KR20240054557A - Circuit board strip and semiconductor package - Google Patents

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KR20240054557A
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임세훈
윤남규
명세호
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 회로 기판 스트립은 기판부; 및 상기 기판부 상에 배치된 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 유효 영역의 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 더미 영역의 제2 영역을 포함하고, 상기 보호층의 제2 영역은 상기 제2 영역의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 복수의 개구를 구비하고, 상기 복수의 개구 각각은 상기 제1 영역에 인접한 일측에서의 폭이 상기 일측과 반대되는 타측에서의 폭보다 작다.The circuit board strip according to the embodiment includes a substrate portion; and a protective layer disposed on the substrate, wherein the protective layer includes a first region of the active area and a second region of a dummy region excluding the first region, and the second region of the protective layer includes the first region of the active region. It has a plurality of openings spaced apart from each other along the circumferential direction of the second area, and each of the plurality of openings has a width on one side adjacent to the first area smaller than a width on the other side opposite to the one side.

Description

회로기판 스트립 및 반도체 패키지{CIRCUIT BOARD STRIP AND SEMICONDUCTOR PACKAGE}Circuit board strip and semiconductor package {CIRCUIT BOARD STRIP AND SEMICONDUCTOR PACKAGE}

실시 예는 회로 기판 스트립에 관한 것으로, 특히 스트립 단위로 반도체 소자를 몰딩하는 공정에서 발생하는 몰딩 불량을 해결할 수 있도록 한 회로기판 스트립 및 반도체 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a circuit board strip and, in particular, to a circuit board strip and a semiconductor package that can solve molding defects that occur in the process of molding semiconductor devices in strip units.

회로기판은 소정의 전자 부품을 전기적으로 연결하거나, 또는 기계적으로 고정해주는 기판으로서, 페놀 수지 또는 에폭시 수지 등의 절연층과 절연층에 부착되어 소정의 배선 패턴이 형성되는 동박층으로 구성되어 있다.A circuit board is a board that electrically connects or mechanically fixes certain electronic components, and is composed of an insulating layer such as phenol resin or epoxy resin and a copper foil layer that is attached to the insulating layer to form a predetermined wiring pattern.

이러한, 회로기판은 층수에 따라 절연층의 한쪽 면에만 배선이 형성되는 단면 회로기판, 절연층의 양면에 배선이 형성된 양면 회로 기판 및 다층으로 배선이 형성된 다층 회로기판으로 크게 분리된다.Depending on the number of layers, circuit boards are largely divided into single-sided circuit boards with wiring formed on only one side of the insulating layer, double-sided circuit boards with wiring formed on both sides of the insulating layer, and multilayer circuit boards with wiring formed in multiple layers.

이러한, 회로 기판의 제조 과정에서 회로 기판이 열처리되는 과정을 거치면서 휨(warpage)이 발생할 수 있다. 전자제품의 소형, 박형화에 따라 회로 기판도 박판화되고 있고, 박판화가 진행될수록 휨에 따른 불량률이 문제가 되고 있다. 여기에서, 휨 발생 원인은 절연재와 금속 회로 기판의 열팽창계수(CTE) 차이, 탄성 계수의 차이 등으로 다양하다.During the manufacturing process of the circuit board, warpage may occur as the circuit board undergoes heat treatment. As electronic products become smaller and thinner, circuit boards are also becoming thinner, and as thinning progresses, the defect rate due to bending becomes a problem. Here, the causes of warping are diverse, including differences in coefficient of thermal expansion (CTE) and elastic modulus between the insulating material and the metal circuit board.

또한, 최근에는 기판 패키지 제조 시에 공정 상의 생산성을 향상시키기 위하여, 다수 개의 회로 기판의 유닛들이 하나로 형성된 스트립 구조로 제조되고, 이를 통한 회로 기판 스트립이라 한다.Additionally, recently, in order to improve process productivity when manufacturing a circuit board package, a strip structure in which multiple circuit board units are formed as one is manufactured, and this is called a circuit board strip.

구체적으로, 일반적으로 회로기판은 판넬 단위로 제조된다. 즉, 회로기판을 구성하는 다수의 유닛들이 하나의 회로기판 스트립을 이루고, 이러한 다수의 회로기판 스트립들이 모여 하나의 판넬을 이룬다.Specifically, circuit boards are generally manufactured on a panel basis. That is, multiple units that make up the circuit board form one circuit board strip, and these multiple circuit board strips come together to form one panel.

그러나, 이러한 판넬 단위로 회로기판을 제조하는 공정에서 회로기판 스트립의 휨 현상이 발생하고, 이에 따라 정상적인 제조 공정이 이루어지지 못하는 문제가 있다.However, in the process of manufacturing circuit boards on a panel basis, bending of the circuit board strip occurs, which prevents the normal manufacturing process from being carried out.

한편, 상기와 같은 회로기판은 스트립 단위로 전자소자를 실장하고, 상기 실장된 전자소자를 몰딩하는 몰딩층을 형성하고 있다. 이때, 상기 몰딩층을 형성하는 방법은 다양하나, 최근에는 압축 몰딩(compression molding) 방식을 이용하여 형성되고 있다. Meanwhile, in the circuit board as described above, electronic devices are mounted in strip units, and a molding layer for molding the mounted electronic devices is formed. At this time, there are various methods of forming the molding layer, but recently, it has been formed using a compression molding method.

압축 몰딩은 하부 금형의 캐비티에 몰딩 수지 분말을 채우고 용융시킨 후(또는 액상 몰딩 수지를 채우고 가열시킨 후) 상부 금형과 하부 금형을 결합하는 것으로 진행된다. 이때, 상기 상부 금형에는 반도체 소자가 실장된 회로 기판 스트립이 배치되며, 상기 회로기판 스트립은 상기 결합 과정에서 상기 하부 금형의 캐비티에 형성된 몰딩 수지 안에 담기며, 이에 따른 몰딩층이 형성될 수 있다.Compression molding is performed by filling and melting molding resin powder in the cavity of the lower mold (or filling and heating liquid molding resin) and then combining the upper mold and lower mold. At this time, a circuit board strip on which a semiconductor device is mounted is disposed in the upper mold, and the circuit board strip is contained in a molding resin formed in the cavity of the lower mold during the joining process, and a molding layer can be formed accordingly.

이때, 상기 압축 몰딩 과정에서, 상기 하부 금형과 상기 상부 금형의 외부로 몰딩 수지 분말이 넘치는 문제가 발생하고 있고, 이에 따른 몰딩 작업성이 현저하게 떨어지는 문제가 있다. 예를 들어, 상기 회로기판 스트립은 영역별로 두께 편차를 가지고 있으며, 이에 따라 상기 두께 편차에 의해 상기 하부 금형과 상부 금형 사이에 틈이 형성되고, 상기 형성된 틈으로 몰딩 수지 분말이 넘치게 된다. 그리고, 상기 넘치는 몰딩 수지 분말에 의해 상기 하부 금형 또는 상기 상부 금형이 오염되는 문제가 있고, 이에 따른 몰딩 작업성이 떨어지는 문제가 있다.At this time, during the compression molding process, a problem occurs in which molding resin powder overflows to the outside of the lower mold and the upper mold, and as a result, molding workability is significantly reduced. For example, the circuit board strip has a thickness deviation for each region, and accordingly, a gap is formed between the lower mold and the upper mold due to the thickness deviation, and the molding resin powder overflows into the formed gap. Additionally, there is a problem that the lower mold or the upper mold is contaminated by the overflowing molding resin powder, and thus molding workability is deteriorated.

실시 예는 새로운 구조의 회로기판 스트립 및 이를 토대로 제조된 반도체 패키지를 제공한다.The embodiment provides a circuit board strip with a new structure and a semiconductor package manufactured based on the same.

또한, 실시 예는 회로기판 스트립 단위로 반도체 소자를 몰딩하는 공정에서 발생하는 몰딩 불량을 해결할 수 있는 회로 기판 스트립 및 이를 토대로 제조된 반도체 패키지를 제공한다. Additionally, the embodiment provides a circuit board strip that can solve molding defects that occur in the process of molding semiconductor devices in units of circuit board strips and a semiconductor package manufactured based on the same.

또한, 실시 예에서는 회로 기판 스트립의 휨 발생을 최소화하여 신뢰성을 개선할 수 있는 회로 기판 스트립 및 이를 토대로 제조된 반도체 패키지를 제공한다.Additionally, an embodiment provides a circuit board strip that can improve reliability by minimizing the occurrence of warping of the circuit board strip, and a semiconductor package manufactured based on the same.

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical tasks mentioned above, and other technical tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art in the technical field to which the proposed embodiment belongs from the description below. It will be understandable.

실시 예에 따른 회로 기판 스트립은 기판부; 및 상기 기판부 상에 배치된 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 유효 영역의 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 더미 영역의 제2 영역을 포함하고, 상기 보호층의 제2 영역은 상기 제2 영역의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 복수의 개구를 구비하고, 상기 복수의 개구 각각은 상기 제1 영역에 인접한 일측에서의 폭이 상기 일측과 반대되는 타측에서의 폭보다 작다.The circuit board strip according to the embodiment includes a substrate portion; and a protective layer disposed on the substrate, wherein the protective layer includes a first region of the active area and a second region of a dummy region excluding the first region, and the second region of the protective layer includes the first region of the active region. It has a plurality of openings spaced apart from each other along the circumferential direction of the second area, and each of the plurality of openings has a width on one side adjacent to the first area smaller than a width on the other side opposite to the one side.

또한, 상기 보호층은, 상기 기판부 상에 배치된 제1 보호층; 및 상기 기판부 하에 배치된 제2 보호층을 포함하고, 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층 각각은 상기 제1 및 제2 영역을 포함하고, 상기 개구는, 상기 제1 보호층의 제2 영역에 구비된 복수의 제1 개구들과, 상기 제2 보호층의 제2 영역에 구비된 복수의 제2 개구들을 포함한다.Additionally, the protective layer may include: a first protective layer disposed on the substrate portion; and a second protective layer disposed under the substrate portion, wherein each of the first protective layer and the second protective layer includes the first and second regions, and the opening includes the first and second regions of the first protective layer. It includes a plurality of first openings provided in two areas and a plurality of second openings provided in a second area of the second protective layer.

또한, 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역과 수직으로 중첩된다.Additionally, the second region of the first protective layer vertically overlaps the second region of the second protective layer.

또한, 상기 복수의 제1 개구들에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 개구율은, 상기 복수의 제2 개구들에 의한 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역의 개구율과 다르다.Additionally, the aperture ratio of the second region of the first protective layer by the plurality of first openings is different from the aperture ratio of the second region of the second protective layer by the plurality of second openings.

또한, 상기 복수의 제1 개구들 사이의 간격 및 상기 복수의 제1 개구들 각각의 면적 중 적어도 하나는, 상기 복수의 제2 개구들 사이의 간격 및 상기 복수의 제2 개구들 각각의 면적 중 적어도 하나와 다르다.In addition, at least one of the spacing between the plurality of first openings and the area of each of the plurality of first openings is one of the spacing between the plurality of second openings and the area of each of the plurality of second openings. It is different from at least one.

또한, 상기 기판부는, 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치된 회로 패턴층을 포함하고, 상기 제1 보호층의 상기 제1 영역은 상기 회로 패턴층과 수직으로 중첩된 오픈 영역을 포함한다.Additionally, the substrate portion includes an insulating layer; and a circuit pattern layer disposed on the insulating layer, wherein the first area of the first protective layer includes an open area vertically overlapping the circuit pattern layer.

