KR20240040383A - Deposition Apparatus - Google Patents

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강병두
한경록
장범권
김장미
윤형석
최교원
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Abstract

증착장치가 개시된다. 본 발명에 따른 증착장치는, 내부에 소스 가스(Source Gas)가 유입되는 가열공간이 형성되고 가열공간에 위치한 증착대상에 대한 증착공정을 수행하며 가열공간에 연통되고 증착대상이 이동되는 이동용 공간이 내부에 형성된 공정 챔버와, 공정 챔버에 연결되며 공정 챔버의 가열공간을 가열하는 히팅부와, 공정 챔버에 연결되며 가열공간을 이동용 공간에 대해 차폐하는 셔터부를 포함한다.A deposition apparatus is started. The deposition apparatus according to the present invention has a heating space into which source gas flows, performs a deposition process on a deposition object located in the heating space, and has a moving space that communicates with the heating space and moves the deposition object. It includes a process chamber formed therein, a heating part connected to the process chamber and heating the heating space of the process chamber, and a shutter part connected to the process chamber and shielding the heating space from the moving space.

Description

증착장치{Deposition Apparatus}Deposition Apparatus

본 발명은, 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 증착대상에 코팅물질로 탄소를 코팅할 수 있는 증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to a deposition apparatus, and more specifically, to a deposition apparatus capable of coating carbon with a coating material on a deposition object.

최근 각광받고 있는 전기 자동차(Electric Vehicle, EV) 또는 에너지 저장 시스템(Energy Storage System, ESS) 등에 사용되는 2차 전지(secondary cell)는 일반적으로 화학적 에너지를 전기적 에너지로 변환시켜 외부의 회로에 전원을 공급하기도 하고, 방전되었을 때 외부의 전원을 공급받아 전기적 에너지를 화학적 에너지로 바꾸어 전기를 저장할 수 있는 전지를 가리키며, 이러한 2차 전지를 통상적으로 축전기라 부르기도 한다.Secondary cells, which are used in electric vehicles (EV) or energy storage systems (ESS), which have recently been in the spotlight, generally convert chemical energy into electrical energy and provide power to external circuits. It refers to a battery that can store electricity by converting electrical energy into chemical energy by receiving external power when discharged. Such secondary batteries are also commonly called capacitors.

이러한 2차 전지 중에서 리튬 이온 2차 전지의 전극을 제조하기 위한 전극공정은 양극재와 음극재를 각각 알루미늄, 동박 극판에 붙이는 공정으로 믹싱, 코팅&건조, 압연, 슬리팅, 진공 건조 공정으로 세분화할 수 있다.Among these secondary batteries, the electrode process for manufacturing electrodes for lithium-ion secondary batteries is a process of attaching positive and negative electrode materials to aluminum and copper foil electrode plates, respectively, and is subdivided into mixing, coating & drying, rolling, slitting, and vacuum drying processes. can do.

여기서, 리튬 이온 2차 전지의 성능을 높이기 위한 음극재를 생산하는 방법으로써, 음극 활물질에 카본(C)을 코팅하는 방법이 사용될 수 있다.Here, as a method of producing a negative electrode material to improve the performance of a lithium ion secondary battery, a method of coating carbon (C) on the negative electrode active material can be used.

이렇게 카본(C)을 코팅하는 방법은 여러 가지의 방법이 존재하는데, 그 방법 중 하나로 탄소(C)와 수소(H)를 포함하는 소스 가스(Source Gas), 예를 들어 메탄(CH4), 에틸렌(C2H4), 아세틸렌(C2H2) 등의 소스 가스를 증착대상이 배치된 챔버로 투입하고 고온의 열을 가하여 분자가 열분해(Decomposition)되는 온도에 도달하면, 분해된 분자 중 탄소(C)가 증착물질로서 선택적으로 원하는 증착대상에 코팅될 수 있다.There are several methods for coating carbon (C) in this way. One of the methods is using a source gas containing carbon (C) and hydrogen (H), such as methane (CH4) and ethylene. When a source gas such as (C2H4) or acetylene (C2H2) is introduced into the chamber where the deposition object is placed and high temperature heat is applied to reach a temperature where the molecules are decomposed, carbon (C) among the decomposed molecules is converted to the deposition material. It can be selectively coated on a desired deposition target.

이 방법은 소스 가스로 사용된 특정 물질이 열분해되는 온도에서 물질이 분자단위로 깨어지는 온도로 가열시킴으로 이루어지는데, 이때 온도를 줄일 수 있는 방법으로 분위기 압력을 낮춰 진공상태로 만들면 열분해되는 반응 온도가 낮아지기 때문에 유리하다.This method is done by heating the specific material used as the source gas from the temperature at which it thermally decomposes to the temperature at which the material breaks down into molecules. In this case, as a way to reduce the temperature, if the atmospheric pressure is lowered and a vacuum is created, the thermal decomposition reaction temperature is lowered. It is advantageous because it is lower.

이 때, 열분해된 물질의 코팅 즉 증착하는데 있어서, 적절한 온도 및 압력의 조절도 중요하지만, 챔버 내에서 소스 가스의 유동 방향을 조절하고 유동 방향에 따른 증착물질의 유동량을 조절하는 것은, 증착물질이 반응 면적 전체에서 균일하게 반응할 수 있도록 도와주므로, 반응 효율을 상승시켜 보다 효율적으로 증착시키기 위해 증착공정을 최적화시킬 수 있는 중요한 목표가 될 수 있다.At this time, in coating or depositing the pyrolyzed material, appropriate temperature and pressure control is important, but controlling the flow direction of the source gas in the chamber and controlling the flow amount of the deposition material according to the flow direction is important to ensure that the deposition material is Since it helps to react uniformly across the entire reaction area, it can be an important goal for optimizing the deposition process to increase reaction efficiency and deposit more efficiently.

도 1은 종래의 증착장치에서 수평 방향을 따라 챔버의 내부를 유동하는 증착물질의 유동 방향(a)과, 수직 방향을 따라 챔버의 내부를 유동하는 증착물질의 유동 방향(b)을 개략적으로 도시한 도면이다.Figure 1 schematically shows the flow direction (a) of the deposition material flowing inside the chamber along the horizontal direction and the flow direction (b) of the deposition material flowing inside the chamber along the vertical direction in a conventional deposition apparatus. It is a drawing.

종래의 증착장치에 있어서는, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 소스 가스의 공급에 있어서 증착물질이 담긴 트레이(S)를 기준으로 챔버(1)의 일측면에서 반대측면으로 이동시키는 수평이동 방식을 사용한다.In a conventional deposition apparatus, as shown in (a) of FIG. 1, in the supply of source gas, a tray (S) containing the deposition material is moved from one side of the chamber (1) to the opposite side based on the horizontal Use the moving method.

또한, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 대량의 증착을 위해 넓은 면적에 분사기구(2)를 통해 소스 가스를 분산시켜 공급한다.In addition, as shown in (b) of FIG. 1, the source gas is distributed and supplied through the injection mechanism 2 over a large area for large-scale deposition.

