KR20220167683A - Optical laminate, substrate for display device, and optical device using the same - Google Patents

Optical laminate, substrate for display device, and optical device using the same Download PDF

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안광현
박찬효
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Abstract

The present invention relates to an optical laminate in which a base layer, an inorganic deposition layer, a first polyimide resin layer, a first inorganic material layer, a second polyimide resin layer, and a second inorganic material layer are stacked in sequence. The present invention relates to an optical laminate, a substrate for a display device using the same, and an optical device. According to the present invention, excellent heat resistance, dielectric properties and optical properties can be realized by suppressing deformation of a film at high temperatures.

Description

광학 적층체 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 기판, 및 광학 장치{OPTICAL LAMINATE, SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE, AND OPTICAL DEVICE USING THE SAME}Optical laminate, substrate for display device using the same, and optical device

본 발명은 고온에서의 막 변형을 억제하여, 우수한 내열성, 유전특성 및 광학특성을 구현할 수 있는 광학 적층체 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 기판, 및 광학 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an optical laminate capable of realizing excellent heat resistance, dielectric properties and optical properties by suppressing film deformation at high temperature, a substrate for a display device using the same, and an optical device.

표시 장치 시장은 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판디스플레이(Flat Panel Display; FPD) 위주로 급속히 변화하고 있다. 이러한 평판디스플레이에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 또는 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display; EPD) 등이 있다. The display device market is rapidly changing, focusing on a flat panel display (FPD), which is easy to have a large area and can be thin and lightweight. Such a flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display (OLED), or an electrophoretic display (EPD).

리지드 타입(rigid type)의 디스플레이는 유리 기판을 기재로 사용하여 제조된다. 플렉시블 타입(flexible type)의 디스플레이는 플라스틱 소재의 기판을 기재로 사용하여 제조된다.A rigid type display is manufactured using a glass substrate as a substrate. A display of a flexible type is manufactured using a plastic substrate as a base material.

그런데, 플렉시블 타입의 디스플레이에는 플라스틱 소재의 기판이 적용됨에 따라 복원잔상과 같은 문제점이 나타난다. 그리고 플라스틱 소재의 기판은 유리 기판에 비하여 내열성, 열전도도, 및 전기 절연성이 떨어지는 문제가 있다.However, as a substrate of plastic material is applied to a flexible type display, problems such as afterimage restoration appear. In addition, a substrate made of a plastic material has problems in heat resistance, thermal conductivity, and electrical insulation that are inferior to those of a glass substrate.

그럼에도 불구하고, 유리 기판을 대체하여 가볍고 유연하며 연속 공정으로 제조 가능한 장점을 갖는 플라스틱 기판을 모바일 폰, 노트북 PC, TV 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.Nevertheless, research is being actively conducted to apply a plastic substrate, which is light and flexible and has the advantage of being manufactured in a continuous process, to a mobile phone, a notebook PC, and a TV as an alternative to a glass substrate.

폴리이미드 수지는 합성이 용이하고 박막으로 제조할 수 있으며, 고온 공정에 적용 가능한 장점을 가지고 있다. 각종 전자 기기의 경량 및 정밀화 추세와 맞물려, 폴리이미드 수지는 반도체 재료에 집적화 소재로써 많이 적용되고 있다. 특히, 폴리이미드 수지를 가볍고 유연한 성질이 요구되는 플렉시블 플라스틱 디스플레이 기판(flexible plastic display board)에 적용하려는 많은 연구가 진행되고 있다.Polyimide resins are easy to synthesize, can be manufactured into thin films, and have the advantage of being applicable to high-temperature processes. In line with the trend of light weight and precision of various electronic devices, polyimide resin is widely applied to semiconductor materials as an integrated material. In particular, many studies are being conducted to apply the polyimide resin to a flexible plastic display board requiring light and flexible properties.

본 발명은 고온에서의 막 변형을 억제하여, 우수한 내열성, 유전특성 및 광학특성을 구현할 수 있는 광학 적층체를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide an optical laminate capable of realizing excellent heat resistance, dielectric properties and optical properties by suppressing film deformation at high temperatures.

또한, 본 발명은 상기 광학 적층체를 이용한 디스플레이 장치용 기판, 및 광학 장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a substrate for a display device using the optical laminate, and an optical device.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 명세서에서는, 기재층; 상기 기재층 상에 형성된 무기증착층; 상기 무기증착층 상에 형성된 제1 폴리이미드 수지층; 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층; 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층을 포함하는 광학 적층체를 제공한다.In order to solve the above problems, in the present specification, the base layer; an inorganic vapor deposition layer formed on the base layer; a first polyimide resin layer formed on the inorganic deposition layer; a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer; a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer.

본 명세서에서는 또한, 상기 광학 적층체를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판이 제공된다.In the present specification, a substrate for a display device including the optical laminate is also provided.

본 명세서에서는 또한, 상기 광학 적층체를 포함하는, 광학 장치가 제공된다.In this specification, an optical device including the optical laminate is also provided.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 광학 적층체 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 기판, 및 광학 장치에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, an optical laminate according to a specific embodiment of the present invention, a substrate for a display device using the same, and an optical device will be described in more detail.

본 명세서에서 명시적인 언급이 없는 한, 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다.Unless explicitly stated herein, terminology is used only to refer to specific embodiments and is not intended to limit the present invention.

본 명세서에서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. As used herein, the singular forms also include the plural forms unless the phrases clearly dictate the contrary.

본 명세서에서 사용되는 '포함'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.As used herein, the meaning of 'comprising' specifies a particular property, domain, integer, step, operation, element, and/or component, and other particular property, domain, integer, step, operation, element, component, and/or group. does not exclude the presence or addition of

그리고, 본 명세서에서 '제 1' 및 '제 2'와 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용되며, 상기 서수에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위 내에서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로도 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소는 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.In this specification, terms including ordinal numbers such as 'first' and 'second' are used for the purpose of distinguishing one component from another component, and are not limited by the ordinal number. For example, within the scope of the present invention, a first element may also be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element.

본 명세서에서 (공)중합체는 중합체 또는 공중합체를 모두 포함하는 의미이며, 상기 중합체는 단일 반복단위로 이루어진 단독중합체를 의미하고, 공중합체는 2종 이상의 반복단위를 함유한 복합중합체를 의미한다.In the present specification, a (co)polymer refers to a polymer or a copolymer, and the polymer refers to a homopolymer composed of a single repeating unit, and the copolymer refers to a multipolymer containing two or more types of repeating units.

본 명세서에서, 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In this specification, examples of substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에서, "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In this specification, the term "substitution" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in a compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position where the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 1차 아미노기; 카르복시기; 술폰산기; 술폰아미드기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알콕시실릴알킬기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.In this specification, the term "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; carbonyl group; ester group; imide group; amide group; primary amino group; carboxy group; sulfonic acid group; sulfonamide group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; aryl sulfoxy groups; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; Aralkenyl group; Alkyl aryl group; an alkoxysilylalkyl group; Arylphosphine group; Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group containing at least one of N, O, and S atoms, or substituted or unsubstituted with two or more substituents linked to each other among the substituents exemplified above. . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

본 명세서에서,

Figure pat00001
, 또는
Figure pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, 직접결합은 L 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다. In this specification,
Figure pat00001
, or
Figure pat00002
means a bond connected to another substituent, and a direct bond means a case where no separate atom exists in the part represented by L.

본 명세서에 있어서, 방향족(aromatic)은 휘켈 규칙(Huckels Rule)을 만족하는 특성으로서, 상기 휘켈 규칙에 따라 다음 3가지 조건을 모두 만족하는 경우를 방향족이라고 정의할 수 있다.In the present specification, aromatic is a property that satisfies the Huckels Rule, and a case that satisfies all of the following three conditions according to the Huckels Rule can be defined as aromatic.

1) 비어있는 p-오비탈, 불포화 결합, 홀전자쌍 등에 의하여 완전히 콘주게이션을 이루고 있는 4n+2개의 전자가 존재하여야 한다.1) There must be 4n+2 electrons completely conjugated by an empty p-orbital, an unsaturated bond, an unpaired electron pair, etc.

2) 4n+2개의 전자는 평면 형태 이성질체를 구성하여야 하고, 고리 구조를 이루어야 한다.2) 4n+2 electrons must form planar isomers and form a ring structure.

3) 고리의 모든 원자가 콘주게이션에 참여할 수 있어야 한다.3) All atoms of the ring must be able to participate in conjugation.

본 명세서에 있어서, 알킬기는 알케인(alkane)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 상기 직쇄 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 또한, 상기 분지쇄 알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실, 2,6-디메틸헵탄-4-일 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 상기 알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있으며, 치환되는 경우 치환기의 예시는 상술한 바와 같다.In the present specification, the alkyl group is a monovalent functional group derived from an alkane, and may be straight-chain or branched-chain, and the number of carbon atoms of the straight-chain alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. In addition, the number of carbon atoms of the branched chain alkyl group is 3 to 20. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl- propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, 2,6-dimethylheptan-4-yl, and the like, but is not limited thereto. The alkyl group may be substituted or unsubstituted, and examples of the substituent when substituted are as described above.

본 명세서에 있어서, 할로 알킬기는 상술한 알킬기에 할로겐기가 치환된 작용기를 의미하며, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다. 상기 할로알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있으며, 치환되는 경우 치환기의 예시는 상술한 바와 같다.In the present specification, a haloalkyl group means a functional group in which a halogen group is substituted for the aforementioned alkyl group, and examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine, or iodine. The haloalkyl group may be substituted or unsubstituted, and examples of substituents in the case of substitution are as described above.

본 명세서에 있어서, 다가 작용기(multivalent functional group)는 임의의 화합물에 결합된 복수의 수소 원자가 제거된 형태의 잔기로 예를 들어 2가 작용기, 3가 작용기, 4가 작용기를 들 수 있다. 일 예로, 사이클로부탄에서 유래한 4가의 작용기는 사이클로부탄에 결합된 임의의 수소 원자 4개가 제거된 형태의 잔기를 의미한다. In the present specification, a multivalent functional group is a residue in which a plurality of hydrogen atoms bonded to any compound are removed, and examples thereof include a divalent functional group, a trivalent functional group, and a tetravalent functional group. For example, a tetravalent functional group derived from cyclobutane refers to a residue in which 4 arbitrary hydrogen atoms bonded to cyclobutane are removed.

본 명세서에서, 전자끌개 작용기(Electro-withdrawing group)는, 할로알킬기, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 술폰산기, 카보닐기 및 술포닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 트리플루오루메틸기(-CF3) 등의 할로알킬기 일 수 있다. In the present specification, the electron-withdrawing group may include at least one selected from the group consisting of a haloalkyl group, a halogen group, a cyano group, a nitro group, a sulfonic acid group, a carbonyl group, and a sulfonyl group, preferably Preferably, it may be a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group (-CF 3 ).

본 명세서에서, 직접결합 또는 단일결합은 해당 위치에 어떠한 원자 또는 원자단도 존재하지 않아, 결합선으로 연결되는 것을 의미한다. 구체적으로, 화학식 중 L1, L2로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다.In the present specification, a direct bond or a single bond means that no atom or group of atoms is present at the corresponding position and is connected by a bond line. Specifically, it means the case where no additional atom exists in the part represented by L 1 and L 2 in the formula.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

1. 광학 적층체1. Optical stack

발명의 일 구현예에 따르면, 기재층; 상기 기재층 상에 형성된 무기증착층; 상기 무기증착층 상에 형성된 제1 폴리이미드 수지층; 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층; 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층;을 포함하는, 광학 적층체가 제공될 수 있다.According to one embodiment of the invention, the base layer; an inorganic vapor deposition layer formed on the base layer; a first polyimide resin layer formed on the inorganic deposition layer; a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer; a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer.

본 발명자들은, 기재층과 폴리이미드층 사이에 고온에서 우수한 치수안정성을 갖는 무기막을 삽입하여, 고온에서의 팽창 등으로 치수안정성이 불량한 기재층의 단점을 줄이고, 전체 광학 적층체의 고온에서의 막 변형을 상대적으로 억제할 수 있으면서도, 기존 광학 적층체 수준의 열적, 전기적, 광학적 물성을 유지하거나 개선할 수 있음을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. The present inventors have inserted an inorganic film having excellent dimensional stability at high temperatures between the base layer and the polyimide layer, thereby reducing the disadvantages of the base layer having poor dimensional stability due to expansion at high temperatures, and film at high temperatures of the entire optical laminate. The present invention was completed after confirming through experiments that the thermal, electrical, and optical properties of the conventional optical laminate can be maintained or improved while the deformation can be relatively suppressed.

