KR20240037092A - 포토 다이오드의 방전을 제어하는 전자 장치 및 이의 제어 방법 - Google Patents

포토 다이오드의 방전을 제어하는 전자 장치 및 이의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

전자 장치는 애노드가 음전압이 인가되는 내부 노드와 연결되고, 캐소드가 출력단과 연결되는 포토 다이오드; 일단이 상기 내부 노드에 연결된 트랜지스터; 및 상기 음전압을 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받고, 상기 음 전원 전압을 기반으로 방전 제어 신호의 전압에 상기 음전압을 가산하여 구동 전압을 생성하며, 상기 구동 전압을 상기 트랜지스터의 게이트 단에 인가하여 상기 내부 노드의 음전하가 상기 트랜지스터의 타단에 방출되도록 제어하는 방전 제어 회로를 포함한다.

Description

포토 다이오드의 방전을 제어하는 전자 장치 및 이의 제어 방법{ELECTRONIC DEVICE CONTROLLING DISCHARGE OF PHOTO DIODE AND METHOD OF CONTROLLING FOR THE SAME}
본 발명은 파워 오프 시퀀스에서 포토 다이오드의 방전을 제어하는 전자 장치 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.
라이다(LiDAR, Light Detection And Ranging) 시스템은 우주 항공, 지질학, 3차원 지도, 자동차, 로봇, 드론 등 다양한 분야에 적용되며, 최근에는 단일 광자 애벌랜치 다이오드(SPAD, Single-Photon Avalanche Diode)를 이용한 ToF(Time of Flight) 방식이 개발되고 있다.
SPAD는 일반적인 포토 다이오드(PD, Photo Diode)와 마찬가지로 애노드(Anode) 및 캐소드(Cathode) 각각에 음전압 및 양전압이 걸리는 역방향 바이어스를 인가받아 동작하게 된다. 이때, 역방향 바이어스는 SPAD에 대한 항복 전압(breakdown voltage) 이상의 전압을 제공하는 음전압 생성 회로로부터 인가될 수 있다.
SPAD는 항복 전압이 높으므로 파워 온 구간에서 높은 전하량을 가질 수 있다. 이에 따라, 라이다 시스템은 파워 오프 시퀀스에서 SPAD에 가해지는 데미지를 완화하기 위해 SPAD를 신속하게 방전시키는 방전 회로를 구비할 수 있다.
방전 회로는 SPAD의 음전하를 방출하는 전하 방출 소자와 음전원을 공급받아 전하 방출 소자를 구동하는 구동 회로가 필요하다. 이때, 구동 회로는 SPAD의 역방향 바이어스를 위한 음전압 생성 회로와 분리된 별도의 음전압 생성 회로로부터 음전원을 공급받아 SPAD에 대한 방전을 안정적으로 수행할 수 있다. 하지만, 별도의 음전압 생성 회로를 구비하는 방식은 라이다 시스템에 소모되는 소자와 면적을 증대시키는 문제가 있다.
