KR20240039564A - 전력 증폭기 소손 방지를 위한 rf 회로 - Google Patents

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KR20240039564A
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이유성
양동일
문요한
나효석
김태영
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삼성전자주식회사
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Abstract

일 실시예에 따르면, RF 회로로서, 전력 증폭기; 상기 전력 증폭기의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 상기 전력 증폭기를 제1 스위치와 전기적으로 연결하고, 상기 전력 증폭기의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우 상기 전력 증폭기를 종단 저항과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로; 상기 전력 증폭기와 상기 스위칭 회로 사이에 형성되는 제1 전기적 경로; 및 상기 제1 전기적 경로의 제1 지점에서 분기되어, 상기 제1 지점과 상기 스위칭 회로 사이에 연결되는 제1 다이오드를 포함하도록 구성된, RF 회로가 제공될 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능할 수 있다.

Description

전력 증폭기 소손 방지를 위한 RF 회로{RF CIRCUIT FOR PREVENTING POWER AMPLIFIER DAMAGE}
본 개시는 전력 증폭기 소손 방지를 위한 RF 회로에 관한 것이다.
이동통신 기술의 발전으로 다양한 기능을 제공하는 휴대 단말기의 사용이 보편화됨에 따라, 증가 추세에 있는 무선 데이터 트래픽 수요를 충족시키기 위해 5G 통신 시스템을 개발하기 위한 노력이 이루어지고 있다. 5G 통신 시스템은 높은 데이터 전송률을 달성하기 위해, 보다 빠른 데이터 전송 속도를 제공할 수 있도록, 3G 통신 시스템과 LTE(long term evolution) 통신 시스템에서 사용하던 고주파 대역에 추가하여, 초고주파 대역에서의 구현도 고려되고 있다.
예를 들어, mmWave 대역에서 전파의 경로 손실 완화 및 전파의 전달 거리를 증가시키기 위해, 5G 통신 시스템에서는 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO), 전차원 다중입출력(full dimensional MIMO; FD-MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 및 대규모 안테나(large scale antenna) 기술들이 논의되고 있다.
전자 장치에서 통신 네트워크(예컨대, 기지국)로 신호를 송신하기 위해, 전자 장치 내에서는 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서로부터 생성된 데이터가 RFIC(radio frequency integrated circuit) 및 RFFE(radio frequency front end) 회로를 거쳐 신호 처리된 후 적어도 하나의 안테나를 통해 전자 장치의 외부로 전송될 수 있다. 전자 장치 내에는 다양한 주파수 대역의 신호를 송신하기 위하여, 적어도 하나의 안테나가 포함될 수 있다. 적어도 하나의 안테나는, 멀티플렉서(multiplexer)에 기반하여 복수의 주파수 대역의 신호를 지원하도록 구성될 수 있다. 전자 장치는, 셀 엣지(cell edge)에서의 안정적인 통신을 위하여, 허용된 최대 송신 전력에 기반하여, RFFE 회로 내부의 전력 증폭기의 출력을 결정할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, RF 회로는, 전력 증폭기, 상기 전력 증폭기의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 상기 전력 증폭기를 제1 스위치와 전기적으로 연결하고, 상기 전력 증폭기의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우 상기 전력 증폭기를 종단 저항과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로, 상기 전력 증폭기와 상기 스위칭 회로 사이에 형성되는 제1 전기적 경로, 및 상기 제1 전기적 경로의 제1 지점에서 분기되어, 상기 제1 지점과 상기 스위칭 회로 사이에 연결되는 제1 다이오드를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, RF 회로는, 전력 증폭기, 상기 전력 증폭기의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기를 종단 저항과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로, 상기 전력 증폭기의 출력 신호를 수신하는 제1 스위치, 상기 전력 증폭기와 상기 제1 스위치 사이에 형성되는 제2 전기적 경로, 및 상기 제2 전기적 경로의 제1 지점에서 분기되어, 상기 제1 지점과 상기 스위칭 회로 사이에 연결되는 제1 다이오드를 포함하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른, 과제의 해결 수단이 상술한 해결 수단들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 해결 수단들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 본 개시의 일 실시예에 따른, SPDT 스위치로 구현된 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 트랜지스터로 구현된 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 안테나 스위치 모듈 내부의 종단 저항에 연결된 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, RF 회로를 포함하는 전자 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 트랜지스터로 구현된 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전력 증폭기에 연결된 다이오드 스택을 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 안테나 스위치 모듈 내부의 종단 저항에 연결된 스위칭 회로를 포함하는 RF 회로를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, RF 회로를 포함하는 전자 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1은, 본 개시의 일 실시예에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 반사파에 의하여 전력 증폭기(210)의 출력이 임계 전압을 초과하는 경우, 스위칭 회로(230)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 임계 전압은, 전력 증폭기(210)가 정상적으로 동작 가능한 최대 출력 