한편, 종래기술에 따른 챔버의 내부에는 증착대상이 담긴 트레이의 이동을 위한 이동용 공간이 형성되는데, 이러한 이동용 공간이 증착공정이 수행되는 가열공간에 연통되어 열효율이 떨어지는 문제점이 있다.Meanwhile, a moving space is formed inside the chamber according to the prior art for moving the tray containing the deposition object, but this moving space is connected to the heating space where the deposition process is performed, so there is a problem in that thermal efficiency is reduced.

따라서, 가열공간을 이동용 공간에 대해 차폐시킴으로써, 열효율을 높일 수 있는 증착장치의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need to develop a deposition device that can increase thermal efficiency by shielding the heating space from the moving space.

대한민국 등록특허 제10-1016021호, (2011.02.23.)Republic of Korea Patent No. 10-1016021, (2011.02.23.)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 증착공정이 수행되는 가열공간을 증착대상의 이동에 필요한 이동용 공간에 대해 차폐시켜 열효율을 높일 수 있는 증착장치를 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a deposition apparatus that can increase thermal efficiency by shielding the heating space where the deposition process is performed from the movement space required for movement of the deposition object.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 소스 가스(Source Gas)가 유입되는 가열공간이 형성되고, 상기 가열공간에 위치한 증착대상에 대한 증착공정을 수행하며, 상기 가열공간에 연통되고 상기 증착대상이 이동되는 이동용 공간이 내부에 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 공정 챔버의 상기 가열공간을 가열하는 히팅부; 및 상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 가열공간을 상기 이동용 공간에 대해 차폐하는 셔터부를 포함하는 증착장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, a heating space into which a source gas flows is formed, a deposition process is performed on a deposition object located in the heating space, and the heating space is connected to the deposition object. A process chamber having a moving space formed therein; a heating unit connected to the process chamber and heating the heating space of the process chamber; and a shutter unit connected to the process chamber and shielding the heating space from the moving space.

상기 셔터부는 한 쌍으로 마련되며, 한 쌍의 상기 셔터부는 상기 증착대상을 두고 상호 이격되어 배치될 수 있다.The shutter units are provided as a pair, and the pair of shutter units may be arranged to be spaced apart from each other with respect to the deposition target.

상기 셔터부는, 상기 공정 챔버의 내부에 배치되는 셔터 본체; 및 상기 셔터 본체에 연결되며, 상기 셔터 본체를 업/다운(up/down) 방향으로 이동시키는 셔터용 액츄에이터를 포함할 수 있다.The shutter unit includes a shutter body disposed inside the process chamber; and a shutter actuator connected to the shutter body and moving the shutter body in an up/down direction.

상기 히팅부에 연결되어 상기 히팅부에 전력을 공급하며, 상기 가열공간의 외부에 배치되는 단자대부; 및 상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 단자대부가 상기 소스 가스에 노출되지 않도록 상기 단자대부를 차폐하는 보조 챔버를 포함할 수 있다.a terminal block connected to the heating unit to supply power to the heating unit and disposed outside the heating space; and an auxiliary chamber connected to the process chamber and shielding the terminal block so that the terminal block is not exposed to the source gas.

상기 보조 챔버는, 상기 공정 챔버의 외벽에 결합되며, 내부에 상기 단자대부의 적어도 일부분이 위치되는 격리공간이 형성된 보조챔버용 챔버몸체부; 및 상기 보조챔버용 챔버몸체부에 결합되며, 상기 보조챔버용 챔버몸체부의 상기 격리공간으로 불활성 가스(Inert Gas)를 유입시키는 불활성 가스용 유입부를 포함할 수 있다.The auxiliary chamber includes a chamber body portion for an auxiliary chamber that is coupled to an outer wall of the process chamber and has an isolation space therein in which at least a portion of the terminal block portion is located. And it is coupled to the chamber body for the auxiliary chamber, and may include an inert gas inlet for introducing an inert gas into the isolation space of the chamber body for the auxiliary chamber.

상기 불활성 가스가 유입된 상기 격리공간의 내부압력은, 상기 소스 가스가 유입된 상기 가열공간의 내부압력보다 높을 수 있다.The internal pressure of the isolation space into which the inert gas flows may be higher than the internal pressure of the heating space into which the source gas flows.

상기 공정 챔버는, 내부가 중공되게 형성되는 공정챔버용 챔버몸체부; 및 상기 공정챔버용 챔버몸체부의 내부에 배치되며, 상기 가열공간을 형성하는 단열부를 포함할 수 있다.The process chamber includes a chamber body portion for the process chamber having a hollow interior; And it may include an insulating part disposed inside the chamber body part for the process chamber and forming the heating space.

상기 단열부에는, 상기 가열공간에 연통되며, 상기 소스 가스가 유동되는 소스가스용 유동관로가 형성될 수 있다.A flow pipe for source gas that communicates with the heating space and through which the source gas flows may be formed in the insulation portion.

상기 히팅부는, 상기 증착대상의 상부 영역에 위치되는 상부 히터; 및 상기 상부 히터에 대해 이격되어 배치되며, 상기 증착대상의 하부 영역에 위치되는 하부 히터를 포함하며, 상기 상부 히터 및 상기 하부 히터 각각은, 다수개로 형성되어 상호 이격되어 배치될 수 있다.The heating unit includes an upper heater located in an upper area of the deposition target; and a lower heater disposed to be spaced apart from the upper heater and located in a lower region of the deposition target. Each of the upper heater and the lower heater may be formed in plural numbers and disposed to be spaced apart from each other.

상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 증착대상을 이송하는 이송부를 더 포함하며, 상기 이송부는, 상기 증착대상에 연결되는 이송롤러; 상기 이송롤러에 연결되며, 상기 이송롤러에 회전력을 전달하는 전동부재; 및 상기 전동부재에 연결되며, 상기 전동부재에 상기 회전력을 공급하는 롤러용 액츄에이터를 포함할 수 있다.It is connected to the process chamber and further includes a transfer unit that transfers the deposition target, wherein the transfer unit includes a transfer roller connected to the deposition target; A transmission member connected to the transfer roller and transmitting rotational force to the transfer roller; And it is connected to the transmission member and may include a roller actuator that supplies the rotational force to the transmission member.

상기 증착대상은 실리콘 음극재이며, 상기 증착공정은, 상기 증착대상에 탄소가 코팅되는 공정일 수 있다.The deposition target is a silicon cathode material, and the deposition process may be a process in which carbon is coated on the deposition target.

상기 공정 챔버에 연결되며, 내부를 진공상태로 유지하는 전단 버퍼 챔버;A front-end buffer chamber connected to the process chamber and maintaining its interior in a vacuum state;

상기 전단 버퍼 챔버에 연결되며, 내부가 대기압상태 및 진공상태로 변환되는 로드락 챔버(load Lock Chamber); 상기 공정 챔버에 연결되며, 내부를 진공상태로 유지하는 후단 버퍼 챔버; 및 상기 후단 버퍼 챔버에 연결되며, 내부가 대기압상태 및 진공상태로 변환되는 언로드락 챔버(unload Lock Chamber)를 더 포함할 수 있다.A load lock chamber connected to the front buffer chamber and converted into an atmospheric pressure state and a vacuum state; A rear buffer chamber connected to the process chamber and maintaining the interior in a vacuum state; And it is connected to the rear buffer chamber and may further include an unload lock chamber whose interior is converted into an atmospheric pressure state and a vacuum state.