또한, 상기 회로 기판 스트립은 상기 오픈 영역과 수직으로 중첩된 회로 패턴층 상에 배치된 접속부; 상기 접속부 상에 배치된 반도체 소자; 및 상기 반도체 소자 상에 배치되는 제1 몰딩 부재를 포함한다.Additionally, the circuit board strip may include a connection portion disposed on a circuit pattern layer vertically overlapping the open area; a semiconductor element disposed on the connection portion; and a first molding member disposed on the semiconductor device.

또한, 상기 제1 몰딩 부재의 적어도 일부는 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 상기 제1 개구에 배치된다.Additionally, at least a portion of the first molding member is disposed in the first opening in the second region of the first protective layer.

또한, 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은, 제1 서브 영역 및 제2 서브 영역을 포함하고, 상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제1 서브 영역에서의 개구율은 상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 서브 영역에서의 개구율과 다르다.Additionally, the second region of the first protective layer includes a first sub-region and a second sub-region, and the opening ratio in the first sub-region of the first protective layer due to the plurality of first openings is It is different from the opening ratio in the second sub-region of the first protective layer due to the plurality of first openings.

또한, 상기 제1 서브 영역에서 상기 제1 보호층과 접촉하는 회로 패턴층의 밀도는, 상기 제2 서브 영역에서 상기 제1 보호층과 접촉하는 회로 패턴층의 밀도와 다르다.Additionally, the density of the circuit pattern layer in contact with the first protective layer in the first sub-region is different from the density of the circuit pattern layer in contact with the first protective layer in the second sub-region.

또한, 상기 회로 기판 스트립에서 상기 제1 및 제2 보호층의 각각의 상기 제1 및 제2 영역 사이의 경계 영역을 소잉하여 반도체 패키지를 제공할 수 있다.Additionally, a semiconductor package may be provided by sawing a boundary area between the first and second regions of each of the first and second protective layers in the circuit board strip.

실시 예에 따른 회로 기판 스트립은 유효 영역에 대응되는 제1 영역 및 더미 영역에 대응되는 제2 영역을 포함하는 기판부를 포함할 수 있다. 상기 기판부의 상면에는 제1 보호층이 구비되고 하면에는 제2 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 상기 제1 보호층 및 제2 보호층은 상기 유효 영역 및 상기 더미 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 보호층의 제2 영역에는 서로 이격된 복수의 제1 개구가 구비될 수 있다. 또한, 상기 제2 보호층의 제2 영역에는 서로 이격된 복수의 제2 개구가 구비될 수 있다. 상기 복수의 제1 개구 및 상기 복수의 제2 개구는 상기 기판부의 제1 영역에 몰딩 부재를 도포하는 공정에서 상기 몰딩 부재의 넘침을 방지하는 댐 기능을 할 수 있다. 이를 통해 실시 예는 상기 몰딩 부재의 넘침을 방지할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.A circuit board strip according to an embodiment may include a substrate portion including a first area corresponding to an effective area and a second area corresponding to a dummy area. A first protective layer may be provided on the upper surface of the substrate and a second protective layer may be provided on the lower surface. Additionally, the first protective layer and the second protective layer may include first and second areas corresponding to the effective area and the dummy area, respectively. At this time, a plurality of first openings spaced apart from each other may be provided in the second region of the first protective layer. Additionally, a plurality of second openings spaced apart from each other may be provided in the second region of the second protective layer. The plurality of first openings and the plurality of second openings may function as a dam to prevent overflow of the molding member during a process of applying the molding member to the first region of the substrate portion. Through this, the embodiment can prevent overflow of the molding member and thus improve reliability.

한편, 상기 제1 개구 및 제2 개구 각각은 상기 제1 영역에 인접한 일측에서의 폭이 상기 일측과 반대되는 타측에서의 폭보다 작을 수 있다. 이를 통해, 실시 예는 상기 몰딩 부재를 도포하는 공정에서 상기 제2 영역으로 상기 몰딩 부재가 과하게 넘치는 것을 방지하면서, 상기 넘치는 몰딩 부재의 흐름을 제어할 수 있다. 따라서, 실시 예는 상기 몰딩 부재의 넘침에 의해 금형이 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 몰딩 부재가 과하게 넘치는 것을 차단하여 상기 제1 영역에서의 상기 몰딩 부재의 두께 균일성을 확보할 수 있다.Meanwhile, each of the first opening and the second opening may have a width on one side adjacent to the first area that is smaller than a width on the other side opposite to the one side. Through this, the embodiment can control the flow of the overflowing molding member while preventing the molding member from overflowing into the second area during the process of applying the molding member. Accordingly, the embodiment can prevent the mold from being contaminated by overflow of the molding member, and prevent excessive overflow of the molding member, thereby ensuring thickness uniformity of the molding member in the first area.

또한, 상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 개구율과 상기 복수의 제2 개구에 의한 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역의 개구율은 서로 다를 수 있다. 이를 통해, 실시 예는 상기 기판부가 휘어지는 방향에 따라 상기 개구율의 조절을 통해 상기 기판부가 휘어지는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따른 상기 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Additionally, the opening ratio of the second region of the first protective layer formed by the plurality of first openings may be different from the opening ratio of the second region of the second protective layer formed by the plurality of second openings. Through this, the embodiment can prevent the substrate from being bent by adjusting the aperture ratio according to the direction in which the substrate is bent, thereby further improving the reliability.

또한, 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은 제1 서브 영역과 제2 서브 영역으로 구분될 수 있다. 상기 제1 서브 영역과 제2 서브 영역은 이와 수직으로 중첩된 회로 패턴층의 밀도에 의해 결정될 수 있다. 그리고, 상기 제1 서브 영역에서의 복수의 제1 개구에 의한 개구율과 상기 제2 서브 영역에서의 복수의 제1 개구에 의한 개구율은 서로 다를 수 있다. 이를 통해 실시 예는 상기 회로 패턴층의 밀도 차이에 의해 발생하는 휨 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Additionally, the second region of the first protective layer may be divided into a first sub-region and a second sub-region. The first sub-region and the second sub-region may be determined by the density of the circuit pattern layer vertically overlapping therewith. Additionally, the aperture ratio of the plurality of first openings in the first sub-region may be different from the aperture ratio of the plurality of first openings in the second sub-region. Through this, the embodiment can solve the problem of warping caused by the difference in density of the circuit pattern layer, and thereby further improve mechanical and electrical reliability.

도 1은 실시 예에 따른 판넬을 나타낸 도면이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 도 1의 A-A' 방향에 대한 단면도이다.
도 3은 도 2의 스트립에 반도체 소자가 실장된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 4는 비교 예의 몰딩 부재를 포함하는 스트립을 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 스트립을 나타낸 도면이다.
도 6은 제1 실시 예에 따른 제1 보호층의 제1 개구를 나타낸 평면도이다.
도 7은 다양한 실시 예에 따른 도 6의 제1 개구의 단면도이다.
도 8은 실시 예에 따른 제2 보호층의 제2 개구를 나타낸 평면도이다.
도 9는 제2 실시 예에 따른 제1 보호층의 제1 개구를 나타낸 평면도이다.
도 10은 제3 실시 예에 다른 제1 개구를 나타낸 평면도이다.
1 is a diagram showing a panel according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the AA′ direction of FIG. 1 according to an embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor device is mounted on the strip of FIG. 2.
Figure 4 is a diagram showing a strip including a molding member of a comparative example.
Figure 5 is a diagram showing a strip according to an embodiment.
Figure 6 is a plan view showing the first opening of the first protective layer according to the first embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the first opening of FIG. 6 according to various embodiments.
Figure 8 is a plan view showing a second opening of the second protective layer according to an embodiment.
Figure 9 is a plan view showing the first opening of the first protective layer according to the second embodiment.
Figure 10 is a plan view showing another first opening according to the third embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes “module” and “part” for components used in the following description are given or used interchangeably only for the ease of preparing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed descriptions will be omitted. In addition, the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings, and all changes included in the spirit and technical scope of the present invention are not limited. , should be understood to include equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms containing ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected to or connected to the other component, but that other components may exist in between. It should be. On the other hand, when it is mentioned that a component is “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that there are no other components in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 실시 예에 따른 판넬을 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a panel according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일반적으로 회로 기판은 판넬 단위로 제조된다. 또한, 판넬 단위로 제조된 회로 기판의 소자 실장 공정 및 몰딩 공정은 상기 판넬을 구성하는 스트립 단위로 제조된다. 그리고, 스트립 단위로 제조가 완료된 경우, 이를 유닛 단위별로 다이싱하여 회로 기판을 제조하게 된다.Referring to Figure 1, circuit boards are generally manufactured in panel units. Additionally, the element mounting process and molding process for circuit boards manufactured in panel units are manufactured in strip units constituting the panel. Then, when manufacturing is completed in strip units, the circuit boards are manufactured by dicing them unit by unit.

구체적으로, 일반적인 회로기판을 제조하기 위한 기초자재는 동박 적층판(CCL) 형태의 판넬(100)일 수 잇다. Specifically, the basic material for manufacturing a general circuit board may be a panel 100 in the form of a copper clad laminate (CCL).

상기 판넬(100)의 가로 방향의 폭은 415mm 내지 430mm일 수 있다. 또한, 상기 판넬(100)의 세로 방향의 폭은 510mm 내지 550mm일 수 있다. 여기에서, 상기 판넬(100)의 가로 방향의 폭은 단축 방향의 폭일 수 있고, 세로 방향의 폭은 장축 방향의 폭일 수 있다.The horizontal width of the panel 100 may be 415 mm to 430 mm. Additionally, the vertical width of the panel 100 may be 510 mm to 550 mm. Here, the width in the horizontal direction of the panel 100 may be the width in the minor axis direction, and the width in the vertical direction may be the width in the major axis direction.

이때, 상기 판넬(100)은 복수의 스트립(200)으로 구분될 수 있다. 다시 말해서, 판넬(100)은 복수의 스트립(200)의 집합으로 이루어질 수 있다. 상기 복수의 스트립(200)은 상기 판넬(100) 내에서 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들어, 하나의 판넬(100)은 16개의 스트립(200)으로 구분될 수 있다. 즉, 하나의 판넬(100)은 가로 방향으로 2개의 영역으로 구분되고, 세로 방향으로 8개의 영역으로 구분될 수 있다. 그리고, 상기 구분된 각각의 영역이 스트립(200)을 구성할 수 있다.At this time, the panel 100 may be divided into a plurality of strips 200. In other words, the panel 100 may be composed of a set of a plurality of strips 200. The plurality of strips 200 may be spaced apart from each other at regular intervals in the horizontal and vertical directions within the panel 100. For example, one panel 100 may be divided into 16 strips 200. That is, one panel 100 can be divided into two areas in the horizontal direction and eight areas in the vertical direction. And, each of the divided areas may constitute a strip 200.

이에 따라, 기초 자재는 복수의 스트립(200)이 배치되는 제1 영역(R1) 및 상기 제1 영역(R1)을 제외한 제2 영역(R2)을 포함한다. 상기 제2 영역(R2)은 상기 제1 영역(R1)의 주변 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 영역(R2)은 상기 판넬(100)의 외곽에 배치되는 외곽 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 영역(R1)은 상기 스트립(200)이 배치되는 유효 영역이라고 할 수 있고, 상기 제2 영역(R2)은 상기 유효 영역을 제외한 더미 영역이라고도 할 수 있다.Accordingly, the base material includes a first region (R1) where the plurality of strips 200 are disposed and a second region (R2) excluding the first region (R1). The second area R2 may be a peripheral area of the first area R1. For example, the second area R2 may be an outer area disposed on the outside of the panel 100. For example, the first area R1 may be referred to as an effective area where the strip 200 is disposed, and the second area R2 may be referred to as a dummy area excluding the effective area.