전압일 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 스위칭 회로(230), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득(gain)에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제1 전기적 경로(290)를 통하여, 스위칭 회로(230) 또는 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는 RF 신호일 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압은, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 무선 통신 모듈(예: 도 1의 무선 통신 모듈(192))에 포함된 안테나 스위치 모듈(antenna switch module)(예: 도 1의 안테나 모듈(197))을 동작시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)의 위치가 기지국의 셀 엣지에 가까워질수록, 전자 장치(101)와 기지국 간의 거리는 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 셀 엣지에서 안정적으로 무선 통신을 수행하기 위하여, 전력 증폭기(210)에 입력되는 전압을 증가시킴으로써, 전력 증폭기(210)의 출력 전압을 증가시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압은, 전력 증폭기(210)가 정상적으로 동작 가능한 최대 출력 전압까지 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력단과 안테나 스위치 모듈의 입력단 사이에 임피던스 미스 매칭(impedance mismatching)이 발생할 수 있다. 예를 들어, 안테나 부하(antenna load, 미도시)에 의하여 반사된 신호로 인하여 임피던스 미스 매칭이 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)와 안테나 사이에 연결되는 제1 스위치(280)의 온-오프 타이밍(on-off timing)의 오차에 의하여 반사된 신호로 인하여, 임피던스 미스 매칭이 발생할 수도 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 입력되는 원치 않는 신호(unwanted signal)가 전력 증폭기(210)의 출력단에 연결되는 필터(미도시)에 의하여 반사된 신호로 인하여, 임피던스 미스 매칭이 발생할 수도 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 입력되는 원치 않는 신호는, 트랜시버(transceiver)의 출력단에서, PLL(phase locked loop)이 고정(lock)되지 않음으로 인하여 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 증가함에 따라, 임피던스 미스 매칭에 의하여 반사된 신호의 진폭(amplitude)이 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 반사된 신호의 진폭이 증가하는 경우, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과할 수 있다. 예를 들어, 전력 증폭기(210)와 안테나 스위치 모듈 간의 임피던스 매칭(impedance matching)이 정상적으로 이루어지는 경우, 정재파비(VSWR: voltage standing waver ratio)의 값은 1 일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)와 안테나 스위치 모듈 간의 임피던스 미스 매칭이 발생하는 경우, VSWR의 값은 10까지 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력되는 전력은, VSWR 값이 10인 경우에 특정 위상(phase)에서, VSWR 값이 1인 경우와 대비하여 약 5 dBm 이상 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 영구적인 손실이 발생할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 영구적인 손실이 발생하는 경우, 전자 장치(101)의 무선 통신에 장애가 발생할 수 있다. 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 스위칭 회로(230)의 동작에 따라, OVP(over voltage protection) 회로 또는 OCP(over current protection) 회로에 의하여 보호되지 못하는 크기의 전압이 전력 증폭기(210)에 의하여 출력되는 경우, 전력 증폭기(210)의 영구적인 손실을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 제1 스위치(280)와 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에서 출력된 신호는, 전력 증폭기(210)와 상기 스위칭 회로(230) 사이에 형성되는 제1 전기적 경로(290)를 통하여 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압은, 스위칭 회로(230)가 동작하도록 하는 전압일 수 있다. 일 실시예에서, 종단 저항(240)의 저항 값은 약 50 옴일 수 있다. 종단 저항(240)이 갖는 저항 값의 구체적인 수치는 전술한 예시에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 종단 저항(240)을 통하여, 전력 증폭기(210)를 그라운드(gnd)와 연결할 수 있다. 스위칭 회로(230)는, 전력 증폭기(210)를 그라운드와 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 상기 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 지점(250)은 "전력 증폭기(210)의 출력단"으로 지칭될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압(Vd) 미만인 경우, 턴-오프(turn-off) 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압(Vd) 이상인 경우, 턴-온(turn-on)될 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(R1, 260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)가 정상적으로 동작 가능한 최대 출력 전압에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압은 증가할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(C1, 270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호(AC signal)를 바이패스(bypass)시킬 수 있다. 스위칭 회로(230)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호(DC signal)를 수신할 수 있다.