상기 공정 챔버는 상호 이격되어 배치되는 다수 개의 단위 공정 챔버로 이루어질 수 있다.The process chamber may be comprised of a plurality of unit process chambers arranged to be spaced apart from each other.

상기 단위 공정 챔버 각각에 형성된 가열공간의 내부압력 및 내부온도는 상호 상이할 수 있다.The internal pressure and internal temperature of the heating space formed in each of the unit process chambers may be different from each other.

상기 소스가스용 유동관로는 다수 개로 형성되며, 다수 개의 상기 소스가스용 유동관로는 상호 이격되어 배치될 수 있다.The source gas flow pipe may be formed in plural numbers, and the plurality of source gas flow pipes may be arranged to be spaced apart from each other.

본 발명의 실시예는, 증착공정이 수행되는 가열공간을 증착대상의 이동에 필요한 이동용 공간에 대해 차폐하는 셔터부를 구비함으로써, 증착공정의 열효율을 높일 수 있다.Embodiments of the present invention can increase the thermal efficiency of the deposition process by providing a shutter unit that shields the heating space where the deposition process is performed from the movement space required for movement of the deposition object.

도 1은 종래의 증착장치에서 수평 방향을 따라 챔버의 내부를 유동하는 증착물질의 유동 방향(a)과, 수직 방향을 따라 챔버의 내부를 유동하는 증착물질의 유동 방향(b)을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A선에 따른 단면이 도시된 도면이다.
도 4은 도 2의 B-B선에 따른 단면이 도시된 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이다.
도 7은 도 6의 C-C선에 따른 단면이 도시된 도면이다.Figure 1 schematically shows the flow direction (a) of the deposition material flowing inside the chamber along the horizontal direction and the flow direction (b) of the deposition material flowing inside the chamber along the vertical direction in a conventional deposition apparatus. It is a drawing.
Figure 2 is a plan view showing a deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2.
Figure 5 is a plan view showing a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
Figure 6 is a plan view showing a deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 6.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, its operational advantages, and the objectives achieved by practicing the present invention, reference should be made to the accompanying drawings illustrating preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by explaining preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. However, in explaining the present invention, descriptions of already known functions or configurations will be omitted to make the gist of the present invention clear.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A선에 따른 단면이 도시된 도면이며, 도 4은 도 2의 B-B선에 따른 단면이 도시된 도면이다. 도 3에서는 도시의 편의를 위해 셔터부를 도시하지 않았다.FIG. 2 is a plan view showing a deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 2. This is a drawing. In Figure 3, the shutter unit is not shown for convenience of illustration.

본 실시예에 따른 증착장치는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110)와, 히팅부(120a, 120b), 단자대부(130), 보조 챔버(140), 이송부(150), 셔터부(160), 전단 버퍼 챔버(PBC), 로드락 챔버(LLC), 후단 버퍼 챔버(BBC), 언로드락 챔버(ULC) 및 게이트 밸브(G)를 포함한다. As shown in FIGS. 2 to 4, the deposition apparatus according to this embodiment includes a process chamber 110, heating units 120a and 120b, a terminal block 130, an auxiliary chamber 140, and a transfer unit 150. ), a shutter unit 160, a front buffer chamber (PBC), a load lock chamber (LLC), a rear buffer chamber (BBC), an unload lock chamber (ULC), and a gate valve (G).

공정 챔버(110)의 내부에는 소스 가스(Source Gas)가 유입되는 가열공간(M)이 형성된다. 이러한 공정 챔버(110)는 가열공간(M)에 위치한 증착대상(미도시)에 대한 증착공정을 수행한다.A heating space M into which source gas flows is formed inside the process chamber 110. This process chamber 110 performs a deposition process on a deposition target (not shown) located in the heating space (M).

증착대상(미도시)은 트레이(T)에 담겨 공정 챔버(110), 전단 버퍼 챔버(PBC), 로드락 챔버(LLC), 후단 버퍼 챔버(BBC), 언로드락 챔버(ULC)의 내부를 통과한다.The deposition target (not shown) is placed in a tray (T) and passes through the interior of the process chamber 110, the front buffer chamber (PBC), the load lock chamber (LLC), the rear buffer chamber (BBC), and the unload lock chamber (ULC). do.

본 실시예에서 증착대상은 실리콘 음극재이다. 실리콘 음극재에는 실리콘옥사이드(SiOx) 계열, 실리콘 카본(Si/C) 계열, 실리콘 카바이드(SiC 또는 porous Si 또는 porous Carbon) 계열이 사용될 수 있다.In this embodiment, the deposition target is a silicon cathode material. Silicon anode materials may include silicon oxide (SiOx) series, silicon carbon (Si/C) series, and silicon carbide (SiC or porous Si or porous Carbon) series.

공정 챔버(110)의 내부에서 이루어지는 증착공정은 실리콘 음극재에 탄소가 코팅되는 공정이며, 소스 가스에는 아세틸렌(acetylene), 에틸렌(ethylene), 메탄(methane) 등의 가스가 사용될 수 있다.The deposition process performed inside the process chamber 110 is a process in which carbon is coated on a silicon anode material, and gases such as acetylene, ethylene, and methane may be used as the source gas.

본 실시예에 따른 공정 챔버(110)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 내부가 중공되게 형성되는 공정챔버용 챔버몸체부(111)와, 공정챔버용 챔버몸체부(111)의 내부에 배치되며 가열공간(M)을 형성하는 단열부(112)를 포함한다.As shown in FIGS. 2 to 4, the process chamber 110 according to this embodiment includes a chamber body 111 for the process chamber having a hollow interior, and a chamber body 111 for the process chamber. It is disposed inside and includes an insulating portion 112 that forms a heating space (M).

공정챔버용 챔버몸체부(111)는 내부가 중공되게 형성된 사각의 박스 형상으로 형성된다. 공정챔버용 챔버몸체부(111)는 외부에 배치된 소스가스 공급부(미도시)에 연결된다. The chamber body portion 111 for the process chamber is formed in the shape of a square box with a hollow interior. The chamber body portion 111 for the process chamber is connected to a source gas supply unit (not shown) disposed externally.

단열부(112)는 공정챔버용 챔버몸체부(111)의 내부에 배치된다. 이러한 단열부(112)는 가열공간(M)을 형성한다. The insulation portion 112 is disposed inside the chamber body portion 111 for the process chamber. This insulation portion 112 forms a heating space (M).

본 실시예에 따른 단열부(112)에는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 가열공간(M)에 연통되며 소스 가스가 유동되는 소스가스용 유동관로(113)가 형성된다. 소스가스 공급부(미도시)로부터 공급된 소스 가스는 소스가스용 유동관로(113)를 거쳐 가열공간(M)으로 유입된다.As shown in FIGS. 3 and 4, in the heat insulating portion 112 according to this embodiment, a flow pipe 113 for source gas is formed that communicates with the heating space M and through which the source gas flows. The source gas supplied from the source gas supply unit (not shown) flows into the heating space (M) through the source gas flow pipe 113.