상기의 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
이에 본 발명은, 파워 오프 시퀀스에서 포토 다이오드의 방전을 제어하기 위한 구동 회로에 있어서, 구동 회로에 공급되는 음전원을 생성하기 위한 별도의 회로 없이 포토 다이오드에 인가되는 역방향 바이어스를 구동 회로의 음전원으로 이용하는 것을 해결하고자 하는 기술적 과제로 한다.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 전자 장치는 애노드가 음전압이 인가되는 내부 노드와 연결되고, 캐소드가 출력단과 연결되는 포토 다이오드; 일단이 상기 내부 노드에 연결된 트랜지스터; 및 상기 음전압을 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받고, 상기 음 전원 전압을 기반으로 방전 제어 신호의 전압에 상기 음전압을 가산하여 구동 전압을 생성하며, 상기 구동 전압을 상기 트랜지스터의 게이트 단에 인가하여 상기 내부 노드의 음전하가 상기 트랜지스터의 타단에 방출되도록 제어하는 방전 제어 회로를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 전자 장치의 제어 방법은 포토 다이오드의 애노드가 연결된 내부 노드의 음전압을 방전 제어 회로가 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받는 단계; 상기 방전 제어 회로에서 상기 음 전원 전압을 기반으로, 방전 제어 신호의 전압에 상기 음전압을 가산하여 구동 전압을 생성하는 단계; 및 상기 방전 제어 회로에서 상기 구동 전압을 트랜지스터의 게이트 단에 인가하여 상기 내부 노드의 음전하가 상기 트랜지스터를 통해 방출되도록 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 파워 오프 시퀀스에서 포토 다이오드의 방전을 안정적으로 수행하고, 라이다 시스템에 소모되는 소자와 면적을 줄일 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 전자 장치의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
다양한 구성요소들을 구별하는데 사용되는 "제1" 및 "제2" 등의 용어는 구성요소들에 의해 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 반대로 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
하나의 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 할 때 직접적으로 연결되거나 중간에 다른 구성요소를 매개로 연결될 수도 있다고 이해되어야 한다. 반면, "직접 연결되어" 및 "직접 접속되어"라는 기재는 하나의 구성요소가 다른 구성요소에 또 다른 구성요소를 사이에 두지 않고 직접 연결된다고 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 전자 장치의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 전자 장치는 포토 다이오드(10), 전류원(20), 트랜지스터(30) 및 방전 제어 회로(40)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 전자 장치는 라이다(LiDAR) 시스템에 적용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
포토 다이오드(10)는 애노드(anode)가 음전압(Vn)이 인가되는 내부 노드(nd_INT)와 연결되고, 캐소드(cathode)가 출력단(OUT)과 연결될 수 있다. 이때, 포토 다이오드(10)는 단일 광자 애벌랜치 다이오드(SPAD, Single-Photon Avalanche Diode)로 구현될 수 있다. 이에 따라, 애노드와 캐소드 간의 전위 차는 파워 온 구간에서 단일 광자 수신으로 자유 전자의 수가 급속도로 증가하는 애벌랜치 증배(avalanche multiplication)가 발생하도록, 포토 다이오드(10)에 대한 항복 전압(Breakdown Voltage)보다 높게 설정될 수 있다.
전류원(20)은 과잉 전압(Vex)의 단자로부터 출력단(OUT)으로 정전류를 제공할 수 있다.
트랜지스터(30)는 파워 오프 시퀀스에서 포토 다이오드(10)를 방전시키기 위한 전하 방출 소자로서, 소스 단이 내부 노드(nd_INT)와 연결되고, 드레인 단이 접지단과 연결되는 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다. 실시예에 따라, 트랜지스터(30)는 PMOS 트랜지스터로 구현될 수 있으나, NMOS 트랜지스터로 구현될 경우 PMOS 트랜지스터에 비해 높은 전하의 모빌리티로 포토 다이오드(10)의 방전을 신속하게 수행할 수 있다.
방전 제어 회로(40)는 연산 증폭기(41, Operation Amplifier) 및 제1 내지 제4 저항(R1, R2, R3, R4)을 포함할 수 있다.
방전 제어 회로(40)는 연산 증폭기(41)를 통해 방전 제어 신호(dis_control)로부터 구동 전압(Vg)을 생성할 수 있다. 또한, 방전 제어 회로(40)는 파워 오프 시퀀스에서 구동 전압(Vg)을 트랜지스터(30)의 게이트 단에 인가하여 트랜지스터(30)를 턴-온시킴으로써, 내부 노드(nd_INT)의 음전하가 트랜지스터(30)의 드레인 단에 방출되도록 제어할 수 있다.
이때, 방전 제어 신호(dis_control)는 포토 다이오드(10)에 대한 파워 오프 시퀀스가 진행될 때, 트랜지스터(30)의 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압 레벨을 가질 수 있다.