보다 구체적으로, 폴리이미드 이중막 구조가 코팅되는 기재층 상에 무기증착층을 도입하여 고온에서의 물리적, 광학적 막변형을 억제함으로서, 옥사이드 계열의 TFT가 아닌 LTPS 등의 높은 후열처리 공정이 필요한 공정에서도 적용이 가능한 기판 재료를 제조할 수 있다.More specifically, by introducing an inorganic vapor deposition layer on the substrate layer coated with a polyimide double film structure to suppress physical and optical film deformation at high temperatures, a process that requires a high post-heat treatment process such as LTPS rather than oxide-based TFT It is also possible to manufacture a substrate material that can be applied in

또한, 폴리이미드층을 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 이중층으로 구성하고, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 제1무기물층을 삽입하고, 제2 폴리이미드 수지층 상에도 제2 무기물층을 도입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 삽입된 제1무기물층과, 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층은 유리보다 투습도 및 흡습성이 강한 폴리이미드 수지층의 봉지능력을 강화시키기 위한 용도로 사용되며, 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층은 디스플레이 TFT구조에서 상기 제2 폴리이미드 수지층 위에 적용된 절연막으로 작용하여, 제2 폴리이미드 수지층에 대한 전기적 영향성을 줄일 수 있다.In addition, the polyimide layer is composed of a double layer of a first polyimide resin layer and a second polyimide resin layer, a first inorganic material layer is inserted between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, and the second A second inorganic material layer is also introduced on the polyimide resin layer, and the first inorganic material layer is inserted between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, and the second inorganic material layer is formed on the second polyimide resin layer. It is used to enhance the sealing ability of the polyimide resin layer, which has higher moisture permeability and hygroscopicity than silver glass, and the second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer is formed on the second polyimide resin layer in the display TFT structure. Acting as an applied insulating film, it is possible to reduce electrical influence on the second polyimide resin layer.

구체적으로, 상기 광학 적층체는 기재층을 포함할 수 있다. 상기 기재층은 대면적 플렉시블 디스플레이의 지지기판층으로 사용될 수 있다. 이를 위해 상기 기재층은 0.01 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하의 다양한 두께를 가질 수 있다. Specifically, the optical laminate may include a base layer. The base layer may be used as a support substrate layer of a large-area flexible display. To this end, the base layer may have various thicknesses of 0.01 μm or more and 1000 μm or less.

상기 기재층의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 유리기판, 웨이퍼기판, 가요성기판 또는 이들의 혼합물 등이 제한없이 사용될 수 있다. 상기 가요성 기판으로는 통상 가요성 소자의 기판 등에 적용가능한 것으로 알려진 폴리머라면 특별한 한정없이 포함할 수 있다. 구체적인 예로는, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아마이드이미드, 폴리에스테르, 폴리에테르 아마이드 이미드, 폴리에스테르 아마이드 이미드 및 폴리아릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리이미드계 수지를 포함할 수 있으며 폴리이미드의 종류는 특별히 제한되지 않는다.Examples of the substrate layer are not particularly limited, and a glass substrate, a wafer substrate, a flexible substrate, or a mixture thereof may be used without limitation. As the flexible substrate, any polymer known to be applicable to a substrate of a flexible device may be included without particular limitation. Specific examples include the group consisting of polyethersulfone, polyethylenenaphthalate, polyethyleneterephthalate, polycarbonate, polyimide, polyetherimide, polyamideimide, polyester, polyether amide imide, polyester amide imide and polyarylate. It may include one or more polymer resins selected from, and more preferably may include a polyimide-based resin, and the type of polyimide is not particularly limited.

바람직하게는 상기 기재층으로 유리기판을 사용할 수 있다.Preferably, a glass substrate may be used as the base layer.

또한, 상기 광학 적층체는 상기 기재층 상에 형성된 무기증착층을 포함할 수 있다. 종래 기재층인 유리 기판 상에 직접 폴리이미드 수지층을 적층하는 경우, 다수의 열처리 공정을 지나는 동안 폴리이미드 수지층에 막들뜸 또는 막변형과 같은 물리적 변형이 발생하는 문제가 있었다. 반면, 상기 기재층 상에 무기증착층을 형성한 이후 폴리이미드 수지층을 적층하는 경우, 상기 무기증착층에 의해 막들뜸이나 막변형이 저하되면서도 우수한 광학적 특성, 기계적 특성이 유지되는 효과를 얻었다.In addition, the optical laminate may include an inorganic deposition layer formed on the base layer. When a polyimide resin layer is directly laminated on a glass substrate, which is a conventional base layer, there is a problem in that physical deformation such as film lifting or film deformation occurs in the polyimide resin layer while passing through a plurality of heat treatment processes. On the other hand, when the polyimide resin layer is laminated after forming the inorganic vapor deposition layer on the substrate layer, excellent optical and mechanical characteristics are maintained even though film lifting or deformation is reduced by the inorganic vapor deposition layer.

구체적으로, 제1 폴리이미드 수지층과 맞닿는 기재층 상에 무기증착층을 도입하여 기재자체의 열팽창계수를 줄여서 고온에서의 치수변형수준(dimension change, 캐리어글래스의 두께방향으로의 팽창 또는 감소 수준)를 감소시킬 수 있다. 특히, 기재층에 사용되는 유리기판의 경우, 고온의 열이 가해지면 수평방향으로 팽창이 진행되어, 수직방향(두께방향)으로 수축이 일어나게 된다. 이때, 유리기판상에 적층된 무기증착층이 수직방향(두께방향)으로 수축을 억제하여 고온에서의 치수안정성, 물성안정성을 극대화시킬 수 있다.Specifically, by introducing an inorganic vapor deposition layer on the substrate layer in contact with the first polyimide resin layer, the thermal expansion coefficient of the substrate itself is reduced to reduce the level of dimensional change at high temperature (level of expansion or decrease in the thickness direction of the carrier glass) can reduce In particular, in the case of a glass substrate used for the base layer, when high-temperature heat is applied, expansion proceeds in the horizontal direction, and contraction occurs in the vertical direction (thickness direction). At this time, the inorganic deposition layer stacked on the glass substrate can suppress shrinkage in the vertical direction (thickness direction), thereby maximizing dimensional stability and stability of physical properties at high temperatures.

구체적으로, 상기 유리 기판 상에 형성된 무기증착층은 실리콘계 물질, 및 인듐 주석 산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 즉, 상기 유리 기판 상에 형성된 무기증착층은 실리콘계 물질 1종, 인듐 주석 산화물 1종, 혹은 이들의 2종 이상 혼합물을 포함할 수 있다. Specifically, the inorganic deposition layer formed on the glass substrate may include at least one selected from the group consisting of silicon-based materials and indium tin oxide. That is, the inorganic deposition layer formed on the glass substrate may include one type of silicon-based material, one type of indium tin oxide, or a mixture of two or more types thereof.

상기 실리콘계 물질은 비정형 실리콘, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다. 즉, 상기 실리콘계 물질은 비정형 실리콘 1종, 실리콘 산화물 1종, 실리콘 질화물 1종, 혹은 이들의 2종 이상 혼합물을 포함할 수 있다.The silicon-based material may include one selected from the group consisting of amorphous silicon, silicon oxide, and silicon nitride. That is, the silicon-based material may include one kind of amorphous silicon, one kind of silicon oxide, one kind of silicon nitride, or a mixture of two or more kinds thereof.

보다 바람직하게는 상기 유리 기판 상에 형성된 무기증착층은 실리콘계 물질을 포함할 수 있다.More preferably, the inorganic deposition layer formed on the glass substrate may include a silicon-based material.

상기 기재층 상에 형성된 무기증착층은, 기재층의 일면, 혹은 양면에 형성될 수 있다.The inorganic vapor deposition layer formed on the base layer may be formed on one side or both sides of the base layer.

상기 무기증착층의 형성에는, 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다. In the formation of the inorganic deposition layer, a conventional inorganic film formation method in the technical field to which the present invention belongs, such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not particularly limited, but, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDPCVD) may be applied.

또한, 상기 광학 적층체는 상기 무기증착층 상에 형성된 제1 폴리이미드 수지층을 포함할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층을 포함함에 따라, 제1 폴리이미드 수지층의 넓은 고분자 사슬간격으로 인하여 고저항 특성이 구현되어, 전기적 영향성이 줄어들어 디스플레이 장치 또는 플렉서블 디스플레이 장치에 기판으로 적용시 잔상 개선에 도움이 될 수 있다.In addition, the optical laminate may include a first polyimide resin layer formed on the inorganic deposition layer. As the first polyimide resin layer is included, high resistance characteristics are realized due to the wide polymer chain spacing of the first polyimide resin layer, and electrical influence is reduced, improving afterimage when applied as a substrate to a display device or a flexible display device can help

또한, 상기 디스플레이 장치용 또는 플렉서블 디스플레이 장치용 기판에 포함되는 제1 폴리이미드 수지층이 낮은 황색도를 가짐에 따라, 디스플레이 장치용 또는 플렉서블 디스플레이 장치에 기판으로 적용시 높은 투광도와 낮은 황색도의 우수한 광학 특성을 구현할 수 있다. 구체적으로, 470nm에서의 투과도가 향상되고, 포화대전압 반감기가 증가되어 저유전 특성을 구현할 수 있다.In addition, as the first polyimide resin layer included in the substrate for the display device or flexible display device has a low yellowness, when applied as a substrate for a display device or flexible display device, excellent light transmittance and low yellowness optical properties can be realized. Specifically, the transmittance at 470 nm is improved and the saturation charge voltage half-life is increased, so that low dielectric properties can be implemented.

구체적으로, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 황색지수가 20 이하, 또는 15 이, 또는 12 이하일 수 있다. 또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 황색지수가 0.1 이상, 또는 1 이상일 수 있다. 또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 황색지수가 0.1 내지 20, 또는 0.1 내지 15, 또는 0.1 내지 12, 또는 1 내지 20, 또는 1 내지 15, 또는 1 내지 12일 수 있다. 상기 황색지수는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛의 폴리이미드 수지층 시편에 대하여, color meter(GRETAGMACBETH사의 Color-Eye 7000A)를 이용하여 측정할 수 있다.Specifically, the yellow index of the first polyimide resin layer may be 20 or less, or 15 or 12 or less. In addition, the yellow index of the first polyimide resin layer may be 0.1 or more, or 1 or more. In addition, the yellow index of the first polyimide resin layer may be 0.1 to 20, or 0.1 to 15, or 0.1 to 12, or 1 to 20, or 1 to 15, or 1 to 12. The yellow index may be measured using a color meter (GRETAGMACBETH Color-Eye 7000A) for a polyimide resin layer specimen having a thickness of 5 μm to 15 μm or 9 μm to 11 μm.

또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 550 nm 파장에서의 투광도가 85% 이상, 또는 100% 이하, 또는 95%이하, 또는 85% 내지 100%, 또는 85% 내지 95%일 수 있다. 상기 투광도는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛의 폴리이미드 수지층 시편에 대하여, UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층의 550 nm 파장에서의 투광도가 85% 미만으로 감소하게 되면, 투명성이 불량해질 우려가 있다.In addition, the light transmittance of the first polyimide resin layer at a wavelength of 550 nm may be 85% or more, or 100% or less, or 95% or less, or 85% to 100%, or 85% to 95%. The light transmittance may be measured using a UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) device for a polyimide resin layer specimen having a thickness of 5 μm to 15 μm or 9 μm to 11 μm. When the light transmittance of the first polyimide resin layer at a wavelength of 550 nm is reduced to less than 85%, there is a risk of poor transparency.

또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 470 nm 파장에서의 투광도가 75% 이상, 또는 100% 이하, 또는 75% 내지 100%일 수 있다. 상기 투광도는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛의 폴리이미드 수지층 시편에 대하여, UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층의 470 nm 파장에서의 투광도가 65% 미만으로 감소하게 되면, 투명성이 불량해질 우려가 있다.In addition, the light transmittance of the first polyimide resin layer at a wavelength of 470 nm may be 75% or more, or 100% or less, or 75% to 100%. The light transmittance may be measured using a UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) device for a polyimide resin layer specimen having a thickness of 5 μm to 15 μm or 9 μm to 11 μm. When the light transmittance of the first polyimide resin layer at a wavelength of 470 nm is reduced to less than 65%, there is a risk of poor transparency.