또한, 분 실시예의 단열부(112)는 다수 개의 단위 단열부(112)가 상호 결합되어 형성될 수 있다. 이러한 단위 단열부(112)는 세라믹재질의 단열블록으로 이루어질 수 있다.Additionally, the insulation unit 112 of the present embodiment may be formed by combining a plurality of unit insulation units 112 with each other. This unit insulation unit 112 may be made of an insulation block made of ceramic material.

이와 같이 본 실시예에 따른 증착장치는, 단열부(112)에 의해 형성된 가열공간(M)을 구비함으로써, 공정 챔버(110) 내부에서의 열손실을 차단할 수 있고, 그에 따라 열효율을 높일 수 있는 이점이 있다.In this way, the deposition apparatus according to this embodiment can block heat loss inside the process chamber 110 by providing a heating space M formed by the insulation portion 112, thereby increasing thermal efficiency. There is an advantage.

또한, 공정 챔버(110)에는 가열공간(M)을 진공 분위기로 형성하는 진공펌프(미도시)가 연결된다. 이와 같이 공정 챔버(110)의 가열공간(M)을 진공 분위기로 형성됨으로써, 이상기체의 법칙(PV = nRT)에 의해 열분해 되는 반응온도가 낮출 수 있다. 이와 같이 반응온도를 낮출 수 있음에 따라, 대기압보다 비교적 낮은 저온에서 공정이 가능하다. 이때, 열분해된 물질의 코팅에 있어서는 소스 가스의 종류에 따라, 적절한 온도, 압력 및 가열공간(M)에서의 가스의 유동을 조절해서 반응 효율이 최적화할 수 있다. 또한, 진공상태이기 때문에 산소 농도를 낮출 수 있어 화재의 위험도 방지할 수 있다.Additionally, a vacuum pump (not shown) is connected to the process chamber 110 to create a vacuum atmosphere in the heating space M. In this way, by forming the heating space M of the process chamber 110 into a vacuum atmosphere, the reaction temperature for thermal decomposition can be lowered according to the ideal gas law (PV = nRT). As the reaction temperature can be lowered in this way, the process is possible at a low temperature relatively lower than atmospheric pressure. At this time, in coating the pyrolyzed material, the reaction efficiency can be optimized by adjusting the appropriate temperature, pressure, and gas flow in the heating space (M), depending on the type of source gas. Additionally, because it is in a vacuum state, the oxygen concentration can be lowered and the risk of fire can be prevented.

또한, 공정 챔버(110)의 내부에는 가열공간(M)에 연통되며 증착대상이 담긴 트레이(T)가 이동되는 이동용 공간(P)이 형성된다. 이러한 이동용 공간(P)은 단열부(112)에 의해 형성된다.In addition, a moving space (P) is formed inside the process chamber 110, which is in communication with the heating space (M) and in which the tray (T) containing the deposition object is moved. This moving space P is formed by the insulation portion 112.

히팅부(120a, 120b)는 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 히팅부(120a, 120b)는 공정 챔버(110)의 가열공간(M)을 가열한다.Heating units 120a and 120b are connected to the process chamber 110. These heating units 120a and 120b heat the heating space M of the process chamber 110.

본 실시예에 따른 히팅부(120a, 120b)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 증착대상의 상부 영역에 위치되는 상부 히터(120a)와, 상부 히터(120a)에 대해 이격되어 배치되며 증착대상의 하부 영역에 위치되는 하부 히터(120b)를 포함한다.The heating units 120a and 120b according to the present embodiment are arranged to be spaced apart from the upper heater 120a, which is located in the upper region of the deposition target, as shown in FIGS. 3 and 4. and includes a lower heater 120b located in the lower area of the deposition target.

상부 히터(120a) 및 하부 히터(120b) 각각은, 도 4에 도시된 바와 같이 다수개로 형성되어 도 4의 좌우방향(X축 방향)으로 상호 이격되어 배치된다. As shown in FIG. 4, the upper heater 120a and the lower heater 120b are each formed in plural numbers and arranged to be spaced apart from each other in the left and right direction (X-axis direction) of FIG. 4.

본 실시예에서 상부 히터(120a) 및 하부 히터(120b) 각각은 전력을 공급받아 열을 방출한다. 이러한 상부 히터(120a) 및 하부 히터(120b) 각각은 가열공간(M)에 적어도 일부분이 노출된다.In this embodiment, the upper heater 120a and the lower heater 120b each receive power and emit heat. At least a portion of each of the upper heater 120a and the lower heater 120b is exposed to the heating space M.

셔터부(160)는 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 셔터부(160)는 가열공간(M)을 이동용 공간(P)에 대해 차폐한다. The shutter unit 160 is connected to the process chamber 110. This shutter unit 160 shields the heating space (M) from the movement space (P).

본 실시예에서 셔터부(160)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 한 쌍으로 마련된다. 이러한 한 쌍의 셔터부(160)는 증착대상이 담긴 트레이(T)을 두고 X축 방향으로 상호 이격되어 배치된다. In this embodiment, the shutter unit 160 is provided as a pair, as shown in FIG. 4. This pair of shutter units 160 are arranged to be spaced apart from each other in the X-axis direction with a tray T containing the deposition target.

이러한 셔터부(160)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110)의 내부에 배치되는 셔터 본체(161)와, 셔터 본체(161)에 연결되며 셔터 본체(161)를 업/다운(up/down) 방향(Z축 방향)으로 이동시키는 셔터용 액츄에이터(162)를 포함한다. 본 실시예에서 셔터용 액츄에이터(162)는 가압 실린더로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4, the shutter unit 160 is connected to the shutter body 161 disposed inside the process chamber 110 and moves the shutter body 161 up/down. It includes a shutter actuator 162 that moves in the (up/down) direction (Z-axis direction). In this embodiment, the shutter actuator 162 may be made of a pressurizing cylinder.

이와 같이 본 실시예에 따른 증착장치는, 가열공간(M)을 이동용 공간(P)에 대해 차폐하는 셔터부(160)를 구비함으로써, 증착공정의 열효율을 높일 수 있다.As such, the deposition apparatus according to this embodiment can increase the thermal efficiency of the deposition process by providing a shutter unit 160 that shields the heating space (M) from the movement space (P).

단자대부(130)는 히팅부(120a, 120b)에 연결되어 히팅부(120a, 120b)에 전력을 공급한다. 이러한 단자대부(130)는 전선(미도시) 등을 통해 별도의 전원(미도시)에 연결된다.The terminal block 130 is connected to the heating units 120a and 120b and supplies power to the heating units 120a and 120b. This terminal block 130 is connected to a separate power source (not shown) through a wire (not shown).

본 실시예에 따른 단자대부(130)는 도 3에 도시된 바와 같이 가열공간(M)의 외부에 배치되고 공정 챔버(110)의 외부에 배치된다.The terminal block 130 according to this embodiment is disposed outside the heating space M and outside the process chamber 110, as shown in FIG. 3.