도 3은, 본 개시의 일 실시예에 따른, SPDT 스위치(310)로 구현된 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 반사파에 의하여 전력 증폭기(210)의 출력이 임계 전압을 초과하는 경우, SPDT 스위치(310)의 스위칭에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), SPDT 스위치(310), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제1 전기적 경로(290)를 통하여, SPDT 스위치(310)의 스위칭에 기반하여, 제1 스위치(280) 또는 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)(예: 도 2의 스위칭 회로(230))는, SPDT 스위치(310)를 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 공통 포트(311), 제1 포트(313), 및 제2 포트(315)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공통 포트(311)는, 제1 전기적 경로(290)를 통하여, 전력 증폭기(210)에 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 포트(313)는, 제1 스위치(280)에 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 포트(315)는, 종단 저항(240)에 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압에 따라, 제1 포트(313) 또는 제2 포트(315)를 공통 포트(311)와 연결함으로써, 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 공통 포트(311)를 제1 포트(313)와 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, SPDT 스위치(310)를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 전력 증폭기(210)의 출력 신호에 따라, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N) 중에서 어느 하나의 SPnT 포트로 스위칭할 수 있다.
일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는 컨트롤 포트(미도시)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)의 컨트롤 포트는, 제1 다이오드(220)의 캐소드에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 제1 다이오드(220)가 턴-오프 상태인 경우, 공통 포트(311)를 제1 포트(313)와 전기적으로 연결할 수 있다. SPDT 스위치(310)의 컨트롤 포트는, 제1 다이오드(200)가 턴-온 됨에 따라, 공통 포트(311)를 제2 포트(315)와 전기적으로 연결함으로써, 제1 포트(313)에서 제2 포트(315)로 스위칭하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, SPDT 스위치(310)를 통하여, 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 제1 지점(250)과 SPDT 스위치(310) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압(Vd) 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압(Vd) 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압은 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 제1 다이오드(220)가 턴-오프 상태를 유지하도록, 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 다이오드(220)가 턴-온 되고, SPDT 스위치(310)에 컨트롤 전압이 인가될 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)의 컨트롤 전압은, 제1 저항(260)의 저항값에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 실시예에서, VSWR 값이 10 일 때, 전력 증폭기(210)의 출력 신호에 대한 반사파가 최대가 될 수 있다. VSWR 값이 10 일 때, 전력 증폭기(210)의 출력은 약 32 dBm 또는 약 1700 밀리와트(mW)를 초과할 수 있다. 일 실시예에서, VSWR 값이 1 일 때, 전력 증폭기(210)의 출력 신호에 대한 반사 없이, 전력 증폭기(210)의 출력 신호가 스위칭 회로(230)를 통하여 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. VSWR 값이 1 일 때, 전력 증폭기(210)의 출력은 약 27 dBm 또는 약 506 mW 내외의 값을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 흐르는 전류의 최댓값은 약 400 밀리암페어(mA)일 수 있다. 예를 들어, VSWR 값이 10일 때, 전력 증폭기(210)의 최대 출력 전압은 약 4 볼트(V) 내지 약 4.5 V 범위의 전압일 수 있다. 예를 들어, VSWR 값이 1일 때, 전력 증폭기(210)의 최대 출력 전압은 약 1 V 내지 약 1.5 V 범위의 전압일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압은, 출력 신호에 대한 반사파의 진폭에 따라, 약 1 내지 약 4.5 V 사이에서 변동될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 저항(260)의 저항값은, SPDT 스위치(310)가 컨트롤 전압에 의하여 스위칭하도록, 결정될 수 있다. 예를 들어, 설정된 제1 저항(260)의 저항값에 따라, SPDT 스위치(310)는 약 3 V 의 컨트롤 전압에 의하여 스위칭할 수 있다. SPDT 스위치(310)는, 공통 포트(311)를 제2 포트(315)와 전기적으로 연결함으로써, 제1 포트(313)에서 제2 포트(315)로 스위칭하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, SPDT 스위치(310)를 통하여, 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, SPDT 스위치(310)의 스위칭에 기반하여, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 SPDT 스위치(310)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스 시킬 수 있다. SPDT 스위치(310)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 통신 프로세서(미도시)의 제어 신호 없이도, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 통신 프로세서는, 제1 스위치(280)의 스위칭에 기반하여, 특정 주파수 대역의 안테나를 결정할 수 있다. 일 실시예에서, 통신 프로세서는, 트랜시버를 통하여, 제1 스위치(280)에 제어 신호를 전송할 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 통신 프로세서의 제어 신호와 관계없이, 전력 증폭기(210)의 출력 전압의 크기에 따라 스위칭할 수 있다. 일 실시예에서, SPDT 스위치(310)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압을 초과하는 경우, 지연 없이 스위칭함으로써, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다.