또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 최대 인장강도가 140 MPa 이상, 또는 150 MPa 이상, 또는 155 MPa 이상, 또는 200 MPa 이하, 또는 180 MPa 이하, 또는 140 MPa 내지 200 MPa 이하, 또는 140 MPa 내지 180 MPa 이하, 또는 150 MPa 내지 200 MPa 이하, 또는 150 MPa 내지 180 MPa 이하, 또는 155 MPa 내지 200 MPa 이하, 또는 155 MPa 내지 180 MPa 이하 일 수 있다. 상기 최대 인장강도는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛의 폴리이미드 수지층 시편에 대하여, UTM(Universal testing machine)로 ASTM D 638 측정방법에 따라 인장시 파단 시점의 최대응력으로 측정할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층의 최대 인장강도가 140 MPa 미만으로 감소하게 되면, 상기 광학 적층체의 내구성이 불량해질 우려가 있다.In addition, the maximum tensile strength of the first polyimide resin layer is 140 MPa or more, or 150 MPa or more, or 155 MPa or more, or 200 MPa or less, or 180 MPa or less, or 140 MPa to 200 MPa or less, or 140 MPa to 200 MPa or less 180 MPa or less, or 150 MPa to 200 MPa or less, or 150 MPa to 180 MPa or less, or 155 MPa to 200 MPa or less, or 155 MPa to 180 MPa or less. The maximum tensile strength is measured by the maximum stress at the time of rupture during tension according to the ASTM D 638 measurement method with a universal testing machine (UTM) for a polyimide resin layer specimen having a thickness of 5 μm to 15 μm or 9 μm to 11 μm. can do. When the maximum tensile strength of the first polyimide resin layer is reduced to less than 140 MPa, there is a concern that durability of the optical laminate may deteriorate.

또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 포화대전압 반감기가 500초 이상, 또는 520초 이상, 또는 2000초 이하, 또는 500초 내지 2000초, 또는 520초 내지 2000초일 수 있다. 상기 포화대전압 반감기는 두께 5 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 9 ㎛ 내지 11 ㎛의 폴리이미드 수지층 시편에 대하여, Honestmeter 장치를 이용하여 JIS L 1094 표준하에 측정할 수 있다. 상기 제1 폴리이미드 수지층의 포화대전압 반감기가 500초 미만으로 감소하게 되면, 저유전 특성을 구현하기 어렵다.In addition, the saturation charge voltage half-life of the first polyimide resin layer may be 500 seconds or more, or 520 seconds or more, or 2000 seconds or less, or 500 seconds to 2000 seconds, or 520 seconds to 2000 seconds. The saturation charge voltage half-life may be measured according to the JIS L 1094 standard using a Honestmeter device for a polyimide resin layer specimen having a thickness of 5 μm to 15 μm or 9 μm to 11 μm. If the saturation charge voltage half-life of the first polyimide resin layer is reduced to less than 500 seconds, it is difficult to implement low dielectric characteristics.

보다 구체적으로, 상기 제1 폴리이미드 수지층은 전자끌개 작용기가 치환된 디아민으로부터 유래한 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 상기 폴리이미드 수지는 폴리이미드, 그리고 이의 전구체 중합체인 폴리아믹산, 폴리아믹산 에스테르를 모두 포함한 것을 의미한다. 즉, 상기 폴리이미드 수지는 폴리아믹산 반복단위, 폴리아믹산에스테르 반복단위, 및 폴리이미드 반복단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 즉, 폴리이미드 수지는 폴리아믹산 반복단위 1종, 폴리아믹산에스테르 반복단위 1종, 폴리이미드 반복단위 1종, 또는 이들의 2종 이상의 반복단위가 혼합된 공중합체를 포함할 수 있다.More specifically, the first polyimide resin layer may include a polyimide resin including a repeating unit derived from diamine in which an electron withdrawing functional group is substituted. In the present specification, the polyimide resin means including both polyimide and polyamic acid and polyamic acid ester, which are precursor polymers thereof. That is, the polyimide resin may include at least one selected from the group consisting of a polyamic acid repeating unit, a polyamic acid ester repeating unit, and a polyimide repeating unit. That is, the polyimide resin may include one type of polyamic acid repeating unit, one type of polyamic acid ester repeating unit, one type of polyimide repeating unit, or a copolymer in which two or more types of repeating units thereof are mixed.

상기 폴리아믹산 반복단위, 폴리아믹산에스테르 반복단위, 및 폴리이미드 반복단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반복단위는 상기 폴리이미드 수지의 주쇄를 형성할 수 있다.At least one repeating unit selected from the group consisting of the polyamic acid repeating unit, the polyamic acid ester repeating unit, and the polyimide repeating unit may form the main chain of the polyimide resin.

보다 구체적으로, 상기 제1 폴리이미드 수지층은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리이미드 수지를 포함할 수 있다.More specifically, the first polyimide resin layer may include a polyimide resin including a repeating unit represented by Chemical Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식1에서, X1은 방향족 4가 작용기이며, Y1은 전자끌개 작용기가 적어도 1이상 치환된 방향족 2가 작용기이다.In Chemical Formula 1, X 1 is an aromatic tetravalent functional group, and Y 1 is an aromatic divalent functional group substituted with at least one electron withdrawing functional group.

상기 Y1의 전자끌개 작용기가 적어도 1이상 치환된 방향족 2가 작용기는 하기 화학식2로 표시되는 2가 작용기를 포함할 수 있다.The aromatic divalent functional group in which at least one electron withdrawing functional group of Y 1 is substituted may include a divalent functional group represented by Chemical Formula 2 below.

[화학식2][Formula 2]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 2에서, Q1 및 Q2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 전자끌개 작용기이며, n, m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 이상 4 이하의 정수이다.In Formula 2, Q 1 and Q 2 are the same as or different from each other, and each independently represents an electron withdrawing functional group, n and m are the same as or different from each other, and each independently represents an integer of 1 or more and 4 or less.

일례로서 상기 화학식2로 표시되는 2가 작용기는 2,2'- 비스 (트리 플루오로 메틸) 벤지딘(2,2'-Bis(trifluoromethyl)benzidine, TFMB)로부터 유래된 하기 화학식2-1로 표시되는 작용기를 들 수 있다.As an example, the divalent functional group represented by Chemical Formula 2 is represented by the following Chemical Formula 2-1 derived from 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine (TFMB) Functional groups can be mentioned.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 2로 표시되는 작용기를 상기 Y1에 포함하게 되면, 전자끌개 효과를 부여할 수 있는 트리플루오루메틸기(-CF3) 등의 전자끌개 작용기를 치환기로 도입하여, 이미드 사슬 내에 존재하는 Pi-전자들의 CTC (charge transfer complex) 형성을 억제함을 통해 투명성을 확보하여 우수한 광학특성을 구현할 수 있다.When the functional group represented by Chemical Formula 2 is included in Y 1 , an electron withdrawing functional group such as a trifluoromethyl group (-CF 3 ) capable of imparting an electron withdrawing effect is introduced as a substituent, which is present in the imide chain. By suppressing the formation of charge transfer complex (CTC) of Pi-electrons, transparency can be secured and excellent optical properties can be realized.

즉, 폴리이미드 구조내 또는 사슬간 packing을 감소시킬 수 있으며, 입체장애 및 전기적 효과로 인해 발색원 간의 전기적인 상호작용을 약화시켜 가시광 영역에서 높은 투명성을 나타내게 할 수 있다.That is, packing within the polyimide structure or between chains can be reduced, and electrical interactions between color sources can be weakened due to steric hindrance and electrical effects, resulting in high transparency in the visible light region.

상기 화학식1에서, X1은 다중고리를 함유한 탄소수 24 이상, 또는 30 이하 또는 24 내지 30의 방향족 4가 작용기, 탄소수 9 이상, 또는 15 이하, 또는 9 내지 15의 방향족 4가의 작용기, 또는 이들의 혼합물 중 하나이며, 상기 X1은 폴리이미드 수지 합성에 사용되는 테트라카르복시산 이무수물 화합물로부터 유도된 작용기이다.In Formula 1, X 1 is an aromatic tetravalent functional group having 24 or more, or 30 or less carbon atoms or 24 to 30 carbon atoms, an aromatic tetravalent functional group having 9 or more, or 15 or less carbon atoms, or 9 to 15 carbon atoms, or these is one of the mixtures, wherein X 1 is a functional group derived from a tetracarboxylic dianhydride compound used in synthesizing a polyimide resin.

즉, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위는 X1이 다중고리를 함유한 탄소수 24 이상, 또는 30 이하, 또는 24 내지 30의 방향족 4가 작용기인 제1반복단위, X1이 탄소수 9 이상, 또는 15 이하, 또는 9 내지 15의 방향족 4가의 작용기인 제2반복단위, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다.That is, in the repeating unit represented by Chemical Formula 1, X 1 is a first repeating unit having 24 or more, or 30 or less carbon atoms, or an aromatic tetravalent functional group having 24 to 30 carbon atoms, X 1 is 9 or more carbon atoms, or It may include 15 or less, or 9 to 15 aromatic tetravalent functional groups of the second repeating unit, or all of them.

상기 제1반복단위와 제2반복단위가 함께 포함되는 경우, 상기 제2반복단위 100 몰에 대하여, 상기 제1반복단위의 몰 비율이 10 몰 이상, 또는 90 몰 이하, 또는 10 몰 내지 90 몰일 수 있다. 상술한 수치범위 내에서 상기 폴리이미드 수지로부터 합성된 제1폴리이미드 수지층을 기재층상 무기증착층 상에 적층시킨 광학 적층체는 우수한 내열성, 유전특성 및 광학특성을 동시에 만족할 수 있다.When the first repeating unit and the second repeating unit are included together, the mole ratio of the first repeating unit to 100 moles of the second repeating unit is 10 moles or more, or 90 moles or less, or 10 to 90 moles. can An optical laminate in which the first polyimide resin layer synthesized from the polyimide resin is laminated on the inorganic deposition layer on the substrate layer within the above numerical range may simultaneously satisfy excellent heat resistance, dielectric properties, and optical properties.

상기 다중고리를 함유한 탄소수 24 이상의 방향족 4가 작용기를 상기 X1에 포함하게 되면, 다중고리에 의해 입체장애가 증가된 비대칭성 구조가 폴리이미드 사슬 구조에 도입됨으로써, 열에 의한 변형을 완화시켜 내열성을 향상시킬 수 있으며, 바람직하게는 면 방향과 두께 방향의 굴절률 차이를 줄임으로서 저위상차를 구현할 수 있다.When the multi-ring-containing aromatic 4 having 24 or more carbon atoms includes a functional group in X 1 , an asymmetric structure in which steric hindrance is increased due to the multi-ring is introduced into the polyimide chain structure, thereby relieving heat-induced deformation and improving heat resistance. It is possible to improve, and preferably, it is possible to implement a low phase difference by reducing the difference in refractive index between the plane direction and the thickness direction.

보다 구체적으로, 상기 X1의 다중고리를 함유한 탄소수 24 이상의 방향족 4가 작용기는 하기 화학식3으로 표시되는 4가의 작용기를 포함할 수 있다.More specifically, the tetravalent aromatic functional group having 24 or more carbon atoms containing a polycyclic ring of X 1 may include a tetravalent functional group represented by Chemical Formula 3 below.

[화학식3][Formula 3]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식3에서, Ar은 다중고리 방향족 2가 작용기이다. 상기 다중고리 방향족 2가 작용기는 다중고리 방향족 탄화수소(polycyclic aromatic hydrocarbon) 화합물로 또는 이의 유도체 화합물로부터 유래된 2가의 작용기로서, 플루오레닐렌기를 포함할 수 있다. 상기 유도체 화합물은 1이상의 치환기가 도입되거나, 탄소원자가 헤테로원자로 대체된 화합물을 모두 포함한다.In Chemical Formula 3, Ar is a polycyclic aromatic divalent functional group. The multi-cyclic aromatic divalent functional group is a divalent functional group derived from a polycyclic aromatic hydrocarbon compound or a derivative compound thereof, and may include a fluorenylene group. The derivative compound includes all compounds in which one or more substituents are introduced or carbon atoms are replaced with heteroatoms.

보다 구체적으로, 상기 화학식3의 Ar에서, 다중고리 방향족 2가 작용기는 적어도 2이상의 방향족 고리 화합물이 함유된 접합 고리형 2가 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 다중고리 방향족 2가 작용기는, 작용기 구조내에 적어도 2이상의 방향족 고리 화합물이 함유되고, 뿐만 아니라 작용기가 접합 고리(fused ring) 구조를 가질 수 있다.More specifically, in Ar of Chemical Formula 3, the multi-cyclic aromatic divalent functional group may include a fused cyclic divalent functional group containing at least two or more aromatic ring compounds. That is, the multi-cyclic aromatic divalent functional group contains at least two or more aromatic ring compounds in the functional group structure, and the functional group may have a fused ring structure.