방전 제어 회로(40)는 전원 전압(V+)을 연산 증폭기(41)의 양 전원 단자를 통해 양 전원 전압으로 인가받고, 음전압(Vn)을 연산 증폭기(41)의 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받을 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 방전 제어 회로(40)는 내부 노드(nd_INT)의 음전압(Vn)을 연산 증폭기(41)의 음전원으로 제공받음으로써, 연산 증폭기(41)의 음전원을 제공하기 위한 별도의 음전압 생성 회로를 제거할 수 있다.
한편, 음전압(Vn)의 레벨은 파워 오프 시퀀스에서 내부 노드(nd_INT)의 음전하가 트랜지스터(30)를 통해 방출됨에 따라 변경되는데, 이는 방전 제어 회로(40)가 음전압(Vn)을 음 전원 전압으로 공급받을 경우, 구동 전압(Vg)의 레벨을 안정적으로 유지할 수 없는 문제를 유발할 수 있다.
이에, 본 실시예에 따른 방전 제어 회로(40)는 음전압(Vn) 변화에 상관없이 포토 다이오드(10)의 방전을 안정적으로 수행하도록, 방전 제어 신호(dis_control)의 전압에 음전압(Vn)을 가산하여 구동 전압(Vg)을 생성할 수 있다.
구동 전압(Vg)은 식 1과 같이 방전 제어 신호의 전압(Vdis)과 음전압(Vn)의 합으로 나타낼 수 있다.
식 1: Vg = Vdis + Vn
트랜지스터(30)의 게이트 단 및 소스 단의 전압 차(Vgs)는 식 2와 같이 방전 제어 신호의 전압(Vdis)으로 유지되므로, 방전 제어 회로(40)는 음전압(Vn)을 음 전원 전압으로 공급받더라도 포토 다이오드(10)의 방전을 안정적으로 수행할 수 있다.
식 2: Vgs = Vdis
이하에서는, 방전 제어 회로(40)가 방전 제어 신호(dis_control)의 전압에 음전압(Vn)을 가산하는 동작 방법에 대해 설명한다.
우선, 방전 제어 회로(40)는 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)의 값에 따라 방전 제어 신호(dis_control)의 전압 및 음전압(Vn)에 대한 평균 전압(Vavg)을 생성하고, 평균 전압(Vavg)을 연산 증폭기(41)의 비반전 입력 단자(+)에 입력할 수 있다.
제1 저항(R1)은 연산 증폭기(41)의 비반전 입력 단자(+) 및 방전 제어 신호(dis_control)가 입력되는 노드 사이에 연결될 수 있다. 제2 저항(R2)은 연산 증폭기(41)의 비반전 입력 단자(+) 및 내부 노드(nd_INT) 사이에 연결될 수 있다. 이때, 제1 저항(R1)의 값과 제2 저항(R2)의 값은 동일하게 설정될 수 있다.
이에 따라, 평균 전압(Vavg)은 식 3과 같이 방전 제어 신호의 전압(Vdis) 및 음전압(Vn)의 평균 레벨을 가질 수 있다.
식 3:
이후, 방전 제어 회로(40)는 구동 전압(Vg)이 방전 제어 신호(dis_control)의 전압과 음전압(Vn)의 합이 되도록, 제3 저항(R3) 및 제4 저항(R4)의 값에 따라 평균 전압(Vavg)을 두 배로 증폭하여 구동 전압(Vg)으로 출력할 수 있다.
제3 저항(R3)은 연산 증폭기(41)의 반전 입력 단자(-) 및 접지단 사이에 연결될 수 있다. 제4 저항(R4)은 연산 증폭기(41)의 반전 입력 단자(-) 및 연산 증폭기(41)의 출력 단자 사이에 연결될 수 있다. 이때, 제3 저항(R3)의 값과 제4 저항(R4)의 값은 동일하게 설정될 수 있다.
이에 따라, 구동 전압(Vg)은 식 4와 같이 평균 전압(Vavg)의 두 배에 해당하는 레벨을 가질 수 있다.
식 4:
도 2는 본 개시의 일 예에 따른 전자 장치의 제어 방법을 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 방전 제어 회로(40)는 포토 다이오드(10)의 애노드가 연결된 내부 노드(nd_INT)의 음전압(Vn)을 연산 증폭기(41)의 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받을 수 있다(S101). 이때, 방전 제어 회로(40)는 전원 전압(V+)을 연산 증폭기(41)의 양 전원 단자를 통해 양 전원 전압으로 인가받을 수 있다.