도 4는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 트랜지스터로 구현된 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 반사파에 의하여 전력 증폭기(210)의 출력이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 제1 트랜지스터(TR1, 410), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제1 전기적 경로(290)를 통하여, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 제1 스위치(280) 또는 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)(예: 도 2의 스위칭 회로(230))는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압에 따라, 턴-온 또는 턴-오프 될 수 있다.
일 실시예에서, 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 제1 트랜지스터(410)는 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 전기적 경로를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(200)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 제1 지점(250)과 제1 트랜지스터(410) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압은 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 제1 다이오드(220)가 턴-오프 상태를 유지하도록, 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)의 턴-온 전압은, 제1 저항(260)의 저항값에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 턴-온 될 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 전기적 경로(290)로부터 분기된 경로를 통하여, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 제1 트랜지스터(410)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스시킬 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 연결된 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 반사파에 의하여 전력 증폭기(210)의 출력이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 전력 증폭기(210)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전기적으로 연결함으로써, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 제1 트랜지스터(410), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제1 전기적 경로(290)를 통하여, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 제1 스위치(280) 또는 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)(예: 도 2의 스위칭 회로(230))는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압에 따라, 턴-온 또는 턴-오프 될 수 있다.
일 실시예에서, 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 제1 트랜지스터(410)는 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 전기적 경로를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 전력 증폭기(210)의 출력 신호에 따라, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N) 중에서 어느 하나의 SPnT 포트로 스위칭할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)가 제1 SPnT 포트(321-1)로 스위칭하는 경우, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 송신 필터(511-1)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)가 제N SPnT 포트(321-N)로 스위칭하는 경우, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제N 송신 필터(511-N)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)은, 복수의 RF 밴드들을 지원하는 멀티-온(multi-on) 스위치로 구현될 수 있다. 안테나 스위치 모듈(520)이 구현되는 방법은 도 5에 도시된 바에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)은, 특정 주파수 대역의 RF 신호를 송수신 하는 경우, 제1 안테나 포트(521-1) 내지 제N 안테나 포트(521-N) 중에서 어느 하나의 안테나 포트를 공통 안테나 포트(523)와 연결함으로써, 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)은, 결정된 로직에 따라 동작하지 않는 경우, 종단 포트(525)를 공통 포트(523)와 연결함으로써, RF 신호의 원치 않는 반사(unwanted reflection)를 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 결정된 로직에 따라 동작하지 않는 경우는, 안테나 스위치 모듈(520)이 특정 주파수 대역의 RF 신호를 송수신하지 않는 경우를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)이 종단 포트(525)로 스위칭하는 경우, 안테나(미도시)로부터 수신되는 신호는 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(200)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 제1 지점(250)과 제1 트랜지스터(410) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 제1 다이오드(220)가 턴-오프 상태를 유지하도록, 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)의 턴-온 전압은, 제1 저항(260)의 저항값에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 턴-온 될 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 전기적 경로(290)로부터 분기된 경로를 통하여, 전력 증폭기(210)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 추가적인 저항 소자 없이도, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)을 이용함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 제1 트랜지스터(410)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스시킬 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, RF 회로(200)를 포함하는 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, RF 회로(200)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. RF 회로(200)의 구체적인 동작은, 도 5에서 설명한 바, 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
일 실시예에서, 통신 프로세서(610)(CP: communication processor)는, 외부로 송신 신호를 방사하기 위하여, 트랜시버(620)에 복소 신호(iq signal)를 전송할 수 있다. 트랜시버(620)는, 수신한 복소 신호의 주파수를 변환하고, 전력 증폭기(210)에 제어 신호를 전송할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 트랜시버(620)로부터 수신한 RF 신호를 증폭할 수 있다. 도 6에서는 전력 증폭기(210)가 하나인 것으로 도시되었으나, 일 실시예에서, RF 회로(200)는 주파수 대역 별로 복수의 전력 증폭기(210)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 RF 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성될 수 있다. 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 RF 신호는, 제1 트랜지스터(410)가 턴-오프 상태인 경우, 제1 스위치(280) 및 안테나 스위치 모듈(520)을 통하여, 안테나(660)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 RF 신호는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 안테나(660)는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서에 의하여 출력된 신호에 기반하여, 외부로 송신 신호를 방사함으로써, 신호 송신 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)가 턴-온 될 수 있다. 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 RF 신호는, 제1 트랜지스터(410)가 턴-온 상태인 경우, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 안테나(660)는, 외부의 전기장을 감지함에 기반하여 RF 신호를 수신함으로써, 신호 수신 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(660)에 의하여 수신된 RF 신호는, 안테나 스위치 모듈(520) 및 제2 스위치(640)를 통하여 저잡음 증폭기(630)(LNA: low-noise amplifier)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(660)에 의하여 수신된 RF 신호는, 안테나 스위치 모듈(520)과 제2 스위치(640) 사이에 연결된 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서를 통하여, 저잡음 증폭기(630)에 전송될 수 있다. 저잡음 증폭기(630)는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서에 의하여 출력된 신호를 증폭할 수 있다. 저잡음 증폭기(630)에 의하여 증폭된 신호는, 트랜시버(620)를 통하여 통신 프로세서(610)에 전송될 수 있다.