한편, 각각의 스트립(200)은 복수의 유닛(300)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 스트립(200)은 1,275개의 유닛(300)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 하나의 스트립(200)에 포함되는 유닛(300)의 수는 공정 능력에 따라 감소하거나 증가할 수 있을 것이다.Meanwhile, each strip 200 may include a plurality of units 300. For example, one strip 200 may include 1,275 units 300, but is not limited thereto. For example, the number of units 300 included in one strip 200 may decrease or increase depending on process capacity.

이때, 각각의 유닛(300)은 가로 방향의 폭이 3mm일 수 있고, 세로 방향의 폭이 2mm일 수 있다. 한편, 상기 각각의 유닛(300)은 하나의 회로기판을 구성할 수 있다. 다시 말해서, 하나의 스트립(200)은 1,275개의 유닛(300)을 포함하고, 판넬(100)은 16개의 스트립(200)을 포함한다. 이에 따라, 하나의 판넬(100) 내에는 16개의 스트립(200)과, 20,400개의 유닛(300)을 포함할 수 있다. At this time, each unit 300 may have a horizontal width of 3 mm and a vertical width of 2 mm. Meanwhile, each unit 300 may constitute one circuit board. In other words, one strip 200 includes 1,275 units 300, and the panel 100 includes 16 strips 200. Accordingly, one panel 100 may include 16 strips 200 and 20,400 units 300.

한편, 하나의 유닛(300)에는 복수의 회로 패턴층, 복수의 절연층 및 일정 사이즈를 가지는 복수의 비아 홀(VH)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 비아 홀(VH) 내에는 금속물질이 충진되어 비아(via)를 구성할 수 있다.Meanwhile, one unit 300 may include a plurality of circuit pattern layers, a plurality of insulating layers, and a plurality of via holes (VH) of a certain size. Additionally, a metal material may be filled in the via hole (VH) to form a via.

이때, 하나의 유닛(200)에는 150개 정도의 비아 홀(VH)이 형성된다. 이에 따라, 하나의 판넬(100)에는 150개 정도의 비아 홀(VH)이 형성되는 20,400개의 유닛(300)을 포함할 수 있다. 결론적으로, 하나의 판넬(100)에는 3백만개 이상의 비아 홀(VH)이 형성된다.At this time, about 150 via holes (VH) are formed in one unit 200. Accordingly, one panel 100 may include 20,400 units 300 in which about 150 via holes (VH) are formed. In conclusion, more than 3 million via holes (VH) are formed in one panel 100.

또한, 최근에는 회로 배선이 복잡해지면서 고집적화됨에 따라 회로 패턴층을 구성하는 패턴이 미세화되고, 이에 따라 비아 홀(VH)의 수도 점점 증가하고 있다. 이에 따라, 하나의 판넬(100)에는 최소 3백만 개 이상의 비아 홀(VH)이 형성됨에 따라, 상기 3백만개 이상의 비아 홀(VH)의 형성이 완료될 때까지 상기 판넬(100)이나 스트립(200)의 평탄도를 유지하는 것이 중요하다. 예를 들어, 상기 비아 홀 형상은 레이저 가공에 의해 이루어질 수 있다. 이때, 상기 레이저 가공 시에, 상기 판넬(100)에 열이 가해지게 되며, 이에 따라 상기 판넬(100)의 표면은 최대 700℃까지 상승하게 된다. 이때, 상기 판넬(100)은 팽창 현상 및 수축 현상이 반복적으로 발생하게 되고, 이에 따른 상기 판넬(100) 또는 스트립(200)의 표면에 주름이 발생하는 휨 현상이 발생하게 된다. 이때, 상기 판넬(100) 또는 스트립(200)이 휜 상태에서 레이저 가공에 의한 비아 홀이 형성되는 경우, 상기 형성되는 비아 홀의 위치나 형상이 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 판넬(100)이나 스트립(200)이 휜 상태에서 레이저 공정이 이루어지면, 상기 비아 홀의 위치가 시프트 되는 문제가 있거나, 상기 비아 홀의 형상이 찌그러지는 등의 신뢰성 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 상기 판넬(100)에 발생하는 주름과 같은 휨 문제를 최소화하여 상기 판넬(100) 또는 스트립(200)의 평탄도를 유지시킬 수 있어야 한다.Additionally, in recent years, as circuit wiring has become more complex and highly integrated, the patterns constituting the circuit pattern layer have become finer, and the number of via holes (VH) is gradually increasing accordingly. Accordingly, as at least 3 million via holes (VH) are formed in one panel 100, the panel 100 or the strip 200 is formed until the formation of the 3 million or more via holes (VH) is completed. It is important to maintain the flatness of ). For example, the via hole shape may be formed through laser processing. At this time, during the laser processing, heat is applied to the panel 100, and as a result, the surface of the panel 100 rises to a maximum of 700°C. At this time, the panel 100 repeatedly experiences expansion and contraction, and as a result, a bending phenomenon that causes wrinkles to occur on the surface of the panel 100 or the strip 200 occurs. At this time, when a via hole is formed by laser processing while the panel 100 or the strip 200 is bent, the position or shape of the formed via hole may change. For example, if the laser process is performed while the panel 100 or the strip 200 is bent, reliability problems may occur, such as the position of the via hole being shifted or the shape of the via hole being distorted. . Therefore, it is necessary to maintain the flatness of the panel 100 or strip 200 by minimizing bending problems such as wrinkles that occur in the panel 100.

한편, 일반적으로 회로 기판을 구성하는 유닛(300)이 판넬(100) 단위로 제조되면, 여기에 반도체 소자를 실장하는 실장 공정 및 상기 반도체 소자나 유닛(300)의 표면을 보호하는 몰딩 공정을 진행하게 된다.Meanwhile, in general, when the unit 300 constituting the circuit board is manufactured as a panel 100, a mounting process to mount a semiconductor element thereon and a molding process to protect the surface of the semiconductor element or unit 300 are performed. I do it.

예를 들어, 상기 유닛(300)에는 소자가 실장되는 영역이 노출되는 오픈부를 포함할 수 있고, 상기 오픈부에 소자가 실장됨에 따라 상기 소자를 보호하는 몰딩층을 형성하는 공정을 진행하게 된다. For example, the unit 300 may include an open portion exposing an area where the device is mounted, and as the device is mounted in the open portion, a process of forming a molding layer that protects the device is performed.

이때, 상기 유닛(300) 및 상기 유닛(300)을 구성하는 스트립(200)은 영역별로 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 판넬(100)은 영역별로 서로 다른 두께 산포를 가질 수 있다. 예를 들어, 유닛(300)은 전체적인 영역에서 서로 동일한 두께를 가지지 않는다. 예를 들어, 상기 유닛(300)은 특정 영역에서는 제1 두께를 가질 수 있고, 다른 영역에서는 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 가질 수 있다. 그리고, 상기 유닛(300)의 두께 편차에 의해 상기 몰딩을 위한 공정에서, 몰딩 수지가 상기 유닛(300)의 외곽 영역, 다시 말해서 스트립(200)의 외곽 영역으로 흘러 넘치는 현상이 발생하게 된다. 그리고, 상기 몰딩 수지가 흘러 넘치는 경우, 상기 몰딩 공정을 진행하는 금형을 오염시키게 되고, 이에 따른 작업성 문제가 발생하게 된다.At this time, the unit 300 and the strip 200 constituting the unit 300 may have different thicknesses for each region. For example, the panel 100 may have different thickness distributions for each region. For example, the units 300 do not have the same thickness throughout the entire area. For example, the unit 300 may have a first thickness in a specific area and a second thickness that is thicker than the first thickness in another area. In addition, during the molding process due to the thickness deviation of the unit 300, the molding resin overflows into the outer area of the unit 300, that is, the outer area of the strip 200. Additionally, when the molding resin overflows, it contaminates the mold in which the molding process is performed, resulting in workability problems.

이에 따라, 실시 예에서는 상기 유닛(300), 나아가 스트립(200), 더 나아가 판넬(100)의 평탄도를 유지하면서, 상기 몰딩층을 형성하는 과정에서 발생하는 몰드 수지의 넘침에 의한 금형 오염을 방지할 수 있는 회로 기판 스트립을 제공하고자 한다. 이때, 실시 예에서는 상기 회로 기판 스트립의 전체적인 디자인에서, 제1 영역(R1)의 디자인 변경이 아닌 제2 영역(R2)의 디자인 변경을 통해 상기 휨 발생을 개선하면서 상기 금형 오염을 방지할 수 있도록 한다.Accordingly, in the embodiment, the flatness of the unit 300, the strip 200, and the panel 100 is maintained, and mold contamination due to overflow of mold resin occurring in the process of forming the molding layer is prevented. The goal is to provide a circuit board strip that can prevent this. At this time, in the embodiment, in the overall design of the circuit board strip, the bending occurrence is improved and the mold contamination is prevented by changing the design of the second region (R2) rather than the design of the first region (R1). do.

이하에서는 실시 예에 따른 회로 기판 스트립에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a circuit board strip according to an embodiment will be described in detail.

본원의 회로 기판 스트립의 설명에 앞서, 상기 회로 기판 스트립에 구비된 각각의 유닛(300)은 반도체 패키지 제작을 위한 기판으로 이용될 수 있다. 상기 기판은 전자 제품의 메인 보드에 결합되는 패키지 기판을 의미할 수 있다. 다른 실시 예에서 상기 기판은 상기 패키지 기판에 결합되는 인터포저를 의미할 수 있다.Before explaining the circuit board strip of the present application, each unit 300 provided in the circuit board strip can be used as a substrate for manufacturing a semiconductor package. The substrate may refer to a package substrate that is coupled to the main board of an electronic product. In another embodiment, the substrate may mean an interposer coupled to the package substrate.

한편, 상기 유닛(300)에는 반도체 소자가 실장될 수 있다. 상기 반도체 소자는 능동소자 및/또는 수동소자를 포함할 수 있다. 능동소자는 소자 수백 내지 수백만 개 이상이 하나의 칩 안에 집적화된 집적회로(IC) 형태의 반도체칩일 수 있다. 반도체 소자는 로직 칩, 메모리칩 등일 수 있다. 로직 칩은 센트랄 프로세서(CPU), 그래픽 프로세서(GPU) 등일 수 있다. 예를 들어, 로직 칩은 센트랄 프로세서(CPU), 그래픽 프로세서(GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 중 적어도 하나를 포함하는 애플리케이션 프로세서(AP) 칩이거나, 또는 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등이거나, 또는 지금까지 나열한 것들의 특정 조합을 포함하는 칩 세트일 수 있다. 메모리 칩은 HBM 등의 스택 메모리일 수 있다. 또한, 메모리 칩은 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩을 포함할 수 있다.Meanwhile, semiconductor devices may be mounted on the unit 300. The semiconductor device may include active devices and/or passive devices. Active devices may be semiconductor chips in the form of integrated circuits (ICs) in which hundreds to millions of devices are integrated into one chip. Semiconductor devices may be logic chips, memory chips, etc. The logic chip may be a central processor (CPU), a graphics processor (GPU), or the like. For example, the logic chip is an application processor (AP) chip that includes at least one of a central processor (CPU), graphics processor (GPU), digital signal processor, cryptographic processor, microprocessor, microcontroller, or an analog-digital chip. It could be a converter, an application-specific IC (ASIC), or a set of chips containing a specific combination of the ones listed so far. The memory chip may be a stack memory such as HBM. Additionally, the memory chip may include memory chips such as volatile memory (eg, DRAM), non-volatile memory (eg, ROM), and flash memory.

