figure pat00015

상기 화학식 4에서, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 탄소수 2 이상의 알킬기이다.
According to clause 10,
The solvent compound containing the linear tertiary amine functional group is a polyimide-based resin film including a compound represented by the following formula (4):
[Formula 4]
Figure pat00015

In Formula 4, R 1 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 2 and R 3 are each independently an alkyl group having 2 or more carbon atoms.
제10항에 있어서,
상기 고리형 3차 아민 작용기가 함유된 용매 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름:
[화학식 5]
Figure pat00016

상기 화학식 5에서 R4는 탄소수 2 이상의 알킬기이고, n은 1 이상 3 이하의 정수이다.
According to clause 10,
The solvent compound containing the cyclic tertiary amine functional group is a polyimide-based resin film including a compound represented by the following formula (5):
[Formula 5]
Figure pat00016

In Formula 5, R 4 is an alkyl group having 2 or more carbon atoms, and n is an integer of 1 to 3.
제6항에 있어서,
상기 용매는 N,N-디에틸포름아마이드, N,N-디에틸아세트아마이드, 및 N-에틸피롤리돈으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름.
According to clause 6,
The solvent is a polyimide-based resin film comprising at least one compound selected from the group consisting of N,N-diethylformamide, N,N-diethylacetamide, and N-ethylpyrrolidone.
제6항에 있어서,
상기 고분자 수지 조성물은 탄소수 5 이상의 질소 함유 다중 고리 화합물을 더 포함하는, 폴리이미드계 수지 필름.
According to clause 6,
The polymer resin composition is a polyimide-based resin film further comprising a nitrogen-containing multicyclic compound having 5 or more carbon atoms.
제1 폴리이미드 수지층;
상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층;
상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및
상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층;을 포함하고,
상기 제1 폴리이미드 수지층 또는 제2 폴리이미드 수지층이 제1항의 폴리이미드계 수지 필름을 포함하는, 적층체.
First polyimide resin layer;
a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer;
a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and
It includes a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer,
A laminate in which the first polyimide resin layer or the second polyimide resin layer includes the polyimide-based resin film of claim 1.
제1항의 폴리이미드계 수지 필름 또는 제15항의 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판.
A substrate for a display device comprising either the polyimide-based resin film of claim 1 or the laminate of claim 15.
제1항의 폴리이미드계 수지 필름 또는 제15항의 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 회로 기판.
A circuit board comprising either the polyimide resin film of claim 1 or the laminate of claim 15.
제1항의 폴리이미드계 수지 필름 또는 제15항의 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 광학 장치.
An optical device comprising either the polyimide resin film of claim 1 or the laminate of claim 15.
제1항의 폴리이미드계 수지 필름 또는 제15항의 적층체 중 어느 하나를 포함하는, 전자 장치.An electronic device comprising either the polyimide resin film of claim 1 or the laminate of claim 15.
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