도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 스위칭 회로(230)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)(DA: device amplifier)를, 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 스위칭 회로(230), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 구동 증폭기(710)의 출력 신호일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 최대 출력은 약 30 dBm 이상일 수 있다. 일 실시예에서, 구동 증폭기(710) 및 전력 증폭기(210)는, 트랜시버(예: 도 6의 트랜시버(620))에 의하여 출력되는 신호를 순차적으로 증폭할 수 있다. 도 7에서는, 구동 증폭기(710) 및 전력 증폭기(720)가 각각 하나인 것으로 도시 되었으나, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는, 직렬로 연결된 복수의 구동 증폭기들 및 전력 증폭기들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제2 전기적 경로(730)를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는 RF 신호일 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에서 출력된 신호는, 전력 증폭기(210)와 제1 스위치(280) 사이에 형성되는 제2 전기적 경로(280)를 통하여 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 구동 증폭기(710)와 전력 증폭기(720) 사이의 전기적 경로의 제2 지점(720)에서 분기되어, 제2 지점(720)과 종단 저항(240) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 종단 저항(240)을 통하여, 구동 증폭기(710)를 그라운드(gnd)와 전기적으로 연결할 수 있다. 스위칭 회로(230)는, 구동 증폭기(710)를 그라운드와 전기적으로 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, 스위칭 회로(230)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)가 정상적으로 동작 가능한 최대 출력 전압에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 증가할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스 시킬 수 있다. 스위칭 회로(230)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 트랜지스터로 구현된 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를, 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 스위칭 회로(230), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 구동 증폭기(710)의 출력 신호일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제2 전기적 경로(730)를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는 RF 신호일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에서 출력된 신호는, 전력 증폭기(210)와 제1 스위치(280) 사이에 형성되는 제2 전기적 경로(730)를 통하여 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 구동 증폭기(710)와 전력 증폭기(720) 사이의 전기적 경로의 제2 지점(720)에서 분기되어, 제2 지점(720)과 종단 저항(240) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 종단 저항(240)을 통하여, 구동 증폭기(710)를 그라운드(gnd)와 연결할 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 구동 증폭기(710)를 그라운드와 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 제1 트랜지스터(410) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)가 정상적으로 동작 가능한 최대 출력 전압에 기반하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 증가할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 제1 트랜지스터(410)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스 시킬 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 전력 증폭기(210)에 연결된 다이오드 스택을 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를, 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)의 턴-온 전압은, 제1 다이오드 스택(910)에 의하여 결정될 수 있다. RF 회로(200)의 구체적인 동작과 관련하여, 도 8과 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
일 실시예에서, RF 회로(200)는, 복수의 다이오드들을 포함하는 제1 다이오드 스택(910)을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 다이오드 스택(910)에 포함된 다이오드들의 수는 도 9에 도시된 바에 제한되지 않는다. 제1 다이오드 스택(910)은, 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 애노드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제1 다이오드 스택(910)은, 상기 제1 다이오드 스택(910)에 포함된 복수의 다이오드들 중에서 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 제1 다이오드(220)의 애노드와 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드 스택(910)의 분기 지점(911)이 결정됨에 기반하여, 제1 트랜지스터(410)의 턴-온 전압이 결정될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 제1 다이오드 스택(910)에 포함된 복수의 다이오드들 중에서 어느 하나의 다이오드의 캐소드와 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 도 3 및 도 4에 도시된 RF 회로들은, 제1 다이오드 스택(910)을 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, RF 회로(200)는, 복수의 다이오드들을 포함하는 제2 다이오드 스택(920)을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 다이오드 스택(920)은, 상기 제2 전기적 경로(730)의 제3 지점(930)에서 분기되어, 제3 지점(930)과 그라운드 사이에 연결되며, 제2 다이오드 스택(920)에 포함된 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 다이오드 스택(920)은, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력되는 음전압(negative voltage)을 제한하는 클리퍼 회로(clipper circuit)로서 동작할 수 있다.