한편, 실시 예의 반도체 패키지가 적용되는 제품군은 CSP(Chip Scale Package), FC-CSP(Flip Chip-Chip Scale Package), FC-BGA(Flip Chip Ball Grid Array), POP (Package On Package) 및 SIP(System In Package) 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the product lines to which the semiconductor package of the embodiment is applied include Chip Scale Package (CSP), Flip Chip-Chip Scale Package (FC-CSP), Flip Chip Ball Grid Array (FC-BGA), Package On Package (POP), and SIP ( System In Package), but is not limited to this.

도 2는 일 실시 예에 따른 도 1의 A-A' 방향에 대한 단면도이다. 도 2를 참조하면, 스트립(200)은 복수의 층 구조를 가질 수 있다. 상기 스트립(200)은 전체적인 영역에서, 복수의 유닛(300)이 포함되는 제1 영역(R1)과, 이의 외곽 영역인 제2 영역(R2)을 포함한다. 그리고 상기 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)은 상기 스트립(200)의 상면에 대응하는 상면 영역과 하면에 대응하는 하면 영역으로 구분될 수 있다. 이에 대해서는 하기에서 상세히 설명하기로 한다. 상기 제1 영역(R1)은 유닛(300)을 구성하는 유효 영역일 수 있다. 또한, 상기 제2 영역(R2)은 상기 제1 영역을 제외한 더미 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 스트립(200)을 이용하여 복수의 반도체 패키지를 제작하는 경우, 상기 제1 영역과 제2 영역 사이의 경계선을 기준으로 쏘잉을 진행할 수 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A' of FIG. 1 according to an embodiment. Referring to FIG. 2, the strip 200 may have a multiple layer structure. The strip 200 includes a first area R1 including a plurality of units 300 and a second area R2 outside the strip 200. Additionally, the first region R1 and the second region R2 may be divided into an upper surface area corresponding to the upper surface of the strip 200 and a lower surface area corresponding to the lower surface. This will be explained in detail below. The first area R1 may be an effective area constituting the unit 300. Additionally, the second area R2 may be a dummy area excluding the first area. For example, when manufacturing a plurality of semiconductor packages using the strip 200, sawing may be performed based on the boundary line between the first area and the second area.

상기 스트립(200)은 절연층(410), 회로 패턴층(420), 비아 전극(430), 제1 보호층(440) 및 제2 보호층(450)을 포함할 수 있다.The strip 200 may include an insulating layer 410, a circuit pattern layer 420, a via electrode 430, a first protective layer 440, and a second protective layer 450.

상기 절연층(410)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다. 예를 들어, 절연층(410)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. The insulating layer 410 may be rigid or flexible. For example, the insulating layer 410 may include glass or plastic.

상기 절연층(410)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연층(410)은 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 사파이어를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 아지노모토사에서 출시하는 제품인 ABF(Ajinomoto Build-up Film)을 이용할 수 있고, FR-4, BT(Bismaleimide Triazine), PID(Photo Imageable Dielectric resin), BT 등이 사용될 수 있다. The insulating layer 410 may be rigid or flexible. For example, the insulating layer 410 may include glass or plastic. For example, the insulating layer 410 may include chemically strengthened/semi-strengthened glass such as soda lime glass or aluminosilicate glass. For example, the insulating layer 410 may include reinforced or soft plastic such as polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), propylene glycol (PPG), and polycarbonate (PC). You can. For example, the insulating layer 410 may include sapphire. For example, the insulating layer 410 may include an optically isotropic film. For example, the insulating layer 410 may include Cyclic Olefin Copolymer (COC), Cyclic Olefin Polymer (COP), wide isotropic polycarbonate (PC), or wide isotropic polymethyl methacrylate (PMMA). . For example, the insulating layer 410 can use ABF (Ajinomoto Build-up Film), a product released by Ajinomoto, FR-4, BT (Bismaleimide Triazine), PID (Photo Imageable Dielectric resin), BT, etc. This can be used.

한편, 도 2에서는 상기 절연층(410)이 1층 구조를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 절연층(410)은 2층 이상의 층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 스트립(200)은 다층 회로기판을 구성하는 유닛(300)을 포함할 수 있고, 이에 따라 상기 절연층(410)은 다층으로 구성될 수 있을 것이다.Meanwhile, in FIG. 2, the insulating layer 410 is shown as having a one-layer structure, but it is not limited thereto. For example, the insulating layer 410 may have a two-layer or more layer structure. For example, the strip 200 may include units 300 constituting a multilayer circuit board, and accordingly, the insulating layer 410 may be composed of multiple layers.

상기 절연층(410)의 표면에는 회로 패턴층(420)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴층(420)은 상기 절연층(410)의 상면 및 하면에 각각 배치될 수 있다. 상기 회로 패턴층(420)은 절연층(410)의 표면에 배치되어 전기적 신호를 전달하는 회로 패턴(또는 배선)을 포함할 수 있다. 상기 회로 패턴층(420)은 금속 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴층(420)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 회로 패턴층(420)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트를 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 회로 패턴층(420)은 전기 전도성이 높으면서 비교적 가격이 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다.A circuit pattern layer 420 may be disposed on the surface of the insulating layer 410. For example, the circuit pattern layer 420 may be disposed on the upper and lower surfaces of the insulating layer 410, respectively. The circuit pattern layer 420 may include a circuit pattern (or wiring) disposed on the surface of the insulating layer 410 to transmit an electrical signal. The circuit pattern layer 420 may be formed of a metal material. For example, the circuit pattern layer 420 is made of at least one selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn). It may contain one metallic substance. In addition, the circuit pattern layer 420 is selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn), which have excellent bonding properties. It may include a paste or solder paste containing at least one metal material. Preferably, the circuit pattern layer 420 may be formed of copper (Cu), which has high electrical conductivity and is relatively inexpensive.

상기 회로 패턴층(420)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. The circuit pattern layer 420 is manufactured using typical printed circuit board manufacturing processes such as the additive process, subtractive process, MSAP (Modified Semi Additive Process), and SAP (Semi Additive Process) process. This is possible, and detailed description is omitted here.

상기 회로 패턴층(420)은 상기 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)에 각각 구비될 수 있다. 상기 제2 영역(R2)에 구비되는 회로 패턴층(420)은 더미 패턴이라 할 수 있다. 상기 더미 패턴은 상기 제1 영역(R1)에 구비된 회로 패턴층(420)의 두께가 균일하도록 하면서, 상기 스트립(200)의 강성을 확보하는 기능을 할 수 있다.The circuit pattern layer 420 may be provided in the first region (R1) and the second region (R2), respectively. The circuit pattern layer 420 provided in the second region R2 may be referred to as a dummy pattern. The dummy pattern may function to ensure the rigidity of the strip 200 while ensuring a uniform thickness of the circuit pattern layer 420 provided in the first region R1.

한편, 상기 절연층(410) 내에는 비아 전극(430)이 배치될 수 있다. 상기 비아 전극(430)은 상기 절연층(410)의 상면 및 하면을 관통할 수 있다. 상기 비아 전극(430)은 상기 절연층(410)의 상면에 배치되는 회로 패턴층과 하면에 배치되는 회로 패턴층을 상호 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 비아 전극(430)은 상기 절연층(410)을 관통하는 비아 홀(미도시)의 내부를 금속 물질로 충진하여 형성할 수 있다.Meanwhile, a via electrode 430 may be disposed within the insulating layer 410. The via electrode 430 may penetrate the upper and lower surfaces of the insulating layer 410. The via electrode 430 may electrically connect the circuit pattern layer disposed on the upper surface and the circuit pattern layer disposed on the lower surface of the insulating layer 410 to each other. The via electrode 430 can be formed by filling the inside of a via hole (not shown) penetrating the insulating layer 410 with a metal material.

한편, 상기 절연층(410)의 상면 및 하면에는 각각 보호층이 형성될 수 있다.Meanwhile, protective layers may be formed on the upper and lower surfaces of the insulating layer 410, respectively.

즉, 상기 절연층(410)의 상면에는 제1 보호층(440)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 절연층(410)의 하면에는 제2 보호층(450)이 배치될 수 있다. 상기 제1 보호층(440) 및 상기 제2 보호층(450)은 솔더 레지스트(SR: Solder Resist), 산화물 및 Au 중 적어도 하나 이상을 이용하여, 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 보호층(440) 및 상기 제2 보호층(450)은 솔더 레지스트일 수 있다. That is, the first protective layer 440 may be disposed on the upper surface of the insulating layer 410. Additionally, a second protective layer 450 may be disposed on the lower surface of the insulating layer 410. The first protective layer 440 and the second protective layer 450 may be formed of at least one layer using at least one of solder resist (SR), oxide, and Au. Preferably, the first protective layer 440 and the second protective layer 450 may be solder resist.

한편, 상기와 같은 스트립(200)은 상기 설명한 바와 같이 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)은 각각 절연층(410)의 상부에 대응하는 상면 영역과, 상기 절연층(410)의 하부에 대응하는 하면 영역으로 구분될 수 있다.Meanwhile, the strip 200 as described above may include a first region (R1) and a second region (R2). At this time, the first region (R1) and the second region (R2) may be divided into an upper surface area corresponding to the upper part of the insulating layer 410 and a lower surface area corresponding to the lower part of the insulating layer 410. .

상기 제1 보호층(440) 및 제2 보호층(450) 각각은 상기 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 대응하게 복수의 영역으로 구분될 수 있다.Each of the first protective layer 440 and the second protective layer 450 may be divided into a plurality of regions corresponding to the first region R1 and the second region R2.

예를 들어, 상기 제1 보호층(440)은 유효 영역인 제1 영역(RT1) 및 상기 제1 영역(RT1) 이외의 제2 영역(RT2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)은 더미 영역을 의미할 수 있다. For example, the first protective layer 440 may include a first area RT1 that is an effective area and a second area RT2 other than the first area RT1. The second area RT2 of the first protective layer 440 may mean a dummy area.

상기 제1 보호층(440)은 상기 제1 영역(RT1)에 구비된 오픈 영역(441)을 포함할 수 있다. 상기 제1 보호층(440)의 상기 오픈 영역(441)은 상기 반도체 소자가 실장되는 영역에 대응할 수 있다. The first protective layer 440 may include an open area 441 provided in the first area RT1. The open area 441 of the first protective layer 440 may correspond to an area where the semiconductor device is mounted.

예를 들어, 상기 회로 패턴층(420)은 상기 반도체 소자의 단자와 전기적으로 연결되는 패드를 포함하고, 상기 제1 보호층(440)은 상기 패드와 수직으로 중첩되는 오픈 영역(441)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 회로 패턴층(420)의 상기 패드는 상기 오픈 영역(441)을 통해 스트립(200)의 외측으로 노출될 수 있다.For example, the circuit pattern layer 420 includes a pad electrically connected to a terminal of the semiconductor device, and the first protective layer 440 includes an open area 441 that vertically overlaps the pad. can do. Accordingly, the pad of the circuit pattern layer 420 may be exposed to the outside of the strip 200 through the open area 441.

한편, 상기 제2 보호층(450)은 유효 영역인 제1 영역(RB1) 및 상기 제1 영역(RB1)을 제외한 제2 영역(RB2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 보호층(440)의 상기 제1 영역(RB1)은 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 보호층(450)의 상기 제1 영역(RB1)은 상기 제1 보호층(440)의 제1 영역(RT1)과 수직으로 중첩될 수 있다.Meanwhile, the second protective layer 450 may include a first area RB1, which is an effective area, and a second area RB2 excluding the first area RB1. The first region RB1 of the second protective layer 440 may correspond to the first region RT1 of the first protective layer 440 . For example, the first region RB1 of the second protective layer 450 may vertically overlap the first region RT1 of the first protective layer 440 .