보조 챔버(140)는 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 보조 챔버(140)는 단자대부(130)가 소스 가스에 노출되지 않도록 단자대부(130)를 차폐한다. The auxiliary chamber 140 is connected to the process chamber 110. This auxiliary chamber 140 shields the terminal block 130 so that the terminal block 130 is not exposed to source gas.

본 실시예에 따른 보조 챔버(140)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110)의 외벽에 결합되며 내부에 단자대부(130)의 적어도 일부분이 위치되는 격리공간(N)이 형성된 보조챔버용 챔버몸체부(141)와, 보조챔버용 챔버몸체부(141)에 결합되며 보조챔버용 챔버몸체부(141)의 격리공간(N)으로 불활성 가스(Inert Gas)를 유입시키는 불활성 가스용 유입부(142)를 포함한다. As shown in FIGS. 2 to 4, the auxiliary chamber 140 according to the present embodiment is coupled to the outer wall of the process chamber 110 and has an isolation space (N) in which at least a portion of the terminal block 130 is located. ) is formed, the chamber body portion 141 for the auxiliary chamber is coupled to the chamber body portion 141 for the auxiliary chamber, and inert gas is introduced into the isolation space (N) of the chamber body portion 141 for the auxiliary chamber. It includes an inlet 142 for inert gas.

보조챔버용 챔버몸체부(141)는 내부가 중공된 사각의 박스 형상으로 형성된다. 이러한 보조챔버용 챔버몸체부(141)는 공정 챔버(110)의 외벽에 결합된다.The chamber body portion 141 for the auxiliary chamber is formed in the shape of a square box with a hollow interior. The chamber body portion 141 for this auxiliary chamber is coupled to the outer wall of the process chamber 110.

본 실시예에 따른 보조챔버용 챔버몸체의 내부에는 단자대부(130)의 적어도 일부분이 위치되는 격리공간(N)이 형성된다. An isolation space N in which at least a portion of the terminal block 130 is located is formed inside the chamber body for the auxiliary chamber according to this embodiment.

불활성 가스용 유입부(142)는 보조챔버용 챔버몸체부(141)에 결합된다. 이러한 보조챔버용 챔버몸체부(141)의 격리공간(N)으로 불활성 가스(Inert Gas)를 유입시킨다. The inlet portion 142 for the inert gas is coupled to the chamber body portion 141 for the auxiliary chamber. Inert gas is introduced into the isolation space (N) of the chamber body portion 141 for this auxiliary chamber.

본 실시예의 불활성 가스용 유입부(142)는 불활성 가스를 공급하는 별도의 불활성 가스 공급부(미도시)에 연결된다. 본 실시예에서 불활성 가스에는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)가 사용될 수 있다.The inert gas inlet 142 in this embodiment is connected to a separate inert gas supply (not shown) that supplies the inert gas. In this embodiment, argon (Ar) or nitrogen (N2) may be used as the inert gas.

본 실시예에서 불활성 가스가 유입된 격리공간(N)의 내부압력은, 소스 가스가 유입된 가열공간(M)의 내부압력보다 높게 형성된다. In this embodiment, the internal pressure of the isolation space (N) into which the inert gas flows is formed to be higher than the internal pressure of the heating space (M) into which the source gas flows.

이와 같이 불활성 가스가 유입된 격리공간(N)의 내부압력이 소스 가스가 유입된 가열공간(M)의 내부압력보다 높게 형성됨으로써, 가열공간(M)의 소스 가스가 격리공간(N)으로 유입될 수 없고, 그에 따라 단자대부(130)가 소스 가스에 노출되지 않는다.As the internal pressure of the isolation space (N) into which the inert gas flows is formed to be higher than the internal pressure of the heating space (M) into which the source gas flows, the source gas from the heating space (M) flows into the isolation space (N). This cannot be done, and as a result, the terminal block 130 is not exposed to the source gas.

한편, 이송부(150)는 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 이송부(150)는 증착대상을 이송시킨다. Meanwhile, the transfer unit 150 is connected to the process chamber 110. This transfer unit 150 transfers the deposition object.

본 실시예에 따른 이송부(150)는, 증착대상에 연결되는 이송롤러(151)와, 이송롤러(151)에 연결되며 이송롤러(151)에 회전력을 전달하는 전동부재(152)와, 전동부재(152)에 연결되며 전동부재(152)에 회전력을 공급하는 롤러용 액츄에이터(153)를 포함한다. The transfer unit 150 according to this embodiment includes a transfer roller 151 connected to the deposition target, a transmission member 152 that is connected to the transfer roller 151 and transmits rotational force to the transfer roller 151, and a transmission member. It is connected to (152) and includes a roller actuator (153) that supplies rotational force to the transmission member (152).

이송롤러(151)는 증착대상이 담긴 트레이(T)의 하면에 연결된다. 이러한 이송롤러(151)는 원형의 롤러 형상으로 형성된다. The transfer roller 151 is connected to the lower surface of the tray (T) containing the deposition object. This transfer roller 151 is formed in a circular roller shape.

전동부재(152)는 이송롤러(151)에 연결되며 이송롤러(151)에 회전력을 전달한다. 본 실시예에서 전동부재(152)는 봉 형상의 전동축으로 이루어질 수 있다.The transmission member 152 is connected to the transfer roller 151 and transmits rotational force to the transfer roller 151. In this embodiment, the transmission member 152 may be made of a rod-shaped transmission shaft.

롤러용 액츄에이터(153)는 전동부재(152)에 연결되며 전동부재(152)에 회전력을 공급한다. 본 실시예에서 롤러용 액츄에이터(153)는 전동모터가 사용될 수 있다. The roller actuator 153 is connected to the transmission member 152 and supplies rotational force to the transmission member 152. In this embodiment, the actuator 153 for the roller may be an electric motor.

전단 버퍼 챔버(PBC)는 도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 전단 버퍼 챔버(PBC)의 내부는 진공상태로 유지된다. 이와 같이 전단 버퍼 챔버(PBC)의 내부가 진공상태로 유지됨으로써, 산소가 전단 버퍼 챔버(PBC)를 통해 공정 챔버(110)의 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다. A shear buffer chamber (PBC) is connected to the process chamber 110, as shown in FIG. 2. The interior of this shear buffer chamber (PBC) is maintained in a vacuum state. As the interior of the pre-buffer chamber (PBC) is maintained in a vacuum state, oxygen can be prevented from flowing into the process chamber 110 through the pre-buffer chamber (PBC).

전단 버퍼 챔버(PBC)에는 증착대상이 담긴 트레이(T)를 이송하는 이송모듈(미도시)이 장착되는데, 이러한 이송모듈(미도시)은 상술한 이송부(150)와 거의 동일한 구조를 가지므로, 설명의 편의를 위한 이송모듈(미도시)에 대한 설명은 생략한다. The front buffer chamber (PBC) is equipped with a transfer module (not shown) that transfers the tray (T) containing the deposition object. This transfer module (not shown) has almost the same structure as the transfer unit 150 described above, For convenience of explanation, the description of the transfer module (not shown) is omitted.