상기 방향족 고리 화합물은 1이상의 벤젠고리를 함유한 아렌 화합물, 또는 상기 아렌 화합물 내 탄소원자가 헤테로원자로 대체된 헤테로 아렌 화합물을 포함할 수 있다.The aromatic ring compound may include an arene compound containing at least one benzene ring or a hetero arene compound in which a carbon atom in the arene compound is replaced with a hetero atom.

상기 방향족 고리 화합물은 다중고리 방향족 2가 작용기 내에 적어도 2이상 함유될 수 있으며, 상기 2이상의 방향족 고리 화합물 각각은 직접 접합 고리를 형성하거나, 혹은 다른 고리 구조를 매개로 접합고리를 형성할 수 있다. 일례로 2개의 벤젠고리가 시클로알킬고리구조에 각각 접합되는 경우, 시클로알킬 고리를 매 개로 2개의 벤젠고리가 접합고리를 형성했다고 정의할 수 있다.The aromatic ring compound may contain at least two or more in a polycyclic aromatic divalent functional group, and each of the two or more aromatic ring compounds may form a bonded ring directly or form a bonded ring through another ring structure. For example, when two benzene rings are each bonded to a cycloalkyl ring structure, it can be defined that two benzene rings form a bonded ring through a cycloalkyl ring.

상기 적어도 2이상의 방향족 고리 화합물이 함유된 접합 고리형 2가 작용기는 적어도 2이상의 방향족 고리 화합물이 함유된 접합 고리 화합물 또는 이의 유도체 화합물로부터 유래된 2가의 작용기로서, 상기 유도체 화합물은 1이상의 치환기가 도입되거나, 탄소원자가 헤테로원자로 대체된 화합물을 모두 포함한다.The fused cyclic divalent functional group containing at least two or more aromatic ring compounds is a divalent functional group derived from a fused ring compound containing at least two or more aromatic ring compounds or a derivative compound thereof, wherein the derivative compound has one or more substituents introduced therein. or a compound in which a carbon atom is replaced with a heteroatom.

일례로서 상기 화학식3으로 표시되는 4가의 작용기는 9,9-비스(3,4-디카복시페닐)플루오렌이무수물 (9,9-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene Dianhydride)로부터 유래된 하기 화학식3-1로 표시되는 작용기를 들 수 있다.As an example, the tetravalent functional group represented by Formula 3 is derived from 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride. and functional groups represented by Chemical Formula 3-1.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00007
Figure pat00007

한편, 상기 탄소수 9 이상 15 이하의 방향족 4가의 작용기는 하기 화학식4로 표시되는 4가의 작용기를 포함할 수 있다.Meanwhile, the tetravalent aromatic functional group having 9 to 15 carbon atoms may include a tetravalent functional group represented by Chemical Formula 4 below.

[화학식4][Formula 4]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식4에서, L은 단일결합, -O-, -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -CR1R2-, -(CH2)t-, -O(CH2)tO-, -COO(CH2)tOCO-, -CONH-, 페닐렌 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이며, 상기에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 10의 할로 알킬기 중 하나이고, t는 1 내지 10의 정수이다.In Formula 4, L is a single bond, -O-, -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -CR 1 R 2 -, -(CH 2 ) t -, -O(CH 2 ) t O-, -COO(CH 2 ) t OCO-, -CONH-, any one selected from the group consisting of phenylene or a combination thereof, wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a haloalkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and t is an integer of 1 to 10.

일례로서 상기 화학식4로 표시되는 4가의 작용기는 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복시산 이무수물 (3,3′,4,4′-Biphenyltetracarboxylic dianhydride)로부터 유래된 하기 화학식4-1로 표시되는 작용기를 들 수 있다.As an example, the tetravalent functional group represented by Chemical Formula 4 is derived from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (Formula 4-1 below) The functional group represented by can be mentioned.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure pat00009
Figure pat00009

보다 구체적으로, 상기 폴리이미드계 수지는 테트라카르복시산 이무수물의 말단 무수물기(-OC-O-CO-)와, 전자끌개 작용기가 적어도 1이상 치환된 방향족 디아민의 말단 아미노기(-NH2)의 반응으로 아미노기의 질소원자와 무수물기의 탄소원자간 결합이 형성될 수 있다. More specifically, the polyimide-based resin is a reaction between a terminal anhydride group (-OC-O-CO-) of a tetracarboxylic dianhydride and a terminal amino group (-NH 2 ) of an aromatic diamine substituted with at least one electron withdrawing functional group. A bond may be formed between the nitrogen atom of the amino group and the carbon atom of the anhydride group.

또한, 상기 제1 폴리이미드 수지층에 포함된 폴리이미드 수지는 하기 화학식5로 표시되는 반복단위를 더 포함할 수 있다.In addition, the polyimide resin included in the first polyimide resin layer may further include a repeating unit represented by Chemical Formula 5 below.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식5에서, X2은 방향족 4가 작용기이며, Y2은 비치환된 방향족 2가 작용기이다. 상기 화학식5에서 X2은 상기 화학식1의 X1에 대한 설명과 동일하다.In Chemical Formula 5, X 2 is an aromatic divalent functional group, and Y 2 is an unsubstituted aromatic divalent functional group. X 2 in Formula 5 is the same as the description for X 1 in Formula 1 above.

한편, 상기 Y2의 비치환된 방향족 2가 작용기는 파라-페닐렌 디아민으로부터 유래된 하기 화학식6으로 표시되는 작용기를 들 수 있다.Meanwhile, the unsubstituted aromatic divalent functional group of Y 2 may include a functional group represented by the following Chemical Formula 6 derived from para-phenylene diamine.

[화학식6][Formula 6]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식5로 표시되는 반복단위는 고온에서의 기계적 물성 및 우수한 내열성을 가질 수 있으므로, 제1 폴리이미드 수지층이 상기 화학식5로 표시되는 반복단위를 포함하게 되면, 상기 일 구현예의 광학 적층체가 430 ℃ 이상의 고온의 공정을 거치더라도 열에 의한 변형 및 변성이 현저하게 줄어들 수 있다.Since the repeating unit represented by Chemical Formula 5 may have mechanical properties and excellent heat resistance at high temperatures, when the first polyimide resin layer includes the repeating unit represented by Chemical Formula 5, the optical laminate of one embodiment may have 430 Even through a high-temperature process of °C or higher, deformation and denaturation due to heat can be significantly reduced.

한편, 상기 제1 폴리이미드 수지층에 포함된 폴리이미드 수지가 400 ℃ 이상의 온도에서 경화된 경화물을 포함할 수 있다. 상기 경화물은 폴리이미드 전구체 조성물의 경화공정을 거쳐 얻어진 물질을 의미하며, 상기 경화공정은 400 ℃ 이상, 또는 500 ℃ 이하, 또는 400 ℃ 내지 500 ℃의 온도에서 진행될 수 있다.Meanwhile, the polyimide resin included in the first polyimide resin layer may include a cured material cured at a temperature of 400 °C or higher. The cured product refers to a material obtained through a curing process of the polyimide precursor composition, and the curing process may be performed at a temperature of 400 °C or more, 500 °C or less, or 400 °C to 500 °C.

보다 구체적으로 상기 제1 폴리이미드 수지층을 합성하는 방법의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 폴리이미드 전구체 조성물을 무기증착층이 형성된 기재층에 도포하여 도막을 형성하는 단계(단계 1); 상기 도막을 건조하는 단계(단계 2); 상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계(단계 3)를 포함하는, 제조 방법을 사용할 수 있다.More specifically, an example of a method of synthesizing the first polyimide resin layer is not particularly limited, and for example, forming a coating film by applying a polyimide precursor composition to a base layer on which an inorganic deposition layer is formed (step 1) ; drying the coating film (step 2); A manufacturing method including a step (step 3) of curing the dried coating film by heat treatment may be used.

상기 단계 1은, 상술한 폴리이미드 전구체 조성물을 무기증착층이 형성된 기재층에 도포하여 도막을 형성하는 단계이다. 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 기판에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 등의 방법이 이용될 수 있다.Step 1 is a step of forming a coating film by applying the polyimide precursor composition described above to the base layer on which the inorganic deposition layer is formed. A method of applying the polyimide precursor composition to the substrate is not particularly limited, and for example, screen printing, offset printing, flexographic printing, inkjet, or the like may be used.

그리고, 상기 폴리이미드 전구체 조성물은 유기 용매에 용해 또는 분산시킨 것일 수 있다. 이러한 형태를 갖는 경우, 예를 들어 폴리이미드계 수지를 유기 용매 중에서 합성한 경우에는, 용액은 얻어지는 반응 용액 그 자체여도 되고, 또 이 반응 용액을 다른 용매로 희석한 것이어도 된다. 또, 폴리이미드계 수지를 분말로서 얻은 경우에는, 이것을 유기 용매에 용해시켜 용액으로 한 것이어도 된다. And, the polyimide precursor composition may be dissolved or dispersed in an organic solvent. In the case of having such a form, for example, when a polyimide-based resin is synthesized in an organic solvent, the solution may be the obtained reaction solution itself or a solution obtained by diluting this reaction solution with another solvent. Moreover, when polyimide-type resin was obtained as powder, what was made into the solution by dissolving this in the organic solvent may be used.

상기 유기 용매의 구체적인 예로는 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 2-피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭사이드, 감마-부티로락톤, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 1,3-디메틸-이미다졸리디논, 에틸아밀케톤, 메틸노닐케톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 메틸이소프로필케톤, 사이클로헥사논, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디글라임, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용될 수도 있고, 혼합하여 사용될 수도 있다.Specific examples of the organic solvent include toluene, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-pyrrolidone, N-ethyl Pyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylsulfoxide, gamma-butyrolactone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3- Ethoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 1,3-dimethyl-imidazolidinone, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoa Mil ketone, methyl isopropyl ketone, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, diglyme, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monoethyl Ether, Ethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate, Ethylene Glycol Monopropyl Ether, Ethylene Glycol Monopropyl Ether Acetate, Ethylene Glycol Monoisopropyl Ether, Ethylene Glycol Monoisopropyl Ether Acetate, Ethylene Glycol Monobutyl Ether, Ethylene Glycol Monobutyl Ether Acetate etc. are mentioned. These may be used alone or in combination.

상기 폴리이미드 전구체 조성물은 필름 형성 공정시의 도포성 등의 공정성을 고려하여 적절한 점도를 갖도록 하는 양으로 고형분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전체 수지의 함량이 5 중량% 이상, 또는 25 중량% 이하, 또는 20 중량% 이하, 또는 5 중량% 내지 25 중량%, 또는 5 중량% 내지 20 중량%가 되도록 조성물의 함량을 조절할 수 있으며, 또는 5 중량% 이상 로 조절할 수 있다.The polyimide precursor composition may include a solid content in an amount to have an appropriate viscosity in consideration of processability such as coatability during the film forming process. For example, the content of the composition is adjusted so that the total resin content is 5 wt% or more, or 25 wt% or less, or 20 wt% or less, or 5 wt% to 25 wt%, or 5 wt% to 20 wt%. It can be, or it can be adjusted to 5% by weight or more.

또한, 상기 폴리이미드 전구체 조성물은 유기 용매 외에 다른 성분을 추가로 포함할 수 있다. 비제한적인 예로, 상기 폴리이미드계 수지를 함유한 수지 조성물이 도포되었을 때, 막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키거나, 혹은 기판과의 밀착성을 향상시키거나, 혹은 유전율이나 도전성을 변화시키거나, 혹은 치밀성을 증가시킬 수 있는 첨가제가 추가로 포함될 수 있다. 이러한 첨가제로는 계면 활성제, 실란계 화합물, 유전체 또는 가교성 화합물 등이 예시될 수 있다.In addition, the polyimide precursor composition may further include other components in addition to the organic solvent. As a non-limiting example, when the resin composition containing the polyimide-based resin is applied, the film thickness uniformity or surface smoothness may be improved, or adhesion to a substrate may be improved, or permittivity or conductivity may be changed. Alternatively, additives capable of increasing compaction may be additionally included. Such additives may include surfactants, silane-based compounds, dielectric or cross-linkable compounds, and the like.

상기 단계 2는, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 무기증착층이 형성된 기재층에 도포하여 형성된 도막을 건조하는 단계이다. Step 2 is a step of drying the coating film formed by applying the polyimide precursor composition to the substrate layer on which the inorganic deposition layer is formed.

상기 도막의 건조 단계는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 50 ℃ 이상, 또는 150 ℃ 이하, 또는 100 ℃이하, 또는 50 ℃ 내지 150 ℃, 또는 50 ℃ 내지 100 ℃온도로 수행할 수 있다.The drying step of the coating film may be performed by a heating means such as a hot plate, a hot air circulation furnace, an infrared furnace, or the like, and may be performed at 50° C. or higher, or 150° C. or lower, or 100° C. or lower, or 50° C. to 150° C., or 50° C. to 50° C. It can be carried out at a temperature of 100 °C.