방전 제어 회로(40)는 파워 오프 시퀀스에 진입할 경우, 방전 제어 신호(dis_control)를 입력받을 수 있다. 이때, 방전 제어 신호(dis_control)는 포토 다이오드(10)에 대한 파워 오프 시퀀스가 진행될 때, 트랜지스터(30)의 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압 레벨을 가질 수 있다(S102).
방전 제어 회로(40)는 양 전원 전압 및 음 전원 전압을 기반으로, 방전 제어 신호(dis_control)의 전압에 음전압(Vn)을 가산하여 구동 전압(Vg)을 생성할 수 있다(S103-S104).
좀 더 구체적으로, 방전 제어 회로(40)는 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)의 값에 따라 방전 제어 신호(dis_control)의 전압(Vdis) 및 음전압(Vn)으로부터 평균 전압(Vavg)을 생성할 수 있다(S103). 전술한 바와 같이, 제1 저항(R1) 및 제2 저항(R2)은 저항 값이 동일하게 설정될 수 있다.
이후, 방전 제어 회로(40)는 구동 전압(Vg)이 방전 제어 신호(dis_control)의 전압(Vdis)과 음전압(Vn)의 합이 되도록, 제3 저항(R3) 및 제4 저항(R4)의 값에 따라 평균 전압(Vavg)을 두 배로 증폭하여 구동 전압(Vg)을 출력할 수 있다(S104). 전술한 바와 같이, 제3 저항(R3) 및 제4 저항(R4)은 저항 값이 동일하게 설정될 수 있다.
마지막으로, 방전 제어 회로(40)는 구동 전압(Vg)을 트랜지스터(30)의 게이트 단에 인가하여 트랜지스터(30)를 턴-온시킴으로써, 내부 노드(nd_INT)의 음전하가 트랜지스터(30)를 통해 방출되도록 제어할 수 있다(S105).
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 파워 오프 시퀀스에서 포토 다이오드의 방전을 안정적으로 수행하고, 라이다 시스템에 소모되는 소자와 면적을 줄일 수 있다.
10: 포토 다이오드
20: 전류원
30: 트랜지스터
40: 방전 제어 회로
41: 연산 증폭기

Claims (20)

  1. 애노드가 음전압이 인가되는 내부 노드와 연결되고, 캐소드가 출력단과 연결되는 포토 다이오드;
    일단이 상기 내부 노드에 연결된 트랜지스터; 및
    상기 음전압을 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받고, 상기 음 전원 전압을 기반으로 방전 제어 신호의 전압에 상기 음전압을 가산하여 구동 전압을 생성하며, 상기 구동 전압을 상기 트랜지스터의 게이트 단에 인가하여 상기 내부 노드의 음전하가 상기 트랜지스터의 타단에 방출되도록 제어하는 방전 제어 회로를 포함하는, 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 포토 다이오드는,
    SPAD(Single-Photon Avalanche Diode)로 구현되는, 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 애노드 및 상기 캐소드 간의 전위 차는,
    파워 온 구간에서 단일 광자 수신으로 애벌랜치 증배(avalanche multiplication)가 발생하도록, 상기 포토 다이오드에 대한 항복 전압보다 높게 설정되는, 전자 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 방전 제어 회로는,
    상기 음 전원 단자를 통해 상기 음전압을 인가받는 연산 증폭기(Operation Amplifier)를 포함하는, 전자 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 방전 제어 회로는,
    상기 방전 제어 신호의 전압 및 상기 음전압에 대한 평균 전압을 상기 연산 증폭기에 입력하고, 상기 평균 전압을 상기 연산 증폭기를 통해 두 배로 증폭하여 상기 구동 전압으로 출력하는, 전자 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 방전 제어 회로는,
    제1 및 제2 저항의 값에 따라 상기 방전 제어 신호의 전압 및 상기 내부 노드의 전압으로부터 상기 평균 전압을 생성하되,
    상기 제1 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제1 입력 단자 및 상기 방전 제어 신호가 입력되는 노드 사이에 연결되고,
    상기 제2 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제1 입력 단자 및 상기 내부 노드 사이에 연결되는, 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 저항의 값은,
    상기 제2 저항의 값과 동일하게 설정되는, 전자 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 연산 증폭기의 제1 입력 단자는,