전단 버퍼 챔버(PBC)와 공정 챔버(110)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치되는데, 게이트 밸브(G)는 양측에 배치된 챔버들의 내부를 연통 또는 비연통시키는 것으로, 이러한 게이트 밸브(G)의 구성은 당업자에게 자명하므로 설명의 편의를 위해 게이트 밸브(G)의 구성은 생략한다.A gate valve (G) is disposed between the front buffer chamber (PBC) and the process chamber 110. The gate valve (G) communicates or does not communicate with the interior of the chambers arranged on both sides, and this gate valve (G ) is obvious to those skilled in the art, so for convenience of explanation, the configuration of the gate valve (G) is omitted.

로드락 챔버(LLC)는 전단 버퍼 챔버(PBC)에 연결된다. 이러한 로드락 챔버(LLC)의 내부가는 대기압상태 및 진공상태로 변환된다. 전단 버퍼 챔버(PBC)와 로드락 챔버(LLC)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치된다.The load lock chamber (LLC) is connected to the front buffer chamber (PBC). The internal pressure of this load lock chamber (LLC) is converted to atmospheric pressure and vacuum. A gate valve (G) is disposed between the front buffer chamber (PBC) and the load lock chamber (LLC).

로드락 챔버(LLC)에는 증착대상이 담긴 트레이(T)를 이송하는 이송모듈(미도시)이 장착되는데, 이러한 이송모듈(미도시)은 상술한 이송부(150)와 거의 동일한 구조를 가지므로, 설명의 편의를 위한 이송모듈(미도시)에 대한 설명은 생략한다. The load lock chamber (LLC) is equipped with a transfer module (not shown) that transfers the tray (T) containing the deposition object. This transfer module (not shown) has almost the same structure as the transfer unit 150 described above, For convenience of explanation, the description of the transfer module (not shown) is omitted.

후단 버퍼 챔버(BBC)는 공정 챔버(110)에 연결된다. 이러한 후단 버퍼 챔버(BBC)는 내부를 진공상태로 유지한다. 이와 같이 후단 버퍼 챔버(BBC)의 내부가 진공상태로 유지됨으로써, 산소가 후단 버퍼 챔버(BBC)를 통해 공정 챔버(110)의 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다. The rear buffer chamber (BBC) is connected to the process chamber 110. This rear buffer chamber (BBC) maintains its interior in a vacuum state. As the interior of the rear buffer chamber (BBC) is maintained in a vacuum state, oxygen can be prevented from flowing into the process chamber 110 through the rear buffer chamber (BBC).

후단 버퍼 챔버(BBC)와 공정 챔버(110)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치된다. 후단 버퍼 챔버(BBC)에는 증착대상이 담긴 트레이(T)를 이송하는 이송모듈(미도시)이 장착되는데, 이러한 이송모듈(미도시)은 상술한 이송부(150)와 거의 동일한 구조를 가지므로, 설명의 편의를 위한 이송모듈(미도시)에 대한 설명은 생략한다. A gate valve (G) is disposed between the rear buffer chamber (BBC) and the process chamber 110. The rear buffer chamber (BBC) is equipped with a transfer module (not shown) that transfers the tray (T) containing the deposition object. This transfer module (not shown) has almost the same structure as the transfer unit 150 described above, For convenience of explanation, the description of the transfer module (not shown) is omitted.

언로드락 챔버(ULC)는 후단 버퍼 챔버(BBC)에 연결된다. 이러한 언로드락 챔버(ULC)의 내부는 대기압상태 및 진공상태로 변환된다. 후단 버퍼 챔버(BBC)와 언로드락 챔버(ULC)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치된다.The unload lock chamber (ULC) is connected to the downstream buffer chamber (BBC). The interior of this unload lock chamber (ULC) is converted to atmospheric pressure and vacuum. A gate valve (G) is disposed between the rear buffer chamber (BBC) and the unload lock chamber (ULC).

언로드락 챔버(ULC)에는 증착대상이 담긴 트레이(T)를 이송하는 이송모듈(미도시)이 장착되는데, 이러한 이송모듈(미도시)은 상술한 이송부(150)와 거의 동일한 구조를 가지므로, 설명의 편의를 위한 이송모듈(미도시)에 대한 설명은 생략한다. The unload lock chamber (ULC) is equipped with a transfer module (not shown) that transfers the tray (T) containing the deposition object. This transfer module (not shown) has almost the same structure as the transfer unit 150 described above, For convenience of explanation, the description of the transfer module (not shown) is omitted.

이하에서 본 실시예에 따른 증착장치의 동작을 도 2 내지 도 4를 참고하여 설명한다. Hereinafter, the operation of the deposition apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

증착대상이 담긴 트레이(T)는 로드락 챔버(LLC) 및 전단 버퍼 챔버(PBC)의 내부를 통과하여 공정 챔버(110)에 전달된다. 이때, 셔터 본체(161)는 상승하여 트레이(T)와의 간섭을 회피한다.The tray (T) containing the deposition object passes through the interior of the load lock chamber (LLC) and the front buffer chamber (PBC) and is delivered to the process chamber 110. At this time, the shutter body 161 rises to avoid interference with the tray T.

공정 챔버(110)에 전달된 증착대상이 담긴 트레이(T)는 가열공간(M)에 배치되며, 가열공간(M)으로 유입된 소스 가스에 의해 증착대상에 대한 증착(코팅)공정이 이루어진다. The tray (T) containing the deposition object delivered to the process chamber 110 is placed in the heating space (M), and a deposition (coating) process on the deposition object is performed by the source gas flowing into the heating space (M).

이때, 도 4에 도시된 바와 같이 셔터 본체(161)가 하강되어 가열공간(M)을 이동용 공간(P)에 대해 차폐한다.At this time, as shown in FIG. 4, the shutter body 161 is lowered to shield the heating space (M) from the moving space (P).

또한, 히팅부(120a, 120b)에 전력을 공급하는 단자대부(130)가 보조 챔버(140)의 내부에 배치되어 단자대부(130)가 소스 가스에 노출되지 않는다.Additionally, the terminal block 130 that supplies power to the heating units 120a and 120b is disposed inside the auxiliary chamber 140, so that the terminal block 130 is not exposed to the source gas.

증착(코팅)공정 후 증착대상이 담긴 트레이(T)는 후단 버퍼 챔버(BBC)를 거쳐 언로드락 챔버(ULC)로 이동된다.After the deposition (coating) process, the tray (T) containing the deposition object is moved to the unload lock chamber (ULC) through the rear buffer chamber (BBC).

이와 같이 본 실시예에 따른 증착장치는, 가열공간(M)을 이동용 공간(P)에 대해 차폐하는 셔터부(160)를 구비함으로써, 증착공정의 열효율을 높일 수 있다.As such, the deposition apparatus according to this embodiment can increase the thermal efficiency of the deposition process by providing a shutter unit 160 that shields the heating space (M) from the movement space (P).