도 10은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 연결된 스위칭 회로(230)를 포함하는 RF 회로(200)를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 구동 증폭기(710)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전기적으로 연결함으로써, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 제1 트랜지스터(410), 및 제1 다이오드(220)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)는, 설정된 이득에 기반하여, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 구동 증폭기(710)의 출력 신호일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 출력 신호는, 제2 전기적 경로(730)를 통하여, 제1 스위치(280)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는 RF 신호일 수 있다.
일 실시예에서, 스위칭 회로(230)(예: 도 2의 스위칭 회로(230))는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압에 따라, 턴-온 또는 턴-오프 될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에서 출력된 신호는, 전력 증폭기(210)와 제1 스위치(280) 사이에 형성되는 제2 전기적 경로(280)를 통하여 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)는, 전력 증폭기(210)의 출력 신호에 따라, 제1 SPnT 포트(321-1) 내지 제N SPnT 포트(321-N) 중에서 어느 하나의 SPnT 포트로 스위칭할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)가 제1 SPnT 포트(321-1)로 스위칭하는 경우, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제1 송신 필터(511-1)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스위치(280)가 제N SPnT 포트(321-N)로 스위칭하는 경우, 전력 증폭기(210)의 출력 신호는, 제N 송신 필터(511-N)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)은, 특정 주파수 대역의 RF 신호를 송신 하는 경우, 제1 안테나 포트(521-1) 내지 제N 안테나 포트(521-N) 중에서 어느 하나의 안테나 포트를 공통 안테나 포트(523)와 연결함으로써, 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)은, 결정된 로직에 따라 동작하지 않는 경우, 종단 포트(525)를 공통 포트(523)와 연결함으로써, RF 신호의 원치 않는 반사를 방지할 수 있다. 일 실시예에서, 결정된 로직에 따라 동작하지 않는 경우는, 안테나 스위치 모듈(520)이 특정 주파수 대역의 RF 신호를 송수신하지 않는 경우를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나 스위치 모듈(520)이 종단 포트(525)로 스위칭하는 경우, 안테나(예: 도 6의 안테나(660))로부터 수신되는 신호는 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(200)가 턴-온 됨에 따라, 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 구동 증폭기(710)와 전력 증폭기(720) 사이의 전기적 경로의 제2 지점(720)에서 분기되어, 제2 지점(720)과 종단 저항(240) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 종단 저항(240)을 통하여, 구동 증폭기(710)를 그라운드(gnd)와 연결할 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 구동 증폭기(710)를 그라운드와 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 제1 트랜지스터(410) 사이에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)의 동작 상태는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 미만인 경우, 턴-오프 상태일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 다이오드(220)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 제1 다이오드(220)가 동작 가능한 전압 이상인 경우, 턴-온 될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 됨에 따라, 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 지점(250)과 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 저항(260)의 저항값이 증가할수록, 제1 다이오드(220)를 턴-온 시키기 위한 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 증가할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 저항(260)의 저항값은, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 제1 다이오드(220)가 턴-오프 상태를 유지하도록, 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)의 턴-온 전압은, 제1 저항(260)의 저항값에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 트랜지스터(410)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 턴-온 될 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 구동 증폭기(710)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 전기적으로 연결할 수 있다. 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 추가적인 저항 소자 없이도, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)을 이용함으로써, 과전압으로 인한 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 RF 회로(200)는, 제1 다이오드(220)를 제1 트랜지스터(410)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 캐패시터(270)는, 제1 다이오드(220)가 턴-온 상태인 경우, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 교류 신호를 바이패스시킬 수 있다. 제1 트랜지스터(410)는, 제1 캐패시터(270)의 동작에 따라, 전력 증폭기(210)에 의하여 출력된 직류 신호를 수신할 수 있다.