상기 단계 3은, 상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계이다. 이때, 상기 열처리는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 400 ℃ 이상, 또는 500 ℃ 이하, 또는 400 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 수행할 수 있다.Step 3 is a step of curing the dried coating film by heat treatment. In this case, the heat treatment may be performed by a heating means such as a hot plate, a hot air circulation furnace, an infrared furnace, or the like, and may be performed at a temperature of 400° C. or higher, 500° C. or lower, or 400° C. to 500° C.

또한, 상기 광학 적층체는 상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기물층은 상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층 사이에 위치하여, 공기 및 수분을 차단하여, 우수한 소자 안정성을 갖는 광학 적층체를 제공할 수 있다. In addition, the optical laminate may include a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer. The first inorganic material layer may be positioned between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer to block air and moisture, thereby providing an optical laminate having excellent device stability.

상기 제1 무기물층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 및 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기물을 포함할 수 있다.The first inorganic material layer is at least one inorganic material selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO), and aluminum oxynitride (AlON) can include

상기 제1 무기물층의 두께는 크게 한정되지 않으며, 1000 Å 내지 7000 Å의 범위내에서 제한없이 적용할 수 있다. 다만, 제한적인 일례로서, 상기 제1 무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 400 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 400 ㎚ 내지 700 ㎚의 두께를 가질 수 있다.The thickness of the first inorganic material layer is not particularly limited, and may be applied without limitation within a range of 1000 Å to 7000 Å. However, as a limited example, the first inorganic material layer may have a thickness of 100 nm or more, or 400 nm or more, or 700 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 400 nm to 700 nm.

상기 제1 무기물층의 형성에는 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다.For forming the first inorganic material layer, a conventional inorganic film forming method in the art, such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not particularly limited, but, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDPCVD) may be applied.

또한, 상기 광학 적층체는 상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층을 포함할 수 있다. 상기 제2 폴리이미드 수지층의 조성에 대한 내용은, 상기 제1 폴리이미드 수지층과 동일하다. In addition, the optical laminate may include a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer. A composition of the second polyimide resin layer is the same as that of the first polyimide resin layer.

한편, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께가 제2 폴리이미드 수지층의 두께 보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.7 ㎛일 수 있다. 이에 따라, 두께에 의한 물리적 강도 측면에서 적층시 구조 안정성이 향상되며, 투습방지성 또한 향상될 수 있다. 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 미만으로 지나치게 감소하면, 제2 폴리이미드 수지층에 의한 구조 안정성 및 투습방지성이 충분히 구현되기 어렵고, 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.7 ㎛ 초과로 지나치게 증가하게 되면, 폴리이미드 수지층 두께 증가로 인해 투과도 저하 및 막들뜸이 증가하는 문제가 발생할 수 있다.Meanwhile, the thickness of the first polyimide resin layer may be greater than the thickness of the second polyimide resin layer. Specifically, based on the thickness of the first polyimide resin layer of 1 μm, the thickness ratio of the second polyimide resin layer may be 0.3 μm to 0.7 μm. Accordingly, in terms of physical strength by thickness, structural stability during lamination may be improved, and moisture permeation resistance may also be improved. When the thickness ratio of the second polyimide resin layer is excessively reduced to less than 0.3 μm based on the thickness of the first polyimide resin layer of 1 μm, the structural stability and moisture permeation resistance of the second polyimide resin layer cannot be sufficiently implemented. It is difficult, and when the thickness ratio of the second polyimide resin layer excessively increases to more than 0.7 μm based on the thickness of the first polyimide resin layer of 1 μm, the increase in the thickness of the polyimide resin layer reduces permeability and increases film lifting problem may arise.

예를 들어, 상기 일 구현예에서 상기 제1 폴리이미드 수지층은 1 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 2 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 6 ㎛ 내지 15 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 10 ㎛, 또는 2 ㎛ 내지 10 ㎛, 또는 6 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 갖고, 상기 제2 폴리이미드 수지층은 0.5 ㎛ 내지 6 ㎛, 또는 1 ㎛ 내지 6㎛, 또는 3 ㎛ 내지 6㎛의 두께를 가질 수 있다. For example, in one embodiment, the first polyimide resin layer has a thickness of 1 μm to 15 μm, or 2 μm to 15 μm, or 6 μm to 15 μm, or 1 μm to 10 μm, or 2 μm to 10 μm. , or has a thickness of 6 μm to 10 μm, and the second polyimide resin layer may have a thickness of 0.5 μm to 6 μm, or 1 μm to 6 μm, or 3 μm to 6 μm.

또한, 상기 광학 적층체는 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기물층은 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 위치하여, 공기 및 수분을 차단하여, 우수한 소자 안정성을 구현할 수 있으며, 박막 트랜지스터에 의한 전기적 영향을 최소화함에 따라 고품질의 디스플레이 장치용 또는 플렉서블 디스플레이 장치용 장치에 적합한 광학 적층체를 제공할 수 있다.In addition, the optical laminate may include a second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer. The second inorganic material layer is located on the second polyimide resin layer, blocks air and moisture, can realize excellent device stability, and minimizes the electrical effect of the thin film transistor, so it is a high-quality display device or flexible An optical laminate suitable for a device for a display device can be provided.

즉, 상기 제2 무기물층은 디스플레이 TFT구조에서 상기 제2 폴리이미드 수지층 위에 적용된 절연막으로 작용하여, 제2 폴리이미드 수지층에 대한 전기적 영향성을 줄일 수 있다.That is, the second inorganic material layer may act as an insulating film applied on the second polyimide resin layer in the display TFT structure, thereby reducing electrical influence on the second polyimide resin layer.

상기 제2 무기물층은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 및 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 무기물을 포함할 수 있다.The second inorganic material layer is at least one inorganic material selected from the group consisting of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (AlO), and aluminum oxynitride (AlON) can include

상기 제2 무기물층의 형성에는 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD) 등 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 무기막 형성 방법이 적용될 수 있다. 특히, 상기 화학 기상 증착법의 구체적인 방법이 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 또는 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착법(HDPCVD) 등을 적용할 수 있다.For forming the second inorganic material layer, a conventional inorganic film forming method in the art, such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), may be applied. In particular, the specific method of the chemical vapor deposition method is not particularly limited, but, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or high-density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDPCVD) may be applied.

상기 제2 무기물층의 두께는 크게 한정되지 않으며, 1000 Å 내지 7000 Å의 범위내에서 제한없이 적용할 수 있다. 다만, 제한적인 일례로서, 상기 제1 무기물층의 두께가 제2 무기물층의 두께 보다 클 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 무기물층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 무기물층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.7 ㎛일 수 있다. 이는, 상기 제1 무기물층은 상기 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층 사이에 적층되는 구조이고, 제2 무기물층은 제2 폴리이미드 수지층 상에만 적층되는 구조상에 차이에 기인한 것이다.The thickness of the second inorganic material layer is not particularly limited, and may be applied without limitation within a range of 1000 Å to 7000 Å. However, as a limited example, the thickness of the first inorganic material layer may be greater than the thickness of the second inorganic material layer. Specifically, based on the thickness of the first inorganic material layer of 1 μm, the thickness ratio of the second inorganic material layer may be 0.3 μm to 0.7 μm. This is due to the difference in the structure in which the first inorganic material layer is laminated between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, and the second inorganic material layer is laminated only on the second polyimide resin layer. will be.

예를 들어, 상기 제1 무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 400 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 400 ㎚ 내지 700 ㎚의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2무기물층은 100 ㎚ 이상, 또는 700 ㎚ 이하, 또는 400 ㎚ 이하, 또는 100 ㎚ 내지 700 ㎚, 또는 100 ㎚ 내지 400 ㎚의 두께를 가질 수 있다. For example, the first inorganic material layer may have a thickness of 100 nm or more, or 400 nm or more, or 700 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 400 nm to 700 nm. Also, the second inorganic material layer may have a thickness of 100 nm or more, or 700 nm or less, or 400 nm or less, or 100 nm to 700 nm, or 100 nm to 400 nm.

본 발명에 따른 광학 적층체는 강직한 구조에 의한 내열성, 기계적 강도 등의 특성을 그대로 유지하면서, 우수한 무색 투명한 특성을 나타낼 수 있어, 소자용 기판, 디스플레이용 커버기판, 광학 필름(optical film), 회로 기판, IC(integrated circuit) 패키지, 전착 필름(adhesive film), 다층 FRC(flexible printed circuit), 테이프, 터치패널, 광디스크용 보호필름 등과 같은 다양한 분야에 사용될 수 있다.The optical laminate according to the present invention can exhibit excellent colorless and transparent properties while maintaining properties such as heat resistance and mechanical strength due to a rigid structure, and can be used as a device substrate, a cover substrate for a display, an optical film, It can be used in various fields such as a circuit board, an integrated circuit (IC) package, an adhesive film, a multi-layer flexible printed circuit (FRC), a tape, a touch panel, and a protective film for an optical disk.

한편, 상기 광학 적층체의 하기 수학식에 의해 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화가 60 이하, 또는 10 이하, 또는 8 이하, 또는 0 이상, 또는 0 내지 60, 또는 0 내지 10, 또는 0 내지 8일 수 있다.On the other hand, according to the following equation of the optical laminate, the change in yellowness before and after the heat treatment process at 430 ° C is 60 or less, or 10 or less, or 8 or less, or 0 or more, or 0 to 60, or 0 to 10, or 0 to 8 days.

[수학식][mathematical expression]

430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화(△YI) = (430 ℃ 후열처리공정 이후의 광학 적층체 황색도(YI1)) - (430 ℃ 후열처리공정 이전의 광학 적층체 황색도(YI0))Yellowness change before and after 430 ° C post-heat treatment (ΔYI) = (Yellowness of optical laminate after 430 ° C post-heat treatment (YI 1 )) - (Yellowness of optical laminate before 430 ° C post-heat treatment (YI 0 ) ))

상기 수학식에서, 430 ℃ 후열처리공정의 예를 들면, 상기 광학 적층체를 430 ℃까지 2시간 동안 승온하고, 2시간 동안 430 ℃ 등온을 거친 후, 2시간동안 50 ℃ 로 냉각하는 공정을 들 수 있다.In the above equation, as an example of the 430 ° C post-heat treatment step, the optical laminate may be heated to 430 ° C for 2 hours, subjected to an isothermal temperature of 430 ° C for 2 hours, and then cooled to 50 ° C for 2 hours. there is.

상기 광학 적층체가 상기 수학식에 의해 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화가 60 초과, 혹은 10 초과, 혹은 8 초과로 지나치게 증가하게 되면, 400 ℃ 이상의 고온에서 적층체의 광학적 변형이 심해져 oxide계열의 TFT가 아닌 LTPS등의 높은 후열처리 공정이 필요한 공정을 진행하기 어려운 한계가 있다.If the change in yellowness of the optical laminate before and after the heat treatment process at 430 ° C is excessively increased to more than 60, or more than 10, or more than 8 according to the above equation, the optical deformation of the laminate becomes severe at a high temperature of 400 ° C. or more, resulting in oxide-based There is a limitation that it is difficult to proceed with a process that requires a high post-heat treatment process such as LTPS rather than TFT.

한편, 상기 광학 적층체에 포함된, 기재층; 및 무기증착층으로 이루어진 적층체에 대하여, 50 ℃ 에서 430 ℃ 까지 5 ℃/min의 승온 속도로 1차 승온공정을 진행한 후, 4 ℃/min의 냉각속도로 80 ℃까지 냉각공정을 진행한 후, 480 ℃ 까지 5 ℃/min 의 승온 속도로 2차 승온공정을 진행할 때의 수직방향 열팽창수준(dimesion change)가 -2 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 -1 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다.On the other hand, included in the optical laminate, the base layer; and an inorganic vapor deposition layer, a first heating step was performed from 50 ° C to 430 ° C at a temperature raising rate of 5 ° C / min, and then a cooling step was performed to 80 ° C at a cooling rate of 4 ° C / min. After that, the vertical thermal expansion level (dimension change) when the second heating step is performed at a temperature raising rate of 5 ° C / min to 480 ° C is -2 μm or more and 2 μm or less, more preferably -1 μm or more and 1 μm or less. there is.

상기 열팽창수준(dimesion change)을 측정하는 방법의 예로는 열기계분석법(TMA, Thermomechanical Analyzer)을 들 수 있으며, 상기 열기계분석법의 구체적인 장비, 측정방법에 대한 내용은 기존 고분자의 열기계분석에 관한 내용을 제한없이 적용할 수 있다.An example of a method for measuring the dimension change is a thermomechanical analyzer (TMA), and the specific equipment and measurement method of the thermomechanical analysis method are related to the thermomechanical analysis of existing polymers. Content can be applied without restrictions.