또한, 본 실시예에 따른 증착장치는, 단자대부(130)가 소스 가스에 노출되지 않도록 단자대부(130)를 차폐하는 보조 챔버(140)를 구비함으로써, 단자대부(130)가 소스 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 화재 발생을 방지할 수 있다.In addition, the deposition apparatus according to this embodiment includes an auxiliary chamber 140 that shields the terminal block 130 so that the terminal block 130 is not exposed to the source gas, thereby preventing the terminal block 130 from being exposed to the source gas. This can be prevented, and thus the occurrence of fire can be prevented.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이다.Figure 5 is a plan view showing a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 본 실시예의 공정 챔버(210a, 210b, 210c) 다수 개로 형성되어 배치(batch)타입으로 구성되는 점에서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 4의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 본 실시예의 공정 챔버(210a, 210b, 210c)의 구성에 대해서만 설명하기로 한다.Compared to the first embodiment, this embodiment differs only in that it is formed of a plurality of process chambers 210a, 210b, and 210c and is configured as a batch type, and in other configurations, it is similar to that shown in FIGS. 2 to 2. Since it is the same as the configuration of the first embodiment of Figure 4, only the configuration of the process chambers 210a, 210b, and 210c of this embodiment will be described below.

본 실시예의 증착장치는 상호 이격되어 배치되는 다수 개의 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c)를 구비한다. 이러한 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치된다. The deposition apparatus of this embodiment includes a plurality of unit process chambers 210a, 210b, and 210c arranged to be spaced apart from each other. A gate valve (G) is disposed between these unit process chambers 210a, 210b, and 210c.

본 실시예의 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c) 각각은 제1 실시예의 공정 챔버(110)와 거의 동일한 구조를 가진다. 본 실시예의 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c)의 사이에는 게이트 밸브(G)가 배치된다.Each of the unit process chambers 210a, 210b, and 210c of the present embodiment has a substantially identical structure to the process chamber 110 of the first embodiment. A gate valve (G) is disposed between the unit process chambers 210a, 210b, and 210c in this embodiment.

또한, 본 실시예의 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c) 각각에 형성된 가열공간(M)의 내부압력 및 내부온도는 상호 상이할 수 있다. Additionally, the internal pressure and internal temperature of the heating space M formed in each of the unit process chambers 210a, 210b, and 210c of this embodiment may be different from each other.

이와 같이 단위 공정 챔버(210a, 210b, 210c) 각각에 형성된 가열공간(M)의 내부압력 및 내부온도가 서로 다르게 조정됨으로써, 다양한 방식으로 증착(코팅)공정이 수행될 수 있다.In this way, the internal pressure and internal temperature of the heating space M formed in each of the unit process chambers 210a, 210b, and 210c are adjusted differently, so that the deposition (coating) process can be performed in various ways.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 증착장치가 도시된 평면도이고, 도 7은 도 6의 C-C선에 따른 단면이 도시된 도면이다.FIG. 6 is a plan view showing a deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line C-C of FIG. 6.

본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 증착장치가 인라인(in-line) 방식으로 구성되는 점에서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 2 내지 도 4의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 본 실시예의 공정 챔버(310)의 구성에 대해서만 설명하기로 한다.Compared to the first embodiment, this embodiment differs only in that the deposition apparatus is configured in an in-line manner, but other configurations are the same as those of the first embodiment of FIGS. 2 to 4, Hereinafter, only the configuration of the process chamber 310 of this embodiment will be described.

본 실시예의 증착장치는 인라인(in-line) 방식으로 형성된다. 따라서, 본 실시예의 소스가스용 유동관로(113)는 다수 개로 형성되며, 다수 개의 소스가스용 유동관로(113)는 도 7의 좌우방향(X축 방향)으로 상호 이격되어 배치된다.The deposition device of this embodiment is formed in an in-line manner. Accordingly, in this embodiment, a plurality of flow pipes 113 for source gas are formed, and the plurality of flow pipes 113 for source gas are arranged to be spaced apart from each other in the left and right direction (X-axis direction) of FIG. 7.

이와 같이 상호 이격되어 배치된 다수 개의 소스가스용 유동관로(113)를 공정 챔버(110)에 형성함으로써, 증착장치를 인라인(in-line) 방식으로 형성할 수 있고, 그에 따라 생산성을 높일 수 있다. By forming a plurality of source gas flow pipes 113 arranged to be spaced apart from each other in the process chamber 110, the deposition device can be formed in-line, thereby increasing productivity. .

이상 도면을 참조하여 본 실시예에 대해 상세히 설명하였지만 본 실시예의 권리범위가 전술한 도면 및 설명에 국한되지는 않는다.Although this embodiment has been described in detail with reference to the drawings, the scope of this embodiment is not limited to the drawings and description.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As such, the present invention is not limited to the described embodiments, and it is obvious to those skilled in the art that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, such modifications or variations should be considered to fall within the scope of the claims of the present invention.

110, 310: 공정 챔버 111: 공정챔버용 챔버몸체부
112: 단열부 113: 소스가스용 유동관로
120a: 상부 히터 120b: 하부 히터
130: 단자대부 140: 보조 챔버
141: 보조챔버용 챔버몸체부 142: 불활성 가스용 유입부
150: 이송부 151: 이송롤러
152: 전동부재 153: 롤러용 액츄에이터
160: 셔터부 161: 셔터 본체
M: 가열공간 N: 격리공간
PBC: 전단 버퍼 챔버 LLC: 로드락 챔버
BBC: 후단 버퍼 챔버 ULC: 언로드락 챔버
P: 이동용 공간 T: 트레이110, 310: Process chamber 111: Chamber body for process chamber
112: insulation part 113: flow pipe for source gas
120a: upper heater 120b: lower heater
130: terminal block 140: auxiliary chamber
141: Chamber body portion for auxiliary chamber 142: Inlet portion for inert gas
150: Transfer unit 151: Transfer roller
152: Electric member 153: Actuator for roller
160: shutter unit 161: shutter body
M: Heating space N: Isolation space
PBC: Shear Buffer Chamber LLC: Loadlock Chamber
BBC: Downstream buffer chamber ULC: Unloadlock chamber
P: Space for movement T: Tray

Claims (15)