도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, RF 회로(200)를 포함하는 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))를 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에서, 전자 장치(101)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, RF 회로(200)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다. RF 회로(200)의 구체적인 동작은, 도 10에서 설명한 바, 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
일 실시예에서, 통신 프로세서(610)는, 외부로 송신 신호를 방사하기 위하여, 트랜시버(620)에 복소 신호를 전송할 수 있다. 트랜시버(620)는, 수신한 복소 신호의 주파수를 변환하고, 구동 증폭기(710)에 제어 신호를 전송할 수 있다. 일 실시예에서, 구동 증폭기(710) 및 전력 증폭기(210)는, 트랜시버(620)로부터 수신한 RF 신호를 순차적으로 증폭시킬 수 있다. 도 11에서는 구동 증폭기(710) 및 전력 증폭기(210)가 하나인 것으로 도시되었으나, 일 실시예에서, RF 회로(200)는 복수의 구동 증폭기들 및 전력 증폭기들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우, 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 RF 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성될 수 있다. 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 RF 신호는, 제1 트랜지스터(410)가 턴-오프 상태인 경우, 제1 스위치(280) 및 안테나 스위치 모듈(520)을 통하여, 안테나(660)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 전력 증폭기(210)에 의하여 증폭된 RF 신호는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520)에 전송될 수 있다. 안테나(660)는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서에 의하여 출력된 신호에 기반하여, 외부로 송신 신호를 방사함으로써, 신호 송신 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)가 턴-온 될 수 있다. 전력 증폭기(210)의 입력 신호는, 제1 트랜지스터(410)가 턴-온 상태인 경우, 제1 트랜지스터(410)를 통하여, 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 제1 트랜지스터(410)의 동작에 기반하여, 전력 증폭기(210)의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 안테나(660)는, 외부의 전기장을 감지함에 기반하여, RF 신호를 수신함으로써, 신호 수신 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(660)에 의하여 수신된 RF 신호는, 안테나 스위치 모듈(520) 및 제2 스위치(640)를 통하여 저잡음 증폭기(630)에 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(660)에 의하여 생성된 RF 신호는, 안테나 스위치 모듈(520)과 제2 스위치(640) 사이에 연결된 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서를 통하여, 저잡음 증폭기(630)에 전송될 수 있다. 예를 들어, 저잡음 증폭기(630)는, 제1 듀플렉서(651-1) 내지 제N 듀플렉서(651-N) 중에서 어느 하나의 듀플렉서에 의하여 출력된 신호를 증폭할 수 있다. 저잡음 증폭기(630)에 의하여 증폭된 신호는, 트랜시버(620)를 통하여 통신 프로세서(610)에 전송될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 상기 전력 증폭기(210)를 제1 스위치(280)와 전기적으로 연결하고, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우 상기 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로(230), 상기 전력 증폭기(210)와 상기 스위칭 회로(230) 사이에 형성되는 제1 전기적 경로(290), 및 상기 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결되는 제1 다이오드(220)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 제1 지점(250)과 상기 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 회로(230)는, 공통 포트(311), 제1 포트(313), 및 제2 포트(315)를 포함하는 SPDT 스위치(310)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 공통 포트(311)는, 상기 제1 전기적 경로(250)를 통하여, 상기 전력 증폭기(210)에 연결되도록 구성될 수 있다. 상기 제1 포트(313)는, 상기 제1 스위치(280)에 연결되도록 구성될 수 있다. 상기 제2 포트(315)는, 상기 종단 저항(240)에 연결되도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 SPDT 스위치(310)는, 상기 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 공통 포트(311)를 상기 제1 포트(313)와 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다. 상기 SPDT 스위치(310)는, 상기 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 공통 포트(311)를 상기 제2 포트(315)와 전기적으로 연결함으로써, 상기 제1 포트(313)에서 상기 제2 포트(315)로 스위칭하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 기 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 트랜지스터(410)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력전압이 상기 임계전압을 초과하는 경우, 상기 제1 전기적 경로(290)로부터 분기된 경로를 통하여, 상기 전력 증폭기(210)를 상기 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 연결하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 제어 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 제1 다이오드(220)를 상기 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, RF 회로(200)는, 전력 증폭기(210), 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로(230), 상기 전력 증폭기(210)의 출력 신호를 수신하는 제1 스위치(280), 상기 전력 증폭기(210)와 상기 제1 스위치(280) 사이에 형성되는 제2 전기적 경로(730), 및 상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결되는 제1 다이오드(220)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 복수의 다이오드들을 포함하고, 상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 애노드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성된 제1 다이오드 스택(910)을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 다이오드 스택(910)은, 상기 제1 다이오드 스택(910)에 포함된 복수의 다이오드들 중에서 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 제1 다이오드(220)의 애노드와 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 복수의 다이오드들을 포함하고, 상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성된 제2 다이오드 스택(920)을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 제1 지점(250)과 상기 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 기 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 트랜지스터(410)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력전압이 상기 임계전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 상기 구동 증폭기(710) 와 연결하는 전기적 경로로부터 분기된 경로를 통하여, 상기 구동 증폭기(710)를 상기 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 스위칭 회로(230)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 구동 증폭기(710)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항과 연결하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 제어 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 RF 회로(200)는, 상기 제1 다이오드(220)를 상기 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 일 실시예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 일 실시예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 일 실시예는 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 일 실시예에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 실시예에서 사용된 데이터의 구조는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 여러 수단을 통하여 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, CD-ROM, DVD 등)와 같은 저장매체를 포함한다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. RF 회로(200)에 있어서,
    전력 증폭기(210);
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압 이하인 경우 상기 전력 증폭기(210)를 제1 스위치(280)와 전기적으로 연결하고, 상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우 상기 전력 증폭기(210)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로(230);
    상기 전력 증폭기(210)와 상기 스위칭 회로(230) 사이에 형성되는 제1 전기적 경로(290); 및
    상기 제1 전기적 경로(290)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결되는 제1 다이오드(220)를 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 지점(250)과 상기 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로(230)는,
    공통 포트(311), 제1 포트(313), 및 제2 포트(315)를 포함하는 SPDT 스위치(310)를 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공통 포트(311)는, 상기 제1 전기적 경로(290)를 통하여, 상기 전력 증폭기(210)에 연결되도록 구성되고,
    상기 제1 포트(313)는, 상기 제1 스위치(280)에 연결되도록 구성되고,
    상기 제2 포트(315)는, 상기 종단 저항(240)에 연결되도록 구성된, RF 회로(200).