상기 수직방향 열팽창수준(dimesion change)가 -2 ㎛ 미만, 또는 2 ㎛ 초과로 지나치게 증가하게 되면, 400 ℃ 이상의 고온에서 적층체의 물리적 변형이 심해 치수안정성이 불량해짐에 따라, oxide계열의 TFT가 아닌 LTPS등의 높은 후열처리 공정이 필요한 공정을 진행하기 어려운 한계가 있다.When the vertical direction thermal expansion level (dimension change) is excessively increased to less than -2 ㎛ or more than 2 ㎛, as the physical deformation of the laminate is severe at a high temperature of 400 ℃ or more and the dimensional stability is poor, the oxide-based TFT There is a limitation that it is difficult to proceed with a process that requires a high post-heat treatment process such as LTPS.

2. 디스플레이 장치용 기판2. Substrates for display devices

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 광학 적층체를 포함하는 디스플레이 장치용 기판이 제공될 수 있다. 상기 광학 적층체에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, a substrate for a display device including the optical laminate of one embodiment may be provided. Information regarding the optical laminate may include all of the above-described information in the embodiment.

상기 기판을 포함하는 디스플레이 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display device, LCD), 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED), 플렉서블 디스플레이(Flexible Display), 또는 감김 가능 디스플레이 장치(rollable display or foldable display) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A display device including the substrate is a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a flexible display, or a rollable display or foldable display ), etc., but is not limited thereto.

상기 디스플레이 장치는 적용 분야 및 구체적인 형태 등에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 커버 플라스틱 윈도우, 터치 패널, 편광판, 배리어 필름, 발광 소자(OLED 소자 등), 투명 기판 등을 포함하는 구조일 수 있다.The display device may have various structures depending on application fields and specific shapes. For example, it may have a structure including a cover plastic window, a touch panel, a polarizer, a barrier film, a light emitting device (OLED device, etc.), a transparent substrate, and the like. there is.

상술한 일 구현예의 광학 적층체는 이러한 다양한 디스플레이 장치에서 기판, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판으로 적용될 수 있다.The optical laminate of one embodiment described above may be used for various purposes such as a substrate, an external protective film, or a cover window in various display devices, and more specifically, may be applied as a substrate.

예를 들면, 상기 디스플레이 장치용 기판은 소자보호층, 투명 전극층, 실리콘 산화물층, 광학 적층체, 실리콘 산화물층 및 하드 코팅층이 순차적으로 적층된 구조를 구비할 수 있다.For example, the display device substrate may have a structure in which a device protection layer, a transparent electrode layer, a silicon oxide layer, an optical laminate, a silicon oxide layer, and a hard coating layer are sequentially stacked.

상기 광학 적층체는 내용제성 내지 수분투과성 및 광학적 특성을 보다 향상시킬 수 있는 측면에서 투명 폴리이미드계 수지 필름과 경화층 사이에 형성된, 실리콘산화물층을 포함할 수 있으며, 상기 실리콘산화물층은 폴리실라잔을 경화시켜 생성되는 것일 수 있다.The optical laminate may include a silicon oxide layer formed between a transparent polyimide-based resin film and a cured layer in order to further improve solvent resistance, water permeability and optical properties, and the silicon oxide layer is polysilla It may be produced by hardening a cup.

구체적으로, 상기 실리콘산화물층은 상기 투명 폴리이미드계 수지 필름의 적어도 일면상에 코팅층을 형성하는 단계 이전에 폴리실라잔을 포함하는 용액을 코팅 및 건조한 후 상기 코팅된 폴리실라잔을 경화시켜 형성되는 것일 수 있다.Specifically, the silicon oxide layer is formed by coating and drying a solution containing polysilazane before forming a coating layer on at least one surface of the transparent polyimide-based resin film, and then curing the coated polysilazane. it could be

본 발명에 따른 디스플레이 장치용 기판은 상술한 소자보호층을 포함함으로써 우수한 휨특성 및 내충격성을 가지면서, 내용제성, 광학특성, 수분투과도 및 내스크래치성을 갖는 투명 폴리이미드 커버기판을 제공할 수 있다.The substrate for a display device according to the present invention includes the above-described device protection layer, thereby providing a transparent polyimide cover substrate having excellent bending characteristics and impact resistance, as well as solvent resistance, optical characteristics, moisture permeability and scratch resistance. there is.

3. 광학 장치3. Optics

한편, 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 광학 적층체를 포함하는 광학 장치가 제공될 수 있다. 상기 광학 적층체에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, an optical device including the optical laminate of one embodiment may be provided. Information regarding the optical laminate may include all of the above-described information in the embodiment.

상기 광학 장치는 빛에 의해 구현되는 성질을 이용한 각종 장치가 모두 포함될 수 있으며, 예를 들어, 디스플레이 장치를 들 수 있다. 상기 디스플레이 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(liquid crystal display device, LCD), 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED), 플렉서블 디스플레이(Flexible Display), 또는 감김 가능 디스플레이 장치(rollable display or foldable display) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The optical device may include all kinds of devices using properties implemented by light, and examples thereof include a display device. Specific examples of the display device include a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a flexible display, or a rollable display or foldable display and the like, but are not limited thereto.

상기 광학 장치는 적용 분야 및 구체적인 형태 등에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어 커버 플라스틱 윈도우, 터치 패널, 편광판, 배리어 필름, 발광 소자(OLED 소자 등), 투명 기판 등을 포함하는 구조일 수 있다.The optical device may have various structures depending on application fields and specific shapes. For example, it may have a structure including a cover plastic window, a touch panel, a polarizer, a barrier film, a light emitting device (OLED device, etc.), a transparent substrate, and the like. there is.

상술한 일 구현예의 광학 적층체는 이러한 다양한 광학 장치에서 기판, 외부 보호 필름 또는 커버 윈도우 등의 다양한 용도로 사용될 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판에 적용될 수 있다.The optical laminate of one embodiment described above may be used for various purposes such as a substrate, an external protective film, or a cover window in various optical devices, and more specifically, may be applied to a substrate.

본 발명에 따르면, 고온에서의 막 변형을 억제하여, 우수한 내열성, 유전특성 및 광학특성을 구현할 수 있는 광학 적층체 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 기판, 및 광학 장치가 제공될 수 있다. According to the present invention, an optical laminate capable of suppressing film deformation at high temperature and realizing excellent heat resistance, dielectric properties and optical properties, a substrate for a display device using the same, and an optical device can be provided.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is explained in more detail in the following examples. However, the following examples are merely illustrative of the present invention, and the contents of the present invention are not limited by the following examples.

<제조예: 폴리이미드 전구체 조성물의 제조><Preparation Example: Preparation of Polyimide Precursor Composition>

제조예 1Preparation Example 1

교반기, 질소 주입 장치, 적하 깔대기, 온도 조절기, 및 냉각기가 구비된 500 mL의 4-neck 둥근 바닥 플라스크(반응기)에 질소를 천천히 통과시키면서, 100 g의 Diethylacetamide을(DEAC) 채우고, 33 mmole의 파라-페닐렌 디아민(p-phenylene diamine, PDA) 및 33 mmole의 2,2'- 비스 (트리 플루오로 메틸) 벤지딘(2,2'-Bis(trifluoromethyl)benzidine, TFMB)을 투입하여 완전히 용해시켰다.While slowly passing nitrogen into a 500 mL 4-neck round bottom flask (reactor) equipped with a stirrer, nitrogen injector, dropping funnel, temperature controller, and condenser, 100 g of diethylacetamide (DEAC) was charged, and 33 mmole of para -Phenylene diamine (p-phenylene diamine, PDA) and 33 mmole of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (2,2'-Bis(trifluoromethyl)benzidine, TFMB) were added and completely dissolved.

이 용액의 온도를 상온 유지하면서 상기 반응기에 51 mmole의 3,3’,4,4’-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(3,3’,4,4’-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) 및 15mmol 의 9,9-비스(3,4-디카르복시페닐)플루오렌 디안하이드라이드 (9,9-Bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene Dianhydride, BPAF)를 100g의 DEAC와 같이 투입하고 48 시간 동안 교반하고 희석하여 폴리이미드 전구체 조성물 P-1 (고형분 13 중량%)을 얻었다.While maintaining the temperature of this solution at room temperature, 51 mmole of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) and 15 mmol of 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride (9,9-Bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene Dianhydride, BPAF) was added together with 100 g of DEAC and kept for 48 hours. After stirring and dilution, a polyimide precursor composition P-1 (13% by weight solid content) was obtained.

참고 제조예 1Reference Manufacturing Example 1

교반기, 질소 주입 장치, 적하 깔대기, 온도 조절기, 및 냉각기가 구비된 500 mL의 4-neck 둥근 바닥 플라스크(반응기)에 질소를 천천히 통과시키면서, 200 g의 N-메틸-2-피롤리돈을 채우고, 상기 반응기의 온도를 40 ℃로 맞춘 후 133 mmole의 파라-페닐렌 디아민(p-phenylene diamine, PDA)을 투입하여 완전히 용해시켰다.While slowly passing nitrogen into a 500 mL 4-neck round bottom flask (reactor) equipped with a stirrer, nitrogen injector, dropping funnel, temperature controller, and condenser, 200 g of N-methyl-2-pyrrolidone was charged and , After adjusting the temperature of the reactor to 40 ℃, 133 mmole of para-phenylene diamine (p-phenylene diamine, PDA) was added and completely dissolved.

이 용액의 온도를 40 ℃로 유지하면서 상기 반응기에 132 mmole의 3,3’,4,4’-비페닐테트라카르복실릭 디안하이드라이드(3,3’,4,4’-biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA)를 120g의 N-메틸-2-피롤리돈과 투입하고 48 시간 동안 교반 및 희석하여 폴리이미드 전구체 조성물 Q-1(고형분 11 중량%)을 얻었다.While maintaining the temperature of this solution at 40 ° C., 132 mmole of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added to the reactor. ) was added with 120 g of N-methyl-2-pyrrolidone and stirred and diluted for 48 hours to obtain a polyimide precursor composition Q-1 (11% by weight solid content).

<실시예 : 광학 적층체의 제조><Example: Manufacture of Optical Laminate>

실시예1Example 1

유리 기판(두께: 500 ㎛) 상에 플라즈마 화학 기상 증착법으로 무기증착층(SiO2, 두께 5,000 Å)을 형성시켰다.An inorganic deposition layer (SiO 2 , thickness 5,000 Å) was formed on a glass substrate (thickness: 500 μm) by plasma chemical vapor deposition.

상기 무기증착층상에 상기 제조예 1에 따른 폴리이미드 전구체 조성물 P-1를 스핀 코팅하였다. 상기 폴리이미드 전구체 조성물이 도포된 상기 유리 기판을 오븐에 넣고 470 ℃까지 3 ℃/min으로 가열하여, 470 ℃ 하에서 10 분을 유지하여 제1 폴리이미드 수지층(두께 10±2 ㎛)을 형성시켰다.The polyimide precursor composition P-1 according to Preparation Example 1 was spin-coated on the inorganic deposition layer. The glass substrate coated with the polyimide precursor composition was placed in an oven, heated to 470 ° C. at 3 ° C./min, and maintained at 470 ° C. for 10 minutes to form a first polyimide resin layer (thickness: 10 ± 2 μm). .

상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 플라즈마 화학 기상 증착법으로 제1 무기막층(SiO2, 두께 5,000 Å)을 형성시켰다.A first inorganic film layer (SiO 2 , thickness of 5,000 Å) was formed on the first polyimide resin layer by plasma enhanced chemical vapor deposition.

상기 제 1 무기막층 상에 상기 제조예 1에 따른 폴리아미드 전구체 조성물 P-1을 스핀 코팅한 후, 오븐에 넣고 470 ℃까지 3 ℃/min으로 가열하여, 470 ℃ 하에서 10 분을 유지하여 제2 폴리이미드 수지층(두께 6 ㎛)을 형성하였다. After spin-coating the polyamide precursor composition P-1 according to Preparation Example 1 on the first inorganic film layer, putting it in an oven and heating it at 3 °C/min to 470 °C, maintaining the temperature for 10 minutes at 470 °C to form a second A polyimide resin layer (thickness of 6 μm) was formed.

이후, 상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 플라즈마 화학 기상 증착법으로 제2 무기막층(SiO2, 두께 3,000 Å)을 형성시켜, 광학 적층체를 제조하였다.Thereafter, a second inorganic film layer (SiO 2 , thickness of 3,000 Å) was formed on the second polyimide resin layer by a plasma enhanced chemical vapor deposition method to prepare an optical laminate.