상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)은 더미 영역일 수 있다. 상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)은 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)은 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)과 수직으로 중첩될 수 있다.The second area RB2 of the second protective layer 450 may be a dummy area. The second region RB2 of the second protective layer 450 may correspond to the second region RT2 of the first protective layer 440. For example, the second region RB2 of the second protective layer 450 may vertically overlap the second region RT2 of the first protective layer 440.

한편, 도 2에서의 상기 제2 보호층(450)의 제1 영역(RB1)에는 오픈 영역이 구비되지 않는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 제2 보호층(450)의 제1 영역(RB1)에는 전자 소자가 실장되거나 외부 기판과 결합되는 패드와 수직으로 중첩되는 오픈 영역이 구비될 수 있을 것이다.Meanwhile, although it is shown in FIG. 2 that the first area RB1 of the second protective layer 450 does not have an open area, the present invention is not limited thereto. For example, the first region RB1 of the second protective layer 450 may be provided with an open area that vertically overlaps a pad on which an electronic device is mounted or coupled to an external substrate.

도 3은 도 2의 스트립에 반도체 소자가 실장된 상태를 보여주는 단면도이다.도 3을 참조하면, 절연층(410)의 상면에 배치된 회로 패턴층(420) 중 제1 보호층(440)의 오픈 영역(441)에 대응하는 회로 패턴층의 상면은 외부로 노출될 수 있다. 그리고, 상기 노출된 회로 패턴층 위에 반도체 소자(460)가 실장될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)의 오픈 영역(441)과 수직으로 중첩되는 패드 상에는 접속부(465)가 구비될 수 있고, 상기 반도체 소자(460)는 상기 접속부(465)를 통해 상기 패드와 전기적으로 결합될 수 있다.FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor device is mounted on the strip of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the first protective layer 440 of the circuit pattern layer 420 disposed on the upper surface of the insulating layer 410 is shown. The upper surface of the circuit pattern layer corresponding to the open area 441 may be exposed to the outside. Additionally, a semiconductor device 460 may be mounted on the exposed circuit pattern layer. Preferably, a connection portion 465 may be provided on a pad that vertically overlaps the open region 441 of the first region RT1 of the first protective layer 440, and the semiconductor device 460 may be It can be electrically coupled to the pad through the connection portion 465.

한편, 상기 스트립(200)은 몰딩층을 포함할 수 있다.Meanwhile, the strip 200 may include a molding layer.

예를 들어, 상기 제1 보호층(440) 상에는 상기 반도체 소자(460)를 몰딩하는 제1 몰딩 부재(470)가 배치될 수 있다. For example, a first molding member 470 for molding the semiconductor device 460 may be disposed on the first protective layer 440.

또한, 상기 제2 보호층(450) 하에는 제2 몰딩 부재(480)가 구비될 수 있다.Additionally, a second molding member 480 may be provided under the second protective layer 450.

상기 제1 몰딩 부재(470) 및 제2 몰딩 부재(480)The first molding member 470 and the second molding member 480

상기 제1 몰딩 부재(470) 및 제2 몰딩 부재(480)는 압축 몰딩 방식에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 몰딩 부재(470) 및 제2 몰딩 부재(480)는 하부 금형의 캐비티에 몰딩 수지 분말을 채우는 제1 공정, 상부 금형에 스트립(200)을 배치하는 제2 공정, 상기 상부 금형과 하부 금형을 결합하여 상기 캐비티 내에 상기 스트립(200)을 투입하는 제3 공정을 거쳐 형성될 수 있다.The first molding member 470 and the second molding member 480 may be formed by a compression molding method. For example, the first molding member 470 and the second molding member 480 include a first process of filling the cavity of the lower mold with molding resin powder, a second process of placing the strip 200 in the upper mold, It can be formed through a third process of combining the upper mold and the lower mold and inserting the strip 200 into the cavity.

상기 제1 몰딩 부재(470)는 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)에 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 금형의 캐비티는 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)에 대응하는 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 몰딩 부재(480)는 상기 제2 보호층(450)의 상기 제1 영역(RB1)에 구비될 수 있다. The first molding member 470 may be provided in the first region RT1 of the first protective layer 440. For example, the cavity of the lower mold may have a size corresponding to the first region RT1 of the first protective layer 440. Additionally, the second molding member 480 may be provided in the first region RB1 of the second protective layer 450.

도 4는 비교 예의 몰딩 부재를 포함하는 스트립을 나타낸 도면이다.Figure 4 is a diagram showing a strip including a molding member of a comparative example.

도 4를 참조하면, 상기 스트립(200)은 영역별로 두께 편차를 가지게 된다. 이에 따라, 상기 상부 금형과 하부 금형을 결합한 상태에서, 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에는 일정 갭이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 갭을 통해 상기 캐비티 내에 채워진 몰딩 수지가 흘러 넘칠 수 있다.Referring to FIG. 4, the strip 200 has thickness variations for each region. Accordingly, when the upper mold and the lower mold are combined, a certain gap may be formed between the upper mold and the lower mold. Additionally, the molding resin filled in the cavity may overflow through the gap.

예를 들어, 도 4와 같이, 비교 예에서는 상기 스트립(200)에 두께 편차가 존재하고, 상기 두께 편차에 의한 갭을 통해 상기 몰딩 수지가 흘러 넘치게 된다. 이에 따라, 비교 예에서는 상기 스트립(200)의 제2 영역(RT2)에 형성된 제1 몰딩 부재(470)에 제1 불량 영역(470A)이 구비될 수 있다. 또한, 비교 예에서는 스트립(200)의 상기 제2 보호층(450)의 제2 영역(RB2)에 구비된 제2 몰딩 부재(480)에 제2 불량 영역(480A)이 구비될 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 불량 영역(470A, 480A)은 상기 상부 금형과 상기 하부 금형을 오염시킨다. 이에 따라, 상기 몰딩 부재를 형성하는 공정을 진행하기 위해서는 상기 오염된 상부 금형과 하부 금형을 세척해야 하는 공정을 거쳐야 하며 이에 따른 작업성이 떨어지는 문제가 있다.For example, as shown in Figure 4, in the comparative example, there is a thickness deviation in the strip 200, and the molding resin overflows through the gap caused by the thickness deviation. Accordingly, in the comparative example, the first defective area 470A may be provided in the first molding member 470 formed in the second area RT2 of the strip 200. Additionally, in the comparative example, a second defective area 480A may be provided in the second molding member 480 provided in the second area RB2 of the second protective layer 450 of the strip 200. Additionally, the first and second defective areas 470A and 480A contaminate the upper mold and the lower mold. Accordingly, in order to proceed with the process of forming the molding member, the contaminated upper mold and lower mold must be cleaned, which results in a problem of poor workability.

도 5는 실시 예에 따른 스트립을 나타낸 도면이다.Figure 5 is a diagram showing a strip according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 제1 보호층(440)은 상기 제2 영역(RT2)에 구비된 복수의 제1 개구(442)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the first protective layer 440 may include a plurality of first openings 442 provided in the second region RT2.

상기 제1 개구(442)는 상기 제1 보호층(440)의 상기 더미 영역인 제2 영역(RT2)에 구비될 수 있다. 이에 따라, 상기 스트립(200)에 구비된 상기 회로 패턴층(420) 중 상기 제2 영역(RT2)가 수직으로 중첩된 회로 패턴층(420)은 상기 제1 개구(442)를 통해 외측으로 노출될 수 있다.The first opening 442 may be provided in the second region RT2, which is the dummy region, of the first protective layer 440. Accordingly, among the circuit pattern layers 420 provided on the strip 200, the circuit pattern layer 420 with the second region RT2 vertically overlapping is exposed to the outside through the first opening 442. It can be.

또한, 상기 제2 보호층(450)은 제2 개구(451)를 포함할 수 있다. 상기 제2 개구(451)는 상기 제2 보호층(450)의 제2 영역(RB2)에 구비될 수 있다.Additionally, the second protective layer 450 may include a second opening 451. The second opening 451 may be provided in the second region RB2 of the second protective layer 450.

상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 몰딩 부재(470)를 도포하는 공정에서, 상기 제1 몰딩 부재(470)가 흘러 넘치는 것을 방지하는 댐 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 비교 예에서는 상기 제1 개구(442)를 포함하지 않은 상태에서 몰딩 부재를 형성하고 있으며, 이에 따라 상기 몰딩 부재가 흘러 넘침에 따른 제1 불량 영역(470A)을 구비할 수 있다. 이때, 상기 제1 불량 영역(470A)은 상기 제1 보호층(440)의 상면 위로 돌출되어 상기 상부 금형과 하부 금형을 오염시켰다. 이와 다르게, 실시 예에서는 상기 제1 몰딩 부재(470)가 흘러 넘치는 경우, 상기 흘러 넘친 몰딩 부재(470)의 불량 영역은 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)를 채울 수 있다. 이에 따라 상기 상부 금형과 상기 하부 금형의 오염을 방지할 수 있다. 다시 말해서, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 몰딩 부재(470)를 도포하는 공정에서, 상기 제1 몰딩 부재(470)가 흘러 넘치는 것을 방지하는 댐 기능을 할 수 있다.The first opening 442 of the first protective layer 440 may function as a dam to prevent the first molding member 470 from overflowing during the process of applying the first molding member 470. there is. For example, in the comparative example, the molding member is formed without including the first opening 442, and accordingly, the molding member may have a first defective area 470A due to overflow. At this time, the first defective area 470A protruded above the upper surface of the first protective layer 440 and contaminated the upper and lower molds. Differently, in the embodiment, when the first molding member 470 overflows, the defective area of the overflowing molding member 470 may fill the first opening 442 of the first protective layer 440. there is. Accordingly, contamination of the upper mold and the lower mold can be prevented. In other words, the first opening 442 of the first protective layer 440 functions as a dam to prevent the first molding member 470 from overflowing during the process of applying the first molding member 470. can do.

이에 대응하게, 상기 제2 보호층(450)의 제2 개구(451)는 상기 제2 몰딩 부재(480)를 도포하는 공정에서, 상기 제2 몰딩 부재(480)가 흘러 넘치는 것을 방지하는 댐 기능을 할 수 있다. 즉, 실시 예에서의 상기 제2 보호층(450)의 제2 개구(451)는 상기 제2 몰딩 부재(480)가 흘러 넘치는 경우, 이를 가두는 댐 기능을 할 수 있고, 이에 따라 상기 상부 금형과 하부 금형의 오염을 방지할 수 있다.Correspondingly, the second opening 451 of the second protective layer 450 has a dam function to prevent the second molding member 480 from overflowing during the process of applying the second molding member 480. can do. That is, the second opening 451 of the second protective layer 450 in the embodiment may function as a dam to confine the second molding member 480 when it overflows, thereby forming the upper mold. Contamination of the upper and lower molds can be prevented.

도 6은 제1 실시 예에 따른 제1 보호층의 제1 개구를 나타낸 평면도이고, 도 7은 다양한 실시 예에 따른 도 6의 제1 개구의 단면도이며, 도 8은 실시 예에 따른 제2 보호층의 제2 개구를 나타낸 평면도이다. FIG. 6 is a plan view showing the first opening of the first protective layer according to the first embodiment, FIG. 7 is a cross-sectional view of the first opening of FIG. 6 according to various embodiments, and FIG. 8 is a second protective layer according to the embodiment. This is a plan view showing the second opening of the floor.