    비반전 입력 단자에 해당하는, 전자 장치.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 방전 제어 회로는,
    제3 및 제4 저항의 값에 따라 상기 평균 전압을 상기 연산 증폭기를 통해 두 배로 증폭하여 상기 구동 전압으로 출력하되,
    상기 제3 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제2 입력 단자 및 접지단 사이에 연결되고,
    상기 제4 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제2 입력 단자 및 상기 연산 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는, 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제3 저항의 값은,
    상기 제4 저항의 값과 동일하게 설정되는, 전자 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 연산 증폭기의 제2 입력 단자는,
    반전 입력 단자에 해당하는, 전자 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는,
    NMOS 트랜지스터로 구현되되,
    상기 트랜지스터의 소스 단은 상기 내부 노드와 연결되고, 상기 트랜지스터의 드레인 단은 접지단과 연결되는, 전자 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 방전 제어 신호는,
    상기 포토 다이오드에 대한 파워 오프 시퀀스가 진행될 때, 상기 트랜지스터의 문턱 전압 이상의 레벨을 가지는, 전자 장치.
  14. 포토 다이오드의 애노드가 연결된 내부 노드의 음전압을 방전 제어 회로가 음 전원 단자를 통해 음 전원 전압으로 인가받는 단계;
    상기 방전 제어 회로에서 상기 음 전원 전압을 기반으로, 방전 제어 신호의 전압에 상기 음전압을 가산하여 구동 전압을 생성하는 단계; 및
    상기 방전 제어 회로에서 상기 구동 전압을 트랜지스터의 게이트 단에 인가하여 상기 내부 노드의 음전하가 상기 트랜지스터를 통해 방출되도록 제어하는 단계를 포함하는, 전자 장치의 제어 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 구동 전압을 생성하는 단계는,
    상기 방전 제어 신호의 전압 및 상기 내부 노드의 전압에 대한 평균 전압을 생성하는 단계; 및
    상기 평균 전압을 상기 방전 제어 회로에 포함된 연산 증폭기를 통해 두 배로 증폭하여 상기 구동 전압으로 출력하는 단계를 포함하는, 전자 장치의 제어 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 평균 전압을 생성하는 단계는,
    제1 및 제2 저항의 값에 따라 상기 방전 제어 신호의 전압 및 상기 내부 노드의 전압으로부터 상기 평균 전압을 생성하도록 수행되되,
    상기 제1 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제1 입력 단자 및 상기 방전 제어 신호가 입력되는 노드 사이에 연결되고,
    상기 제2 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제1 입력 단자 및 상기 내부 노드 사이에 연결되는, 전자 장치의 제어 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 저항의 값은,
    상기 제2 저항의 값과 동일하게 설정되는, 전자 장치의 제어 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 구동 전압으로 출력하는 단계는,
    제3 및 제4 저항의 값에 따라 상기 평균 전압을 두 배로 증폭하여 상기 구동 전압으로 출력하도록 수행되되,
    상기 제3 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제2 입력 단자 및 접지단 사이에 연결되고,
    상기 제4 저항은,
    상기 연산 증폭기의 제2 입력 단자 및 상기 연산 증폭기의 출력 단자 사이에 연결되는, 전자 장치의 제어 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제3 저항의 값은,
    상기 제4 저항의 값과 동일하게 설정되는, 전자 장치의 제어 방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는,
    NMOS 트랜지스터로 구현되되,
    상기 트랜지스터의 소스 단은 상기 내부 노드와 연결되고, 상기 트랜지스터의 드레인 단은 접지단과 연결되는, 전자 장치의 제어 방법.
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