실시예2Example 2

상기 무기증착층으로 무기증착층(SiNx, 두께 3,000 Å)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일한 방법으로 광학 적층체를 제조하였다.An optical laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that an inorganic deposition layer (SiN x , thickness of 3,000 Å) was used as the inorganic deposition layer.

실시예3Example 3

상기 무기증착층으로 무기증착층(비정형Si, 두께 500 Å)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일한 방법으로 광학 적층체를 제조하였다.An optical laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that an inorganic deposition layer (amorphous Si, thickness: 500 Å) was used as the inorganic deposition layer.

실시예4Example 4

상기 무기증착층으로 물리 기상 증착법에 의한 무기증착층(인듐 주석 산화물(ITO), 두께 5,000 Å)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예1과 동일한 방법으로 광학 적층체를 제조하였다. An optical laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that an inorganic deposition layer (indium tin oxide (ITO), thickness 5,000 Å) by physical vapor deposition was used as the inorganic deposition layer.

<비교예 : 광학 적층체의 제조><Comparative Example: Manufacture of Optical Laminate>

비교예1Comparative Example 1

상기 무기증착층(SiO2, 두께 5,000 Å)이 없는 것을 제외하고, 상기 실시예1과 동일한 방법으로 광학 적층체를 제조하였다.An optical laminate was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the inorganic deposition layer (SiO 2 , thickness 5,000 Å) was not present.

<참고예 : 광학 적층체의 제조><Reference Example: Manufacture of Optical Laminate>

참고예1Reference example 1

상기 제조예 1에 따른 폴리이미드 전구체 조성물 P-1 대신 참고 제조예 1에 따른 폴리이미드 전구체 조성물 Q-1을 사용한 것을 제외하고, 상기 비교예1과 동일한 방법으로 광학 적층체를 제조하였다.An optical laminate was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the polyimide precursor composition Q-1 according to Reference Preparation Example 1 was used instead of the polyimide precursor composition P-1 according to Preparation Example 1.

<실험예1><Experimental Example 1>

하부 기판상에 상기 제1 폴리이미드 수지층을 형성한 후, 하부 기판을 박리제거하여 폴리이미드 시편을 제조하고, 하기 방법에 따라 물성을 측정하고, 그 결과를 표1에 나타내었다.After forming the first polyimide resin layer on the lower substrate, the lower substrate was peeled off to prepare a polyimide specimen, and the physical properties were measured according to the following method, and the results are shown in Table 1.

1. 열팽창계수(CTE)1. Coefficient of Thermal Expansion (CTE)

상기 시편을 5 mm x 20 mm 크기로 준비한 뒤 악세서리를 이용하여 시료를 로딩하였다. 실제 측정되는 적층체의 길이는 16mm로 동일하게 하였다. 당기는 힘을 0.02N으로 설정하고 100 ℃ 이상 430 ℃ 이하 온도 범위에서 5 ℃/min 의 승온 속도로 1차 승온공정을 진행한 후, 4 ℃/min 의 냉각속도로 냉각(cooling)될 때의 열팽창 변화 양상을 TMA(TA 사의 Q400)로 측정하였다. 그리고, 하기 표1에는 1차 승온공정에서의 열팽창 변화 양상을 기록하였다. After preparing the specimen in a size of 5 mm x 20 mm, the sample was loaded using an accessory. The actual measured length of the laminate was set to 16 mm. Thermal expansion when cooling is performed at a cooling rate of 4 ℃/min after setting the pulling force to 0.02N and performing the first heating process at a heating rate of 5 ℃/min in the temperature range of 100 ℃ or more and 430 ℃ or less The change pattern was measured by TMA (Q400 from TA). In addition, in Table 1 below, the thermal expansion change pattern in the first heating process was recorded.

2. 포화대전압 및 반감기2. Saturation voltage and half-life

SHISHIDO ELECTROSTATIC 사의 H-0110 Honestmeter를 이용하여 JIS L 1094 표준 측정법에 의거하여 25 ℃의 온도 및 40~50%의 습도 조건에서 상기 시편의 포화 대전압을 측정하였다.The saturation charge voltage of the specimen was measured using a SHISHIDO ELECTROSTATIC H-0110 Honestmeter in accordance with the JIS L 1094 standard measurement method at a temperature of 25 °C and a humidity of 40 to 50%.

구체적으로, 상기 시편에 인가전압을 10kV로 하고, 인가부의 침전극의 선단으로부터 회전반의 면까지의 거리를 20mm, 수전부의 전극판에서 회전반의 면까지 거리를 15mm 로 조절하였다. 회전반을 회전시키면서 10kV의 인가전압을 개시하여 100초 후 인가를 끝내고 그 상태로 회전반을 회전시키면서 대전압이 1/2로 감쇠할 때까지의 시간을 측정하였다. 고압 인가를 차단한 시점부터 전위의 값이 상기 포화대전압 값의 50% 만큼 감소하였을 때의 시간을 측정하여 반감기를 얻었다.Specifically, the voltage applied to the specimen was 10 kV, the distance from the tip of the needle electrode of the application part to the surface of the rotating disc was adjusted to 20 mm, and the distance from the electrode plate of the receiving part to the surface of the rotating disc was adjusted to 15 mm. The applied voltage of 10 kV was started while rotating the turntable, the application was finished after 100 seconds, and the time until the charged voltage was attenuated to 1/2 was measured while rotating the turntable in that state. The half-life was obtained by measuring the time from when the high voltage application was cut off to when the potential value decreased by 50% of the saturation charge voltage value.

3. 투광도3. Transmittance

UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) 장치를 이용하여 상기 시편의 470nm 및 550 nm 파장의 빛에 대한 투광도(T)를 측정하였다. Transmittance (T) of the specimen to light of 470 nm and 550 nm wavelengths was measured using a UV-vis spectroscopy (Agillent, UV 8453) device.

4. 최대 인장강도4. Ultimate tensile strength

UTM(Universal testing machine)로 ASTM D 638 측정방법에 따라 인장시 파단 시점의 최대응력을 최대 인장강도로서 측정하였다. UTM (Universal testing machine) was measured according to the ASTM D 638 measurement method as the maximum tensile strength at the time of rupture in tension.

5. 황색도5. Yellowness

color meter(GRETAGMACBETH사의 Color-Eye 7000A)를 이용하여, 상기 시편의황색도를 측정하였다. Using a color meter (GRETAGMACBETH Color-Eye 7000A), the yellowness of the specimen was measured.

구분division 폴리이미드 전구체 조성물Polyimide precursor composition 기판Board CTE
(ppm/℃)
CTE
(ppm/℃)
포화대전압
(kV)
saturation voltage
(kV)
반감기(초)half-life (seconds) 투광도(%)Transmittance (%) 최대인장강도
(MPa)
ultimate tensile strength
(MPa)
YIYI
470nm470 nm 550nm550 nm 비교예1Comparative Example 1 제조예1Preparation Example 1 유리기판glass substrate 8383 2.362.36 737737 88.488.4 80.780.7 134.7134.7 11.611.6 실시예1Example 1 제조예1Preparation Example 1 SiO2 증착 유리기판SiO 2 Deposited Glass Substrate 9292 2.162.16 579579 79.879.8 90.590.5 173.5173.5 10.210.2 실시예2Example 2 제조예1Preparation Example 1 SiNx 증착 유리기판SiN x deposition glass substrate 182182 2.122.12 529529 82.282.2 87.887.8 167.1167.1 10.710.7 실시예3Example 3 제조예1Preparation Example 1 비정형Si 증착 유리기판Amorphous Si deposition glass substrate 8383 2.032.03 1000이상over 1000 78.878.8 85.385.3 160.7160.7 11.311.3 실시예4Example 4 제조예1Preparation Example 1 ITO 증착 유리기판ITO-deposited glass substrate 9090 2.112.11 1000 이상over 1000 82.382.3 87.387.3 157.3157.3 10.210.2 참고예1Reference example 1 참고 제조예1Reference Manufacturing Example 1 유리기판glass substrate 33 2.192.19 224224 70.770.7 81.081.0 180.5180.5 27.927.9

상기 표1에 나타난 바와 같이, 무기물이 증착된 유리기판을 사용한 실시예의 광학적층체는, 유리기판을 사용한 비교예 대비 열, 광학, 기계적 물성이 동등 수준 혹은 그보다 우수한 특징을 나타냄을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1, it was confirmed that the optical laminate of the example using the glass substrate on which the inorganic material was deposited exhibited equivalent or superior characteristics in thermal, optical, and mechanical properties compared to the comparative example using the glass substrate.

<실험예2><Experimental Example 2>

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 광학 적층체에 대하여, 하기 방법으로 물성을 측정하였으며, 그 결과를 표2에 나타내었다.With respect to the optical laminates obtained in the above Examples and Comparative Examples, physical properties were measured by the following method, and the results are shown in Table 2.

6.6. 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도Yellowness before and after 430 ℃ post heat treatment

상기 광학 적층체에 대하여 후열처리공정(430 ℃까지 2시간 동안 승온하고, 2시간 동안 430 ℃ 등온을 거친 후, 2시간동안 50 ℃ 로 냉각) 이후, 광학 적층체에 포함된 제1 폴리이미드 수지층에 대하여 color meter(GRETAGMACBETH사의 Color-Eye 7000A)를 이용하여 황색도를 측정하였다.After the post-heat treatment process (heating to 430 ° C. for 2 hours, passing through 430 ° C. isothermal temperature for 2 hours, and then cooling to 50 ° C. for 2 hours) with respect to the optical laminate, the first polyimide number included in the optical laminate The yellowness of the stratum was measured using a color meter (GRETAGMACBETH's Color-Eye 7000A).

그리고, 하기 수학식에 의해 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화를 계산하였다.Then, the yellowness change before and after the 430 ° C post-heat treatment was calculated by the following equation.

[수학식][mathematical expression]

430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화(△YI) = (430 ℃ 후열처리공정 이후의 광학 적층체 황색도(YI1)) - (430 ℃ 후열처리공정 이전의 광학 적층체 황색도(YI0))Yellowness change before and after 430 ° C post-heat treatment (ΔYI) = (Yellowness of optical laminate after 430 ° C post-heat treatment (YI 1 )) - (Yellowness of optical laminate before 430 ° C post-heat treatment (YI 0 ) ))

7. 고온 치수안정성7. High temperature dimensional stability

상기 광학 적층체에 포함된, 기재층; 및 무기증착층;으로 이루어진 적층체에 대하여, 시편을 5 mm x 5 mm 크기로 준비한 뒤, 50 ℃ 에서 430 ℃ 까지 5 ℃/min의 승온 속도로 1차 승온공정을 진행한 후, 4 ℃/min의 냉각속도로 80 ℃까지 냉각공정을 진행한 후, 480 ℃ 까지 5 ℃/min 의 승온 속도로 2차 승온공정을 진행할 때의 수직방향(시편 두께방향) 열팽창수준(dimesion change)을 TMA(TA 사의 Q400) expansion mode로 측정하였다. Included in the optical laminate, the substrate layer; With respect to the laminate composed of; and an inorganic deposition layer, after preparing a specimen in a size of 5 mm x 5 mm, a first heating process was performed from 50 ° C. to 430 ° C. at a temperature raising rate of 5 ° C./min, and then 4 ° C./min. After the cooling process was performed to 80 ℃ at a cooling rate of min, the thermal expansion level (dimension change) in the vertical direction (thickness direction of the specimen) when the second heating process was performed at a heating rate of 5 ℃ / min to 480 ℃ was TMA ( It was measured by TA's Q400) expansion mode.

그리고, 하기 기준에 따라 고온 치수안정성 정도를 평가하였다. And, the degree of high-temperature dimensional stability was evaluated according to the following criteria.

우수: dimension change가 -1 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하로 작아서, 고온 치수안정성이 우수함Excellent: Dimensional change is as small as -1 ㎛ or more and 1 ㎛ or less, excellent in high-temperature dimensional stability

불량: dimension change가 -2 ㎛ 미만, 2 ㎛ 초과로 커서, 고온 치수안정성이 불량함 Defective: The dimension change is less than -2 ㎛ and larger than 2 ㎛, so the dimensional stability at high temperature is poor.

8. 막들뜸 최초 발생시기8. The first occurrence of moxibustion

상기 광학 적층체를 제조하고, 이를 후열처리하는 아래 전체 공정 1~6 각각을 진행한 직후, 각 단계에서 얻어진 적층체에 대하여 육안으로 막들뜸이 관찰되는 시점(막들뜸 최초 발생시기)을 확인하였다.Immediately after the manufacturing of the optical laminate and post-heat treatment of each of the following entire processes 1 to 6, the time point at which film lifting was observed with the naked eye (the first time of film lifting) was confirmed for the laminate obtained in each step. .