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 SPDT 스위치(310)는,
    상기 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 공통 포트(311)를 상기 제1 포트(313)와 전기적으로 연결하고,
    상기 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 공통 포트(311)를 상기 제2 포트(315)와 전기적으로 연결함으로써, 상기 제1 포트(313)에서 상기 제2 포트(315)로 스위칭하도록 구성된, RF 회로(200).
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로(230)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 기 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터(410)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력전압이 상기 임계전압을 초과하는 경우, 상기 제1 전기적 경로(290)로부터 분기된 경로를 통하여, 상기 전력 증폭기(210)를 상기 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된, RF 회로(200).
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로(230)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항(240)과 연결하도록 구성된, RF 회로(200).
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 제어 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성된, RF 회로(200).
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드(220)를 상기 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  11. RF 회로(200)에 있어서,
    전력 증폭기(210);
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)의 입력단에 전기적으로 연결된 구동 증폭기(710)를 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된 스위칭 회로(230);
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 신호를 수신하는 제1 스위치(280);
    상기 전력 증폭기(210)와 상기 제1 스위치(280) 사이에 형성되는 제2 전기적 경로(730); 및
    상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 상기 스위칭 회로(230) 사이에 연결되는 제1 다이오드(220)를 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  12. 제 11 항에 있어서,
    복수의 다이오드들을 포함하고, 상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 애노드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성된 제1 다이오드 스택(910)을 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드 스택(910)은,
    상기 제1 다이오드 스택(910)에 포함된 복수의 다이오드들 중에서 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 제1 다이오드(220)의 애노드와 전기적으로 연결되도록 구성된, RF 회로(200).
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 다이오드들을 포함하고, 상기 제2 전기적 경로(730)의 제1 지점(250)에서 분기되어, 상기 제1 지점(250)과 그라운드 사이에 연결되며, 상기 복수의 다이오드들 중 어느 하나의 다이오드의 캐소드가 상기 전력 증폭기(210)와 전기적으로 연결되도록 구성된 제2 다이오드 스택(920)을 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 지점(250)과 상기 제1 다이오드(220) 사이에 연결되는 제1 저항(260)을 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  16. 제 11 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로(230)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 기 설정된 전압을 초과하는 경우 동작하도록 구성된 제1 트랜지스터(410)를 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
  17. 제 11 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터(410)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력전압이 상기 임계전압을 초과하는 경우, 상기 전력 증폭기(210)를 상기 구동 증폭기(710) 와 연결하는 전기적 경로로부터 분기된 경로를 통하여, 상기 구동 증폭기(710)를 상기 종단 저항(240)과 전기적으로 연결하도록 구성된, RF 회로(200).
  18. 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위칭 회로(230)는,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압을 초과하는 경우, 상기 구동 증폭기(710)를 안테나 스위치 모듈(520) 내부의 종단 저항과 연결하도록 구성된, RF 회로(200).
  19. 제 11 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전력 증폭기(210)의 출력 전압이 상기 임계 전압 이하인 경우, 상기 제1 스위치(280)를 통하여, 트랜시버(620)로부터 획득한 제어 신호를 안테나 스위치 모듈(520)에 전송하도록 구성된, RF 회로(200).
  20. 제 11 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드(220)를 상기 스위칭 회로(230)와 연결하는 전기적 경로에서 분기되어, 상기 제1 다이오드(220)와 그라운드 사이에 연결되는 제1 캐패시터(270)를 더 포함하도록 구성된, RF 회로(200).
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