실시 예에서, 절연층(410), 회로 패턴층(420) 및 비아 전극(430)은 기판부라 할 수 있고, 이하에서는 이를 '기판부'라고 하여 설명하기로 한다.In an embodiment, the insulating layer 410, the circuit pattern layer 420, and the via electrode 430 may be referred to as a substrate portion, and will hereinafter be described as a 'substrate portion'.

상기 기판부는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)으로 구분될 수 있다. 상기 설한 바와 같이, 제1 영역(R1)은 유효 영역이고, 제2 영역(R2)은 더미 영역이다.The substrate portion may be divided into a first region (R1) and a second region (R2). As described above, the first area R1 is a valid area and the second area R2 is a dummy area.

이에 따라, 상기 제1 보호층(440)은 상기 유효 영역에 대응하는 제1 영역(RT1) 및 상기 더미 영역에 대응하는 제2 영역(RT2)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)에는 반도체 소자와의 결합을 위한 오픈 영역(441)이 구비될 수 있다. 또한, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에는 제1 개구(442)가 구비될 수 있다.Accordingly, the first protective layer 440 may include a first area RT1 corresponding to the effective area and a second area RT2 corresponding to the dummy area. Additionally, an open area 441 for coupling to a semiconductor device may be provided in the first region RT1 of the first protective layer 440. Additionally, a first opening 442 may be provided in the second region RT2 of the first protective layer 440.

또한, 상기 제2 보호층(450)은 상기 유효 영역에 대응하는 제1 영역(RB1) 및 상기 더미 영역에 대응하는 제2 영역(RB2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)에는 제2 개구(451)가 구비될 수 있다. Additionally, the second protective layer 450 may include a first area RB1 corresponding to the effective area and a second area RB2 corresponding to the dummy area. A second opening 451 may be provided in the second region RB2 of the second protective layer 450.

한편, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)은 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 영역(RT1)의 주위를 둘러싸며 구비될 수 있다.Meanwhile, the second region RT2 of the first protective layer 440 may be provided to surround the first region RT1 of the first protective layer 440.

상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에는 상기 제2 영역(RT2)의 둘레 방향을 따라 제1 개구(442)가 구비될 수 있다. 이때, 상기 제1 개구(442)는 하나로 연결된 하나의 개구가 아닌, 상기 둘레 방향을 따라 서로 이격된 도트 형상의 다수의 개구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)의 둘레 방향을 따라 배치되고 서로 이격된 복수의 제1 홀들을 포함할 수 있다. The second region RT2 of the first protective layer 440 may be provided with a first opening 442 along the circumferential direction of the second region RT2. At this time, the first opening 442 may include a plurality of dot-shaped openings spaced apart from each other along the circumferential direction, rather than a single connected opening. For example, the first opening 442 may include a plurality of first holes arranged along the circumferential direction of the second region RT2 of the first protective layer 440 and spaced apart from each other.

한편, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어질수록 폭이 변화할 수 있다.Meanwhile, the width of the first opening 442 of the first protective layer 440 may change as it moves away from the first region RT1.

예를 들어, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)에 인접한 일측에서 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 개구(442)는 상기 일측과 반대되는 타측에서 상기 제1 폭(W1)보다 큰 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 보호층(440)의 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어질수록 폭이 클 수 있다. For example, the first opening 442 of the first protective layer 440 may have a first width W1 on one side adjacent to the first region RT1. Additionally, the first opening 442 may have a second width W2 greater than the first width W1 on the other side opposite to the one side. That is, the width of the first opening 442 of the first protective layer 440 may become larger as the distance from the first region RT1 increases.

실시 예는 상기 제1 영역(RT1)에 인접한 상기 일측에서의 상기 제1 개구(442)의 폭이 상대적으로 작은 폭을 가지도록 한다. 이를 통해, 실시 예는 상기 제1 영역(RT1)에서 상기 제1 몰딩 부재(470)가 충분히 도포되지 못하는 문제를 해결할 수 있고, 이를 통해 상기 제1 몰딩 부재(470)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 실시 예는 상기 제1 몰딩 부재(470)의 전체 영역에서의 두께 균일도를 확보할 수 있으며, 이에 따른 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시 예는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 상대적으로 멀리 이격된 타측에서의 상기 제1 개구(442)의 폭(W2)이 상대적으로 큰 폭을 가지도록 한다. 이를 통해, 실시 예는 상기 제1 몰딩 부재(470)가 외측으로 흘러 넘치는 것에 의해 발생하는 불량 문제를 해결할 수 있다. 이를 통해 실시 예는 상기 제1 몰딩 부재(470)의 흘러 넘침을 방지하는 것에 의해 제조 공정을 간소화할 수 있고, 이를 통해 제품 수율을 향상시킬 수 있다. In the embodiment, the width of the first opening 442 on one side adjacent to the first region RT1 is relatively small. Through this, the embodiment can solve the problem of the first molding member 470 not being sufficiently applied in the first region RT1, and thereby improve the reliability of the first molding member 470. . Furthermore, the embodiment can secure thickness uniformity in the entire area of the first molding member 470 and thus improve product reliability. Additionally, the embodiment allows the width W2 of the first opening 442 to be relatively large on the other side that is relatively far away from the first region RT1. Through this, the embodiment can solve the problem of defects caused by the first molding member 470 overflowing to the outside. Through this, the embodiment can simplify the manufacturing process by preventing overflow of the first molding member 470, thereby improving product yield.

한편, 상기 제1 개구(442)가 전체적으로 상기 폭(W2)을 가질 수도 있을 것이다. 그러나, 상기 제1 개구(442)가 전체적으로 상기 폭(W2)을 가질 경우, 상기 제1 개구(442)에 의해 제1 영역(RT1)에 도포될 몰딩 부재의 낭비가 심해질 수 있고, 이에 따른 상기 제1 영역(RT1)에서의 제1 몰딩 부재(470)가 충분한 두께를 가지지 못하고 배치될 수 있거나, 상기 제1 영역(RT1)에 일정 두께의 상기 제1 몰딩 부재(470)를 형성하기까지 많은 시간 및 비용이 발생할 수 있다. Meanwhile, the first opening 442 may have the overall width W2. However, when the first opening 442 has the width W2 as a whole, the waste of the molding member to be applied to the first region RT1 by the first opening 442 may increase, resulting in the The first molding member 470 in the first region RT1 may not have a sufficient thickness, or it may take a lot of time to form the first molding member 470 of a certain thickness in the first region RT1. Time and cost may be incurred.

한편, 상기 제1 개구(442)는 복수의 군으로 구분할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 개구(442)는 상기 제2 영역(RT2)의 둘레 방향을 따라 구비되고 상기 제1 영역(RT1)에 인접한 복수의 제1홀들을 포함하는 제1군의 제1 개구(442-1)와, 상기 제1군의 상기 제1 개구(442-1)와 이격되고 상기 제2 영역(RT2)의 둘레에 인접한 제2군의 제1 개구(442-2)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the first opening 442 can be divided into a plurality of groups. For example, the first opening 442 is a first group of first openings provided along the circumferential direction of the second region RT2 and including a plurality of first holes adjacent to the first region RT1. (442-1) and a second group of first openings 442-2 spaced apart from the first group of openings 442-1 and adjacent to the perimeter of the second region RT2. You can.

예를 들어, 상기 제1군의 제1 개구(442-1)는 상기 제1 영역(RT1)의 둘레에 인접한 위치에서 상기 제1 영역(RT1)의 주위를 감싸며 배치된 복수의 제1홀들을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2군의 제1 개구(442-2)는 상기 제1군의 제1 개구(442-1)와 이격되면서 상기 제2 영역(RT2)의 둘레에 인접하게 구비될 수 있다.For example, the first group of first openings 442-1 includes a plurality of first holes arranged around the first region RT1 at a position adjacent to the circumference of the first region RT1. It can be included. Additionally, the first openings 442-2 of the second group may be provided adjacent to the periphery of the second region RT2 while being spaced apart from the first openings 442-1 of the first group.

예를 들어, 상기 제1군의 제1 개구(442-1)는 제1 수평 방향으로 상호 이격된 제1 홀들을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2군의 제1 개구(442-2)는 상기 제1군의 제1 개구(442-1)와 상기 제1 수평 방향과 수직한 제2 수평 방향으로 이격되면서 상기 제1 수평 방향으로 상호 이격된 복수의 제1홀들을 포함할 수 있다.For example, the first group of first openings 442-1 may include first holes spaced apart from each other in the first horizontal direction. And, the first openings 442-2 of the second group are spaced apart from the first openings 442-1 of the first group in a second horizontal direction perpendicular to the first horizontal direction. It may include a plurality of first holes spaced apart from each other.

한편, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에 구비된 상기 제1 개구(442)가 상기 제1 보호층(440)의 상면 및 하면을 관통하는 관통 홀인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에 구비된 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 보호층(440)의 상면에서 하면을 향하여 오목한 리세스로 구비될 수도 있을 것이다.Meanwhile, it has been described that the first opening 442 provided in the second region RT2 of the first protective layer 440 is a through hole penetrating the upper and lower surfaces of the first protective layer 440. It is not limited to this. For example, the first opening 442 provided in the second region RT2 of the first protective layer 440 is provided as a concave recess from the upper surface to the lower surface of the first protective layer 440. It could be.

한편, 도 7을 참조하면, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 다양한 형상을 가질 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 7 , the first opening 442 may have various shapes whose width increases in a direction away from the first region RT1.

예를 들어, 도 7의 (a)를 참조하면, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 T자 형상을 가질 수 있다.For example, referring to (a) of FIG. 7 , the first opening 442 may have a T-shape whose width increases in a direction away from the first region RT1.

예를 들어, 도 7의 (b)를 참조하면, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.For example, referring to (b) of FIG. 7 , the first opening 442 may have a trapezoidal shape whose width increases in a direction away from the first region RT1.

예를 들어, 도 7의 (c)를 참조하면, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 영역(RT1)으로부터 멀어지는 방향으로 폭이 증가하는 반원 형상을 가질 수 있다.For example, referring to (c) of FIG. 7 , the first opening 442 may have a semicircular shape whose width increases in a direction away from the first region RT1.

한편, 도 8을 참조하면, 상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)에는 복수의 제2 개구(451)가 구비될 수 있다. 상기 복수의 제2 개구(451)에 대응하는 특징은 상기 제1 개구(442)에 대응할 수 있다. 따라서, 상기 제2 개구(451)의 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, referring to FIG. 8 , a plurality of second openings 451 may be provided in the second region RB2 of the second protective layer 450. Features corresponding to the plurality of second openings 451 may correspond to the first openings 442. Therefore, detailed description of the second opening 451 will be omitted.

한편, 상기 복수의 제2 개구(451)들 사이의 간격 및/또는 상기 복수의 제2 개구(451)의 평면적은 상기 복수의 제1 개구(442)들 사이의 간격 및/또는 복수의 제1 개구(442)의 평면적과 다를 수 있다. Meanwhile, the spacing between the plurality of second openings 451 and/or the planar area of the plurality of second openings 451 are the spacing between the plurality of first openings 442 and/or the plurality of first openings 451. It may be different from the planar area of the opening 442.

구체적으로, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)에서의 상기 복수의 제1 개구(442)의 개구율은 상기 제2 보호층(450)의 상기 제2 영역(RB2)에서의 상기 복수의 제2 개구(451)의 개구율과 다를 수 있다. 이를 통해 실시 예는 스트립(200)의 휨 발생을 최소화할 수 있다. Specifically, the opening ratio of the plurality of first openings 442 in the second region (RT2) of the first protective layer 440 is the aperture ratio of the plurality of first openings 442 in the second region (RB2) of the second protective layer 450. may be different from the opening ratio of the plurality of second openings 451. Through this, the embodiment can minimize the occurrence of bending of the strip 200.