내부에 소스 가스(Source Gas)가 유입되는 가열공간이 형성되고, 상기 가열공간에 위치한 증착대상에 대한 증착공정을 수행하며, 상기 가열공간에 연통되고 상기 증착대상이 이동되는 이동용 공간이 내부에 형성된 공정 챔버;
상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 공정 챔버의 상기 가열공간을 가열하는 히팅부; 및
상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 가열공간을 상기 이동용 공간에 대해 차폐하는 셔터부를 포함하는 증착장치. A heating space into which a source gas flows is formed, a deposition process is performed on a deposition object located in the heating space, and a movement space is formed inside to communicate with the heating space and move the deposition object. process chamber;
a heating unit connected to the process chamber and heating the heating space of the process chamber; and
A deposition apparatus connected to the process chamber and including a shutter unit that shields the heating space from the moving space. 제1항에 있어서,
상기 셔터부는 한 쌍으로 마련되며, 한 쌍의 상기 셔터부는 상기 증착대상을 두고 상호 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치. According to paragraph 1,
A deposition apparatus characterized in that the shutter units are provided in a pair, and the pair of shutter units are arranged to be spaced apart from each other with respect to the deposition target. 제1항에 있어서,
상기 셔터부는,
상기 공정 챔버의 내부에 배치되는 셔터 본체; 및
상기 셔터 본체에 연결되며, 상기 셔터 본체를 업/다운(up/down) 방향으로 이동시키는 셔터용 액츄에이터를 포함하는 증착장치. According to paragraph 1,
The shutter unit,
a shutter body disposed inside the process chamber; and
A deposition device connected to the shutter body and including a shutter actuator that moves the shutter body in an up/down direction. 제1항에 있어서,
상기 히팅부에 연결되어 상기 히팅부에 전력을 공급하며, 상기 가열공간의 외부에 배치되는 단자대부; 및
상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 단자대부가 상기 소스 가스에 노출되지 않도록 상기 단자대부를 차폐하는 보조 챔버를 더 포함하는 증착장치. According to paragraph 1,
a terminal block connected to the heating unit to supply power to the heating unit and disposed outside the heating space; and
The deposition apparatus further includes an auxiliary chamber connected to the process chamber and shielding the terminal block so that the terminal block is not exposed to the source gas. 제4항에 있어서,
상기 보조 챔버는,
상기 공정 챔버의 외벽에 결합되며, 내부에 상기 단자대부의 적어도 일부분이 위치되는 격리공간이 형성된 보조챔버용 챔버몸체부; 및
상기 보조챔버용 챔버몸체부에 결합되며, 상기 보조챔버용 챔버몸체부의 상기 격리공간으로 불활성 가스(Inert Gas)를 유입시키는 불활성 가스용 유입부를 포함하는 증착장치. According to paragraph 4,
The auxiliary chamber is,
a chamber body portion for an auxiliary chamber coupled to an outer wall of the process chamber and having an isolation space therein in which at least a portion of the terminal block portion is located; and
A deposition apparatus coupled to the chamber body for the auxiliary chamber and including an inert gas inlet for introducing an inert gas into the isolation space of the chamber body for the auxiliary chamber. 제5항에 있어서,
상기 불활성 가스가 유입된 상기 격리공간의 내부압력은, 상기 소스 가스가 유입된 상기 가열공간의 내부압력보다 높은 것을 특징으로 하는 증착장치. According to clause 5,
The internal pressure of the isolation space into which the inert gas flows is higher than the internal pressure of the heating space into which the source gas flows. 제4항에 있어서,
상기 공정 챔버는,
내부가 중공되게 형성되는 공정챔버용 챔버몸체부; 및
상기 공정챔버용 챔버몸체부의 내부에 배치되며, 상기 가열공간을 형성하는 단열부를 포함하는 증착장치. According to clause 4,
The process chamber is,
A chamber body portion for a process chamber having a hollow interior; and
A deposition apparatus disposed inside the chamber body portion for the process chamber and including an insulating portion forming the heating space. 제7항에 있어서,
상기 단열부에는,
상기 가열공간에 연통되며, 상기 소스 가스가 유동되는 소스가스용 유동관로가 형성되는 것을 특징으로 하는 증착장치. In clause 7,
In the insulation part,
A deposition apparatus, characterized in that a flow pipe for source gas is formed that communicates with the heating space and through which the source gas flows. 제1항에 있어서,
상기 히팅부는,
상기 증착대상의 상부 영역에 위치되는 상부 히터; 및
상기 상부 히터에 대해 이격되어 배치되며, 상기 증착대상의 하부 영역에 위치되는 하부 히터를 포함하며,
상기 상부 히터 및 상기 하부 히터 각각은, 다수개로 형성되어 상호 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치. According to paragraph 1,
The heating unit,
an upper heater located in the upper area of the deposition target; and
It is arranged to be spaced apart from the upper heater and includes a lower heater located in a lower area of the deposition target,
A deposition apparatus, wherein each of the upper heater and the lower heater is formed in plural numbers and arranged to be spaced apart from each other. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버에 연결되며, 상기 증착대상을 이송하는 이송부를 더 포함하며,
상기 이송부는,
상기 증착대상에 연결되는 이송롤러;
상기 이송롤러에 연결되며, 상기 이송롤러에 회전력을 전달하는 전동부재; 및
상기 전동부재에 연결되며, 상기 전동부재에 상기 회전력을 공급하는 롤러용 액츄에이터를 포함하는 증착장치. According to paragraph 1,
It is connected to the process chamber and further includes a transfer unit that transfers the deposition object,
The transfer unit,
A transfer roller connected to the deposition target;
A transmission member connected to the transfer roller and transmitting rotational force to the transfer roller; and
A deposition device comprising an actuator for a roller connected to the transmission member and supplying the rotational force to the transmission member. 제1항에 있어서,
상기 증착대상은 실리콘 음극재이며,
상기 증착공정은, 상기 증착대상에 탄소가 코팅되는 공정인 것을 특징으로 하는 증착장치. According to paragraph 1,
The deposition target is a silicon cathode material,
The deposition process is a deposition apparatus characterized in that the deposition object is coated with carbon. 제1항에 있어서,
상기 공정 챔버에 연결되며, 내부를 진공상태로 유지하는 전단 버퍼 챔버;
상기 전단 버퍼 챔버에 연결되며, 내부가 대기압상태 및 진공상태로 변환되는 로드락 챔버(load Lock Chamber);
상기 공정 챔버에 연결되며, 내부를 진공상태로 유지하는 후단 버퍼 챔버; 및
상기 후단 버퍼 챔버에 연결되며, 내부가 대기압상태 및 진공상태로 변환되는 언로드락 챔버(unload Lock Chamber)를 더 포함하는 증착장치. According to paragraph 1,
A front-end buffer chamber connected to the process chamber and maintaining its interior in a vacuum state;
A load lock chamber connected to the front buffer chamber and converted into an atmospheric pressure state and a vacuum state;
a rear buffer chamber connected to the process chamber and maintaining the interior in a vacuum state; and
The deposition apparatus is connected to the rear buffer chamber and further includes an unload lock chamber whose interior is converted into an atmospheric pressure state and a vacuum state. 제12항에 있어서,
상기 공정 챔버는 상호 이격되어 배치되는 다수 개의 단위 공정 챔버로 이루어지는 되는 것을 특징으로 하는 증착장치. According to clause 12,
The process chamber is a deposition apparatus characterized in that it consists of a plurality of unit process chambers arranged to be spaced apart from each other. 제13항에 있어서,
상기 단위 공정 챔버 각각에 형성된 가열공간의 내부압력 및 내부온도는 상호 상이한 것을 특징으로 하는 증착장치. According to clause 13,
A deposition apparatus, wherein the internal pressure and internal temperature of the heating space formed in each of the unit process chambers are different from each other. 제8항에 있어서,
상기 소스가스용 유동관로는 다수 개로 형성되며, 다수 개의 상기 소스가스용 유동관로는 상호 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
According to clause 8,
A deposition apparatus characterized in that the flow pipe for the source gas is formed in a plurality, and the plurality of flow pipes for the source gas are arranged to be spaced apart from each other.
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