공정1) 기재층 상에 무기증착층 형성Process 1) Forming an inorganic vapor deposition layer on the substrate layer

공정2) 무기증착층 상에 제1 폴리이미드 수지층 형성Step 2) Forming a first polyimide resin layer on the inorganic vapor deposition layer

공정3) 제1 폴리이미드 수지층 상에 제1 무기물층 형성Step 3) Forming a first inorganic material layer on the first polyimide resin layer

공정4) 제1 무기물층 상에 제2 폴리이미드 수지층 형성Step 4) Forming a second polyimide resin layer on the first inorganic material layer

공정5) 제2 폴리이미드 수지층 상에 제2 무기물층 형성Step 5) Forming a second inorganic material layer on the second polyimide resin layer

공정6) 광학 적층체를 후열처리(430 ℃까지 2시간 동안 승온하고, 2시간 동안 430 ℃ 등온을 거친 후, 2시간동안 50 ℃ 로 냉각)Step 6) Post heat treatment of the optical laminate (heating to 430 ° C for 2 hours, passing through an isothermal temperature of 430 ° C for 2 hours, and then cooling to 50 ° C for 2 hours)

구분division 폴리이미드 전구체 조성물Polyimide precursor composition 기판Board YI0 YI 0 YI1 YI 1 △YI△YI 고온 치수안정성high temperature dimensional stability 막들뜸 최초 발생시기First occurrence of moxibustion 비교예1Comparative Example 1 제조예1Preparation Example 1 유리기판glass substrate 20.020.0 85.885.8 65.865.8 불량error 공정4)Process 4) 실시예1Example 1 제조예1Preparation Example 1 SiO2 증착 유리기판SiO 2 Deposited Glass Substrate 19.419.4 26.726.7 7.37.3 우수Great 없음doesn't exist 실시예2Example 2 제조예1Preparation Example 1 SiNx 증착 유리기판SiN x deposition glass substrate 13.513.5 17.217.2 3.73.7 우수Great 없음doesn't exist 실시예3Example 3 제조예1Preparation Example 1 비정형Si 증착 유리기판Amorphous Si deposition glass substrate 15.615.6 15.615.6 00 우수Great 없음doesn't exist 실시예4Example 4 제조예1Preparation Example 1 ITO 증착 유리기판ITO-deposited glass substrate 17.217.2 74.274.2 57.057.0 불량error 공정6)Process 6) 참고예1Reference example 1 참고 제조예1Reference Manufacturing Example 1 유리기판glass substrate 47.247.2 53.053.0 5.85.8 불량error 없음doesn't exist

상기 표2에 나타난 바와 같이, 무기물이 증착된 유리기판을 사용한 실시예 광학적층체는, 후열처리전 광학적층체를 제조하는 공정중에서 육안상으로 막들뜸이 발생하지 않았고, 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색지수 변화량(△YI)이 비교예 대비 낮게 측정되었다.특히, 실시예 1 내지 3의 광학적층체는 고온에서의 TMA 팽창수준(dimension change)이 -1 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하로 작으면서, 광학적층체의 제조 및 후열처리 공정 전체에서 육안상으로 막들뜸이 발생하지 않았으며, 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색지수 변화량(△YI)이 7.3이하로 비교예 대비 크게 낮아 양호한 투명유지력 및 열화 방지능력을 확인할 수 있었다.As shown in Table 2, in the optical laminate of the example using the inorganic material-deposited glass substrate, no film lifting occurred visually during the process of manufacturing the optical laminate before post-heat treatment, and the yellow color before and after the post-heat treatment process at 430 ° C. The index change amount (ΔYI) was measured lower than that of the comparative example. In particular, the optical laminates of Examples 1 to 3 had a TMA expansion level (dimension change) at high temperatures as small as -1 μm or more and 1 μm or less, and the optical laminates No film lifting occurred visually during the entire manufacturing and post-heat treatment process, and the change in yellow index (ΔYI) before and after the 430 ° C post-heat treatment process was 7.3 or less, which was significantly lower than that of the comparative example, confirming good transparency retention and deterioration prevention ability. could

Claims (20)

기재층;
상기 기재층 상에 형성된 무기증착층;
상기 무기증착층 상에 형성된 제1 폴리이미드 수지층;
상기 제1 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제1 무기물층;
상기 제1 무기물층 상에 형성된 제2 폴리이미드 수지층; 및
상기 제2 폴리이미드 수지층 상에 형성된 제2 무기물층;을 포함하는, 광학 적층체.
base layer;
an inorganic vapor deposition layer formed on the base layer;
a first polyimide resin layer formed on the inorganic deposition layer;
a first inorganic material layer formed on the first polyimide resin layer;
a second polyimide resin layer formed on the first inorganic material layer; and
A second inorganic material layer formed on the second polyimide resin layer; including, an optical laminate.
제1항에 있어서,
하기 수학식에 의해 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화가 60 이하인, 광학 적층체:
[수학식]
430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화(△YI) = (430 ℃ 후열처리공정 이후의 광학 적층체 황색도(YI1)) - (430 ℃ 후열처리공정 이전의 광학 적층체 황색도(YI0)).
According to claim 1,
An optical laminate having a yellowness change of 60 or less before and after the 430 ° C post-heat treatment process according to the following equation:
[mathematical expression]
Yellowness change before and after 430 ° C post-heat treatment (ΔYI) = (Yellowness of optical laminate after 430 ° C post-heat treatment (YI 1 )) - (Yellowness of optical laminate before 430 ° C post-heat treatment (YI 0 ) )).
제1항에 있어서,
상기 유리 기판 상에 형성된 무기증착층은 실리콘계 물질, 및 인듐 주석 산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광학 적층체.
According to claim 1,
The inorganic deposition layer formed on the glass substrate includes at least one selected from the group consisting of silicon-based materials and indium tin oxide.
제3항에 있어서,
상기 실리콘계 물질은 비정형 실리콘, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 광학 적층체.
According to claim 3,
Wherein the silicon-based material includes at least one selected from the group consisting of amorphous silicon, silicon oxide, and silicon nitride.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 최대 인장강도가 140 MPa 이상인, 광학 적층체.
According to claim 1,
The maximum tensile strength of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is 140 MPa or more, the optical laminate.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 황색지수가 20 이하인, 광학 적층체.
According to claim 1,
The yellow index of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is 20 or less, the optical laminate.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 550 nm 파장에서의 투광도가 85% 이상인, 광학 적층체.
According to claim 1,
The optical laminate, wherein the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer have transmittances of 85% or more at a wavelength of 550 nm.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께가 제2 폴리이미드 수지층의 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는, 광학 적층체.
According to claim 1,
The optical laminate, characterized in that the thickness of the first polyimide resin layer is greater than the thickness of the second polyimide resin layer.
제8항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 폴리이미드 수지층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.7 ㎛인, 광학 적층체.
According to claim 8,
Based on the thickness of the first polyimide resin layer of 1 μm, the thickness ratio of the second polyimide resin layer is 0.3 μm to 0.7 μm, the optical laminate.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층은 전자끌개 작용기가 치환된 디아민으로부터 유래한 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지를 포함하는, 광학 적층체.
According to claim 1,
Wherein the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer include a polyimide resin including a repeating unit derived from a diamine in which an electron withdrawing functional group is substituted, an optical laminate.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리이미드 수지를 포함하는, 광학 적층체:
[화학식 1]
Figure pat00012

상기 화학식1에서,
X1은 방향족 4가 작용기이며,
Y1은 전자끌개 작용기가 적어도 1이상 치환된 방향족 2가 작용기이다.
According to claim 1,
The first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer include a polyimide resin including a repeating unit represented by Formula 1 below, an optical laminate:
[Formula 1]
Figure pat00012

In Formula 1,
X 1 is an aromatic tetravalent functional group,
Y 1 is an aromatic divalent functional group in which at least one electron withdrawing functional group is substituted.
제11항에 있어서,
상기 Y1의 전자끌개 작용기가 적어도 1이상 치환된 방향족 2가 작용기는 하기 화학식2로 표시되는 2가 작용기를 포함하는, 광학 적층체:
[화학식2]
Figure pat00013

상기 화학식 2에서,
Q1 및 Q2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 전자끌개 작용기이며,
n, m은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 이상 4 이하의 정수이다.
According to claim 11,
The aromatic divalent functional group in which at least one electron withdrawing functional group of Y 1 is substituted includes a divalent functional group represented by Formula 2 below, an optical laminate:
[Formula 2]
Figure pat00013

In Formula 2,
Q 1 and Q 2 are the same as or different from each other, and each independently represents an electron withdrawing functional group;
n and m are the same as or different from each other, and are each independently an integer of 1 or more and 4 or less.
제11항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층은 하기 화학식5로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 폴리이미드 수지를 포함하는, 디스플레이 장치용 또는 플렉서블 디스플레이 장치용 기판:
[화학식 5]
Figure pat00014

상기 화학식5에서,
X2은 방향족 4가 작용기이며,
Y2는 비치환된 방향족 2가 작용기이다
According to claim 11,
A substrate for a display device or a flexible display device, wherein the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer further include a polyimide resin including a repeating unit represented by Formula 5 below:
[Formula 5]
Figure pat00014

In Formula 5,
X 2 is an aromatic tetravalent functional group,
Y 2 is an unsubstituted aromatic divalent functional group
제1항에 있어서,
상기 제1 무기물층의 두께가 제2 무기물층의 두께 보다 큰 것을 특징으로 하는, 광학 적층체.
According to claim 1,
The optical laminate, characterized in that the thickness of the first inorganic material layer is greater than the thickness of the second inorganic material layer.
제14항에 있어서,
상기 제1 무기물층의 두께 1 ㎛를 기준으로, 제2 무기물층의 두께 비율이 0.3 ㎛ 내지 0.7 ㎛인, 광학 적층체.
According to claim 14,
Based on the thickness of the first inorganic material layer of 1 ㎛, the thickness ratio of the second inorganic material layer is 0.3 ㎛ to 0.7 ㎛, the optical laminate.
제1항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 수지층의 포화대전압 반감기가 500초 이상인, 광학 적층체.
According to claim 1,
The optical laminate, wherein the first polyimide resin layer has a half-life of saturated charging voltage of 500 seconds or more.
제1항에 있어서,
하기 수학식에 의해 430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화가 10 이하인, 광학 적층체:
[수학식]
430 ℃ 후열처리공정 전후의 황색도 변화(△YI) = (430 ℃ 후열처리공정 이후의 광학 적층체 내 폴리이미드 수지층 황색도(YI1)) - (430 ℃ 후열처리공정 이전의 광학 적층체 내 폴리이미드 수지층 폴리이미드 수지층 황색도(YI0)).
According to claim 1,
An optical laminate having a change in yellowness of 10 or less before and after the heat treatment process at 430 ° C according to the following equation:
[mathematical expression]
Yellowness change before and after 430 ° C post-heat treatment (ΔYI) = (Yellowness of the polyimide resin layer in the optical laminate after 430 ° C post-heat treatment (YI 1 )) - (Optical laminate before 430 ° C post-heat treatment) Yellowness of the polyimide resin layer within the polyimide resin layer (YI 0 )).
제1항에 있어서,
상기 광학 적층체에 포함된, 기재층; 및 무기증착층;으로 이루어진 적층체에 대하여, 50 ℃ 에서 430 ℃ 까지 5 ℃/min의 승온 속도로 1차 승온공정을 진행한 후, 4 ℃/min의 냉각속도로 80 ℃ 까지 냉각공정을 진행한 후, 480 ℃ 까지 5 ℃/min 의 승온 속도로 2차 승온공정을 진행할 때의 수직방향 열팽창수준(dimesion change)가 -2 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인, 광학 적층체.
According to claim 1,
Included in the optical laminate, the substrate layer; and an inorganic vapor deposition layer; the first heating step is performed from 50 °C to 430 °C at a heating rate of 5 °C/min, and then the cooling step is performed to 80 °C at a cooling rate of 4 °C/min. After that, the vertical direction thermal expansion level (dimension change) when the second heating process is performed at a temperature raising rate of 5 ° C / min to 480 ° C is -2 μm or more and 2 μm or less, the optical laminate.
제1항의 광학 적층체를 포함하는, 디스플레이 장치용 기판.
A substrate for a display device comprising the optical laminate of claim 1 .
제1항의 광학 적층체를 포함하는, 광학 장치.
An optical device comprising the optical stack of claim 1 .
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