즉, 일반적인 스트립(200)의 휨 발생을 해결하기 방안으로 다양한 변수가 고려될 수 있다. 예를 들어, 휨에 강한 특성을 가지는 재료로, 절연층의 재료를 변경하거나, 회로패턴층의 디자인을 변경하거나, 절연층의 두께를 변경하거나, 회로기판의 층 수를 변경하는 등의 다양한 변수를 고려할 수 있다. 그러나, 통상적으로 회로기판은 제품에 맞게 스펙이 정해지게 된다. 예를 들어, 회로기판을 구성하는 각 층의 소재, 두께, 오차 범위 및 패턴 디자인 등은 제품 스펙에 대응하는 설계 도면에 의해 이미 결정된 상태이며, 이에 따라 상기 휨의 발생을 해결하기 위한, 변경 가능한 항목들은 상대적으로 제한적이다. 이에 따라, 실시 예에서는 더미 영역에 대응하는 제2 영역(R2)에서의 제1 보호층(440)과 제2 보호층(450)의 체적을 달리하여 휨 발생을 개선할 수 있도록 한다.In other words, various variables can be considered as a way to solve the bending of the general strip 200. For example, various variables such as changing the material of the insulating layer with a material that has strong properties against bending, changing the design of the circuit pattern layer, changing the thickness of the insulating layer, or changing the number of layers of the circuit board. can be considered. However, the specifications of the circuit board are usually determined according to the product. For example, the material, thickness, error range, and pattern design of each layer constituting the circuit board have already been determined by the design drawing corresponding to the product specifications, and thus can be changed to solve the occurrence of the bending. Items are relatively limited. Accordingly, in the embodiment, the occurrence of warpage can be improved by varying the volumes of the first protective layer 440 and the second protective layer 450 in the second region R2 corresponding to the dummy region.

예를 들어, 스트립(200)에서, 반도체 (460)는 상기 기판부의 상면에 실장될 수 있다. 이에 따라, 기판부의 상면에서의 회로 패턴층(420)의 체적과 상기 기판부의 하면에서의 회로 패턴층(420)의 체적이 서로 다를 수 있다. 그리고, 이에 의해 상기 스트립(200)은 스마일 형태(중앙을 중심으로 좌측과 우측이 하측으로 휘어지는 형태)의 휨이 발생할 수 있다. 따라서, 실시 예에서는 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)에 의한 상기 제2 영역(RT2)의 개구율이 상기 제2 개구(451)에 의한 상기 제2 보호층(450)의 제2 영역(RB2)의 개구율보다 클 수 있다. 그리고, 실시 예는 상기 제1 개구(442)와 제2 개구(451)에 의한 개구율의 차이를 통해 상기 스트립(200)의 휨 발생을 상쇄시킬 수 있다.For example, in the strip 200, the semiconductor 460 may be mounted on the upper surface of the substrate portion. Accordingly, the volume of the circuit pattern layer 420 on the upper surface of the substrate may be different from the volume of the circuit pattern layer 420 on the lower surface of the substrate. And, as a result, the strip 200 may be bent in a smile shape (a shape in which the left and right sides are bent downward around the center). Therefore, in the embodiment, the aperture ratio of the second region RT2 by the first opening 442 of the first protective layer 440 is greater than the aperture ratio of the second region RT2 by the second opening 451 of the first protective layer 440. It may be greater than the aperture ratio of the second region RB2. And, in the embodiment, the occurrence of bending of the strip 200 can be offset through the difference in aperture ratio between the first opening 442 and the second opening 451.

도 9는 제2 실시 예에 따른 제1 보호층의 제1 개구를 나타낸 평면도이고, 도 10은 제3 실시 예에 다른 제1 개구를 나타낸 평면도이다.FIG. 9 is a plan view showing a first opening of the first protective layer according to the second embodiment, and FIG. 10 is a plan view showing another first opening according to the third embodiment.

도 9를 참조하면, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제1 개구(442)는 복수의 군으로 구비될 수 있고, 이는 상기 설명한 제1군의 제1 개구(442-1)와 제2군의 제1 개구(442-2)를 포함할 수 있다. 한편, 제1 실시 예에서의 상기 제1군의 제1 개구(442-1)와 제2군의 제1 개구(442-2)는 서로 이격된 상기 제2 수평 방향으로 정렬되어 배치되었다.Referring to FIG. 9, the first openings 442 of the first protective layer 440 may be provided in a plurality of groups, which include the first opening 442-1 of the first group and the second opening 442-1 of the first group described above. It may include a first opening 442-2 of the group. Meanwhile, in the first embodiment, the first group of first openings 442-1 and the second group of openings 442-2 are aligned and arranged in the second horizontal direction and spaced apart from each other.

이와 다르게, 제2 실시 예에 따르면, 상기 제1군의 제1 개구(442-1)와 제2군의 제1 개구(442-2)는 서로 이격된 상기 제2 수평 방향에서 서로 어긋나게 또는 지그재그로 배치될 수 있다.Differently, according to the second embodiment, the first group of first openings 442-1 and the second group of first openings 442-2 are offset from each other or zigzag in the second horizontal direction, which are spaced apart from each other. It can be placed as .

이를 통해 실시 예는 상기 제1 개구(442)에 의한 상기 제1 몰딩 부재(470)의 넘침을 최소화할 수 있으며, 이에 따른 기계적 신뢰성 및 물리적 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다. Through this, the embodiment can minimize overflow of the first molding member 470 due to the first opening 442, and thereby further improve mechanical and physical reliability.

한편, 도 9에서는 제1 보호층(440)에 구비된 제1 개구(442)의 복수의 군이 서로 지그재그로 배치된 것에 대해 도시하였으나, 상기 제1 개구(442)에 대응하게 제2 개구(451)도 지그재그로 배치될 수 있을 것이다.Meanwhile, in FIG. 9, a plurality of groups of first openings 442 provided in the first protective layer 440 are shown zigzagly arranged with each other, but a second opening (corresponding to the first opening 442) is shown in FIG. 451) could also be arranged in a zigzag manner.

또한, 도 10을 참조하면, 상기 제1 개구(442)는 영역별로 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 개구(442)는 이와 수직으로 중첩되는 회로 패턴층(420)의 밀도에 따라 서로 다른 사이즈를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 수직으로 중첩된 회로 패턴층은 실질적으로 상기 제1 보호층(440)과 직접 접촉하는 회로 패턴층을 의미할 수 있다.Additionally, referring to FIG. 10, the first opening 442 may have different sizes for each region. For example, the first opening 442 may have different sizes depending on the density of the circuit pattern layer 420 that vertically overlaps it. Here, the vertically overlapping circuit pattern layer may mean a circuit pattern layer that substantially directly contacts the first protective layer 440.

구체적으로, 상기 제1 보호층(440)의 상기 제2 영역(RT2)은 상대적으로 낮은 밀도를 갖는 회로 패턴층(420)과 수직으로 중첩되는 제1 서브 영역과, 상기 제1 서브 영역 대비 상대적으로 높은 밀도를 갖는 회로 패턴층(420)과 수직으로 중첩되는 제2 서브 영역을 포함할 수 있다. Specifically, the second region RT2 of the first protective layer 440 includes a first sub-region that vertically overlaps the circuit pattern layer 420 having a relatively low density, and a relative density compared to the first sub-region. It may include a second sub-region that vertically overlaps the circuit pattern layer 420 having a high density.

이때, 상기 제1 서브 영역 및 상기 제2 서브 영역 각각에 구비된 제1 개구(442)가 서로 동일한 사이즈를 가지는 경우, 상기 회로 패턴층(420)의 밀도 차이로 인해 휨이 발생할 수 있다.At this time, when the first openings 442 provided in each of the first sub-region and the second sub-region have the same size, warping may occur due to a difference in density of the circuit pattern layer 420.

따라서, 실시 예는 상기 제1 서브 영역에 구비된 개구들과 상기 제2 서브 영역에 구비된 제2 개구들의 사이즈를 서로 다르게 적용할 수 있다.Accordingly, the embodiment may apply different sizes of the openings provided in the first sub-region and the second openings provided in the second sub-region.

예를 들어, 상기 제1 개구(442)는 상기 제1 서브 영역에 구비된 제1 개구(442a)와 상기 제2 서브 영역에 구비된 제1 개구(442b)를 포함할 수 있다. For example, the first opening 442 may include a first opening 442a provided in the first sub-region and a first opening 442b provided in the second sub-region.

상기 제1 서브 영역에 구비된 제1 개구(442a)는 상대적으로 낮은 밀도를 갖는 회로 패턴층(420)과 수직으로 중첩된다. 이에 따라 상기 제1 서브 영역에 구비된 제1 개구(442a)는 다른 제1 개구들보다 상대적으로 큰 사이즈를 가질 수 있다.The first opening 442a provided in the first sub-region vertically overlaps the circuit pattern layer 420 having a relatively low density. Accordingly, the first opening 442a provided in the first sub-region may have a relatively larger size than other first openings.

또한, 상기 제2 서브 영역에 구비된 제1 개구(442b)는 상대적으로 높은 밀도를 갖는 회로 패턴층(420)과 수직으로 중첩된다. 이에 따라 상기 제2 서브 영역에 구비된 제1 개구(442b)는 다른 제1 개구들보다 상대적으로 작은 사이즈를 가질 수 있다.Additionally, the first opening 442b provided in the second sub-region vertically overlaps the circuit pattern layer 420 having a relatively high density. Accordingly, the first opening 442b provided in the second sub-region may have a relatively smaller size than other first openings.

이를 통해, 실시 예는 상기 회로 패턴층(420)의 밀도의 차이에 의해 상기 스트립(200)이 특정 방향으로 크게 휘어지는 것을 방지할 수 있고, 이를 통해 물리적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Through this, the embodiment can prevent the strip 200 from being greatly bent in a specific direction due to a difference in density of the circuit pattern layer 420, thereby further improving physical and electrical reliability.

실시 예에 따른 회로 기판 스트립은 유효 영역에 대응되는 제1 영역 및 더미 영역에 대응되는 제2 영역을 포함하는 기판부를 포함할 수 있다. 상기 기판부의 상면에는 제1 보호층이 구비되고 하면에는 제2 보호층이 구비될 수 있다. 또한, 상기 제1 보호층 및 제2 보호층은 상기 유효 영역 및 상기 더미 영역에 각각 대응하는 제1 및 제2 영역을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 보호층의 제2 영역에는 서로 이격된 복수의 제1 개구가 구비될 수 있다. 또한, 상기 제2 보호층의 제2 영역에는 서로 이격된 복수의 제2 개구가 구비될 수 있다. 상기 복수의 제1 개구 및 상기 복수의 제2 개구는 상기 기판부의 제1 영역에 몰딩 부재를 도포하는 공정에서 상기 몰딩 부재의 넘침을 방지하는 댐 기능을 할 수 있다. 이를 통해 실시 예는 상기 몰딩 부재의 넘침을 방지할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.A circuit board strip according to an embodiment may include a substrate portion including a first area corresponding to an effective area and a second area corresponding to a dummy area. A first protective layer may be provided on the upper surface of the substrate and a second protective layer may be provided on the lower surface. Additionally, the first protective layer and the second protective layer may include first and second areas corresponding to the effective area and the dummy area, respectively. At this time, a plurality of first openings spaced apart from each other may be provided in the second region of the first protective layer. Additionally, a plurality of second openings spaced apart from each other may be provided in the second region of the second protective layer. The plurality of first openings and the plurality of second openings may function as a dam to prevent overflow of the molding member during a process of applying the molding member to the first region of the substrate portion. Through this, the embodiment can prevent overflow of the molding member and thus improve reliability.

한편, 상기 제1 개구 및 제2 개구 각각은 상기 제1 영역에 인접한 일측에서의 폭이 상기 일측과 반대되는 타측에서의 폭보다 작을 수 있다. 이를 통해, 실시 예는 상기 몰딩 부재를 도포하는 공정에서 상기 제2 영역으로 상기 몰딩 부재가 과하게 넘치는 것을 방지하면서, 상기 넘치는 몰딩 부재의 흐름을 제어할 수 있다. 따라서, 실시 예는 상기 몰딩 부재의 넘침에 의해 금형이 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 몰딩 부재가 과하게 넘치는 것을 차단하여 상기 제1 영역에서의 상기 몰딩 부재의 두께 균일성을 확보할 수 있다.Meanwhile, each of the first opening and the second opening may have a width on one side adjacent to the first area that is smaller than a width on the other side opposite to the one side. Through this, the embodiment can control the flow of the overflowing molding member while preventing the molding member from overflowing into the second area during the process of applying the molding member. Accordingly, the embodiment can prevent the mold from being contaminated by overflow of the molding member, and prevent excessive overflow of the molding member, thereby ensuring thickness uniformity of the molding member in the first area.

또한, 상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 개구율과 상기 복수의 제2 개구에 의한 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역의 개구율은 서로 다를 수 있다. 이를 통해, 실시 예는 상기 기판부가 휘어지는 방향에 따라 상기 개구율의 조절을 통해 상기 기판부가 휘어지는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따른 상기 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Additionally, the opening ratio of the second region of the first protective layer formed by the plurality of first openings may be different from the opening ratio of the second region of the second protective layer formed by the plurality of second openings. Through this, the embodiment can prevent the substrate from being bent by adjusting the aperture ratio according to the direction in which the substrate is bent, thereby further improving the reliability.

또한, 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은 제1 서브 영역과 제2 서브 영역으로 구분될 수 있다. 상기 제1 서브 영역과 제2 서브 영역은 이와 수직으로 중첩된 회로 패턴층의 밀도에 의해 결정될 수 있다. 그리고, 상기 제1 서브 영역에서의 복수의 제1 개구에 의한 개구율과 상기 제2 서브 영역에서의 복수의 제1 개구에 의한 개구율은 서로 다를 수 있다. 이를 통해 실시 예는 상기 회로 패턴층의 밀도 차이에 의해 발생하는 휨 문제를 해결할 수 있으며, 이에 따른 기계적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.Additionally, the second region of the first protective layer may be divided into a first sub-region and a second sub-region. The first sub-region and the second sub-region may be determined by the density of the circuit pattern layer vertically overlapping therewith. Additionally, the aperture ratio of the plurality of first openings in the first sub-region may be different from the aperture ratio of the plurality of first openings in the second sub-region. Through this, the embodiment can solve the problem of warping caused by the difference in density of the circuit pattern layer, and thereby further improve mechanical and electrical reliability.

한편, 상술한 발명의 특징을 갖는 회로기판이 스마트폰, 서버용 컴퓨터, TV 등의 T 장치나 가전제품에 이용되는 경우, 신호 전송 또는 전력 공급 등의 기능을 안정적으로 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 특징을 갖는 회로기판이 반도체 패키지 기능을 수행하는 경우, 반도체 칩을 외부의 습기나 오염 물질로부터 안전하게 보호하는 기능을 할 수 있고, 누설전류 혹은 단자 간의 전기적인 단락 문제나 혹은 반도체 칩에 공급하는 단자의 전기적인 개방의 문제를 해결할 수 있다. 또한, 신호 전송의 기능을 담당하는 경우 노이즈 문제를 해결할 수 있다. 이를 통해, 상술한 발명의 특징을 갖는 회로기판은 IT 장치나 가전제품의 안정적인 기능을 유지할 수 있도록 함으로써, 전체 제품과 본 발명이 적용된 회로기판은 서로 기능적 일체성 또는 기술적 연동성을 이룰 수 있다.Meanwhile, when a circuit board having the characteristics of the above-described invention is used in T devices such as smartphones, server computers, TVs, or home appliances, functions such as signal transmission or power supply can be stably performed. For example, when a circuit board having the characteristics of the present invention performs a semiconductor package function, it can safely protect the semiconductor chip from external moisture or contaminants, and can prevent problems such as leakage current or electrical short circuits between terminals. Alternatively, the problem of electrical opening of the terminal supplying the semiconductor chip can be solved. Additionally, if it is responsible for the function of signal transmission, the noise problem can be solved. Through this, the circuit board having the characteristics of the above-described invention can maintain the stable function of IT devices or home appliances, so that the entire product and the circuit board to which the present invention is applied can achieve functional unity or technical interoperability with each other.

상술한 발명의 특징을 갖는 회로기판이 차량 등의 운송 장치에 이용되는 경우, 운송 장치로 전송되는 신호의 왜곡 문제를 해결할 수 있고, 또는 운송 장치를 제어하는 반도체 칩을 외부로부터 안전하게 보호하고, 누설전류 혹은 단자 간의 전기적인 단락 문제나 혹은 반도체 칩에 공급하는 단자의 전기적인 개방의 문제를 해결하여 운송 장치의 안정성을 더 개선할 수 있다. 따라서, 운송 장치와 본 발명이 적용된 회로기판은 서로 기능적 일체성 또는 기술적 연동성을 이룰 수 있다.When a circuit board having the characteristics of the above-described invention is used in a transportation device such as a vehicle, it is possible to solve the problem of distortion of signals transmitted to the transportation device, or to safely protect the semiconductor chip that controls the transportation device from the outside and prevent leakage. The stability of the transport device can be further improved by solving the problem of electrical short-circuiting between currents or terminals, or the problem of electrical opening of the terminal supplying the semiconductor chip. Therefore, the transportation device and the circuit board to which the present invention is applied can achieve functional unity or technical interoperability with each other.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the description has been made focusing on the embodiments above, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will understand the above examples without departing from the essential characteristics of the present embodiments. You will be able to see that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

Claims (11)

기판부; 및
상기 기판부 상에 배치된 보호층을 포함하고,
상기 보호층은 유효 영역의 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 더미 영역의 제2 영역을 포함하고,
상기 보호층의 제2 영역은 상기 제2 영역의 둘레 방향을 따라 서로 이격된 복수의 개구를 구비하고,
상기 복수의 개구 각각은 상기 제1 영역에 인접한 일측에서의 폭이 상기 일측과 반대되는 타측에서의 폭보다 작은, 회로 기판 스트립.
substrate part; and
It includes a protective layer disposed on the substrate portion,
The protective layer includes a first area of an active area and a second area of a dummy area excluding the first area,
The second region of the protective layer has a plurality of openings spaced apart from each other along a circumferential direction of the second region,
A circuit board strip, wherein each of the plurality of openings has a width on one side adjacent the first region less than a width on the other side opposite the one side.
제1항에 있어서,
상기 보호층은,
상기 기판부 상에 배치된 제1 보호층; 및
상기 기판부 하에 배치된 제2 보호층을 포함하고,
상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층 각각은 상기 제1 및 제2 영역을 포함하고,
상기 개구는,
상기 제1 보호층의 제2 영역에 구비된 복수의 제1 개구들과,
상기 제2 보호층의 제2 영역에 구비된 복수의 제2 개구들을 포함하는, 회로 기판 스트립.
According to paragraph 1,
The protective layer is,
a first protective layer disposed on the substrate; and
Comprising a second protective layer disposed under the substrate portion,
Each of the first protective layer and the second protective layer includes the first and second regions,
The opening is,
a plurality of first openings provided in a second region of the first protective layer;
A circuit board strip comprising a plurality of second openings provided in a second region of the second protective layer.
제2항에 있어서,
상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역과 수직으로 중첩된, 회로 기판 스트립.
According to paragraph 2,
and wherein the second region of the first protective layer vertically overlaps the second region of the second protective layer.
제2항에 있어서,
상기 복수의 제1 개구들에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 개구율은, 상기 복수의 제2 개구들에 의한 상기 제2 보호층의 상기 제2 영역의 개구율과 다른, 회로 기판 스트립.
According to paragraph 2,
The aperture ratio of the second region of the first protective layer by the plurality of first openings is different from the aperture ratio of the second region of the second protective layer by the plurality of second openings. .
제4항에 있어서,
상기 복수의 제1 개구들 사이의 간격 및 상기 복수의 제1 개구들 각각의 면적 중 적어도 하나는,
상기 복수의 제2 개구들 사이의 간격 및 상기 복수의 제2 개구들 각각의 면적 중 적어도 하나와 다른, 회로 기판 스트립.
According to clause 4,
At least one of the spacing between the plurality of first openings and the area of each of the plurality of first openings is,
A circuit board strip that is different from at least one of a spacing between the plurality of second openings and an area of each of the plurality of second openings.
제2항에 있어서,
상기 기판부는,
절연층; 및
상기 절연층 상에 배치된 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제1 보호층의 상기 제1 영역은 상기 회로 패턴층과 수직으로 중첩된 오픈 영역을 포함하는, 회로 기판 스트립.
According to paragraph 2,
The substrate part,
insulating layer; and
It includes a circuit pattern layer disposed on the insulating layer,
The circuit board strip of claim 1, wherein the first region of the first protective layer includes an open region vertically overlapping the circuit pattern layer.
제6항에 있어서,
상기 오픈 영역과 수직으로 중첩된 회로 패턴층 상에 배치된 접속부;
상기 접속부 상에 배치된 반도체 소자; 및
상기 반도체 소자 상에 배치되는 제1 몰딩 부재를 포함하는, 회로 기판 스트립.
According to clause 6,
a connection portion disposed on a circuit pattern layer vertically overlapping the open area;
a semiconductor element disposed on the connection portion; and
A circuit board strip comprising a first molding member disposed on the semiconductor device.
제7항에 있어서,
상기 제1 몰딩 부재의 적어도 일부는 상기 제1 보호층의 상기 제2 영역의 상기 제1 개구에 배치된, 회로 기판 스트립.
In clause 7,
and wherein at least a portion of the first molding member is disposed in the first opening in the second region of the first protective layer.
제6항에 있어서,
상기 제1 보호층의 상기 제2 영역은,
제1 서브 영역 및 제2 서브 영역을 포함하고,
상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제1 서브 영역에서의 개구율은 상기 복수의 제1 개구에 의한 상기 제1 보호층의 상기 제2 서브 영역에서의 개구율과 다른, 회로 기판 스트립.
According to clause 6,
The second region of the first protective layer is,
Comprising a first sub-region and a second sub-region,
A circuit board, wherein the aperture ratio in the first sub-region of the first protective layer by the plurality of first openings is different from the aperture ratio in the second sub-region of the first protective layer by the plurality of first openings. strip.
제9항에 있어서,
상기 제1 서브 영역에서 상기 제1 보호층과 접촉하는 회로 패턴층의 밀도는,
상기 제2 서브 영역에서 상기 제1 보호층과 접촉하는 회로 패턴층의 밀도와 다른, 회로 기판 스트립.
According to clause 9,
The density of the circuit pattern layer in contact with the first protective layer in the first sub-region is,
A circuit board strip, wherein the density of the circuit pattern layer in contact with the first protective layer in the second sub-region is different.
제7항에 포함된 회로 기판 스트립에서 상기 제1 및 제2 보호층의 각각의 상기 제1 및 제2 영역 사이의 경계 영역을 소잉하여 제조된, 반도체 패키지.A semiconductor package manufactured by sawing a boundary area between the first and second regions of each of the first and second protective layers in the circuit board strip included in claim 7.
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